JPH1078364A - 半導体式圧力センサ - Google Patents
半導体式圧力センサInfo
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- JPH1078364A JPH1078364A JP23433296A JP23433296A JPH1078364A JP H1078364 A JPH1078364 A JP H1078364A JP 23433296 A JP23433296 A JP 23433296A JP 23433296 A JP23433296 A JP 23433296A JP H1078364 A JPH1078364 A JP H1078364A
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- Japan
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- silicon
- diaphragm
- pedestal
- pressure
- silicon pedestal
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコン台座を金属ステムに半田付けする時
の熱歪によりセンサ精度が劣化しないようにする。 【解決手段】 圧力を受けて変位するダイヤフラム１ａ
を有するシリコンチップ１と、ダイヤフラム１ａに圧力
を導くための導圧孔を有するシリコン台座３とを備え、
シリコン台座３が半田５により金属ステム６に半田付け
されてなる半導体式圧力センサであって、シリコン台座
３は接合ガラス４によりシリコンチップ１に接合されて
おり、シリコン台座３の高さを１．８ｍｍ以上、シリコ
ンチップ１の厚さを５００μｍ以上、シリコンチップ１
のサイズを２．６５ｍｍ□以下、接合ガラス４の厚さを
０．１５ｍｍ以上、半田４の厚さを２５μｍ以下にし
た。
の熱歪によりセンサ精度が劣化しないようにする。 【解決手段】 圧力を受けて変位するダイヤフラム１ａ
を有するシリコンチップ１と、ダイヤフラム１ａに圧力
を導くための導圧孔を有するシリコン台座３とを備え、
シリコン台座３が半田５により金属ステム６に半田付け
されてなる半導体式圧力センサであって、シリコン台座
３は接合ガラス４によりシリコンチップ１に接合されて
おり、シリコン台座３の高さを１．８ｍｍ以上、シリコ
ンチップ１の厚さを５００μｍ以上、シリコンチップ１
のサイズを２．６５ｍｍ□以下、接合ガラス４の厚さを
０．１５ｍｍ以上、半田４の厚さを２５μｍ以下にし
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被測定媒体の圧力
を検出する半導体式圧力センサに関する。
を検出する半導体式圧力センサに関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】図６（ａ）に半導体圧
力センサの製造工程を示す。ウェハ工程においては、ダ
イヤフラム、歪ゲージ等を形成したウェハに対し、トリ
ミングにより粗調整を行い、それをダイシングカットし
てセンサチップに分離する。そして、Ａｓｓｙ工程にお
いて、金属ステムに半田付けし、ワイヤボンドを施した
後、トリミングにより微調整を行う。
力センサの製造工程を示す。ウェハ工程においては、ダ
イヤフラム、歪ゲージ等を形成したウェハに対し、トリ
ミングにより粗調整を行い、それをダイシングカットし
てセンサチップに分離する。そして、Ａｓｓｙ工程にお
いて、金属ステムに半田付けし、ワイヤボンドを施した
後、トリミングにより微調整を行う。
【０００３】このような工程においては、Ａｓｓｙ工程
の微調整によってセンサチップが良品であるか否かが分
かるため、不良品であっても組付作業が必要となる。ま
た、粗調整と微調整を別々の段階で行っているから、ト
リミング時間が長くなるなどの問題がある。そこで、図
６（ｂ）に示すように、ウェハ段階で粗調整と微調整を
行い、ウェハ段階では調整作業を行わないようにすれ
ば、ウェハ段階で良品、不良品が判別でき、不良品の組
付作業を行わなくて済むため、コストダウンが図れると
ともに、粗調整と微調整をウェハ段階で行うことによ
り、トリミング時間を短縮することができる。
の微調整によってセンサチップが良品であるか否かが分
かるため、不良品であっても組付作業が必要となる。ま
