JPH1072398A - 1−インダノンの製造方法 - Google Patents

1−インダノンの製造方法

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JPH1072398A
JPH1072398A JP23289196A JP23289196A JPH1072398A JP H1072398 A JPH1072398 A JP H1072398A JP 23289196 A JP23289196 A JP 23289196A JP 23289196 A JP23289196 A JP 23289196A JP H1072398 A JPH1072398 A JP H1072398A
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indenylamide
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Withdrawn
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JP23289196A
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English (en)
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Masakuni Harada
昌晋 原田
Yoshio Igarashi
善雄 五十嵐
Shigeru Nakano
茂 中野
Shinya Otsutomo
慎也 乙供
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ICHIKAWA GOSEI KAGAKU KK
Original Assignee
ICHIKAWA GOSEI KAGAKU KK
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 有用物質である1−インダノンを効率的に製
造する。 【解決手段】 所定の置換基を有するN−インダニルア
ミド類を塩基性条件下で反応させることにより、新規化
合物であるN−インデニルアミド誘導体とし、これを加
水分解することにより、所望の化合物である1−インダ
ノンとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、工業的に有用な、
1−インダノンの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】1−インダノンは医薬品中間体として重
要である。例えば、J.Org.Chem.,55,4
237(1990)には本化合物がセロトニン吸収阻害
剤製造の有用な中間体であることが開示されている。こ
れまでに1−インダノンの製造方法については、いくつ
かの方法が開示されている。例えば、ルッツ(Lut
z)等[J.Am.Chem.Soc.,60,136
0(1938)]は、シス−(±)−2−クロロインダ
ン−1−オールもしくはトランス−(±)−2−クロロ
インダン−1−オールを、希水酸化ナトリウム水溶液も
しくは希硫酸水溶液中で加熱し反応液を酸性にした後、
ジニトロフェニルヒドラジンのアルコール溶液を加え、
目的物である1−インダノンをヒドラゾン誘導体として
得ている。(下記式)
【0003】
【化9】
【0004】しかしながら、ルッツ等の方法は生成した
1−インダノンをヒドラジン誘導体として取り出す等操
作が煩雑で、大量の廃水や廃液を副生し容積効率が悪
く、さらにヒドラジン誘導体の収率が低いなどの問題点
を有している。
【0005】クリーグ(Criege)[Justus
Liebigs Ann.Chem.,481,26
3(1930)]はインデンを四酢酸鉛で処理すること
により1−アセトキシインデンとし、これを加水分解す
ることにより目的とする1−インダノンを得ている。
(下記式)
【0006】
【化10】
【0007】クリーグの方法は比較的有効な方法ではあ
るものの、鉛化合物は毒性が強いため中間体である1−
アセトキシインデンの合成方法が困難であり、工業的と
は考えられない。
【0008】ピヴァ(Piva)等[Tetrahed
ron Lett.,33,2459(1992)]
は、トランス−2−ブロモインダン−1−オールをベン
ゼン或いはトルエンに溶解し、p−トルエンスルホン酸
存在下でUV(λ=254nm)を照射することによ
り、目的とする1−インダノンを得ている。(下記式)
【0009】
【化11】
【0010】しかしながらこの方法は光反応装置などの
特殊な設備を使用する必要があり、さらに容積効率も悪
く、収率も低いといった問題点がある。
【0011】以上のように、1−インダノンはその満足
できる製造方法が知られておらず、工業的かつ安価に製
造することが困難だった。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、1−インダ
ノンの効率的な製造方法を提供することを課題とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明者等は先に出願し
たシス−1−アミノ−2−ベンゾシクロアルカノール類
の製造方法(特願平8−115119)において、リッ
ター反応の副生成物として一般式(I )(ただし、式
