JPH1093185A

JPH1093185A - 半導体レーザおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH1093185A
Application number: JP8241733A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Otsuka; 信之大塚; Masahiro Kito; 雅弘鬼頭; Yuichi Inaba; 雄一稲葉
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-09-12
Filing date: 1996-09-12
Publication date: 1998-04-10

Abstract

(57)【要約】【課題】低チャープ特性の分布帰還型半導体レーザを
提供する。【解決手段】レーザ構造は、InP基板1上に部分的に形
成した回折格子2、回折格子上に成長した導波路層3、In
GaAsP歪量子井戸層4およびInGaAsP障壁層5、導波路層
6、さらにInPクラッド層7よりなる。活性層の両側には
電流注入層8と電球狭窄層9が成長されている。レーザの
発振波長は1.3μmである。回折格子２は、活性層ストラ
イプ７の下部ではなく、ストライプ７の両側に形成され
ている。半導体レーザに電流を注入すると、発光は活性
層から回折格子２の領域にまで広がる。そして、発光
は、ストライプ７の下を避けた回折格子を感じてレーザ
発振することになる。レーザ発振後、レーザの注入電流
を変調すると、それにともない活性層の屈折率は変化す
るが、レーザ光はこの屈折率変化を感じないので、発振
波長のゆらぎはほとんどなくなり、低チャープ特性のレ
ーザとなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザに関
し、特に、低チャープ特性を示す半導体レーザおよび吸
収係数に飽和の少ない利得結合型レーザ、ならびにそれ
らの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体レーザとしては、活性層下
部に回折格子を形成した屈折率結合型ＤＦＢレーザがあ
り、活性層の構造を図12に示す。

【０００３】従来の活性層構造は、InP基板1上に回折格
子2を形成した後、導波路層3、5層から10層の井戸層4と
障壁層5よりなる量子井戸構造、導波路層6が順次積層さ
れた構造となる。このレーザは、共振器長方向に屈折率
が周期的に変化するために、屈折率の変化の周期にした
がった波長で発振する。図12の点線で示した断面図を図
13に示す。回折格子２が活性層下部に形成されている。

【０００４】また、別の従来例としては利得結合型ＤＦ
Ｂレーザがある。このレーザの活性層領域の断面図を図
14に示す。回折格子の凹部に光を吸収する領域14が活性
層下部に形成されている。このレーザは、吸収領域の周
期によって決定される波長で発振する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】第１の従来例では、レ
ーザを変調した場合に、活性層に注入される電流量の変
化により、活性層の屈折率が変化するために、回折格子
の周期と実効屈折率で決まる発振波長が変調電流により
変化する。したがって、この発振波長の波長変動（チャ
ーピング）が大きくなってしまう。

【０００６】また、第２の従来例では、回折格子２上に
形成した吸収領域１４にキャリアが流れ込んでいたため
に、電流を大きくしキャリアの量が多くなった場合に、
吸収層１４の吸収量が飽和してしまい、レーザの回折効
率が小さくなってしまう。これにより、レーザが単一モ
ードからマルチモード発振したり、セルフパルセーショ
ン（レーザ素子が自身がオン／オフすること）したりす
る問題があった。

【０００７】そこで本発明では、広い帯域にわたって、
低チャープであり、かつ、スペクトル線幅の小さい半導
体レーザ、および電流量を大きくしても単一性が損なわ
れない半導体レーザを提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、活性層の下部に回折格子を形成せず、す
なわち、活性層下部の少なくとも片側に回折格子を形成
することにより、レーザを変調する電流量が変化するこ
とに起因する活性層の屈折率変化によって生ずるチャー
ピングが抑制される。

【０００９】また、活性層下部および活性層下部の少な
くとも片側に回折格子を形成した場合であっても、活性
層下部以外の領域に形成した回折格子により帰還される
光の波長がレーザの利得ピークに近くなってレーザ発振
し、活性層下部の回折格子で帰還される光の波長は、レ
ーザの利得ピークから離れて利得を持たないようにして
レーザ発振しないようにすることにより、例えば、基板
の全面に回折格子を形成していても、活性層下部以外に
形成した回折格子のみにより、ＤＦＢ発振を実現するも
のである。その結果、活性層での屈折率変化が生じた場
合でも、直接レーザ発振とは関係ないので、発振波長の
チャーピングを抑制することができる。