た、粗調整と微調整を別々の段階で行っているから、ト
リミング時間が長くなるなどの問題がある。そこで、図
６（ｂ）に示すように、ウェハ段階で粗調整と微調整を
行い、ウェハ段階では調整作業を行わないようにすれ
ば、ウェハ段階で良品、不良品が判別でき、不良品の組
付作業を行わなくて済むため、コストダウンが図れると
ともに、粗調整と微調整をウェハ段階で行うことによ
り、トリミング時間を短縮することができる。
【０００４】このような工程変更を行った場合、Ａｓｓ
ｙ工程においては調整作業を行わないためセンサチップ
の特性変動が大きく生じないようにする必要があるが、
半田付け工程においては、半田付け時に半田自身の熱応
力（熱歪）が発生し、その熱歪によってセンサ精度が劣
化してしまうという問題が発生する。この場合、半田付
けの代わりに、軟接着材（Ｓｉ系やフロロシリコン系の
接着材）を用いることも考えられるが、圧力センサの適
用対象によっては、非常に高い気密性を必要とするもの
があり、この場合には、軟接着材でなく半田材を用いる
必要がある。
ｙ工程においては調整作業を行わないためセンサチップ
の特性変動が大きく生じないようにする必要があるが、
半田付け工程においては、半田付け時に半田自身の熱応
力（熱歪）が発生し、その熱歪によってセンサ精度が劣
化してしまうという問題が発生する。この場合、半田付
けの代わりに、軟接着材（Ｓｉ系やフロロシリコン系の
接着材）を用いることも考えられるが、圧力センサの適
用対象によっては、非常に高い気密性を必要とするもの
があり、この場合には、軟接着材でなく半田材を用いる
必要がある。
【０００５】従って、本発明は、半田付け時の熱歪によ
りセンサ精度が劣化しないような構造とすることを目的
とする。
りセンサ精度が劣化しないような構造とすることを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、シリコン台座
（３）を接合ガラス（４）によりシリコンチップ（１）
に接合して、シリコン台座と金属ステムの半田付けによ
る熱歪を緩和するとともに、シリコン台座の高さを１．
８ｍｍ以上にしたことを特徴としている。
め、請求項１に記載の発明においては、シリコン台座
（３）を接合ガラス（４）によりシリコンチップ（１）
に接合して、シリコン台座と金属ステムの半田付けによ
る熱歪を緩和するとともに、シリコン台座の高さを１．
８ｍｍ以上にしたことを特徴としている。
【０００７】このような特徴により、半田付け時の熱歪
によりセンサ精度が劣化しないようにすることができ
る。また、請求項２に記載の発明のように、シリコンチ
ップの厚さを５００μｍ以上にしても同様の効果を得る
ことができる。また、請求項３に記載の発明のように、
半田の厚さを２５μｍ以下にしても同様の効果を得るこ
とができる。
によりセンサ精度が劣化しないようにすることができ
る。また、請求項２に記載の発明のように、シリコンチ
ップの厚さを５００μｍ以上にしても同様の効果を得る
ことができる。また、請求項３に記載の発明のように、
半田の厚さを２５μｍ以下にしても同様の効果を得るこ
とができる。
【０００８】また、請求項４に記載の発明のように、シ
リコンチップのサイズを２．６５ｍｍ□以下にしても同
様の効果を得ることができる。さらに、請求項５に記載
の発明のように、接合ガラスの厚さを０．１５ｍｍ以上
にしても同様の効果を得ることができる。
リコンチップのサイズを２．６５ｍｍ□以下にしても同
様の効果を得ることができる。さらに、請求項５に記載
の発明のように、接合ガラスの厚さを０．１５ｍｍ以上
にしても同様の効果を得ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の一実施形態に係
る半導体圧力センサの構造を示す。本実施形態に係る半
導体式圧力センサは、自動車の吸気圧センサとして用い
られるもので、圧力を受けて変位するダイヤフラム１ａ
が形成されたシリコンチップ１と、ダイヤフラム１ａに
圧力を導くための導圧孔を有するシリコン台座３を備え
ている。シリコンチップ１の表面には、ダイヤフラム１
ａの変位を検出する歪ゲージ２が形成されている。
る半導体圧力センサの構造を示す。本実施形態に係る半
導体式圧力センサは、自動車の吸気圧センサとして用い
られるもので、圧力を受けて変位するダイヤフラム１ａ
