JPH1070001A - 低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 - Google Patents
低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH1070001A JPH1070001A JP8225545A JP22554596A JPH1070001A JP H1070001 A JPH1070001 A JP H1070001A JP 8225545 A JP8225545 A JP 8225545A JP 22554596 A JP22554596 A JP 22554596A JP H1070001 A JPH1070001 A JP H1070001A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- film
- chip resistor
- low
- screen printing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin-film techniques
- H01C17/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin-film techniques by chemical deposition
- H01C17/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin-film techniques by chemical deposition without using electric current
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points on resistors
- H01C1/142—Terminals or tapping points specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points on resistors the terminals or tapping points being coated on the resistive element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/006—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistor chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component composed of oxides
- H01C17/0654—Oxides of the platinum group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、過電流を精度良く検出し得
る安価な低抵抗チップ抵抗器を提供すること、その低抵
抗チップ抵抗器を簡易に効率良く製造することができる
製造方法を提供することにある。 【解決手段】 絶縁基板と、スクリーン印刷法によって
印刷焼成される少なくとも一対の電極部と、スクリーン
印刷法によって印刷焼成され、電気鍍金法及び／又は無
電解鍍金法によって鍍着形成され、面積抵抗率が下層抵
抗膜より低い上層抵抗膜からなる抵抗部と、を備えてな
ることを特徴とする低抵抗チップ抵抗器。絶縁基板上
に、少なくとも一対の電極部をスクリーン印刷法によっ
て印刷焼成する工程と、絶縁基板上に、各対電極部間に
亘る下層抵抗膜をスクリーン印刷法によって印刷焼成す
る工程と、下層抵抗膜上に、面積抵抗率が下層抵抗膜よ
り低い上層抵抗膜を電気鍍金法及び／又は無電解鍍金法
によって鍍着形成する工程と、を含むことを特徴とする
低抵抗チップ抵抗器の製造方法。
る安価な低抵抗チップ抵抗器を提供すること、その低抵
抗チップ抵抗器を簡易に効率良く製造することができる
製造方法を提供することにある。 【解決手段】 絶縁基板と、スクリーン印刷法によって
印刷焼成される少なくとも一対の電極部と、スクリーン
印刷法によって印刷焼成され、電気鍍金法及び／又は無
電解鍍金法によって鍍着形成され、面積抵抗率が下層抵
抗膜より低い上層抵抗膜からなる抵抗部と、を備えてな
ることを特徴とする低抵抗チップ抵抗器。絶縁基板上
に、少なくとも一対の電極部をスクリーン印刷法によっ
て印刷焼成する工程と、絶縁基板上に、各対電極部間に
亘る下層抵抗膜をスクリーン印刷法によって印刷焼成す
る工程と、下層抵抗膜上に、面積抵抗率が下層抵抗膜よ
り低い上層抵抗膜を電気鍍金法及び／又は無電解鍍金法
によって鍍着形成する工程と、を含むことを特徴とする
低抵抗チップ抵抗器の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は低抵抗チップ抵抗器
及びその製造方法、特に過電流を精度良く検出し得る安
価な低抵抗チップ抵抗器及びその低抵抗チップ抵抗器を
簡易に製造し得る製造方法に関する。
及びその製造方法、特に過電流を精度良く検出し得る安
価な低抵抗チップ抵抗器及びその低抵抗チップ抵抗器を
簡易に製造し得る製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、小型電子機器の過電流保護回路に
おいては、絶縁基板上に抵抗部を蒸着法やスパッタ法に
よって形成すると共に、電極部以外の部分を保護コート
し、電極部を鍍金処理した低抵抗チップ抵抗器（イ）
