JPH1083984A - Ｉｔｏのパターニング方法 - Google Patents
Ｉｔｏのパターニング方法Info
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- JPH1083984A JPH1083984A JP8236092A JP23609296A JPH1083984A JP H1083984 A JPH1083984 A JP H1083984A JP 8236092 A JP8236092 A JP 8236092A JP 23609296 A JP23609296 A JP 23609296A JP H1083984 A JPH1083984 A JP H1083984A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リワーク処理を必要とせず、パターニング精
度の高いＩＴＯのパターニング方法を提供する。 【解決手段】 基板上にＩＴＯを成膜し、その上にレジ
ストを塗布し、フォトリソグラフィ法によってレジスト
をパターニングした後、前記ＩＴＯをエッチングする前
に、前記基板を不活性ガスを含むガスを用いてプラズマ
処理することによって、前記薄膜の構造欠陥を引き起こ
し、エッチングによるパターン精度を向上させる。
度の高いＩＴＯのパターニング方法を提供する。 【解決手段】 基板上にＩＴＯを成膜し、その上にレジ
ストを塗布し、フォトリソグラフィ法によってレジスト
をパターニングした後、前記ＩＴＯをエッチングする前
に、前記基板を不活性ガスを含むガスを用いてプラズマ
処理することによって、前記薄膜の構造欠陥を引き起こ
し、エッチングによるパターン精度を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程において形成されるＩＴＯのパターニング方法に関
するものであり、特にエッチングの前処理に関するもの
である。
工程において形成されるＩＴＯのパターニング方法に関
するものであり、特にエッチングの前処理に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置等で代表される半導
体装置においては、透明導電膜や半導体やメタル等の薄
膜を多数形成することによって、画素電極やスイッチン
グ素子、回路等を構成している。前記透明導電膜として
は、一般的にＩＴＯが広く用いられている。従来の半導
体装置におけるＩＴＯのパターニング方法について、図
３、図４を用いて説明する。
体装置においては、透明導電膜や半導体やメタル等の薄
膜を多数形成することによって、画素電極やスイッチン
グ素子、回路等を構成している。前記透明導電膜として
は、一般的にＩＴＯが広く用いられている。従来の半導
体装置におけるＩＴＯのパターニング方法について、図
３、図４を用いて説明する。
【０００３】図３は従来のＩＴＯのパターニング方法を
示すプロセス図である。まず、図３（ａ）に示されるよ
うに、基板１上にＩＴＯ２をスパッタ法等により成膜す
る。続いて、図３（ｂ）に示されるように、該ＩＴＯ２
の上にエッチングレジスト層となるレジスト３をスピン
コート法等によって塗布する。この後、図３（ｃ）に示
されるように、該レジスト３をフォトリソグラフィ法に
よってパターニングする。このとき、一般的にはレジス
ト３の残りカスであるレジストスカム４ａが残ってしま
う。
示すプロセス図である。まず、図３（ａ）に示されるよ
うに、基板１上にＩＴＯ２をスパッタ法等により成膜す
る。続いて、図３（ｂ）に示されるように、該ＩＴＯ２
の上にエッチングレジスト層となるレジスト３をスピン
コート法等によって塗布する。この後、図３（ｃ）に示
されるように、該レジスト３をフォトリソグラフィ法に
よってパターニングする。このとき、一般的にはレジス
ト３の残りカスであるレジストスカム４ａが残ってしま
う。
【０００４】次に、図３（ｄ）に示されるように、前記
ＩＴＯ２及びレジスト３が形成された基板１を酸素プラ
ズマに晒し、アッシング処理を行うことによって前記レ
ジストスカム４ａを除去する。このとき、前記レジスト
スカム４ａは完全には除去できず、レジストスカム４ｂ
が残ってしまう。
ＩＴＯ２及びレジスト３が形成された基板１を酸素プラ
ズマに晒し、アッシング処理を行うことによって前記レ
ジストスカム４ａを除去する。このとき、前記レジスト
スカム４ａは完全には除去できず、レジストスカム４ｂ
が残ってしまう。
