JPH1093381A - 弾性表面波装置 - Google Patents
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳＡＷチップのアース側電極とパッケージ材
のアース電極との間に存在する残留インダクタンスの影
響及びパッケージ材のアース電極における残留インダク
タンスの影響を低減して通過帯域外減衰量の増大を図る
ことができる小型かつ安価な弾性表面波装置を得る。 【解決手段】 表面波基板１０上に第１，第２の縦結合
型共振子フィルタ１１，１２を構成してなり、各縦結合
型共振子フィルタにおいて、中央のＩＤＴ１６または２
３の両側に配置された反射器に隣接するＩＤＴ１７，１
８，２４，２５のグランド側電極が、少なくとも２本の
ボンディングワイヤー３４ｄ，３４ｅまたは３４ｇ，３
４ｈにより、パッケージの同一層内に形成された異なる
グランド電極３３Ａ，３３Ｇまたは３３Ｃ，３３Ｄに接
続されている弾性表面波装置。
のアース電極との間に存在する残留インダクタンスの影
響及びパッケージ材のアース電極における残留インダク
タンスの影響を低減して通過帯域外減衰量の増大を図る
ことができる小型かつ安価な弾性表面波装置を得る。 【解決手段】 表面波基板１０上に第１，第２の縦結合
型共振子フィルタ１１，１２を構成してなり、各縦結合
型共振子フィルタにおいて、中央のＩＤＴ１６または２
３の両側に配置された反射器に隣接するＩＤＴ１７，１
８，２４，２５のグランド側電極が、少なくとも２本の
ボンディングワイヤー３４ｄ，３４ｅまたは３４ｇ，３
４ｈにより、パッケージの同一層内に形成された異なる
グランド電極３３Ａ，３３Ｇまたは３３Ｃ，３３Ｄに接
続されている弾性表面波装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波装置に
関し、特に、ＳＡＷチップを多層基板を用いたパッケー
ジに収納してなる弾性表面波装置に関する。
関し、特に、ＳＡＷチップを多層基板を用いたパッケー
ジに収納してなる弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、弾性表面波装置においては、ＳＡ
Ｗチップを収納するためのパッケージング材として金属
製のハーメチックシールケースが用いられていた。しか
しながら、ハーメチックシールケースを用いた弾性表面
波装置では、ハーメチックシールケースからリード端子
が引き出されている構成を有するため、そのままでは表
面実装ができなかった。
Ｗチップを収納するためのパッケージング材として金属
製のハーメチックシールケースが用いられていた。しか
しながら、ハーメチックシールケースを用いた弾性表面
波装置では、ハーメチックシールケースからリード端子
が引き出されている構成を有するため、そのままでは表
面実装ができなかった。
【０００３】そこで、表面実装を可能とするために、パ
ッケージ材の一部に多層基板を用いた弾性表面波フィル
タ装置が提案されている（例えば、特開平４−２６３５
０９号公報など）。
ッケージ材の一部に多層基板を用いた弾性表面波フィル
タ装置が提案されている（例えば、特開平４−２６３５
０９号公報など）。
【０００４】従来のＳＡＷフィルタチップをパッケージ
内に収納してなるＳＡＷ装置では、配線作業の簡略化を
果たすために、入力側及び出力側インターデジタルトラ
ンスデューサ（ＩＤＴ）のアース側電極は、パッケージ
材のアース電極に共通接続されていた。
内に収納してなるＳＡＷ装置では、配線作業の簡略化を
果たすために、入力側及び出力側インターデジタルトラ
ンスデューサ（ＩＤＴ）のアース側電極は、パッケージ
材のアース電極に共通接続されていた。
【０００５】しかしながら、上記のような構成では、十
分な通過帯域外減衰量が得られなかった。これを、図１
を参照して説明する。図１は、従来の弾性表面波装置に
おけるボンディングワイヤー及びパッケージ材に形成さ
れたアース電極によるインダクタンスの影響を説明する
ための略図的等価回路図である。ＳＡＷフィルタチップ
１が、入力端２と出力端３との間に接続されている。入
力端２と、ＳＡＷフィルタチップ１との間には、パッケ
ージ材に形成された入力電極によるインダクタンスＬ1
と、パッケージ材の入力電極とＳＡＷフィルタチップ１
の入力側ＩＤＴのホット側電極とに接続されたボンディ
ングワイヤーのインダクタンスＬ2 とが構成される。他
方、ＳＡＷフィルタチップ１と、出力端３との間には、
ＳＡＷフィルタチップ１の出力側ＩＤＴのホット側電極
とパッケージ材に形成された出力側電極とを接続してい
るボンディングワイヤーのインダクタンスＬ3 と、該出
力電極のインダクタンスＬ4 とが存在する。
分な通過帯域外減衰量が得られなかった。これを、図１
を参照して説明する。図１は、従来の弾性表面波装置に
おけるボンディングワイヤー及びパッケージ材に形成さ
れたアース電極によるインダクタンスの影響を説明する
ための略図的等価回路図である。ＳＡＷフィルタチップ
１が、入力端２と出力端３との間に接続されている。入
力端２と、ＳＡＷフィルタチップ１との間には、パッケ
ージ材に形成された入力電極によるインダクタンスＬ1
と、パッケージ材の入力電極とＳＡＷフィルタチップ１
の入力側ＩＤＴのホット側電極とに接続されたボンディ
ングワイヤーのインダクタンスＬ2 とが構成される。他
方、ＳＡＷフィルタチップ１と、出力端３との間には、
ＳＡＷフィルタチップ１の出力側ＩＤＴのホット側電極
とパッケージ材に形成された出力側電極とを接続してい
るボンディングワイヤーのインダクタンスＬ3 と、該出
力電極のインダクタンスＬ4 とが存在する。
【０００６】他方、アース側については、実装に際して
の端子数を減らして実装作業を容易とするために、入力
側ＩＤＴ及び出力側ＩＤＴのアース側電極は、パッケー
ジ材の同一アースパターンに共通接続されていた。すな
わち、ＳＡＷフィルタチップ１の入力側ＩＤＴのアース
側電極が、パッケージ材のアースパターンにボンディン
グワイヤーにより接続されており、該ボンディングワイ
ヤーによるインダクタンスＬ5 が入力側ＩＤＴのアース
側電極とパッケージ材のアースパターンとの間に挿入さ
れていた。同様に、出力側ＩＤＴのアース側電極と、パ
ッケージ材の上記アースパターンとの間のボンディング
ワイヤーによりインダクタンスＬ6 が構成されていた。
インダクタンスＬ7 は、パッケージ材に形成されたアー
スパターンのインダクタンス分である。
の端子数を減らして実装作業を容易とするために、入力
側ＩＤＴ及び出力側ＩＤＴのアース側電極は、パッケー
ジ材の同一アースパターンに共通接続されていた。すな
わち、ＳＡＷフィルタチップ１の入力側ＩＤＴのアース
側電極が、パッケージ材のアースパターンにボンディン
グワイヤーにより接続されており、該ボンディングワイ
ヤーによるインダクタンスＬ5 が入力側ＩＤＴのアース
側電極とパッケージ材のアースパターンとの間に挿入さ
れていた。同様に、出力側ＩＤＴのアース側電極と、パ
ッケージ材の上記アースパターンとの間のボンディング
ワイヤーによりインダクタンスＬ6 が構成されていた。
インダクタンスＬ7 は、パッケージ材に形成されたアー
スパターンのインダクタンス分である。
【０００７】上述した従来の弾性表面波装置では、アー
ス側における上記ボンディングワイヤーによるインダク
タンスＬ5 ，Ｌ6 及びパッケージ材に形成されたアース
パターンのインダクタンスＬ7 の影響により通過帯域外
の減衰量が十分に大きくならなかった。
ス側における上記ボンディングワイヤーによるインダク
タンスＬ5 ，Ｌ6 及びパッケージ材に形成されたアース
パターンのインダクタンスＬ7 の影響により通過帯域外
の減衰量が十分に大きくならなかった。
【０００８】そこで、特開平４−２６３５０９号公報に
記載の弾性表面波装置では、多層基板を用いたパッケー
ジ材にＳＡＷフィルタチップを収納してなる構成におい
て、ＳＡＷフィルタチップの入力側ＩＤＴのアース側電
極及び出力側ＩＤＴのアース側電極を、パッケージ材に
おいて異なる層上に形成されたアースパターンに接続す
ることにより、通過帯域外減衰量の増大が図られてい
る。すなわち、図２に示すように、この先行技術に記載
の弾性表面波装置では、ＳＡＷフィルタチップ１の入力
