JPH1098737A - 変色バンド修正装置 - Google Patents
変色バンド修正装置Info
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- JPH1098737A JPH1098737A JP9230498A JP23049897A JPH1098737A JP H1098737 A JPH1098737 A JP H1098737A JP 9230498 A JP9230498 A JP 9230498A JP 23049897 A JP23049897 A JP 23049897A JP H1098737 A JPH1098737 A JP H1098737A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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- G09G5/00—Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
- G09G5/02—Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators characterised by the way in which colour is displayed
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N9/00—Details of colour television systems
- H04N9/12—Picture reproducers
- H04N9/16—Picture reproducers using cathode ray tubes
- H04N9/29—Picture reproducers using cathode ray tubes using demagnetisation or compensation of external magnetic fields
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0242—Compensation of deficiencies in the appearance of colours
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/08—Fault-tolerant or redundant circuits, or circuits in which repair of defects is prepared
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- Video Image Reproduction Devices For Color Tv Systems (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォーカスマスク形式の色選択構成を有する
陰極線管において、フォーカスマスク構体が局部的に短
絡、あるいはブレークダウンしたことによりスクリーン
上にいわゆる変色バーが生ずるのを防止する。 【解決手段】 フォーカスマスク構体１００の第１の層
１０はアルタ電圧源に接続され、第２の層３０はバイア
ス源２１０に結合されている。ブレークダウン検出回路
２２０はバイアス源２１０の動作点における急速な変化
を検知することによりフォーカスマスク１００における
ブレークダウン現象を直ぐに検出する。一旦ブレークダ
ウン現象が検知されると、消磁制御回路２３０は消磁回
路２７０によってフォーカスマスク構体１００の消磁を
開始する。
陰極線管において、フォーカスマスク構体が局部的に短
絡、あるいはブレークダウンしたことによりスクリーン
上にいわゆる変色バーが生ずるのを防止する。 【解決手段】 フォーカスマスク構体１００の第１の層
１０はアルタ電圧源に接続され、第２の層３０はバイア
ス源２１０に結合されている。ブレークダウン検出回路
２２０はバイアス源２１０の動作点における急速な変化
を検知することによりフォーカスマスク１００における
ブレークダウン現象を直ぐに検出する。一旦ブレークダ
ウン現象が検知されると、消磁制御回路２３０は消磁回
路２７０によってフォーカスマスク構体１００の消磁を
開始する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的にはフォー
