JPH1092829A - バンプの形成方法並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
バンプの形成方法並びに半導体装置の製造方法Info
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- JPH1092829A JPH1092829A JP8245957A JP24595796A JPH1092829A JP H1092829 A JPH1092829 A JP H1092829A JP 8245957 A JP8245957 A JP 8245957A JP 24595796 A JP24595796 A JP 24595796A JP H1092829 A JPH1092829 A JP H1092829A
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
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- H10W72/01204—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps using temporary auxiliary members, e.g. using sacrificial coatings or handle substrates
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明はダイシングされた半導体チップ上にハ
ンダバンプが形成された半導体装置において、高さと組
成が高精度に制御されたハンダバンプを容易に形成する
形成方法を提供することを目的とする。 【解決手段】ハンダと濡れない材料からなる基板の表面
に凹部を形成し、この基板と表面が平坦な基板とをとも
に溶融ハンダ槽内に浸漬する。次にこれらの基板を密着
し、凹部内に溶融ハンダを封入する。次にこの基板を溶
融ハンダ槽から取り出し凹部内に存在するハンダを半導
体チップの電極に転写し供給する。
ンダバンプが形成された半導体装置において、高さと組
成が高精度に制御されたハンダバンプを容易に形成する
形成方法を提供することを目的とする。 【解決手段】ハンダと濡れない材料からなる基板の表面
に凹部を形成し、この基板と表面が平坦な基板とをとも
に溶融ハンダ槽内に浸漬する。次にこれらの基板を密着
し、凹部内に溶融ハンダを封入する。次にこの基板を溶
融ハンダ槽から取り出し凹部内に存在するハンダを半導
体チップの電極に転写し供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はバンプの形成方法並
びに半導体装置の製造方法に関する。
びに半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの能動素子形成面と回路基
板とを対向配置させ、それぞれをバンプ電極で接続する
フリップ実装技術が知られている。このフリップ実装技
術は、半導体チップを高密度に実装し、かつ多数の入出
力電極を有する半導体チップに対しても実装外形が大型
化することがない。従ってこのフリップ実装技術は、携
帯端末やコンピュータの小型化に期待されている。
板とを対向配置させ、それぞれをバンプ電極で接続する
フリップ実装技術が知られている。このフリップ実装技
術は、半導体チップを高密度に実装し、かつ多数の入出
力電極を有する半導体チップに対しても実装外形が大型
化することがない。従ってこのフリップ実装技術は、携
帯端末やコンピュータの小型化に期待されている。
【０００３】このフリップチップ実装は、半導体チップ
の電極上にハンダバンプを形成する必要が有る。従来の
ハンダバンプを形成する方法は、半導体をチップに切り
出す前の段階のウェハー状態で、この半導体ウェハー上
に一括して、ハンダを真空蒸着や電解メッキして形成す
る方法が一般的であった。しかしながら市販されている
半導体チップは品質保証のため、あらかじめダイシング
によりチップに分割され、良品チップだけを販売してい
る。従ってウェハー状態のまま入手するのは事実上不可
能であるため、半導体チップ上にバンプを形成する方法
が要求される。
の電極上にハンダバンプを形成する必要が有る。従来の
ハンダバンプを形成する方法は、半導体をチップに切り
出す前の段階のウェハー状態で、この半導体ウェハー上
に一括して、ハンダを真空蒸着や電解メッキして形成す
る方法が一般的であった。しかしながら市販されている
半導体チップは品質保証のため、あらかじめダイシング
によりチップに分割され、良品チップだけを販売してい