【０００５】次に、図３（ｅ）に示されるように、Ｆｅ
Ｃｌ3 を含む溶液にて前記ＩＴＯ２をエッチングし、薬
液処理によって前記レジスト３を除去する。このとき、
前記アッシング処理で除去できなかったレジストスカム
４ｂのために、ＩＴＯ２の残渣が生じる。
Ｃｌ3 を含む溶液にて前記ＩＴＯ２をエッチングし、薬
液処理によって前記レジスト３を除去する。このとき、
前記アッシング処理で除去できなかったレジストスカム
４ｂのために、ＩＴＯ２の残渣が生じる。
【０００６】次に、図３（ｆ）に示されるように、再び
レジスト３をフォトリソグラフィ法によってパターニン
グする。
レジスト３をフォトリソグラフィ法によってパターニン
グする。
【０００７】最後に、図３（ｇ）に示されるように、Ｆ
ｅＣｌ3 を含む溶液にて前記ＩＴＯ２の残渣をエッチン
グ処理し、薬液処理によって前記レジスト３を除去す
る。
ｅＣｌ3 を含む溶液にて前記ＩＴＯ２の残渣をエッチン
グ処理し、薬液処理によって前記レジスト３を除去す
る。
【０００８】このように、ＩＴＯ２をパターニングする
際に、前記レジストスカム４ａ，４ｂの影響によるＩＴ
Ｏ２の残渣を無くす為に、ＩＴＯ２のエッチング前に行
うアッシング処理と、エッチングを２回繰り返すリワー
ク処理と、を行っていた。
際に、前記レジストスカム４ａ，４ｂの影響によるＩＴ
Ｏ２の残渣を無くす為に、ＩＴＯ２のエッチング前に行
うアッシング処理と、エッチングを２回繰り返すリワー
ク処理と、を行っていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、基板上にス
パッタ法等によってＩＴＯ２を成膜した場合、放電の分
布やプロセスガスの流れ方、ターゲットと基板との位置
関係、スキャン方法等、様々な要因によって、例えば基
板の中央部と周辺部においてエッチングレートに差がで
きてしまうという問題点を有していた。
パッタ法等によってＩＴＯ２を成膜した場合、放電の分
布やプロセスガスの流れ方、ターゲットと基板との位置
関係、スキャン方法等、様々な要因によって、例えば基
板の中央部と周辺部においてエッチングレートに差がで
きてしまうという問題点を有していた。
【００１０】したがって、レジストスカム４ｂを完全に
除去し、精度の高いパターニングを実現させるためにリ
ワーク処理を行う場合、基板の中央部と周辺部における
エッチングレートの差によってＩＴＯのパターンにバラ
ツキが生じてしまうという問題点を有していた。特に、
近年では液晶表示装置の大型化が進んでいるが、基板サ
イズが大きくなるにしたがって前記問題点は顕著に表れ
るようになってきている。
除去し、精度の高いパターニングを実現させるためにリ
ワーク処理を行う場合、基板の中央部と周辺部における
エッチングレートの差によってＩＴＯのパターンにバラ
ツキが生じてしまうという問題点を有していた。特に、
近年では液晶表示装置の大型化が進んでいるが、基板サ
イズが大きくなるにしたがって前記問題点は顕著に表れ
るようになってきている。
【００１１】また、エッチングを２回繰り返すリワーク
処理を行う必要があったため、工程数が多くなるという
問題点があった。
処理を行う必要があったため、工程数が多くなるという
問題点があった。
【００１２】さらに、例えばＩＴＯをパターニングする
前に、先にＩＴＯの上に金属を形成し、該金属を先にド
ライエッチング等によってパターニングする場合がある
が、このときＩＴＯ上の金属の反応生成物がＩＴＯの上
に付着することがあり、このままＩＴＯをパターニング
した場合、該反応生成物によってＩＴＯの残渣が生じて
しまうという問題点があった。これについて、図４を用
いて説明する。
前に、先にＩＴＯの上に金属を形成し、該金属を先にド
ライエッチング等によってパターニングする場合がある
が、このときＩＴＯ上の金属の反応生成物がＩＴＯの上
に付着することがあり、このままＩＴＯをパターニング
した場合、該反応生成物によってＩＴＯの残渣が生じて
しまうという問題点があった。これについて、図４を用
いて説明する。
【００１３】図４（ａ）は、基板１上にＩＴＯ２と金属
５とを連続して成膜し、該金属５の上にレジスト３を塗
布し、フォトリソグラフィによって前記レジスト３をパ
ターニングした図である。
５とを連続して成膜し、該金属５の上にレジスト３を塗
布し、フォトリソグラフィによって前記レジスト３をパ
ターニングした図である。
【００１４】この後、図４（ｂ）に示すように、前記金
属をドライエッチングする。このとき、金属５の反応生
