JPH1083070A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
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- JPH1083070A JPH1083070A JP23665296A JP23665296A JPH1083070A JP H1083070 A JPH1083070 A JP H1083070A JP 23665296 A JP23665296 A JP 23665296A JP 23665296 A JP23665296 A JP 23665296A JP H1083070 A JPH1083070 A JP H1083070A
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- Japan
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- photomask
- pellicle frame
- pattern
- film
- pellicle
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトマスクに関し、ペリクルフレームの接
着によるフォトマスクのたわみを低減することを目的と
する。 【解決手段】 ペリクル膜を支持するペリクルフレーム
が接着されたフォトマスクであって、フォトマスク面上
でペリクルフレームの接着面を含む領域に金属膜が形成
され、該ペリクルフレームは該金属膜を介してフォトマ
スクに接着されるように構成する。
着によるフォトマスクのたわみを低減することを目的と
する。 【解決手段】 ペリクル膜を支持するペリクルフレーム
が接着されたフォトマスクであって、フォトマスク面上
でペリクルフレームの接着面を含む領域に金属膜が形成
され、該ペリクルフレームは該金属膜を介してフォトマ
スクに接着されるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はペリクル膜を支持す
るペリクルフレームが接着されたフォトマスクに関す
る。
るペリクルフレームが接着されたフォトマスクに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】フォトマスクはガラス基板上にCr等の遮
光膜でパターンを形成したものから成っており、フォト
マスクを通して紫外線を照射することにより半導体ウェ
ーハ上のレジスト膜にパターンを転写する。そのため、
フォトマスクに塵埃等の異物が付着していた場合、この
異物がレジスト膜に転写されてパターン欠陥となる。従
って、半導体製造工程ではフォトマスクに異物が付着し
ないよう厳重な管理を行う必要があるが、近年における
半導体ウェーハの大口径化はこのような管理を困難なも
のにしている。さらに、パターンの微細化の進展により
従来は無視できたサブミクロンオーダーの微小なサイズ
の異物までもパターン欠陥を生じさせるようになり、従
来の管理法ではパターン欠陥を有効に防ぐことが難しく
なっている。そこで、最近はペリクル膜を用いてフォト
マスク面を常時保護する方法が用いられるようになっ
た。
光膜でパターンを形成したものから成っており、フォト
マスクを通して紫外線を照射することにより半導体ウェ
ーハ上のレジスト膜にパターンを転写する。そのため、
フォトマスクに塵埃等の異物が付着していた場合、この
異物がレジスト膜に転写されてパターン欠陥となる。従
って、半導体製造工程ではフォトマスクに異物が付着し
ないよう厳重な管理を行う必要があるが、近年における
半導体ウェーハの大口径化はこのような管理を困難なも
のにしている。さらに、パターンの微細化の進展により
従来は無視できたサブミクロンオーダーの微小なサイズ
の異物までもパターン欠陥を生じさせるようになり、従
来の管理法ではパターン欠陥を有効に防ぐことが難しく
なっている。そこで、最近はペリクル膜を用いてフォト
マスク面を常時保護する方法が用いられるようになっ
た。
【０００３】図２はペリクル膜を装着したフォトマスク
を示したものであり、同図(a) は平面図、同図(b) はＡ
Ａ′断面図である。ペリクル膜２はニトロセルロース等
の有機薄膜から成っており、これをアルミニウム等の金
属からなるペリクルフレーム３に貼り付ける。フォトマ
スク１の中央部分には、図中点線で示したように、Cr膜
で形成されたパターン群から成るパターン領域５が配置
されており、ペリクルフレーム３はフォトマスク１の面
上でパターン領域５を囲むように接着材を用いて接着さ