る。従ってウェハー状態のまま入手するのは事実上不可
能であるため、半導体チップ上にバンプを形成する方法
が要求される。
【０００４】そこで個々の半導体チップの電極上にバン
プを直接形成する方法としてはワイヤーボンディングに
より金バンプを形成する方法がある。しかしながらこの
方法は、ボンディング時に高い圧力（０．３Ｎ／バンプ
以上）が加えられるために半導体素子の破壊や特性変動
を生じ易いという問題がある。
プを直接形成する方法としてはワイヤーボンディングに
より金バンプを形成する方法がある。しかしながらこの
方法は、ボンディング時に高い圧力（０．３Ｎ／バンプ
以上）が加えられるために半導体素子の破壊や特性変動
を生じ易いという問題がある。
【０００５】また、ソルダーインジェクション法（”プ
リント回路学会第８回学術講演大会講演論文集pp149-15
0 ”）によりハンダバンプを形成する方法も提案されて
いる。この方法ではハンダ量の制御が困難であることか
らハンダバンプの高さのばらつきが大きいという問題が
ある。
リント回路学会第８回学術講演大会講演論文集pp149-15
0 ”）によりハンダバンプを形成する方法も提案されて
いる。この方法ではハンダ量の制御が困難であることか
らハンダバンプの高さのばらつきが大きいという問題が
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
ハンダバンプを半導体チップ上に形成する方法では、半
導体チップの破壊や特性変化、ハンダの供給量のばらつ
きといった問題が生じる。
ハンダバンプを半導体チップ上に形成する方法では、半
導体チップの破壊や特性変化、ハンダの供給量のばらつ
きといった問題が生じる。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、半導体チップの破壊や特性変化を生じず、形状や高
さの均一なバンプを提供することを目的とする。また上
記バンプを半導体チップの電極上に高密度に形成する半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
で、半導体チップの破壊や特性変化を生じず、形状や高
さの均一なバンプを提供することを目的とする。また上
記バンプを半導体チップの電極上に高密度に形成する半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明（請求項１）は、表面の少なくとも一部に凹部
が形成された第１の基板と表面が平坦な第２の基板とを
別々に溶融ハンダ槽に浸漬する工程と、前記第１の基板
の前記表面と前記第２の基板の前記表面とを前記溶融ハ
ンダ槽内で密着させ、前記凹部に溶融ハンダを密封する
工程と、前記第１の基板の前記表面と前記第２の基板の
前記表面とを密着させた状態で、前記第１及び第２の基
板を前記溶融ハンダ槽から引き上げる工程と、前記第１
の基板の前記表面と前記第２の基板の前記表面とを密着
させた状態で冷却し、前記凹部中のハンダを凝固する工
程と、前記第１の基板から前記第２の基板を剥がす工程
とを具備することを特徴とするバンプの形成方法を提供
する。
に本発明（請求項１）は、表面の少なくとも一部に凹部
が形成された第１の基板と表面が平坦な第２の基板とを
別々に溶融ハンダ槽に浸漬する工程と、前記第１の基板
の前記表面と前記第２の基板の前記表面とを前記溶融ハ
ンダ槽内で密着させ、前記凹部に溶融ハンダを密封する
工程と、前記第１の基板の前記表面と前記第２の基板の
前記表面とを密着させた状態で、前記第１及び第２の基
板を前記溶融ハンダ槽から引き上げる工程と、前記第１
の基板の前記表面と前記第２の基板の前記表面とを密着
させた状態で冷却し、前記凹部中のハンダを凝固する工
程と、前記第１の基板から前記第２の基板を剥がす工程
とを具備することを特徴とするバンプの形成方法を提供
する。
【０００９】また本発明（請求項２）は、表面の少なく
とも一部に凹部が形成され、前記凹部中にハンダからな
るバンプ有する基板を準備する工程と、前記凹部より幅
の小さい接続電極が形成された半導体素子を前記基板に
対向し、前記凹部中のハンダを前記接続電極に転写する
工程とを具備すること特徴とする半導体装置の製造方法
を提供する。
とも一部に凹部が形成され、前記凹部中にハンダからな
るバンプ有する基板を準備する工程と、前記凹部より幅
の小さい接続電極が形成された半導体素子を前記基板に
対向し、前記凹部中のハンダを前記接続電極に転写する
工程とを具備すること特徴とする半導体装置の製造方法
を提供する。
【００１０】また本発明（請求項３）は、表面の少なく
とも位置部に凹部が形成された第１の基板と表面が平坦
な第２の基板とを別々に溶融ハンダ槽に浸漬する工程