中、Rはメチル基であり、Xは臭素原子であり、NHC
ORとXはシス配置であり、ラセミ体でも光学活性体で
もよい)で表されるN−インダニルアセトアミドが生成
することを見いだしている。さらに、この化合物を適当
な条件下で反応させることにより、2位のハロゲン原子
をSN 2反応によりハロゲン交換することにより、反応
活性なトランス−2−ブロモ−1−アセトアミドインダ
ンを生成させ、これを酸性水溶液中で処理することによ
り、有用な化合物である一般式(IV)
【0014】
【化12】
【0015】(ただし、式中、NH2 基とOH基はシス
配置であり、ラセミ体でも光学活性体でもよい)で表さ
れる、1−アミノインダン−2−オールの製造方法を提
案している。
【0016】本発明者等は一般式(I )(ただし、式
中、Rはメチル基であり、Xは臭素原子であり、NHC
ORとXはシス配置であり、ラセミ体でも光学活性体で
もよい)で表されるN−インダニルアセトアミドの、さ
らなる有効利用方法を見いだすべく鋭意研究を続け、2
位の置換基X(ただし、Xは臭素原子である)を反転さ
せることなく、1,2−脱離によって不飽和結合を生成
させる反応条件を詳細に検討し、本発明を完成するに至
った。すなわち、本発明は一般式(I )
【0017】
【化13】
【0018】(ただし、式中、Rは置換もしくは無置換
のフェニル基もしくは炭素数1〜8の低級アルキル基で
あり、Xはハロゲン原子もしくはOSO2 R’で表され
る置換スルホニルオキシ基であり、R’は置換もしくは
無置換のフェニル基もしくは炭素数1〜8の低級アルキ
ル基であり、NHCORとXはシス配置であり、光学活
性体でもラセミ体でもよい)で表されるN−インダニル
アミド類を塩基性条件下で反応させることにより、一般
式(II)
【0019】
【化14】
【0020】(ただし、式中、Rは置換もしくは無置換
のフェニル基もしくは炭素数1〜8の低級アルキル基で
ある)で表されるN−インデニルアミド誘導体とし、こ
れを加水分解することからなる式(III )
【0021】
【化15】
【0022】で表される1−インダノンの製造方法を提
供するものである。
【0023】本発明によって製造される一般式(II)で
表されるN−インデニル化合物は新規な化合物である。
すなわち、本発明者等は新規な一般式(II)で表される
N−インデニルアミド誘導体の新規な製造方法、および
この化合物が加水分解によって容易に有用物質である式
(III )で表される1−インダノンを生成することを見
いだし、本発明を完成するに至ったものである。
【0024】
【発明の実施の形態】一般式(I )で表されるN−イン
ダニルアミド類としては、シス−1−アセトアミド−2
−クロロインダン、シス−1−アセトアミド−2−ブロ
モインダン、シス−1−アセトアミド−2−ヨードイン
ダン、シス−1−ベンズアミド−2−クロロインダン、
シス−1−ベンズアミド−2−ブロモインダン、シス−
1−ベンズアミド−2−ヨードインダン等があげられ
る。また、シス−1−アセトアミド−2−メタンスルホ
ニルオキシインダン、シス−1−ベンズアミド−2−メ
タンスルホニルオキシインダン、シス−1−アセトアミ
ド−2−p−トルエンスルホニルオキシインダン、シス
−1−ベンズアミド−2−p−トルエンスルホニルオキ
シインダン等の新規な化合物もあげられる。
【0025】本発明を具体的に説明する。一般的には、
一般式(I )で表されるN−インダニルアミド類を適当
な溶媒に溶解もしくは懸濁し、塩基性条件下でかき混ぜ
ることにより一般式(II)で表されるN−インデニルア
ミド類を得る。
【0026】この塩基性条件を得るために、リチウムメ
トキシド、リチウムエトキシド、リチウム−tert−
ブトキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキ
シド、ナトリウム−tert−ブトキシド、ナトリウム
−tert−ペントキシド、カリウムメトキシド、カリ
ウムエトキシド、カリウム−tert−ブトキシドシド
等のアルカリ金属アルコキシドが使用できる。
【0027】また、ブレンステッド酸の解離定数(25
℃・水)がpKa=5以上の値を示す、脂肪族アミン、
芳香族アミン、脂環式アミン、複素環式アミン等のアミ
ン類も使用できる。一般式(I )で表されるN−インダ
ニルアミド類とアミン類を反応させた場合、1,2−脱
離して一般式(II)で表されるN−インデニルアミド類
を生成する反応と、アミンが2位のX基とSN 2求核置
換する反応が競争的に生ずると予想される。すなわち、
アミンの塩基性が求核性より強い場合は1,2−脱離が
優先的に生じ、アミンの求核性が塩基性より強い場合は
N 2求核置換反応が優先的に生ずる。例えば、ピリジ
ンはpKa=5.17(Lange’sHandboo
k of Chemistry,13th Ed.,M
cGraw−Hill,New York,198
5.)であるが、一般式(I )(ただし、式中、Rはメ
チル基であり、Xは臭素原子であり、NHCORとXは
シス配置であり、ラセミ体でも光学活性体でもよい)で
表されるN−インダニルアセトアミドをピリジンと反応
させた場合、一般式(II)(ただし、式中、Rはメチル
基である)で表されるN−インデニルアセトアミドを得
るものの、副反応により収率が低下する。一方、トリエ
チルアミンはpKa=10.72、tert−ブチルア
ミンはpKa=10.72、モルホリンはpKa=8.