側ＩＤＴのアース側電極と、出力側ＩＤＴのアース側電
極とが、パッケージ材に形成された異なるアース電極に
電気的に接続されている。
記載の弾性表面波装置では、多層基板を用いたパッケー
ジ材にＳＡＷフィルタチップを収納してなる構成におい
て、ＳＡＷフィルタチップの入力側ＩＤＴのアース側電
極及び出力側ＩＤＴのアース側電極を、パッケージ材に
おいて異なる層上に形成されたアースパターンに接続す
ることにより、通過帯域外減衰量の増大が図られてい
る。すなわち、図２に示すように、この先行技術に記載
の弾性表面波装置では、ＳＡＷフィルタチップ１の入力
側ＩＤＴのアース側電極と、出力側ＩＤＴのアース側電
極とが、パッケージ材に形成された異なるアース電極に
電気的に接続されている。
【０００９】入力側では、ＩＤＴのアース側電極とアー
ス電位との間に、ボンディングワイヤーによるインダク
タンスＬ8 と、パッケージに構成された第１のアース電
極による残留インダクタンスＬ9 とが挿入されている。
他方、出力側においては、ＩＤＴのアース側電極と、ア
ース電位との間に、ボンディングワイヤーによるインダ
クタンスＬ10と、パッケージ材に形成された第２のアー
ス電極によるインダクタンスＬ11とが挿入されている。
ス電位との間に、ボンディングワイヤーによるインダク
タンスＬ8 と、パッケージに構成された第１のアース電
極による残留インダクタンスＬ9 とが挿入されている。
他方、出力側においては、ＩＤＴのアース側電極と、ア
ース電位との間に、ボンディングワイヤーによるインダ
クタンスＬ10と、パッケージ材に形成された第２のアー
ス電極によるインダクタンスＬ11とが挿入されている。
【００１０】このように、入力側と出力側においてアー
ス電位との間の上記インダクタンスを完全に分離するこ
とにより、通過帯域外減衰量の劣化が抑制される旨が記
載されている。
ス電位との間の上記インダクタンスを完全に分離するこ
とにより、通過帯域外減衰量の劣化が抑制される旨が記
載されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】近年、弾性表面波装置
の高機能化が進み、例えば、１つのパッケージに異なる
通過帯域特性を有する複数のＳＡＷフィルタを収納して
なる弾性表面波装置が提案されている。このような構成
において、複数のＳＡＷフィルタの入出力側のアース電
極を全て独立して引出し、パッケージに形成された各ア
ース電極に接続しようとすると、弾性表面波装置が大型
にならざるを得なくなる。
の高機能化が進み、例えば、１つのパッケージに異なる
通過帯域特性を有する複数のＳＡＷフィルタを収納して
なる弾性表面波装置が提案されている。このような構成
において、複数のＳＡＷフィルタの入出力側のアース電
極を全て独立して引出し、パッケージに形成された各ア
ース電極に接続しようとすると、弾性表面波装置が大型
にならざるを得なくなる。
【００１２】また、弾性表面波装置全体の寸法を小さく
しようとした場合、各ＳＡＷフィルタチップの入出力側
のアース電極をパッケージ材に形成された各アース電極
に個別に接続しようとすると、非常に微細な電極を形成
しなければならず、かつボンディングワイヤーによる接
続作業も非常に煩雑となり、コストが非常に高くつくだ
けでなく、良品率が低下するおそれもあった。
しようとした場合、各ＳＡＷフィルタチップの入出力側
のアース電極をパッケージ材に形成された各アース電極
に個別に接続しようとすると、非常に微細な電極を形成
しなければならず、かつボンディングワイヤーによる接
続作業も非常に煩雑となり、コストが非常に高くつくだ
けでなく、良品率が低下するおそれもあった。
【００１３】加えて、ＳＡＷフィルタの高周波数化が進
むに連れ、単に入力側のアース電極と、出力側のアース
電極とを独立させただけでは、残留インダクタンスの影
響が大きく、ノイズを抑制することが困難になるという
問題があった。
むに連れ、単に入力側のアース電極と、出力側のアース
電極とを独立させただけでは、残留インダクタンスの影
響が大きく、ノイズを抑制することが困難になるという
問題があった。
【００１４】また、独立したアース電極をパッケージ材
に多数形成すると、パッケージのケースアースを外部に
引き出す経路が少なくなり、逆にケースアースが不十分
となり、弾性表面波装置のノイズが大きくなるという問
題もあった。
に多数形成すると、パッケージのケースアースを外部に
引き出す経路が少なくなり、逆にケースアースが不十分
となり、弾性表面波装置のノイズが大きくなるという問
題もあった。
【００１５】本発明の目的は、ＳＡＷチップのアース側
電極とパッケージ材のアース電極との間に存在する残留
インダクタンスの影響を低減して通過帯域外減衰量の増
大を図ることができ、特に高周波数側における通過帯域
外減衰量の劣化を抑制することができ、さらに小型かつ
安価な弾性表面波装置を提供することにある。
電極とパッケージ材のアース電極との間に存在する残留
インダクタンスの影響を低減して通過帯域外減衰量の増
大を図ることができ、特に高周波数側における通過帯域
外減衰量の劣化を抑制することができ、さらに小型かつ
安価な弾性表面波装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、表面波基板と、前記表面波基板に構成された３個の
インターデジタルトランスデューサと、前記３個のイン
ターデジタルトランスデューサが形成されている領域の
両側に形成された一対の反射器とを有する縦結合型共振
子フィルタチップが複数のグランド電極を有する多層パ
ッケージ内に収納されてなる弾性表面波装置において、
前記反射器に隣接する両側のインターデジタルトランス
デューサのグランド側電極が、少なくとも２本のボンデ
ィングワイヤーにより、パッケージの同一層内に形成さ
れた少なくとも２個の異なるグランド電極に接続されて
いることを特徴とする、弾性表面波装置である。
は、表面波基板と、前記表面波基板に構成された３個の
インターデジタルトランスデューサと、前記３個のイン
ターデジタルトランスデューサが形成されている領域の
両側に形成された一対の反射器とを有する縦結合型共振
子フィルタチップが複数のグランド電極を有する多層パ
ッケージ内に収納されてなる弾性表面波装置において、
前記反射器に隣接する両側のインターデジタルトランス
デューサのグランド側電極が、少なくとも２本のボンデ
ィングワイヤーにより、パッケージの同一層内に形成さ
れた少なくとも２個の異なるグランド電極に接続されて
いることを特徴とする、弾性表面波装置である。
【００１７】本発明の弾性表面波装置では、反射器に隣
接する両側のＩＤＴのグランド側電極が、少なくとも２
本のボンディングワイヤーにより、パッケージ側の同一
層内に形成された少なくとも２個の異なるグランド電極
に接続されている。すなわち、入力側または出力側を構
成する上記反射器に隣接する両側のＩＤＴのグランド側
電極が、少なくとも２本のボンディングワイヤーによ
り、パッケージに形成された２個の異なるグランド電極
に電気的に接続されていることを特徴とし、それによっ
て、縦結合型共振子フィルタチップのグランド電位に接
続される部分から外部のグランド電位に接続するパッケ
ージ部分に至るまでのグランド経路を増大させることに
より、アース側の残留インダクタンスの影響を低減し、
通過帯域外減衰量の増大、特に通過帯域の高周波数側に
おける帯域外減衰量の劣化を抑制したことに特徴を有す
る。
接する両側のＩＤＴのグランド側電極が、少なくとも２
本のボンディングワイヤーにより、パッケージ側の同一
層内に形成された少なくとも２個の異なるグランド電極
に接続されている。すなわち、入力側または出力側を構
成する上記反射器に隣接する両側のＩＤＴのグランド側
電極が、少なくとも２本のボンディングワイヤーによ
り、パッケージに形成された２個の異なるグランド電極
に電気的に接続されていることを特徴とし、それによっ
て、縦結合型共振子フィルタチップのグランド電位に接
続される部分から外部のグランド電位に接続するパッケ
ージ部分に至るまでのグランド経路を増大させることに
より、アース側の残留インダクタンスの影響を低減し、
通過帯域外減衰量の増大、特に通過帯域の高周波数側に