と、前記第１の基板の前記表面と前記第２の基板の前記
表面とを前記溶融ハンダ槽内で密着させ、前記凹部に溶
融ハンダを密封する工程と、前記第１の基板の前記表面
と前記第２の基板の前記表面とを密着させた状態で、前
記第１及び第２の基板を前記溶融ハンダ槽から引き上げ
る工程と、前記第１の基板から前記第２の基板を剥がす
工程と、前記凹部より幅の小さい接続電極が形成された
半導体素子を前記基板に対向し、前記凹部中の溶融ハン
ダを前記接続電極に転写する工程とを具備すること特徴
とする半導体装置の製造方法を提供する。
とも位置部に凹部が形成された第１の基板と表面が平坦
な第２の基板とを別々に溶融ハンダ槽に浸漬する工程
と、前記第１の基板の前記表面と前記第２の基板の前記
表面とを前記溶融ハンダ槽内で密着させ、前記凹部に溶
融ハンダを密封する工程と、前記第１の基板の前記表面
と前記第２の基板の前記表面とを密着させた状態で、前
記第１及び第２の基板を前記溶融ハンダ槽から引き上げ
る工程と、前記第１の基板から前記第２の基板を剥がす
工程と、前記凹部より幅の小さい接続電極が形成された
半導体素子を前記基板に対向し、前記凹部中の溶融ハン
ダを前記接続電極に転写する工程とを具備すること特徴
とする半導体装置の製造方法を提供する。
【００１１】さらに本発明（請求項４、請求項５）は、
前記凹部の深さＤが幅Ｗの２／３（Ｄ／Ｗ）以下０以上
であることを特徴とする請求項１記載のバンプの形成方
法、請求項２或いは３記載の半導体装置の製造方法を提
供する。
前記凹部の深さＤが幅Ｗの２／３（Ｄ／Ｗ）以下０以上
であることを特徴とする請求項１記載のバンプの形成方
法、請求項２或いは３記載の半導体装置の製造方法を提
供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に用いる第１の基板（ハン
ダ転写用基板）は、凹部内の表面がハンダに濡れない材
料で形成されていることが好ましい。またハンダ転写用
基板自体がハンダに濡れない材料で形成されてもよい。
こうすることでハンダを半導体チップの電極に供給する
際、ハンダが凹部内に残ることなく均一なハンダ量を供
給することができる。さらに凹部内から電極へ、ハンダ
をスムーズに供給することが可能となる。
ダ転写用基板）は、凹部内の表面がハンダに濡れない材
料で形成されていることが好ましい。またハンダ転写用
基板自体がハンダに濡れない材料で形成されてもよい。
こうすることでハンダを半導体チップの電極に供給する
際、ハンダが凹部内に残ることなく均一なハンダ量を供
給することができる。さらに凹部内から電極へ、ハンダ
をスムーズに供給することが可能となる。
【００１３】またハンダ転写用基板と第２の基板（押し
当て用基板）の表面が平坦であるため、ハンダ上面とハ
ンダ転写用基板の上面が同一平面を形成し、ハンダ量は
凹部内の体積に等しくなる。従って均一なハンダ量を供
給できるので、高さの均一なバンプを提供することが可
能となる。
当て用基板）の表面が平坦であるため、ハンダ上面とハ
ンダ転写用基板の上面が同一平面を形成し、ハンダ量は
凹部内の体積に等しくなる。従って均一なハンダ量を供
給できるので、高さの均一なバンプを提供することが可
能となる。
【００１４】さらに溶融ハンダの組成を任意に制御でき
るので、組成精度の高いハンダバンプを提供できる。先
ず本発明に係るバンプの形成方法を図１を用いて説明す
る。
るので、組成精度の高いハンダバンプを提供できる。先
ず本発明に係るバンプの形成方法を図１を用いて説明す
る。
【００１５】石英ガラスからなるハンダ転写用基板１の
平坦な表面には凹部５が形成されている。ハンダ転写用
基板の外形寸法は５ｍｍ×５．２ｍｍ×１．２ｍｍであ
り、直径１６０μｍ、深さ１００μｍの円筒状の凹部が
２２０μｍ間隔で基板周囲に形成されている。このハン
ダ転写用基板１の材料は石英ガラスに限定される必要は
なく、シリコン・チタン合金・ステンレス・アルミナセ
ラミック等のハンダに濡れない材料でも良いし、これら
のハンダに濡れない材料により表面が被覆されたもので
も良い。
平坦な表面には凹部５が形成されている。ハンダ転写用
基板の外形寸法は５ｍｍ×５．２ｍｍ×１．２ｍｍであ
り、直径１６０μｍ、深さ１００μｍの円筒状の凹部が
２２０μｍ間隔で基板周囲に形成されている。このハン
ダ転写用基板１の材料は石英ガラスに限定される必要は
なく、シリコン・チタン合金・ステンレス・アルミナセ
ラミック等のハンダに濡れない材料でも良いし、これら
のハンダに濡れない材料により表面が被覆されたもので
も良い。
【００１６】図１（ａ）に示すように、ハンダ転写用基
板１と石英ガラスからなる表面が平坦な押し当て用基板
