JPH1070225A - 電子部品用基板の部分メッキ方法 - Google Patents
電子部品用基板の部分メッキ方法Info
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- JPH1070225A JPH1070225A JP8244268A JP24426896A JPH1070225A JP H1070225 A JPH1070225 A JP H1070225A JP 8244268 A JP8244268 A JP 8244268A JP 24426896 A JP24426896 A JP 24426896A JP H1070225 A JPH1070225 A JP H1070225A
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 メッキを施す特定の箇所を簡単に選択するこ
とができるとともに、メッキ量を自由に、かつ高精度に
コントロールすることができるようにする。 【解決手段】 ガラスエポキシ基板１の銅配線リード部
分２に微小金属ボール４を配列接着または接合した後、
前記微小金属ボール４を溶融するようにすることによ
り、前記ガラスエポキシ基板１の銅配線リード部分２を
異種金属で選択的にコーティングできるようにして、電
子部品用基板の特定箇所を容易に、かつ高精度に部分メ
ッキできるようにする。
とができるとともに、メッキ量を自由に、かつ高精度に
コントロールすることができるようにする。 【解決手段】 ガラスエポキシ基板１の銅配線リード部
分２に微小金属ボール４を配列接着または接合した後、
前記微小金属ボール４を溶融するようにすることによ
り、前記ガラスエポキシ基板１の銅配線リード部分２を
異種金属で選択的にコーティングできるようにして、電
子部品用基板の特定箇所を容易に、かつ高精度に部分メ
ッキできるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品用基板の部
分メッキ方法に係わり、特に、半導体製品を搭載するた
めの電子部品用基板の特定箇所を選択的に部分メッキす
る方法に用いて好適なものである。
分メッキ方法に係わり、特に、半導体製品を搭載するた
めの電子部品用基板の特定箇所を選択的に部分メッキす
る方法に用いて好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品用基板の金属部分を保護した
り、他の電子部品との接合を容易にしたりするために、
前記金属部分の特定箇所にメッキを部分的に施すことが
従来より行われている。このようなメッキの種類として
は種々であるが、代表的なものとしては、湿式の電気メ
ッキ及び無電解メッキを挙げることができる。
り、他の電子部品との接合を容易にしたりするために、
前記金属部分の特定箇所にメッキを部分的に施すことが
従来より行われている。このようなメッキの種類として
は種々であるが、代表的なものとしては、湿式の電気メ
ッキ及び無電解メッキを挙げることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記湿式の電気メッキ
は、特定の箇所以外の所を、絶縁性の材料を用いて事前
に覆ったり、あるいはマスクしたりすることにより所定
の箇所を部分メッキするようにして行われる。したがっ
て、湿式の電気メッキの場合は、半導体製品を搭載する
ための電子部品における微小部分に施すのには不適であ
り、また、メッキ量をコントロールすることが困難であ
るという問題があった。
は、特定の箇所以外の所を、絶縁性の材料を用いて事前
に覆ったり、あるいはマスクしたりすることにより所定
の箇所を部分メッキするようにして行われる。したがっ
て、湿式の電気メッキの場合は、半導体製品を搭載する
ための電子部品における微小部分に施すのには不適であ
り、また、メッキ量をコントロールすることが困難であ
るという問題があった。
【０００４】また、被メッキ物を電気的に導通させなけ
ればメッキすることができない問題があった。さらに、
湿式の電気メッキの場合には、メッキ液や洗浄液等の液