や、絶縁基板上に金属抵抗箔を接着剤で貼着し、フォト
エッチング法によりパターンニングすると共に、保護コ
ート、電極を成形した低抵抗チップ抵抗器（ロ）が、そ
の過電流を検出するために採用されている。
おいては、絶縁基板上に抵抗部を蒸着法やスパッタ法に
よって形成すると共に、電極部以外の部分を保護コート
し、電極部を鍍金処理した低抵抗チップ抵抗器（イ）
や、絶縁基板上に金属抵抗箔を接着剤で貼着し、フォト
エッチング法によりパターンニングすると共に、保護コ
ート、電極を成形した低抵抗チップ抵抗器（ロ）が、そ
の過電流を検出するために採用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た抵抗器（イ）における抵抗部を形成するあたって、真
空技術を利用するため生産性が低下するといった欠点が
あり、また抵抗器（ロ）における金属抵抗箔を貼着する
にあたって、貼着工程が手作業であるため均一性及び生
産性が低下するといった欠点がある。従って、現在、最
も生産性に富むとされているスクリーン印刷法において
も、Ｐｄ−Ａｇ系ペースト、Ｐｄ−Ａｇ−ＲｕＯ2 系ペ
ースト等の一般的に使用される抵抗ペーストを用いて単
に抵抗部を形成するのみでは、低抵抗（例えば１００ｍ
Ω／□以下）の抵抗膜を備える良好な低抵抗チップ抵抗
器を効率良く生産し、安価で提供することは極めて困難
であり、高い過電流を精度良く検出することもできな
い。更に、従来の低抵抗チップ抵抗器においては、単に
低抵抗を得るためにグレーズ系導電ペーストが採用され
ているに過ぎず、抵抗部のＴＣＲ（抵抗温度係数、以下
同じ）を小さく（約５００ｐｐｍ／℃以下）することに
ついては、殆ど考慮されていないのが実情である。この
ような状況のもと、小型電子機器のメーカーにおいて
は、小型電子機器の過電流保護回路において採用でき、
過電流を精度良く検出し得る安価な低抵抗チップ抵抗器
の開発が切望されている。
た抵抗器（イ）における抵抗部を形成するあたって、真
空技術を利用するため生産性が低下するといった欠点が
あり、また抵抗器（ロ）における金属抵抗箔を貼着する
にあたって、貼着工程が手作業であるため均一性及び生
産性が低下するといった欠点がある。従って、現在、最
も生産性に富むとされているスクリーン印刷法において
も、Ｐｄ−Ａｇ系ペースト、Ｐｄ−Ａｇ−ＲｕＯ2 系ペ
ースト等の一般的に使用される抵抗ペーストを用いて単
に抵抗部を形成するのみでは、低抵抗（例えば１００ｍ
Ω／□以下）の抵抗膜を備える良好な低抵抗チップ抵抗
器を効率良く生産し、安価で提供することは極めて困難
であり、高い過電流を精度良く検出することもできな
い。更に、従来の低抵抗チップ抵抗器においては、単に
低抵抗を得るためにグレーズ系導電ペーストが採用され
ているに過ぎず、抵抗部のＴＣＲ（抵抗温度係数、以下
同じ）を小さく（約５００ｐｐｍ／℃以下）することに
ついては、殆ど考慮されていないのが実情である。この
ような状況のもと、小型電子機器のメーカーにおいて
は、小型電子機器の過電流保護回路において採用でき、
過電流を精度良く検出し得る安価な低抵抗チップ抵抗器
の開発が切望されている。
【０００４】本発明は上述の従来の技術の欠点に着目
し、これを解決せんとしたものであり、その目的は、過
電流を精度良く検出し得る安価な低抵抗チップ抵抗器を
提供することにある。
し、これを解決せんとしたものであり、その目的は、過
電流を精度良く検出し得る安価な低抵抗チップ抵抗器を
提供することにある。
【０００５】また本発明の他の目的は、過電流を精度良
く検出し得る安価な低抵抗チップ抵抗器を簡易に効率良
く製造することができる製造方法を提供することにあ
る。
く検出し得る安価な低抵抗チップ抵抗器を簡易に効率良
く製造することができる製造方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的に鑑
みてなされたものであり、その要旨とするところは、絶
縁基板と、絶縁基板上にスクリーン印刷法によって印刷
焼成される少なくとも一対の電極部と、絶縁基板上にス
クリーン印刷法によって印刷焼成され、各対電極部間に
亘る下層抵抗膜、並びに下層抵抗膜上に電気鍍金法及び
／又は無電解鍍金法によって鍍着形成され、面積抵抗率
が下層抵抗膜より低い上層抵抗膜からなる抵抗部と、を
備えてなることを特徴とする低抵抗チップ抵抗器にあ
る。この態様によれば、絶縁基板上の各対電極部間に亘
るように、下層抵抗膜がスクリーン印刷法によって印刷
焼成され、また上層抵抗膜が電気鍍金法及び／又は無電
解鍍金法によって鍍着形成されており、従って低抵抗化
を簡易にしかも確実に図った安価な低抵抗チップ抵抗器
を提供することができ、これによって過電流を精度良く
検出することができる。特に、上記上層抵抗膜として、
面積抵抗率が下層抵抗膜よりも低く、且つＴＣＲが小さ
い上層抵抗膜を採用すれば、低抵抗チップ抵抗器におけ
る過電流の検出精度を更に高めることができる。
みてなされたものであり、その要旨とするところは、絶
縁基板と、絶縁基板上にスクリーン印刷法によって印刷
焼成される少なくとも一対の電極部と、絶縁基板上にス
クリーン印刷法によって印刷焼成され、各対電極部間に
亘る下層抵抗膜、並びに下層抵抗膜上に電気鍍金法及び
／又は無電解鍍金法によって鍍着形成され、面積抵抗率
が下層抵抗膜より低い上層抵抗膜からなる抵抗部と、を
備えてなることを特徴とする低抵抗チップ抵抗器にあ
る。この態様によれば、絶縁基板上の各対電極部間に亘
るように、下層抵抗膜がスクリーン印刷法によって印刷
焼成され、また上層抵抗膜が電気鍍金法及び／又は無電
