JPH1098451A

JPH1098451A - 多入力端子付き半導体レーザモジュール

Info

Publication number: JPH1098451A
Application number: JP8251045A
Authority: JP
Inventors: Masaki Kobayashi; 正樹小林; Hiroyuki Asakura; 宏之朝倉; Masanori Iida; 正憲飯田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-09-24
Filing date: 1996-09-24
Publication date: 1998-04-14

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体レーザモジュールの有効稼働効率が低
く、調整工程が必要であり、コストアップになる。【解決手段】モジュールパッケージ１に、変調信号を
入力するための複数の変調信号入力端子５、その変調信
号入力端子５に接続された内部入力インピーダンス整合
回路８１、及び内部入力インピーダンス整合回路８１の
出力信号を光信号に変換するレーザダイオード２を備
え、内部入力インピーダンス整合回路８１は、信号伝送
路６とレーザダイオード２とのインピーダンス整合を、
複数の変調信号入力端子に対応した各々異なる周波数帯
域に対して実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、直接変調方式を用
いた光通信システムに用いる半導体レーザモジュールに
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体レーザモジュールは、ＣＡ
ＴＶ、公衆通信など、マイクロ波周波数領域の信号を取
り扱う通信分野への適用が盛んに試みられ、実用化が始
まっている。このなかで、雑音や信号歪みの累積が少な
い数百ｍ〜数ｋｍの短中距離伝送においては、高周波信
号を直接変調信号として光信号に変換する直接強度変調
方式が、設備の簡便性、コストの面で有効である。

【０００３】以下に従来の半導体レーザモジュールにつ
いて説明する。

【０００４】図９に、従来の半導体レーザモジュールの
第１の構成例の電気的等価回路を示す。図９において、
１はモジュールパッケージ、２はレーザダイオード、３
はモジュールパッケージ内部の伝送路、４はＤＣバイア
ス回路、５は変調信号入力端子、６は規定の特性インピ
ーダンスの信号伝送路、７はモジュールパッケージ１外
部のＬＣ型入力インピーダンス整合回路である。

【０００５】まず、ＤＣバイアス回路４からＤＣ駆動電
流を投入してレーザダイオード２を励起発振させる。次
に、変調信号入力端子５から高周波変調信号を入力して
レーザダイオード２を直接変調する。通常、レーザダイ
オードの負荷は数Ωであり、信号伝送路６の特性インピ
ーダンスは５０Ωである。そこで、外部入力インピーダ
ンス整合回路７を挿入し、整合回路を構成するＬＣリア
クタンス成分の回路定数を適切に設定することによっ
て、所望の周波数帯域における信号伝送路６の特性イン
ピーダンスと半導体レーザモジュールとの整合を実現さ
せている。

【０００６】また、図１０に示す従来の半導体レーザモ
ジュールの第２の構成では、モジュールパッケージ１の
内部にＬＣ型入力インピーダンス整合回路８を挿入し、
ＬＣ回路定数の選択自由度を拡張できる。このため、第
１の構成の外部入力インピーダンス整合回路７では実現
困難であった周波数帯域の入力インピーダンス整合を実
現させている。この詳細な構成と機能については、特願
平８−１２５１０３に詳しい。

【０００７】

【本発明が解決しようとする課題】従来、整合用抵抗素
子挿入による入力インピーダンス整合の場合では、変調
信号電力の多くが負荷抵抗部分で消費されてしまいレー
ザダイオードが変換する入力電力変換効率が低下してい
た。これに対して、以上のようなＬＣ型入力インピーダ
ンス整合回路を利用したインピーダンス整合では、高い
入力電力変換効率が実現できる反面、周波数帯域が制限
される問題を有している。