カスマスク形式の陰極線管の分野に関するものであり、
特に、このようなフォーカスマスク形式の陰極線管に付
帯する帯状の変色または褪色部（discoloration band：
以下では「変色バンド」と称す）を除去する装置に関す
る。
カスマスク形式の陰極線管の分野に関するものであり、
特に、このようなフォーカスマスク形式の陰極線管に付
帯する帯状の変色または褪色部（discoloration band：
以下では「変色バンド」と称す）を除去する装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】テレビジョン受像機やコンピュータ、ビ
デオ表示用端末のようなビデオ表示装置で使用される陰
極線管（ＣＲＴ）は通常高強化ガラスで作られて排気さ
れた外囲器を具えている。この外囲器は、通常平坦な、
あるいは僅かに湾曲したフェースプレートと、ファネル
形のベル（ｂｅｌｌ）部分と、それから延びるネックと
を具えている。フェースプレートの内面には螢光体スク
リーンが形成されている。
デオ表示用端末のようなビデオ表示装置で使用される陰
極線管（ＣＲＴ）は通常高強化ガラスで作られて排気さ
れた外囲器を具えている。この外囲器は、通常平坦な、
あるいは僅かに湾曲したフェースプレートと、ファネル
形のベル（ｂｅｌｌ）部分と、それから延びるネックと
を具えている。フェースプレートの内面には螢光体スク
リーンが形成されている。
【０００３】カラーＣＲＴでは、異なる色の光を発する
性質をもった複数の螢光体領域を支える螢光体スクリー
ンと一緒に、複数の電子銃が設けられている。電子ビー
ムが螢光体スクリーンに当たると、この螢光体スクリー
ンから可視光が発生する。電子銃と螢光体スクリーンと
の間には色選択構体（ｃｏｌｏｒ−ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ
ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）が設けられており、これにより
それぞれの電子銃は関連する形式の色の光を発生する螢
光体だけを励起するようになっている。
性質をもった複数の螢光体領域を支える螢光体スクリー
ンと一緒に、複数の電子銃が設けられている。電子ビー
ムが螢光体スクリーンに当たると、この螢光体スクリー
ンから可視光が発生する。電子銃と螢光体スクリーンと
の間には色選択構体（ｃｏｌｏｒ−ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ
ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）が設けられており、これにより
それぞれの電子銃は関連する形式の色の光を発生する螢
光体だけを励起するようになっている。
【０００４】このような色選択構体の一つにシャドウマ
スクがある。シャドウマスクは、電子が螢光体に衝突す
る通路上の途中で通過しなければならない複数の開孔
（ａｐｅｒｔｕｒｅ）を有する薄いスチール製のシート
である。シャドウマスクは、これに適当な角度で入射す
る電子のみがその開孔を通過し、適当な位置にある螢光
体スクリーンに衝突するという点で一種のフィルタとし
て機能するものである。
スクがある。シャドウマスクは、電子が螢光体に衝突す
る通路上の途中で通過しなければならない複数の開孔
（ａｐｅｒｔｕｒｅ）を有する薄いスチール製のシート
である。シャドウマスクは、これに適当な角度で入射す
る電子のみがその開孔を通過し、適当な位置にある螢光
体スクリーンに衝突するという点で一種のフィルタとし
て機能するものである。
【０００５】このようなシャドウマスクの１つの欠点
は、透過率が僅かに約２０％で、簡単に言えば、ＣＲＴ
の電子銃から発せられた電子の約２０％のみが最終的に
シャドウマスクの開孔を通過し、螢光体スクリーンに衝
突するということを意味する。残りの電子はシャドウマ
スクで吸収され、そのエネルギは熱として放散される。
シャドウマスクの理論上の最大透過率は約３３％であ
り、一般には、透過率は約１８％である。
は、透過率が僅かに約２０％で、簡単に言えば、ＣＲＴ
の電子銃から発せられた電子の約２０％のみが最終的に
シャドウマスクの開孔を通過し、螢光体スクリーンに衝
突するということを意味する。残りの電子はシャドウマ
スクで吸収され、そのエネルギは熱として放散される。
シャドウマスクの理論上の最大透過率は約３３％であ
り、一般には、透過率は約１８％である。
【０００６】色選択構体を通過する電子がスクリーン上