解鍍金法によって鍍着形成されており、従って低抵抗化
を簡易にしかも確実に図った安価な低抵抗チップ抵抗器
を提供することができ、これによって過電流を精度良く
検出することができる。特に、上記上層抵抗膜として、
面積抵抗率が下層抵抗膜よりも低く、且つＴＣＲが小さ
い上層抵抗膜を採用すれば、低抵抗チップ抵抗器におけ
る過電流の検出精度を更に高めることができる。
【０００７】本発明の他の要旨は、上記下層抵抗膜をＰ
ｄ−Ａｇ系抵抗膜とし、且つ上記上層抵抗膜をＮｉ系抵
抗膜としたことを特徴とする上述の低抵抗チップ抵抗器
にあり、この態様によれば、スクリーン印刷法によって
印刷焼成される比較的安価なＰｄ−Ａｇ系抵抗膜を下層
抵抗膜として採用すると共に、電気鍍金法及び／又は無
電解鍍金法によって鍍着形成される比較的ＴＣＲが小さ
いＮｉ系抵抗膜を上層抵抗膜として採用したので、上述
したように、低抵抗チップ抵抗器における過電流の検出
精度を更に高めることができるうえ、低抵抗チップ抵抗
器の低廉化をも可能にする。
ｄ−Ａｇ系抵抗膜とし、且つ上記上層抵抗膜をＮｉ系抵
抗膜としたことを特徴とする上述の低抵抗チップ抵抗器
にあり、この態様によれば、スクリーン印刷法によって
印刷焼成される比較的安価なＰｄ−Ａｇ系抵抗膜を下層
抵抗膜として採用すると共に、電気鍍金法及び／又は無
電解鍍金法によって鍍着形成される比較的ＴＣＲが小さ
いＮｉ系抵抗膜を上層抵抗膜として採用したので、上述
したように、低抵抗チップ抵抗器における過電流の検出
精度を更に高めることができるうえ、低抵抗チップ抵抗
器の低廉化をも可能にする。
【０００８】本発明の更に他の要旨は、絶縁基板上に電
極部及び抵抗部を備えてなる低抵抗チップ抵抗器の製造
方法であって、絶縁基板上に、少なくとも一対の電極部
をスクリーン印刷法によって印刷焼成する工程と、絶縁
基板上に、各対電極部間に亘る下層抵抗膜をスクリーン
印刷法によって印刷焼成する工程と、下層抵抗膜上に、
面積抵抗率が下層抵抗膜より低い上層抵抗膜を電気鍍金
法及び／又は無電解鍍金法によって鍍着形成する工程
と、を含むことを特徴とする低抵抗チップ抵抗器の製造
方法にある。この態様によれば、絶縁基板上の各対電極
部間に亘るように、下層抵抗膜をスクリーン印刷法によ
って印刷焼成し、また上層抵抗膜を電気鍍金法及び／又
は無電解鍍金法によって鍍着形成するようにしたので、
低抵抗チップ抵抗器の低抵抗化を簡易にしかも確実に図
ることができ、過電流を精度良く検出し得る安価な低抵
抗チップ抵抗器を効率良く製造することができる。特
に、上層抵抗膜として、面積抵抗率が下層抵抗膜よりも
低く、且つＴＣＲが小さいものを採用すれば、過電流の
検出精度が更に良好な低抵抗チップ抵抗器を効率良く製
造することができる。
極部及び抵抗部を備えてなる低抵抗チップ抵抗器の製造
方法であって、絶縁基板上に、少なくとも一対の電極部
をスクリーン印刷法によって印刷焼成する工程と、絶縁
基板上に、各対電極部間に亘る下層抵抗膜をスクリーン
印刷法によって印刷焼成する工程と、下層抵抗膜上に、
面積抵抗率が下層抵抗膜より低い上層抵抗膜を電気鍍金
法及び／又は無電解鍍金法によって鍍着形成する工程
と、を含むことを特徴とする低抵抗チップ抵抗器の製造
方法にある。この態様によれば、絶縁基板上の各対電極
部間に亘るように、下層抵抗膜をスクリーン印刷法によ
って印刷焼成し、また上層抵抗膜を電気鍍金法及び／又
は無電解鍍金法によって鍍着形成するようにしたので、
低抵抗チップ抵抗器の低抵抗化を簡易にしかも確実に図
ることができ、過電流を精度良く検出し得る安価な低抵
抗チップ抵抗器を効率良く製造することができる。特
に、上層抵抗膜として、面積抵抗率が下層抵抗膜よりも
低く、且つＴＣＲが小さいものを採用すれば、過電流の
検出精度が更に良好な低抵抗チップ抵抗器を効率良く製
造することができる。
【０００９】本発明は、上記下層抵抗膜としてＰｄ−Ａ
ｇ系抵抗膜をスクリーン印刷法によって印刷焼成し、且
つ上層抵抗膜としてＮｉ系抵抗膜を電気鍍金法及び／又
は無電解鍍金法によって鍍着形成することを特徴とする
上述の低抵抗チップ抵抗器の製造方法にあり、この態様
によれば、下層抵抗膜として比較的安価なＰｄ−Ａｇ系
抵抗膜をスクリーン印刷法によって印刷焼成すると共
に、上層抵抗膜として比較的ＴＣＲが小さいＮｉ系抵抗
膜を電気鍍金法及び／又は無電解鍍金法によって鍍着形
成するようにしたので、上述したように、低抵抗チップ
抵抗器における過電流の検出精度が更に良好で、しかも
安価な低抵抗チップ抵抗器を効率良く製造することがで
きる。
ｇ系抵抗膜をスクリーン印刷法によって印刷焼成し、且
つ上層抵抗膜としてＮｉ系抵抗膜を電気鍍金法及び／又
は無電解鍍金法によって鍍着形成することを特徴とする
上述の低抵抗チップ抵抗器の製造方法にあり、この態様
によれば、下層抵抗膜として比較的安価なＰｄ−Ａｇ系
抵抗膜をスクリーン印刷法によって印刷焼成すると共
に、上層抵抗膜として比較的ＴＣＲが小さいＮｉ系抵抗
膜を電気鍍金法及び／又は無電解鍍金法によって鍍着形
成するようにしたので、上述したように、低抵抗チップ
抵抗器における過電流の検出精度が更に良好で、しかも
安価な低抵抗チップ抵抗器を効率良く製造することがで
きる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の低抵抗チップ抵抗器及び
その製造方法において、下層抵抗膜は、上層抵抗膜を電
気鍍金法及び／又は無電解鍍金法によって鍍着形成する
ために、それに先立って絶縁基板上にスクリーン印刷法
によって印刷焼成される抵抗膜である。他方、上層抵抗