【０００８】上記の第１の従来構成では、レーザダイオ
ード２と変調信号入力端子５とを結ぶモジュールパッケ
ージ１内部の伝送路３がマイクロストリップライン、ボ
ンディングワイヤなどで構成されインダクタンス成分と
して機能する。このため、モジュールパッケージ１外部
のＬＣ型インピーダンス整合回路７による整合可能な周
波数領域を制限してしまう。図１１は光変調レベルを光
変調出力電力と変調信号入力電流の比Ｓ２１で表した周
波数特性のグラフである。外部入力インピーダンス整合
回路７を挿入したことにより、レーザダイオード２が変
換できる変調信号電力が大くなるので、周波数６００Ｍ
Ｈｚにおいて高い光出力レベルが実現できることが図１
１から分かる。しかし、モジュールパッケージ１内部の
伝送路３がインダクタンス成分として機能する電気長を
有するので、これらの影響により、所望する周波数帯
域、例えば１２００ＭＨｚでの入力インピーダンスの整
合が実現できない。

【０００９】また、別の所望する周波数帯域の整合を実
現したい場合には、外部入力インピーダンス整合回路７
の回路構成、回路定数を変更しなくてはならない。この
ため、新たに回路設計、組立、調整、検査などの工程が
発生することとなる。

【００１０】また、モジュールパッケージ１外部に数個
の回路素子から構成されるＬＣ型入力インピーダンス整
合回路７を実装するためのスペースを確保せねばなら
ず、装置の大型化を誘起する。

【００１１】さらに、モジュールパッケージ１外部のＬ
Ｃ型インピーダンス整合回路７に関して、実装するプリ
ント基板の材質、伝送路、整合回路素子、モジュールお
よび回路素子の実装状態の差異によって回路定数のばら
つきが発生して、変換効率低下、整合周波数帯域のシフ
トなどの特性劣化を引き起こす。このため、半導体レー
ザモジュールのデバイス単体で所望周波数の特性を補償
することができず、入力インピーダンス整合状態の検
査、および調整の工程が付加されなくてはならず、コス
トアップならびに特性未達による歩留まり低下の要因と
なる。

【００１２】また、第２の従来構成では、内部の入力イ
ンピーダンス整合回路８により、ＬＣ回路定数の選択自
由度を拡張しているため、第１の構成の外部入力インピ
ーダンス整合回路７では実現困難であった周波数帯域の
入力インピーダンス整合を調整なしに実現させている。
図１２は光変調レベルを光変調出力電力と変調信号入力
電流の比Ｓ２１で表した周波数特性のグラフである。所
望する例えば１２００ＭＨｚにおける入力インピーダン
ス整合を実現し、光変調レベルを高くすることができ
た。しかし、整合回路素子が封止されたモジュールパッ
ケージ１の内部に存在するため、設定以外の周波数帯域
の整合を行うことは不可能である。このため、ある１種
類の周波数帯域のみが補償された特性であり用途が限定
されており、モジュールの有効稼働効率が低い。

【００１３】本発明は、上記のような従来の課題を解決
するためになされたものであり、それぞれ異なる周波数
帯域におけるインピーダンス整合を実現する入力インピ
ーダンス整合回路に接続された複数の変調信号入力端子
を具備し、その内一つを選択して利用することにより、
所望の周波数帯域において少ない変調信号電力で高い変
調度が得られ、調整工程が不要である多入力端子付き半
導体レーザモジュールを提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、外部回路から
変調信号を入力するための複数の変調信号入力端子と、
その複数の変調信号入力端子に接続された入力インピー
ダンス整合回路と、その入力インピーダンス整合回路の
出力信号を光信号に変換するレーザダイオード及び前記
レーザダイオードを収納するモジュールパッケージとを
備え、前記入力インピーダンス整合回路は前記モジュー
ルパッケージ内部に搭載され、前記複数の変調信号入力
端子から前記レーザダイオード側を見たときに複数の入
力インピーダンスを有し、前記外部回路と前記レーザダ
イオードとのインピーダンス整合を、前記複数の入力イ
ンピーダンスに対応した各々異なる周波数帯域に対して
実現できるものであることを特徴とする多入力端子付き
半導体レーザモジュールである。

【００１５】この構成により、高周波信号を伝送する信
号ラインを、これらの複数の変調信号入力端子のうち一
つを選択して接続することにより、所望する周波数帯域
の整合を実現できる。これ以外の周波数帯域を利用する
場合には、変調信号入力端子の接続を切り替えれば良
い。