33であるが、この場合塩基性が求核性よりも強いた
め、一般式(II)で表されるN−インデニルアミド誘導
体を高収率で得ることができる。
【0028】さらに、水酸化リチウム、炭酸リチウム、
水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム
等のアルカリ金属の水酸化物もしくは炭酸塩が使用でき
る。ただし、アルカリ金属の水酸化物もしくは炭酸塩を
用いた場合、1,2−脱離反応により生じた酸との中和
反応により水を生成する。このため、一般式(II)で表
されるN−インデニルアミド類は加水分解されて1−イ
ンダノンとなる。これに対し、アルカリ金属のアルコキ
シドやアミン類を用いた場合は水の生成がないので、一
般式(II)で表されるN−インデニルアミド類を単離す
ることができる。
【0029】これらの塩基性化合物の使用量は、一般式
(I )で表されるN−インダニルアミド類に対して等モ
ル以上が好ましく過剰に用いてもよい。
【0030】溶媒としては、水、アルコール類のような
プロトン性極性溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチレンスルホンアミド等の非プ
ロトン性極性溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デ
カン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メシチレン等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン、
ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、トリクロ
ロエチレン、テトラクロロエチレン等の脂肪族ハロゲン
化炭化水素、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等
の芳香族ハロゲン化炭化水素、酢酸エチル、酢酸プロピ
ル、酢酸ブチル等の脂肪族エステル類のような反応に不
活性な溶媒が使用できる。また、これらの溶媒を組み合
わせて用いてもよい。例えば、混和が可能な溶媒類を併
用した場合には反応は均一系で進行するし、混和が困難
な溶媒類を併用した場合には反応は不均一系で反応す
る。但し、反応溶媒として水を用いた場合、一般式(I
I)で表されるN−インデニルアミド類の生成と加水分
解が並行して生ずるので生成物は1−インダノンとな
る。
【0031】本反応は−10℃から200℃で可能であ
るが、20℃から120℃の温度範囲で行うことがより
好ましい。これより温度が低いと反応の進行が遅く、温
度が高いと副反応により収率が低下する。
【0032】反応生成物の一般式(II)で表されるN−
インデニルアミド類は反応終了後、反応液を室温まで冷
却し、反応溶媒が水と混和しない場合において、生成物
の溶媒への溶解度が大きい場合は、水洗後に溶媒を濃縮
した後に常法により取り出せばよいし、溶解度が小さい
場合はそのまま濾過した後に結晶を洗浄すればよい。ま
た、反応溶媒が水と混和する場合には、反応溶液に水を
加えて析出した結晶を濾別するか、溶媒抽出などの常法
で取り出せばよい。
【0033】一般式(II)で表されるN−インデニルア
ミド類は塩基性条件下もしくは酸性条件下で加水分解す
ることにより、所望の1−インダノンを得る。但し、塩
基性条件下で加水分解を行うと、副反応が同時に進行し
収率が低下するため、酸性条件下で加水分解を行うこと
が好ましい。この酸性条件を得るために、硫酸、塩酸、
リン酸、酢酸、トリフルオロ酢酸を用いることが好まし
いが、これに限らず、過塩素酸、三フッ化ホウ素、メタ
ンスルホン酸、ゼオライト、イオン交換樹脂等適当な酸
性物質を用いることによっても所望の条件を得ることが
できる。その使用量は触媒量もしくは一般式(II)で表
されるN−インデニルアミド類に対して等モル以上が好
ましい。酸の使用量が少ないと反応が完結しないことも
ある。酸性条件を得るために硫酸を用いた場合、本反応
は硫酸濃度0.001%以上で可能であるが、0.1%
から50%の硫酸濃度で反応することが好ましい。これ
より濃度が低いと反応の進行が遅く容積効率も悪くな
る、これ以上高いと副反応により収率が低下する。
【0034】溶媒としては、水、アルコール類のような
プロトン性極性溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチレンスルホンアミド等の非プ
ロトン性極性溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デ
カン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、メシチレン等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン、
ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、トリクロ
ロエチレン、テトラクロロエチレン等の脂肪族ハロゲン
化炭化水素、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等
の芳香族ハロゲン化炭化水素のような反応に不活性な溶
媒が使用できる。また、これらの溶媒を組み合わせて用
いてもよい。例えば、一般式(II)で表されるN−イン
デニルアミド類の溶解度が大きい溶媒類を併用した場合
には反応は均一系の溶液状態で進行するし、溶解度が小
さい溶媒類を併用した場合には反応は不均一系のスラリ
ー状態で進行する。
【0035】本反応は−20℃から100℃で可能であ
るが、10℃から80℃の温度範囲で行うことがより好
ましい。これより温度が低いと反応の進行が遅く、温度
が高いと副反応により収率が低下する。
【0036】反応生成物の1−インダノンは反応終了
後、反応液を室温まで冷却し、反応溶媒が水と混和しな
い場合は反応液を水で洗浄し、そのまま濃縮乾固して取
り出せばよい。また、反応溶媒が水と混和する場合に
は、溶媒抽出などの常法で取り出せばよい。
【0037】
【発明の効果】以上のように、本発明は従来は不要と考
えられていた一般式(I )で表されるN−インダニルア
ミド類を簡便な操作により安価に有用化合物である、式
(III)で表される1−インダノンに変換する方法で
あり、工業的に価値の高いものである。
【0038】
【実施例】以下に実施例で本発明をより詳細に説明す
る。
【0039】以下の実施例における反応途中の分析は高
速液体クロマトグラフィー(HPLC)にて行った。ま
た、生成物の分析は高速液体クロマトグラフィー(HP
LC)もしくはガスクロマトグラフィー(GC)にて行
った。
【0040】高速液体クロマトグラ フィー(HPLC)
分析条 カラム;YMC pack C8 A202(4.6×
150mm) 移動層;下記グラジエントデータ参照 流 速;1ml/min 検 出;254nm 温 度;40℃
【0041】
【表1】
【0042】ガスクロマトグラフィ ー(GC)分析条件 カラム ;ガラスカラム(2.1m) 充填剤 ;5% Silicone OV−
17 60/80mesh Uniport HP 検出器 ;FID Range ;102 キャリヤーガス ;N2 Inj/Det temp. ;270℃ Initial time ;0 Final time ;10min Colum temp ;100℃→260℃ Program Rate ;10℃/min実施例1 (±)−シス− 2−ブロモ−1−アセトア
ドインダン(I :R=CH 3 ,X=Br)を出発物質に
用いた、1−アセトアミドインデン(II :R=CH 3
の合成(1) 100ml三ツ口フラスコに攪拌機、温度計、滴下ロー
ト、還流コンデンサーを取り付け、トルエン50ml、
(±)−シス−2−ブロモ−1−アセトアミドインダン
12.7g(0.05mol)を仕込んだ。かき混ぜな
がら25℃で20分を要してトリエチルアミン7.58
g(0.075mol)を滴下した。その後、110℃
で1時間かき混ぜた。室温まで冷却し内温30℃で、ジ
クロロエタン350ml、水100mlを添加した。反応液
を分液し有機層を得た。これを無水硫酸ナトリウムで乾
燥した後、減圧濃縮して1−アセトアミドインデン(I
I:R=CH3 )の淡茶色結晶8.74g(収率101
%)を得た。この化合物の高速液体クロマトグラフィー
(HPLC)による純度は99.0%(面積百分率)で
あった。
【0043】物性は下記に示す。
【0044】融点:131.5〜133.6℃ 1H−NMR(CDCl3 ,ppm,TMS);δ=
7.49(1H,d,NH)、7.35〜7.22(4
H,m,arom)、6.87(1H,t,CH)、
3.46(2H,d,CH2 )、2.24(3H,s,
CH3 )。
【0045】IR(KBr,cm-1);3287.0
(νNH)、1651.2(νC=O)、1529.7
(νNH)。
【0046】元素分析:C1111NOとしての 計算値:C 76.28%、H 6.40%、N 8.