膜は、電気鍍金法及び／又は無電解鍍金法によって絶縁
基板上の下層抵抗膜に鍍着形成される抵抗膜であり、面
積抵抗率が下層抵抗膜より低いことを要する。特に、上
層抵抗膜は、過電流の検出精度を高めるために、低抵抗
チップ抵抗器における抵抗部のＴＣＲは小さいことが望
ましく、具体的には低抵抗領域として小さい０〜２５０
ｐｐｍ／℃程度のＴＣＲであることが望ましい。
その製造方法において、下層抵抗膜は、上層抵抗膜を電
気鍍金法及び／又は無電解鍍金法によって鍍着形成する
ために、それに先立って絶縁基板上にスクリーン印刷法
によって印刷焼成される抵抗膜である。他方、上層抵抗
膜は、電気鍍金法及び／又は無電解鍍金法によって絶縁
基板上の下層抵抗膜に鍍着形成される抵抗膜であり、面
積抵抗率が下層抵抗膜より低いことを要する。特に、上
層抵抗膜は、過電流の検出精度を高めるために、低抵抗
チップ抵抗器における抵抗部のＴＣＲは小さいことが望
ましく、具体的には低抵抗領域として小さい０〜２５０
ｐｐｍ／℃程度のＴＣＲであることが望ましい。
【００１１】絶縁基板上にスクリーン印刷法によって印
刷焼成される下層抵抗膜としては、例えばＰｄ−Ａｇ系
抵抗膜（Ｐｄ−Ａｇ−ＲｕＯ2 抵抗膜等を含む）を掲げ
ることができ、また下層抵抗膜上に電気鍍金法及び／又
は無電解鍍金法によって鍍着形成される上層抵抗膜とし
ては、例えばＮｉ系抵抗膜（Ｎｉ−Ｐ抵抗膜、Ｎｉ−Ｃ
ｕ−Ｐ抵抗膜、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ抵抗膜、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐ抵
抗膜、Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ抵抗膜等を含む）を掲げることが
できる。
刷焼成される下層抵抗膜としては、例えばＰｄ−Ａｇ系
抵抗膜（Ｐｄ−Ａｇ−ＲｕＯ2 抵抗膜等を含む）を掲げ
ることができ、また下層抵抗膜上に電気鍍金法及び／又
は無電解鍍金法によって鍍着形成される上層抵抗膜とし
ては、例えばＮｉ系抵抗膜（Ｎｉ−Ｐ抵抗膜、Ｎｉ−Ｃ
ｕ−Ｐ抵抗膜、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ抵抗膜、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐ抵
抗膜、Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ抵抗膜等を含む）を掲げることが
できる。
【００１２】本発明において、低抵抗とは１００ｍΩ／
□以下の抵抗値、特に２２〜４７ｍΩ／□の抵抗値をい
う。このような抵抗値の低抵抗チップ抵抗器は、小型電
子機器の過電流保護回路において最適な抵抗器として採
用され、過電流を精度良く検出することができる。
□以下の抵抗値、特に２２〜４７ｍΩ／□の抵抗値をい
う。このような抵抗値の低抵抗チップ抵抗器は、小型電
子機器の過電流保護回路において最適な抵抗器として採
用され、過電流を精度良く検出することができる。
【００１３】また本発明の低抵抗チップ抵抗器の製造方
法においては、上述した工程のほか、保護膜を形成する
工程や、端面電極を形成する工程や、鍍金電極を鍍着形
成する工程等、任意の工程を付加してもよく、従ってこ
れらの他の工程を付加した場合には、その工程に伴う他
の構成が本発明の低抵抗チップ抵抗器においても付加さ
れた態様となることはいうまでもない。
法においては、上述した工程のほか、保護膜を形成する
工程や、端面電極を形成する工程や、鍍金電極を鍍着形
成する工程等、任意の工程を付加してもよく、従ってこ
れらの他の工程を付加した場合には、その工程に伴う他
の構成が本発明の低抵抗チップ抵抗器においても付加さ
れた態様となることはいうまでもない。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
ここで、図１は本発明の低抵抗チップ抵抗器の実施例を
示す概略縦断面図である。
説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
ここで、図１は本発明の低抵抗チップ抵抗器の実施例を
示す概略縦断面図である。
【００１５】図１に示す本発明の低抵抗チップ抵抗器
は、アルミナセラミックス基板１１と、この基板１１上
に形成されるＰｄ−Ａｇ下層抵抗膜１２及びＮｉ−Ｃｕ
−Ｐ上層抵抗膜１３と、Ａｇ表裏電極膜１４，１５と、
保護膜１６と、端面電極１７と、鍍金電極膜１８と、を
備えて構成されている。
は、アルミナセラミックス基板１１と、この基板１１上
に形成されるＰｄ−Ａｇ下層抵抗膜１２及びＮｉ−Ｃｕ
−Ｐ上層抵抗膜１３と、Ａｇ表裏電極膜１４，１５と、
保護膜１６と、端面電極１７と、鍍金電極膜１８と、を
備えて構成されている。
【００１６】上記Ｐｄ−Ａｇ下層抵抗膜１２、Ａｇ表裏
電極膜１４，１５、及び保護膜１６は、スクリーン印刷
法によって形成されたものであり、また上記Ｎｉ−Ｃｕ
−Ｐ上層抵抗膜１３は、無電解鍍金法によって形成され
たものである。このＮｉ−Ｃｕ−Ｐ上層抵抗膜１３は、
ＴＣＲに大幅な変化を来すことなく抵抗値を下げるため
に、下層抵抗膜１２の全面に形成される。
電極膜１４，１５、及び保護膜１６は、スクリーン印刷
法によって形成されたものであり、また上記Ｎｉ−Ｃｕ
−Ｐ上層抵抗膜１３は、無電解鍍金法によって形成され
たものである。このＮｉ−Ｃｕ−Ｐ上層抵抗膜１３は、
ＴＣＲに大幅な変化を来すことなく抵抗値を下げるため
