JPH1079372A - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置Info
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- JPH1079372A JPH1079372A JP8232987A JP23298796A JPH1079372A JP H1079372 A JPH1079372 A JP H1079372A JP 8232987 A JP8232987 A JP 8232987A JP 23298796 A JP23298796 A JP 23298796A JP H1079372 A JPH1079372 A JP H1079372A
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 チャージアップの起きないプラズマ処理の実
現。 【解決手段】 チャンバー１に供給された反応ガスを、
チャンバー１に間欠的に、ないしは高低レベルを交互に
繰り返しつつ供給される高周波電力によりプラズマ化
し、そのプラズマでチャンバー１の試料Ａを加工したう
えで、高周波電力の非供給期間もしくは低レベル供給期
間に同期して正となるパルス状バイアス電圧を試料に印
加することで、チャージアップを防いだ。
現。 【解決手段】 チャンバー１に供給された反応ガスを、
チャンバー１に間欠的に、ないしは高低レベルを交互に
繰り返しつつ供給される高周波電力によりプラズマ化
し、そのプラズマでチャンバー１の試料Ａを加工したう
えで、高周波電力の非供給期間もしくは低レベル供給期
間に同期して正となるパルス状バイアス電圧を試料に印
加することで、チャージアップを防いだ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波放電を用い
たプラズマ処理方法およびその装置に関する。
たプラズマ処理方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波放電を用いたプラズマ処理方法
は、半導体製造方法において、微細加工のためのドライ
エッチング、薄膜形成のためのスパッタリング、プラズ
マＣＶＤ、イオン注入等さまざまなところで用いられて
いる。
は、半導体製造方法において、微細加工のためのドライ
エッチング、薄膜形成のためのスパッタリング、プラズ
マＣＶＤ、イオン注入等さまざまなところで用いられて
いる。
【０００３】以下、プラズマ処理方法の適用例として、
微細加工に適したドライエッチングについて説明する。
微細加工に適したドライエッチングについて説明する。
【０００４】ドライエッチングとは、プラズマ中に存在
するラジカル、イオン等による気相と固相表面との間の
化学的あるいは物理的反応を利用し、試料（薄膜，基板
など）の不要な部分を除去する加工技術である。
するラジカル、イオン等による気相と固相表面との間の
化学的あるいは物理的反応を利用し、試料（薄膜，基板
など）の不要な部分を除去する加工技術である。
【０００５】ドライエッチング技術として最も広く用い
られている反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）は、適当
なガスの高周波放電プラズマ中に試料を晒すことにより
エッチング反応を起こさせ、試料の表面の不要部分を除
去するものである。試料の必要な部分つまり除去しない
部分は、通常マスクとして用いたホトレジストパターン
により保護されている。
られている反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）は、適当
なガスの高周波放電プラズマ中に試料を晒すことにより
エッチング反応を起こさせ、試料の表面の不要部分を除
去するものである。試料の必要な部分つまり除去しない
部分は、通常マスクとして用いたホトレジストパターン
により保護されている。
【０００６】反応性イオンエッチングにおいては微細化
を促進するためにイオンの方向性を揃えることが必要で
あるが、そのためにはプラズマ中でのイオンの散乱を減
らすことが不可欠である。イオンの方向性を揃えるため
には、プラズマ発生装置内の圧力を低くし、イオンの平
均自由行程を大きくすることが効果的であるが、プラズ
マ発生装置内の圧力を低くするとラジカル密度が低下し
エッチ速度が低くなるという問題がある。
を促進するためにイオンの方向性を揃えることが必要で
あるが、そのためにはプラズマ中でのイオンの散乱を減
らすことが不可欠である。イオンの方向性を揃えるため
には、プラズマ発生装置内の圧力を低くし、イオンの平
均自由行程を大きくすることが効果的であるが、プラズ
マ発生装置内の圧力を低くするとラジカル密度が低下し
エッチ速度が低くなるという問題がある。
【０００７】その対策として誘導結合型プラズマ装置や
ヘリコン型プラズマ装置等の高密度プラズマ装置が導入
されつつある。高密度プラズマ装置は、従来からある平
行平板型ＲＩＥ装置に比べ１０倍〜１００倍程度高密度
したプラズマが発生でき、圧力が１／１０〜１／１００
程度低い条件下でも平行平板型ＲＩＥ装置と同等以上の
エッチ速度が得られる。
ヘリコン型プラズマ装置等の高密度プラズマ装置が導入
されつつある。高密度プラズマ装置は、従来からある平
行平板型ＲＩＥ装置に比べ１０倍〜１００倍程度高密度
したプラズマが発生でき、圧力が１／１０〜１／１００
程度低い条件下でも平行平板型ＲＩＥ装置と同等以上の
エッチ速度が得られる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにして改良された従来のプラズマ処理方法には、 １）エッチング形状の異常、 ２）マイクロローディング効果の発生、 ３）ゲート絶縁膜の劣化や破壊の発生、 といった問題が生じることが明らかになった。以下、こ
のことを詳細に説明する。
うにして改良された従来のプラズマ処理方法には、 １）エッチング形状の異常、 ２）マイクロローディング効果の発生、 ３）ゲート絶縁膜の劣化や破壊の発生、 といった問題が生じることが明らかになった。以下、こ
のことを詳細に説明する。
【０００９】従来のプラズマ処理方法では、プラズマで
処理する試料は自己バイアスにより負にバイアスされ
る。このような自己バイアスは、プラズマを発生させる
ためにプラズマ処理室の内部に印加する高周波電力（Ｒ
Ｆ）により、試料が時間的に平均して負に帯電すること
に起因して発生する。
処理する試料は自己バイアスにより負にバイアスされ
る。このような自己バイアスは、プラズマを発生させる
ためにプラズマ処理室の内部に印加する高周波電力（Ｒ
Ｆ）により、試料が時間的に平均して負に帯電すること
に起因して発生する。
【００１０】このようにして試料が負にバイアスする従
来のプラズマ処理方法においては、試料に入射する正イ
オンや電子により試料の表面がチャージアップしてしま
った。
来のプラズマ処理方法においては、試料に入射する正イ
オンや電子により試料の表面がチャージアップしてしま
った。
【００１１】試料がチャージアップすると、次のように
してエッチング形状の異常が発生した。すなわち、例え
ば、多結晶シリコン基板をプラズマ処理によりエッチン
グする場合、試料表面に形成されたラインパターンで
は、上述したチャージアップによりパターン側壁が負に
帯電しパターン底面が正に帯電するといった現象が発生
する。このような電位差の不均衡が発生すると、各ライ
ンパターンに対する正のイオンの入射角度が散乱され、
エッチング端部の立ち上がり形状が急峻にならずになだ
らかになり、これによってエッチング形状の異常が発生
していた。
してエッチング形状の異常が発生した。すなわち、例え
ば、多結晶シリコン基板をプラズマ処理によりエッチン
グする場合、試料表面に形成されたラインパターンで
は、上述したチャージアップによりパターン側壁が負に
帯電しパターン底面が正に帯電するといった現象が発生
する。このような電位差の不均衡が発生すると、各ライ
ンパターンに対する正のイオンの入射角度が散乱され、
エッチング端部の立ち上がり形状が急峻にならずになだ
らかになり、これによってエッチング形状の異常が発生
していた。
【００１２】さらには、例えば、上述したのと同様のエ
ッチングを考えた場合、平面的にみて最外位置のライン
パターンでは、パターン内側側面に隣接するラインパタ
ーンはあるものの、パターン外側側面に隣接するライン
パターンは存在しない。このような形状の不均一により
最外位置のラインパターンでは、帯電量がパターン内外
（パターンの存在しない領域を外と規定し、パターンが
連続して存在する領域を内と規定する）で不均一となる
結果、チャージアップする量もパターン内外で異なって
しまって電位差が発生し、この電位差により入射するイ
オンの量に違いが生じ、より多くのイオンが入射するパ
ターン内側側面に楔状の穴（一般にノッチと呼ばれてい
る）を発生させていた。このことは、例えば、（Ｋ.Ｋ.
Ｃｈｉほか、１９９５年 ＤＲＹ ＰＲＯＣＥＳＳ Ｓ
ＹＭＰＯＳＩＵＭ 予稿集，ｐ７５，電気学会）にも記
載されている。
ッチングを考えた場合、平面的にみて最外位置のライン
パターンでは、パターン内側側面に隣接するラインパタ
ーンはあるものの、パターン外側側面に隣接するライン
パターンは存在しない。このような形状の不均一により
最外位置のラインパターンでは、帯電量がパターン内外
（パターンの存在しない領域を外と規定し、パターンが
連続して存在する領域を内と規定する）で不均一となる
結果、チャージアップする量もパターン内外で異なって
しまって電位差が発生し、この電位差により入射するイ
オンの量に違いが生じ、より多くのイオンが入射するパ
ターン内側側面に楔状の穴（一般にノッチと呼ばれてい
る）を発生させていた。このことは、例えば、（Ｋ.Ｋ.