【００１６】また、好ましい例としては、入力インピー
ダンス整合回路が、規定の特性インピーダンスを持つマ
イクロストリップライン、ボンディングワイヤもしくは
リアクタンス素子を構成要素として含み、リアクタンス
素子がマイクロストリップラインとレーザダイオードの
ホット側との間に接続された構成とする。

【００１７】そして、マイクロストリップライン、ボン
ディングワイヤもしくはリアクタンス素子を制御するこ
とにより、入力インピーダンス整合回路が所望の周波数
領域における入力インピーダンス整合を実現できる。こ
の際、単一の周波数帯域でのインピーダンス整合のみな
らず、複数の周波数帯域において伝送効率が同時に良好
となるようにインピーダンス整合をとっても良い。

【００１８】また、入力インピーダンス整合回路が、さ
らに抵抗素子を構成要素として含み、抵抗素子がマイク
ロストリップラインに直列に接続されていることによ
り、整合状態および駆動電流の変化を抑制することがで
きる。但し、挿入損失を抑制する観点から、抵抗素子の
抵抗値は１０Ω以下であることが望ましい。

【００１９】更に、バイアス回路をモジュールパッケー
ジ内部に設けて、レーザダイオードを駆動する構成とす
れば、外部のバイアス回路のスペースを省くことがで
き、更なる集積化向上が可能となる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明をその実施の形態
を示す図面に基づいて説明する。（実施の形態１）図１は、本発明の実施の形態１にかか
る多入力端子付き半導体レーザモジュールの構成図を示
す。図１において、１はモジュールパッケージ、２はレ
ーザダイオード、５はｎ個の変調信号入力端子、６は規
定の特性インピーダンスの信号伝送路、８１は内部入力
インピーダンス整合回路である。内部入力インピーダン
ス整合回路８１はレーザダイオード２とｎ個の変調信号
入力端子５の間に挿入され、両者を接続している。

【００２１】以下本実施の形態の説明を、図２に示すよ
うな変調信号入力端子５が２つから構成されている場合
について行う。図２は、上記構成の半導体レーザモジュ
ールの電気的等価回路である。図２において、従来の説
明に用いた図１０と同じ回路要素については同じ番号を
付している。図２は以下の点で図１０と異なっている。
つまり、内部入力インピーダンス整合回路に接続される
一つの変調信号入力端子５が、第１の変調信号入力端子
５１と第２の変調信号入力端子５２の２つから構成され
ている。そして、（ａ）では第１の変調信号入力端子５
１に信号伝送路６及びＤＣバイアス回路４が接続され、
第２の変調信号入力端子５２は開放されている。一方、
（ｂ）では、第１の変調信号入力端子５１が開放され、
第２の変調信号入力端子５２に信号伝送路６及びＤＣバ
イアス回路４が接続される。内部入力インピーダンス整
合回路８１は、マイクロストリップライン、リアクタン
ス素子、ボンディングワイヤから構成されるが、（ａ）
及び（ｂ）では、各変調信号入力端子５１，５２からレ
ーザダイオード２側を見た内部入力インピーダンス整合
回路８１の回路構成が異なる（詳細は後述）。このた
め、伝送効率が良好となる周波数帯域が異なる。

【００２２】以下、本実施の形態の半導体レーザモジュ
ールの機能について具体的に説明する。ＤＣバイアス回
路４からＤＣ駆動電流が供給されると、（ａ）の場合は
変調信号入力端子５１、（ｂ）の場合は変調信号入力端
子５２から入力され、レーザダイオード２が励起されて
発振する。そして、信号伝送路６から高周波変調信号を
入力することにより、レーザダイオード２を直接変調す
ることができる。レーザダイオード２の数Ωの負荷と、
信号伝送路６の特性インピーダンス５０Ωとのインピー
ダンス整合をとる働きを内部入力インピーダンス整合回
路８１が担う。つまり、内部入力インピーダンス整合回
路８１を構成する各要素の定数を適切に設定することに
よって、所望の周波数信号帯域における信号伝送路６の
特性インピーダンスとレーザダイオード２の負荷インピ
ーダンスとを整合させることができる。そして、（ａ）
及び（ｂ）のように、変調信号入力端子５１，５２のう
ち一つを選択して接続することにより、整合周波数や帯
域などの整合特性を切り替えることができる。