に、下層抵抗膜１２の全面に形成される。
【００１７】端面電極１７は、基板１１の左右両側面に
印刷焼成されており、保護膜１６は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ上
層抵抗膜１３上に印刷焼成されている。また、鍍金電極
膜１８は、露出した状態にあるＮｉ−Ｃｕ−Ｐ上層抵抗
膜１３、Ａｇ裏電極膜１５、及び端面電極１７上に形成
されている。
印刷焼成されており、保護膜１６は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ上
層抵抗膜１３上に印刷焼成されている。また、鍍金電極
膜１８は、露出した状態にあるＮｉ−Ｃｕ−Ｐ上層抵抗
膜１３、Ａｇ裏電極膜１５、及び端面電極１７上に形成
されている。
【００１８】上記低抵抗チップ抵抗器を製造するにあた
っては、アルミナセラミックス基板１１上に、一対のＡ
ｇ表電極膜１４をスクリーン印刷法によって印刷焼成す
ると共に、各対Ａｇ電極膜１４間に亘るようにＰｄ−Ａ
ｇ下層抵抗膜１２をスクリーン印刷法によって印刷焼成
し、次いでＰｄ−Ａｇ下層抵抗膜１２上に、面積抵抗率
がＰｄ−Ａｇ下層抵抗膜１２より低いＮｉ−Ｃｕ−Ｐ上
層抵抗膜１３を無電解鍍金法によって鍍着形成する。そ
して、スクリーン印刷法によってＡｇ裏電極膜１５及び
保護膜１６を印刷焼成した後、端面電極１７を塗布焼成
し、更にＡｇ裏電極膜１５、端面電極１７、及び端部付
近のＮｉ−Ｃｕ−Ｐ上層抵抗膜１３上に鍍金電極膜１８
を鍍着形成し、その製造を完了する。
っては、アルミナセラミックス基板１１上に、一対のＡ
ｇ表電極膜１４をスクリーン印刷法によって印刷焼成す
ると共に、各対Ａｇ電極膜１４間に亘るようにＰｄ−Ａ
ｇ下層抵抗膜１２をスクリーン印刷法によって印刷焼成
し、次いでＰｄ−Ａｇ下層抵抗膜１２上に、面積抵抗率
がＰｄ−Ａｇ下層抵抗膜１２より低いＮｉ−Ｃｕ−Ｐ上
層抵抗膜１３を無電解鍍金法によって鍍着形成する。そ
して、スクリーン印刷法によってＡｇ裏電極膜１５及び
保護膜１６を印刷焼成した後、端面電極１７を塗布焼成
し、更にＡｇ裏電極膜１５、端面電極１７、及び端部付
近のＮｉ−Ｃｕ−Ｐ上層抵抗膜１３上に鍍金電極膜１８
を鍍着形成し、その製造を完了する。
【００１９】Ｐｄ−Ａｇ下部抵抗膜１２上に形成される
上層抵抗膜としては、無電解鍍金法によって形成される
上記Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ上層抵抗膜１３に代えて、電気鍍金
法及び／又は無電解鍍金法によって形成されるＮｉ単独
の上層抵抗膜のほか、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ、Ｎｉ−
Ｃｒ−Ｐ、Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ等といった他のＮｉ系の上層
抵抗膜を採用することもできる。特に、上述した無電解
鍍金法による場合にあっては、その前処理として活性化
液（例えば、塩化パラジウム溶液）を用いないで、Ｐｄ
−Ａｇ系の下層抵抗膜に負の電荷を帯電させ（電気鍍金
法）、無電解鍍金反応のトリガとして作用させる。ここ
で、活性化液を用いないで負の電荷を帯電させることと
したのは、一般に活性化液は強酸（ｐＨ１以下）であ
り、ＴＣＲを大きくし、且つ過負荷に対する抗力を弱め
てしまう、即ちＰｄ−Ａｇ系の下層抵抗膜の抵抗膜とし
ての機能を低減させてしまうといった欠点があり、これ
を防止するためである。
上層抵抗膜としては、無電解鍍金法によって形成される
上記Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ上層抵抗膜１３に代えて、電気鍍金
法及び／又は無電解鍍金法によって形成されるＮｉ単独
の上層抵抗膜のほか、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ、Ｎｉ−
Ｃｒ−Ｐ、Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ等といった他のＮｉ系の上層
抵抗膜を採用することもできる。特に、上述した無電解
鍍金法による場合にあっては、その前処理として活性化
液（例えば、塩化パラジウム溶液）を用いないで、Ｐｄ
−Ａｇ系の下層抵抗膜に負の電荷を帯電させ（電気鍍金
法）、無電解鍍金反応のトリガとして作用させる。ここ
で、活性化液を用いないで負の電荷を帯電させることと
したのは、一般に活性化液は強酸（ｐＨ１以下）であ
り、ＴＣＲを大きくし、且つ過負荷に対する抗力を弱め
てしまう、即ちＰｄ−Ａｇ系の下層抵抗膜の抵抗膜とし
ての機能を低減させてしまうといった欠点があり、これ
を防止するためである。
【００２０】尚、本実施例の低抵抗チップ抵抗器では、
３．２mm×２．５mmのチップにおいて、３３ｍΩ、２２
ｍΩ、またそれ以下の抵抗値を有する抵抗膜を形成する
ことができた。また、それらのＴＣＲは、低抵抗領域と
して小さい０〜３００ｐｐｍ／℃を示した。
３．２mm×２．５mmのチップにおいて、３３ｍΩ、２２
ｍΩ、またそれ以下の抵抗値を有する抵抗膜を形成する
ことができた。また、それらのＴＣＲは、低抵抗領域と
して小さい０〜３００ｐｐｍ／℃を示した。
【００２１】
【発明の効果】本発明の低抵抗チップ抵抗器は、絶縁基
板上の各対電極部間に亘るように、下層抵抗膜がスクリ
ーン印刷法によって印刷焼成され、また上層抵抗膜が電
気鍍金法及び／又は無電解鍍金法によって鍍着形成され
る構成を採用したことにより、従って低抵抗化を簡易に