の関連する形式の色の光を発生する螢光体のみを励起す
ることを確実にすると共に色選択構体の透過率を高める
ための幾つかの技術が知られている。このような技術の
１つでは、色選択構体の各開孔中に４重極静電レンズを
形成する２層フォーカスマスク色選択構造を採用してい
る。各４重極レンズは、該４重極レンズを通過する電子
ビームをその４重極レンズからなる静電界の相対的な大
きさと極性とに従って、ターゲット上で一方の横断方向
に集束（フォーカス）し、これに直交する横断方向にデ
フォーカスする。フォーカスマスク構体を使用すると、
約６０％以上の電子透過率が得られ、しかもフォーカス
マスク構体は理論上１に近い最大透過率を有している。
の関連する形式の色の光を発生する螢光体のみを励起す
ることを確実にすると共に色選択構体の透過率を高める
ための幾つかの技術が知られている。このような技術の
１つでは、色選択構体の各開孔中に４重極静電レンズを
形成する２層フォーカスマスク色選択構造を採用してい
る。各４重極レンズは、該４重極レンズを通過する電子
ビームをその４重極レンズからなる静電界の相対的な大
きさと極性とに従って、ターゲット上で一方の横断方向
に集束（フォーカス）し、これに直交する横断方向にデ
フォーカスする。フォーカスマスク構体を使用すると、
約６０％以上の電子透過率が得られ、しかもフォーカス
マスク構体は理論上１に近い最大透過率を有している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】フォーカスマスク形式
のＣＲＴの構成には成功しているが、重大な動作上の欠
点のあることが判った。特に、実験的なフォーカスマス
ク形式のＣＲＴは、スクリーンを水平方向に横切って延
びる“変色バンド”という表現が最も判りやすい異常状
態が生ずることが判った。この変色バンドは頻繁に生
じ、フォーカスマスク形式の色選択手段を使用したＣＲ
Ｔの有効性を著しく損なうものである。
のＣＲＴの構成には成功しているが、重大な動作上の欠
点のあることが判った。特に、実験的なフォーカスマス
ク形式のＣＲＴは、スクリーンを水平方向に横切って延
びる“変色バンド”という表現が最も判りやすい異常状
態が生ずることが判った。この変色バンドは頻繁に生
じ、フォーカスマスク形式の色選択手段を使用したＣＲ
Ｔの有効性を著しく損なうものである。
【０００８】ここで説明する本発明を構成するに当たっ
て、第１の観点として、このような変色バンドはフォー
カスマスク構体の残留磁界によって引き起こされるビー
ムランディング誤差、すなわち誤整合（ミスレジストレ
ーション）の結果であると判断された。
て、第１の観点として、このような変色バンドはフォー
カスマスク構体の残留磁界によって引き起こされるビー
ムランディング誤差、すなわち誤整合（ミスレジストレ
ーション）の結果であると判断された。
【０００９】ここで説明する本発明を構成するに当たっ
て、第２の観点として、マスク構体の残留磁界は、フォ
ーカスマスク構体の第１の層と第２の層との間の過渡的
な短絡回路、あるいはブレークダウン現象によって生ず
る局部的な電流によるものであることが判った。このブ
レークダウン現象はＣＲＴ内でトラップされる導電性粒
子によって突然に生ずる可能性がある。
て、第２の観点として、マスク構体の残留磁界は、フォ
ーカスマスク構体の第１の層と第２の層との間の過渡的
な短絡回路、あるいはブレークダウン現象によって生ず
る局部的な電流によるものであることが判った。このブ
レークダウン現象はＣＲＴ内でトラップされる導電性粒
子によって突然に生ずる可能性がある。
【００１０】ここで説明する本発明を構成するに当たっ
て、第３の観点として、ブレークダウン現象の影響がビ
デオ表示装置の視聴者に気付かれないように、変色バン
ド修正回路は変色バンドを急速に除去するためにフォー
カスマスクを消磁する。
て、第３の観点として、ブレークダウン現象の影響がビ
デオ表示装置の視聴者に気付かれないように、変色バン
ド修正回路は変色バンドを急速に除去するためにフォー
カスマスクを消磁する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明によるフォーカ
スマスク構体を有する陰極線管における変色バンドを除
去する装置は、フォーカスマスク構体中のブレークダウ
ン現象を検出するためのブレークダウン検出回路と、ブ
レークダウン検出回路に応答してフォーカスマスクを消
磁する消磁回路とを具えている。消磁回路はレゾナント