が形成されたシリコンチップ１と、ダイヤフラム１ａに
圧力を導くための導圧孔を有するシリコン台座３を備え
ている。シリコンチップ１の表面には、ダイヤフラム１
ａの変位を検出する歪ゲージ２が形成されている。
【００１０】シリコン台座３には接合ガラス４が陽極接
合されており、この接合ガラス４はシリコンチップ１に
陽極接合されている。また、シリコン台座３は、半田５
により金属ステム６に半田付けされている。この金属ス
テム６としては、３６アロイ（３６ｗｔ％Ｎｉ−Ｆｅ合
金）を用いることができる。また、歪ゲージ２からの電
気信号を外部に出力するためのボンディングパッド７と
リードピン８とがワイヤボンドされており、このワイヤ
ボンド後、金属ステム６は、真空装置内にてシェル９と
溶接され、シェル９内が真空に保持されている。
合されており、この接合ガラス４はシリコンチップ１に
陽極接合されている。また、シリコン台座３は、半田５
により金属ステム６に半田付けされている。この金属ス
テム６としては、３６アロイ（３６ｗｔ％Ｎｉ−Ｆｅ合
金）を用いることができる。また、歪ゲージ２からの電
気信号を外部に出力するためのボンディングパッド７と
リードピン８とがワイヤボンドされており、このワイヤ
ボンド後、金属ステム６は、真空装置内にてシェル９と
溶接され、シェル９内が真空に保持されている。
【００１１】上記した接合ガラス４は、シリコンに比べ
てヤング率が小さく、シリコン台座３と金属ステム６の
半田付け時に、シリコン台座３と金属ステム６の間で発
生した熱歪によるダイヤフラム１ａへの影響を緩和する
ために設けられている。また、半田５は、２．５〜３．
５ｍｍ2 程度に切断した厚さ５０〜１００μｍ程度の箱
状のものである。この場合、半田５を金属ステム６とシ
リコン台座３の間に置き、２００〜３００℃程度の熱を
加えることにより、シリコン台座３およびシリコンチッ
プ１の自重によって所望の厚さの半田付けを行うことが
できる。なお、半田濡れ性を向上させるため、シリコン
台座３の接着面には金属薄膜が蒸着され、また金属ステ
ム６にはＡｕ等がメッキされている。
てヤング率が小さく、シリコン台座３と金属ステム６の
半田付け時に、シリコン台座３と金属ステム６の間で発
生した熱歪によるダイヤフラム１ａへの影響を緩和する
ために設けられている。また、半田５は、２．５〜３．
５ｍｍ2 程度に切断した厚さ５０〜１００μｍ程度の箱
状のものである。この場合、半田５を金属ステム６とシ
リコン台座３の間に置き、２００〜３００℃程度の熱を
加えることにより、シリコン台座３およびシリコンチッ
プ１の自重によって所望の厚さの半田付けを行うことが
できる。なお、半田濡れ性を向上させるため、シリコン
台座３の接着面には金属薄膜が蒸着され、また金属ステ
ム６にはＡｕ等がメッキされている。
【００１２】図２に、シリコンチップ１の形状を示す。
（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−
Ｂ断面図、（ｄ）はＣ−Ｃ断面図である。ダイヤフラム
１ａは、シリコンの＜１１０＞基板を異方性エッチング
することによりテーパー状に形成される。そのテーパー
部には、シリコン単結晶の＜１１１＞面が表れており、
シリコンチップ１の厚さを厚くすれば、テーパー部の長
さｌ1 、ｌ2 、ｌ3 、ｌ4 はそれに比例して長くなり、
その結果、シリコン台座３と金属ステム６の間で発生し
た熱歪によるダイヤフラム１ａへの影響を低減すること
ができる。
（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−
Ｂ断面図、（ｄ）はＣ−Ｃ断面図である。ダイヤフラム
１ａは、シリコンの＜１１０＞基板を異方性エッチング
することによりテーパー状に形成される。そのテーパー
部には、シリコン単結晶の＜１１１＞面が表れており、
シリコンチップ１の厚さを厚くすれば、テーパー部の長
さｌ1 、ｌ2 、ｌ3 、ｌ4 はそれに比例して長くなり、
その結果、シリコン台座３と金属ステム６の間で発生し
た熱歪によるダイヤフラム１ａへの影響を低減すること
ができる。
【００１３】図３に、シリコン台座３の高さに対する半
田付け時に発生する熱歪を想定したシュミレーション結
果を示す。シリコン台座３の高さが高くなっていくと、
徐々に発生応力が低減していくが、特に１．８ｍｍ以上
くらいからシリコン台座３の高さ変動に対する発生応力