体を大量に使用するので、大掛かりな処理設備が必要で
あり、環境問題を生じやすい問題があった。
ればメッキすることができない問題があった。さらに、
湿式の電気メッキの場合には、メッキ液や洗浄液等の液
体を大量に使用するので、大掛かりな処理設備が必要で
あり、環境問題を生じやすい問題があった。
【０００５】一方、前記無電解メッキの場合は、電解反
応を利用することなしに、酸またはアルカリなどの化学
薬品にて行うものであるので、メッキ可能な金属が限定
されてしまうという問題があった。
応を利用することなしに、酸またはアルカリなどの化学
薬品にて行うものであるので、メッキ可能な金属が限定
されてしまうという問題があった。
【０００６】また、特定の箇所のみをメッキするために
は、前記特定の箇所を下地処理することが必要なので、
多くの手間がかかる問題があった。さらに、無電解メッ
キでは厚いメッキを行うことが困難である上に、メッキ
量がばらついてしまう欠点があった。
は、前記特定の箇所を下地処理することが必要なので、
多くの手間がかかる問題があった。さらに、無電解メッ
キでは厚いメッキを行うことが困難である上に、メッキ
量がばらついてしまう欠点があった。
【０００７】本発明は前述の問題点にかんがみ、メッキ
を施す特定の箇所を簡単に選択することができるととも
に、メッキ量を自由にコントロールすることができるよ
うにすることを目的とする。
を施す特定の箇所を簡単に選択することができるととも
に、メッキ量を自由にコントロールすることができるよ
うにすることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品用基板
の部分メッキ方法は、少なくとも半導体搭載用基板また
はリードフレームを含む電子部品用基板の特定箇所に微
小金属ボールを配列接着または接合した後、前記微小金
属ボールを溶融することにより、前記電子部品用基板の
特定箇所を異種金属で選択的にコーティングすることを
特徴としている。
の部分メッキ方法は、少なくとも半導体搭載用基板また
はリードフレームを含む電子部品用基板の特定箇所に微
小金属ボールを配列接着または接合した後、前記微小金
属ボールを溶融することにより、前記電子部品用基板の
特定箇所を異種金属で選択的にコーティングすることを
特徴としている。
【０００９】また、本発明の他の特徴とするところは、
前記微小金属ボールを、前記電子部品用基板の被メッキ
箇所に対応する位置に設けられた貫通穴を有する配列基
板に仮配列固定する処理と、前記配列基板を前記電子部
品用基板上に移動させ、前記貫通穴に仮配列固定した微
小金属ボールを前記被メッキ箇所に接着または接合する
処理とを含むことを特徴としている。
前記微小金属ボールを、前記電子部品用基板の被メッキ
箇所に対応する位置に設けられた貫通穴を有する配列基
板に仮配列固定する処理と、前記配列基板を前記電子部
品用基板上に移動させ、前記貫通穴に仮配列固定した微
小金属ボールを前記被メッキ箇所に接着または接合する
処理とを含むことを特徴としている。
【００１０】また、本発明のその他の特徴とするところ
は、前記微小金属ボールを半田、Ｓｎ合金またはＩｎ合
金の中から選択し、前記選択した微小金属ボールをリフ
ローにより溶融して前記電子部品用基板の特定箇所を異
種金属で選択的にコーティングすることを特徴としてい
る。
は、前記微小金属ボールを半田、Ｓｎ合金またはＩｎ合
金の中から選択し、前記選択した微小金属ボールをリフ
ローにより溶融して前記電子部品用基板の特定箇所を異
種金属で選択的にコーティングすることを特徴としてい
る。
【００１１】また、本発明のその他の特徴とするところ
は、前記微小金属ボールをＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎ
ｉ、Ｃｒの中から選択し、部分加熱により前記微小金属
ボールを溶融することを特徴としている。
は、前記微小金属ボールをＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎ
ｉ、Ｃｒの中から選択し、部分加熱により前記微小金属