トポロジー（ｒｅｓｏｎａｎｔ ｔｏｐｏｌｏｇｙ）
を有し、消磁回路は共振キャパシタを具え、この共振キ
ャパシタの充電によってブレークダウン現象の検出に後
続する消磁を遅延させる。
スマスク構体を有する陰極線管における変色バンドを除
去する装置は、フォーカスマスク構体中のブレークダウ
ン現象を検出するためのブレークダウン検出回路と、ブ
レークダウン検出回路に応答してフォーカスマスクを消
磁する消磁回路とを具えている。消磁回路はレゾナント
トポロジー（ｒｅｓｏｎａｎｔ ｔｏｐｏｌｏｇｙ）
を有し、消磁回路は共振キャパシタを具え、この共振キ
ャパシタの充電によってブレークダウン現象の検出に後
続する消磁を遅延させる。
【００１２】この発明によるフォーカスマスク構体を有
する陰極線管の変色バンドを除去する装置は、さらにフ
ォーカスマスク構体におけるブレークダウン現象を検出
するブレークダウン検出回路と、このブレークダウン検
出回路に結合された消磁制御回路と、この消磁制御回路
に応答してフォーカスマスクを消磁する消磁回路とを有
している。ブレークダウン検出回路はブレークダウン現
象の検出時に消磁制御回路をトリガする。ブレークダウ
ン検出回路は消磁制御回路に実質的にパルス形状を有す
る波形を供給する。
する陰極線管の変色バンドを除去する装置は、さらにフ
ォーカスマスク構体におけるブレークダウン現象を検出
するブレークダウン検出回路と、このブレークダウン検
出回路に結合された消磁制御回路と、この消磁制御回路
に応答してフォーカスマスクを消磁する消磁回路とを有
している。ブレークダウン検出回路はブレークダウン現
象の検出時に消磁制御回路をトリガする。ブレークダウ
ン検出回路は消磁制御回路に実質的にパルス形状を有す
る波形を供給する。
【００１３】消磁制御回路は、ブレークダウン現象の検
出後に、陰極線管のブランキングが次に生じるまで消磁
を遅延させる。ブランキングは陰極線管に供給されるビ
デオ信号の垂直ブランキングパルスに応答する。
出後に、陰極線管のブランキングが次に生じるまで消磁
を遅延させる。ブランキングは陰極線管に供給されるビ
デオ信号の垂直ブランキングパルスに応答する。
【００１４】上記消磁制御回路は、ブレークダウン現象
の発生を示す情報を記憶する手段と、上記装置にブラン
キングパルスを供給する手段と、上記記憶手段からの上
記情報を上記ブランキングパルスと比較する手段と、上
記比較手段に応答するトリガ手段とを具備している。ト
リガ手段は再トリガ不能動作モードとして構成すること
ができる単安定マルチバイブレータ回路からなる。上記
比較手段は、上記ブレークダウン現象の発生の検出後
の、垂直同期パルスである次のブランキングパルスの発
生期間の間に消磁を可能にする。
の発生を示す情報を記憶する手段と、上記装置にブラン
キングパルスを供給する手段と、上記記憶手段からの上
記情報を上記ブランキングパルスと比較する手段と、上
記比較手段に応答するトリガ手段とを具備している。ト
リガ手段は再トリガ不能動作モードとして構成すること
ができる単安定マルチバイブレータ回路からなる。上記
比較手段は、上記ブレークダウン現象の発生の検出後
の、垂直同期パルスである次のブランキングパルスの発
生期間の間に消磁を可能にする。
【００１５】この発明によるフォーカスマスク構体を有
する陰極線管における変色バンドを除去する別の装置
は、ブレークダウン現象の発生を示す情報を記憶する手
段と、上記装置にブランキングパルスを供給する手段
と、上記記憶手段からの上記情報を上記ブランキングパ
ルスと比較する第１の手段と、上記比較手段に応答する
トリガ手段と、上記第１の手段に応答するパルス波形を
発生する手段と、上記記憶手段からの上記情報を上記パ
ルス波形と比較する第２の手段と、上記トリガ手段に応
答して上記フォーカスマスク構体を消磁する消磁回路と
を具備している。上記第２の手段は、上記パルス波形の
持続期間の間上記フォーカスマスク構体の消磁を遅延さ
せる。また、上記パルス波形を発生する手段は、再トリ
ガ不能動作モード用として構成することができる単安定
マルチバイブレータ回路からなる。
する陰極線管における変色バンドを除去する別の装置
は、ブレークダウン現象の発生を示す情報を記憶する手
段と、上記装置にブランキングパルスを供給する手段
と、上記記憶手段からの上記情報を上記ブランキングパ
ルスと比較する第１の手段と、上記比較手段に応答する
トリガ手段と、上記第１の手段に応答するパルス波形を
発生する手段と、上記記憶手段からの上記情報を上記パ
ルス波形と比較する第２の手段と、上記トリガ手段に応