おける帯域外減衰量の劣化を抑制したことに特徴を有す
る。
【００１８】本発明において、上記少なくとも２本のボ
ンディングワイヤーは、反射器に隣接する両側のＩＤＴ
のグランド側電極に接続されるものであるが、この場
合、請求項２に記載のように、少なくとも２本のボンデ
ィングワイヤーは、両側のＩＤＴのうち一方のＩＤＴの
グランド側電極に接続されていてもよい。あるいは、上
記少なくとも２本のボンディングワイヤーは、反射器に
隣接するＩＤＴのうち一方のＩＤＴに接続された第１の
ボンディングワイヤーと、他方のＩＤＴのグランド側電
極に接続された第２のボンディングワイヤーとを有する
ものであってもよい。
ンディングワイヤーは、反射器に隣接する両側のＩＤＴ
のグランド側電極に接続されるものであるが、この場
合、請求項２に記載のように、少なくとも２本のボンデ
ィングワイヤーは、両側のＩＤＴのうち一方のＩＤＴの
グランド側電極に接続されていてもよい。あるいは、上
記少なくとも２本のボンディングワイヤーは、反射器に
隣接するＩＤＴのうち一方のＩＤＴに接続された第１の
ボンディングワイヤーと、他方のＩＤＴのグランド側電
極に接続された第２のボンディングワイヤーとを有する
ものであってもよい。
【００１９】また、本発明の好ましい局面では、上記少
なくとも２本のボンディングワイヤーに加えて、反射器
に隣接する一方のＩＤＴのグランド側電極に接続される
第３のボンディングワイヤーがさらに備えられ、上記少
なくとも２本のボンディングワイヤーのうちの１本のボ
ンディングワイヤーが、上記第３のボンディングワイヤ
ーが接続されているパッケージのグランド電極に接続さ
れている。
なくとも２本のボンディングワイヤーに加えて、反射器
に隣接する一方のＩＤＴのグランド側電極に接続される
第３のボンディングワイヤーがさらに備えられ、上記少
なくとも２本のボンディングワイヤーのうちの１本のボ
ンディングワイヤーが、上記第３のボンディングワイヤ
ーが接続されているパッケージのグランド電極に接続さ
れている。
【００２０】この場合には、第３のボンディングワイヤ
ーが接続されているＩＤＴのグランド側電極と、第３の
ボンディングワイヤーが接続されているパッケージのグ
ランド電極とが、上記第３のボンディングワイヤーだけ
でなく、少なくとも２本のボンディングワイヤーのうち
の１本の上記ボンディングワイヤーによっても接続され
ることになり、それによって第３のボンディングワイヤ
ーが接続されているＩＤＴのグランド側電極とパッケー
ジのグランド電極との間のグランド経路が大きくなる。
従って、通過帯域外減衰量、特に高周波数側における通
過帯域外減衰量の劣化をより効果的に抑制することがで
きる。
ーが接続されているＩＤＴのグランド側電極と、第３の
ボンディングワイヤーが接続されているパッケージのグ
ランド電極とが、上記第３のボンディングワイヤーだけ
でなく、少なくとも２本のボンディングワイヤーのうち
の１本の上記ボンディングワイヤーによっても接続され
ることになり、それによって第３のボンディングワイヤ
ーが接続されているＩＤＴのグランド側電極とパッケー
ジのグランド電極との間のグランド経路が大きくなる。
従って、通過帯域外減衰量、特に高周波数側における通
過帯域外減衰量の劣化をより効果的に抑制することがで
きる。
【００２１】また、本発明の別の好ましい局面では、請
求項４に記載のように、上記少なくとも２本のボンディ
ングワイヤー、並びに必要に応じて上記第３のボンディ
ングワイヤーに加えて、中央のＩＤＴのグランド側電極
に接続される第４のボンディングワイヤーがさらに備え
られる。この場合、少なくとも２本のボンディングワイ
ヤーのうちの１本のボンディングワイヤーが、第４のボ
ンディングワイヤーが接続されているパッケージ側のグ
ランド電極に電気的に接続される。
求項４に記載のように、上記少なくとも２本のボンディ
ングワイヤー、並びに必要に応じて上記第３のボンディ
ングワイヤーに加えて、中央のＩＤＴのグランド側電極
に接続される第４のボンディングワイヤーがさらに備え
られる。この場合、少なくとも２本のボンディングワイ
ヤーのうちの１本のボンディングワイヤーが、第４のボ
ンディングワイヤーが接続されているパッケージ側のグ
ランド電極に電気的に接続される。
【００２２】第４のボンディングワイヤーにより、中央
のＩＤＴのグランド側電極と、パッケージ側のグランド
電極とが電気的に接続され、かつ少なくとも２本の上記
ボンディングワイヤーのうちの１本のボンディングワイ
ヤーが、第４のボンディングワイヤーに接続されている
パッケージ側のグランド電極に電気的に接続されるの
で、パッケージのケースアースを外部に引き出す経路が
より一層増大され、従って、通過帯域外減衰量、特に高
周波数側における通過帯域外の減衰量の劣化をより一層
効果的に抑制することができる。
のＩＤＴのグランド側電極と、パッケージ側のグランド
電極とが電気的に接続され、かつ少なくとも２本の上記
ボンディングワイヤーのうちの１本のボンディングワイ
ヤーが、第４のボンディングワイヤーに接続されている
パッケージ側のグランド電極に電気的に接続されるの
で、パッケージのケースアースを外部に引き出す経路が
より一層増大され、従って、通過帯域外減衰量、特に高
周波数側における通過帯域外の減衰量の劣化をより一層
効果的に抑制することができる。
【００２３】本発明のある特定的な局面では、上記縦結
合型共振子フィルタは、異なる通過帯域周波数特性を有
する２個の縦結合型共振子フィルタを有し、該２個の縦
結合型共振子フィルタの入力または出力が並列接続さ
れ、それぞれのグランド電極がボンディングワイヤーに
よりパッケージの同一層内で独立したグランド電極に接
続されている。このように、本発明にかかる弾性表面波
装置は、２個の縦結合型共振子フィルタを接続してなる
２段型の弾性表面波フィルタ装置に適用することがで
き、このような弾性表面波フィルタ装置における入出力
のアースを外部に引き出すパターンをある程度簡略化す
ることができ、かつケースアースの経路を増大させるこ
とにより、通過帯域外減衰量の劣化を抑制することが可
能とされている。
合型共振子フィルタは、異なる通過帯域周波数特性を有
する２個の縦結合型共振子フィルタを有し、該２個の縦
結合型共振子フィルタの入力または出力が並列接続さ
れ、それぞれのグランド電極がボンディングワイヤーに
よりパッケージの同一層内で独立したグランド電極に接
続されている。このように、本発明にかかる弾性表面波
装置は、２個の縦結合型共振子フィルタを接続してなる
２段型の弾性表面波フィルタ装置に適用することがで
き、このような弾性表面波フィルタ装置における入出力
のアースを外部に引き出すパターンをある程度簡略化す
ることができ、かつケースアースの経路を増大させるこ
とにより、通過帯域外減衰量の劣化を抑制することが可
能とされている。
【００２４】なお、上記２個の縦結合型共振子フィルタ
を用いた弾性表面波装置では、好ましくは、パッケージ
内に形成されたグランド電極が、パッケージ表面に形成
された少なくとも３個の外部電極にそれぞれ電気的に接
続され、それによってケースアースがより一層確実に確
保される。
を用いた弾性表面波装置では、好ましくは、パッケージ
内に形成されたグランド電極が、パッケージ表面に形成
された少なくとも３個の外部電極にそれぞれ電気的に接
続され、それによってケースアースがより一層確実に確
保される。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
弾性表面波装置の実施例を説明する。第１の実施例 図３は、本発明の一実施例にかかる弾性表面波装置の電
気的接続構造を説明するための模式的平面図であり、図
４は該弾性表面波装置の縦断面図である。
弾性表面波装置の実施例を説明する。第１の実施例 図３は、本発明の一実施例にかかる弾性表面波装置の電
気的接続構造を説明するための模式的平面図であり、図
４は該弾性表面波装置の縦断面図である。
【００２６】図３において、本実施例の弾性表面波装置
は、異なる通過帯域特性を有する第１，第２の縦結合型
共振子フィルタ１１，１２を有する。第１，第２の縦結
合型共振子フィルタ１１，１２は、表面波基板１３上に
後述の種々の電極を形成することにより構成されてお