ボールを溶融することを特徴としている。
【００１２】また、本発明のその他の特徴とするところ
は、前記電子部品用基板が絶縁性の樹脂基板またはポリ
イミドテープで、前記特定箇所が銅からなる配線である
ことを特徴としている。
は、前記電子部品用基板が絶縁性の樹脂基板またはポリ
イミドテープで、前記特定箇所が銅からなる配線である
ことを特徴としている。
【００１３】また、本発明のその他の特徴とするところ
は、前記電子部品用基板が基板がセラミックスで、前記
特定箇所が銅からなる配線であることを特徴としてい
る。
は、前記電子部品用基板が基板がセラミックスで、前記
特定箇所が銅からなる配線であることを特徴としてい
る。
【００１４】また、本発明のその他の特徴とするところ
は、前記電子部品用基板が銅または鉄合金からなるリー
ドフレームであり、前記リードフレームのリード部分を
部分的にメッキすることを特徴としている。
は、前記電子部品用基板が銅または鉄合金からなるリー
ドフレームであり、前記リードフレームのリード部分を
部分的にメッキすることを特徴としている。
【００１５】
【作用】本発明は前記技術手段よりなるので、電子部品
用基板の特定箇所に仮配列した金属ボールを溶融するこ
とにより、前記金属ボールが下地金属とは熱拡散して強
固な接着力を生じる。前記金属ボールは熱拡散により下
地金属と接合するので、拡散による結合の優れたものが
望ましい。
用基板の特定箇所に仮配列した金属ボールを溶融するこ
とにより、前記金属ボールが下地金属とは熱拡散して強
固な接着力を生じる。前記金属ボールは熱拡散により下
地金属と接合するので、拡散による結合の優れたものが
望ましい。
【００１６】なお、結合力の乏しい組み合わせや、ある
いは拡散速度が大きすぎる場合には、バリア金属とし
て、前記下地金属及び金属ボールと異なる金属をこれら
の中間に介在させるようにすればよい。
いは拡散速度が大きすぎる場合には、バリア金属とし
て、前記下地金属及び金属ボールと異なる金属をこれら
の中間に介在させるようにすればよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電子部品用基板の
部分メッキ方法の一実施形態を図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の第１の実施形態を示し、ガラスエ
ポキシ基板１の銅配線リード部分２の特定箇所（先端
部）３を部分メッキする場合を説明するための図であ
る。
部分メッキ方法の一実施形態を図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の第１の実施形態を示し、ガラスエ
ポキシ基板１の銅配線リード部分２の特定箇所（先端
部）３を部分メッキする場合を説明するための図であ
る。
【００１８】この場合の銅配線リード部分２の配線幅は
５０μｍであり、前記特定箇所３を部分メッキするため
に用いる金属ボール４は半田ボールであり、その大きさ
は６０μｍφ（６／４ハンダ）である。
５０μｍであり、前記特定箇所３を部分メッキするため
に用いる金属ボール４は半田ボールであり、その大きさ
は６０μｍφ（６／４ハンダ）である。
【００１９】本実施形態の電子部品用基板の部分メッキ
方法を実行する場合には、まず、前記ガラスエポキシ基
板１の銅配線リード部分２の先端部３に金属ボール４を
仮配列する。次いで、前記金属ボール４を２９０℃の温
度でリフローすることにより、前記金属ボール４を前記
銅配線リード部分２の特定箇所３にコーティングして半
田メッキする。
方法を実行する場合には、まず、前記ガラスエポキシ基
板１の銅配線リード部分２の先端部３に金属ボール４を
仮配列する。次いで、前記金属ボール４を２９０℃の温
度でリフローすることにより、前記金属ボール４を前記
銅配線リード部分２の特定箇所３にコーティングして半
田メッキする。
【００２０】次に、前記金属ボール４を、前記銅配線リ
ード部分２の先端部３に仮配列する方法を、図２を参照
しながら説明する。図２に示すように、金属ボール４の
配列はガラスエポキシ基板１に形成されている銅配線リ
ード部分２の特定箇所３に対応して４０μｍ径の穴１１