【００２３】具体的な整合実施の例として、第１の変調
信号入力端子５１を６００ＭＨｚ、第２の変調信号入力
端子５２を１２００ＭＨｚにおける入力インピーダンス
の整合を行った例を図３に示す。図３は光変調レベルを
光変調出力電力と変調信号入力電流との比Ｓ２１で表し
たグラフである。図３において、１１は第１の変調信号
入力端子５１に接続した場合の光変調出力、１２は第２
の変調信号入力端子５２に接続した場合の光変調出力で
ある。このグラフから分かるように、第１の所望の周波
数６００ＭＨｚ、第２の所望の周波数１２００ＭＨｚが
変調信号入力端子の接続の切り替えのみによって特性を
変えることが可能である。

【００２４】以上のように本実施の形態によれば、モジ
ュールパッケージ１の内部に入力インピーダンス整合回
路８１を設け、異なる周波数帯域で伝送効率及び光変調
効率が良好となる構成で２つの変調信号入力端子５１及
び５２を接続し、いずれか一方の変調信号入力端子から
高周波変調信号を入力することを選択することにより、
所望の２つの周波数帯域の整合特性を一つのモジュール
で切り替えることを可能とする半導体レーザモジュール
を実現することができる。

【００２５】また、内部入力インピーダンス整合回路８
１がモジュールパッケージ１の内部に存在することによ
り、安定した整合特性を実現することができる。このた
め、特性のばらつきが発生しやすい外部の整合回路に比
較して、変換効率の低下、整合周波数帯域のシフトなど
の特性劣化が発生する確率を低減できる。また、半導体
レーザモジュール単体で所望周波数の特性を補償するこ
とが可能となり、入力インピーダンスの検査及び調整の
工程を不要化もしくは大幅に削減することが可能とな
り、コストダウンおよび歩留まりの改善を行うことがで
きる。

【００２６】なお、本実施の形態では、モジュールパッ
ケージ１の内部に設けた内部入力インピーダンス整合回
路８１の構成要素は、マイクロストリップライン、リア
クタンス素子、ボンディングワイヤを用いたが、回路の
構成はこの限りではなく、各回路素子の配列、種類、構
成数量を特に制限するものではない。

【００２７】また、本実施の形態では、変調信号入力端
子の数を２つとしたが、これに限らず、３つ以上であっ
ても良いことは言うまでもない。（実施の形態２）次に、本発明の実施の形態２に係る半
導体レーザモジュールの電気的等価回路を図４に示す。
この回路が実施の形態１の図２と異なる点は抵抗素子
（以下、負荷抵抗という）９が内部入力インピーダンス
整合回路８１とレーザダイオード２の間に直列に挿入さ
れている点である。この負荷抵抗９は、レーザダイオー
ド２のインピーダンスの変動による整合状態の変化、及
び駆動電流の変化を抑制する機能を有する。つまり、レ
ーザダイオード２のインピーダンスと負荷抵抗９との合
成値を、レーザダイオード２のインピーダンスに対して
大きい値に設定することにより、レーザダイオード２の
変動によるインピーダンス不整合の発生が抑制される。
また、高周波変調信号の２次もしくは３次の相互変調歪
みの増大も抑制される。この負荷抵抗９の値は、変換効
率低下を回避する観点から、１０Ω以下、望ましくは５
Ω以下とするのが良い。

【００２８】図４において、（ａ）は、第１の変調信号
入力端子５１を選択して、それにＤＣバイアス回路４及
び信号伝送路６を接続した場合を示し、（ｂ）は、第２
の変調信号入力端子５２を選択して、それにＤＣバイア
ス回路４及び信号伝送路６を接続した場合を示してい
る。

【００２９】以上のように、本実施の形態の半導体レー
ザモジュールによれば、モジュールパッケージ内部にレ
ーザダイオード２と内部入力インピーダンス整合回路８
１との間に、直列接続された抵抗素子９が備えられてい
ることにより、所望の二つの周波数帯域における入力イ
ンピーダンス整合の切り替えが変調信号入力端子の接続
の選択により行うことができ、かつ動作状態が変化した
ときのインピーダンス不整合の発生が抑制される。