２とを溶融ハンダ槽３に浸漬する。溶融ハンダ槽３内に
は錫／鉛（５％／９５％重量比）からなる溶融ハンダ４
が満たされており、槽３内の温度は３５０℃に保たれて
いる。溶融ハンダ槽３内の溶融ハンダ４の組成は槽３に
入れる材料の組成を管理することによって容易に制御可
能である。例えば錫のインゴット１重量部と鉛のインゴ
ット１９重量部をハンダ槽内に投入し、溶融させること
により、錫と鉛が拡散し錫／鉛５％／９５％重量比から
なる溶融ハンダを得られる。
板１と石英ガラスからなる表面が平坦な押し当て用基板
２とを溶融ハンダ槽３に浸漬する。溶融ハンダ槽３内に
は錫／鉛（５％／９５％重量比）からなる溶融ハンダ４
が満たされており、槽３内の温度は３５０℃に保たれて
いる。溶融ハンダ槽３内の溶融ハンダ４の組成は槽３に
入れる材料の組成を管理することによって容易に制御可
能である。例えば錫のインゴット１重量部と鉛のインゴ
ット１９重量部をハンダ槽内に投入し、溶融させること
により、錫と鉛が拡散し錫／鉛５％／９５％重量比から
なる溶融ハンダを得られる。
【００１７】上述のようにハンダ転写用基板１を溶融ハ
ンダ槽３内に浸漬することにより、溶融ハンダの自重に
より発生する圧力によって、凹部５内に溶融ハンダ４が
充填される。溶融ハンダ４はハンダ転写用基板１とは濡
れない。ハンダ転写用基板１とハンダの濡れを防ぐ要因
であるハンダの表面張力は溶融ハンダ４の自重に起因す
る圧力の１００分の１以下の値であるため、十分に凹部
５内に溶融ハンダ４は充填する。本実施例に用いられる
溶融ハンダは錫／鉛（９５％／５％重量比）に限定され
る必要はなく、錫／鉛（６３％／３７％重量比）、錫と
鉛とビスマスからなる合金、錫と銀からなる合金、イン
ジウムと鉛からなる合金、インジウムと錫の合金等から
なるハンダでも良い。
ンダ槽３内に浸漬することにより、溶融ハンダの自重に
より発生する圧力によって、凹部５内に溶融ハンダ４が
充填される。溶融ハンダ４はハンダ転写用基板１とは濡
れない。ハンダ転写用基板１とハンダの濡れを防ぐ要因
であるハンダの表面張力は溶融ハンダ４の自重に起因す
る圧力の１００分の１以下の値であるため、十分に凹部
５内に溶融ハンダ４は充填する。本実施例に用いられる
溶融ハンダは錫／鉛（９５％／５％重量比）に限定され
る必要はなく、錫／鉛（６３％／３７％重量比）、錫と
鉛とビスマスからなる合金、錫と銀からなる合金、イン
ジウムと鉛からなる合金、インジウムと錫の合金等から
なるハンダでも良い。
【００１８】次に図１（ｂ）に示すように、ハンダ転写
用基板１の凹部５が形成された面と押し当て用基板２の
表面を対向させ密着する。こうして凹部５内に充填され
ている溶融ハンダが密封される。
用基板１の凹部５が形成された面と押し当て用基板２の
表面を対向させ密着する。こうして凹部５内に充填され
ている溶融ハンダが密封される。
【００１９】次に図１（ｃ）に示すように、互いに密着
したハンダ転写用基板１と押し当て用基板２を溶融ハン
ダ槽３から引き上げ、ノズル１１により高圧空気または
窒素を吹き付けて強制空冷する。こうして凹部５内の溶
融ハンダ４を凝固する。凹部５は密封されているため、
溶融ハンダ４が酸化されることはない。
したハンダ転写用基板１と押し当て用基板２を溶融ハン
ダ槽３から引き上げ、ノズル１１により高圧空気または
窒素を吹き付けて強制空冷する。こうして凹部５内の溶
融ハンダ４を凝固する。凹部５は密封されているため、
溶融ハンダ４が酸化されることはない。
【００２０】次に図１（ｄ）に示すように、ハンダ転写
用基板１から押し当て用基板２を取り外す。凹部５内に
充填されたハンダ表面１０とハンダ転写用基板１の表面
９は同一平面を形成しており、ハンダ体積は凹部の体積
に等しいため、凹部の寸法精度を高めることによりハン
ダ体積を高精度に制御することが可能である。
用基板１から押し当て用基板２を取り外す。凹部５内に
充填されたハンダ表面１０とハンダ転写用基板１の表面
９は同一平面を形成しており、ハンダ体積は凹部の体積
に等しいため、凹部の寸法精度を高めることによりハン
ダ体積を高精度に制御することが可能である。
【００２１】次に凹部内にハンダを有するハンダ転写用
基板１を用いて半導体チップ上にハンダバンプを形成す
る本発明の半導体の製造方法を図２を用いて説明する。
図２（ａ）に示すように、ハンダ転写用基板１と半導体
チップ６上の接続用電極７とを対向するように位置合わ
せする。接続用電極７はチタン（800 〓）とニッケル
（5000〓）と金（600 〓）が順次積層され、直径が１０
０μｍの円形の電極である。転写用基板１は透明である
ため、位置合わせを容易に行うことができる。
基板１を用いて半導体チップ上にハンダバンプを形成す