答して上記フォーカスマスク構体を消磁する消磁回路と
を具備している。上記第２の手段は、上記パルス波形の
持続期間の間上記フォーカスマスク構体の消磁を遅延さ
せる。また、上記パルス波形を発生する手段は、再トリ
ガ不能動作モード用として構成することができる単安定
マルチバイブレータ回路からなる。
【００１６】本願発明の上記の構成、他の構成、特徴、
利点等に付いては以下の図面を参照した説明によって明
らかにする。なお、各図面で同じ構成素子に対しては同
じ参照番号を付している。
利点等に付いては以下の図面を参照した説明によって明
らかにする。なお、各図面で同じ構成素子に対しては同
じ参照番号を付している。
【００１７】
【発明の実施の形態】フォーカスマスク構体１００の一
例が図１に示されている。フォーカスマスク構体１００
は垂直方向の金属製ストランド２０を構成する第１の層
１０を有し、各ストランドは図示の例では幅が約２５４
μｍ（約１０ミル）、厚さが約５０．８μｍ（約２ミ
ル）である。これらのストランドはＡＫスチールやパー
マロイのような強磁性体材料からなる。図示のフォーカ
スマスク構体はさらに水平方向の金属製ワイヤー４０か
らなる第２の層３０を有し、図示の例では各ワイヤー４
０の直径は約２５．４μｍ（約１ミル）である。これら
の２つの層の各々の導体はバス・バー（ｂｕｓ ｂａ
ｒ）すなわち母線（図示せず）によって各端部において
互に接続されている。キャパシタＣはフォーカスマスク
構体の２つの層間の固有キャパシタンスを表わしてい
る。垂直ストランド３０と水平ワイヤー４０は矩形のマ
スク開孔５０を形成するように配列されており、一例と
して開孔５０の水平方向の寸法は約５０８μｍ（約２０
ミル）、垂直方向の寸法は約３８１μｍ（約１５ミル）
である。
例が図１に示されている。フォーカスマスク構体１００
は垂直方向の金属製ストランド２０を構成する第１の層
１０を有し、各ストランドは図示の例では幅が約２５４
μｍ（約１０ミル）、厚さが約５０．８μｍ（約２ミ
ル）である。これらのストランドはＡＫスチールやパー
マロイのような強磁性体材料からなる。図示のフォーカ
スマスク構体はさらに水平方向の金属製ワイヤー４０か
らなる第２の層３０を有し、図示の例では各ワイヤー４
０の直径は約２５．４μｍ（約１ミル）である。これら
の２つの層の各々の導体はバス・バー（ｂｕｓ ｂａ
ｒ）すなわち母線（図示せず）によって各端部において
互に接続されている。キャパシタＣはフォーカスマスク
構体の２つの層間の固有キャパシタンスを表わしてい
る。垂直ストランド３０と水平ワイヤー４０は矩形のマ
スク開孔５０を形成するように配列されており、一例と
して開孔５０の水平方向の寸法は約５０８μｍ（約２０
ミル）、垂直方向の寸法は約３８１μｍ（約１５ミル）
である。
【００１８】４重極集束作用は、垂直ストランド２０の
導体と水平ワイヤー４０の導体を互いに、典型的には数
百ボルトから１０００ボルトを超える範囲の直流（Ｄ
Ｃ）でバイアスすることによって得られる。例えば、伝
送された電子を垂直の螢光体縞（ストライプ）上に導く
ために電子ビームを水平方向に集束するためには、図１
に示すように、水平ワイヤー４０は垂直ストランド２０
に対して正の極性をもつ必要がある。特定の寸法のＣＲ
Ｔに対するバイアス電圧は、通常２０キロボルト乃至３
０キロボルトのアルタ電圧に依存する。適当なフォーカ
スマスク構体は垂直ストランド２０をアルタ電極に接続
し、水平ワイヤー４０に更に正のバイアスを与えてい
る。
導体と水平ワイヤー４０の導体を互いに、典型的には数
百ボルトから１０００ボルトを超える範囲の直流（Ｄ
Ｃ）でバイアスすることによって得られる。例えば、伝
送された電子を垂直の螢光体縞（ストライプ）上に導く
ために電子ビームを水平方向に集束するためには、図１
に示すように、水平ワイヤー４０は垂直ストランド２０
に対して正の極性をもつ必要がある。特定の寸法のＣＲ
Ｔに対するバイアス電圧は、通常２０キロボルト乃至３
０キロボルトのアルタ電圧に依存する。適当なフォーカ
スマスク構体は垂直ストランド２０をアルタ電極に接続
し、水平ワイヤー４０に更に正のバイアスを与えてい
る。
【００１９】垂直ストランド２０と水平ワイヤー４０
は、約７６．２μｍ（約３ミル）の厚みをもった例えば
ガラスフリットの真空適応性の電気絶縁物６０によって
分離されていてもよい。入射電子ビームに対して見えな
いように絶縁物６０を配列するのが有効であり、それに
よって４重極レンズの適正な動作と干渉する可能性のあ
る絶縁物の充電作用を避けることができる。