成物７が金属５及びＩＴＯ２の表面に多数付着する。
属をドライエッチングする。このとき、金属５の反応生
成物７が金属５及びＩＴＯ２の表面に多数付着する。
【００１５】前記反応生成物７は、とくに前記金属５が
Ｔａである場合には、先述したアッシング処理及びリワ
ーク処理では除去することができず、図４（ｃ）に示す
ようにレジストを剥離した後でも残ってしまうものであ
る。
Ｔａである場合には、先述したアッシング処理及びリワ
ーク処理では除去することができず、図４（ｃ）に示す
ようにレジストを剥離した後でも残ってしまうものであ
る。
【００１６】前記Ｔａ系の反応生成物７を除去するため
には、フッ酸系のエッチャントを用いてウェットエッチ
ングすることが考えられるが、下層にＩＴＯが存在して
いる場合においては、ＩＴＯの膜下までフッ酸が浸透し
てしまうので、ＩＴＯの更に下層に半導体層等の膜が存
在する場合においては、該下層の膜がダメージを受けて
しまうという問題点があった。
には、フッ酸系のエッチャントを用いてウェットエッチ
ングすることが考えられるが、下層にＩＴＯが存在して
いる場合においては、ＩＴＯの膜下までフッ酸が浸透し
てしまうので、ＩＴＯの更に下層に半導体層等の膜が存
在する場合においては、該下層の膜がダメージを受けて
しまうという問題点があった。
【００１７】本発明は、上述した問題点に鑑みてなされ
たものであり、エッチングのリワーク処理を行うことな
く、高精細なＩＴＯのパターニングを可能とするＩＴＯ
のパターニング方法を提供するものである。
たものであり、エッチングのリワーク処理を行うことな
く、高精細なＩＴＯのパターニングを可能とするＩＴＯ
のパターニング方法を提供するものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
ＩＴＯのパターニング方法は、基板表面にＩＴＯを形成
する工程と、該ＩＴＯより上層にレジストを形成する工
程と、該レジストをパターニングし、パターニングされ
たレジストをマスクとして前記ＩＴＯをエッチングする
工程と、を有するＩＴＯのパターニング方法において、
前記ＩＴＯおよびパターニングされたレジストに対し
て、エッチング工程の前に不活性ガスを含むガスを用い
てプラズマ処理を行うことを特徴とするものである。
ＩＴＯのパターニング方法は、基板表面にＩＴＯを形成
する工程と、該ＩＴＯより上層にレジストを形成する工
程と、該レジストをパターニングし、パターニングされ
たレジストをマスクとして前記ＩＴＯをエッチングする
工程と、を有するＩＴＯのパターニング方法において、
前記ＩＴＯおよびパターニングされたレジストに対し
て、エッチング工程の前に不活性ガスを含むガスを用い
てプラズマ処理を行うことを特徴とするものである。
【００１９】本発明の請求項２記載のＩＴＯのパターニ
ング方法は、請求項１記載のＩＴＯのパターニング方法
において、前記不活性ガスがＡｒガスであることを特徴
とするものである。
ング方法は、請求項１記載のＩＴＯのパターニング方法
において、前記不活性ガスがＡｒガスであることを特徴
とするものである。
【００２０】本発明の請求項３記載のＩＴＯのパターニ
ング方法は、請求項１、２記載のＩＴＯのパターニング
方法において、前記不活性ガスを有するガスを用いたプ
ラズマ処理に続いて、酸素ガスを含むガスを用いてプラ
ズマ処理を行うことを特徴とするものである。
ング方法は、請求項１、２記載のＩＴＯのパターニング
方法において、前記不活性ガスを有するガスを用いたプ
ラズマ処理に続いて、酸素ガスを含むガスを用いてプラ
ズマ処理を行うことを特徴とするものである。
【００２１】本発明の請求項４記載のＩＴＯのパターニ
ング方法は、請求項３記載のＩＴＯのパターニング方法
において、前記不活性ガスを有するガスを用いたプラズ
マ処理、および前記酸素ガスを含むガスを用いたプラズ
マ処理を同一処理室内で行うことを特徴とするものであ
る。
ング方法は、請求項３記載のＩＴＯのパターニング方法
において、前記不活性ガスを有するガスを用いたプラズ
マ処理、および前記酸素ガスを含むガスを用いたプラズ
マ処理を同一処理室内で行うことを特徴とするものであ
る。
【００２２】本発明の請求項５記載のＩＴＯのパターニ
ング方法は、請求項１乃至４記載のＩＴＯのパターニン
グ方法において、前記ＩＴＯのエッチングをドライエッ
チングにより行い、前記不活性ガスを有するガスを用い
たプラズマ処理、および前記ドライエッチング処理を同