り、全体として単一のＳＡＷフィルタチップ１０を構成
している。
は、異なる通過帯域特性を有する第１，第２の縦結合型
共振子フィルタ１１，１２を有する。第１，第２の縦結
合型共振子フィルタ１１，１２は、表面波基板１３上に
後述の種々の電極を形成することにより構成されてお
り、全体として単一のＳＡＷフィルタチップ１０を構成
している。
【００２７】表面波基板１３は、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮ
ｂＯ3 もしくは水晶などの圧電単結晶またはチタン酸ジ
ルコン酸鉛系圧電セラミックスのような圧電セラミック
スなどの圧電性材料よりなる基板で構成されている。も
っとも、表面波基板１０は、アルミナなどの絶縁性基板
上にＺｎＯなどの圧電薄膜を形成したものであってもよ
く、その場合には後述の各種電極は、圧電薄膜に接する
ように、すなわち、圧電薄膜上に、あるいは圧電薄膜と
絶縁性基板との間に形成される。
ｂＯ3 もしくは水晶などの圧電単結晶またはチタン酸ジ
ルコン酸鉛系圧電セラミックスのような圧電セラミック
スなどの圧電性材料よりなる基板で構成されている。も
っとも、表面波基板１０は、アルミナなどの絶縁性基板
上にＺｎＯなどの圧電薄膜を形成したものであってもよ
く、その場合には後述の各種電極は、圧電薄膜に接する
ように、すなわち、圧電薄膜上に、あるいは圧電薄膜と
絶縁性基板との間に形成される。
【００２８】なお、第１，第２の縦結合型共振子フィル
タ１１，１２は、それぞれ、第１の縦結合型共振子フィ
ルタの通過帯域が８６０〜８８５ＭＨｚ、第２の縦結合
型共振子フィルタの通過帯域は８１０〜８２８ＭＨｚと
なるように構成されているものである。
タ１１，１２は、それぞれ、第１の縦結合型共振子フィ
ルタの通過帯域が８６０〜８８５ＭＨｚ、第２の縦結合
型共振子フィルタの通過帯域は８１０〜８２８ＭＨｚと
なるように構成されているものである。
【００２９】次に、表面波基板１３に構成される各種電
極につき説明する。ＳＡＷフィルタチップ１０の中央に
は、入力電極１４が形成されている。入力電極１４に、
インピーダンス整合用のＩＤＴ１５を介して第１の縦結
合型共振子フィルタ１１の中央のＩＤＴ１６のホット側
電極が接続されている。
極につき説明する。ＳＡＷフィルタチップ１０の中央に
は、入力電極１４が形成されている。入力電極１４に、
インピーダンス整合用のＩＤＴ１５を介して第１の縦結
合型共振子フィルタ１１の中央のＩＤＴ１６のホット側
電極が接続されている。
【００３０】ＩＤＴ１６のアース側電極には、アース電
極ランド１６ａが接続されている。ＩＤＴ１６の両側に
は、ＩＤＴ１７，１８が形成されており、ＩＤＴ１６〜
１８が形成されている領域の表面波伝搬方向両側に反射
器１９ａ，１９ｂが配置されている。ＩＤＴ１７，１８
のホット側電極は、表面波基板１３上に形成された電極
パターンにより相互に電気的に接続されており、該電極
パターンの途中には、出力電極ランド２０ａが形成され
ている。
極ランド１６ａが接続されている。ＩＤＴ１６の両側に
は、ＩＤＴ１７，１８が形成されており、ＩＤＴ１６〜
１８が形成されている領域の表面波伝搬方向両側に反射
器１９ａ，１９ｂが配置されている。ＩＤＴ１７，１８
のホット側電極は、表面波基板１３上に形成された電極
パターンにより相互に電気的に接続されており、該電極
パターンの途中には、出力電極ランド２０ａが形成され
ている。
【００３１】ＩＤＴ１７，１８のホット側電極は、それ
ぞれ、アース電極ランド２０ｂ，２０ｃに電気的に接続
されている。なお、第１の縦結合型共振子フィルタ１１
においては、図３に示されているように、中央のＩＤＴ
１６のアース側電極及びアース電極ランド１６ａは、上
記ＩＤＴ１７，１８のホット側電極を共通接続している
電極パターン２０ｄにより囲まれている。
ぞれ、アース電極ランド２０ｂ，２０ｃに電気的に接続
されている。なお、第１の縦結合型共振子フィルタ１１
においては、図３に示されているように、中央のＩＤＴ
１６のアース側電極及びアース電極ランド１６ａは、上
記ＩＤＴ１７，１８のホット側電極を共通接続している
電極パターン２０ｄにより囲まれている。
【００３２】第２の縦結合型共振子フィルタ１２は、イ
ンピーダンス整合用共振子２１，２２を介して、入力電
極１４に電気的に接続されている。もっとも、縦結合型
共振子フィルタ１２では、中央のＩＤＴ２３が出力側Ｉ
ＤＴを構成しており、ＩＤＴ２３の両側に配置されたＩ
ＤＴ２４，２５が入力側ＩＤＴを構成している。ＩＤＴ
２３〜２５の表面波伝搬方向両側には反射器２６ａ，２
６ｂが形成されている。
ンピーダンス整合用共振子２１，２２を介して、入力電
極１４に電気的に接続されている。もっとも、縦結合型
共振子フィルタ１２では、中央のＩＤＴ２３が出力側Ｉ
ＤＴを構成しており、ＩＤＴ２３の両側に配置されたＩ
ＤＴ２４，２５が入力側ＩＤＴを構成している。ＩＤＴ
２３〜２５の表面波伝搬方向両側には反射器２６ａ，２
６ｂが形成されている。
【００３３】ＩＤＴ２３のホット側電極は、表面波基板
上に形成された出力電極ランド２７ａに電気的に接続さ
れている。ＩＤＴ２３のアース電位に接続される電極は
アース電極ランド２７ｂに接続されている。また、表面
波基板１０上に形成されたアース電極ランド２７ｃに、
両側のＩＤＴ２４，２５のアース側電極が共通接続され
ている。この場合、ＩＤＴ２４，２５のアース側電極を
共通接続する電極パターン２７ｄにより、上記出力電極
ランド２７ａが取り囲まれている。
上に形成された出力電極ランド２７ａに電気的に接続さ
れている。ＩＤＴ２３のアース電位に接続される電極は
アース電極ランド２７ｂに接続されている。また、表面
波基板１０上に形成されたアース電極ランド２７ｃに、
両側のＩＤＴ２４，２５のアース側電極が共通接続され
ている。この場合、ＩＤＴ２４，２５のアース側電極を
共通接続する電極パターン２７ｄにより、上記出力電極
ランド２７ａが取り囲まれている。
【００３４】また、ＩＤＴ２４，２５のホット側電極
は、共通接続されて、前述した入力電極１４に接続され
ている。この縦結合型共振子フィルタ１２の出力側にお
いては、前述したアース電極ランド２７ｂが、ＩＤＴ２
４，２５のホット側電極を接続している電極パターン２
７ｅにより取り囲まれている。
は、共通接続されて、前述した入力電極１４に接続され
ている。この縦結合型共振子フィルタ１２の出力側にお
いては、前述したアース電極ランド２７ｂが、ＩＤＴ２
４，２５のホット側電極を接続している電極パターン２
７ｅにより取り囲まれている。
【００３５】上記のように、ＳＡＷフィルタチップ１０
は、表面波基板１３上に上記各種電極を形成することに
より、入力電極１４と、出力電極ランド２０ａ，２７ａ
とを有する２段の共振子フィルタを構成している。
は、表面波基板１３上に上記各種電極を形成することに
より、入力電極１４と、出力電極ランド２０ａ，２７ａ
とを有する２段の共振子フィルタを構成している。
【００３６】本実施例の弾性表面波フィルタ装置では、
図４に示すように、上記ＳＡＷフィルタチップ１０がパ
ッケージ３０内に収納されている。パッケージ３０は、
多層基板よりなるパッケージ材３１と、金属よりなる蓋
材３２とを有する。パッケージ材３１は、例えば、セラ
ミック積層技術により構成されており、内部の複数の高
さ位置に、電極３１ａ〜３１ｃを有する。図４では略図
的に電極３１ａ〜３１ｃの高さ位置のみを示している
が、電極３１ａ〜３１ｃは、様々なパターンを有するよ
うに形成されている。また、電極３１ａはアースパター
ンであり、両端において外部電極３１ｄ，３１ｅに接続
されている。電極３１ｂは、後述の図３に示されている
電極３３Ａ〜３３Ｈの内、アース電極を示している。
図４に示すように、上記ＳＡＷフィルタチップ１０がパ
ッケージ３０内に収納されている。パッケージ３０は、
多層基板よりなるパッケージ材３１と、金属よりなる蓋
材３２とを有する。パッケージ材３１は、例えば、セラ
ミック積層技術により構成されており、内部の複数の高
さ位置に、電極３１ａ〜３１ｃを有する。図４では略図
的に電極３１ａ〜３１ｃの高さ位置のみを示している
が、電極３１ａ〜３１ｃは、様々なパターンを有するよ
うに形成されている。また、電極３１ａはアースパター