れる。これによってパターン領域５がペリクル膜２で保
護されることになる。ペリクル膜２とパターン領域５と
の間隔はペリクルフレーム３によって一定の値に保持さ
れているため、ペリクル膜２に異物が付着した場合にも
紫外線照射の際に焦点がずれて半導体ウェーハ上には転
写されないことになる。通常、ペリクル膜２を支持する
ペリクルフレーム３は、フォトマスク１の面上でパター
ン領域５が形成されている面と反対側の面の同じ位置に
も接着される。これによりフォトマスク１のいずれの面
に異物が付着した場合にもパターン欠陥の発生を防ぐこ
とができる。
を示したものであり、同図(a) は平面図、同図(b) はＡ
Ａ′断面図である。ペリクル膜２はニトロセルロース等
の有機薄膜から成っており、これをアルミニウム等の金
属からなるペリクルフレーム３に貼り付ける。フォトマ
スク１の中央部分には、図中点線で示したように、Cr膜
で形成されたパターン群から成るパターン領域５が配置
されており、ペリクルフレーム３はフォトマスク１の面
上でパターン領域５を囲むように接着材を用いて接着さ
れる。これによってパターン領域５がペリクル膜２で保
護されることになる。ペリクル膜２とパターン領域５と
の間隔はペリクルフレーム３によって一定の値に保持さ
れているため、ペリクル膜２に異物が付着した場合にも
紫外線照射の際に焦点がずれて半導体ウェーハ上には転
写されないことになる。通常、ペリクル膜２を支持する
ペリクルフレーム３は、フォトマスク１の面上でパター
ン領域５が形成されている面と反対側の面の同じ位置に
も接着される。これによりフォトマスク１のいずれの面
に異物が付着した場合にもパターン欠陥の発生を防ぐこ
とができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のようにペリクル
膜によりフォトマスクのパターン領域を保護する方法は
パターン欠陥を低減する上で有効なため広く用いられて
いるが、一方、ペリクル膜を装着することにより以下述
べるような問題が生じる。
膜によりフォトマスクのパターン領域を保護する方法は
パターン欠陥を低減する上で有効なため広く用いられて
いるが、一方、ペリクル膜を装着することにより以下述
べるような問題が生じる。
【０００５】従来はペリクル膜を支持するペリクルフレ
ームを直接フォトマスクに接着していたが、これにより
ペリクルフレームからフォトマスクに大きな応力が加わ
ることになりフォトマスクにはたわみが生じる。たわみ
の生じたフォトマスクを用いて半導体ウェーハ上のレジ
スト膜にパターンを転写した場合、次に述べるようにパ
ターン配置精度が低下し半導体デバイスの性能や製造歩
留りに大きな影響を与える。
ームを直接フォトマスクに接着していたが、これにより
ペリクルフレームからフォトマスクに大きな応力が加わ
ることになりフォトマスクにはたわみが生じる。たわみ
の生じたフォトマスクを用いて半導体ウェーハ上のレジ
スト膜にパターンを転写した場合、次に述べるようにパ
ターン配置精度が低下し半導体デバイスの性能や製造歩
留りに大きな影響を与える。
【０００６】図３はフォトマスクのたわみによってパタ
ーン配置位置に生じるずれを説明する図であり、平坦な
フォトマスクと下に凸にたわんだフォトマスクに同一パ
ターンが配置されている場合を示している。同図に見ら
れるように、フォトマスク１の中心位置に配置されてい
るパターン６の配置位置はたわみの有無によって殆ど変
化が生じないが、フォトマスク１の中心からはずれた位
置に配置されているパターン７はフォトマスクのたわみ
によって配置位置がずれることになる。同図に示したパ
ターン配置位置のずれ量δはフォトマスクのたわみ量と
フォトマスク１の中心位置からパターン７までの距離に
比例する。従って、フォトマスクの面積が大きくかつた
わみ量が大きいほどパターン配置位置のずれは大きくな
る。
ーン配置位置に生じるずれを説明する図であり、平坦な
フォトマスクと下に凸にたわんだフォトマスクに同一パ
ターンが配置されている場合を示している。同図に見ら
れるように、フォトマスク１の中心位置に配置されてい
るパターン６の配置位置はたわみの有無によって殆ど変
化が生じないが、フォトマスク１の中心からはずれた位
置に配置されているパターン７はフォトマスクのたわみ
によって配置位置がずれることになる。同図に示したパ
ターン配置位置のずれ量δはフォトマスクのたわみ量と
フォトマスク１の中心位置からパターン７までの距離に
比例する。従って、フォトマスクの面積が大きくかつた
わみ量が大きいほどパターン配置位置のずれは大きくな
る。
