JPS6049655A - リ−ドレスチップキャリアのバンプ形成方法 - Google Patents
リ−ドレスチップキャリアのバンプ形成方法Info
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- JPS6049655A JPS6049655A JP58157009A JP15700983A JPS6049655A JP S6049655 A JPS6049655 A JP S6049655A JP 58157009 A JP58157009 A JP 58157009A JP 15700983 A JP15700983 A JP 15700983A JP S6049655 A JPS6049655 A JP S6049655A
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- Japan
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- chip carrier
- leadless chip
- bump
- solder
- substrate
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
- H10W70/093—Connecting or disconnecting other interconnections thereto or therefrom, e.g. connecting bond wires or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（８１発明の技術分野
本発明はリードレスチップキャリアの基板表面に外部回
路への接続手段としてのバンプの形成方法に係り、特に
芯入バンプを効率よく正確に形成する方法に関する。
路への接続手段としてのバンプの形成方法に係り、特に
芯入バンプを効率よく正確に形成する方法に関する。
（ｂｌ 従来技術と問題点
電子計算機等の電子機器の急速な発展に伴い。
該電子機器の電子部品の実装の高密度化や小型化が益々
要求されてきた。殊に半導体集積回路は一層その集積度
を増すと共に、セラミック基板を用いたチップキャリア
が実用化され、殊にリード端子のない所謂リードレスチ
ップキャリアが広く使用されるようになってきた。
要求されてきた。殊に半導体集積回路は一層その集積度
を増すと共に、セラミック基板を用いたチップキャリア
が実用化され、殊にリード端子のない所謂リードレスチ
ップキャリアが広く使用されるようになってきた。
リードレスチ・ノブキャリアの中で特に高密度実装に適
したバンプを備えたチップキャリアの構造について第１
図の断面図と第２図の下方からみた平面図を参照して述
べよう。
したバンプを備えたチップキャリアの構造について第１
図の断面図と第２図の下方からみた平面図を参照して述
べよう。
通常セラミックの基板１内にキャビティ２と称する凹所
があり、ここに半導体集積回路装置のチップ３が配設さ
れている。キャビティ２はセラミック製の蓋部５で密閉
されて環境から保護されている。
があり、ここに半導体集積回路装置のチップ３が配設さ
れている。キャビティ２はセラミック製の蓋部５で密閉
されて環境から保護されている。
前記チップ３は細い金線のボンディングワイヤ４で、キ
ャビティ２の周辺部に形成されたポンディングパッド６
に溶接等の方法で接続される。
ャビティ２の周辺部に形成されたポンディングパッド６
に溶接等の方法で接続される。
ポンディングパッド６はビア７と称するタングステン等
の高融点金属粉末とセラミック粉末とを混合して焼結し
て形成した導電性の端子に接続し。
の高融点金属粉末とセラミック粉末とを混合して焼結し
て形成した導電性の端子に接続し。
チップ基板１のセラミックの中を貫通して、チップ基板
１の表面１ａに形成された外部回路接続用のパッド８に
接続する。
１の表面１ａに形成された外部回路接続用のパッド８に
接続する。
」−記パソド８に通常Ｐｂ−５ｎ系の鑞材で形成された
突起状のバンプ９が機械的に接続されてチップキャリア
に搭載した半導体集積回路装置のチップ３の外部回路接
続手段を形成している。
突起状のバンプ９が機械的に接続されてチップキャリア
に搭載した半導体集積回路装置のチップ３の外部回路接
続手段を形成している。
さて、第３図の断面図に示すように１以上に説明したチ
ップキャリアをプリント基板１０に搭載するには、該プ
リント基板１０の表面上に形成された印刷回路のバンド
１１等の接続手段上に他の電子部品とともに載置して、
全体を電気炉にいれｌ ？！Ａ度を半田の融点以上に保
ってバンプ９およびパッド１１の半田を溶かして融合さ
せて半田層１２を形成することで実装を完了する。これ
が所謂リフロー法である。 上記のようなリードレスチ
ップキャリアのハンプ９とプリント基板１０のパッド１
１との半田付けによる接続点は一枚のプリント基板１１
上でも極めて多数あり、これらの接続点が全部確実に所
定の強度を以て接続するためには、リードレスチップキ
ャリアの基板１の表面］、ａｌのバンプ９の高さのバラ
ツキを少なくする必要がある。