Ｃｈｉほか、１９９５年 ＤＲＹ ＰＲＯＣＥＳＳ Ｓ
ＹＭＰＯＳＩＵＭ 予稿集，ｐ７５，電気学会）にも記
載されている。
【００１３】また、このような電荷の局在化と不均一
は、エッチング速度そのものにも影響を及ぼしていた。
すなわち、フォトレジストマスクは、入射する正イオン
によりエッチング中は正に帯電するため、マスク開口部
が小さい（狭い）ほど、正イオンに対する開口部への入
射阻止機能が強く働くことになる。その結果、マスク開
口部が小さい（狭い）ほど、エッチング速度が遅くなる
現象であるマイクロローディング効果を引き起こしてい
た。
は、エッチング速度そのものにも影響を及ぼしていた。
すなわち、フォトレジストマスクは、入射する正イオン
によりエッチング中は正に帯電するため、マスク開口部
が小さい（狭い）ほど、正イオンに対する開口部への入
射阻止機能が強く働くことになる。その結果、マスク開
口部が小さい（狭い）ほど、エッチング速度が遅くなる
現象であるマイクロローディング効果を引き起こしてい
た。
【００１４】さらには、このような電荷供給の不均一を
生じる従来のプラズマ処理方法を用いたＭＯＳ型半導体
装置を製造する場合には、ゲート絶縁膜の劣化や破壊を
引き起こしていた。すなわち、例えば、ゲート絶縁膜が
１０ｎｍ程度以下の極薄膜となったＭＯＳ型半導体装置
を製造する際に、従来のプラズマ処理方法に起因した電
荷供給の不均一が発生すると、プラズマに晒されたＭＯ
Ｓ型半導体装置の相互コンダクタンスが劣化し、極端な
場合には絶縁破壊に至っていた。このことは、例えば、
（ＥＲＩＧＵＣＨＩほか、ＩＥＩＣＥ ＴＲＡＮＣＥ．
ＥＬＥＣＴＲＯＮ．，ＶＯＬ．Ｅ７８−Ｃ２６１，電子
情報通信学会）にも記載されている。
生じる従来のプラズマ処理方法を用いたＭＯＳ型半導体
装置を製造する場合には、ゲート絶縁膜の劣化や破壊を
引き起こしていた。すなわち、例えば、ゲート絶縁膜が
１０ｎｍ程度以下の極薄膜となったＭＯＳ型半導体装置
を製造する際に、従来のプラズマ処理方法に起因した電
荷供給の不均一が発生すると、プラズマに晒されたＭＯ
Ｓ型半導体装置の相互コンダクタンスが劣化し、極端な
場合には絶縁破壊に至っていた。このことは、例えば、
（ＥＲＩＧＵＣＨＩほか、ＩＥＩＣＥ ＴＲＡＮＣＥ．
ＥＬＥＣＴＲＯＮ．，ＶＯＬ．Ｅ７８−Ｃ２６１，電子
情報通信学会）にも記載されている。
【００１５】ところで、微細化により、トランジスタサ
イズが１ミクロン以下になると、配線の面積がトランジ
スタ面積の１０3倍〜１０4倍も大きい、いわゆるアンテ
ナ構造を有する半導体装置をＬＳＩは内蔵するようにな
る。
イズが１ミクロン以下になると、配線の面積がトランジ
スタ面積の１０3倍〜１０4倍も大きい、いわゆるアンテ
ナ構造を有する半導体装置をＬＳＩは内蔵するようにな
る。
【００１６】このようなアンテナ構造は上述した電荷の
不均一を促進する働きをするので、微細化とともにプラ
ズマによるゲート絶縁膜の劣化や破壊はますます重要な
課題になるものと考えられる。
不均一を促進する働きをするので、微細化とともにプラ
ズマによるゲート絶縁膜の劣化や破壊はますます重要な
課題になるものと考えられる。
【００１７】そのうえ、誘導結合型プラズマ装置やヘリ
コン型プラズマ装置等の高密度プラズマ装置の導入によ
りプラズマ密度を高くすると、チャージアップする量も
増加するため、このような課題はさらに深刻なものとな
らざるをえなくなる。このような課題を解決する一つの
方法として、従来から、パルスプラズマプロセス（例え
ば、Ｏｈｔａｋｅほか、１９９５年 ＤＲＹ ＰＲＯＣ
ＥＳＳ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ 予稿集，ｐ４５，電気学
会）が提案されている。
コン型プラズマ装置等の高密度プラズマ装置の導入によ
りプラズマ密度を高くすると、チャージアップする量も
増加するため、このような課題はさらに深刻なものとな
らざるをえなくなる。このような課題を解決する一つの
方法として、従来から、パルスプラズマプロセス（例え
ば、Ｏｈｔａｋｅほか、１９９５年 ＤＲＹ ＰＲＯＣ
ＥＳＳ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ 予稿集，ｐ４５，電気学
会）が提案されている。
【００１８】このパルスプラズマプロセスは、プラズマ
発生用高周波電力（ＲＦ）をパルス状に供給し、高周波
電力供給期間にオフ期間を設けることで電荷の局所的な
蓄積を緩和したものである。この方法によれば、高周波
電力供給期間のオフ期間中に、電子の減少および負イオ
ンの発生があり、これらの現象によっても電荷分布の均
一性が高められる。
発生用高周波電力（ＲＦ）をパルス状に供給し、高周波
電力供給期間にオフ期間を設けることで電荷の局所的な
蓄積を緩和したものである。この方法によれば、高周波
電力供給期間のオフ期間中に、電子の減少および負イオ
ンの発生があり、これらの現象によっても電荷分布の均
一性が高められる。
【００１９】しかしながら、パルスプラズマプロセスで
も、十分に電荷供給の不均一さを解消することはできな
かった。すなわち、先のＯｈｔａｋｅらの例において、
発生させた正負の両イオンを用いてエッチング動作させ
るためには、自己バイアスが発生しない６００ｋＨｚ以
下の周波数のバイアス電圧を、試料台（試料を載置す
る）に印加する必要がある。ところが、このような低い
周波数であっても、交流のバイアス電圧を試料台に印加
してプラズマ処理（エッチング処理）を行うと、試料に
流入するイオンのエネルギーが大きくなり過ぎて、フォ
トレジストとシリコン基板との間でエッチング選択比が
２程度にしかならず、高精度の加工には不十分であっ
た。
も、十分に電荷供給の不均一さを解消することはできな
かった。すなわち、先のＯｈｔａｋｅらの例において、
発生させた正負の両イオンを用いてエッチング動作させ
るためには、自己バイアスが発生しない６００ｋＨｚ以
下の周波数のバイアス電圧を、試料台（試料を載置す
る）に印加する必要がある。ところが、このような低い
周波数であっても、交流のバイアス電圧を試料台に印加
してプラズマ処理（エッチング処理）を行うと、試料に
流入するイオンのエネルギーが大きくなり過ぎて、フォ
トレジストとシリコン基板との間でエッチング選択比が
２程度にしかならず、高精度の加工には不十分であっ
た。
【００２０】本発明はこのような課題に鑑み、低圧力下
でも微細加工性に優れかつデバイスに対して損傷を生じ
させにくいプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置の
提供を課題としている。
でも微細加工性に優れかつデバイスに対して損傷を生じ
させにくいプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置の
提供を課題としている。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１では、真空室に供給された反応ガ
スを、前記真空室に間欠的に、ないしは高低レベルを交
互に繰り返しつつ供給される高周波電力によりプラズマ
化し、そのプラズマで前記真空室内の試料を加工するプ
ラズマ処理方法であって、前記高周波電力の非供給期間
もしくは低レベル供給期間に同期して正となるパルス状
バイアス電圧を試料に印加することに特徴を有してい
る。
に、本発明の請求項１では、真空室に供給された反応ガ
スを、前記真空室に間欠的に、ないしは高低レベルを交
互に繰り返しつつ供給される高周波電力によりプラズマ
化し、そのプラズマで前記真空室内の試料を加工するプ
ラズマ処理方法であって、前記高周波電力の非供給期間
もしくは低レベル供給期間に同期して正となるパルス状
バイアス電圧を試料に印加することに特徴を有してい
る。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、真空室に供給された反応ガスを、前記真空室に間欠
的に、ないしは高低レベルを交互に繰り返しつつ供給さ
れる高周波電力によりプラズマ化し、そのプラズマで前
記真空室内の試料を加工するプラズマ処理方法であっ
て、前記高周波電力の非供給期間もしくは低レベル供給
期間に同期して正となるパルス状バイアス電圧を試料に
印加することを特徴としている。また、好ましくは、請
求項２で記載したように、パルス状バイアス電圧は試料
台を介して試料に印加しており、このような構成を備え
ることで次のような作用を有する。
は、真空室に供給された反応ガスを、前記真空室に間欠
的に、ないしは高低レベルを交互に繰り返しつつ供給さ
れる高周波電力によりプラズマ化し、そのプラズマで前
記真空室内の試料を加工するプラズマ処理方法であっ
て、前記高周波電力の非供給期間もしくは低レベル供給
期間に同期して正となるパルス状バイアス電圧を試料に
印加することを特徴としている。また、好ましくは、請
求項２で記載したように、パルス状バイアス電圧は試料
台を介して試料に印加しており、このような構成を備え
ることで次のような作用を有する。
【００２３】すなわち、正のパルス状バイアス電圧印加
時には、このバイアス電圧（正）に引かれて、負イオン
及び電子が試料表面に注入されることになる。そのた
め、パターン側壁が負に帯電し底面が正に帯電するとい
った電位差の不均衡を解消することができる。また、負
イオンを積極的に引き込むことができるので、エッチ速
度が早くなる。さらに、電子負性ガスを含む一般的なエ
ッチングプラズマ中では、プラズマ発生用電力を高周波
パルスで供給することで高周波パルスがオフの期間はア
フターグロー状態となり、電子付着解離により大量の電
子が消費されるうえに、消費された電子の代わりとして
高密度の負イオンが形成されるようになる。そのため、
相補的に負イオンを積極的に引き込むことができるよう
になり、正イオンによる帯電がさらに解消される。
時には、このバイアス電圧（正）に引かれて、負イオン
及び電子が試料表面に注入されることになる。そのた
め、パターン側壁が負に帯電し底面が正に帯電するとい
った電位差の不均衡を解消することができる。また、負
イオンを積極的に引き込むことができるので、エッチ速
度が早くなる。さらに、電子負性ガスを含む一般的なエ
ッチングプラズマ中では、プラズマ発生用電力を高周波
パルスで供給することで高周波パルスがオフの期間はア
フターグロー状態となり、電子付着解離により大量の電
子が消費されるうえに、消費された電子の代わりとして
高密度の負イオンが形成されるようになる。そのため、
相補的に負イオンを積極的に引き込むことができるよう
になり、正イオンによる帯電がさらに解消される。
【００２４】バイアス電圧が常時試料に印加されたり、
高周波電力の非供給期間もしくは低レベル供給期間と、
パルス状バイアス電圧の正の期間との間で同期が取られ
ないと、高密度の電子がプラズマ中に存在する間に試料
に対して正のパルス電圧が印加されてしまう。そうする
と、 ・高密度の電子がプラズマ中に存在する間に試料に対し
て正のパルス電圧が印加されることになり、試料に大量
の電子電流が流れて、バイアス電源の負担が極めて大き
くなる、 ・充分に負イオンが引き込まれず、帯電の解消が充分行
えなくなる、 といった不都合が生じる。
高周波電力の非供給期間もしくは低レベル供給期間と、
パルス状バイアス電圧の正の期間との間で同期が取られ
ないと、高密度の電子がプラズマ中に存在する間に試料
に対して正のパルス電圧が印加されてしまう。そうする
と、 ・高密度の電子がプラズマ中に存在する間に試料に対し
て正のパルス電圧が印加されることになり、試料に大量
の電子電流が流れて、バイアス電源の負担が極めて大き
くなる、 ・充分に負イオンが引き込まれず、帯電の解消が充分行
えなくなる、 といった不都合が生じる。
【００２５】しかしながら、本発明では、高周波電力の
非供給期間もしくは低レベル供給期間と、正となるパル
ス状バイアス電圧とが同期しているので、高密度の電子
がプラズマ中に存在する間に試料に対して正のパルス電
圧が印加されてしまうことは起きず、したがって、上述
したような不都合は生じない。
非供給期間もしくは低レベル供給期間と、正となるパル
ス状バイアス電圧とが同期しているので、高密度の電子
がプラズマ中に存在する間に試料に対して正のパルス電
圧が印加されてしまうことは起きず、したがって、上述
したような不都合は生じない。
【００２６】パルス状バイアス電圧は、高周波電力の非
供給期間もしくは低レベル供給期間に同期して正となる
ので、その分、正となる期間が短縮されて、試料に流入
するイオンのエネルギーが小さくなる。
供給期間もしくは低レベル供給期間に同期して正となる
ので、その分、正となる期間が短縮されて、試料に流入
するイオンのエネルギーが小さくなる。