09% 実測値:C 76.14%、H 6.45%、N 7.
95%実施例2 (±)−シス− 2−クロロ−1−アセトア
ドインダン(I :R=CH 3 ,X=Cl)を出発物質に
用いた、1−アセトアミドインデン(II :R=CH 3
の合成 50ml三ツ口フラスコに攪拌機、温度計、還流コンデン
サーを取り付け、メタノール20mlを仕込んだ。氷浴で
8℃まで冷却してかき混ぜながらナトリウムメトキシド
0.41g(7.5mmol)を添加した。ナトリウム
メトキシドを添加すると、内温は14℃まで上昇した。
氷浴をはずし、(±)−シス−2−クロロ−1−アセト
アミドインダン1.05g(5mmol)を添加した。
さらに50℃に加温して5時間かきまぜた。
【0047】反応液を冷却し、赤褐色の反応液に水30
mlを加え結晶を析出させた、さらに5℃まで冷却した
後、結晶を減圧濾過した。結晶を冷やした50%メタノ
ール水溶液20mlで洗浄した。濾取した結晶を減圧乾燥
して、1−アセトアミドインデンの灰色の結晶0.55
g(収率63.6%)を得た。この化合物の高速液体ク
ロマトグラフィー(HPLC)による純度は98.7%
(面積百分率)であった。この化合物のIRスペクトル
は実施例1の1−アセトアミドインデン(II:R=CH
3 )のスペクトルと一致した。
【0048】実施例3 (±)−シ ス−2−メタンスル
ホニル オキシ−1−アセトアミドインダン(I :R=C
3 ,X=OSO 2 CH 3 を出発物質に用いた、1−
アセトアミドインデン(II:R=CH 3 )の合成 1L三ツ口フラスコに攪拌機、温度計、滴下ロート、還
流コンデンサーを取り付け、塩化メチレン800ml、
(±)−シス−1−アミノ−2−インダノール298g
(2.0mol)を仕込んだ。これに、水浴冷却下かき
混ぜながら、無水酢酸224.4g(2.2mol)を
2.5時間を要して滴下した。さらに30℃で2.5時
間熟成した後、スラリーを減圧濾過した。結晶を塩化メ
チレン100mlにて2回洗浄した。濾取した結晶を減圧
乾燥して(±)−シス−1−アセトアミド−2−インダ
ノールの白色結晶219.4g(収率57.4%)を得
た。この化合物の高速液体クロマトグラフィー(HPL
C)による純度は97.9%(面積百分率)であった。
物性は下記に示す。
【0049】融点:162.1〜162.9℃ 1H−NMR(CDCl3 ,ppm,TMS);δ=
7.32〜7.19(4H,m,arom)6.27
(1H,d,NH)、5.34(1H,q,CH)、
4.59(1H,m,CH)、3.15(1H,dd,
CH2 )、2.93(1H,dd,CH2 )、2.58
(1H,d,OH)、2.08(3H,s,CH3 )。 IR(KBr,cm-1);3404.7(νOH)、3
341.0(νNH)、1616.5(νC=O)、1
554.8(νNH)。
【0050】元素分析:C1113NO2 としての 計算値:C 76.28%、H 6.40%、N 8.
09% 実測値:C 76.30%、H 6.44%、N 8.
03% 500ml四ツ口フラスコに攪拌機、温度計、滴下ロー
ト、還流コンデンサーを取り付け、ジクロロエタン30
0ml、(±)シス−1−アセトアミド−2−インダノー
ル38.2g(0.2mol)、トリエチルアミン2
2.3g(0.22mol)を仕込んだ。これに、水浴
冷却下かき混ぜながら、メタンスルホニルクロライド2
5.2g(0.22mol)を2時間を要して滴下し
た。さらに、25℃で18時間熟成した後、スラリーに
水50mlを加え30分攪拌した。結晶を減圧濾過し減圧
乾燥して、(±)−シス−2−メタンスルホニルオキシ
−1−アセトアミドインダンの白色結晶51.1g(収
率95.0%)を得た。この化合物の高速液体クロマト
グラフィー(HPLC)による純度は99.1%(面積
百分率)であった。物性は下記に示す。
【0051】融点:190.1〜190.4℃ 1H−NMR(CDCl3 ,ppm,TMS);δ=
7.32〜7.22(4H,m,arom)、6.20
(1H,d,NH)、5.65(1H,dd,CH)、
5.46(1H,m,CH),3.26(2H,m,C
2 )、2.98(3H,s,CH3 )、2.12(3
H,s,CH3 )。
【0052】IR(KBr,cm-1);3279.3
(νNH)、1653.1(νC=O)、1549.0
(νNH)、1338.7(νS=O)、1188.3
(νS=O)、974.1(νS−O−C)、918.