一処理室内で行うことを特徴とするものである。
ング方法は、請求項１乃至４記載のＩＴＯのパターニン
グ方法において、前記ＩＴＯのエッチングをドライエッ
チングにより行い、前記不活性ガスを有するガスを用い
たプラズマ処理、および前記ドライエッチング処理を同
一処理室内で行うことを特徴とするものである。
【００２３】以下、上記構成による作用について説明す
る。
る。
【００２４】本発明のＩＴＯのパターニング方法におい
ては、基板表面にＩＴＯを形成する工程と、該ＩＴＯよ
り上層にレジストを形成する工程と、該レジストをパタ
ーニングし、パターニングされたレジストをマスクとし
て前記ＩＴＯをエッチングする工程と、を有するＩＴＯ
のパターニング方法において、前記ＩＴＯおよびパター
ニングされたレジストに対して、エッチング工程の前に
不活性ガスを含むガスを用いてプラズマ処理を行うこと
によって、ＩＴＯの構造欠陥を引き起こすことが可能と
なり、エッチングレートを基板全面に対して均一とさせ
ることができるとともに、レジストスカムや反応生成物
を除去することができる。
ては、基板表面にＩＴＯを形成する工程と、該ＩＴＯよ
り上層にレジストを形成する工程と、該レジストをパタ
ーニングし、パターニングされたレジストをマスクとし
て前記ＩＴＯをエッチングする工程と、を有するＩＴＯ
のパターニング方法において、前記ＩＴＯおよびパター
ニングされたレジストに対して、エッチング工程の前に
不活性ガスを含むガスを用いてプラズマ処理を行うこと
によって、ＩＴＯの構造欠陥を引き起こすことが可能と
なり、エッチングレートを基板全面に対して均一とさせ
ることができるとともに、レジストスカムや反応生成物
を除去することができる。
【００２５】また、前記不活性ガスを有するガスを用い
たプラズマ処理に続いて、酸素ガスを含むガスを用いて
プラズマ処理を行うことによって、前記不活性ガスを有
するガスを用いたプラズマ処理によって灰化してしまっ
たレジストの表面を除去することができる。
たプラズマ処理に続いて、酸素ガスを含むガスを用いて
プラズマ処理を行うことによって、前記不活性ガスを有
するガスを用いたプラズマ処理によって灰化してしまっ
たレジストの表面を除去することができる。
【００２６】また、前記不活性ガスを有するガスを用い
たプラズマ処理、および前記酸素ガスを含むガスを用い
たプラズマ処理を同一処理室内で行うことにより、工程
を簡略化することができる。
たプラズマ処理、および前記酸素ガスを含むガスを用い
たプラズマ処理を同一処理室内で行うことにより、工程
を簡略化することができる。
【００２７】また、前記ＩＴＯのエッチングをドライエ
ッチングにより行い、前記不活性ガスを有するガスを用
いたプラズマ処理、および前記ドライエッチング処理を
同一処理室内で行うことにより、工程を更に簡略化する
ことができる。
ッチングにより行い、前記不活性ガスを有するガスを用
いたプラズマ処理、および前記ドライエッチング処理を
同一処理室内で行うことにより、工程を更に簡略化する
ことができる。
【００２８】
（実施の形態１）本発明の第１の実施の形態について、
図１、図２を用いて説明する。
図１、図２を用いて説明する。
【００２９】まず、図１（ａ）に示されるように、基板
１上にＩＴＯ２をスパッタ法等により成膜する。続い
て、図１（ｂ）に示されるように、該ＩＴＯ２の上にエ
ッチングレジスト層となるレジスト３をスピンコート法
等によって塗布する。この後、図１（ｃ）に示されるよ
うに、該レジスト３をフォトリソグラフィ法によってパ
ターニングする。このとき、一般的にはレジスト３の残
りカスであるレジストスカム４ａが残ってしまう。
１上にＩＴＯ２をスパッタ法等により成膜する。続い
て、図１（ｂ）に示されるように、該ＩＴＯ２の上にエ
ッチングレジスト層となるレジスト３をスピンコート法
等によって塗布する。この後、図１（ｃ）に示されるよ
うに、該レジスト３をフォトリソグラフィ法によってパ
ターニングする。このとき、一般的にはレジスト３の残
りカスであるレジストスカム４ａが残ってしまう。
【００３０】次に、図１（ｄ）に示されるように、前記
ＩＴＯ２及びレジスト３が形成された基板１を、リアク
ティブイオンエッチング装置等のプラズマエッチング装
置を用いて、Ａｒ等の不活性ガスを５０％以上有するプ
ラズマに晒す。即ち、ＩＴＯ２及びレジスト３が形成さ
れた基板１にバイアス電圧を印加させてＡｒイオンを基
板１の表面に入射させる。本実施の形態においては、Ａ