ンであり、両端において外部電極３１ｄ，３１ｅに接続
されている。電極３１ｂは、後述の図３に示されている
電極３３Ａ〜３３Ｈの内、アース電極を示している。
【００３７】図３に戻り、ＳＡＷフィルタチップ１０
と、パッケージ３０に構成されたアース電極とのボンデ
ィングワイヤーによる電気的接続構造を説明する。図３
のＳＡＷフィルタチップ１０の側方に示す電極３３Ａ〜
３３Ｈは、それぞれ、パッケージ材の同一層に形成され
た電極であり、電極３３Ｂが入力電極、電極３３Ｆ，３
３Ｈが出力電極、その他がアース電極３３Ａ，３３Ｃ，
３３Ｄ，３３Ｅ，３３Ｇである。
と、パッケージ３０に構成されたアース電極とのボンデ
ィングワイヤーによる電気的接続構造を説明する。図３
のＳＡＷフィルタチップ１０の側方に示す電極３３Ａ〜
３３Ｈは、それぞれ、パッケージ材の同一層に形成され
た電極であり、電極３３Ｂが入力電極、電極３３Ｆ，３
３Ｈが出力電極、その他がアース電極３３Ａ，３３Ｃ，
３３Ｄ，３３Ｅ，３３Ｇである。
【００３８】弾性表面波フィルタチップ１０の入力電極
１４は、パッケージ材に形成さた入力電極３３Ｂにボン
ディングワイヤー３４ａにより電気的に接続されてい
る。また、パッケージ材の出力電極３３Ｆには、出力電
極ランド２０ａがボンディングワイヤー３４ｂにより接
続されている。出力電極ランド３３Ｈは、ボンディング
ワイヤー３４ｃにより第２の縦結合型共振子フィルタ１
２の出力電極ランド２７ａに電気的に接続されている。
１４は、パッケージ材に形成さた入力電極３３Ｂにボン
ディングワイヤー３４ａにより電気的に接続されてい
る。また、パッケージ材の出力電極３３Ｆには、出力電
極ランド２０ａがボンディングワイヤー３４ｂにより接
続されている。出力電極ランド３３Ｈは、ボンディング
ワイヤー３４ｃにより第２の縦結合型共振子フィルタ１
２の出力電極ランド２７ａに電気的に接続されている。
【００３９】他方、第１の縦結合型共振子フィルタ１１
の反射器に隣接する両側のＩＤＴ１７，１８のうち、Ｉ
ＤＴ１７のアース側電極は上記アース電極ランド２０ｂ
に接続されているが、アース電極ランド２０ｂは、２本
のボンディングワイヤー３４ｄ，３４ｅによりアース電
極３３Ａ，３３Ｇに電気的に接続されている。さらに、
ＩＤＴ１８のアース側電極に接続されたアース電極ラン
ド２０ｃがボンディングワイヤー３４ｆによりアース電
極３３Ｇに接続されている。
の反射器に隣接する両側のＩＤＴ１７，１８のうち、Ｉ
ＤＴ１７のアース側電極は上記アース電極ランド２０ｂ
に接続されているが、アース電極ランド２０ｂは、２本
のボンディングワイヤー３４ｄ，３４ｅによりアース電
極３３Ａ，３３Ｇに電気的に接続されている。さらに、
ＩＤＴ１８のアース側電極に接続されたアース電極ラン
ド２０ｃがボンディングワイヤー３４ｆによりアース電
極３３Ｇに接続されている。
【００４０】すなわち、ＩＤＴ１７，１８のアース側電
極は、ボンディングワイヤー３４ｄ，３４ｅ，３４ｆに
よりパッケージ材に形成されたアース電極３３Ａまたは
３３Ｇに接続されているが、ここでは、ボンディングワ
イヤー３４ｄ，３４ｅが本発明における少なくとも２本
のボンディングワイヤーに相当し、従って、少なくとも
２本のボンディングワイヤー３４ｄ，３４ｅが、異なる
アース電極３３Ａ，３３Ｇに接続されている。また、第
３のボンディングワイヤー３４ｆが、さらにアース電極
ランド２０ｃと、アース電極３３Ｇに接続されている。
極は、ボンディングワイヤー３４ｄ，３４ｅ，３４ｆに
よりパッケージ材に形成されたアース電極３３Ａまたは
３３Ｇに接続されているが、ここでは、ボンディングワ
イヤー３４ｄ，３４ｅが本発明における少なくとも２本
のボンディングワイヤーに相当し、従って、少なくとも
２本のボンディングワイヤー３４ｄ，３４ｅが、異なる
アース電極３３Ａ，３３Ｇに接続されている。また、第
３のボンディングワイヤー３４ｆが、さらにアース電極
ランド２０ｃと、アース電極３３Ｇに接続されている。
【００４１】なお、中央のＩＤＴ１６のホット側電極に
接続されたアース電極ランド１６ａは、ボンディングワ
イヤー３４ｊによりアース電極３３Ｅに接続される。ア
ース電極３３Ａ，３３Ｂは、パッケージの異なる層に形
成されたアースパターンで電気的に接続されている。
接続されたアース電極ランド１６ａは、ボンディングワ
イヤー３４ｊによりアース電極３３Ｅに接続される。ア
ース電極３３Ａ，３３Ｂは、パッケージの異なる層に形
成されたアースパターンで電気的に接続されている。
【００４２】他方、第２の縦結合型共振子フィルタ１２
では、反射器に隣接するＩＤＴ２４，２５のアース電位
に接続される電極はアース電極ランド２７ｃに接続され
ているが、アース電極ランド２７ｃは、ボンディングワ
イヤー３４ｇ，３４ｈによりアース電極３３Ｃ，３３Ｄ
に接続されている。すなわち、少なくとも２本のボンデ
ィングワイヤー３４ｇ，３４ｈが、異なるアース電極３
３Ｃ，３３Ｄに接続されている。さらに、第４のボンデ
ィングワイヤーとして、ボンディングワイヤー３４ｉが
アース電極ランド２７ｂとアース電極３３Ｃとの間に接
続されている。
では、反射器に隣接するＩＤＴ２４，２５のアース電位
に接続される電極はアース電極ランド２７ｃに接続され
ているが、アース電極ランド２７ｃは、ボンディングワ
イヤー３４ｇ，３４ｈによりアース電極３３Ｃ，３３Ｄ
に接続されている。すなわち、少なくとも２本のボンデ
ィングワイヤー３４ｇ，３４ｈが、異なるアース電極３
３Ｃ，３３Ｄに接続されている。さらに、第４のボンデ
ィングワイヤーとして、ボンディングワイヤー３４ｉが
アース電極ランド２７ｂとアース電極３３Ｃとの間に接
続されている。
【００４３】図５は、図３及び図４に示した本実施例の
弾性表面波フィルタ装置における第１の縦結合型共振子
フィルタ１１の通過帯域内外の周波数振幅特性を示し、
図６は第２の縦結合型共振子フィルタ１２における通過
帯域内外の周波数振幅特性を示す。
弾性表面波フィルタ装置における第１の縦結合型共振子
フィルタ１１の通過帯域内外の周波数振幅特性を示し、
図６は第２の縦結合型共振子フィルタ１２における通過
帯域内外の周波数振幅特性を示す。
【００４４】比較のために、図７に示す第１，第２の縦
結合型共振子フィルタ４１，４２が構成された弾性表面
波フィルタ装置における第１，第２の縦結合型共振子フ
ィルタ４１，４２の周波数振幅特性を、図８及び図９に
それぞれ示す。
結合型共振子フィルタ４１，４２が構成された弾性表面
波フィルタ装置における第１，第２の縦結合型共振子フ
ィルタ４１，４２の周波数振幅特性を、図８及び図９に
それぞれ示す。
【００４５】なお、図７に示す弾性表面波フィルタ装置
４０では、図３に示したボンディングワイヤー３４ｄ及
びボンディングワイヤー３４ｆが用いられていないこと
を除いては、図３に示した実施例と同様である。従っ
て、同一部分については、同一の参照番号を付すること
によりその説明は省略する。
４０では、図３に示したボンディングワイヤー３４ｄ及
びボンディングワイヤー３４ｆが用いられていないこと
を除いては、図３に示した実施例と同様である。従っ
て、同一部分については、同一の参照番号を付すること
によりその説明は省略する。
【００４６】従って、図７に示す弾性表面波フィルタ装
置４０では、第１，第２の縦結合型共振子フィルタの反
射器に隣接する両側のＩＤＴのアース側電極が、少なく
とも２本のボンディングワイヤーによりパッケージ材側
の異なるアース電極に接続されていなことを除いては、
上記実施例と同様である。
置４０では、第１，第２の縦結合型共振子フィルタの反
射器に隣接する両側のＩＤＴのアース側電極が、少なく
とも２本のボンディングワイヤーによりパッケージ材側
の異なるアース電極に接続されていなことを除いては、
上記実施例と同様である。
【００４７】図５及び図６は、それぞれ、図８及び図９
に示す特性と比較すれば明らかなように、実施例の弾性
表面波フィルタ装置では、図７に示した弾性表面波フィ
ルタ装置に比べて、第１及び第２の縦結合型共振子フィ
ルタの何れにおいても通過帯域外の減衰量、特に高周波
数側の減衰量を大きくし得ることがわかる。
に示す特性と比較すれば明らかなように、実施例の弾性
表面波フィルタ装置では、図７に示した弾性表面波フィ