を貫通させた厚さ０．３ｍｍの配列基板１３の裏面を真
空圧で吸引し（吸引機構は図示せず）、その状態で配列
基板１３を金属ボール４を収容した容器１０に近接させ
る。
ード部分２の先端部３に仮配列する方法を、図２を参照
しながら説明する。図２に示すように、金属ボール４の
配列はガラスエポキシ基板１に形成されている銅配線リ
ード部分２の特定箇所３に対応して４０μｍ径の穴１１
を貫通させた厚さ０．３ｍｍの配列基板１３の裏面を真
空圧で吸引し（吸引機構は図示せず）、その状態で配列
基板１３を金属ボール４を収容した容器１０に近接させ
る。
【００２１】そして、各穴１１のそれぞれに前記金属ボ
ール４を吸引固定した後、銅配線リード部分２の特定箇
所３と位置合わせを行い、前記金属ボール４を前記銅配
線リード部分２の特定箇所３上に仮接着する。その後、
前述したように、金属ボール４をリフローにより溶融し
て前記銅配線リード部分２の特定箇所３に接合すればよ
い。
ール４を吸引固定した後、銅配線リード部分２の特定箇
所３と位置合わせを行い、前記金属ボール４を前記銅配
線リード部分２の特定箇所３上に仮接着する。その後、
前述したように、金属ボール４をリフローにより溶融し
て前記銅配線リード部分２の特定箇所３に接合すればよ
い。
【００２２】次に、本発明の電子部品用基板の部分メッ
キ方法の第２の実施形態を、図３を参照しながら説明す
る。この第２の実施形態の場合には、ＴＡＢテープ２１
のビアホール部２２を半田メッキする場合を示してい
る。
キ方法の第２の実施形態を、図３を参照しながら説明す
る。この第２の実施形態の場合には、ＴＡＢテープ２１
のビアホール部２２を半田メッキする場合を示してい
る。
【００２３】図３に示すように、ＴＡＢテープ２１の所
定位置に形成された複数のビアホール部２２において露
出している銅（Ｃｕ）配線２３上に、微小金属ボール２
４を仮配列する。この場合、前記ビアホール部２２の直
径は１００μｍφであり、微小金属ボール２４は６０μ
ｍである。また、前記ビアホール部２２の数は、１ユニ
ット上に、例えば格子状に３００個程度形成されてい
る。
定位置に形成された複数のビアホール部２２において露
出している銅（Ｃｕ）配線２３上に、微小金属ボール２
４を仮配列する。この場合、前記ビアホール部２２の直
径は１００μｍφであり、微小金属ボール２４は６０μ
ｍである。また、前記ビアホール部２２の数は、１ユニ
ット上に、例えば格子状に３００個程度形成されてい
る。
【００２４】前述のようにして複数の微小金属ボール２
４を仮配列したら、次に、前記微小金属ボール２４をリ
フローする。これにより、前記ビアホール部２２におい
て露出している銅（Ｃｕ）配線２３を、容易にかつ高精
度に半田メッキすることができる。
４を仮配列したら、次に、前記微小金属ボール２４をリ
フローする。これにより、前記ビアホール部２２におい
て露出している銅（Ｃｕ）配線２３を、容易にかつ高精
度に半田メッキすることができる。
【００２５】したがって、本実施形態の部分メッキ方法
によれば、前記ＴＡＢテープ２１の融点よりも低い融点
の配線を前記ビアホール部２２に形成することができ
る。これにより、ＴＡＢテープ２１のビアホール部２２
内において露出している銅（Ｃｕ）配線２３上と半導体
チップの電極（図示せず）とを低温度で接合できるた
め、絶縁テープ上にエリアアレイ状に電極を配置するこ
とが可能となる。
によれば、前記ＴＡＢテープ２１の融点よりも低い融点
の配線を前記ビアホール部２２に形成することができ
る。これにより、ＴＡＢテープ２１のビアホール部２２
内において露出している銅（Ｃｕ）配線２３上と半導体
チップの電極（図示せず）とを低温度で接合できるた
め、絶縁テープ上にエリアアレイ状に電極を配置するこ
とが可能となる。
【００２６】したがって、本実施形態の電子部品用基板
の部分メッキ方法は、多ピンの接合に非常に有利であ
る。また、ＴＡＢテープ２１と微小金属ボール２４との
接合は配列基板１３を用いて一括して行うことが可能な
ので、電極数の多い高密度デバイスでの量産性を大幅に
向上させることができる。
の部分メッキ方法は、多ピンの接合に非常に有利であ