【００３０】なお、高周波変調信号の２次もしくは３次
の相互変調歪みの増大を抑制する目的であれば、負荷抵
抗の挿入位置は、内部入力インピーダンス整合回路８１
とレーザダイオード２との間に限らず、また入力インピ
ーダンス整合回路ユニットの構成によらず、レーザダイ
オード２と直列に配置される何れの位置に挿入しても良
い。例えば内部入力インピーダンス整合回路８１内部に
設けてもよい。この場合、更に内部入力インピーダンス
整合回路８１がマイクロストリップライン、リアクタン
ス素子、あるいはボンディングワイヤを有するものであ
れば、それらに直列に接続すればよい。（実施の形態３）次に、本発明の実施の形態３に係る半
導体レーザモジュールについて説明する。電気的等価回
路の構成は実施の形態１の図２もしくは実施の形態２の
図４のいずれかと共通である。但し、実施の形態１もし
くは実施の形態２の図２もしくは図４と異なるのは、内
部入力インピーダンス整合回路８１の構成要素の定数が
異なる。内部入力インピーダンス整合回路８１の構成要
素のマイクロストリップライン、リアクタンス素子、ボ
ンディングワイヤを調整することにより、各変調信号入
力端子５１，５２に対して、それぞれ２つの周波数帯域
の入力インピーダンスの整合を同時に行うことができ
る。

【００３１】具体例として、第１の所望の周波数として
９００ＭＨｚ及び１５００ＭＨｚの２帯域、第２の所望
の周波数として１８００ＭＨ及び２４００ＭＨｚの２帯
域における入力インピーダンス整合を行った特性例を図
５に示す。図５は光変調レベルを光変調出力電力と変調
信号入力電流との比Ｓ２１で表したグラフである。図５
において、１３は第１の変調信号入力端子５１に接続し
た場合の光変調出力、１４は第２の変調信号入力端子５
２に接続した場合の光変調出力である。このグラフから
分かるように、第１の所望の周波数９００ＭＨｚと１５
００ＭＨｚ、第２の所望の周波数１８００ＭＨｚと２４
００ＭＨｚが入力変調信号端子の接続の切り替えのみに
よって特性を替えることが可能である。

【００３２】以上のように本実施の形態によれば、モジ
ュールパッケージ１の内部に入力インピーダンス整合回
路８１を設け、その内部入力インピーダンス整合回路８
１を、２つの変調信号入力端子５１，５２のそれぞれに
ついて、２帯域を同時に伝送効率及び光変調効率が良好
となる異なる周波数帯域を有する構成とし、いずれか一
方の変調信号入力端子を選択して高周波変調信号を入力
することにより、所望の２組の周波数帯域の整合特性
を、一つのモジュールで切り替えることを可能とする半
導体レーザモジュールを実現することができる。

【００３３】なお、本実施の形態では、第１、第２の変
調信号入力端子とも、二つの帯域を同時に整合する周波
数帯域を有する構成としたが、同時に整合する帯域の数
の組み合わせはこの限りではない。例えば、１帯域と２
帯域の切り替え、２帯域と３帯域の切り替えなどの組み
合わせであっても良い。（実施の形態４）次に、本発明の実施の形態４に係る半
導体レーザモジュールの電気的等価回路を図６に示す。
この回路が実施の形態１の図２と異なる点は、ＤＣバイ
アス回路２４をモジュールパッケージ１の内部に搭載
し、それをレーザダイオード２と内部入力インピーダン
ス整合回路８１の間に配置した点である。このＤＣバイ
アス回路２４は、バイアス入力端子２４１、バイアス入
力端子２４１側への高周波変調信号の阻止を目的とする
チョークインダクタンス２４２、変調信号入力端子５
１，５２側へのＤＣ電流の阻止を目的とするＤＣカット
用キャパシタンス２４３から構成される。但し、チョー
クインダクタンス２４２及びＤＣカット用キャパシタン
ス２４３はそれぞれ、十分に大きな誘導値、容量値を有
するため、入力インピーダンスの整合状態の変化には寄
与しない。すなわち、実施の形態１の図２の構成の特
性、図３の特性が保存される。