の変動が小さくなってきており、熱歪によるダイヤフラ
ム１ａへの影響度合いが小さくなっていることがわか
る。
田付け時に発生する熱歪を想定したシュミレーション結
果を示す。シリコン台座３の高さが高くなっていくと、
徐々に発生応力が低減していくが、特に１．８ｍｍ以上
くらいからシリコン台座３の高さ変動に対する発生応力
の変動が小さくなってきており、熱歪によるダイヤフラ
ム１ａへの影響度合いが小さくなっていることがわか
る。
【００１４】また、シリコンチップ１の厚さを厚くすれ
ば、熱歪によるダイヤフラム１ａへの影響を低減するこ
とができ、シリコンチップ１の厚さを３００μｍとした
時、ダイヤフラム１ａの中心での発生応力（以下、単に
発生応力という）が１．７０５ｋｇｆ／ｍｍ2 となるの
に対し、シリコンチップ１の厚さを５００μｍとした
時、発生応力が０．７５４ｋｇｆ／ｍｍ2 となり、熱歪
によるダイヤフラム１ａへの影響を大きく低減すること
ができる。
ば、熱歪によるダイヤフラム１ａへの影響を低減するこ
とができ、シリコンチップ１の厚さを３００μｍとした
時、ダイヤフラム１ａの中心での発生応力（以下、単に
発生応力という）が１．７０５ｋｇｆ／ｍｍ2 となるの
に対し、シリコンチップ１の厚さを５００μｍとした
時、発生応力が０．７５４ｋｇｆ／ｍｍ2 となり、熱歪
によるダイヤフラム１ａへの影響を大きく低減すること
ができる。
【００１５】なお、一般にＩＣ工程に使われるウェハ
は、取扱い易さ、コスト等の点から３００μｍから６０
０μｍ程度の厚さのものが用いられており、これ以上の
厚さのウェハを用いようとすれば、ウェハコストが増加
するとともに、取扱い設備も特殊なものが必要になって
くるため、５００μｍから６００μｍ程度の厚さのもの
を用いるのが好ましい。
は、取扱い易さ、コスト等の点から３００μｍから６０
０μｍ程度の厚さのものが用いられており、これ以上の
厚さのウェハを用いようとすれば、ウェハコストが増加
するとともに、取扱い設備も特殊なものが必要になって
くるため、５００μｍから６００μｍ程度の厚さのもの
を用いるのが好ましい。
【００１６】また、シリコンチップ１とシリコン台座３
との接合面積を減らすことによっても、熱歪によるダイ
ヤフラム１ａへの影響を低減することができる。シリコ
ンチップ１のチップサイズ（図２のＬ×Ｌ）を２．８５
ｍｍ□とした時、発生応力が１．７０５ｋｇｆ／ｍｍ2
となるのに対し、シリコンチップ１のチップサイズを
２．６５ｍｍ□とした時、発生応力が１．２６７ｋｇｆ
／ｍｍ2 となり、熱歪によるダイヤフラム１ａへの影響
を大きく低減することができる。
との接合面積を減らすことによっても、熱歪によるダイ
ヤフラム１ａへの影響を低減することができる。シリコ
ンチップ１のチップサイズ（図２のＬ×Ｌ）を２．８５
ｍｍ□とした時、発生応力が１．７０５ｋｇｆ／ｍｍ2
となるのに対し、シリコンチップ１のチップサイズを
２．６５ｍｍ□とした時、発生応力が１．２６７ｋｇｆ
／ｍｍ2 となり、熱歪によるダイヤフラム１ａへの影響
を大きく低減することができる。
【００１７】また、接合ガラス４を厚くすることによっ
ても、熱歪によるダイヤフラム１ａへの影響を低減する
ことができる。接合ガラス４の厚さを０．１ｍｍとした
時、発生応力が１．７０５ｋｇｆ／ｍｍ2 となるのに対
し、接合ガラス４の厚さを０．１５ｍｍとした時、発生
応力が１．５６３ｋｇｆ／ｍｍ2 となり、熱歪によるダ
イヤフラム１ａへの影響を大きく低減することができ
る。
ても、熱歪によるダイヤフラム１ａへの影響を低減する
ことができる。接合ガラス４の厚さを０．１ｍｍとした
時、発生応力が１．７０５ｋｇｆ／ｍｍ2 となるのに対
し、接合ガラス４の厚さを０．１５ｍｍとした時、発生
応力が１．５６３ｋｇｆ／ｍｍ2 となり、熱歪によるダ
イヤフラム１ａへの影響を大きく低減することができ
る。
【００１８】また、半田５の厚さを薄くすることによっ
ても、熱歪によるダイヤフラム１ａへの影響を低減する
ことができる。図４に、半田厚と圧力センサの出力誤差
の関係を示す。半田厚を３８μｍ程度にした場合には、
出力誤差が大きく変動するのに対し、半田厚を２５μｍ
以下にした場合には、出力誤差を所望の範囲（±２８ｍ
Ｖ以下）内にすることができる。なお、この図４に示す
特性は、半田付け後ワイヤボンディングを行い、センサ
出力を測定して得られたものである。
ても、熱歪によるダイヤフラム１ａへの影響を低減する