る。また、ＴＡＢテープ２１と微小金属ボール２４との
接合は配列基板１３を用いて一括して行うことが可能な
ので、電極数の多い高密度デバイスでの量産性を大幅に
向上させることができる。
【００２７】次に、図４を参照しながら本発明の第３の
実施形態を説明する。この第３の実施形態の部分メッキ
方法は、リードフレーム３１のリード部分のみを銀メッ
キする場合に適用した例を示している。
実施形態を説明する。この第３の実施形態の部分メッキ
方法は、リードフレーム３１のリード部分のみを銀メッ
キする場合に適用した例を示している。
【００２８】本実施形態においては、まず、リード幅１
５０μｍのリード電極の先端に１５０μｍφの銀ボール
（図示せず）を配列して仮接着する。その後、前記銀ボ
ールにレーザ光線をスポット照射して溶融することによ
り、前記リード電極の先端部を銀メッキするようにして
いる。
５０μｍのリード電極の先端に１５０μｍφの銀ボール
（図示せず）を配列して仮接着する。その後、前記銀ボ
ールにレーザ光線をスポット照射して溶融することによ
り、前記リード電極の先端部を銀メッキするようにして
いる。
【００２９】本実施形態の部分メッキ方法は、前述のよ
うにして部分メッキを行うので、電子部品用基板の特定
箇所を異種金属で選択的にコーティングする際に、効率
的に行うことができ、かつメッキ量を高精度にコントロ
ールすることができる。
うにして部分メッキを行うので、電子部品用基板の特定
箇所を異種金属で選択的にコーティングする際に、効率
的に行うことができ、かつメッキ量を高精度にコントロ
ールすることができる。
【００３０】すなわち、電子部品用基板の特定箇所に金
属ボールを配列する処理は、特定箇所に対応した穴が形
成されている配列基板の裏面を真空圧で吸引し、前記穴
に金属ボールを吸引固定することにより、例えば３００
個程度の金属ボールを一括して配列することができる。
属ボールを配列する処理は、特定箇所に対応した穴が形
成されている配列基板の裏面を真空圧で吸引し、前記穴
に金属ボールを吸引固定することにより、例えば３００
個程度の金属ボールを一括して配列することができる。
【００３１】また、特定箇所をメッキする量は、前記金
属ボールの大きさを加減することにより容易に、かつ高
精度にコントロールすることができる。さらに、微小ボ
ールの作成が可能であれば、どのような金属でもメッキ
することが可能であり、メッキに伴う環境問題も生じな
い利点がある。また、本実施形態の部分メッキ方法は、
２種類以上の重ね合わせメッキも容易に行うことができ
る。
属ボールの大きさを加減することにより容易に、かつ高
精度にコントロールすることができる。さらに、微小ボ
ールの作成が可能であれば、どのような金属でもメッキ
することが可能であり、メッキに伴う環境問題も生じな
い利点がある。また、本実施形態の部分メッキ方法は、
２種類以上の重ね合わせメッキも容易に行うことができ
る。
【００３２】
【発明の効果】本発明は前述したように、メッキを行う
部分に微小金属ボールを仮配列した後に溶融してメッキ
するので、従来のように原子／分子単位で金属を析出し
てメッキする場合と比較してメッキ効率を大幅に向上さ
せることができる。
部分に微小金属ボールを仮配列した後に溶融してメッキ
するので、従来のように原子／分子単位で金属を析出し
てメッキする場合と比較してメッキ効率を大幅に向上さ
せることができる。
【００３３】また、メッキ箇所の選択性が優れているの
で、メッキしない部分をマスクしたりする作業を行うこ
となく所望の位置を任意にメッキすることができ、作業
工程を大幅に合理化することができる。
で、メッキしない部分をマスクしたりする作業を行うこ
となく所望の位置を任意にメッキすることができ、作業
工程を大幅に合理化することができる。
【００３４】また、金属ボールの大きさを加減すること
によりメッキする量を容易に、かつ高精度にコントロー
ルすることができ、さらに、メッキを液を使用しないの
で、電子部品用基板を汚したりする心配、及び環境を汚
染することなくメッキすることができる等、優れた利点
を有している。