ルタ装置に比べて、第１及び第２の縦結合型共振子フィ
ルタの何れにおいても通過帯域外の減衰量、特に高周波
数側の減衰量を大きくし得ることがわかる。
【００４８】また、図１０は、特開平４−２６３５０９
に記載されているように、縦結合型共振子フィルタの入
力側及び出力側において、アース端子をパッケージ材に
形成された異なるアース電極に独立に接続した場合の周
波数振幅特性を示す。比較を容易とするために、図１０
に示した特性を得るにあたっては、アース側電極のボン
ディングワイヤーによる接続を除いては図３に示した実
施例の第１の縦結合型共振子フィルタ１１と同様の構成
を作製した。
に記載されているように、縦結合型共振子フィルタの入
力側及び出力側において、アース端子をパッケージ材に
形成された異なるアース電極に独立に接続した場合の周
波数振幅特性を示す。比較を容易とするために、図１０
に示した特性を得るにあたっては、アース側電極のボン
ディングワイヤーによる接続を除いては図３に示した実
施例の第１の縦結合型共振子フィルタ１１と同様の構成
を作製した。
【００４９】図１０に示した周波数振幅特性を、図５及
び図８と比較すれば明らかなように、図１０に示した特
性では、図８に示した比較例の周波数振幅特性に比べて
通過帯域外減衰量が大きいことがわかるが、図５に示し
た実施例の周波数振幅特性によれば、通過帯域外減衰
量、特に高周波数側における通過帯域外減衰量をさらに
大きくし得ることがわかる。
び図８と比較すれば明らかなように、図１０に示した特
性では、図８に示した比較例の周波数振幅特性に比べて
通過帯域外減衰量が大きいことがわかるが、図５に示し
た実施例の周波数振幅特性によれば、通過帯域外減衰
量、特に高周波数側における通過帯域外減衰量をさらに
大きくし得ることがわかる。
【００５０】本実施例の弾性表面波フィルタ装置におい
て、上記のように通過帯域外減衰量を大きくし得るの
は、図１１に第１の縦結合型共振子フィルタ１１側の等
価回路を略図的に示すように、縦結合型共振子フィルタ
のアース端子からパッケージ側のアース電極に至る部分
の残留インダクタンス及びパッケージ内部から外部端子
へのアースパターンにおける残留インダクタンスの低
減、並びにアース経路の増加により、高周波数側におけ
る通過帯域外減衰量の劣化が抑制されているものと考え
られる。
て、上記のように通過帯域外減衰量を大きくし得るの
は、図１１に第１の縦結合型共振子フィルタ１１側の等
価回路を略図的に示すように、縦結合型共振子フィルタ
のアース端子からパッケージ側のアース電極に至る部分
の残留インダクタンス及びパッケージ内部から外部端子
へのアースパターンにおける残留インダクタンスの低
減、並びにアース経路の増加により、高周波数側におけ
る通過帯域外減衰量の劣化が抑制されているものと考え
られる。
【００５１】さらに、本実施例の弾性表面波フィルタ装
置では、第１，第２の縦結合型共振子フィルタ１１，１
２の中央のＩＤＴ１６，２３のアース側電極は、両側の
ＩＤＴ１７，１８またはＩＤＴ２４，２５のホット側電
極を共通接続する電極パターン２０ｄ，２７ｅにより囲
まれており、両者の間で寄生容量が発生する。この寄生
容量は小さいほうが望ましく、ＩＤＴ１６，２３のアー
ス側電極のホット側電極と対向する辺はできるだけ小さ
いことが好ましい。これに対して、外側のＩＤＴ１７，
１８及び２４，２５のアース側電極はホット側電極と対
向する辺を増加させずにその電極面積を大きくし得る。
従って、上記寄生容量の増加が小さいことがわかる。
置では、第１，第２の縦結合型共振子フィルタ１１，１
２の中央のＩＤＴ１６，２３のアース側電極は、両側の
ＩＤＴ１７，１８またはＩＤＴ２４，２５のホット側電
極を共通接続する電極パターン２０ｄ，２７ｅにより囲
まれており、両者の間で寄生容量が発生する。この寄生
容量は小さいほうが望ましく、ＩＤＴ１６，２３のアー
ス側電極のホット側電極と対向する辺はできるだけ小さ
いことが好ましい。これに対して、外側のＩＤＴ１７，
１８及び２４，２５のアース側電極はホット側電極と対
向する辺を増加させずにその電極面積を大きくし得る。
従って、上記寄生容量の増加が小さいことがわかる。
【００５２】一つの電極に接続されるボンディングワイ
ヤーの本数を増やす場合には、その電極面積を大きくす
る必要があるが、寄生容量の増加を抑えるには、外側を
ＩＤＴのアース側電極におけるボンディングワイヤーの
本数を増加させることが、望ましい。従って、本実施例
では、上記のように、外側のＩＤＴ１７，１８，２４，
２５のアース側電極に接続されるボンディングワイヤー
の数を増大させているため、上記寄生容量の増大を効果
的に抑制し得る。
ヤーの本数を増やす場合には、その電極面積を大きくす
る必要があるが、寄生容量の増加を抑えるには、外側を
ＩＤＴのアース側電極におけるボンディングワイヤーの
本数を増加させることが、望ましい。従って、本実施例
では、上記のように、外側のＩＤＴ１７，１８，２４，
２５のアース側電極に接続されるボンディングワイヤー
の数を増大させているため、上記寄生容量の増大を効果
的に抑制し得る。
【００５３】第２の実施例 図１２及び図１３は、本発明の第２の実施例にかかる弾
性表面波装置を説明するための断面図及び部分切欠平面
断面図である。
性表面波装置を説明するための断面図及び部分切欠平面
断面図である。
【００５４】本実施例の弾性表面波装置は、第１の実施
例にかかる弾性表面波装置と、パッケージに形成された
アースパターンを除いては同様に構成されている。すな
わち、図１２に示すように、パッケージ３０内には、第
１の実施例で説明したＳＡＷフィルタチップ１０が収納
されている。ＳＡＷフィルタチップ１０は、パッケージ
材３１のセラミック層３１ｅ上に形成されたアースパタ
ーン４１上に固定されている。アースパターン４１は、
図１３に示すように、セラミック層３１ｅの上面におい
て、セラミック層３１ｅよりは小さい面積の略矩形形状
に形成されている。アースパターン４１は、引出し部４
１ａ〜４１ｃにより、セラミック層３１ａの外周縁に引
き出されている。図１３では、引出し部４１ａ〜４１ｃ
は、セラミック層３１ｅの３辺に分散されて引き出され
ている。他方、パッケージ材３１の側面には、前述した
アース電極３３Ｃ，３３Ｅに電気的に接続されるよう
に、かつ上記アースパターン４１に電気的に接続される
ように外部電極４２，４３が形成されている。また、外
部電極４２，４３は、セラミック層３１ｇの上面におい
て金属よりなる蓋材３２に接合されている。
例にかかる弾性表面波装置と、パッケージに形成された
アースパターンを除いては同様に構成されている。すな
わち、図１２に示すように、パッケージ３０内には、第
１の実施例で説明したＳＡＷフィルタチップ１０が収納
されている。ＳＡＷフィルタチップ１０は、パッケージ
材３１のセラミック層３１ｅ上に形成されたアースパタ
ーン４１上に固定されている。アースパターン４１は、
図１３に示すように、セラミック層３１ｅの上面におい
て、セラミック層３１ｅよりは小さい面積の略矩形形状
に形成されている。アースパターン４１は、引出し部４
１ａ〜４１ｃにより、セラミック層３１ａの外周縁に引
き出されている。図１３では、引出し部４１ａ〜４１ｃ
は、セラミック層３１ｅの３辺に分散されて引き出され
ている。他方、パッケージ材３１の側面には、前述した
アース電極３３Ｃ，３３Ｅに電気的に接続されるよう
に、かつ上記アースパターン４１に電気的に接続される
ように外部電極４２，４３が形成されている。また、外
部電極４２，４３は、セラミック層３１ｇの上面におい
て金属よりなる蓋材３２に接合されている。
【００５５】特に図示はしないが、図３に示した他のア
ース電極３３Ａ，３３Ｄ，３３Ｅについても、アース電
極３３Ｃ，３３Ｇと同様に、外部電極４２，４３に電気
的に接続されている。
ース電極３３Ａ，３３Ｄ，３３Ｅについても、アース電
極３３Ｃ，３３Ｇと同様に、外部電極４２，４３に電気
的に接続されている。
【００５６】従って、第２の実施例にかかる弾性表面波
装置では、セラミックよりなるパッケージ材３１の内部
配線により、金属よりなる蓋材３２に電気的に接合され
るアースパターン４１が形成されており、かつアースパ