は、約７６．２μｍ（約３ミル）の厚みをもった例えば
ガラスフリットの真空適応性の電気絶縁物６０によって
分離されていてもよい。入射電子ビームに対して見えな
いように絶縁物６０を配列するのが有効であり、それに
よって４重極レンズの適正な動作と干渉する可能性のあ
る絶縁物の充電作用を避けることができる。
【００２０】変色バンドの性質について研究した結果、
このような変色バンドはフォーカスマスク構体の残留磁
界によって引き起こされる位置づれに因り生じるという
重要な結論が得られた。さらに、局部的な過渡的短絡現
象、あるいはブレークダウン現象は大きな残留磁界源と
なることが判った。
このような変色バンドはフォーカスマスク構体の残留磁
界によって引き起こされる位置づれに因り生じるという
重要な結論が得られた。さらに、局部的な過渡的短絡現
象、あるいはブレークダウン現象は大きな残留磁界源と
なることが判った。
【００２１】このようなブレークダウン現象は、例えば
ＣＲＴ内に含まれている汚染物質によって生じる。市販
の大量生産されたＣＲＴは、通常、例えばアルミニウム
の破片（ｆｌａｋｅ）、あるいはグラファイトや鉄の粒
子等の一般に導電性の微粒子の形であるレベルの汚染を
示す。変色バンドの異常状態（ａｎｏｍａｌｙ）を調査
することにより、ＣＲＴ内の上記のような導電性粒子
が、変色バンドに至らしめるブレークダウン現象の発生
に重要な役割を果たしていることが明らかになった。
ＣＲＴ内に含まれている汚染物質によって生じる。市販
の大量生産されたＣＲＴは、通常、例えばアルミニウム
の破片（ｆｌａｋｅ）、あるいはグラファイトや鉄の粒
子等の一般に導電性の微粒子の形であるレベルの汚染を
示す。変色バンドの異常状態（ａｎｏｍａｌｙ）を調査
することにより、ＣＲＴ内の上記のような導電性粒子
が、変色バンドに至らしめるブレークダウン現象の発生
に重要な役割を果たしていることが明らかになった。
【００２２】実験に基づく研究により、適正に構成され
たフォーカスマスク形式のＣＲＴは、一般に概算で数分
に１回から数百時間に１回の範囲でその中に何処かで上
記の形式のブレークダウン現象の生じることが判った。
例えば輸送中の機械的な振動により、緩く固定されてい
た自由粒子が外れ易くなり、フォーカスマスク構体にお
いてブレークダウン現象の発生する可能性が大きくな
る。さらに、ＣＲＴの通常動作期間の間に発生する静電
力により、ゆるく固定されていた粒子が外れることもあ
る。このように、ＣＲＴの期待される寿命の間に、変色
バンドの発生に至るブレークダウン現象が予想されるこ
とは十分に合理性のあることである。
たフォーカスマスク形式のＣＲＴは、一般に概算で数分
に１回から数百時間に１回の範囲でその中に何処かで上
記の形式のブレークダウン現象の生じることが判った。
例えば輸送中の機械的な振動により、緩く固定されてい
た自由粒子が外れ易くなり、フォーカスマスク構体にお
いてブレークダウン現象の発生する可能性が大きくな
る。さらに、ＣＲＴの通常動作期間の間に発生する静電
力により、ゆるく固定されていた粒子が外れることもあ
る。このように、ＣＲＴの期待される寿命の間に、変色
バンドの発生に至るブレークダウン現象が予想されるこ
とは十分に合理性のあることである。
【００２３】ブレークダウン現象と変色バンドとの間の
関連性については図２乃至図５を参照することにより十
分に理解することができる。図２を参照すると、ブレー
クダウン現象は、導電性粒子が水平ワイヤー４０′と垂
直ストランド２０′とを短絡する点Ａで発生すると仮定
する。ブレークダウン現象を示す短絡回路を抵抗Ｒによ
って表わしている。抵抗Ｒを使用することにより、ブレ
ークダウン現象を生じさせる導電性微粒子が、小さな値
であるがそれに関連するある有限の抵抗値を持っている
ことを表わしている。
関連性については図２乃至図５を参照することにより十
分に理解することができる。図２を参照すると、ブレー
クダウン現象は、導電性粒子が水平ワイヤー４０′と垂
直ストランド２０′とを短絡する点Ａで発生すると仮定
する。ブレークダウン現象を示す短絡回路を抵抗Ｒによ
って表わしている。抵抗Ｒを使用することにより、ブレ
ークダウン現象を生じさせる導電性微粒子が、小さな値
であるがそれに関連するある有限の抵抗値を持っている
ことを表わしている。
【００２４】約４Ａに等しいクロス−ストランド（ｃｒ
ｏｓｓ−ｓｔｒａｎｄ）電流が、影響を受けた水平ワイ
ヤー４０′および抵抗Ｒを通って影響を受けた垂直スト
ランド２０′に流れる。大抵の場合、導電性微粒子はオ