【０００７】一般に、半導体製造工程では種々のパター
ンを有する複数のフォトマスクのパターンを重ね合わせ
て転写し半導体ウェーハ上に目的とするデバイスパター
ンを形成するが、たわみ量の異なるフォトマスクを用い
てパターン転写を行った場合、上述のようにパターンの
配置位置にずれが生じて重ね合わせ精度が低下しデバイ
スの不良をもたらすことになる。そのため、フォトマス
クの使用に際してはたわみ量の検査を行い所定値以下の
たわみ量のフォトマスクのみを使用するようにしている
が、フォトマスクにペリクルフレームを接着した状態で
は検査を行うことが困難なため従来は接着する前に検査
を行っていた。しかし、前述のようにペリクルフレーム
を接着することによってフォトマスクには新たなたわみ
が生じるため、実際にペリクルフレームを接着したフォ
トマスクを用いてパターン転写を行ったときにパターン
の重ね合わせ精度が予想した以上に低下するという問題
があった。
ンを有する複数のフォトマスクのパターンを重ね合わせ
て転写し半導体ウェーハ上に目的とするデバイスパター
ンを形成するが、たわみ量の異なるフォトマスクを用い
てパターン転写を行った場合、上述のようにパターンの
配置位置にずれが生じて重ね合わせ精度が低下しデバイ
スの不良をもたらすことになる。そのため、フォトマス
クの使用に際してはたわみ量の検査を行い所定値以下の
たわみ量のフォトマスクのみを使用するようにしている
が、フォトマスクにペリクルフレームを接着した状態で
は検査を行うことが困難なため従来は接着する前に検査
を行っていた。しかし、前述のようにペリクルフレーム
を接着することによってフォトマスクには新たなたわみ
が生じるため、実際にペリクルフレームを接着したフォ
トマスクを用いてパターン転写を行ったときにパターン
の重ね合わせ精度が予想した以上に低下するという問題
があった。
【０００８】また、ペリクルフレームはパターン領域の
外側に接着されるが、ネガ型レジスト膜にパターンを転
写するために用いられるネガタイプのフォトマスクでは
パターン領域の外側でガラス面が露出しているのに対し
て、ポジ型レジスト膜にパターンを転写するために用い
られるポジタイプのフォトマスクではパターン領域の外
側にもパターン形成用のCr膜が残されている。そのた
め、ペリクルフレームはフォトマスクのタイプに応じて
ガラス面あるいはCr膜面のいずれかに接着されることと
なる。
外側に接着されるが、ネガ型レジスト膜にパターンを転
写するために用いられるネガタイプのフォトマスクでは
パターン領域の外側でガラス面が露出しているのに対し
て、ポジ型レジスト膜にパターンを転写するために用い
られるポジタイプのフォトマスクではパターン領域の外
側にもパターン形成用のCr膜が残されている。そのた
め、ペリクルフレームはフォトマスクのタイプに応じて
ガラス面あるいはCr膜面のいずれかに接着されることと
なる。
【０００９】一般にペリクルフレームのフォトマスクに
対する接着力が強すぎると剥離するのに大きな力が必要
となってフォトマスクに傷をつける恐れがあり、また、
接着力が弱すぎると使用中に剥離する恐れがある。従っ
て、所定強度の接着力が得られるように接着材の種類や
使用量等の接着条件を決める必要があるが、上述のよう
にフォトマスクのタイプによって接着面がガラス面ある
いはCr膜面と異なるためそれに応じて接着条件も異なる
こととなりペリクルフレームの接着作業が面倒になると
いう問題があった。
対する接着力が強すぎると剥離するのに大きな力が必要
となってフォトマスクに傷をつける恐れがあり、また、
接着力が弱すぎると使用中に剥離する恐れがある。従っ
て、所定強度の接着力が得られるように接着材の種類や
使用量等の接着条件を決める必要があるが、上述のよう
にフォトマスクのタイプによって接着面がガラス面ある
いはCr膜面と異なるためそれに応じて接着条件も異なる
こととなりペリクルフレームの接着作業が面倒になると
いう問題があった。
【００１０】また、フォトマスクをパターン転写に用い
る場合には、図４に示したように、ペリクルフレーム３
が接着されたフォトマスク１をフォトマスクステージ８
に固定するが、フォトマスク１面上でペリクルフレーム
３の接着位置にずれがあった場合には上記固定作業の際
にペリクルフレーム３がフォトマスクステージ８に接触
し易くなり、その結果、ペリクルフレーム３がフォトマ
スク１から剥離したり、あるいはフォトマスク１面に傷
をつける等の恐れがあった。このような問題を避けるた
め、通常は、ペリクルフレーム３をフォトマスク１の中
心に対し対称な位置に配置して接着し、さらに、接着後
にはフォトマスク１面上でのペリクルフレーム３の配置