ターン４１が上記のように３か所で引き出されているの
で、ケースアースが十分な大きさとされる。本実施例の
弾性表面波装置の周波数振幅特性を図１４に示す。な
お、図１４は、本実施例の弾性表面波装置における第１
の縦結合型共振子フィルタの周波数振幅特性を示す。図
１３を、２か所でケースアースが引き出されている図５
に示した特性と比較すれば明らかなように、高周波数側
における通過帯域外減衰量をより一層大きくし得ること
がわかる。
装置では、セラミックよりなるパッケージ材３１の内部
配線により、金属よりなる蓋材３２に電気的に接合され
るアースパターン４１が形成されており、かつアースパ
ターン４１が上記のように３か所で引き出されているの
で、ケースアースが十分な大きさとされる。本実施例の
弾性表面波装置の周波数振幅特性を図１４に示す。な
お、図１４は、本実施例の弾性表面波装置における第１
の縦結合型共振子フィルタの周波数振幅特性を示す。図
１３を、２か所でケースアースが引き出されている図５
に示した特性と比較すれば明らかなように、高周波数側
における通過帯域外減衰量をより一層大きくし得ること
がわかる。
【００５７】なお、本実施例の第１のＳＡＷ共振子フィ
ルタの通過帯域は８６０〜８８５ＭＨｚである。
ルタの通過帯域は８６０〜８８５ＭＨｚである。
【００５８】
【発明の効果】請求項１に記載の発明にかかる弾性表面
波装置では、反射器に隣接する両側のＩＤＴのグランド
側電極が、少なくとも２本のボンディングワイヤーによ
り、パッケージの同一層内に形成された少なくとも２個
の異なるグランド電極に接続されているため、ＳＡＷフ
ィルタチップのアース端からパッケージのアース端子に
至る部分の残留インダクタンスを低減することができ、
かつパッケージ内からパッケージの外部端子に至るアー
ス経路が増加するため、高周波数側における通過帯域外
減衰量の劣化を抑制することができ、周波数振幅特性に
優れた弾性表面波装置を提供することが可能となる。
波装置では、反射器に隣接する両側のＩＤＴのグランド
側電極が、少なくとも２本のボンディングワイヤーによ
り、パッケージの同一層内に形成された少なくとも２個
の異なるグランド電極に接続されているため、ＳＡＷフ
ィルタチップのアース端からパッケージのアース端子に
至る部分の残留インダクタンスを低減することができ、
かつパッケージ内からパッケージの外部端子に至るアー
ス経路が増加するため、高周波数側における通過帯域外
減衰量の劣化を抑制することができ、周波数振幅特性に
優れた弾性表面波装置を提供することが可能となる。
【００５９】請求項３に記載の発明では、上記少なくと
も２本のボンディングワイヤーに加えて、反射器に隣接
する一方のＩＤＴのグランド側電極に第３のボンディン
グワイヤーが接続されており、少なくとも２本のボンデ
ィングワイヤーのうちの１本のボンディングワイヤーが
第３のボンディングワイヤーが接続されているパッケー
ジのグランド電極に接続されているので、グランド経路
の増大により、高周波数側における通過帯域外減衰量の
劣化をより効果的に抑制することができる。
も２本のボンディングワイヤーに加えて、反射器に隣接
する一方のＩＤＴのグランド側電極に第３のボンディン
グワイヤーが接続されており、少なくとも２本のボンデ
ィングワイヤーのうちの１本のボンディングワイヤーが
第３のボンディングワイヤーが接続されているパッケー
ジのグランド電極に接続されているので、グランド経路
の増大により、高周波数側における通過帯域外減衰量の
劣化をより効果的に抑制することができる。
【００６０】請求項４に記載の発明では、第４のボンデ
ィングワイヤーにより、中央のＩＤＴのグランド側電極
と、パッケージ側のグランド電極とが電気的に接続され
てかつ少なくとも２本の上記ボンディングワイヤーのう
ちの１本のボンディングワイヤーが、第４のボンディン
グワイヤーが接続されているパッケージ側のグランド電
極に接続されているので、グランド経路をより一層増大
することができ、従って、高周波数側における通過帯域
外減衰量の劣化をより一層効果的に抑制することができ
る。
ィングワイヤーにより、中央のＩＤＴのグランド側電極
と、パッケージ側のグランド電極とが電気的に接続され
てかつ少なくとも２本の上記ボンディングワイヤーのう
ちの１本のボンディングワイヤーが、第４のボンディン
グワイヤーが接続されているパッケージ側のグランド電
極に接続されているので、グランド経路をより一層増大
することができ、従って、高周波数側における通過帯域
外減衰量の劣化をより一層効果的に抑制することができ
る。
【００６１】請求項５に記載の発明によれば、２個の縦
結合型共振子フィルタを接続してなる２段型の弾性表面
波フィルタ装置を構成した場合であっても、弾性表面波
フィルタ装置における入出力のアースを外部に引き出す
パターンをある程度簡略化することができるだけでな
く、ケースアース経路を増大させることにより、通過帯
域外減衰量の劣化を抑制することが可能となる。
結合型共振子フィルタを接続してなる２段型の弾性表面
波フィルタ装置を構成した場合であっても、弾性表面波
フィルタ装置における入出力のアースを外部に引き出す
パターンをある程度簡略化することができるだけでな
く、ケースアース経路を増大させることにより、通過帯
域外減衰量の劣化を抑制することが可能となる。
【００６２】請求項６に記載の発明では、２個の縦結合
型共振子フィルタを用いた弾性表面波装置において、パ
ッケージ内に形成されたグランド電極が、パッケージ表
面に形成された少なくとも３個の外部電極にそれぞれ電
気的に接続されるので、ケースアースをより一層確実に
確保することができ、高周波数側における通過帯域外減
衰量の劣化を効果的に抑制することができる。
型共振子フィルタを用いた弾性表面波装置において、パ
ッケージ内に形成されたグランド電極が、パッケージ表
面に形成された少なくとも３個の外部電極にそれぞれ電
気的に接続されるので、ケースアースをより一層確実に
確保することができ、高周波数側における通過帯域外減
衰量の劣化を効果的に抑制することができる。
【図１】従来の弾性表面波装置におけるボンディングワ
イヤー及びパッケージ材に形成されたアース電極による
残留インダクタンスの影響を説明するための略図的等価
回路図。
イヤー及びパッケージ材に形成されたアース電極による
残留インダクタンスの影響を説明するための略図的等価
回路図。
【図２】従来の弾性表面波装置の他の例において、ボン
ディングワイヤー及びパッケージ材のアース電極による
残留インダクタンスの影響を説明するための略図的等価
回路図。
ディングワイヤー及びパッケージ材のアース電極による
残留インダクタンスの影響を説明するための略図的等価
回路図。
【図３】本発明の第１の実施例にかかる弾性表面波装置
の略図的平面図。
の略図的平面図。
【図４】本発明の第１の実施例にかかる弾性表面波装置
の断面図。
の断面図。
【図５】第１の実施例の弾性表面波装置における第１の
縦結合型共振子フィルタの周波数振幅特性を示す図。
縦結合型共振子フィルタの周波数振幅特性を示す図。
【図６】第１の実施例の弾性表面波装置における第２の
縦結合型共振子フィルタの周波数振幅特性を示す図。
縦結合型共振子フィルタの周波数振幅特性を示す図。
【図７】比較のために用意した弾性表面波装置の略図的
平面図。
平面図。
【図８】比較例の弾性表面波装置の第１の縦結合型共振
子フィルタの周波数振幅特性を示す図。
子フィルタの周波数振幅特性を示す図。
【図９】比較例の弾性表面波装置における第２の縦結合
型共振子フィルタの周波数振幅特性を示す図。
型共振子フィルタの周波数振幅特性を示す図。
【図１０】従来の弾性表面波装置における縦結合型共振
子フィルタの周波数振幅特性を示す図。
子フィルタの周波数振幅特性を示す図。
【図１１】第１の実施例にかかる弾性表面波装置におけ
るボンディングワイヤー及びパッケージの配線による残
留インダクタンスを説明するための等価回路図。
るボンディングワイヤー及びパッケージの配線による残
留インダクタンスを説明するための等価回路図。
【図１２】本発明の第２の実施例にかかる弾性表面波装
置を説明するための断面図。
置を説明するための断面図。
【図１３】本発明の第２の実施例にかかる弾性表面波装
置を説明するための略図的平面断面図。