【００１０】また、利得結合型ＤＦＢレーザに応用した
場合では、同様に活性層下部以外に吸収領域を設けるも
ので、吸収領域にキャリアが注入されないため、吸収層
の吸収係数の飽和を生じにくくなり、回折効率の低下に
よるマルチモード化を抑制することができ、また吸収層
の光の飽和現象によるセルフパルセーションも抑えるこ
とができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】

（実施の形態１）本実施形態は、活性層下部に回折格子
を形成しない半導体レーザ、および活性層下部の回折格
子による帰還をレーザ発振には無関係とする半導体レー
ザである。以下、図面を用いてその内容を説明する。

【００１２】図１は、本発明のＤＦＢレーザの一実施例
を示す断面図である。レーザの構造は、InP基板1上に部
分的に形成した回折格子2、回折格子が部分的に形成さ
れた基板上に成長した導波路層3、７層のInGaAsP歪量子
井戸層4およびInGaAsP障壁層5、導波路層6、さらにInP
クラッド層7よりなる。活性層の両側には電流を活性層
に集中するために電流注入層8と電球狭窄層9が成長され
ている。歪量子井戸層には歪量1.3％の圧縮歪みが導入
されており、膜厚は6nmとした。また、障壁層はInPに格
子整合している。レーザの発振波長は1.3μmである。

【００１３】図1の点線(a)の断面図を図2（ａ）に示
す。ここでは、図からわかるように、活性層（井戸層4
および障壁層5）下部には回折格子２は形成されていな
い。図１では半導体レーザの共振器方向に垂直な構造断
面図であり、通常、回折格子はこの断面図ではあらわれ
ないが、ここでは、回折格子の領域をわかりすく示すた
めに、回折格子の領域を太線で示している。一方、図1
の点線(b)の断面図を図2（ｂ）に示す。電流が流れ込ま
ない電流狭窄層9下部に回折格子2が形成されている。

【００１４】このように回折格子は、活性層ストライプ
７の下部ではなく、ストライプ７の両側に形成されてい
る。また、このレーザは、埋め込みレーザ構造となって
いるために、電流を効果的に活性層に注入できる。よっ
て、低閾値電流化（15mA）が可能となる。活性層幅は1.
2μmである。

【００１５】この構造の半導体レーザに電流を注入する
と、活性層で発光し、その発光は活性層から回折格子２
の領域にまで広がる。そして、発光は、ストライプ７の
下を避けた回折格子を感じてレーザ発振することにな
る。レーザ発振後、レーザの注入電流を変調すると、そ
れにともない活性層の屈折率は変化するが、レーザ光は
この屈折率変化を感じないので、発振波長のゆらぎはほ
とんどなくなり、低チャープ特性のレーザとなる。

【００１６】本実施例の歪量子井戸構造の場合、回折格
子のピッチは209.6nmとしており、ＤＦＢ発振波長は1.3
0μmとなる。レーザの利得ピーク波長は1.31μmであ
る。レーザのFM変調効率は50MHz/mAに、またスペクトル
線幅は50kHzまで低減する。本発明でいう狭線幅とは６
０ｋＨｚ程度以下、低チャープとは８０ＭＨｚ／ｍＡ程
度以下のことである。

【００１７】回折格子が活性層下部にある場合には、FM
変調効率やスペクトル線幅は構造因子Γ／Ｖに比例す
る。この因子が小さいほど低チャープでスペクトル線幅
も小さいレーザとなる。なお、緩和振動周波数は、この
因子が大きいほど、大きくなり特性がよい。これらの特
性は、いずれもΓ／Ｖに大きさで決まる。ここで、Γは
活性層への光閉じ込め係数、Ｖは活性層体積である。

【００１８】活性層体積Ｖを小さくするにしたがって、
光閉じ込め係数Γはより小さくなる（Γの変化率はＶの
変化率よりも大きい）ために、構造因子は減少する。し
たがって、低FM変調効率や低スペクトル線幅特性を実現
するには、活性層体積Ｖを減少する必要があった。しか
しながら、活性層体積Ｖが小さくなることによる閾値電
流の増大や、構造因子の低下により、緩和振動周波数の
低減等の問題が生じていた。