ップキャリアをプリント基板１０に搭載するには、該プ
リント基板１０の表面上に形成された印刷回路のバンド
１１等の接続手段上に他の電子部品とともに載置して、
全体を電気炉にいれｌ ？！Ａ度を半田の融点以上に保
ってバンプ９およびパッド１１の半田を溶かして融合さ
せて半田層１２を形成することで実装を完了する。これ
が所謂リフロー法である。 上記のようなリードレスチ
ップキャリアのハンプ９とプリント基板１０のパッド１
１との半田付けによる接続点は一枚のプリント基板１１
上でも極めて多数あり、これらの接続点が全部確実に所
定の強度を以て接続するためには、リードレスチップキ
ャリアの基板１の表面］、ａｌのバンプ９の高さのバラ
ツキを少なくする必要がある。
バンプ９をバッド１１上に形成するには２例えば金属マ
スクを用いて、厚膜印刷の方法で半田ペーストを所定量
バッドＩＩ−ヒに載置し、電気炉中で溶解して半田の表
面張力で球状の突起のバンプ９とするか、同じく金属マ
スクを用いて一定量の半田よりなるソルダボールをパッ
ド１１に載置して溶融させる方法等がある。
スクを用いて、厚膜印刷の方法で半田ペーストを所定量
バッドＩＩ−ヒに載置し、電気炉中で溶解して半田の表
面張力で球状の突起のバンプ９とするか、同じく金属マ
スクを用いて一定量の半田よりなるソルダボールをパッ
ド１１に載置して溶融させる方法等がある。
容易に理解されるように、バンブ９形成の際に溶融した
半田はパッド１１の表面を濡れて這っていく傾向があり
、パッド１１の面積と形・やその表面状態（濡れ状態）
および半田の温度による表面張力の大きさ等、複雑な要
素が絡んで何れの場合にも。
半田はパッド１１の表面を濡れて這っていく傾向があり
、パッド１１の面積と形・やその表面状態（濡れ状態）
および半田の温度による表面張力の大きさ等、複雑な要
素が絡んで何れの場合にも。
バンプ９の高さを揃えることは容易ではない。
さらに上記のリードレスチップキャリアをプリント基板
に搭載する時は既に述べたように、バンプ９は再度溶融
されるので、バンプ９形成の時と同様の半田の流れの問
題が起こる。
に搭載する時は既に述べたように、バンプ９は再度溶融
されるので、バンプ９形成の時と同様の半田の流れの問
題が起こる。
その対策としてはバンプ９の中に銅のような融点の高い
金属の芯部１３（通常球形）を入れて置き。
金属の芯部１３（通常球形）を入れて置き。
リードレスチップキャリアをプリント基板１０に搭載す
る時のりフロ一温度を高い目にして半田の流動をよくす
ると第３図の断面図に示すように、リードレスチップキ
ャリアは芯部１３によって支えられ、半田層１２は接着
剤の役目だけを司るので、半田量の影響は殆ど無くなる
。
る時のりフロ一温度を高い目にして半田の流動をよくす
ると第３図の断面図に示すように、リードレスチップキ
ャリアは芯部１３によって支えられ、半田層１２は接着
剤の役目だけを司るので、半田量の影響は殆ど無くなる
。
上述のように芯部１３を使用するとバンプ９の半田量の
問題が解消するが、その反面芯部１３を予め基板１のパ
ッド８に接着して置かねばならない。
問題が解消するが、その反面芯部１３を予め基板１のパ
ッド８に接着して置かねばならない。
その一般的な方法としては、基板１のパッド８に予め銅
ペースト等を介して芯部１３を高温で焼付で接着する。
ペースト等を介して芯部１３を高温で焼付で接着する。
この接着温度が高いこと（約９００“Ｃ）や微小な芯部
１３の取り扱い等で、恋人バンプは高価なものとされ、
原価上大きな問題となっており。
１３の取り扱い等で、恋人バンプは高価なものとされ、
原価上大きな問題となっており。
その解決策が久しく待望されていた。
［Ｃ１発明の目的
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、リードレスチ
ップキャリアの恋人バンプを効率的に形成する方法を提
供しようとするものである。
ップキャリアの恋人バンプを効率的に形成する方法を提
供しようとするものである。
（（１１発明の構成
上記の発明の目的は、リードレスチップキャリアの基板
表面に恋人バンブを形成するに際し、前記基板の表面上
に形成されたバッド上にそれぞれ一組のソルダボールと
芯部を相隣接して金属マスクを介して載置した後、加熱
手段により所定の温度に加熱して前記ソルダボールを溶
融流動させて前記芯部を前記パッド上の所定位置に接着
させることで容易に達成される。
表面に恋人バンブを形成するに際し、前記基板の表面上
に形成されたバッド上にそれぞれ一組のソルダボールと
芯部を相隣接して金属マスクを介して載置した後、加熱
手段により所定の温度に加熱して前記ソルダボールを溶
融流動させて前記芯部を前記パッド上の所定位置に接着
させることで容易に達成される。
ｔｅｌ 発明の実施例
以下本発明の一実施例につき図面を参照して説明する。
第４図は本発明に基づくり一ドレスチップキャリアのバ
ンプの形成方法の概要を示す斜視図である。
ンプの形成方法の概要を示す斜視図である。
金属トレー２１にリードレスチップキャリアの基板１を
、パッド１１を配設した面を上にして規則正しく並べる
。その上に金属マスク２２を位置合わせをして、基板１