ｒプラズマの条件として、Ａｒガスを３００ｓｃｃｍ、
ガス圧を１００ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーを１８００Ｗ、
電極ギャップを７０ｍｍ、電極温度６０℃と設定した。
ＩＴＯ２及びレジスト３が形成された基板１を、リアク
ティブイオンエッチング装置等のプラズマエッチング装
置を用いて、Ａｒ等の不活性ガスを５０％以上有するプ
ラズマに晒す。即ち、ＩＴＯ２及びレジスト３が形成さ
れた基板１にバイアス電圧を印加させてＡｒイオンを基
板１の表面に入射させる。本実施の形態においては、Ａ
ｒプラズマの条件として、Ａｒガスを３００ｓｃｃｍ、
ガス圧を１００ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーを１８００Ｗ、
電極ギャップを７０ｍｍ、電極温度６０℃と設定した。
【００３１】次に、図１（ｅ）に示されるように、前工
程のＡｒプラズマ処理により灰化されてしまったレジス
ト３の表面層を除去するために、前記ＩＴＯ２及びレジ
スト３が形成されている基板１を酸素プラズマに晒す。
このとき、前記Ａｒプラズマ処理と前記酸素プラズマ処
理とを同一処理室内で行うことによって、工程を簡略化
することが可能となる。なお、Ａｒプラズマ処理によっ
て灰化されてしまったレジスト３の表面層は、後に前記
レジスト３を除去する際に用いられる現像液や、Ａｒプ
ラズマの条件によっては灰化されたままでも除去可能と
なる場合があるので、前記酸素プラズマ処理は必要に応
じて行うようにすればよい。
程のＡｒプラズマ処理により灰化されてしまったレジス
ト３の表面層を除去するために、前記ＩＴＯ２及びレジ
スト３が形成されている基板１を酸素プラズマに晒す。
このとき、前記Ａｒプラズマ処理と前記酸素プラズマ処
理とを同一処理室内で行うことによって、工程を簡略化
することが可能となる。なお、Ａｒプラズマ処理によっ
て灰化されてしまったレジスト３の表面層は、後に前記
レジスト３を除去する際に用いられる現像液や、Ａｒプ
ラズマの条件によっては灰化されたままでも除去可能と
なる場合があるので、前記酸素プラズマ処理は必要に応
じて行うようにすればよい。
【００３２】最後に、図１（ｆ）に示されるように、Ｆ
ｅＣｌ3 を含む溶液にて前記ＩＴＯ２をウェットエッチ
ングし、その後薬液処理によって前記レジスト３を除去
する。
ｅＣｌ3 を含む溶液にて前記ＩＴＯ２をウェットエッチ
ングし、その後薬液処理によって前記レジスト３を除去
する。
【００３３】なお、必要に応じて前記Ａｒプラズマ処理
を行う前に、ＵＶ照射やオゾンバクロ処理を前記ＩＴＯ
２に対して行ってもよい。
を行う前に、ＵＶ照射やオゾンバクロ処理を前記ＩＴＯ
２に対して行ってもよい。
【００３４】このように、本実施の形態においては、前
記基板１をＡｒプラズマに晒す工程を含めることによっ
て、ＩＴＯ２中に含まれるＩｎを表面に析出あるいは解
離し、該ＩＴＯ２の構造欠陥を引き起こすことができ
る。このことについて、図２を用いて説明する。
記基板１をＡｒプラズマに晒す工程を含めることによっ
て、ＩＴＯ２中に含まれるＩｎを表面に析出あるいは解
離し、該ＩＴＯ２の構造欠陥を引き起こすことができ
る。このことについて、図２を用いて説明する。
【００３５】図２（ａ）は、前記ＩＴＯ２及びレジスト
３が形成された基板１を上記条件のＡｒプラズマに晒し
た時のプラズマ発生ピークの解析結果を示す図であり、
横軸は波長を、縦軸は発光強度を電圧に変換した時の電
圧値をそれぞれ示している。図２（ａ）においては、Ｉ
ｎの発光ピークである４５１ｎｍの箇所でピークが発生
しているのが分かる。また、図２（ｂ）は、一切膜が形
成されていないガラス基板を、上記条件のＡｒプラズマ
に晒した時のプラズマ発生ピークの解析結果を示す図で
ある。図２（ｂ）においては、Ｉｎの発光ピークである
４５１ｎｍの箇所ではピークが発生していない。
３が形成された基板１を上記条件のＡｒプラズマに晒し
た時のプラズマ発生ピークの解析結果を示す図であり、
横軸は波長を、縦軸は発光強度を電圧に変換した時の電
圧値をそれぞれ示している。図２（ａ）においては、Ｉ
ｎの発光ピークである４５１ｎｍの箇所でピークが発生
しているのが分かる。また、図２（ｂ）は、一切膜が形
成されていないガラス基板を、上記条件のＡｒプラズマ
に晒した時のプラズマ発生ピークの解析結果を示す図で
ある。図２（ｂ）においては、Ｉｎの発光ピークである