【００１９】本実施例のレーザ構造の場合は、FM変調効
率やスペクトル線幅は、外部構造因子（１−Γ）／Ｖに
比例する。この値が小さければ特性は良い。緩和振動周
波数は、Γ／Ｖに比例し、この値が大きいほど緩和振動
周波数が大きく特性がよい。このレーザの場合、活性層
体積Ｖを大きくするにしたがって外部構造因子（１−
Γ）／Ｖが減少する。したがって、低FM変調効率や低ス
ペクトル線幅特性を実現するには活性層体積Ｖを大きく
すればよい。また、体積Ｖを大きくするので、閾値電流
の増大がないし、体積Ｖを大きくすると、Γの大きくな
る割合がＶよりも大きいので、Γ／Ｖも大きくなる。よ
って、緩和振動周波数の低減等の問題が生じない。な
お、この構造では、活性層ストライプ７下部に回折格子
を形成せず、回折格子を活性層ストライプ下部の両側に
形成しているが、回折格子はストライプ下部でなくて
も、ストライプ上部の両側に形成してあってもよい。す
なわち、ストライプの上下に回折格子が形成されていな
ければよい。

【００２０】さらに図１のレーザ構造の導波路層３にエ
ッチングストッパを導入した実施例を図３（ａ）に説明
する。図１では、導波路層３の途中でストライプ構造が
形成されているが、ストライプ構造作製中に導波路層の
途中でエッチングをストップさせているものである。こ
れに改良を加え、図３（ａ）に示したように、導波路層
３ａ、３ｂ内部にエッチングストップ層13を挿入してお
く。この構造の点線（ａ）の断面は図２（ａ）であり、
点線（ｂ）の断面は図２（ｂ）と同じである。このよう
な構成により、回折格子上の導波路層３ａの膜厚を一定
に制御することができる。その結果、ＤＦＢ発振波長の
制御性が向上する。

【００２１】また、図１では、活性層下部に回折格子は
存在していないが、このように部分的に回折格子を作製
するのは工程が余分に必要となる。次には、基板全面に
回折格子を形成していても図１と同様な効果が得られる
構造を図3（ｂ）に示す。

【００２２】図3（ｂ）の点線aの断面図を図４（ａ）に
示す。また、図３（ｂ）の点線(b)の断面図を図４
（ｂ）に示す。ここでは、基板１上に全面にわたって回
折格子２が形成されている。ただし、図５に示したよう
に、回折格子のピッチは、図４（ｂ）の構造から計算さ
れる波長と、レーザの利得のピーク波長である1.3μmに
対して数１０ｎｍ短波長化するように設定されている。
その結果、図４（ａ）に示した構造から計算されるＤＦ
Ｂ波長は1.42μmとなり、レーザの利得から大きくはず
れる。したがって、活性層下部の回折格子からは帰還さ
れないため、活性層下部には回折格子２が存在していな
い図１の場合と等価となる。ここで帰還されないために
は活性層下部の回折格子と実効屈折率で決まるＤＦＢ波
長を利得ピーク波長から２５ｎｍ以上離れておけばよい
し、発振させるためには、活性層下部の両側の回折格子
と実効屈折率で決まるＤＦＢ波長を利得ピーク波長から
２０ｎｍ以内に設定するのが好ましい。

【００２３】また、図１および図３では、回折格子上に
導波路層を成長したが、回折格子の昇温中にアルシンを
フォスフィンと同時に供給することにより、図６、図７
に示したように回折格子の凹部に屈折率の大きい領域１
５（ＩｎＡｓ0.3Ｐ0.7）を形成することができる。この
場合には、図３（ｂ）のような導波路層３ａはなくても
よい。

【００２４】レーザ構造を図６に示す。ここでは、回折
格子２上にＩｎＡｓ0.3Ｐ0.7層を形成しており、レーザ
の活性層下部にも屈折率の大きい領域が形成されている
が、回折格子のピッチを210.5nmとしているために、活
性層下部以外の領域に形成した屈折率の大きい領域で帰
還を受け1.3μmで発振する。レーザは図１、および図３
に示したレーザと同様な特性を示す。高屈折率領域１５
の組成をさらに長波長化して吸収領域としても同様な効
果が得られる。

【００２５】（実施の形態２）本発明の半導体レーザの
製造方法の一実施例の工程図を図8に示す。本発明のレ
ーザは、まずn-InP基板１上に回折格子2を成長した後に
(a)、MOVPE法により成長温度600度でn-InGaAsP（λｇ=
1.05μm、膜厚20nm）導波路層３a、n-InP（膜厚10nm）
エッチングストップ層13、n-InGaAsP（λｇ=1.05μm、
膜厚130nm）導波路層３b、を成長し、７周期のInGaAsp
（歪量0.8％、膜厚6nm）歪井戸層4とInGaAsp（膜厚10n
m）障壁層5を交互に積層した後、p-InGaAsP（λｇ=1.45
μm、膜厚30nm）導波路層6とp-InP（膜厚400nm）クラッ
ド層を成長して歪量子井戸構造をえる（b）。