2(νS−O−C)。
【0053】200ml四ツ口フラスコに攪拌機、温度
計、還流コンデンサーを取り付け、メタノール150m
l、(±)−シス−2−メタンスルホニルオキシ−1−
アセトアミドインダン13.5g(0.05mol)を
仕込んだ。氷塩バスで5℃まで冷却してかき混ぜながら
ナトリウムメトキシド4.05g(0.075mol)
を添加した。ナトリウムメトキシドを添加すると、内温
は14℃まで上昇した。その後、室温で1.5時間、さ
らに加温して40℃で5.0時間、50℃で1.5時間
かきまぜた。反応液を冷却し、褐色のスラリーに水10
0mlを加え、スラリーを5℃まで冷却し、減圧濾過し
た。結晶を冷やした50%メタノール水溶液20mlで洗
浄した。濾取した結晶を減圧乾燥して、1−アセトアミ
ドインデン(II:R=CH3 )のクリーム色の針状結晶
7.25g(収率83.8%)を得た。この化合物の高
速液体クロマトグラフィー(HPLC)による純度は9
8.7%(面積百分率)であった。この化合物のIRス
ペクトルは実施例1の1−アセトアミドインデン(II:
R=CH3 )のスペクトルと一致した。
【0054】実施例4 (±)−シ ス−2−メタンスル
ホニル オキシ−1−ベンズアミドインダン(I :R=フ
ェニル基,X=O SO 2 CH 3 )を出発物質に用いた、
1−ベンズアミド インデン(II:R=フェニル基)の合
1L四ツ口フラスコに攪拌機、温度計、滴下ロート、
還流コンデンサーを取り 付け、ジクロロエタン300ml、(±)−シス−1−ア
ミノ−2−インダノール74.5g(0.5mol)、
トリエチルアミン55.7g(0.55mol)を仕込
んだ。これにかき混ぜながら、ベンゾイルクロライド7
7.3g(0.55mol)を1.5時間を要して滴下
した。さらに25℃で1.5時間熟成した後、スラリー
に水50mlを加えた。さらに0.5時間かき混ぜた後、
結晶を減圧濾過した。結晶をジクロロエタン100mlで
洗浄した。濾取した結晶を減圧乾燥して(±)−シス−
1−ベンズアミド−2−インダノールの類白色結晶11
8.6g(収率93.7%)を得た。この化合物の高速
液体クロマトグラフィー(HPLC)による純度は9
9.0%(面積百分率)であった。物性は下記に示す。
【0055】融点:154.1〜155.5℃ 1H−NMR(CDCl3 ,ppm,TMS);δ=
7.81〜7.15(9H,m,arom)6.98
(1H,d,NH)、5.52(1H,q,CH)、
4.65(1H,m,CH)、3.16(1H,dd,
CH2 )、2.95(1H,dd,CH2 )、2.89
(1H,d,OH)。 IR(KBr,cm-1);3456.8(νOH)、3
300.5(νNH)、1631.9(νC=O)、1
537.4(νNH) 500ml四ツ口フラスコに攪拌機、温度計、滴下ロー
ト、還流コンデンサーを取り付け、ジクロロエタン20
0ml、(±)−シス−1−ベンズアミド−2−インダノ
ール25.3g(0.1mol)、トリエチルアミン1
2.1g(0.12mol)を仕込んだ。これにかき混
ぜながら、メタンスルホニルクロライド13.7g
(0.12mol)を10分を要して滴下した。さらに
25℃で3.5時間熟成した後、スラリーに水100ml
を加え0.5時間攪拌した。結晶を減圧濾過し、濾取結
晶を300mlビーカーに入れジクロロエタン、水100
mlを加えて0.5時間攪拌した後、結晶を減圧濾過し
た。濾取結晶を減圧乾燥して(±)シス−1−ベンズア
ミド−2−メタンスルホニルオキシインダンの類白色結
晶22.0g(収率66.4%)を得た。この化合物の
高速液体クロマトグラフィー(HPLC)による純度は
99.4%(面積百分率)であった。物性は下記に示
す。
【0056】融点:176.1%〜176.8℃ 1H−NMR(CDCl3 ,ppm,TMS);δ=
7.91〜7.24(9H,m,arom)、6.85
(1H,d,NH)、5.85(1H,dd,CH)、
5.57(1H,m,CH),3.33(2H,m,C
2 )、2.90(3H,s,CH3 )。
【0057】IR(KBr,cm-1);3248.4
(νNH)、1643.5(νC=O)、1535.5
(νNH)、1344.5(νS=O)、1167.0
(νS=O),978.0(νS−O−C)、922.