４５１ｎｍの箇所ではピークが発生していない。
【００３６】即ち、Ａｒプラズマ中に前記ＩＴＯ２及び
レジスト３が形成された基板１を晒すことにより、ＩＴ
Ｏ２に含まれるＩｎを表面に析出あるいは解離させるこ
とができる。
レジスト３が形成された基板１を晒すことにより、ＩＴ
Ｏ２に含まれるＩｎを表面に析出あるいは解離させるこ
とができる。
【００３７】このように、ＩＴＯ２に含まれるＩｎを表
面に析出あるいは解離させることによって、該ＩＴＯ２
の構造欠陥が引き起こされ、後のエッチング処理時にお
いて前記基板１に形成されたＩＴＯ２が基板全面でエッ
チングがされやすくなるので、大型基板に対してもエッ
チングレートの差がなくなり、パターン精度を向上させ
ることができる。
面に析出あるいは解離させることによって、該ＩＴＯ２
の構造欠陥が引き起こされ、後のエッチング処理時にお
いて前記基板１に形成されたＩＴＯ２が基板全面でエッ
チングがされやすくなるので、大型基板に対してもエッ
チングレートの差がなくなり、パターン精度を向上させ
ることができる。
【００３８】さらに、ＩＴＯ２及びレジスト３が形成さ
れた基板１をＡｒ等の不活性ガスを有するプラズマに晒
すことによって、レジストスカム４ａが除去される。ま
た、ＩＴＯ２の上層にメタルが形成され、ＩＴＯ２より
先に該メタルがドライエッチングされた場合に反応生成
物５が発生し、基板１の表面に付着した場合であって
も、前記反応生成物５も前記レジストスカム４ａととも
に除去される。したがって、リワーク処理が不要となる
ので工程数を削減することが可能となる。
れた基板１をＡｒ等の不活性ガスを有するプラズマに晒
すことによって、レジストスカム４ａが除去される。ま
た、ＩＴＯ２の上層にメタルが形成され、ＩＴＯ２より
先に該メタルがドライエッチングされた場合に反応生成
物５が発生し、基板１の表面に付着した場合であって
も、前記反応生成物５も前記レジストスカム４ａととも
に除去される。したがって、リワーク処理が不要となる
ので工程数を削減することが可能となる。
【００３９】（実施の形態２）本発明の第２の実施の形
態について以下に説明する。本発明の第２の実施の形態
は、図１における（ａ）〜（ｅ）までの工程は前記第１
の実施の形態と同様であり、図１における（ｆ）の工程
が第１の実施の形態と異なる。
態について以下に説明する。本発明の第２の実施の形態
は、図１における（ａ）〜（ｅ）までの工程は前記第１
の実施の形態と同様であり、図１における（ｆ）の工程
が第１の実施の形態と異なる。
【００４０】本発明の第２の実施例においては、図１に
おける（ｆ）で示されるエッチングをドライエッチング
によって行うものであり、例えばＨＩ、ＢＣｌ3 、Ｃｌ
2 、ＨＣｌ、ＣＨ4 の何れかを５０％以上含むガス、あ
るいはこれらの混合ガスを５０％以上含むガスを用いて
行うことが可能である。
おける（ｆ）で示されるエッチングをドライエッチング
によって行うものであり、例えばＨＩ、ＢＣｌ3 、Ｃｌ
2 、ＨＣｌ、ＣＨ4 の何れかを５０％以上含むガス、あ
るいはこれらの混合ガスを５０％以上含むガスを用いて
行うことが可能である。
【００４１】このように、本実施の形態においては、Ｉ
ＴＯのエッチングをドライエッチングによって行うこと
により、図１（ｄ）に示されるＡｒプラズマ処理、図１
（ｅ）に示される酸素プラズマ処理、及び前記ドライエ
ッチング処理を全て同一処理室内で行うことが可能とな
るので、前記第１の実施の形態に比べて更に工程数を簡
略化することが可能となる。
ＴＯのエッチングをドライエッチングによって行うこと
により、図１（ｄ）に示されるＡｒプラズマ処理、図１
（ｅ）に示される酸素プラズマ処理、及び前記ドライエ
ッチング処理を全て同一処理室内で行うことが可能とな
るので、前記第１の実施の形態に比べて更に工程数を簡
略化することが可能となる。
【００４２】なお、上記２つの実施の形態においては、
不活性ガスとしてＡｒガスを用いているが、他にもＮ2
ガスやＨ2 ガス等を用いても良い。
不活性ガスとしてＡｒガスを用いているが、他にもＮ2
ガスやＨ2 ガス等を用いても良い。
【００４３】また、本発明のＩＴＯのパターニング方法
においては、図１に示されているようにＩＴＯ２が基板
１上に直接形成されている必要は無く、基板１とＩＴＯ
２との間に半導体層や絶縁膜などの下層膜が形成されて
いても良い。
においては、図１に示されているようにＩＴＯ２が基板
１上に直接形成されている必要は無く、基板１とＩＴＯ