しかも確実に図った安価な低抵抗チップ抵抗器を提供す
ることができ、これによって過電流を精度良く検出する
ことができるといった顕著な効果を奏する。特に、上記
上層抵抗膜として、面積抵抗率が下層抵抗膜よりも低
く、且つＴＣＲが小さい上層抵抗膜を採用することによ
り、低抵抗チップ抵抗器における過電流の検出精度を更
に高めることができるといった顕著な効果を奏する。
板上の各対電極部間に亘るように、下層抵抗膜がスクリ
ーン印刷法によって印刷焼成され、また上層抵抗膜が電
気鍍金法及び／又は無電解鍍金法によって鍍着形成され
る構成を採用したことにより、従って低抵抗化を簡易に
しかも確実に図った安価な低抵抗チップ抵抗器を提供す
ることができ、これによって過電流を精度良く検出する
ことができるといった顕著な効果を奏する。特に、上記
上層抵抗膜として、面積抵抗率が下層抵抗膜よりも低
く、且つＴＣＲが小さい上層抵抗膜を採用することによ
り、低抵抗チップ抵抗器における過電流の検出精度を更
に高めることができるといった顕著な効果を奏する。
【００２２】本発明の他の低抵抗チップ抵抗器は、スク
リーン印刷法によって印刷焼成される比較的安価なＰｄ
−Ａｇ系抵抗膜を下層抵抗膜とすると共に、電気鍍金法
及び／又は無電解鍍金法によって鍍着形成される比較的
ＴＣＲが小さいＮｉ系抵抗膜を上層抵抗膜とする構成を
採用したことにより、上述したように、低抵抗チップ抵
抗器における過電流の検出精度を更に高めることができ
るうえ、低抵抗チップ抵抗器の低廉化をも可能にすると
いった効果を奏する。
リーン印刷法によって印刷焼成される比較的安価なＰｄ
−Ａｇ系抵抗膜を下層抵抗膜とすると共に、電気鍍金法
及び／又は無電解鍍金法によって鍍着形成される比較的
ＴＣＲが小さいＮｉ系抵抗膜を上層抵抗膜とする構成を
採用したことにより、上述したように、低抵抗チップ抵
抗器における過電流の検出精度を更に高めることができ
るうえ、低抵抗チップ抵抗器の低廉化をも可能にすると
いった効果を奏する。
【００２３】本発明の低抵抗チップ抵抗器の製造方法
は、絶縁基板上の各対電極部間に亘るように、下層抵抗
膜をスクリーン印刷法によって印刷焼成し、また上層抵
抗膜を電気鍍金法及び／又は無電解鍍金法によって鍍着
形成する方法を採用したことにより、低抵抗チップ抵抗
器の低抵抗化を簡易にしかも確実に図ることができ、過
電流を精度良く検出し得る安価な低抵抗チップ抵抗器を
効率良く製造することができる。特に、上層抵抗膜とし
て、面積抵抗率が下層抵抗膜よりも低く、且つＴＣＲが
小さいものを採用すれば、過電流の検出精度が更に良好
な低抵抗チップ抵抗器を効率良く製造することができ
る。
は、絶縁基板上の各対電極部間に亘るように、下層抵抗
膜をスクリーン印刷法によって印刷焼成し、また上層抵
抗膜を電気鍍金法及び／又は無電解鍍金法によって鍍着
形成する方法を採用したことにより、低抵抗チップ抵抗
器の低抵抗化を簡易にしかも確実に図ることができ、過
電流を精度良く検出し得る安価な低抵抗チップ抵抗器を
効率良く製造することができる。特に、上層抵抗膜とし
て、面積抵抗率が下層抵抗膜よりも低く、且つＴＣＲが
小さいものを採用すれば、過電流の検出精度が更に良好
な低抵抗チップ抵抗器を効率良く製造することができ
る。
【００２４】本発明は、下層抵抗膜として比較的安価な
Ｐｄ−Ａｇ系抵抗膜をスクリーン印刷法によって印刷焼
成すると共に、上層抵抗膜として比較的ＴＣＲが小さい
Ｎｉ系抵抗膜を電気鍍金法及び／又は無電解鍍金法によ
って鍍着形成する方法を採用したことにより、上述した
ように、低抵抗チップ抵抗器における過電流の検出精度
が更に良好で、しかも安価な低抵抗チップ抵抗器を効率
良く製造することができる。
Ｐｄ−Ａｇ系抵抗膜をスクリーン印刷法によって印刷焼
成すると共に、上層抵抗膜として比較的ＴＣＲが小さい
Ｎｉ系抵抗膜を電気鍍金法及び／又は無電解鍍金法によ
って鍍着形成する方法を採用したことにより、上述した
ように、低抵抗チップ抵抗器における過電流の検出精度
が更に良好で、しかも安価な低抵抗チップ抵抗器を効率
良く製造することができる。
【図１】本発明の低抵抗チップ抵抗器の実施例を示す概
略縦断面図である。
略縦断面図である。
１１ アルミナセラミックス基板（絶縁基板） １２ Ｐｄ−Ａｇ下層抵抗膜（下層抵抗膜） １３ Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ上層抵抗膜（上層抵抗膜） １４ Ａｇ表電極 １５ Ａｇ裏電極 １６ 保護膜 １７ 端面電極 １８ 鍍金電極膜
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁基板と、 絶縁基板上にスクリーン印刷法によって印刷焼成される
少なくとも一対の電極部と、 絶縁基板上にスクリーン印刷法によって印刷焼成され、
各対電極部間に亘る下層抵抗膜、並びに下層抵抗膜上に
電気鍍金法及び／又は無電解鍍金法によって鍍着形成さ
れ、面積抵抗率が下層抵抗膜より低い上層抵抗膜からな
る抵抗部と、を備えてなることを特徴とする低抵抗チッ
プ抵抗器。 - 【請求項２】 上記下層抵抗膜をＰｄ−Ａｇ系抵抗膜と
し、且つ上記上層抵抗膜をＮｉ系抵抗膜としたことを特
徴とする請求項１に記載の低抵抗チップ抵抗器。 - 【請求項３】 絶縁基板上に電極部及び抵抗部を備えて
なる低抵抗チップ抵抗器の製造方法であって、 絶縁基板上に、少なくとも一対の電極部をスクリーン印
刷法によって印刷焼成する工程と、 絶縁基板上に、各対電極部間に亘る下層抵抗膜をスクリ
ーン印刷法によって印刷焼成する工程と、 下層抵抗膜上に、面積抵抗率が下層抵抗膜より低い上層