位置の検査を行うようにしている。しかし、従来は、フ
ォトマスク１面上にペリクルフレーム３を接着する位置
を示す目印となるものが設けられていなかったため接着
位置にずれが生じる恐れがあり、かつ配置位置のずれの
検査も正確には行い得ないという問題があった。
る場合には、図４に示したように、ペリクルフレーム３
が接着されたフォトマスク１をフォトマスクステージ８
に固定するが、フォトマスク１面上でペリクルフレーム
３の接着位置にずれがあった場合には上記固定作業の際
にペリクルフレーム３がフォトマスクステージ８に接触
し易くなり、その結果、ペリクルフレーム３がフォトマ
スク１から剥離したり、あるいはフォトマスク１面に傷
をつける等の恐れがあった。このような問題を避けるた
め、通常は、ペリクルフレーム３をフォトマスク１の中
心に対し対称な位置に配置して接着し、さらに、接着後
にはフォトマスク１面上でのペリクルフレーム３の配置
位置の検査を行うようにしている。しかし、従来は、フ
ォトマスク１面上にペリクルフレーム３を接着する位置
を示す目印となるものが設けられていなかったため接着
位置にずれが生じる恐れがあり、かつ配置位置のずれの
検査も正確には行い得ないという問題があった。
【００１１】そこで、本発明はペリクルフレームによる
フォトマスクのたわみを低減するとともに、ペリクルフ
レームをフォトマスク上の所定位置に正確に配置可能と
することを目的とする。
フォトマスクのたわみを低減するとともに、ペリクルフ
レームをフォトマスク上の所定位置に正確に配置可能と
することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、ペリ
クル膜を支持するペリクルフレームが接着されたフォト
マスクであって、フォトマスク面上でペリクルフレーム
の接着面を含む領域に金属膜が形成され、該ペリクルフ
レームは該金属膜を介してフォトマスクに接着されてい
ることを特徴とするフォトマスク、あるいは、該金属膜
に目盛りが設けられていることを特徴とする上記フォト
マスクによって達成される。
クル膜を支持するペリクルフレームが接着されたフォト
マスクであって、フォトマスク面上でペリクルフレーム
の接着面を含む領域に金属膜が形成され、該ペリクルフ
レームは該金属膜を介してフォトマスクに接着されてい
ることを特徴とするフォトマスク、あるいは、該金属膜
に目盛りが設けられていることを特徴とする上記フォト
マスクによって達成される。
【００１３】ペリクルフレームをフォトマスクのガラス
面に接着したときペリクルフレームからフォトマスクに
引張応力が作用し、これによってフォトマスクにたわみ
が生じる。本発明者はフォトマスクのガラス面に金属膜
を形成したとき上記引張応力とは逆の圧縮応力が働くこ
とを見いだした。そこで、フォトマスク面上でペリクル
フレームの接着面を含む領域にあらかじめ金属膜を形成
しておき、ペリクルフレームをこの金属膜を介してフォ
トマスクに接着すれば、ペリクルフレームと金属膜から
フォトマスクに作用する応力が相殺されてフォトマスク
のたわみが低減される。
面に接着したときペリクルフレームからフォトマスクに
引張応力が作用し、これによってフォトマスクにたわみ
が生じる。本発明者はフォトマスクのガラス面に金属膜
を形成したとき上記引張応力とは逆の圧縮応力が働くこ
とを見いだした。そこで、フォトマスク面上でペリクル
フレームの接着面を含む領域にあらかじめ金属膜を形成
しておき、ペリクルフレームをこの金属膜を介してフォ
トマスクに接着すれば、ペリクルフレームと金属膜から
フォトマスクに作用する応力が相殺されてフォトマスク
のたわみが低減される。
【００１４】また、ペリクルフレームを金属膜を介して
フォトマスクに接着することによりフォトマスクのタイ
プにかかわらず常に同じ接着条件を用いることができる
ので接着作業が容易となる。
フォトマスクに接着することによりフォトマスクのタイ
プにかかわらず常に同じ接着条件を用いることができる
ので接着作業が容易となる。
【００１５】また、上記金属膜に目盛りを設けることに
よりフォトマスクに対するペリクルフレームの接着位置
を容易かつ正確に決めることができるのでフォトマスク
ステージへのフォトマスク固定作業が容易になる。
よりフォトマスクに対するペリクルフレームの接着位置
を容易かつ正確に決めることができるのでフォトマスク
ステージへのフォトマスク固定作業が容易になる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施例を示す断面
図であり、ネガ型レジスト用のフォトマスク１を用いた