２との間に半導体層や絶縁膜などの下層膜が形成されて
いても良い。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＩＴＯの
パターニング方法においては、基板表面にＩＴＯを形成
する工程と、該ＩＴＯより上層にレジストを形成する工
程と、該レジストをパターニングし、パターニングされ
たレジストをマスクとして前記ＩＴＯをエッチングする
工程と、を有するＩＴＯのパターニング方法において、
前記ＩＴＯおよびパターニングされたレジストに対し
て、エッチング工程の前に不活性ガスを含むガスを用い
てプラズマ処理を行うことによって、ＩＴＯの構造欠陥
を引き起こすことが可能となり、エッチングレートを基
板全面に対して均一とさせることができるとともに、Ｉ
ＴＯの表面に付着するレジストスカムや反応生成物を除
去することができる。
パターニング方法においては、基板表面にＩＴＯを形成
する工程と、該ＩＴＯより上層にレジストを形成する工
程と、該レジストをパターニングし、パターニングされ
たレジストをマスクとして前記ＩＴＯをエッチングする
工程と、を有するＩＴＯのパターニング方法において、
前記ＩＴＯおよびパターニングされたレジストに対し
て、エッチング工程の前に不活性ガスを含むガスを用い
てプラズマ処理を行うことによって、ＩＴＯの構造欠陥
を引き起こすことが可能となり、エッチングレートを基
板全面に対して均一とさせることができるとともに、Ｉ
ＴＯの表面に付着するレジストスカムや反応生成物を除
去することができる。
【００４５】したがって、ＩＴＯのパターン精度を向上
させることができるとともに、リワーク処理が不要とな
るため工程数を削減してスループットを向上させること
ができるという効果を奏する。
させることができるとともに、リワーク処理が不要とな
るため工程数を削減してスループットを向上させること
ができるという効果を奏する。
【００４６】また、前記不活性ガスを有するガスを用い
たプラズマ処理に続いて、酸素ガスを含むガスを用いて
プラズマ処理を行うことによって、前記不活性ガスを有
するガスを用いたプラズマ処理によって灰化してしまっ
たレジストの表面を除去することができるという効果を
奏する。
たプラズマ処理に続いて、酸素ガスを含むガスを用いて
プラズマ処理を行うことによって、前記不活性ガスを有
するガスを用いたプラズマ処理によって灰化してしまっ
たレジストの表面を除去することができるという効果を
奏する。
【００４７】また、前記不活性ガスを有するガスを用い
たプラズマ処理、および前記酸素ガスを含むガスを用い
たプラズマ処理を同一処理室内で行うことにより、工程
を簡略化することができるという効果を奏する。
たプラズマ処理、および前記酸素ガスを含むガスを用い
たプラズマ処理を同一処理室内で行うことにより、工程
を簡略化することができるという効果を奏する。
【００４８】また、前記ＩＴＯのエッチングをドライエ
ッチングにより行うことにより、前記不活性ガスを有す
るガスを用いたプラズマ処理、および前記ドライエッチ
ング処理を同一処理室内で行うことが可能となり、工程
を更に簡略化することができるという効果を奏する。
ッチングにより行うことにより、前記不活性ガスを有す
るガスを用いたプラズマ処理、および前記ドライエッチ
ング処理を同一処理室内で行うことが可能となり、工程
を更に簡略化することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明におけるＩＴＯのパターニング方法を示
すプロセス図である。
すプロセス図である。
【図２】ＩＴＯが形成された基板及びＩＴＯが形成され
ていない基板をＡｒプラズマに晒したときの発光ピーク
を示す図である。
ていない基板をＡｒプラズマに晒したときの発光ピーク
を示す図である。
【図３】従来のＩＴＯのパターニング方法を示すプロセ
ス図である。
ス図である。
【図４】Ｔａの反応生成物が発生する様子を示すプロセ
ス図である。
ス図である。
１ 基板 ２ ＩＴＯ ３ レジスト ４ レジストスカム ５ 金属 ７ 反応生成物
Claims (5)
- 【請求項１】 基板表面にＩＴＯを形成する工程と、該
ＩＴＯより上層にレジストを形成する工程と、該レジス
トをパターニングし、パターニングされたレジストをマ
スクとして前記ＩＴＯをエッチングする工程と、を有す
るＩＴＯのパターニング方法において、 前記ＩＴＯおよびパターニングされたレジストに対し
て、エッチング工程の前に不活性ガスを含むガスを用い