抵抗膜を電気鍍金法及び／又は無電解鍍金法によって鍍
着形成する工程と、を含むことを特徴とする低抵抗チッ
プ抵抗器の製造方法。 - 【請求項４】 上記下層抵抗膜としてＰｄ−Ａｇ系抵抗
膜をスクリーン印刷法によって印刷焼成し、且つ上層抵
抗膜としてＮｉ系抵抗膜を電気鍍金法及び／又は無電解
鍍金法によって鍍着形成することを特徴とする請求項３
に記載の低抵抗チップ抵抗器の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8225545A JP2896996B2 (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 |
| DE19780905T DE19780905C2 (de) | 1996-08-27 | 1997-08-26 | Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung |
| GB9807983A GB2321558B (en) | 1996-08-27 | 1997-08-26 | Chip resistor and method for producing the same |
| PCT/JP1997/002955 WO1998009298A1 (fr) | 1996-08-27 | 1997-08-26 | Resistance pastille et son procede de fabrication |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8225545A JP2896996B2 (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1070001A true JPH1070001A (ja) | 1998-03-10 |
| JP2896996B2 JP2896996B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=16830979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8225545A Expired - Lifetime JP2896996B2 (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2896996B2 (ja) |
| DE (1) | DE19780905C2 (ja) |
| GB (1) | GB2321558B (ja) |
| WO (1) | WO1998009298A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002064002A (ja) * | 2000-06-05 | 2002-02-28 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器およびその製法 |
| JP2015521802A (ja) * | 2012-06-29 | 2015-07-30 | イザベレンヒュッテ ホイスラー ゲー・エム・ベー・ハー ウント コンパニー コマンデイトゲゼルシャフト | 抵抗器、特に低抵抗電流測定抵抗器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006060634A1 (de) | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstands auf einem Substrat |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS584486B2 (ja) * | 1973-10-15 | 1983-01-26 | 三菱電機株式会社 | センタクサドウカイロ |
| JPS5678506U (ja) * | 1979-11-20 | 1981-06-25 | ||
| JPH0567501A (ja) * | 1991-05-23 | 1993-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | チツプ抵抗器 |
-
1996
- 1996-08-27 JP JP8225545A patent/JP2896996B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-08-26 WO PCT/JP1997/002955 patent/WO1998009298A1/ja not_active Ceased
- 1997-08-26 GB GB9807983A patent/GB2321558B/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-26 DE DE19780905T patent/DE19780905C2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002064002A (ja) * | 2000-06-05 | 2002-02-28 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器およびその製法 |