場合を示している。フォトマスク１は 127×127mm 角の
ガラス基板の中央部に凡そ90×90mm角のパターン領域５
を配置したものから成っており、パターン領域５の外側
にはガラス面が露出している。ペリクル膜２はニトロセ
ルロースから成る透明薄膜であり、このペリクル膜２を
支持するペリクルフレーム３は幅２mm、高さ2mm のアル
ミニウム製の枠状部材から成っている。そして、フォト
マスク１の面上でペリクルフレーム３の接着面を含む領
域に電子ビーム蒸着法によりメタルマスクを通してCrを
選択蒸着することにより膜厚3000Å、幅10mmの帯状の金
属膜４を形成する。そして、図１中の拡大図に示したよ
うに、金属膜４には、例えば0.5 mm刻みで目盛りを形成
し、この目盛りを基準にしてペリクルフレーム３をフォ
トマスク１面に配置し接着材を用いて接着する。
図であり、ネガ型レジスト用のフォトマスク１を用いた
場合を示している。フォトマスク１は 127×127mm 角の
ガラス基板の中央部に凡そ90×90mm角のパターン領域５
を配置したものから成っており、パターン領域５の外側
にはガラス面が露出している。ペリクル膜２はニトロセ
ルロースから成る透明薄膜であり、このペリクル膜２を
支持するペリクルフレーム３は幅２mm、高さ2mm のアル
ミニウム製の枠状部材から成っている。そして、フォト
マスク１の面上でペリクルフレーム３の接着面を含む領
域に電子ビーム蒸着法によりメタルマスクを通してCrを
選択蒸着することにより膜厚3000Å、幅10mmの帯状の金
属膜４を形成する。そして、図１中の拡大図に示したよ
うに、金属膜４には、例えば0.5 mm刻みで目盛りを形成
し、この目盛りを基準にしてペリクルフレーム３をフォ
トマスク１面に配置し接着材を用いて接着する。
【００１７】以上のように金属膜４を介してペリクルフ
レーム３をフォトマスク１に接着することにより、従来
平均10μm 程度あったフォトマスク１のたわみは５μm
にまで減少させることができた。
レーム３をフォトマスク１に接着することにより、従来
平均10μm 程度あったフォトマスク１のたわみは５μm
にまで減少させることができた。
【００１８】また、フォトマスク１面でのペリクルフレ
ームの接着位置のずれは上記目盛りを利用して容易かつ
正確に確認することが可能となり、そのため、フォトマ
スクをフォトマスクステージに固定する際にペリクルフ
レームがフォトマスクステージに接触して剥離する等の
問題がなくなった。
ームの接着位置のずれは上記目盛りを利用して容易かつ
正確に確認することが可能となり、そのため、フォトマ
スクをフォトマスクステージに固定する際にペリクルフ
レームがフォトマスクステージに接触して剥離する等の
問題がなくなった。
【００１９】上記実施例で用いたネガ型レジスト用のフ
ォトマスクではパターン領域の外側にガラス面が露出し
ているためフォトマスクの両面に金属膜４を形成した
が、ポジ型レジスト用フォトマスクを用いた場合にはパ
ターン領域の外側にCr膜が形成されているため、金属膜
はパターン領域と反対側の面にのみ形成すればよい。
ォトマスクではパターン領域の外側にガラス面が露出し
ているためフォトマスクの両面に金属膜４を形成した
が、ポジ型レジスト用フォトマスクを用いた場合にはパ
ターン領域の外側にCr膜が形成されているため、金属膜
はパターン領域と反対側の面にのみ形成すればよい。
【００２０】また、本実施例では金属膜４の膜厚及び幅
を3000Å、10mmとしたが、これらの値はたわみ量が小さ
くなるように実験的に決めることができ、上記以外の値
を用いることもできる。
を3000Å、10mmとしたが、これらの値はたわみ量が小さ
くなるように実験的に決めることができ、上記以外の値
を用いることもできる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ペリクル
膜を保持したペルクルフレームをフォトマスクに接着し
たときに生じるフォトマスクのたわみを低減することが
できるので、パターンの重ね合わせ精度を向上させるこ
とが可能となり、また、ペリクルフレームのフォトマス
ク上での配置位置を容易且つ正確に決めることができる
のでフォトマスクの取り扱いが従来に比べて容易とな
り、半導体デバイスの製造歩留りを向上させる上で有益
である。
膜を保持したペルクルフレームをフォトマスクに接着し
たときに生じるフォトマスクのたわみを低減することが
できるので、パターンの重ね合わせ精度を向上させるこ
とが可能となり、また、ペリクルフレームのフォトマス
ク上での配置位置を容易且つ正確に決めることができる