てプラズマ処理を行うことを特徴とするＩＴＯのパター
ニング方法。 - 【請求項２】 前記不活性ガスはＡｒガスであることを
特徴とする請求項１記載のＩＴＯのパターニング方法。 - 【請求項３】 前記不活性ガスを有するガスを用いたプ
ラズマ処理に続いて、酸素ガスを含むガスを用いてプラ
ズマ処理を行うことを特徴とする請求項１、２記載のＩ
ＴＯのパターニング方法。 - 【請求項４】 前記不活性ガスを有するガスを用いたプ
ラズマ処理、および前記酸素ガスを含むガスを用いたプ
ラズマ処理を同一処理室内で行うことを特徴とする請求
項３記載のＩＴＯのパターニング方法。 - 【請求項５】 前記ＩＴＯのエッチングをドライエッチ
ングにより行い、前記不活性ガスを有するガスを用いた
プラズマ処理、および前記ドライエッチング処理を同一
処理室内で行うことを特徴とする請求項１乃至４記載の
ＩＴＯのパターニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23609296A JP3304263B2 (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | Ｉｔｏのパターニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23609296A JP3304263B2 (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | Ｉｔｏのパターニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1083984A true JPH1083984A (ja) | 1998-03-31 |
| JP3304263B2 JP3304263B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=16995614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23609296A Expired - Fee Related JP3304263B2 (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | Ｉｔｏのパターニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3304263B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008078549A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | パターニング方法 |
| WO2020145080A1 (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 酸化物半導体膜のエッチング方法 |
-
1996
- 1996-09-06 JP JP23609296A patent/JP3304263B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008078549A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | パターニング方法 |
| WO2020145080A1 (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 酸化物半導体膜のエッチング方法 |
| JPWO2020145080A1 (ja) * | 2019-01-11 | 2021-11-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 酸化物半導体膜のエッチング方法 |
| US12062548B2 (en) | 2019-01-11 | 2024-08-13 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Etching method for oxide semiconductor film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3304263B2 (ja) | 2002-07-22 |
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