によりメッキする量を容易に、かつ高精度にコントロー
ルすることができ、さらに、メッキを液を使用しないの
で、電子部品用基板を汚したりする心配、及び環境を汚
染することなくメッキすることができる等、優れた利点
を有している。
【図１】本発明の第１の実施形態を示し、表面に銅配線
リード部分が形成されたガラスエポキシ基板の平面図で
ある。
リード部分が形成されたガラスエポキシ基板の平面図で
ある。
【図２】微小金属ボールを配列する処理を説明するため
の図である。
の図である。
【図３】本発明の第２の実施形態を示し、ＴＡＢテープ
のビアホール部を部分的に半田メッキする方法を説明す
る図である。
のビアホール部を部分的に半田メッキする方法を説明す
る図である。
【図４】本発明の第３の実施形態を示し、リードフレー
ムの一例を示す図である。
ムの一例を示す図である。
１ ガラスエポキシ基板 ２ 銅配線リード部分 ３ 特定箇所 ４ 金属ボール １１ 穴 １３ 配列基板
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくとも半導体搭載用基板またはリー
ドフレームを含む電子部品用基板の特定箇所に微小金属
ボールを配列接着または接合した後、前記微小金属ボー
ルを溶融することにより、前記電子部品用基板の特定箇
所を異種金属で選択的にコーティングすることを特徴と
する電子部品用基板の部分メッキ方法。 - 【請求項２】 前記微小金属ボールを、前記電子部品用
基板の被メッキ箇所に対応する位置に設けられた貫通穴
を有する配列基板に仮配列固定する処理と、前記配列基
板を前記電子部品用基板上に移動させ、前記貫通穴に仮
配列固定した微小金属ボールを前記被メッキ箇所に接着
または接合する処理とを含むことを特徴とする請求項１
に記載の電子部品用基板の部分メッキ方法。 - 【請求項３】 前記微小金属ボールを半田、Ｓｎ合金ま
たはＩｎ合金の中から選択し、前記選択した微小金属ボ
ールをリフローにより溶融して前記電子部品用基板の特
定箇所を異種金属で選択的にコーティングすることを特
徴とする請求項１または２の何れか１項に記載の電子部
品用基板の部分メッキ方法。 - 【請求項４】 前記微小金属ボールをＡｕ、Ａｇ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒの中から選択し、部分加熱により
前記微小金属ボールを溶融することを特徴とする請求項
１または２の何れか１項に記載の電子部品用基板の部分
メッキ方法。 - 【請求項５】 前記電子部品用基板が絶縁性の樹脂基板
またはポリイミドテープで、前記特定箇所が銅からなる
配線であることを特徴とする請求項１または２の何れか
１項に記載の電子部品用基板の部分メッキ方法。 - 【請求項６】 前記電子部品用基板が基板がセラミック
スで、前記特定箇所が銅からなる配線であることを特徴
とする請求項１または２の何れか１項に記載の電子部品
用基板の部分メッキ方法。 - 【請求項７】 前記電子部品用基板が銅または鉄合金か
らなるリードフレームであり、前記リードフレームのリ
ード部分を部分的にメッキすることを特徴とする請求項
１または２の何れか１項に記載の電子部品基板の部分メ
ッキ方法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP8244268A JPH1070225A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 電子部品用基板の部分メッキ方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8244268A JPH1070225A (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 電子部品用基板の部分メッキ方法 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Also Published As
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