【００２６】さらに、クラッド層からエッチングストッ
プ層13にかけてエッチングによりストライプ状に除去す
る(c)。その後、p-InP,n-InP,p-InP層8、9により埋め込
み成長を行い、コンタクト層10を成長する（d）。

【００２７】最後に、電極11、12を蒸着により形成する
(e)。エッチングは、塩酸と酢酸の混合液で活性層をエ
ッチングした後、硫酸と過酸化水素水と水の混合液で導
波路層3bをエッチング除去する。エッチングストップ層
は硫酸と過酸化水素水と水の混合液ではエッチングされ
ないので、エッチングは自動的に停止される。

【００２８】図８では、全面に回折格子を形成している
構造の作製方法を示したが、活性層下部に回折格子を形
成しない場合は、全面に回折格子を形成した後に、開口
部を有する絶縁膜ストライプを形成し、開口部の回折格
子を部分的にエッチング時により除去する。エッチング
後、結晶を成長し、同じ位置に活性層ストライプを形成
する。あるいは、回折格子を部分的に除去するのではな
く、基板上にマーキングを行った後、部分的に露光する
ことにより部分回折格子を作製してもよい。

【００２９】図６に示した、部分的に屈折率の大きな回
折格子を形成する場合には、回折格子の昇温中にアルシ
ンを7ccmフォスフィンと同時に供給するとともに、600
℃で10分熱処理することにより、図7に示したように回
折格子の凹部に屈折率の大きい領域が形成される。

【００３０】図８では、基板全面に結晶を成長して、活
性層ストライプ領域をエッチングにより作製する場合を
示したが、選択成長により活性層ストライプ領域のみを
作製してもよい。一実施例の工程図を図9に示す。

【００３１】まずn-InP基板１上に回折格子2を成長した
後に(a)、全面にSiN膜を堆積した後、活性層を成長する
領域のSiN膜を除去する。さらに、開口部の回折格子を
硫酸と過酸化水素水の混合溶液によりエッチング除去す
る(b)。MOVPE法により成長温度600度で開口部に選択的
に、n-InGaAsP（λｇ=1.05μm、膜厚150nm）導波路層
３、を成長し、７周期のInGaAsp（歪量0.8％、膜厚6n
m）歪井戸層4とInGaAsp（膜厚10nm）障壁層5を交互に積
層した後、p-InGaAsP（λｇ=1.45μm、膜厚30nm）導波
路層6とp-InP（膜厚400nm）クラッド層を成長して歪量
子井戸構造をえる（c）。その後は、図8に示したのと同
様に、p-InP,n-InP,p-InP層8、9により埋め込み成長を
行い、コンタクト層10を成長する（d）。最後に、電極1
1、12を蒸着により形成する(e)。

【００３２】（実施の形態３）図１０は、本発明の利得
結合型ＤＦＢレーザの一実施例を示す断面図である。レ
ーザの活性層構造は、InP基板1上に部分的に形成した吸
収型回折格子14（この吸収層はＩｎＡｓ0.5Ｐ0.5）、吸
収型回折格子が部分的に形成された基板上に成長した導
波路層3、７層のInGaAsP歪量子井戸層4およびInGaAsP障
壁層5、導波路層6、さらにInPクラッド層7よりなる。活
性層の両側には電流を活性層に集中するために電流注入
層8と電球狭窄層9が成長されている。歪量子井戸層には
歪量1.3％の圧縮歪みが導入されており、膜厚は6nmとし
た。また、障壁層はInPに格子整合している。レーザの
発振波長は1.3μmである。活性層4および5下部には回折
格子は形成されていない。図10の点線の断面図を図11a
に示す。電流が流れ込まない電流狭窄層9下部にのみ吸
収型回折格子2が形成されている。

【００３３】埋め込みレーザ構造となっているために、
電流を効果的に活性層に注入できるために、低閾値電流
化（15mA）が可能となる。活性層幅は1.2μmである。

【００３４】本実施例の歪量子井戸構造の場合、回折格
子のピッチは209.6nmとしており、ＤＦＢ発振波長は1.3
0μmとなる。レーザの利得ピーク波長は1.31μmであ
る。レーザの駆動電流が100mA以上となっても、サイド
モード抑圧比の上昇は認められなかった。