1(νS−O−C)。
【0058】300ml四ツ口フラスコに攪拌機、温度
計、還流コンデンサーを取り付け、メタノール200m
l、(±)−シス−2−メタンスルホニルオキシ−1−
ベンズアミドインダン16.6g(0.05mol)を
仕込んだ。氷塩バスで2℃まで冷却してかき混ぜながら
ナトリウムメトキシド5.4g(0.1mol)を添加
した。ナトリウムメトキシドを添加すると、内温は13
℃まで上昇した。さらに60℃に加温して3.0時間か
きまぜた。
【0059】反応液を冷却し、褐色のスラリーに水10
0mlを加え、さらに5℃まで冷却した後減圧濾過した。
結晶を冷やした50%メタノール水溶液20mlで洗浄し
た。濾取した結晶を減圧乾燥して、1−ベンズアミドイ
ンデン(II:R=フェニル基)の茶色の結晶8.92g
(収率75.9%)を得た。この化合物の高速液体クロ
マトグラフィー(HPLC)による純度は96.9%
(面積百分率)であった。物性は下記に示す。
【0060】融点:167.2〜168.9℃ 1H−NMR(CDCl3 ,ppm,TMS);δ=
7.99(1H,br,NH)7.94〜7.26(9
H,m,arom)、7.05(1H,t,CH)、
3.51(2H,d,CH2 )。
【0061】IR(KBr,cm-1);3287.0
(νNH),1651.2(νC=O),1529.7
(νNH)。
【0062】元素分析:C1613NOとしての 計算値:C 81.68%、H 5.57%、N 5.
95% 実測値:C 81.84%、H 5.62%、N 5.
83%実施例5 (±)−シス− 2−ブロモ−1−アセトア
ドインダン(I :R=CH 3 ,X=Br)を出発物質に
用いた、1−アセトアミドインデン(II :R=CH 3
の合成(2) 100ml三ツ口フラスコに攪拌機、温度計、還流コンデ
ンサーを取り付け、メタノール50ml、(±)−シス−
2−ブロモ−1−アセトアミドインダン12.7g
(0.05mol)を仕込んだ。氷浴で5℃まで冷却
し、かき混ぜながらナトリウムメトキシド4.05g
(0.075mol)を3回に分けて30分おきに添加
した。ナトリウムメトキシドを添加すると、反応液の内
温は13℃まで上昇した。その後、40℃で3時間かき
混ぜた。内温30℃まで冷却し、水50mlを添加したと
ころ、淡黄色の鱗片状結晶が析出した。この結晶を減圧
濾過し、5℃に冷却した50%メタノール水溶液20ml
でカケ洗した。濾取した結晶を40℃で減圧乾燥して、
1−アセトアミドインデン(II:R=CH3 )の淡黄色
結晶7.51g(収率86.8%)を得た。この化合物
の高速液体クロマトグラフィー(HPLC)による純度
は99.4%(面積百分率)であった。
【0063】実施例6 (±)−シ ス−2−ブロモ−1
−アセ トアミドインダン(I :R=CH 3 ,X=Br)
を出発物質に用いた、1−アセトアミドインデン(II:
R=CH 3 )の合成(3) 100ml三ツ口フラスコに攪拌機、温度計、滴下ロー
ト、還流コンデンサーを取り付け、トルエン50ml、
(±)−シス−2−ブロモ−1−アセトアミドインダン
12.7g(0.05mol)を仕込んだ。かき混ぜな
がら25℃で10分を要してモルホリン4.36g
(0.05mol)を滴下した。その後、80℃で3.
5時間かき混ぜた。室温まで冷却し、反応液を500ml
の分液ロートに移し、ジクロロエタン200mlと水20
0mlを添加した。有機層を分液し、さらに水200mlで
洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧濃縮し
て1−アセトアミドインデン(II:R=CH3 )の淡茶
色結晶8.8g(収率101.7%)を得た。この化合
物の高速液体クロマトグラフィー(HPLC)による純
度は88.2%(面積百分率)であった。
【0064】実施例7 (±)−シ ス−2−ブロモ−1
−アセ トアミドインダン(I :R=CH 3 ,X=Br)
を出発物質に用いた、1−アセトアミドインデン(II:
R=CH 3 )の合成(4) 100ml三ツ口フラスコに攪拌機、温度計、滴下ロー
ト、還流コンデンサーを取り付け、ジクロロエタン50
ml、(±)−シス−2−ブロモ−1−アセトアミドイン
ダン12.7g(0.05mol)、tert−ブチルアミ
ン5.12g(0.07mol)を仕込んだ。かき混ぜ
ながら80℃で4.5時間かき混ぜた。室温まで冷却
し、反応液を500mlの分液ロートに移し、ジクロロエ
タン50mlと水100mlを添加した。有機層を分液し、
さらに水200mlで洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥
した後、減圧濃縮して1−アセトアミドインデン(II:
R=CH3 )の淡茶色結晶8.9g(収率103.1
%)を得た。この化合物の高速液体クロマトグラフィー
(HPLC)による純度は91.7%(面積百分率)で
あった。
【0065】実施例8 1−アセト アミドインデン(I
I:R=CH 3 )の加水分解による1−インダノンの合
成(1) 100ml三ツ口フラスコに攪拌機、温度計、滴下ロー
ト、還流コンデンサーを取り付け、1−アセトアミドイ
ンデン1.73g(0.01mol)とメタノール20
ml、水10mlを仕込んだ。これに、23℃でかき混ぜな
がら2N硫酸10ml(0.01mol)を36分要して
滴下した。さらに1時間攪拌した後、反応液に水50ml
とベンゼン100mlを添加した。黄色の有機層を分離
し、さらに水層をベンゼン150mlで洗浄し、先の有機
層と合わせて水200mlで2回洗浄し、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥した後、減圧濃縮して1−インダノンの茶黄
色のオイル1.31g(収率99.2%)を得た。この