る本発明の半導体の製造方法を図２を用いて説明する。
図２（ａ）に示すように、ハンダ転写用基板１と半導体
チップ６上の接続用電極７とを対向するように位置合わ
せする。接続用電極７はチタン（800 〓）とニッケル
（5000〓）と金（600 〓）が順次積層され、直径が１０
０μｍの円形の電極である。転写用基板１は透明である
ため、位置合わせを容易に行うことができる。
【００２２】次に図２（ｂ）に示すように、ハンダ転写
用基板１を３６０℃に加熱することにより凹部５内のハ
ンダ１２を溶融させ、半導体チップ６上の接続用電極７
に転写することによりハンダバンプ８を形成する。加熱
は水素を体積比で２０％含む窒素で置換されたベルト炉
で行う。このときハンダ付け用フラックスを用いる必要
はない。溶融したハンダは自身の表面張力により球状に
なり、ハンダ転写用基板とは濡れないので、全てのハン
ダが接続用電極上に確実に転写される。
用基板１を３６０℃に加熱することにより凹部５内のハ
ンダ１２を溶融させ、半導体チップ６上の接続用電極７
に転写することによりハンダバンプ８を形成する。加熱
は水素を体積比で２０％含む窒素で置換されたベルト炉
で行う。このときハンダ付け用フラックスを用いる必要
はない。溶融したハンダは自身の表面張力により球状に
なり、ハンダ転写用基板とは濡れないので、全てのハン
ダが接続用電極上に確実に転写される。
【００２３】なお、本実施例のハンダ転写用基板１の加
熱方法はベルト炉に限定されることはなく、赤外線ヒー
タによる熱輻射やホットエアーの吹き付けを用いても良
いし、可動式の加熱ヘッドを用いても良い。さらに、加
熱に先立って半導体チップ６上にロジン系やポリマー系
のハンダ付け用フラックスを塗布しておくことによりハ
ンダと接続用電極との濡れ性を向上させても良い。
熱方法はベルト炉に限定されることはなく、赤外線ヒー
タによる熱輻射やホットエアーの吹き付けを用いても良
いし、可動式の加熱ヘッドを用いても良い。さらに、加
熱に先立って半導体チップ６上にロジン系やポリマー系
のハンダ付け用フラックスを塗布しておくことによりハ
ンダと接続用電極との濡れ性を向上させても良い。
【００２４】次に図２（ｃ）に示すように、半導体チッ
プ６からハンダ転写用基板１を取り去る。このとき、凹
部５の深さが凹部の幅の２／３以下であることと凹部の
幅が接続用電極の幅より大きいことからハンダバンプの
直径は凹部の直径より小さくなるため、転写用基板を容
易に取り去ることが可能である。
プ６からハンダ転写用基板１を取り去る。このとき、凹
部５の深さが凹部の幅の２／３以下であることと凹部の
幅が接続用電極の幅より大きいことからハンダバンプの
直径は凹部の直径より小さくなるため、転写用基板を容
易に取り去ることが可能である。
【００２５】以上述べたように、本実施例により形成さ
れたハンダバンプはバンプ体積が転写用基板の凹部の体
積に等しいため、凹部の寸法精度を高めることによりハ
ンダ体積を高精度に制御することが可能である。また、
溶融ハンダ槽のハンダ組成を制御することによりハンダ
バンプの組成を容易に制御することが可能である。従っ
て、本発明によりダイシングされた半導体チップ上に高
さ精度および組成精度の高いハンダバンプを容易に形成
することが可能となる。
れたハンダバンプはバンプ体積が転写用基板の凹部の体
積に等しいため、凹部の寸法精度を高めることによりハ
ンダ体積を高精度に制御することが可能である。また、
溶融ハンダ槽のハンダ組成を制御することによりハンダ
バンプの組成を容易に制御することが可能である。従っ
て、本発明によりダイシングされた半導体チップ上に高
さ精度および組成精度の高いハンダバンプを容易に形成
することが可能となる。
【００２６】また本実施例ではハンダ転写用基板と押し
当て基板をハンダ槽から取り出した後一旦冷却してハン
ダを凝固したが、ハンダを凝固させずこのまま溶融状態
のハンダを半導体チップに供給してもよい。
当て基板をハンダ槽から取り出した後一旦冷却してハン
ダを凝固したが、ハンダを凝固させずこのまま溶融状態
のハンダを半導体チップに供給してもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明ではダイシ
ングされた個々の半導体チップ上に高さ及び組成が均一
なハンダバンプを容易に形成することが可能となり、低
コストで高性能な半導体装置を実現できる。
ングされた個々の半導体チップ上に高さ及び組成が均一
なハンダバンプを容易に形成することが可能となり、低
コストで高性能な半導体装置を実現できる。
【図１】本発明のバンプの形成方法を説明するための断
面図
面図
【図２】本発明の半導体装置の製造方法を説明するため
の断面図
の断面図