ーム熱により破壊されるから、このクロス−ストランド
電流は約数マイクロ秒後には流れなくなる。また、第１
の層１０および第２の層３０に対するバイアス回路のイ
ンピーダンスは十分に高く、それを流れる電流を数アン
ペアに制限するので、クロス−ストランド電流の主たる
電流源はマスクのキャパシタに蓄積されたエネルギであ
る。一旦このエネルギが消費されると、クロス−ストラ
ンド電流は低下しなければならない。フォーカスマスク
構体１００の温度はブレークダウン現象の期間の間それ
ほど上昇しない。
ｏｓｓ−ｓｔｒａｎｄ）電流が、影響を受けた水平ワイ
ヤー４０′および抵抗Ｒを通って影響を受けた垂直スト
ランド２０′に流れる。大抵の場合、導電性微粒子はオ
ーム熱により破壊されるから、このクロス−ストランド
電流は約数マイクロ秒後には流れなくなる。また、第１
の層１０および第２の層３０に対するバイアス回路のイ
ンピーダンスは十分に高く、それを流れる電流を数アン
ペアに制限するので、クロス−ストランド電流の主たる
電流源はマスクのキャパシタに蓄積されたエネルギであ
る。一旦このエネルギが消費されると、クロス−ストラ
ンド電流は低下しなければならない。フォーカスマスク
構体１００の温度はブレークダウン現象の期間の間それ
ほど上昇しない。
【００２５】クロス−ストランド電流が流れることによ
り、水平ワイヤー４０′の周囲に磁界Ｈが発生する。磁
界Ｈの強さは、水平ワイヤー４０′に最も近い垂直スト
ランド２０′の点で約３０００Ａ／ｍ（アンペア毎メー
トル）である。導電性水平ワイヤー４０′に近い特定の
点における磁界Ｈの強さは、その特定の点から水平ワイ
ヤー４０′に最も近い点までの半径方向の距離に反比例
する。
り、水平ワイヤー４０′の周囲に磁界Ｈが発生する。磁
界Ｈの強さは、水平ワイヤー４０′に最も近い垂直スト
ランド２０′の点で約３０００Ａ／ｍ（アンペア毎メー
トル）である。導電性水平ワイヤー４０′に近い特定の
点における磁界Ｈの強さは、その特定の点から水平ワイ
ヤー４０′に最も近い点までの半径方向の距離に反比例
する。
【００２６】図３を見ると明らかなように、磁界Ｈは垂
直ストランド２０中に磁束密度Ｂ1を誘導する。図３の
（ａ）は、現時点では好ましいとされる強磁性体材料、
この場合、垂直ストランド２０を形成するのに使用する
ことができるアニール（ａｎｎｅａｌ：焼きなまし）さ
れたＡＫスチールのＢ−Ｈ曲線を示している。図３の
（ｂ）はパーマロイ材料に対する同様なＢ−Ｈ曲線を示
している。図２に示すように、ストランド２０′の一方
の側と反対側すなわち両側で磁界は互いに反対方向に向
いている。
直ストランド２０中に磁束密度Ｂ1を誘導する。図３の
（ａ）は、現時点では好ましいとされる強磁性体材料、
この場合、垂直ストランド２０を形成するのに使用する
ことができるアニール（ａｎｎｅａｌ：焼きなまし）さ
れたＡＫスチールのＢ−Ｈ曲線を示している。図３の
（ｂ）はパーマロイ材料に対する同様なＢ−Ｈ曲線を示
している。図２に示すように、ストランド２０′の一方
の側と反対側すなわち両側で磁界は互いに反対方向に向
いている。
【００２７】図３の（ａ）のアニールされたＡＫスチー
ルの説明に戻ると、クロス−ストランド電流によってス
トランド２０中に誘導される磁束密度Ｂ1 は点Ａの上方
および下方約３８．１ｍｍ（約１５０ミル）の距離内で
約１０，０００ガウス乃至２０，０００ガウスの範囲内
にある。
ルの説明に戻ると、クロス−ストランド電流によってス
トランド２０中に誘導される磁束密度Ｂ1 は点Ａの上方
および下方約３８．１ｍｍ（約１５０ミル）の距離内で
約１０，０００ガウス乃至２０，０００ガウスの範囲内
にある。
【００２８】一旦クロス−ストランド電流が終了する
と、アニールされたＡＫスチールについては図４の
（ａ）、パーマロイについては図４の（ｂ）に示すよう
に、磁束密度Ｂ1 の約半分が垂直ストランド２０の飽和
領域に残留する。このようにして磁化された垂直ストラ
ンド２０はこのとき実効的に棒磁石になり、図５に示す
ように、磁束密度Ｂ2 は垂直ストランド２０から発生し
て周囲の真空内に入り込む。磁束密度Ｂ2 の大きさは水
平ワイヤー４０′から約２５４μｍ（約１０ミル）の距
離内では約５０ガウスであり、この大きさは約３８．１
ｍｍ（約１５０ミル）の距離では約３ガウスに低下す
る。約１７１ミリ（約６７５ミル）に等しいＱスペース
（Ｑ−ｓｐａｃｅ）を有する図示のフォーカスマスク形
式のＣＲＴでは、この形式の磁束密度分布は、一例とし
て約６０μｍの最大不整合（ｍｉｓｒｅｇｉｓｔｒａｔ