ことができる。図４に、半田厚と圧力センサの出力誤差
の関係を示す。半田厚を３８μｍ程度にした場合には、
出力誤差が大きく変動するのに対し、半田厚を２５μｍ
以下にした場合には、出力誤差を所望の範囲（±２８ｍ
Ｖ以下）内にすることができる。なお、この図４に示す
特性は、半田付け後ワイヤボンディングを行い、センサ
出力を測定して得られたものである。
【００１９】なお、半田厚を所望の値にする場合には、
金属ステム６上に微小突起を設けるとよい。この場合、
図５に示すように、微小突起（図中のハッチングで示す
もの）として、（ａ）に示す３点、（ｂ）に示す４点、
（ｃ）に示す四角形状のもの、（ｄ）に示す円形形状の
ものを用いることができる。なお、図中の丸は、シリコ
ン台座３の導圧孔の位置を示している。
金属ステム６上に微小突起を設けるとよい。この場合、
図５に示すように、微小突起（図中のハッチングで示す
もの）として、（ａ）に示す３点、（ｂ）に示す４点、
（ｃ）に示す四角形状のもの、（ｄ）に示す円形形状の
ものを用いることができる。なお、図中の丸は、シリコ
ン台座３の導圧孔の位置を示している。
【００２０】また、上記した金属ステム６としては、３
６アロイの他、コバール、４２アロイ等を用いることが
できる。なお、上記した実施形態において、シリコン台
座３の高さを１．８ｍｍ以上、シリコンチップ１の厚さ
を５００μｍ以上、シリコンチップ１のサイズを２．６
５ｍｍ□以下、接合ガラス４の厚さを０．１５ｍｍ以
上、半田４の厚さを２５μｍ以下にすれば、熱歪による
ダイヤフラム１ａへの影響を非常に小さくすることがで
きる。
６アロイの他、コバール、４２アロイ等を用いることが
できる。なお、上記した実施形態において、シリコン台
座３の高さを１．８ｍｍ以上、シリコンチップ１の厚さ
を５００μｍ以上、シリコンチップ１のサイズを２．６
５ｍｍ□以下、接合ガラス４の厚さを０．１５ｍｍ以
上、半田４の厚さを２５μｍ以下にすれば、熱歪による
ダイヤフラム１ａへの影響を非常に小さくすることがで
きる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサの
構造を示す図である。
構造を示す図である。
【図２】シリコンチップ１の形状を示す図である。
【図３】シリコン台座３の高さに対する半田付け時に発
生する熱歪の関係を示す特性図である。
生する熱歪の関係を示す特性図である。
【図４】半田厚と圧力センサの出力誤差の関係を示す図
である。
である。
【図５】半田厚を所望の値にするために金属ステム６上
に微小突起を形成した状態を示す図である。
に微小突起を形成した状態を示す図である。
【図６】半導体圧力センサの製造工程を示す図である。
１…シリコンチップ、１ａ…ダイヤフラム１ａ、２…歪
ゲージ、３…シリコン台座、４…接合ガラス、５…半
田、６…金属ステム。
ゲージ、３…シリコン台座、４…接合ガラス、５…半
田、６…金属ステム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 康利 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 深田 毅 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 岡田 寛 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 大場 伸和 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 圧力を受けて変位するダイヤフラム（１
ａ）が形成され、このダイヤフラムの変位を検出する歪
ゲージ（２）を有するシリコンチップ（１）と、 前記ダイヤフラムに圧力を導くための導圧孔を有するシ
リコン台座（３）とを備え、 前記シリコン台座が、半田（５）により金属ステム
（６）に半田付けされてなる半導体式圧力センサにおい
て、 前記シリコン台座は、前記シリコン台座と前記金属ステ
ムの半田付けによる熱歪を緩和する接合ガラス（４）に
より前記シリコンチップに接合されており、 前記シリコン台座の高さが１．８ｍｍ以上であることを
特徴とする半導体式圧力センサ。 - 【請求項２】 圧力を受けて変位するダイヤフラム（１
ａ）が形成され、このダイヤフラムの変位を検出する歪