【００３４】図６において、（ａ）は、第１の変調信号
入力端子５１を選択して、それに信号伝送路６を接続し
た場合を示し、（ｂ）は、第２の変調信号入力端子５２
を選択して、それに信号伝送路６を接続した場合を示し
ている。

【００３５】以上のように本実施の形態によれば、通
常、モジュールパッケージ１の外部に設けられるＤＣバ
イアス回路２４をモジュールパッケージ１の内部に収納
することが可能となり、変調信号入力端子５１，５２に
は高周波変調信号のみの入力とすることができるため、
変調信号入力端子５１，５２の切り替えを行う際に、そ
の工程を簡素化することが可能となる。また、外部のバ
イアス回路のスペースを省くことができ、更なる集積化
向上を図る半導体レーザモジュールを実現することがで
きる。

【００３６】ここで、上記実施の形態における内部入力
インピーダンス整合回路の内部構成の一例を図７の回路
図により説明する。

【００３７】図７において、（ａ）は、３つの変調信号
入力端子を有する場合のブロック図を示し、（ｂ）は、
その場合の内部回路を示す。すなわち、この内部入力イ
ンピーダンス整合回路８１は、３つの変調信号入力端子
のポート１、ポート２、ポート３のそれぞれに直列に接
続されているインダクタンスＬ１，Ｌ２，Ｌ３と、その
インダクタンスＬ２及びＬ３の間に接続されたインダク
タンスＬ４と、インダクタンスＬ１及びＬ２の間に接続
されたインダクタンスＬ５と、そのインダクタンスＬ５
及び出力端子（レーザダイオード２）の間に接続された
インダクタンスＬ６と、インダクタンスＬ３及びＬ４の
接続点と接地間に接続されたキャパシタンスＣ１と、イ
ンダクタンスＬ４及びＬ５の接続点と接地間に接続され
たキャパシタンスＣ２と、インダクタンスＬ５及びＬ６
の接続点と接地間に接続されたキャパシタンスＣ３とに
より構成されている。

【００３８】上記構成において、各ポート１，２，３の
それぞれを選択して、それに信号伝送路６を接続したと
きの等価回路図を図８の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）にそれ
ぞれ示す。すなわち、各変調信号入力端子（ポート１，
２，３）から見た回路構成が各々異なっている。このと
き、任意の２ポートのみを用いて接続するようにすれ
ば、上記実施の形態で説明した２つの変調信号入力端子
を有する構成とすることができる。

【００３９】以上のように本発明は、モジュールパッケ
ージ内部の調整不要の入力インピーダンス整合回路と複
数の変調信号入力端子が一つのモジュールに具備される
ことにより、所望の周波数領域の入力インピーダンスが
整合する変調信号入力端子を選択でき、その信号周波数
領域の変調信号変換効率が高くなるように実現すること
ができる。これにより、所望の複数の周波数帯域のうち
一つを任意に選択できる内蔵入力インピーダンス整合回
路付きモジュールを、一つのモジュールで実現すること
ができる半導体レーザモジュールを提供する。

【００４０】なお、上記実施の形態では、いずれも変調
信号入力端子の個数を２、あるいは３としたが、これに
限らず、４つ以上としても勿論よい。

【００４１】また、図７（ｂ）に示した内部入力インピ
ーダンス整合回路の回路図は一例であり、この回路構成
に限定されるものではない。

【００４２】

【発明の効果】以上述べたところから明らかなように本
発明は、それぞれ異なる周波数帯域におけるインピーダ
ンス整合を実現する入力インピーダンス整合回路に接続
された複数の変調信号入力端子を具備し、その内一つを
選択して利用することにより、所望の周波数帯域におい
て少ない変調信号電力で高い変調度が得られ、調整工程
が不要であるという長所を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１における半導体レーザモ
ジュールの構成図である。