置を説明するための略図的平面断面図。
【図１４】本発明第２の実施例の弾性表面波装置の第１
の縦結合型共振子フィルタの周波数振幅特性を示す図。
の縦結合型共振子フィルタの周波数振幅特性を示す図。
１０…ＳＡＷフィルタチップ １１…第１の縦結合型共振子フィルタ １２…第２の縦結合型共振子フィルタ １３…表面波基板 １６…中央のＩＤＴ １７，１８…反射器に隣接する両側のＩＤＴ １９ａ，１９ｂ…反射器 ２３…中央のＩＤＴ ２４，２５…反射器に隣接する両側のＩＤＴ ２６ａ，２６ｂ…反射器 ３３Ａ，３３Ｃ，３３Ｄ，３３Ｅ，３３Ｇ…パッケージ
材に形成されたアース電極 ３４ａ〜３４ｊ…ボンディングワイヤー ３０…パッケージ ３１…パッケージ材 ３２…蓋材 ４１…アースパターン ４１ａ〜４１ｃ…引出し部 ４２，４３…外部電極
材に形成されたアース電極 ３４ａ〜３４ｊ…ボンディングワイヤー ３０…パッケージ ３１…パッケージ材 ３２…蓋材 ４１…アースパターン ４１ａ〜４１ｃ…引出し部 ４２，４３…外部電極
Claims (6)
- 【請求項１】 表面波基板と、前記表面波基板に構成さ
れた３個のインターデジタルトランスデューサと、前記
３個のインターデジタルトランスデューサが形成されて
いる領域の両側に形成された一対の反射器とを有する縦
結合型共振子フィルタチップが複数のグランド電極を有
する多層パッケージ内に収納されてなる弾性表面波装置
において、 前記反射器に隣接する両側のインターデジタルトランス
デューサのグランド側電極が、少なくとも２本のボンデ
ィングワイヤーにより、パッケージの同一層内に形成さ
れた少なくとも２個の異なるグランド電極に接続されて
いることを特徴とする、弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記少なくとも２本のボンディングワイ
ヤーが、同一のインターデジタルトランスデューサのグ
ランド側電極に接続されている、請求項１に記載の弾性
表面波装置。 - 【請求項３】 反射器に隣接する一方のインターデジタ
ルトランスデューサのグランド側電極に接続される第３
のボンディングワイヤーをさらに備え、前記少なくとも
２本のボンディングワイヤーのうちの１本のボンディン
グワイヤーが、前記第３のボンディングワイヤーが接続
されているパッケージのグランド電極に接続されてい
る、請求項１または２に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項４】 中央のインターデジタルトランスデュー
サのグランド側電極に接続される第４のボンディングワ
イヤーをさらに備え、前記少なくとも２本のボンディン
グワイヤーのうち１本のボンディングワイヤーが、前記
第４のボンディングワイヤーが接続されているパッケー
ジのグランド電極に電気的に接続されている、請求項１
〜３の何れかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項５】 前記縦結合型共振子フィルタとして、異
なる通過帯域特性を有する２個の縦結合型共振子フィル
タが備えられており、該２個の縦結合型共振子フィルタ
の入力または出力が並列接続されており、それぞれのグ
ランド電極がボンディングワイヤーによりパッケージの
同一層内で独立したグランド電極に接続されている、請
求項１〜４の何れかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項６】 前記パッケージ内に形成されたグランド
電極が、パッケージの表面に形成された少なくとも３個
の外部電極に電気的に接続されている請求項１〜５の何
れかに記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24518896A JP3227645B2 (ja) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | 弾性表面波装置 |
| US08/931,566 US5966060A (en) | 1996-09-17 | 1997-09-16 | Surface acoustic wave apparatus having an interdigital transducer ground electrode connected to multiple package grounds |
| DE69734753T DE69734753T2 (de) | 1996-09-17 | 1997-09-17 | Akustische Oberflächenwellenvorrichtung |
| EP97116175A EP0829958B1 (en) | 1996-09-17 | 1997-09-17 | Surface acoustic wave apparatus |
| KR1019970047617A KR100278748B1 (ko) | 1996-09-17 | 1997-09-18 | 탄성표면파장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24518896A JP3227645B2 (ja) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1093381A true JPH1093381A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3227645B2 JP3227645B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=17129933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24518896A Expired - Lifetime JP3227645B2 (ja) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | 弾性表面波装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5966060A (ja) |
| EP (1) | EP0829958B1 (ja) |
| JP (1) | JP3227645B2 (ja) |
| KR (1) | KR100278748B1 (ja) |
| DE (1) | DE69734753T2 (ja) |
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| US6765456B2 (en) * | 2001-12-17 | 2004-07-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Surface acoustic wave duplexer and portable communication device using the same |
| CN112367059B (zh) * | 2020-11-25 | 2024-05-17 | 重庆邮电大学 | 一种声表面波滤波器的封装键合线等效电路模型 |
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1997
- 1997-09-16 US US08/931,566 patent/US5966060A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-17 DE DE69734753T patent/DE69734753T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-17 EP EP97116175A patent/EP0829958B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-18 KR KR1019970047617A patent/KR100278748B1/ko not_active Expired - Lifetime
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