ゲージ（２）を有するシリコンチップ（１）と、 前記ダイヤフラムに圧力を導くための導圧孔を有するシ
リコン台座（３）とを備え、 前記シリコン台座が、半田（５）により金属ステム
（６）に半田付けされてなる半導体式圧力センサにおい
て、 前記シリコン台座は、前記シリコン台座と前記金属ステ
ムの半田付けによる熱歪を緩和する接合ガラス（４）に
より前記シリコンチップに接合されており、 前記シリコンチップの厚さが５００μｍ以上であること
を特徴とする半導体式圧力センサ。 - 【請求項３】 圧力を受けて変位するダイヤフラム（１
ａ）が形成され、このダイヤフラムの変位を検出する歪
ゲージ（２）を有するシリコンチップ（１）と、 前記ダイヤフラムに圧力を導くための導圧孔を有するシ
リコン台座（３）とを備え、 前記シリコン台座が、半田（５）により金属ステム
（６）に半田付けされてなる半導体式圧力センサにおい
て、 前記シリコン台座は、前記シリコン台座と前記金属ステ
ムの半田付けによる熱歪を緩和する接合ガラス（４）に
より前記シリコンチップに接合されており、 前記半田（５）の厚さが２５μｍ以下であることを特徴
とする半導体式圧力センサ。 - 【請求項４】 圧力を受けて変位するダイヤフラム（１
ａ）が形成され、このダイヤフラムの変位を検出する歪
ゲージ（２）を有するシリコンチップ（１）と、 前記ダイヤフラムに圧力を導くための導圧孔を有するシ
リコン台座（３）とを備え、 前記シリコン台座が、半田（５）により金属ステム
（６）に半田付けされてなる半導体式圧力センサにおい
て、 前記シリコン台座は、前記シリコン台座と前記金属ステ
ムの半田付けによる熱歪を緩和する接合ガラス（４）に
より前記シリコンチップに接合されており、 前記シリコンチップのサイズが２．６５ｍｍ□以下であ
ることを特徴とする半導体式圧力センサ。 - 【請求項５】 圧力を受けて変位するダイヤフラム（１
ａ）が形成され、このダイヤフラムの変位を検出する歪
ゲージ（２）を有するシリコンチップ（１）と、 前記ダイヤフラムに圧力を導くための導圧孔を有するシ
リコン台座（３）とを備え、 前記シリコン台座が、半田（５）により金属ステム
（６）に半田付けされてなる半導体式圧力センサにおい
て、 前記シリコン台座は、前記シリコン台座と前記金属ステ
ムの半田付けによる熱歪を緩和する接合ガラス（４）に
より前記シリコンチップに接合されており、 前記接合ガラスの厚さが０．１５ｍｍ以上であることを
特徴とする半導体式圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23433296A JPH1078364A (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | 半導体式圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23433296A JPH1078364A (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | 半導体式圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1078364A true JPH1078364A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=16969348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23433296A Pending JPH1078364A (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | 半導体式圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1078364A (ja) |
-
1996
- 1996-09-04 JP JP23433296A patent/JPH1078364A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040716 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040803 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041130 |