【図２】本発明の実施の形態１における半導体レーザモ
ジュールの電気的等価回路図である。

【図３】本発明の実施の形態１における半導体レーザモ
ジュールの動作説明のための、入力変調信号周波数と光
変調出力電力／入力信号電流比Ｓ２１の関係図である。

【図４】本発明の実施の形態２における半導体レーザモ
ジュールの電気的等価回路図である。

【図５】本発明の実施の形態３における半導体レーザモ
ジュールの動作説明のための、入力変調信号周波数と光
変調出力電力／入力信号電流比Ｓ２１の関係図である。

【図６】本発明の実施の形態４における半導体レーザモ
ジュールの電気的等価回路図である。

【図７】本発明の実施の形態における内部入力インピー
ダンス整合回路の内部構成の一例を示す回路図である。

【図８】図７の内部入力インピーダンス整合回路の各端
子から見たときの等価回路図である。

【図９】従来の構成１における半導体レーザモジュール
の電気的等価回路図である。

【図１０】従来の構成２における半導体レーザモジュー
ルの電気的等価回路図である。

【図１１】従来の構成１における半導体レーザモジュー
ルの動作説明のための、入力変調信号周波数と光変調出
力電力／入力信号電流比Ｓ２１の関係図である。

【図１２】従来の構成２における半導体レーザモジュー
ルの動作説明のための、入力変調信号周波数と光変調出
力電力／入力信号電流比Ｓ２１の関係図である。

【符号の説明】

１モジュールパッケージ２レーザダイオード３伝送路４ＤＣバイアス回路５変調信号入力端子６信号伝送路７外部入力インピーダンス整合回路８内部入力インピーダンス整合回路１１６００ＭＨｚ整合の光変調特性１２１２００ＭＨｚ整合の光変調特性１３９００ＭＨｚ及び１５００ＭＨｚ整合の光変調特
性１４１８００ＭＨｚ及び２４００ＭＨｚ整合の光変調
特性２４ＤＣバイアス回路８１内部入力インピーダンス整合回路２４１バイアス入力端子２４２チョークインダクタンス素子２４３ＤＣカット用キャパシタンス素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０４Ｂ 10/04 10/06 10/28 10/26 10/14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】外部回路から変調信号を入力するための
複数の変調信号入力端子と、その複数の変調信号入力端
子に接続された入力インピーダンス整合回路と、その入
力インピーダンス整合回路の出力信号を光信号に変換す
るレーザダイオード及び前記レーザダイオードを収納す
るモジュールパッケージとを備え、前記入力インピーダ
ンス整合回路は前記モジュールパッケージ内部に搭載さ
れ、前記複数の変調信号入力端子から前記レーザダイオ
ード側を見たときに複数の入力インピーダンスを有し、
前記外部回路と前記レーザダイオードとのインピーダン
ス整合を、前記複数の入力インピーダンスに対応した各
々異なる周波数帯域に対して実現できるものであること
を特徴とする多入力端子付き半導体レーザモジュール。
【請求項２】入力インピーダンス整合回路は１つであ
って、前記複数の変調信号入力端子から前記レーザダイ
オード側を見たときに、それぞれ異なる回路構成である
ことを特徴とする請求項１記載の多入力端子付き半導体
レーザモジュール。
【請求項３】入力インピーダンス整合回路が、所定の
特性インピーダンスを持つマイクロストリップライン、
リアクタンス素子もしくはボンディングワイヤを有する
ことを特徴とする請求項１記載の多入力端子付き半導体
レーザモジュール。
【請求項４】レーザダイオードに対して直列となるよ
うに接続された抵抗素子を有することを特徴とする請求
項１、又は２記載の多入力端子付き半導体レーザモジュ
ール。
【請求項５】抵抗素子は、前記入力インピーダンス整
合回路と前記レーザダイオードとの間に接続されている
ことを特徴とする請求項４記載の多入力端子付き半導体
レーザモジュール。
【請求項６】抵抗素子の抵抗値が１０Ω以下であるこ
とを特徴とする請求項４又は５に記載の多入力端子付き
半導体レーザモジュール。
【請求項７】入力インピーダンス整合回路は、前記複
数の変調信号入力端子のうち少なくとも一つの端子から
見た入力インピーダンスが、複数の周波数領域に対して
同時に、前記外部回路と前記レーザダイオードとのイン
ピーダンス整合を実現できる回路定数を有することを特
徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の多入力端子付
き半導体レーザモジュール。
【請求項８】更に、前記モジュールパッケージ内部に
前記レーザダイオードのバイアス回路を備えたことを特
徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の多入力端子付
き半導体レーザモジュール。