結晶のガスクロマトグラフィー(GC)による純度は9
9.5%(面積百分率)であった。この結晶のIRスペ
クトルはFT−IRスペクトルアルドリッチライブラリ
ー(The Aldrich Library of
FT−IR Spectra,EDITIONI.,C
harles J.Pouchert,1985)に記
載されているIRスペクトルと同じであることを確認し
た。
【0066】実施例9 1−ベンズ アミドインデン(I
I:R=フェニル基)の加水分解による1−インダノン
の合成 100ml三ツ口フラスコに攪拌機、温度計、滴下ロー
ト、還流コンデンサーを取り付け、1−ベンズアミドイ
ンデン2.35g(0.01mol)とジクロロエタン
20ml、水10ml、メタノール20mlを仕込んだ。これ
に、23℃でかき混ぜながら2N硫酸10ml(0.01
mol)を6分を要して滴下した。さらに22時間攪拌
した後、反応液に水50mlとジクロロエタン30mlを添
加した。赤褐色の有機層を分離し、さらに水層をジクロ
ロエタン30mlで洗浄し、先の有機層と合わせて水50
mlで2回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減
圧濃縮して1−インダノンの赤褐色のオイル1.35g
(収率102.2%)を得た。この結晶のガスクロマト
グラフィー(GC)による純度は89.6%(面積百分
率)であった。この化合物のIRスペクトルは実施例8
の1−インダノンのスペクトルと一致した。
【0067】実施例10 1−アセ トアミドインデン
(II:R=CH 3 )の加水分解による1−インダノンの
合成(2) 200ml三ツ口フラスコに攪拌機、温度計、滴下ロー
ト、還流コンデンサーを取り付け、1−アセトアミドイ
ンデン1.73g(0.01mol)と水50mlを仕込
んだ。これに、21℃でかき混ぜながら0.4N硫酸5
0ml(0.01mol)を3時間を要して滴下した。さ
らに2時間攪拌した後、ジクロロメタン50mlを添加し
た。赤褐色の有機層を分離し、さらに水層をジクロロメ
タン50mlで洗浄し、先の有機層と合わせて水100ml
で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧濃縮
して1−インダノンの赤褐色のオイル1.32g(収率
100%)を得た。この結晶のガスクロマトグラフィー
(GC)による純度は99.3%(面積百分率)であっ
た。
【0068】実施例11 1−アセ トアミドインデン
(II:R=CH 3 )の加水分解による1−インダノンの
合成(3) 100ml三ツ口フラスコに攪拌機、温度計、滴下ロー
ト、還流コンデンサーを取り付け、1−アセトアミドイ
ンデン1.73g(0.01mol)とメタノール8.
6ml、ジクロロエタン17.3ml、水10mlを仕込ん
だ。これに、25℃でかき混ぜながら2N硫酸10ml
(0.01mol)を26分を要して滴下した。さらに
3時間攪拌した後、黄色の有機層を分離し、水200ml
で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧濃縮
して1−インダノンの茶黄色のオイル1.25g(収率
94.7%)を得た。この結晶のガスクロマトグラフィ
ー(GC)による純度は99.7%(面積百分率)であ
った。
【0069】実施例12 1−アセ トアミドインデン
(II:R=CH 3 )の加水分解による1−インダノンの
合成(4) 100ml三ツ口フラスコに攪拌機、温度計、滴下ロー
ト、還流コンデンサーを取り付け、メタノール3.5m
l、ジクロロエタン10ml、50%硫酸3.92g
(0.02mol)を仕込んだ。これに、1−アセトア
ミドインデン1.73g(0.01mol)を24℃で
かき混ぜなが添加した。1.5時間攪拌した後、微黄色
の有機層を分離し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、
減圧濃縮すると茶色の結晶が析出しオイルが分離した。
結晶を減圧濾過し、母液を減圧濃縮して1−インダノン
の茶黄色のオイル1.18g(収率89.4%)を得
た。この結晶の高速液体クロマトグラフィー(HPL
C)による純度は82.3%(面積百分率)であった。
【0070】実施例13 1−アセ トアミドインデン
(II:R=CH 3 )の加水分解による1−インダノンの
合成(5) 100ml三ツ口フラスコに攪拌機、温度計、滴下ロー
ト、還流コンデンサーを取り付け、1−アセトアミドイ
ンデン1.73g(0.01mol)とジクロロエタン
20ml、水10mlを仕込んだ。これに、23℃でかき混
ぜながら2N硫酸10ml(0.01mol)を3分を要
して滴下した。さらに5時間攪拌した後、微黄色の有機
層を分離し、さらに水層をジクロロエタン20mlで2回
洗浄し、先の有機層と合わせて水100mlで洗浄し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧濃縮して1−イン
ダノンの微黄色の結晶1.30g(収率98.5%)を
得た。この結晶のガスクロマトグラフィー(GC)によ
る純度は99.1%(面積百分率)であった。
【0071】実施例14 1−アセ トアミドインデン
(II:R=CH 3 )の加水分解による1−インダノンの
合成(6) 100ml三ツ口フラスコに攪拌機、温度計、滴下ロー
ト、還流コンデンサーを取り付け、1−アセトアミドイ
ンデン1.73g(0.01mol)とメタノール20
ml、水10mlを仕込んだ。これに、26℃でかき混ぜな
がら、水10mlに溶かした酢酸1.2g(0.02mo
l)を3分を要して滴下した。50℃に加温し7時間攪
拌した後、反応液にベンゼン50mlを添加し黄色の有機
層を分離した。水200mlで2回洗浄し、無水硫酸ナト
リウムで乾燥した後、減圧濃縮して1−インダノンの黄