【００３５】また、吸収型の利得結合レーザでしばしば
問題となる吸収層の飽和によるセルフセーションも抑制
された。これは、電流が吸収型回折格子に注入されない
ために、キャリアによる吸収係数の低下が生じないため
である。

【００３６】図11では、活性層下部に回折格子を形成し
ていないが、図15に示したように、活性層下部に回折格
子に電流が流れないようにFeドープInP層よりなる電流
素子層16を形成してもよい。

【００３７】本発明の利得結合レーの製造方法の一実施
例の工程図を示す。基板全面に回折格子を形成した後
に、絶縁膜によるマーキングを行い、このマーキングに
対応した位置の回折格子を部分的にエッチング時により
除去する。その後、回折格子の昇温中にアルシンを15cc
mフォスフィンと同時に供給するとともに、600℃で10分
熱処理することにより、図11に示したように回折格子の
凹部に吸収領域が形成される。結晶を成長後、回折格子
を形成していない領域に活性層ストライプを形成する。
その後は、図8(c),(d),(e)に示したようにレーザ構造を
作製する。

【００３８】（実施の形態４）図１６は実施の形態１〜
３の半導体レーザを光源に用いた光通信システムの構成
図である。このシステムでは、図１６に示す様に半導体
レーザと光ファイバの間にレンズを挿入してある。半導
体レーザ１を直接強度変調し、半導体レーザ１の前端面
から放射されるレーザ光をレンズ４を介して、光ファイ
バ２に集光し、光ファイバ２からの出力光を光検出器３
で電気信号に変換する。これにより、音声信号や映像信
号やデータを伝送することができるものである。

【００３９】前記実施形態で述べたように、本発明の半
導体レーザは、低チャープ、狭ストライプ線幅、高緩和
振動周波数という特性をもつものであるので、この光通
信システムでも、特性の高い光信号伝送を実現すること
ができる。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、次の効果が得られる。
活性層ストライプ下に回折格子を形成していないので、
低チャープ特性、狭スペクトル線幅のレーザが得ること
ができる。また、高緩和振動周波数特性も同時に実現で
きる。活性層ストライプ下に回折格子を形成した場合で
あっても、ストライプ下以外に形成した回折格子により
レーザ発振させることで、低チャープ特性、狭スペクト
ル線幅、高緩和振動周波数特性を得ることができる。

【００４１】さらに、利得結合型の半導体レーザの場合
も、活性層ストライプ下に吸収型の回折格子を形成して
いないので、キャリアの注入によるレーザの吸収損失の
飽和を抑制することができるので、結合効率の安定性が
向上し、単一発振特性を維持できる。また吸収層の飽
和、利得によるセルフパルセーションを抑制することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体レーザの共振器方向に垂直な構
成断面図