１ ハンダ転写用基板 ２ 押し当て用基板 ３ 溶融ハンダ槽 ４ 溶融ハンダ ５ 凹部 ６ 半導体チップ ７ 接続用電極 ８ ハンダバンプ ９ ハンダ転写用基板表面 １０ ハンダ表面 １１ ノズル １２ ハンダ
Claims (5)
- 【請求項１】表面の少なくとも一部に凹部が形成された
第１の基板と表面が平坦な第２の基板とを別々に溶融ハ
ンダ槽に浸漬する工程と、 前記第１の基板の前記表面と前記第２の基板の前記表面
とを前記溶融ハンダ槽内で密着させ、前記凹部に溶融ハ
ンダを密封する工程と、 前記第１の基板の前記表面と前記第２の基板の前記表面
とを密着させた状態で、前記第１及び第２の基板を前記
溶融ハンダ槽から引き上げる工程と、 前記第１の基板の前記表面と前記第２の基板の前記表面
とを密着させた状態で冷却し、前記凹部中のハンダを凝
固する工程と、 前記第１の基板から前記第２の基板を剥がす工程とを具
備することを特徴とするバンプの形成方法。 - 【請求項２】表面の少なくとも一部に凹部が形成され、
前記凹部中にハンダからなるバンプ有する基板を準備す
る工程と、 前記凹部より幅の小さい接続電極が形成された半導体素
子を前記基板に対向し、前記凹部中のハンダを前記接続
電極に転写する工程とを具備すること特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項３】表面の少なくとも位置部に凹部が形成され
た第１の基板と表面が平坦な第２の基板とを別々に溶融
ハンダ槽に浸漬する工程と、 前記第１の基板の前記表面と前記第２の基板の前記表面
とを前記溶融ハンダ槽内で密着させ、前記凹部に溶融ハ
ンダを密封する工程と、 前記第１の基板の前記表面と前記第２の基板の前記表面
とを密着させた状態で、前記第１及び第２の基板を前記
溶融ハンダ槽から引き上げる工程と、 前記第１の基板から前記第２の基板を剥がす工程と、 前記凹部より幅の小さい接続電極が形成された半導体素
子を前記基板に対向し、前記凹部中の溶融ハンダを前記
接続電極に転写する工程とを具備すること特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】前記凹部の深さＤが幅Ｗの２／３（Ｄ／
Ｗ）以下０以上であることを特徴とする請求項１記載の
バンプの形成方法。 - 【請求項５】前記凹部の深さＤが幅Ｗの２／３（Ｄ／
Ｗ）以下０以上であることを特徴とする請求項２或いは
３記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8245957A JPH1092829A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | バンプの形成方法並びに半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8245957A JPH1092829A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | バンプの形成方法並びに半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092829A true JPH1092829A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17141370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8245957A Pending JPH1092829A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | バンプの形成方法並びに半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1092829A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000077173A (ja) * | 1998-06-17 | 2000-03-14 | Asahi Glass Co Ltd | 電熱窓ガラスとその製造方法 |
-
1996
- 1996-09-18 JP JP8245957A patent/JPH1092829A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000077173A (ja) * | 1998-06-17 | 2000-03-14 | Asahi Glass Co Ltd | 電熱窓ガラスとその製造方法 |
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