色のオイル1.28g(収率97.0%)を得た。この
結晶のガスクロマトグラフィー(GC)による純度は9
8.8%(面積百分率)であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 乙供 慎也 福島県いわき市泉町下川字大剣1−133 市川合成化学株式会社内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(I ) 【化1】 (ただし、式中、Rは置換もしくは無置換のフェニル基
    もしくは炭素数1〜8の低級アルキル基であり、Xはハ
    ロゲン原子もしくはOSO2 R’で表される置換スルホ
    ニルオキシ基であり、R’は置換もしくは無置換のフェ
    ニル基もしくは炭素数1〜8の低級アルキル基であり、
    NHCORとXはシス配置であり、ラセミ体でも光学活
    性体でもよい)で表されるN−インダニルアミド類を塩
    基性条件下で反応させることにより、一般式(II) 【化2】 (ただし、式中、Rは置換もしくは無置換のフェニル基
    もしくは炭素数1〜8の低級アルキル基である)で表さ
    れるN−インデニルアミド誘導体とし、これを加水分解
    することからなる式(III ) 【化3】 で表される1−インダノンの製造方法。
  2. 【請求項2】 一般式(I )において、RがCH3 であ
    り、Xが臭素原子であり、NH−CORとXはシス配置
    であるシス−1−アセトアミド−2−ブロモインダンを
    用いることを特徴とする請求項1記載の1−インダノン
    の製造方法。
  3. 【請求項3】 一般式(II) 【化4】 (ただし、式中、Rは置換もしくは無置換のフェニル基
    もしくは炭素数1〜8の低級アルキル基である)で表さ
    れるN−インデニルアミド誘導体。
  4. 【請求項4】 一般式(I ) 【化5】 (ただし、式中、Rは置換もしくは無置換のフェニル基
    もしくは炭素数1〜8の低級アルキル基であり、Xはハ
    ロゲン原子もしくはOSO2 R’で表される置換スルホ
    ニルオキシ基であり、R’は置換もしくは無置換のフェ
    ニル基もしくは炭素数1〜8の低級アルキル基であり、
    NHCORとXはシス配置であり、ラセミ体でも光学活
    性体でもよい)で表されるN−インダニルアミド類を、
    無水条件下かつ塩基性条件下で反応させる、一般式(I
    I) 【化6】 (ただし、式中、Rは置換もしくは無置換のフェニル基
    もしくは炭素数1〜8の低級アルキル基である)で表さ
    れるN−インデニルアミド誘導体の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記塩基性条件を得るために、リチウム
    メトキシド、リチウムエトキシド、リチウム−tert
    −ブトキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエト
    キシド、ナトリウム−tert−ブトキシド、ナトリウ
    ム−tert−ペントキシド、カリウムメトキシド、カ
    リウムエトキシド、カリウム−tert−ブトキシドシ
    ドなる群から選ばれる、少なくとも一つのアルコキシド
    を用いることを特徴とする請求項4記載のN−インデニ
    ルアミド誘導体の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記塩基性条件を得るために、ブレンス
    テッド酸の解離定数(25℃・水)がpKa=5以上の
    値を示す、脂肪族アミン、芳香族アミン、脂環式アミ
    ン、複素環式アミンを用いることを特徴とする請求項4
    記載のN−インデニルアミド誘導体の製造方法。
  7. 【請求項7】 前記塩基性条件を得るために、メチルア
    ミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミ
    ン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、n−ブチルア
    ミン、sec−ブチルアミン、tert−ブチルアミ
    ン、n−ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、4−
    アミノピリジン、モルホリン、ピペリジン、ピロリジン
    なる群から選ばれる少なくとも一つの塩基を用いること
    を特徴とする請求項4及び請求項6記載のN−インデニ
    ルアミド誘導体の製造方法。
  8. 【請求項8】一般式(II) 【化7】 (ただし、式中、Rは置換もしくは無置換のフェニル基
    もしくは炭素数1〜8の低級アルキル基である)で表さ
    れるN−インデニルアミド誘導体を製造し、これを酸性
    条件下で加水分解することからなる式(III ) 【化8】 で表される1−インダノンの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6127579A (en) * 1998-07-03 2000-10-03 Ichikawa Gosei Chemical Co., Ltd. Method of manufacturing 1-indanone

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6127579A (en) * 1998-07-03 2000-10-03 Ichikawa Gosei Chemical Co., Ltd. Method of manufacturing 1-indanone

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