【００２７】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２に係るプラズマ処理方法において、前記高周波電力の
供給期間もしくは高レベル供給期間の終了時点から所定
の時間間隔を開けて前記パルス状バイアス電圧を印加し
ており、そのために次のような作用を有する。すなわ
ち、プラズマ中の電子密度が十分に低くなってから、正
のパルス電圧が印加されることになり、そのため、試料
に対する電子電流の供給量がさらに低減するうえ、バイ
アス電源の負担がさらに小さくなる。そのうえ負イオン
の引き込みが促進されて帯電の解消がさらに進むことに
なる。
２に係るプラズマ処理方法において、前記高周波電力の
供給期間もしくは高レベル供給期間の終了時点から所定
の時間間隔を開けて前記パルス状バイアス電圧を印加し
ており、そのために次のような作用を有する。すなわ
ち、プラズマ中の電子密度が十分に低くなってから、正
のパルス電圧が印加されることになり、そのため、試料
に対する電子電流の供給量がさらに低減するうえ、バイ
アス電源の負担がさらに小さくなる。そのうえ負イオン
の引き込みが促進されて帯電の解消がさらに進むことに
なる。
【００２８】請求項４に記載の発明は、請求項３に係る
プラズマ処理方法において、前記所定の時間間隔を、高
周波電力の供給期間もしくは高レベル供給期間の終了時
から、高周波電力の印加により最大レベルとなる前記真
空室内の電子密度がその最大レベルの半分以下になる時
点までの期間としており、そのために次のような作用を
有する。すなわち、正のパルス電圧印加時におけるプラ
ズマ中の電子密度がさらに低くなり、・試料に対する電
子電流の供給量の低減、・バイアス電源の負担低減、・
帯電の解消の促進、といった請求項３の作用がより顕著
なものとなる。
プラズマ処理方法において、前記所定の時間間隔を、高
周波電力の供給期間もしくは高レベル供給期間の終了時
から、高周波電力の印加により最大レベルとなる前記真
空室内の電子密度がその最大レベルの半分以下になる時
点までの期間としており、そのために次のような作用を
有する。すなわち、正のパルス電圧印加時におけるプラ
ズマ中の電子密度がさらに低くなり、・試料に対する電
子電流の供給量の低減、・バイアス電源の負担低減、・
帯電の解消の促進、といった請求項３の作用がより顕著
なものとなる。
【００２９】請求項５に記載の発明は、請求項１ないし
４のいずれかに係るプラズマ処理方法において、前記パ
ルス状バイアス電圧として、正負の期間を交互に繰り返
すパルス電圧を用いており、そのために次のような作用
を有する。すなわち、パルス状バイアス電圧の正の期間
の間に負の期間が設けられることになり、この負の期間
の設定により、試料に引き込まれる正イオンのエネルギ
ーが増大することになる。
４のいずれかに係るプラズマ処理方法において、前記パ
ルス状バイアス電圧として、正負の期間を交互に繰り返
すパルス電圧を用いており、そのために次のような作用
を有する。すなわち、パルス状バイアス電圧の正の期間
の間に負の期間が設けられることになり、この負の期間
の設定により、試料に引き込まれる正イオンのエネルギ
ーが増大することになる。
【００３０】以下、本発明の実施の形態について、図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００３１】第１の実施の形態 図１は本発明の第１の実施の形態であるドライエッチン
グ装置の構造を示す模式図である。このドライエッチン
グ装置は、内壁がセラミック、テフロンまたは石英等の
絶縁物で覆われたチャンバーを備えている。チャンバー
１は接地されている。チャンバー１はパルスの高周波電
力が印加される渦巻き状電極２を備えており、この渦巻
き状電極２はプラズマ発生用高周波パルス電源３に接続
されている。渦巻き状電極２はセラミック等からなる誘
電体板４を介してチャンバー１の内部にプラズマを発生
させるようになっている。プラズマは誘導電磁界により
チャンバー１内に発生する。なお、チャンバー１は石英
等で構成されたインナーチャンバーを有する二重構造で
あってもよい。チャンバー１内には、被エッチング試料
Ａを載置する試料台５が設けられている。試料台５は、
例えば絶縁性材料で表面コートされた金属材から構成さ
れており、試料台５にはバイアス用ＤＣパルス電源６が
接続されている。
グ装置の構造を示す模式図である。このドライエッチン
グ装置は、内壁がセラミック、テフロンまたは石英等の
絶縁物で覆われたチャンバーを備えている。チャンバー
１は接地されている。チャンバー１はパルスの高周波電
力が印加される渦巻き状電極２を備えており、この渦巻
き状電極２はプラズマ発生用高周波パルス電源３に接続
されている。渦巻き状電極２はセラミック等からなる誘
電体板４を介してチャンバー１の内部にプラズマを発生
させるようになっている。プラズマは誘導電磁界により
チャンバー１内に発生する。なお、チャンバー１は石英
等で構成されたインナーチャンバーを有する二重構造で
あってもよい。チャンバー１内には、被エッチング試料
Ａを載置する試料台５が設けられている。試料台５は、
例えば絶縁性材料で表面コートされた金属材から構成さ
れており、試料台５にはバイアス用ＤＣパルス電源６が
接続されている。
【００３２】チャンバ１にはその側面からプローブ７が
挿入されている。プロープ７は、チャンバー１内に発生
するプラズマの各種データ（電子密度等）を採取してプ
ラズマコントローラ８に転送している。プローブ７はプ
ラズマによる劣化を防ぐため、計測時にのみチャンバー
１の内部に挿入する構造としても構わない。また、プロ
ーブ７の代わりにμ波を用いた干渉計によりプラズマデ
ータを採取するようにしてもよい。そうすれば、劣化の
心配をすることなく、任意の時間のプラズマデータを採
取することが可能となる。
挿入されている。プロープ７は、チャンバー１内に発生
するプラズマの各種データ（電子密度等）を採取してプ
ラズマコントローラ８に転送している。プローブ７はプ
ラズマによる劣化を防ぐため、計測時にのみチャンバー
１の内部に挿入する構造としても構わない。また、プロ
ーブ７の代わりにμ波を用いた干渉計によりプラズマデ
ータを採取するようにしてもよい。そうすれば、劣化の
心配をすることなく、任意の時間のプラズマデータを採
取することが可能となる。
【００３３】次に、このエッチング装置を用いた試料Ａ
のエッチング工程を図２のタイミングチャートおよび図
３のフローチャートに基づいて説明する。なお、図２は
このドライエッチング装置における各種パラメータの時
間変化をタイミングチャートにしたものである。
のエッチング工程を図２のタイミングチャートおよび図
３のフローチャートに基づいて説明する。なお、図２は
このドライエッチング装置における各種パラメータの時
間変化をタイミングチャートにしたものである。
【００３４】まず、チャンバー１内を１〜３Ｐａまで減
圧し、このように減圧したチャンバー１内に反応性ガス
として塩素ガスを５０sccm、ＨＢrガスを２５sccm導入
する。一方、プラズマ発生用高周波パルス電源３は、渦
巻き状電極２および誘電体板４を介して、チャンバー１
に、図２（ａ）に示す高周波電力パルスを印加する。高
周波電力パルスとしては、例えば、基本周波数１３．５
６ＭＨｚ、パルス幅１０〜３０μ秒（パルス周波数に換
算すると約１０ＫＨｚ）、電力５００〜１０００Ｗとな
る高周波電力パルスを用いる。
圧し、このように減圧したチャンバー１内に反応性ガス
として塩素ガスを５０sccm、ＨＢrガスを２５sccm導入
する。一方、プラズマ発生用高周波パルス電源３は、渦
巻き状電極２および誘電体板４を介して、チャンバー１
に、図２（ａ）に示す高周波電力パルスを印加する。高
周波電力パルスとしては、例えば、基本周波数１３．５
６ＭＨｚ、パルス幅１０〜３０μ秒（パルス周波数に換
算すると約１０ＫＨｚ）、電力５００〜１０００Ｗとな
る高周波電力パルスを用いる。
【００３５】高周波電圧パルスがオフとなった時点から
の経過時間Ｔを測定し、測定した経過時間Ｔと、予め設
定しておいた設定値Ｔｄとを比較する（Ｓ１）。設定値
Ｔｄとしては、当初３０〜７０μ秒を設定していおく。
経過時間Ｔが設定値Ｔｄを超過すると（Ｔ＞Ｔｄ）、チ
ャンバー１内のプラズマの電子密度をプロープ７を介し
て測定してプラズマコントローラ８に送信する（Ｓ
２）。
の経過時間Ｔを測定し、測定した経過時間Ｔと、予め設
定しておいた設定値Ｔｄとを比較する（Ｓ１）。設定値
Ｔｄとしては、当初３０〜７０μ秒を設定していおく。
経過時間Ｔが設定値Ｔｄを超過すると（Ｔ＞Ｔｄ）、チ
ャンバー１内のプラズマの電子密度をプロープ７を介し
て測定してプラズマコントローラ８に送信する（Ｓ
２）。
【００３６】プラズマコントローラ８では、送信された
プラズマデータを基にして、次のような制御を行う。す
なわち、予め、プラズマコントローラ８はチャンバー８
内の電子密度のピーク値をプロープ７を介して測定して
記憶しており、そのピーク値と測定した電子密度とを比
較する（Ｓ３）。
プラズマデータを基にして、次のような制御を行う。す
なわち、予め、プラズマコントローラ８はチャンバー８
内の電子密度のピーク値をプロープ７を介して測定して
記憶しており、そのピーク値と測定した電子密度とを比
較する（Ｓ３）。
【００３７】ステップＳ３での比較結果が、測定電子密
度＜ピーク値×１／２であるなら、電子密度が十分低下
したと判断して、正のバイアス用ＤＣ電圧パルスを試料
台５に印加する（Ｓ４）。
度＜ピーク値×１／２であるなら、電子密度が十分低下
したと判断して、正のバイアス用ＤＣ電圧パルスを試料
台５に印加する（Ｓ４）。
【００３８】このとき、試料台５に印加する正のバイア
ス用ＤＣ電圧パルスの電圧は５０〜２００Ｖが適当であ
る。バイアス用電圧パルスの電圧を２００Ｖ以上にする
と、スパッタリング効果が高まって試料Ａとホトレジス
トとの間の選択比が小さくなってしまうため、この程度
の電圧が適当である。バイアス用電圧パルスのパルス幅
は後述する制御で増減するが、０．１〜１０μ秒とな
る。
ス用ＤＣ電圧パルスの電圧は５０〜２００Ｖが適当であ
る。バイアス用電圧パルスの電圧を２００Ｖ以上にする
と、スパッタリング効果が高まって試料Ａとホトレジス
トとの間の選択比が小さくなってしまうため、この程度
の電圧が適当である。バイアス用電圧パルスのパルス幅
は後述する制御で増減するが、０．１〜１０μ秒とな
る。
【００３９】一方、ステップＳ３での比較結果が、測定
電子密度≧ピーク値×１／２であるなら、電子密度が十
分低下していないと判断して、設定値Ｔｄを再設定する
（Ｓ５）。設定値Ｔｄの再設定は、設定値Ｔｄに一定の
延長時間Ｔδを加算（Ｔｄ＝Ｔｄ＋Ｔδ）して更新する
ことで行う。
電子密度≧ピーク値×１／２であるなら、電子密度が十
分低下していないと判断して、設定値Ｔｄを再設定する
（Ｓ５）。設定値Ｔｄの再設定は、設定値Ｔｄに一定の
延長時間Ｔδを加算（Ｔｄ＝Ｔｄ＋Ｔδ）して更新する
ことで行う。
【００４０】ステップＳ５で、設定値Ｔｄの再設定を行
ったのちは、ステップＳ１のステップに戻って、経過時
間Ｔと更新した設定値Ｔｄとの比較を行う。
ったのちは、ステップＳ１のステップに戻って、経過時
間Ｔと更新した設定値Ｔｄとの比較を行う。
【００４１】なお、上記した説明では、ステップＳ３に
おいて、電子密度が十分に低下したと判断する閾値を、
電子密度のピーク×１／２としていたが、この閾値とし
て、測定電子密度＜ピーク×１／１０の値とする方が、
電子密度の低下の判定精度を高めるうえに、さらに望ま
しい。
おいて、電子密度が十分に低下したと判断する閾値を、
電子密度のピーク×１／２としていたが、この閾値とし
て、測定電子密度＜ピーク×１／１０の値とする方が、
電子密度の低下の判定精度を高めるうえに、さらに望ま
しい。
【００４２】このようにして、正のバイアス用ＤＣ電圧
パルスが試料台５を介して試料Ａに印加される。する
と、チャンバー１に供給される反応性ガス（ハロゲンガ
ス）が電子負性ガスであるため、プラズマ発生用高周波
パルス電源３がオフした後の、いわゆるアフターグロー
プラズマの状態では電子の加速源が無くなる。そのた
め、チャンバー１内の電子温度が低下して電子付着解離
を生じやすくなって、急速に電子密度が低下する（図２
（ｃ）参照）。
パルスが試料台５を介して試料Ａに印加される。する
と、チャンバー１に供給される反応性ガス（ハロゲンガ
ス）が電子負性ガスであるため、プラズマ発生用高周波
パルス電源３がオフした後の、いわゆるアフターグロー
プラズマの状態では電子の加速源が無くなる。そのた
め、チャンバー１内の電子温度が低下して電子付着解離
を生じやすくなって、急速に電子密度が低下する（図２
（ｃ）参照）。
【００４３】一方、チャンバー１内の電子密度の低下に
反して、負イオンが急激に増加する（図２（ｄ）参
照）。また、試料Ａに正のバイアス用ＤＣ電圧パルスが