」二のパッド１１に対応して設けられた窓２７（図示せ
ず）が当該パッド１１上にくるように配置する。
、パッド１１を配設した面を上にして規則正しく並べる
。その上に金属マスク２２を位置合わせをして、基板１
」二のパッド１１に対応して設けられた窓２７（図示せ
ず）が当該パッド１１上にくるように配置する。
第５図は金属マスク２２の窓２７の形状の一例を示す平
面図で、ソルダボールを収容する内部２４と芯部１３を
収容する内部２５より構成されており９両内部は図示の
ように部分的に重なっている。鎖線で示した２６はリー
ドレスチップキャリアの基板１の表面のパッド８の形を
示したものである。
面図で、ソルダボールを収容する内部２４と芯部１３を
収容する内部２５より構成されており９両内部は図示の
ように部分的に重なっている。鎖線で示した２６はリー
ドレスチップキャリアの基板１の表面のパッド８の形を
示したものである。
第６図の平面図は別の形の窓２７を示すもので。
本実施例では１個のバンド８に対し、ソルダボールを２
個と芯部１３を１（ｆｌｉｔ供給することが出来る。
個と芯部１３を１（ｆｌｉｔ供給することが出来る。
芯部１３は通常銅等の球が適当であるが、タブレット状
のものでもよい。
のものでもよい。
金属マスク２２の材料は、半田の溶融温度（２５０℃程
度）に耐え、かつ半田に濡れないことが条件である。例
えばステンレス鋼板を水蒸気を含んだ水素雰囲気炉で加
熱してその表面を軽く酸化させ。
度）に耐え、かつ半田に濡れないことが条件である。例
えばステンレス鋼板を水蒸気を含んだ水素雰囲気炉で加
熱してその表面を軽く酸化させ。
酸化クローム股で覆ったもの等は好適である。第５図や
第６図に示すような窓２５．２７はエツチング法で容易
に形成出来る。
第６図に示すような窓２５．２７はエツチング法で容易
に形成出来る。
次段の作業としては続いて、直径の大きいソルダボール
を金属トレー２１の中の金属マスク２２上に多数載せて
揺すぶれば、自然にソルダボールは内部２４に落ち込む
。次ぎに直径の小さい芯部１３を多数人れて揺動すれば
、これらを窓の内部２５にいれることが出来る。以上の
方法によれば、多数の小さい球状のソルダボールや芯部
１３を一々所定位置に置く必要がなく極めて効率的に配
置することが出来る。 このようにして、リードレスチ
ップキャリアの基板１のバンド８上に金属マスク２２を
介して、ソルダボールおよび芯部１３を配置したものを
、金属トレー２１のまま、電気炉に静かに送りこんで、
所定のタイムスケジュールで加熱、冷却すれば、第７図
の一部拡大断面図に示すように、芯部１３をパッド８の
」二に半田層１２で確実に接着することが出来る。
を金属トレー２１の中の金属マスク２２上に多数載せて
揺すぶれば、自然にソルダボールは内部２４に落ち込む
。次ぎに直径の小さい芯部１３を多数人れて揺動すれば
、これらを窓の内部２５にいれることが出来る。以上の
方法によれば、多数の小さい球状のソルダボールや芯部
１３を一々所定位置に置く必要がなく極めて効率的に配
置することが出来る。 このようにして、リードレスチ
ップキャリアの基板１のバンド８上に金属マスク２２を
介して、ソルダボールおよび芯部１３を配置したものを
、金属トレー２１のまま、電気炉に静かに送りこんで、
所定のタイムスケジュールで加熱、冷却すれば、第７図
の一部拡大断面図に示すように、芯部１３をパッド８の
」二に半田層１２で確実に接着することが出来る。
（ｆｌ 発明の効果
以上の説明から明らかなように、リードレスチップキャ
リアをプリント基板に接続する手段の一つとして、恋人
バンプをリードレスチップキャリアの基板表面に形成す
る際、金属マスクを使用する本発明に基づいた形成方法
を採用すれば、僅かの工数で均一な品質の恋人ハンプを
形成することが出来、多大の原価削減が可能となる。さ
らに本発明による形成方法は容易に自動化出来るという
利点もある。
リアをプリント基板に接続する手段の一つとして、恋人
バンプをリードレスチップキャリアの基板表面に形成す
る際、金属マスクを使用する本発明に基づいた形成方法
を採用すれば、僅かの工数で均一な品質の恋人ハンプを
形成することが出来、多大の原価削減が可能となる。さ
らに本発明による形成方法は容易に自動化出来るという
利点もある。
第１図と第２図はバンプを有するチップキャリアの従来
の構造を示す断面図と平面図、第３図は恋人バンプを有
するリードレスチップキャリアをプリント基板に搭載し
た模様を示す断面図、第４図は本発明に基づいたリード
レスチップキャリアの恋人バンプの形成方法の一実施例
の概要を示す斜視図、第５図と第６図は本発明に使用す
る金属マスクの窓の形の実施例を示す平面図、第７図は
本実施例による方法でリードレスチップキャリアの基板
上に形成された恋人バンプの構造を示す断面図である。 図において、１はチップ基板、３はＩＣチップ。 ６はボンディングバンド、７はビア、８ばバンプ接続用
パッド、９はバンプ、１０はプリント基板。 １１はプリント基板印刷回路のバンド、１２は半田層。 １３は芯部、２１は金属ｌ・レー、２２は金属マスク、
２３．２７は窓、 ２４ 、２５は窓の内部をそれぞれ