のでフォトマスクの取り扱いが従来に比べて容易とな
り、半導体デバイスの製造歩留りを向上させる上で有益
である。
【図１】 本発明の実施例を示す断面図
【図２】 従来のフォトマスクを示す図
【図３】 従来のフォトマスクの問題点を説明する図
（その１）
（その１）
【図４】 従来のフォトマスクの問題点を説明する図
（その２）
（その２）
１ フォトマスク ６、７ パターン ２ ペリクル膜 ８ フォトマスク
ステージ ３ ペリクルフレーム ９ 半導体ウェー
ハ ４ 金属膜 10 ウェーハステ
ージ ５ パターン領域
ステージ ３ ペリクルフレーム ９ 半導体ウェー
ハ ４ 金属膜 10 ウェーハステ
ージ ５ パターン領域
Claims (2)
- 【請求項１】 ペリクル膜を支持するペリクルフレーム
が接着されたフォトマスクであって、 フォトマスク面上でペリクルフレームの接着面を含む領
域に金属膜が形成され、該ペリクルフレームは該金属膜
を介してフォトマスクに接着されていることを特徴とす
るフォトマスク。 - 【請求項２】 該金属膜に目盛りが設けられていること
を特徴とする請求項１記載のフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23665296A JPH1083070A (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23665296A JPH1083070A (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1083070A true JPH1083070A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=17003792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23665296A Withdrawn JPH1083070A (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1083070A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300019B1 (en) | 1999-10-13 | 2001-10-09 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Pellicle |
| JP2007310175A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Hoya Corp | フォトマスク |
| JP2009025562A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルフレーム |
| JP2010261987A (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスク |
-
1996
- 1996-09-06 JP JP23665296A patent/JPH1083070A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300019B1 (en) | 1999-10-13 | 2001-10-09 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Pellicle |
| JP2007310175A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Hoya Corp | フォトマスク |
| US8067132B2 (en) | 2006-05-18 | 2011-11-29 | Hoya Corporation | Photomask and exposure method |
| KR101169827B1 (ko) * | 2006-05-18 | 2012-07-30 | 파나소닉 주식회사 | 포토마스크 및 노광 방법 |
| JP2009025562A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルフレーム |
| JP2010261987A (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスク |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031202 |