印加されるので、アフターグロープラズマ状態における
チャンバー１内の正イオン電流は急激に低下する（図２
（ｅ）参照）。
反して、負イオンが急激に増加する（図２（ｄ）参
照）。また、試料Ａに正のバイアス用ＤＣ電圧パルスが
印加されるので、アフターグロープラズマ状態における
チャンバー１内の正イオン電流は急激に低下する（図２
（ｅ）参照）。
【００４４】このように、アフターグロープラズマの状
態では、電子密度が充分低くかつ負イオン密度が大きい
ので、バイアス用ＤＣパルス電源６が正の電圧を試料Ａ
に印加した際に、試料Ａに流入する電子電流は充分小さ
く、負イオン電流を効果的に引きだし、試料Ａに照射で
きる（図２（ｆ）参照）。
態では、電子密度が充分低くかつ負イオン密度が大きい
ので、バイアス用ＤＣパルス電源６が正の電圧を試料Ａ
に印加した際に、試料Ａに流入する電子電流は充分小さ
く、負イオン電流を効果的に引きだし、試料Ａに照射で
きる（図２（ｆ）参照）。
【００４５】以上のようにして、試料Ａをエッチングす
るのであるが、本願発明者が、リンドープした多結晶シ
リコンを試料Ａとして、上述したエッチング条件の下で
このエッチング装置でエッチングしたところ、エッチ速
度は３００〜８００ｎｍ／秒、対酸化膜選択比は２０〜
１００となり良好な結果が得られた。また、エッチング
形状は異方性であった。さらには、バイアス用ＤＣパル
ス電源６により、０.１μ秒以上のパルス幅のＤＣ電圧
パルスをチャンバー１に印加すると、チャージアップに
よるノッチや形状の異常等は見られなかったことを確認
した。
るのであるが、本願発明者が、リンドープした多結晶シ
リコンを試料Ａとして、上述したエッチング条件の下で
このエッチング装置でエッチングしたところ、エッチ速
度は３００〜８００ｎｍ／秒、対酸化膜選択比は２０〜
１００となり良好な結果が得られた。また、エッチング
形状は異方性であった。さらには、バイアス用ＤＣパル
ス電源６により、０.１μ秒以上のパルス幅のＤＣ電圧
パルスをチャンバー１に印加すると、チャージアップに
よるノッチや形状の異常等は見られなかったことを確認
した。
【００４６】本発明の方法でチャージアップが少なくな
る原因として、電子密度の少ないことに加え、負イオン
の性質の寄与も大きいと思われる。すなわち、試料Ａに
高エネルギーの正、負のイオンが入射する場合、入射イ
オンの電荷が試料Ａの表面に蓄積されるのに加え、イオ
ンの入射に伴い試料Ａの表面から放出される二次電子の
効果が無視できない。しかしながら、正イオンの入射で
は二次電子放出は正電荷の蓄積を増加させるように進む
が、負イオンの入射では二次電子放出は負電荷の蓄積を
打ち消すように働く。このため、チャージアップ現象が
抑制されるのである。
る原因として、電子密度の少ないことに加え、負イオン
の性質の寄与も大きいと思われる。すなわち、試料Ａに
高エネルギーの正、負のイオンが入射する場合、入射イ
オンの電荷が試料Ａの表面に蓄積されるのに加え、イオ
ンの入射に伴い試料Ａの表面から放出される二次電子の
効果が無視できない。しかしながら、正イオンの入射で
は二次電子放出は正電荷の蓄積を増加させるように進む
が、負イオンの入射では二次電子放出は負電荷の蓄積を
打ち消すように働く。このため、チャージアップ現象が
抑制されるのである。
【００４７】さらには、このドライエッチング装置で
は、バイアスとなるＤＣ電圧パルスは、高周波電力パル
スのオフ期間に同期して正となるので、その分、バイア
スが正となる期間が短縮されて、試料Ａに流入するイオ
ンのエネルギーが小さくなっている。そのため、試料Ａ
のエッチング選択比を十分大きなものとすることができ
る。
は、バイアスとなるＤＣ電圧パルスは、高周波電力パル
スのオフ期間に同期して正となるので、その分、バイア
スが正となる期間が短縮されて、試料Ａに流入するイオ
ンのエネルギーが小さくなっている。そのため、試料Ａ
のエッチング選択比を十分大きなものとすることができ
る。
【００４８】第２の実施の形態 図４は本発明の第２の実施の形態であるドライエッチン
グ装置の構造を示す模式図である。このドライエッチン
グ装置は、基本的には、第１の実施の形態の同様の構成
を備えており、同一ないし同様の部分には同一の符号を
付している。このドライエッチング装置が、第１の実施
の形態のものと異なる点は、試料台５と、バイアス用Ｄ
Ｃパルス電源６との間に容量性回路１０が挿入されてい
ることと、μ波を用いた電子密度検出器１１を設けたこ
とである。
グ装置の構造を示す模式図である。このドライエッチン
グ装置は、基本的には、第１の実施の形態の同様の構成
を備えており、同一ないし同様の部分には同一の符号を
付している。このドライエッチング装置が、第１の実施
の形態のものと異なる点は、試料台５と、バイアス用Ｄ
Ｃパルス電源６との間に容量性回路１０が挿入されてい
ることと、μ波を用いた電子密度検出器１１を設けたこ
とである。
【００４９】容量性回路１０を設けることで、試料台５
に流入する電荷の総量をゼロとすることができるので、
バイアス用ＤＣパルス電源７には、電流が貫通すること
がなくなり、その分、バイアス用ＤＣパルス電源６の電
源容量を小さいものとすることができる。なお、容量性
回路１０を設けた場合には、バイアス用ＤＣ電圧パルス
のパルス幅を広くしすぎいように制御する必要がある。
パルス幅が広くなりすぎると、バイアス用ＤＣ電圧パル
スの電圧（正）が十分高くならないためである。
に流入する電荷の総量をゼロとすることができるので、
バイアス用ＤＣパルス電源７には、電流が貫通すること
がなくなり、その分、バイアス用ＤＣパルス電源６の電
源容量を小さいものとすることができる。なお、容量性
回路１０を設けた場合には、バイアス用ＤＣ電圧パルス
のパルス幅を広くしすぎいように制御する必要がある。
パルス幅が広くなりすぎると、バイアス用ＤＣ電圧パル
スの電圧（正）が十分高くならないためである。
【００５０】次に、このドライエッチング装置を用いた
試料Ａのエッチング工程を図５のフローチャートに基づ
いて説明する。
試料Ａのエッチング工程を図５のフローチャートに基づ
いて説明する。
【００５１】まず、チャンバー１内を３〜１０Ｐａまで
減圧し、このように減圧したチャンバー１内に反応性ガ
スとしてＣ4Ｆ8ガスを５０sccm導入する。一方、プラズ
マ発生用高周波パルス電源３は、渦巻き状電極２および
誘電体板４を介して、チャンバー１に、図２（ａ）に示
す高周波電力パルスを印加する。高周波電力パルスとし
ては、例えば、基本周波数２７.１２ＭＨｚ、パルス幅
１０〜５０μ秒（パルス周波数にして５〜１０ｋＨ
ｚ）、電力５００〜１５００Ｗとなる高周波電力パルス
を用いる。
減圧し、このように減圧したチャンバー１内に反応性ガ
スとしてＣ4Ｆ8ガスを５０sccm導入する。一方、プラズ
マ発生用高周波パルス電源３は、渦巻き状電極２および
誘電体板４を介して、チャンバー１に、図２（ａ）に示
す高周波電力パルスを印加する。高周波電力パルスとし
ては、例えば、基本周波数２７.１２ＭＨｚ、パルス幅
１０〜５０μ秒（パルス周波数にして５〜１０ｋＨ
ｚ）、電力５００〜１５００Ｗとなる高周波電力パルス
を用いる。
【００５２】高周波電圧パルスがオフとなった時点から
の経過時間Ｔを測定し、測定した経過時間Ｔと、予め設
定しておいた設定値Ｔｄとを比較する（Ｔ１）。設定値
Ｔｄとしては、当初３０〜７０μ秒を設定していおく。
経過時間Ｔが設定値Ｔｄを超過すると（Ｔ＞Ｔｄ）、チ
ャンバー１内のプラズマの電子密度を電子密度検出器１
１を介して測定してプラズマコントローラ８に送信する
（Ｔ２）。
の経過時間Ｔを測定し、測定した経過時間Ｔと、予め設
定しておいた設定値Ｔｄとを比較する（Ｔ１）。設定値
Ｔｄとしては、当初３０〜７０μ秒を設定していおく。
経過時間Ｔが設定値Ｔｄを超過すると（Ｔ＞Ｔｄ）、チ
ャンバー１内のプラズマの電子密度を電子密度検出器１
１を介して測定してプラズマコントローラ８に送信する
（Ｔ２）。
【００５３】プラズマコントローラ８では、送信された
プラズマデータを基にして、次のような制御を行う。す
なわち、予め、プラズマコントローラ８はチャンバー８
内の電子密度のピーク値を電子密度検出器１１を介して
予め測定して記憶しており、そのピーク値と測定した電
子密度とを比較する（Ｔ３）。ステップＴ３での比較結
果が、測定電子密度＜ピーク値×１／２であるなら電子
密度が十分低下したと判断して、正のバイアス用ＤＣ電
圧パルスを試料台５に印加する（Ｔ４）。
プラズマデータを基にして、次のような制御を行う。す
なわち、予め、プラズマコントローラ８はチャンバー８
内の電子密度のピーク値を電子密度検出器１１を介して
予め測定して記憶しており、そのピーク値と測定した電
子密度とを比較する（Ｔ３）。ステップＴ３での比較結
果が、測定電子密度＜ピーク値×１／２であるなら電子
密度が十分低下したと判断して、正のバイアス用ＤＣ電
圧パルスを試料台５に印加する（Ｔ４）。
【００５４】バイアス用ＤＣ電圧パルスを試料台５に印
加したのち、試料台５に印加されるバイアス用ＤＣ電圧
パルスの電圧値Ｖが下限値Ｖｄを超過しているかどうか
を判定する（Ｔ５）。
加したのち、試料台５に印加されるバイアス用ＤＣ電圧
パルスの電圧値Ｖが下限値Ｖｄを超過しているかどうか
を判定する（Ｔ５）。
【００５５】これは、容量性回路１０を設けたこのドラ
イエッチング装置では、上述したように、バイアス用Ｄ
Ｃ電圧パルスのパルス幅を広くしすぎると、バイアス用
ＤＣ電圧パルスの電圧（正）が十分高くならないためで
ある。バイアス用ＤＣ電圧パルスの電圧設定値は５０〜
２００Ｖが適当であるので、下限値Ｖｄはこの値を参考
にして設定されており、下限値Ｖｄはあらかじめプラズ
マコントローラ８に記憶されている。
イエッチング装置では、上述したように、バイアス用Ｄ
Ｃ電圧パルスのパルス幅を広くしすぎると、バイアス用
ＤＣ電圧パルスの電圧（正）が十分高くならないためで
ある。バイアス用ＤＣ電圧パルスの電圧設定値は５０〜
２００Ｖが適当であるので、下限値Ｖｄはこの値を参考
にして設定されており、下限値Ｖｄはあらかじめプラズ
マコントローラ８に記憶されている。
【００５６】ステップＴ５において、バイアス用ＤＣ電
圧パルスの電圧値Ｖが下限値Ｖｄを超過していない場合
（Ｖ≦Ｖｄ）には、設定値Ｔｄを再設定する（Ｔ５）。
設定値Ｔｄの再設定は、設定値Ｔｄに一定の延長時間Ｔ
δを加算（Ｔｄ＝Ｔｄ＋Ｔδ）して更新することで行
う。ステップＴ５で、設定値Ｔｄの再設定を行ったのち
は、ステップＳ１のステップに戻って、経過時間Ｔと更
新した設定値Ｔｄとの比較を再度行う。設定値Ｔｄの再
設定により、設定値Ｔｄは延長される結果、バイアス用
ＤＣ電圧パルスの電圧値は上昇することになる。
圧パルスの電圧値Ｖが下限値Ｖｄを超過していない場合
（Ｖ≦Ｖｄ）には、設定値Ｔｄを再設定する（Ｔ５）。
設定値Ｔｄの再設定は、設定値Ｔｄに一定の延長時間Ｔ
δを加算（Ｔｄ＝Ｔｄ＋Ｔδ）して更新することで行
う。ステップＴ５で、設定値Ｔｄの再設定を行ったのち
は、ステップＳ１のステップに戻って、経過時間Ｔと更
新した設定値Ｔｄとの比較を再度行う。設定値Ｔｄの再
設定により、設定値Ｔｄは延長される結果、バイアス用
ＤＣ電圧パルスの電圧値は上昇することになる。
【００５７】同様に、ステップＴ３での比較結果が、測
定電子密度≧ピーク値×１／２であるなら、電子密度が
十分低下していないと判断して、設定値Ｔｄの再設定を
行うステップＴ６に移行する。
定電子密度≧ピーク値×１／２であるなら、電子密度が
十分低下していないと判断して、設定値Ｔｄの再設定を
行うステップＴ６に移行する。
【００５８】なお、この実施の形態においても、ステッ
プＴ３において、電子密度が十分に低下したと判断する
閾値を、電子密度のピーク×１／２としていたが、この
閾値として、測定電子密度＜ピーク×１／１０の値とす
る方が、電子密度の低下の判定精度を高めるうえに、さ
らに望ましい。
プＴ３において、電子密度が十分に低下したと判断する
閾値を、電子密度のピーク×１／２としていたが、この
閾値として、測定電子密度＜ピーク×１／１０の値とす
る方が、電子密度の低下の判定精度を高めるうえに、さ
らに望ましい。
【００５９】正のバイアス用ＤＣ電圧パルスが試料台５
を介して試料Ａに印加されたのちの動作、および試料Ａ
に生じる作用については第１の実施の形態で説明したの
と同様であるので、その説明は省略する。
を介して試料Ａに印加されたのちの動作、および試料Ａ
に生じる作用については第１の実施の形態で説明したの
と同様であるので、その説明は省略する。
【００６０】以上のようにして、試料Ａをエッチングす
るのであるが、本願発明者が、この実施の形態のドライ
エッチング装置を用いて、上述したのと同様のエッチン
グ条件で、ＢＰＳＧ（ボロン・リンガラス）膜のエッチ
ングを行ったところ、エッチ速度：５００〜１０００ｎ
ｍ／秒、対シリコン選択比：５０以上、と良好な結果が
得られた。また、このときのエッチング形状は異方性で
あった。また、この実施の形態のドライエッチング装置
では、特にエッチ速度のアスペクト比（深さ／開口幅
比）依存性が小さく、アスペクト比０．１のパターンで
のエッチ速度を１とした場合、アスペクト比１０でも９
０％以上のエッチ速度が得られたことを確認した。
るのであるが、本願発明者が、この実施の形態のドライ
エッチング装置を用いて、上述したのと同様のエッチン
グ条件で、ＢＰＳＧ（ボロン・リンガラス）膜のエッチ
ングを行ったところ、エッチ速度：５００〜１０００ｎ
ｍ／秒、対シリコン選択比：５０以上、と良好な結果が
得られた。また、このときのエッチング形状は異方性で
あった。また、この実施の形態のドライエッチング装置
では、特にエッチ速度のアスペクト比（深さ／開口幅
比）依存性が小さく、アスペクト比０．１のパターンで
のエッチ速度を１とした場合、アスペクト比１０でも９
０％以上のエッチ速度が得られたことを確認した。
【００６１】第３の実施の形態 図６は本発明の第３の実施の形態であるドライエッチン
グ装置の構造を示す模式図である。このドライエッチン
グ装置は第２の実施の形態のドライエッチング装置と基
本的には同様の構成を備えており、同一ないし同様に部
分には、同一の符号を付している。この実施の形態のド
ライエッチング装置が、第２の実施の形態のドライエッ
チング装置と異なっている点は、バイアス用バイポーラ
パルス電源２０を備えていることである。バイポーラパ
ルス電源２０は、図７に示すようなバイアス電圧を試料
台５に印加している。すなわち、バイポーラパルス電源
２０は、プラズマ発生用高周波パルス電源３がオフして
いる期間ＴOFFに同期して正の電圧となる一方、プラズ
マ発生用高周波パルス電源３がオンしている期間ＴONと
重複して負の電圧となるバイポーラ電圧パルスを試料台
５に印加している。この場合、バイポーラ電圧パルスの
負の期間を、プラズマ発生用高周波パルス電源３がオン
している期間ＴONと全く同じ期間になるように同期させ
る必要はなく、多少短くても長くても、あるいは多少遅
延していてもかまわない。要するに、バイポーラ電圧の
負の期間により、正イオンを高エネルギーで試料台５上
の試料Ａに引き込めばよいのである。このようなバイポ
ーラ電圧パルスの設定および生成タイミング制御は、酸
化膜のエッチングのように、高エネルギーのエッチング
を必要とする場合に特に有効である。
グ装置の構造を示す模式図である。このドライエッチン
グ装置は第２の実施の形態のドライエッチング装置と基
本的には同様の構成を備えており、同一ないし同様に部
分には、同一の符号を付している。この実施の形態のド
ライエッチング装置が、第２の実施の形態のドライエッ
チング装置と異なっている点は、バイアス用バイポーラ
パルス電源２０を備えていることである。バイポーラパ
ルス電源２０は、図７に示すようなバイアス電圧を試料
台５に印加している。すなわち、バイポーラパルス電源
２０は、プラズマ発生用高周波パルス電源３がオフして
いる期間ＴOFFに同期して正の電圧となる一方、プラズ
マ発生用高周波パルス電源３がオンしている期間ＴONと
重複して負の電圧となるバイポーラ電圧パルスを試料台
５に印加している。この場合、バイポーラ電圧パルスの
負の期間を、プラズマ発生用高周波パルス電源３がオン
している期間ＴONと全く同じ期間になるように同期させ
る必要はなく、多少短くても長くても、あるいは多少遅
延していてもかまわない。要するに、バイポーラ電圧の
負の期間により、正イオンを高エネルギーで試料台５上
の試料Ａに引き込めばよいのである。このようなバイポ
ーラ電圧パルスの設定および生成タイミング制御は、酸
化膜のエッチングのように、高エネルギーのエッチング
を必要とする場合に特に有効である。
【００６２】本実施の形態のドライエッチング装置を用
いて、次の条件で、ＢＰＳＧ（ボロン・リンガラス）膜
のエッチングを行った。
いて、次の条件で、ＢＰＳＧ（ボロン・リンガラス）膜
のエッチングを行った。
【００６３】・チャンバーの減圧を３〜１０Ｐａにす
る、 ・チャンバー１にはＣ4Ｆ8ガスを５０sccm導入する、 ・プラズマ発生用高周波パルス電源３からチャンバー１
に印加する高周波電力パルスは、周波数２７.１２ＭＨ
ｚ、パルス幅１０〜５０μ秒、電力にして５００〜１５
００Ｗとする、 ・バイアス用バイポーラパルス電源１２から試料台５に
印加するバイポーラ電圧パルスは、±１００〜５００Ｖ
の電圧、パルス幅０.１〜５μ秒、５〜１０ｋＨｚの周
波数、設定時間（高周波電力パルスがオフになってから
バイポーラ電圧パルスが正となるまでの時間）Ｔｄは３
０〜７０μ秒とする、 このような条件で、上述したＢＰＳＧ膜のエッチングを
行ったところ、エッチ速度が５００〜１３００ｎｍ／秒
と大幅に向上し、対シリコン選択比も５０以上と良好
で、エッチング形状は異方性となった。
る、 ・チャンバー１にはＣ4Ｆ8ガスを５０sccm導入する、 ・プラズマ発生用高周波パルス電源３からチャンバー１
に印加する高周波電力パルスは、周波数２７.１２ＭＨ
ｚ、パルス幅１０〜５０μ秒、電力にして５００〜１５
００Ｗとする、 ・バイアス用バイポーラパルス電源１２から試料台５に
印加するバイポーラ電圧パルスは、±１００〜５００Ｖ
の電圧、パルス幅０.１〜５μ秒、５〜１０ｋＨｚの周
波数、設定時間（高周波電力パルスがオフになってから
バイポーラ電圧パルスが正となるまでの時間）Ｔｄは３
０〜７０μ秒とする、 このような条件で、上述したＢＰＳＧ膜のエッチングを
行ったところ、エッチ速度が５００〜１３００ｎｍ／秒
と大幅に向上し、対シリコン選択比も５０以上と良好
で、エッチング形状は異方性となった。
【００６４】第４の実施の形態 図８は本発明の第４の実施の形態であるドライエッチン
グ装置の構造を示す模式図である。このドライエッチン
グ装置は、第３の実施の形態のものと同様の構成を備え
ており、同一ないし同様の部分に同一の符号を付してい
る。このドライエッチング装置が、第３の実施の形態の
ものと異なるのは、プラズマ源がＥＣＲ（電子サイクロ
トロン共鳴）プラズマである点である。そのため、この
ドライエッチング装置は、パルスμ波電源３１と、モー
ド変換器３２とコイル３３とを備えている。
グ装置の構造を示す模式図である。このドライエッチン
グ装置は、第３の実施の形態のものと同様の構成を備え
ており、同一ないし同様の部分に同一の符号を付してい
る。このドライエッチング装置が、第３の実施の形態の
ものと異なるのは、プラズマ源がＥＣＲ（電子サイクロ
トロン共鳴）プラズマである点である。そのため、この
ドライエッチング装置は、パルスμ波電源３１と、モー
ド変換器３２とコイル３３とを備えている。
【００６５】本実施の形態のドライエッチング装置を用
いて、次の条件で、ＢＰＳＧ（ボロン・リンガラス）膜
のエッチングを行った。
いて、次の条件で、ＢＰＳＧ（ボロン・リンガラス）膜
のエッチングを行った。
【００６６】・チャンバーの減圧を１〜５Ｐａにする、 ・チャンバー１にはＣ2Ｆ6ガスを５０sccm導入する、 ・パルスμ波電源３１からチャンバー１に印加するμ波
電力パルスは、基本周波数２.４５ＧＨｚ、パルス間隔
周波数１０ｋＨｚ、パルス幅１０〜５０μ秒とする、 ・バイアス用バイポーラパルス電源１２から試料台５に
印加するバイポーラ電圧パルスは、±１００〜５００Ｖ
の電圧、パルス幅０.１〜５μ秒、５〜１０ｋＨｚの周
波数、設定時間（μ波電力パルスがオフになってからバ
イポーラ電圧パルスが正となるまでの時間）Ｔｄは３０
〜７０μ秒とする、 このような条件で、上述したＢＰＳＧ膜のエッチングを
行ったところ、エッチ速度が５００〜８００ｎｍ／秒と
大幅に向上し、対シリコン選択比も４０以上と良好で、
エッチング形状は異方性となった。
電力パルスは、基本周波数２.４５ＧＨｚ、パルス間隔
周波数１０ｋＨｚ、パルス幅１０〜５０μ秒とする、 ・バイアス用バイポーラパルス電源１２から試料台５に
印加するバイポーラ電圧パルスは、±１００〜５００Ｖ
の電圧、パルス幅０.１〜５μ秒、５〜１０ｋＨｚの周
波数、設定時間（μ波電力パルスがオフになってからバ
イポーラ電圧パルスが正となるまでの時間）Ｔｄは３０
〜７０μ秒とする、 このような条件で、上述したＢＰＳＧ膜のエッチングを
行ったところ、エッチ速度が５００〜８００ｎｍ／秒と
大幅に向上し、対シリコン選択比も４０以上と良好で、
エッチング形状は異方性となった。
【００６７】なお、上述した各実施の形態では、本発明
をドライエッチング装置において、実施していたが、本
発明はこのほか、プラズマＣＶＤやスパッタ、イオン注
入装置等といった高真空プラズマが必要とされる各種装
置への適用が可能なことはいうまでもない。
をドライエッチング装置において、実施していたが、本
発明はこのほか、プラズマＣＶＤやスパッタ、イオン注
入装置等といった高真空プラズマが必要とされる各種装
置への適用が可能なことはいうまでもない。
【００６８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、次のよう
な効果がある。
な効果がある。
【００６９】請求項１,２,６,７の効果 処理するパターンにおける電位差の不均衡を解消するこ
とができるので、1).電位差の不均衡に起因するエッチ
ング形状の異常、2).マイクロローディング効果、3).ゲ
ード絶縁膜の劣化や破損、といった従来のプラズマ処理
方法が抱えていた問題を解決することができた。
とができるので、1).電位差の不均衡に起因するエッチ
ング形状の異常、2).マイクロローディング効果、3).ゲ
ード絶縁膜の劣化や破損、といった従来のプラズマ処理
方法が抱えていた問題を解決することができた。
【００７０】さらには、負イオンを積極的に引き込むこ
とができるので、エッチ速度を早くすることができ、そ
の分、処理時間の短縮化が図れた。
とができるので、エッチ速度を早くすることができ、そ
の分、処理時間の短縮化が図れた。
【００７１】請求項３,８の効果 試料に対する電子電流の供給量の低減、バイアス電源の
負担の軽減、負イオンの引き込みの促進による帯電のさ
らなる解消、といった効果を奏する。
負担の軽減、負イオンの引き込みの促進による帯電のさ
らなる解消、といった効果を奏する。
【００７２】請求項４,９の効果 正のパルス電圧印加時におけるプラズマ中の電子密度が
さらに低くなり、請求項３の効果をより顕著なものとす
ることができる。
さらに低くなり、請求項３の効果をより顕著なものとす
ることができる。
【００７３】請求項５,１０の効果 パルス状バイアス電圧の正の期間の間に負の期間が設け
られることになり、この負の期間の設定により、試料に
引き込まれる正イオンのエネルギーを増大させることが
できるようになり、その分、高エネルギーを必要とする
プラズマ処理を容易に行うことができるようになった。
られることになり、この負の期間の設定により、試料に
引き込まれる正イオンのエネルギーを増大させることが
できるようになり、その分、高エネルギーを必要とする
プラズマ処理を容易に行うことができるようになった。
【図１】本発明の第１の実施の形態であるドライエッチ
ング装置の構成を示す模式図である。
ング装置の構成を示す模式図である。
【図２】第１の実施の形態における各種パラメータの時
間変化を示した摸式図である。
間変化を示した摸式図である。
【図３】第１の実施の形態のドライエッチング装置の動
作のフローチャートである。
作のフローチャートである。
【図４】本発明の第２の実施の形態であるドライエッチ
ング装置の構成を示す摸式図である。
ング装置の構成を示す摸式図である。
【図５】第２の実施の形態のドライエッチング装置の動
作のフローチャートである。
作のフローチャートである。
【図６】本発明の第３の実施の形態であるドライエッチ
ング装置の構成を示す摸式図である。
ング装置の構成を示す摸式図である。
【図７】第３の実施例のドライエッチング装置における
パルス状バイアス電圧の印加のタイミングを説明するた
めの図である。
パルス状バイアス電圧の印加のタイミングを説明するた
めの図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態であるドライエッチ
ング装置の構成を示す摸式図である。
ング装置の構成を示す摸式図である。
１ チャンバー ２ 渦巻き状電極 ３ プラズマ発生用高周波パルス電源 ５ 試料台 ６ バイアス用ＤＣパルス電源 ８ プラズマコントローラ Ａ 試料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 (72)発明者 服藤 憲司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 真空室に供給された反応ガスを、前記真
空室に間欠的に、ないしは高低レベルを交互に繰り返し
つつ供給される高周波電力によりプラズマ化し、そのプ
ラズマで前記真空室内の試料を加工するプラズマ処理方
法であって、 前記高周波電力の非供給期間もしくは低レベル供給期間
に同期して正となるパルス状バイアス電圧を試料に印加
することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ処理方法であっ
て、前記パルス状バイアス電圧を、真空室に設けた試料
台を介して前記試料に印加することを特徴とするプラズ
マ処理方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のプラズマ処理方
法であって、前記高周波電力の供給期間もしくは高レベ
ル供給期間の終了時点から所定の時間間隔を開けて前記
パルス状バイアス電圧を印加することを特徴とするプラ
ズマ処理方法。 - 【請求項４】 請求項３記載のプラズマ処理方法であっ
て、前記所定の時間間隔を、高周波電力の供給期間もし
くは高レベル供給期間の終了時から、高周波電力の印加
により最大レベルとなる前記真空室内の電子密度がその
最大レベルの半分以下になる時点までの期間とすること
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか記載のプラ
ズマ処理方法であって、前記パルス状バイアス電圧とし
て、正負の期間を交互に繰り返すパルス電圧を用いるこ
とを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項６】 試料が内部に載置される真空室と、 前記真空室に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、 間欠的に、ないしは高低レベルを交互に繰り返しつつ前
記真空室に高周波電力を供給するプラズマ発生用電力給
手段と、 前記高周波電力の非供給期間もしくは低レベル供給期間
に同期して正となるパルス状バイアス電圧を前記試料に
印加するバイアス電圧供給手段とを有することを特徴と
するプラズマ処理装置。 - 【請求項７】 請求項６記載のプラズマ処理装置であっ
て、前記バイアス電圧供給手段は、パルス状バイアス電
圧を、前記真空室に設けた試料台を介して前記試料に印
加するものであることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項８】 請求項６または７記載のプラズマ処理装
置であって、前記バイアス電圧供給手段は、高周波電力
の供給期間もしくは高レベル供給期間の終了時点から所
定の時間間隔を開けて前記パルス状バイアス電圧を印加
するものであることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項９】 請求項８記載のプラズマ処理装置であっ
て、前記バイアス電圧供給手段は、高周波電力の供給期
間もしくは高レベル供給期間の終了時から、高周波電力
の印加により最大レベルとなる前記真空室内の電子密度
がその最大レベルの半分以下になる時点までの期間を前
記所定の時間間隔として、前記パルス状バイアス電圧を
印加するものであることを特徴とするプラズマ処理装
置。 - 【請求項１０】 請求項６ないし９のいずれか記載のプ
ラズマ処理装置であって、前記バイアス電圧供給手段
は、前記パルス状バイアス電圧として、正負の期間を交
互に繰り返すパルス電圧を試料に印加するものであるこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8232987A JPH1079372A (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| KR1019970045488A KR19980024265A (ko) | 1996-09-03 | 1997-09-02 | 플라즈마 처리방법 및 플라즈마 처리장치 |
| US08/921,896 US5928528A (en) | 1996-09-03 | 1997-09-02 | Plasma treatment method and plasma treatment system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8232987A JPH1079372A (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1079372A true JPH1079372A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=16948031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8232987A Pending JPH1079372A (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5928528A (ja) |
| JP (1) | JPH1079372A (ja) |
| KR (1) | KR19980024265A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002069653A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Anelva Corp | 薄膜形成方法、薄膜形成装置及び太陽電池 |
| GB2349506B (en) * | 1999-04-23 | 2002-04-24 | Nec Corp | Plasma processing method for a semiconductor wafer |
| JP2002538618A (ja) * | 1999-03-05 | 2002-11-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 時間変調プラズマによる種の動的制御 |
| JP2006508541A (ja) * | 2002-11-29 | 2006-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板帯電ダメージを抑制するための方法及び装置 |
| DE19911046B4 (de) * | 1999-03-12 | 2006-10-26 | Robert Bosch Gmbh | Plasmaverfahren |
| WO2009045736A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Charge neutralization in a plasma processing apparatus |
| US7682518B2 (en) | 2003-08-28 | 2010-03-23 | Applied Materials, Inc. | Process for etching a metal layer suitable for use in photomask fabrication |
| US7786019B2 (en) | 2006-12-18 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Multi-step photomask etching with chlorine for uniformity control |
| US7790334B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc. | Method for photomask plasma etching using a protected mask |
| US7811941B1 (en) | 1999-07-20 | 2010-10-12 | Robert Bosch Gmbh | Device and method for etching a substrate using an inductively coupled plasma |
| US7879510B2 (en) | 2005-01-08 | 2011-02-01 | Applied Materials, Inc. | Method for quartz photomask plasma etching |
| JP2012009544A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
| US8460508B2 (en) | 2008-11-24 | 2013-06-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Synchronous pulse plasma etching equipment and method of fabricating a semiconductor device |
| JP2018037668A (ja) * | 2011-09-07 | 2018-03-08 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | デュアルチャンバ構成のパルスプラズマチャンバ |
| JP2019163531A (ja) * | 2018-03-14 | 2019-09-26 | 住友重機械工業株式会社 | 負イオン生成装置 |
| CN111146086A (zh) * | 2018-11-05 | 2020-05-12 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法和等离子体处理装置 |
| KR20200051512A (ko) * | 2018-11-05 | 2020-05-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| JP2021527379A (ja) * | 2018-06-13 | 2021-10-11 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 基板処理システムのための直接駆動ｒｆ回路 |
| JP2022018484A (ja) * | 2020-07-15 | 2022-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2023054031A (ja) * | 2019-11-26 | 2023-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Families Citing this family (115)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165311A (en) | 1991-06-27 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| US6063233A (en) | 1991-06-27 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| TW279240B (en) | 1995-08-30 | 1996-06-21 | Applied Materials Inc | Parallel-plate icp source/rf bias electrode head |
| US6794301B2 (en) | 1995-10-13 | 2004-09-21 | Mattson Technology, Inc. | Pulsed plasma processing of semiconductor substrates |
| US6253704B1 (en) * | 1995-10-13 | 2001-07-03 | Mattson Technology, Inc. | Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate |
| JP4013271B2 (ja) * | 1997-01-16 | 2007-11-28 | 日新電機株式会社 | 物品表面処理方法及び装置 |
| JPH10270430A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
| US6372303B1 (en) * | 1997-06-16 | 2002-04-16 | Robert Bosch Gmbh | Method and device for vacuum-coating a substrate |
| WO1999046810A1 (en) * | 1998-03-12 | 1999-09-16 | Hitachi, Ltd. | Method for processing surface of sample |