示す。 ０ 第４図 第６図 第７図 ３
の構造を示す断面図と平面図、第３図は恋人バンプを有
するリードレスチップキャリアをプリント基板に搭載し
た模様を示す断面図、第４図は本発明に基づいたリード
レスチップキャリアの恋人バンプの形成方法の一実施例
の概要を示す斜視図、第５図と第６図は本発明に使用す
る金属マスクの窓の形の実施例を示す平面図、第７図は
本実施例による方法でリードレスチップキャリアの基板
上に形成された恋人バンプの構造を示す断面図である。 図において、１はチップ基板、３はＩＣチップ。 ６はボンディングバンド、７はビア、８ばバンプ接続用
パッド、９はバンプ、１０はプリント基板。 １１はプリント基板印刷回路のバンド、１２は半田層。 １３は芯部、２１は金属ｌ・レー、２２は金属マスク、
２３．２７は窓、 ２４ 、２５は窓の内部をそれぞれ
示す。 ０ 第４図 第６図 第７図 ３
Claims (1)
- 半導体集積回路装置等を搭載するリードレスチップキャ
リアの基板表面に恋人バンプを形成するに際し、前記基
板の表面上に形成されたパッド上にそれぞれ一組のソル
ダボールと芯部を相隣接して金属マスクを介して載置し
た後、加熱手段により所定の温度に加熱して前記ソルダ
ボールを溶融流動させて前記芯部を前記バンド上の所定
位置に接着させることを特徴とするり一ドレスチップキ
ャリアのバンプの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157009A JPS6049655A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | リ−ドレスチップキャリアのバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157009A JPS6049655A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | リ−ドレスチップキャリアのバンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049655A true JPS6049655A (ja) | 1985-03-18 |
Family
ID=15640181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58157009A Pending JPS6049655A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | リ−ドレスチップキャリアのバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049655A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62112355A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | チツプキヤリア− |
| JPH02144945A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体搭載用基板およびその製造方法 |
| JPH0462865A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH05183067A (ja) * | 1991-06-20 | 1993-07-23 | Iwaki Electron Corp Ltd | リードレスパッケージの外部電極構造及びその製造方法 |
| CN106216791A (zh) * | 2016-08-08 | 2016-12-14 | 北方电子研究院安徽有限公司 | Lccc器件的一种底部空隙焊装方法 |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP58157009A patent/JPS6049655A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62112355A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | チツプキヤリア− |
| JPH02144945A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体搭載用基板およびその製造方法 |
| JPH0462865A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH05183067A (ja) * | 1991-06-20 | 1993-07-23 | Iwaki Electron Corp Ltd | リードレスパッケージの外部電極構造及びその製造方法 |
| CN106216791A (zh) * | 2016-08-08 | 2016-12-14 | 北方电子研究院安徽有限公司 | Lccc器件的一种底部空隙焊装方法 |
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