【図２】本発明の半導体レーザの共振器方向の構成断面
図

【図３】本発明の半導体レーザの共振器方向に垂直な構
成断面図

【図４】本発明の半導体レーザの共振器方向の構成断面
図

【図５】分布帰還型レーザの発振波長の特性図

【図６】本発明の半導体レーザの共振器方向に垂直な構
成断面図

【図７】本発明の半導体レーザの共振器方向の構成断面
図

【図８】本発明の半導体レーザの製造工程斜視図

【図９】本発明の半導体レーザの製造工程斜視図

【図１０】本発明の半導体レーザの共振器方向に垂直な
構成断面図

【図１１】本発明の半導体レーザの共振器方向の構成断
面図

【図１２】従来の半導体レーザの共振器方向に垂直な構
成断面図

【図１３】従来の半導体レーザの共振器方向の構成断面
図

【図１４】従来の半導体レーザの共振器方向の構成断面
図

【図１５】本発明の半導体レーザの共振器方向に垂直な
構成断面図

【図１６】本発明の光通信システムの構成図

【符号の説明】

１ InP基板２回折格子３導波路層４井戸層５障壁層６導波路７活性層ストライプ８電流注入層９電流狭窄層１０コンタクト層１１ｐ電極１２ｎ電極１３エッチングストップ層１４光吸収領域１５高屈折率領域１６クラッド層１７絶縁膜マスク１８電流阻止層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、前記基板上に形成した回折格子
と、前記基板上に成長した導波路層と、活性層とを備
え、前記回折格子が前記活性層ストライプの上下部には
形成されていないことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】回折格子上に成長し、基板よりも屈折率の
高い層を有することを特徴とする請求項１に記載の半導
体レーザ。
【請求項３】基板と、前記基板上に形成した回折格子
と、前記基板上に成長した導波路層と、活性層とを備
え、前記回折格子のピッチと、前記活性層ストライプ部
以外の導波路層の実効屈折率から計算されるＤＦＢ波長
とレーザの利得ピーク波長との差が２０nm以内とし、前
記回折格子のピッチと活性層ストライプ上下部の導波路
層の実効屈折率から計算されるＤＦＢ波長とレーザの利
得ピーク波長との差が２５nm以上とすることを特徴とす
る半導体レーザ。
【請求項４】導波路層の内部に、前記導波路層とはエッ
チングスピードの異なる層を挟んだことを特徴とする請
求項１、２または３に記載の半導体レーザ。
【請求項５】基板上の活性層ストライプを形成する部分
以外に回折格子を形成する工程と、前記回折格子上に導
波路層と、井戸層と障壁層よりなる量子井戸活性層とを
成長する工程と、前記導波路層の一部までストライプ状
にエッチング除去する工程と、前記ストライプを埋め込
み成長する工程とを有することを特徴とする半導体レー
ザの製造方法。
【請求項６】基板上に回折格子を形成し、活性層ストラ
イプを形成する部分の回折格子を除去する工程を有する
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザの製造
方法。
【請求項７】基板上に回折格子を形成する工程と、第１
の導波路層、エッチングストップ層、第２の導波路層、
井戸層と障壁層よりなる量子井戸活性層とを成長する工
程と、前記第２の導波路層までストライプ状にエッチン
グ除去してエッチングストップ層でエッチングをストッ
プする工程と、前記ストライプを埋め込み成長する工程
とを有することを特徴とした半導体レーザの製造方法。
【請求項８】基板上に回折格子を形成する工程と、活性
層ストライプを形成する以外の部分をマスクする工程
と、マスク以外の部分の回折格子を除去する工程と、マ
スク以外の部分に導波路層と、井戸層と障壁層よりなる
量子井戸活性層とを選択的に成長する工程と、前記スト
ライプを埋め込み成長する工程とを有することを特徴と
する半導体レーザの製造方法。
【請求項９】基板と、活性層下部以外に形成された回折
格子と、前記回折格子の凹領域形成された発振光の波長
を吸収する吸収領域と、基板上の量子井戸活性層とを備
え、前記活性層下部には回折格子が形成されていないこ
とを特徴とする半導体レーザ。
【請求項１０】基板と、回折格子と、回折格子の凹領域
形成された発振光の波長を吸収する吸収層と、前記基板
上に形成した量子井戸活性層とを備え、前記回折格子の
ピッチと活性層以外の層の実効屈折率から計算されるＤ
ＦＢ波長とレーザの利得ピーク波長との差が２０nm以内
とし、前記回折格子のピッチと活性層の実効屈折率から
計算されるＤＦＢ波長とレーザの利得ピーク波長との差
が２５nm以上とすることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項１１】基板上の活性層ストライプを形成する部
分以外に回折格子を形成する工程と、結晶成長前にホス
フィンとアルシンの混合雰囲気で昇温する工程と、導波
路層、井戸層と障壁層よりなる量子井戸活性層とを成長
する工程と、前記活性層をストライプ状にエッチング除
去する工程と、前記ストライプを埋め込み成長する工程
とを有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
【請求項１２】活性層下部に回折格子を形成せず、前記
活性層ストライプの少なくとも一方の側に形成した回折
格子により、狭線幅および低チャープ特性を示すことを
特徴とする半導体レーザ。
【請求項１３】活性層ストライプの少なくとも一方に形
成された回折格子で発振し、活性層下部に形成した回折
格子では発振しないような波長に回折格子の周期を設定
したことにより、狭線幅および低チャープ特性を示すこ
とを特徴とする半導体レーザ。
【請求項１４】活性層下部に吸収型回折格子を形成せ
ず、前記活性層ストライプの少なくとも一方の側に形成
した吸収型回折格子により、屈折率結合を示さないこと
を特徴とする利得結合半導体レーザ。
【請求項１５】活性層の少なくとも一方の側に形成した
吸収型回折格子で発振し、前記活性層下部に形成した回
折格子では発振しないような波長に回折格子の周期を設
定したことにより、屈折率結合を示さないことを特徴と
する利得結合半導体レーザ。
【請求項１６】請求項１〜１５のいずれかに記載の半導
体レーザを光源として用いることを特徴とする光通信シ
ステム。