| JP4351755B2 (ja) * | 1999-03-12 | 2009-10-28 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜作成方法および薄膜作成装置 |
| US6464789B1 (en) * | 1999-06-11 | 2002-10-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| WO2002023586A2 (en) * | 2000-09-13 | 2002-03-21 | Infineon Technologies North America Corp. | Apparatus for etching noble metals using ion implantation and method of use |
| US6689220B1 (en) * | 2000-11-22 | 2004-02-10 | Simplus Systems Corporation | Plasma enhanced pulsed layer deposition |
| JP4877884B2 (ja) * | 2001-01-25 | 2012-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| AU2002242025A1 (en) * | 2001-01-29 | 2002-08-12 | Olga Kachurina | Advanced composite ormosil coatings |
| DE10104613A1 (de) * | 2001-02-02 | 2002-08-22 | Bosch Gmbh Robert | Plasmaanlage und Verfahren zur Erzeugung einer Funktionsbeschichtung |
| US6777037B2 (en) * | 2001-02-21 | 2004-08-17 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing method and apparatus |
| JP2002289584A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Ebara Corp | 表面処理方法 |
| WO2003036703A1 (en) * | 2001-10-22 | 2003-05-01 | Unaxis Usa, Inc. | Process and apparatus for etching of thin, damage sensitive layers using high frequency pulsed plasma |
| US6831021B2 (en) * | 2002-06-12 | 2004-12-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma method and apparatus for processing a substrate |
| JP2004281230A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Ebara Corp | ビーム源及びビーム処理装置 |
| JP2004281232A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Ebara Corp | ビーム源及びビーム処理装置 |
| SE0302045D0 (sv) * | 2003-07-10 | 2003-07-10 | Chemfilt R & D Ab | Work piece processing by pulsed electric discharges in solid-gas plasmas |
| US20050241762A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Applied Materials, Inc. | Alternating asymmetrical plasma generation in a process chamber |
| US7431788B2 (en) * | 2005-07-19 | 2008-10-07 | Lam Research Corporation | Method of protecting a bond layer in a substrate support adapted for use in a plasma processing system |
| EP1753011B1 (de) * | 2005-08-13 | 2012-10-03 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Verfahren zur Erzeugung von Ansteuersignalen für HF-Leistungsgeneratoren |
| GB2437080B (en) * | 2006-04-11 | 2011-10-12 | Hauzer Techno Coating Bv | A vacuum treatment apparatus, a bias power supply and a method of operating a vacuum treatment apparatus |
| CN101153396B (zh) * | 2006-09-30 | 2010-06-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 等离子刻蚀方法 |
| DE102006052061B4 (de) * | 2006-11-04 | 2009-04-23 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Verfahren zur Ansteuerung von zumindest zwei HF-Leistungsgeneratoren |
| US9074285B2 (en) * | 2007-12-13 | 2015-07-07 | Lam Research Corporation | Systems for detecting unconfined-plasma events |
| TWI492671B (zh) * | 2007-12-13 | 2015-07-11 | Lam Res Corp | 電漿未限制感測器及其方法 |
| JP5295833B2 (ja) * | 2008-09-24 | 2013-09-18 | 株式会社東芝 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP5221403B2 (ja) * | 2009-01-26 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置および記憶媒体 |
| US8382999B2 (en) * | 2009-03-26 | 2013-02-26 | Applied Materials, Inc. | Pulsed plasma high aspect ratio dielectric process |
| JP5395491B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| KR101286242B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2013-07-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
| KR101214758B1 (ko) * | 2010-02-26 | 2012-12-21 | 성균관대학교산학협력단 | 식각 방법 |
| JP2011211168A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-10-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| US8692467B2 (en) | 2011-07-06 | 2014-04-08 | Lam Research Corporation | Synchronized and shortened master-slave RF pulsing in a plasma processing chamber |
| US9114666B2 (en) * | 2012-02-22 | 2015-08-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| KR102064914B1 (ko) * | 2013-03-06 | 2020-01-10 | 삼성전자주식회사 | 식각 공정 장치 및 식각 공정 방법 |
| JP2016511551A (ja) * | 2013-03-13 | 2016-04-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 銅のｕｖ支援反応性イオンエッチング |
| US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| KR101700391B1 (ko) * | 2014-11-04 | 2017-02-13 | 삼성전자주식회사 | 펄스 플라즈마의 고속 광학적 진단 시스템 |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9761459B2 (en) * | 2015-08-05 | 2017-09-12 | Lam Research Corporation | Systems and methods for reverse pulsing |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| US10340171B2 (en) | 2016-05-18 | 2019-07-02 | Lam Research Corporation | Permanent secondary erosion containment for electrostatic chuck bonds |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US9865484B1 (en) * | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| US11069553B2 (en) * | 2016-07-07 | 2021-07-20 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck with features for preventing electrical arcing and light-up and improving process uniformity |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
| US10910195B2 (en) | 2017-01-05 | 2021-02-02 | Lam Research Corporation | Substrate support with improved process uniformity |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| JP7176860B6 (ja) | 2017-05-17 | 2022-12-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| US11404245B2 (en) * | 2018-02-28 | 2022-08-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | DC bias in plasma process |
| TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| US11153960B1 (en) * | 2018-06-08 | 2021-10-19 | Innoveering, LLC | Plasma-based electro-optical sensing and methods |
| JP7175239B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法、プラズマ処理装置、プログラム及び記憶媒体 |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US12230475B2 (en) | 2018-08-14 | 2025-02-18 | Tokyo Electron Limited | Systems and methods of control for plasma processing |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| JP7068140B2 (ja) * | 2018-11-05 | 2022-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
| JP7344821B2 (ja) * | 2020-03-17 | 2023-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US11942307B2 (en) * | 2021-10-15 | 2024-03-26 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing with radio frequency (RF) source and bias signal waveforms |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4464223A (en) * | 1983-10-03 | 1984-08-07 | Tegal Corp. | Plasma reactor apparatus and method |
| FR2639363B1 (fr) * | 1988-11-23 | 1991-02-22 | Centre Nat Rech Scient | Procede et dispositif de traitement de surface par plasma, pour un substrat porte par une electrode |
| DE69017744T2 (de) * | 1989-04-27 | 1995-09-14 | Fuji Electric Co Ltd | Gerät und Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines durch Mikrowellen erzeugten Plasmas. |
| US5013578A (en) * | 1989-12-11 | 1991-05-07 | University Of California | Apparatus for coating a surface with a metal utilizing a plasma source |
| WO1991009150A1 (fr) * | 1989-12-15 | 1991-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Procede et dispositif de traitement plasmique |
| JP2941572B2 (ja) * | 1992-08-11 | 1999-08-25 | 三菱電機株式会社 | プラズマエッチング装置及び半導体装置の製造方法 |
| US5558718A (en) * | 1994-04-08 | 1996-09-24 | The Regents, University Of California | Pulsed source ion implantation apparatus and method |
| US5651865A (en) * | 1994-06-17 | 1997-07-29 | Eni | Preferential sputtering of insulators from conductive targets |
| US5779925A (en) * | 1994-10-14 | 1998-07-14 | Fujitsu Limited | Plasma processing with less damage |
| US5683538A (en) * | 1994-12-23 | 1997-11-04 | International Business Machines Corporation | Control of etch selectivity |
| US5630880A (en) * | 1996-03-07 | 1997-05-20 | Eastlund; Bernard J. | Method and apparatus for a large volume plasma processor that can utilize any feedstock material |
-
1996
- 1996-09-03 JP JP8232987A patent/JPH1079372A/ja active Pending
-
1997
- 1997-09-02 KR KR1019970045488A patent/KR19980024265A/ko not_active Ceased
- 1997-09-02 US US08/921,896 patent/US5928528A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002538618A (ja) * | 1999-03-05 | 2002-11-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 時間変調プラズマによる種の動的制御 |
| DE19911046B4 (de) * | 1999-03-12 | 2006-10-26 | Robert Bosch Gmbh | Plasmaverfahren |
| GB2349506B (en) * | 1999-04-23 | 2002-04-24 | Nec Corp | Plasma processing method for a semiconductor wafer |
| US7811941B1 (en) | 1999-07-20 | 2010-10-12 | Robert Bosch Gmbh | Device and method for etching a substrate using an inductively coupled plasma |
| JP2002069653A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Anelva Corp | 薄膜形成方法、薄膜形成装置及び太陽電池 |
| JP2006508541A (ja) * | 2002-11-29 | 2006-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板帯電ダメージを抑制するための方法及び装置 |
| JP4773096B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2011-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板帯電ダメージを抑制するための方法 |
| US7682518B2 (en) | 2003-08-28 | 2010-03-23 | Applied Materials, Inc. | Process for etching a metal layer suitable for use in photomask fabrication |
| US7879510B2 (en) | 2005-01-08 | 2011-02-01 | Applied Materials, Inc. | Method for quartz photomask plasma etching |
| US7790334B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc. | Method for photomask plasma etching using a protected mask |
| US7786019B2 (en) | 2006-12-18 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Multi-step photomask etching with chlorine for uniformity control |
| WO2009045736A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Charge neutralization in a plasma processing apparatus |
| US8460508B2 (en) | 2008-11-24 | 2013-06-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Synchronous pulse plasma etching equipment and method of fabricating a semiconductor device |
| JP2012009544A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
| JP2018037668A (ja) * | 2011-09-07 | 2018-03-08 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | デュアルチャンバ構成のパルスプラズマチャンバ |
| JP2019163531A (ja) * | 2018-03-14 | 2019-09-26 | 住友重機械工業株式会社 | 負イオン生成装置 |
| JP2021527379A (ja) * | 2018-06-13 | 2021-10-11 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 基板処理システムのための直接駆動ｒｆ回路 |
| CN111146086B (zh) * | 2018-11-05 | 2024-05-03 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法和等离子体处理装置 |
| JP2020077862A (ja) * | 2018-11-05 | 2020-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
| KR20200051512A (ko) * | 2018-11-05 | 2020-05-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| JP2024038382A (ja) * | 2018-11-05 | 2024-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| CN111146086A (zh) * | 2018-11-05 | 2020-05-12 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法和等离子体处理装置 |
| TWI850271B (zh) * | 2018-11-05 | 2024-08-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 蝕刻方法及電漿處理裝置 |
| US12087591B2 (en) | 2018-11-05 | 2024-09-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and system |
| TWI882846B (zh) * | 2018-11-05 | 2025-05-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理裝置 |
| JP2023054031A (ja) * | 2019-11-26 | 2023-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP2022018484A (ja) * | 2020-07-15 | 2022-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5928528A (en) | 1999-07-27 |
| KR19980024265A (ko) | 1998-07-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040203 |