| JP2015521802A (ja) * | 2012-06-29 | 2015-07-30 | イザベレンヒュッテ ホイスラー ゲー・エム・ベー・ハー ウント コンパニー コマンデイトゲゼルシャフト | 抵抗器、特に低抵抗電流測定抵抗器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1998009298A1 (fr) | 1998-03-05 |
| DE19780905T1 (de) | 1998-10-15 |
| DE19780905C2 (de) | 2003-03-20 |
| GB2321558B (en) | 1999-10-27 |
| JP2896996B2 (ja) | 1999-05-31 |
| GB9807983D0 (en) | 1998-06-17 |
| GB2321558A (en) | 1998-07-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201250725A (en) | Resistor and method for making same | |
| US20110089025A1 (en) | Method for manufacturing a chip resistor having a low resistance | |
| WO2009152781A1 (zh) | 片式电阻器及其制造方法 | |
| KR20050071330A (ko) | 과전류 보호 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2896996B2 (ja) | 低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 | |
| US9068913B2 (en) | Photolithographic structured thick layer sensor | |
| JPS643323B2 (ja) | ||
| JP4707890B2 (ja) | チップ抵抗器およびその製造方法 | |
| JPH04357692A (ja) | 薄膜ヒータ及びその製造方法 | |
| JP2000299203A (ja) | 抵抗器およびその製造方法 | |
| JP2000106302A (ja) | 低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 | |
| JP2634592B2 (ja) | 低抵抗付回路基板およびその製造法 | |
| JPH08138903A (ja) | チップ電子部品 | |
| JP2003234201A (ja) | 抵抗器およびその製造方法 | |
| JP2002232119A (ja) | 配線基板 | |
| JPH02294007A (ja) | セラミック電子部品の電極形成方法 | |
| JPH06302951A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
| JP2006019323A (ja) | 抵抗組成物、チップ抵抗器及びその製造方法 | |
| CN112837872B (zh) | 一种片式薄膜电阻器及其制备方法 | |
| KR970005746B1 (ko) | 가변저항기 | |
| JP2003297670A (ja) | チップ型複合部品 | |
| JP2000174423A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| CN108766698A (zh) | 溅射铜0r电阻器的制造方法 | |
| JPH02154496A (ja) | 配線板の製造法 | |
| JP2931910B2 (ja) | 回路基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080312 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090312 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090312 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100312 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110312 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110312 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120312 Year of fee payment: 13 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120312 Year of fee payment: 13 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120312 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130312 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130312 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140312 Year of fee payment: 15 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |