JPH108250A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
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- JPH108250A JPH108250A JP8331185A JP33118596A JPH108250A JP H108250 A JPH108250 A JP H108250A JP 8331185 A JP8331185 A JP 8331185A JP 33118596 A JP33118596 A JP 33118596A JP H108250 A JPH108250 A JP H108250A
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- vacuum
- reaction chamber
- pumping
- chamber
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B37/00—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
- F04B37/10—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use
- F04B37/14—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use to obtain high vacuum
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B90/00—Enabling technologies or technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02B90/20—Smart grids as enabling technology in buildings sector
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y04—INFORMATION OR COMMUNICATION TECHNOLOGIES HAVING AN IMPACT ON OTHER TECHNOLOGY AREAS
- Y04S—SYSTEMS INTEGRATING TECHNOLOGIES RELATED TO POWER NETWORK OPERATION, COMMUNICATION OR INFORMATION TECHNOLOGIES FOR IMPROVING THE ELECTRICAL POWER GENERATION, TRANSMISSION, DISTRIBUTION, MANAGEMENT OR USAGE, i.e. SMART GRIDS
- Y04S20/00—Management or operation of end-user stationary applications or the last stages of power distribution; Controlling, monitoring or operating thereof
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 反応室とロードロック室の真空ポンピング部
を完全に隔離させることによって真空度を向上させるこ
とができるスパッタ装置を提供する。 【解決手段】 本発明は反応室とロードロック室を大気
の状態から低真空の状態にラフィングすることができる
真空ラフィング手段と、前記反応室を高真空にポンピン
グする手段と分離して、別途にロードロック室を高真空
の状態となるようにポンピングする第１ポンピング手段
と、前記反応室とロードロック室がウェーハの移送時毎
に同一の空間を成すことによる真空の漏れを防ぐことが
できるように高真空の状態にポンピングする第２ポンピ
ング手段と、前記これらの手段の作動により前記反応室
およびロードロック室と連通された真空ラインを開閉す
る多数のバルブとを備える。
を完全に隔離させることによって真空度を向上させるこ
とができるスパッタ装置を提供する。 【解決手段】 本発明は反応室とロードロック室を大気
の状態から低真空の状態にラフィングすることができる
真空ラフィング手段と、前記反応室を高真空にポンピン
グする手段と分離して、別途にロードロック室を高真空
の状態となるようにポンピングする第１ポンピング手段
と、前記反応室とロードロック室がウェーハの移送時毎
に同一の空間を成すことによる真空の漏れを防ぐことが
できるように高真空の状態にポンピングする第２ポンピ
ング手段と、前記これらの手段の作動により前記反応室
およびロードロック室と連通された真空ラインを開閉す
る多数のバルブとを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はスパッタ装置に関
し、より詳しくは半導体の製造工程に使用されるスパッ
タ装備の真空度を向上させることができるスパッタ装置
に関する。
し、より詳しくは半導体の製造工程に使用されるスパッ
タ装備の真空度を向上させることができるスパッタ装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体製造用のスパッタはアル
ミニウム（Ａｌ）やチタン（Ｔｉ）等の金属膜を半導体
のウェーハ上に積層して電極や配線を形成させる装備で
ある。即ち、前記スパッタは、例えばアルゴン（Ａｒ）
ガス等の不活性気体が存在する反応室内に高電圧を印加
すると、強い電場内で負（−）に帯電した金属ターゲッ
トからＡｌ等の金属原子が飛び出してウェーハ上に薄膜
として積層するものである。このとき、前記反応室の内
部の圧力は大略５×１０-7Ｔorr程度の高真空の状態を
維持していなければならない。
ミニウム（Ａｌ）やチタン（Ｔｉ）等の金属膜を半導体
のウェーハ上に積層して電極や配線を形成させる装備で
ある。即ち、前記スパッタは、例えばアルゴン（Ａｒ）
ガス等の不活性気体が存在する反応室内に高電圧を印加
すると、強い電場内で負（−）に帯電した金属ターゲッ
トからＡｌ等の金属原子が飛び出してウェーハ上に薄膜
として積層するものである。このとき、前記反応室の内
部の圧力は大略５×１０-7Ｔorr程度の高真空の状態を
維持していなければならない。
【０００３】このような高真空の状態を維持するための
従来の装置は、例えば米国バリアン（Ｖarian）社の３
１８０モデルのスパッタ装置を図２に概略的に示してい
る。図２を参照すると、従来の装置は反応室１とロード
ロック室２の内部を同一のクライオポンプ３および機械
ポンプ４の作動により高・低真空の状態を維持する。こ
のとき、前記真空の状態は多数の連通された真空ライン
に設置された多数個のバルブを通して調節される。即
ち、前記反応室１は前記機械ポンプ４の作動によりディ
ファレンシャルポンプアウトバルブ（differential Ｐu
mp Ｏut Ｖalve）Ｖ７を通じて低真空の状態を維持する
ようにラフィング（roughing）（荒引き）され、前記ク
ライオポンプ３の作動により高真空バルブＶ１を介して
スパッタリングの作業に適した高真空の状態を維持す
る。
従来の装置は、例えば米国バリアン（Ｖarian）社の３
１８０モデルのスパッタ装置を図２に概略的に示してい
る。図２を参照すると、従来の装置は反応室１とロード
ロック室２の内部を同一のクライオポンプ３および機械
ポンプ４の作動により高・低真空の状態を維持する。こ
のとき、前記真空の状態は多数の連通された真空ライン
に設置された多数個のバルブを通して調節される。即
ち、前記反応室１は前記機械ポンプ４の作動によりディ
ファレンシャルポンプアウトバルブ（differential Ｐu
mp Ｏut Ｖalve）Ｖ７を通じて低真空の状態を維持する
ようにラフィング（roughing）（荒引き）され、前記ク
ライオポンプ３の作動により高真空バルブＶ１を介して
スパッタリングの作業に適した高真空の状態を維持す
る。
【０００４】一方、前記ロードロック室２は前記反応室
１内にロード／アンロードされるウェーハ工程の予備環
境を作ってやるために、まず前記機械ポンプ４の作動に
より大気の状態から１００mm Ｔorr以下の低真空の状
態にラフィングさせるとき、ロードロックアイソレーシ
ョンバルブ（Ｌoad Ｌock Ｉsolation Ｖalve）Ｖ２お
よびロードロックラフバルブ（Ｌord Ｌock Ｒough Ｖa
lve）Ｖ３は開放される。 この後、前記ロードロック
室２を高真空の状態に維持しようとすれば、前記ロード
ロックラフバルブＶ３を閉鎖する反面、前記ロードロッ
クアイソレーションバルブＶ２およびロードロック高真
空バルブＶ４を開放して前記クライングポンプ３のポン
ピング力がはたらくようになる。
１内にロード／アンロードされるウェーハ工程の予備環
境を作ってやるために、まず前記機械ポンプ４の作動に
より大気の状態から１００mm Ｔorr以下の低真空の状
態にラフィングさせるとき、ロードロックアイソレーシ
ョンバルブ（Ｌoad Ｌock Ｉsolation Ｖalve）Ｖ２お
よびロードロックラフバルブ（Ｌord Ｌock Ｒough Ｖa
lve）Ｖ３は開放される。 この後、前記ロードロック
室２を高真空の状態に維持しようとすれば、前記ロード
ロックラフバルブＶ３を閉鎖する反面、前記ロードロッ
クアイソレーションバルブＶ２およびロードロック高真
空バルブＶ４を開放して前記クライングポンプ３のポン
ピング力がはたらくようになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ロードロック
方式によって工程が進行されるとき、ウェーハが前記反
応室１にロード／アンロードされるためには、必ず前記
ロードロック室２を経るので、前記反応室１の真空の状
態は工程が進行される程に劣化し続ける。 このように
前記反応室１の真空の状態が劣化する原因とこれに伴う
問題点を述べると、次のようである。第一に、前記反応
室１とロードロック室２が同一の前記クライオポンプ３
によって高真空の状態を維持するので、前記ロードロッ
ク室２内に存在していた相当量の空気分子が前記ロード
ロック高真空バルブＶ４の開放により同図における矢印
の方向のように前記反応室１の内部へ逆流する。これは
反応室１の真空度が悪くなるから、前記ウェーハ上に良
好な膜質を堆積させることができない結果をもたらす。
方式によって工程が進行されるとき、ウェーハが前記反
応室１にロード／アンロードされるためには、必ず前記
ロードロック室２を経るので、前記反応室１の真空の状
態は工程が進行される程に劣化し続ける。 このように
前記反応室１の真空の状態が劣化する原因とこれに伴う
問題点を述べると、次のようである。第一に、前記反応
室１とロードロック室２が同一の前記クライオポンプ３
によって高真空の状態を維持するので、前記ロードロッ
ク室２内に存在していた相当量の空気分子が前記ロード
ロック高真空バルブＶ４の開放により同図における矢印
の方向のように前記反応室１の内部へ逆流する。これは
反応室１の真空度が悪くなるから、前記ウェーハ上に良
好な膜質を堆積させることができない結果をもたらす。
【０００６】第二に、前記反応室１とロードロック室２
を前記機械ポンプ４によって低真空の状態にラフィング
させるとき、前記ディファレンシャルポンプアウトバル
ブＶ７とロードロックディファレンシャルポンプアウト
バルブＶ８を介して、同図における矢印の方向のよう
に、ポンピングされる空気が逆流してラフィング真空が
少しずつ漏れる。これはウェーハが移送されるとき毎に
反応室内の移送板（図示省略）が回転されて、前記反応
室１とロードロック室２が一つのチャンバとなるためで
ある。第一の問題点と同様に、前記反応室１の真空度に
悪影響を及ぼして金属膜質の堆積の不良を招く。したが
って、本発明は上述の諸問題点を解消するために創作さ
れたもので、その目的は反応室とロードロック室の真空
ポンピング部を完全に隔離させることによって真空度を
向上させることができるスパッタの真空ポンプ装置を提
供することである。
を前記機械ポンプ４によって低真空の状態にラフィング
させるとき、前記ディファレンシャルポンプアウトバル
ブＶ７とロードロックディファレンシャルポンプアウト
バルブＶ８を介して、同図における矢印の方向のよう
に、ポンピングされる空気が逆流してラフィング真空が
少しずつ漏れる。これはウェーハが移送されるとき毎に
反応室内の移送板（図示省略）が回転されて、前記反応
室１とロードロック室２が一つのチャンバとなるためで
ある。第一の問題点と同様に、前記反応室１の真空度に
悪影響を及ぼして金属膜質の堆積の不良を招く。したが
って、本発明は上述の諸問題点を解消するために創作さ
れたもので、その目的は反応室とロードロック室の真空
ポンピング部を完全に隔離させることによって真空度を
向上させることができるスパッタの真空ポンプ装置を提
供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明によるスパッタの真空ポンプ装置は、反
応室及びロードロック室を大気の状態から低真空の状態
にラフィングすることができる真空ラフィング手段と、
前記反応室を高真空にポンピングする手段と分離して、
別途にロードロック室を高真空の状態となるようにポン
ピングする第１ポンピング手段と、前記反応室とロード
ロック室がウェーハの移送時毎に同一の空間を成すこと
による真空の漏れを防ぐことができるように高真空の状
態にポンピングする第２ポンピング手段とを備えて成る
ことを特徴とする。
るための本発明によるスパッタの真空ポンプ装置は、反
応室及びロードロック室を大気の状態から低真空の状態
にラフィングすることができる真空ラフィング手段と、
前記反応室を高真空にポンピングする手段と分離して、
別途にロードロック室を高真空の状態となるようにポン
ピングする第１ポンピング手段と、前記反応室とロード
ロック室がウェーハの移送時毎に同一の空間を成すこと
による真空の漏れを防ぐことができるように高真空の状
態にポンピングする第２ポンピング手段とを備えて成る
ことを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面に基づいて本発
明の好ましい実施例をさらに詳細に説明する。 図１は
本発明の実施例によるスパッタ装置を、特に真空排気系
に重点を置いて概略的に示している構成図である。図１
において、スパッタ装置Ａは、概略、反応室１０と、こ
の反応室１０内にロード／アンロードされるウェーハ工
程の予備環境を形成するためのロードロック室２０と、
上記反応室１０およびロードロック室２０を排気するた
めの真空排気系１００とから構成されている。
明の好ましい実施例をさらに詳細に説明する。 図１は
本発明の実施例によるスパッタ装置を、特に真空排気系
に重点を置いて概略的に示している構成図である。図１
において、スパッタ装置Ａは、概略、反応室１０と、こ
の反応室１０内にロード／アンロードされるウェーハ工
程の予備環境を形成するためのロードロック室２０と、
上記反応室１０およびロードロック室２０を排気するた
めの真空排気系１００とから構成されている。
【０００９】前記真空排気系１００は、主として、クラ
イオポンプ３０、真空ラフィング手段４０、第１ポンピ
ング手段５０、第２ポンピング手段６０、及びこれらを
連結する複数の真空ラインとから成っている。前記クラ
イオポンプ３０は、反応室１０と一体に形成されてお
り、両者の間には、バルブＶ１が設けられている。
イオポンプ３０、真空ラフィング手段４０、第１ポンピ
ング手段５０、第２ポンピング手段６０、及びこれらを
連結する複数の真空ラインとから成っている。前記クラ
イオポンプ３０は、反応室１０と一体に形成されてお
り、両者の間には、バルブＶ１が設けられている。
【００１０】前記真空ラフィング手段４０は、ドライポ
ンプにより構成されており（以下「ドライポンプ」とい
う。）、このドライポンプ４０とロードロック室２０と
は、第１の真空ラインであるラフィングラインＬ１によ
り連結されている。ラフィングラインＬ１には、ロード
ロック室２０側からドライポンプ４０側に向かって、順
に、ラフィングラインＬ１を開閉する、ロードロックア
イソレーションバルブＶ２、ロードロックラフバルブＶ
３及びバルブＶ６が設けられている。ラフィングライン
Ｌ１のドライポンプ４０とバルブＶ６との間には、第２
の真空ラインＬ２の一端が連結されている。この第２の
真空ラインＬ２は、バルブＶ５を介して、他端側におい
てクライオポンプ３０に連結されている。
ンプにより構成されており（以下「ドライポンプ」とい
う。）、このドライポンプ４０とロードロック室２０と
は、第１の真空ラインであるラフィングラインＬ１によ
り連結されている。ラフィングラインＬ１には、ロード
ロック室２０側からドライポンプ４０側に向かって、順
に、ラフィングラインＬ１を開閉する、ロードロックア
イソレーションバルブＶ２、ロードロックラフバルブＶ
３及びバルブＶ６が設けられている。ラフィングライン
Ｌ１のドライポンプ４０とバルブＶ６との間には、第２
の真空ラインＬ２の一端が連結されている。この第２の
真空ラインＬ２は、バルブＶ５を介して、他端側におい
てクライオポンプ３０に連結されている。
【００１１】前記第１ポンピング手段５０は、第１のタ
ーボポンプ５２と第１の機械ポンプ５４とから構成され
ている。そして、第１のターボポンプ５２と第１の機械
ポンプ５４との間には、バルブＶ９が設けられている。
前記第１のターボポンプ５２と第１の機械ポンプ５４と
は、上記ロードロックアイソレーションバルブＶ２とロ
ードロックラフバルブＶ３との間において、ラフィング
ラインＬ１から分岐された第３の真空ラインＬ３によ
り、ラフィングラインＬ１に連結されている。この第３
の真空ラインＬ３には、第１のターボポンプ５２と上記
分岐点との間において、ロードロック高真空バルブＶ４
が設けられている。
ーボポンプ５２と第１の機械ポンプ５４とから構成され
ている。そして、第１のターボポンプ５２と第１の機械
ポンプ５４との間には、バルブＶ９が設けられている。
前記第１のターボポンプ５２と第１の機械ポンプ５４と
は、上記ロードロックアイソレーションバルブＶ２とロ
ードロックラフバルブＶ３との間において、ラフィング
ラインＬ１から分岐された第３の真空ラインＬ３によ
り、ラフィングラインＬ１に連結されている。この第３
の真空ラインＬ３には、第１のターボポンプ５２と上記
分岐点との間において、ロードロック高真空バルブＶ４
が設けられている。
【００１２】前記第２ポンピング手段６０は、第２のタ
ーボポンプ６２と第２の機械ポンプ６４とから構成され
ている。そして、第２のターボポンプ６２と第２の機械
ポンプ６４との間には、バルブＶ１０が設けられてい
る。第２のターボポンプ６２は、第１のディファレンシ
ャルラインである第４の真空ラインＬ４により、ディフ
ァレンシャルポンプアウトバルブＶ７を介して反応室１
０に連結されている。一方、この第２のポンピング手段
６０は、反応室１０とディファレンシャルポンプアウト
バルブＶ７との間において、第１のディファレンシャル
ラインＬ４から分岐された第２のディファレンシャルラ
インＬ５により、ロードロック室２０に連結されてい
る。上記分岐点とロードロック室２０との間には、ロー
ドロックディファレンシャルポンプアウトバルブＶ８が
設けられている。
ーボポンプ６２と第２の機械ポンプ６４とから構成され
ている。そして、第２のターボポンプ６２と第２の機械
ポンプ６４との間には、バルブＶ１０が設けられてい
る。第２のターボポンプ６２は、第１のディファレンシ
ャルラインである第４の真空ラインＬ４により、ディフ
ァレンシャルポンプアウトバルブＶ７を介して反応室１
０に連結されている。一方、この第２のポンピング手段
６０は、反応室１０とディファレンシャルポンプアウト
バルブＶ７との間において、第１のディファレンシャル
ラインＬ４から分岐された第２のディファレンシャルラ
インＬ５により、ロードロック室２０に連結されてい
る。上記分岐点とロードロック室２０との間には、ロー
ドロックディファレンシャルポンプアウトバルブＶ８が
設けられている。
【００１３】より具体的に見ると、前記反応室１０はク
ライオポンプ３０の作動により高真空バルブＶ１を開放
して５×１０-7Ｔorr程度の高真空の状態を維持する。
反面、前記ロードロック室２０は、別途の第３の真空ラ
インＬ３上に第１ポンピング手段５０を付設し、前記第
１ポンピング手段５０の作動させることによりロードロ
ックラフバルブＶ３を閉鎖させるとともに、ロードロッ
クアイソレーションバルブＶ２およびロードロック高真
空バルブＶ４を開放することによって高真空の状態を維
持することができる。
ライオポンプ３０の作動により高真空バルブＶ１を開放
して５×１０-7Ｔorr程度の高真空の状態を維持する。
反面、前記ロードロック室２０は、別途の第３の真空ラ
インＬ３上に第１ポンピング手段５０を付設し、前記第
１ポンピング手段５０の作動させることによりロードロ
ックラフバルブＶ３を閉鎖させるとともに、ロードロッ
クアイソレーションバルブＶ２およびロードロック高真
空バルブＶ４を開放することによって高真空の状態を維
持することができる。
【００１４】勿論、前記ロードロック室２０を大気圧の
状態から大略１０-3Ｔorr程度の低真空の状態を維持す
るラフィング時には、前記ロードロック高真空バルブＶ
４を閉鎖させる反面、前記ロードロックアイソレーショ
ンバルブＶ２およびロードロックラフバルブＶ３は開放
してドライポンプ４０を作動させるとよい。その上に、
前記反応室１０に連結された第１のディファレンシャル
ラインＬ４およびロードロック室２０に連結された第２
のディファレンシャルラインＬ５には、第２ポンピング
手段６０が別途に設置されている。第１のディファレン
シャルラインＬ４および第２のディファレンシャルライ
ンＬ５には、それぞれディファレンシャルポンプアウト
バルブＶ７およびロードロックディファレンシャルポン
プアウトバルブＶ８が具備されている。
状態から大略１０-3Ｔorr程度の低真空の状態を維持す
るラフィング時には、前記ロードロック高真空バルブＶ
４を閉鎖させる反面、前記ロードロックアイソレーショ
ンバルブＶ２およびロードロックラフバルブＶ３は開放
してドライポンプ４０を作動させるとよい。その上に、
前記反応室１０に連結された第１のディファレンシャル
ラインＬ４およびロードロック室２０に連結された第２
のディファレンシャルラインＬ５には、第２ポンピング
手段６０が別途に設置されている。第１のディファレン
シャルラインＬ４および第２のディファレンシャルライ
ンＬ５には、それぞれディファレンシャルポンプアウト
バルブＶ７およびロードロックディファレンシャルポン
プアウトバルブＶ８が具備されている。
【００１５】このように本発明の装置は、前記反応室１
０とロードロック室２０のポンピング部を完全に隔離さ
せることによって、従来のようにクライオポンプ３０を
通して反応室１０内に空気の分子が逆流することを防止
しうる。また、第１のディファレンシャルラインＬ４及
び第２のディファレンシャルラインＬ５と、ラフィング
ラインＬ１とを分離させることによって、前記第２ポン
ピング手段６０を作動させた時に、すでに述べたよう
に、ウェーハが移動されるとき前記反応室１０とロード
ロック室２０が一つのチャンバを成すようになることに
よる、わずかなラフィング真空の漏れを防げる。
０とロードロック室２０のポンピング部を完全に隔離さ
せることによって、従来のようにクライオポンプ３０を
通して反応室１０内に空気の分子が逆流することを防止
しうる。また、第１のディファレンシャルラインＬ４及
び第２のディファレンシャルラインＬ５と、ラフィング
ラインＬ１とを分離させることによって、前記第２ポン
ピング手段６０を作動させた時に、すでに述べたよう
に、ウェーハが移動されるとき前記反応室１０とロード
ロック室２０が一つのチャンバを成すようになることに
よる、わずかなラフィング真空の漏れを防げる。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によると、反
応室とロードロック室のポンピング部を完全に隔離させ
ることによって、従来のようにクライオポンプを通して
反応室内に空気の分子が逆流することを防止しうる。ま
た、第１のディファレンシャルライン及び第２のディフ
ァレンシャルラインと、ラフィングラインとを分離させ
ることによって、第２ポンピング手段を作動させるとと
もに、ウェーハを移動させる場合に、反応室とロードロ
ック室とが、同一チャンバとなることによる、わずかな
ラフィング真空の漏れを防げる。従って、スパッタリン
グの工程に必要な真空度をさらに向上させることができ
るので製造の歩留りの向上に多大に寄与する。
応室とロードロック室のポンピング部を完全に隔離させ
ることによって、従来のようにクライオポンプを通して
反応室内に空気の分子が逆流することを防止しうる。ま
た、第１のディファレンシャルライン及び第２のディフ
ァレンシャルラインと、ラフィングラインとを分離させ
ることによって、第２ポンピング手段を作動させるとと
もに、ウェーハを移動させる場合に、反応室とロードロ
ック室とが、同一チャンバとなることによる、わずかな
ラフィング真空の漏れを防げる。従って、スパッタリン
グの工程に必要な真空度をさらに向上させることができ
るので製造の歩留りの向上に多大に寄与する。
【図１】本発明の実施例によるスパッタ装置を概略的に
示している構成図である。
示している構成図である。
【図２】従来の実施例によるスパッタ装置を概略的に示
している構成図である。
している構成図である。
１０ 反応室 ２０ ロードロック室 ３０ クライオポンプ ４０ 真空ラフィング手段（ドライポンプ） ５０ 第１ポンピング手段 ５２ 第１のターボポンプ ５４ 第１の機械ポンプ ６０ 第２ポンピング手段 ６２ 第２のターボポンプ ６４ 第２の機械ポンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 反応室とロードロック室を大気の状態か
ら低真空の状態にラフィングすることができる真空ラフ
ィング手段と、 前記反応室を高真空にポンピングする手段と分離して、
別途に前記ロードロック室を高真空の状態となるように
ポンピングする第１ポンピング手段と、 前記反応室とロードロック室がウェーハの移送時毎に同
一の空間を成すことによる真空の漏れを防ぐことができ
るように前記反応室と前記ロードロック室とを高真空の
状態にポンピングする第２ポンピング手段とを備えて成
ることを特徴とするスパッタ装置。 - 【請求項２】 前記第１、第２ポンピング手段はそれぞ
れ前記反応室に真空が逆流することを防ぐことができる
ように高真空にポンピングするターボポンプおよび機械
ポンプを含んでいることを特徴とする請求項１記載のス
パッタ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR199620843 | 1996-06-11 | ||
| KR1019960020843A KR100200492B1 (ko) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 스퍼터의 진공 펌핑 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH108250A true JPH108250A (ja) | 1998-01-13 |
Family
ID=19461477
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP8331185A Pending JPH108250A (ja) | 1996-06-11 | 1996-12-11 | スパッタ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH108250A (ja) |
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| TW (1) | TW556955U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007177310A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Showa Shinku:Kk | スパッタリング装置および方法 |
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|---|---|---|---|---|
| KR20250140782A (ko) | 2024-03-19 | 2025-09-26 | 주식회사 탑맥 | 롤투롤 스퍼터링 장치 |
-
1996
- 1996-06-11 KR KR1019960020843A patent/KR100200492B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-30 TW TW090200950U patent/TW556955U/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-12-11 JP JP8331185A patent/JPH108250A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007177310A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Showa Shinku:Kk | スパッタリング装置および方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR980005356A (ko) | 1998-03-30 |
| KR100200492B1 (ko) | 1999-06-15 |
| TW556955U (en) | 2003-10-01 |
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