ｉｏｎ：位置ずれ）、すなわちビームのランディング誤
差を生じさせる。
と、アニールされたＡＫスチールについては図４の
（ａ）、パーマロイについては図４の（ｂ）に示すよう
に、磁束密度Ｂ1 の約半分が垂直ストランド２０の飽和
領域に残留する。このようにして磁化された垂直ストラ
ンド２０はこのとき実効的に棒磁石になり、図５に示す
ように、磁束密度Ｂ2 は垂直ストランド２０から発生し
て周囲の真空内に入り込む。磁束密度Ｂ2 の大きさは水
平ワイヤー４０′から約２５４μｍ（約１０ミル）の距
離内では約５０ガウスであり、この大きさは約３８．１
ｍｍ（約１５０ミル）の距離では約３ガウスに低下す
る。約１７１ミリ（約６７５ミル）に等しいＱスペース
（Ｑ−ｓｐａｃｅ）を有する図示のフォーカスマスク形
式のＣＲＴでは、この形式の磁束密度分布は、一例とし
て約６０μｍの最大不整合（ｍｉｓｒｅｇｉｓｔｒａｔ
ｉｏｎ：位置ずれ）、すなわちビームのランディング誤
差を生じさせる。
【００２９】変色バンドを除去するための確実な解決方
法は、汚染物質を取り除くことである。しかしながら、
優れた製造技術により汚染物質の数を著しく減少させる
ことはできるが、市販の大量生産されたＣＲＴでは、通
常ある程度の汚染物質のレベルを示すことはよく知られ
ていることである。従って、もし製造工程で汚染物質の
ない状態が要求されると、フォーカスマスク形式のＣＲ
Ｔを製造するためのコストは著しく高く、恐らく法外に
高くなる。
法は、汚染物質を取り除くことである。しかしながら、
優れた製造技術により汚染物質の数を著しく減少させる
ことはできるが、市販の大量生産されたＣＲＴでは、通
常ある程度の汚染物質のレベルを示すことはよく知られ
ていることである。従って、もし製造工程で汚染物質の
ない状態が要求されると、フォーカスマスク形式のＣＲ
Ｔを製造するためのコストは著しく高く、恐らく法外に
高くなる。
【００３０】変色バンド修正装置２００のより優れた形
式の解決法が図６にブロック図の形で示されている。フ
ォーカスマスク構体１００の第１の層１０は約２０ｋＶ
乃至約３０ｋＶの間の値を示すアルタ電圧源に接続され
ている。第２の層３０はバイアス源２１０に結合されて
おり、該バイアス源２１０は、通常の設計によるもので
よいが、もしブレークダウン現象が生じたときに、第１
の層１０と第２の層３０との間の適当なバイアス電圧を
急速に回復するのに十分強力であることが好ましい。
式の解決法が図６にブロック図の形で示されている。フ
ォーカスマスク構体１００の第１の層１０は約２０ｋＶ
乃至約３０ｋＶの間の値を示すアルタ電圧源に接続され
ている。第２の層３０はバイアス源２１０に結合されて
おり、該バイアス源２１０は、通常の設計によるもので
よいが、もしブレークダウン現象が生じたときに、第１
の層１０と第２の層３０との間の適当なバイアス電圧を
急速に回復するのに十分強力であることが好ましい。
【００３１】ブレークダウン検出回路２２０はバイアス
源２１０の動作点における急速な変化を検知することに
よりフォーカスマスク１００におけるブレークダウン現
象を直ぐに検出する。例えば、ブレークダウン検出回路
２２０はバイアス源２１０によって供給される電圧の急
激な減少を検知するように構成することもできるし、バ
イアス源２１０から引き出される電流の急激な増大を検
知するように構成することもできる。一旦ブレークダウ
ン現象が検知されると、消磁制御回路２３０は消磁回路
２７０によってフォーカスマスク構体１００の消磁を開
始する。
源２１０の動作点における急速な変化を検知することに
よりフォーカスマスク１００におけるブレークダウン現
象を直ぐに検出する。例えば、ブレークダウン検出回路
２２０はバイアス源２１０によって供給される電圧の急
激な減少を検知するように構成することもできるし、バ
イアス源２１０から引き出される電流の急激な増大を検
知するように構成することもできる。一旦ブレークダウ
ン現象が検知されると、消磁制御回路２３０は消磁回路
２７０によってフォーカスマスク構体１００の消磁を開
始する。
【００３２】現時点で好ましいブレークダウン検出回路
２２０の実施例が図７に概略的に示されている。検知手
段２６２がバイアス源２１０と直列に結合されており、
また全波整流器２２７に結合されている。検知手段２６
２は検知を行なう機能に加えて、高電圧のアルタ電圧源
と低電圧検出回路２２０との間を電気的に絶縁するとい
う有利な機能を有している。
２２０の実施例が図７に概略的に示されている。検知手
段２６２がバイアス源２１０と直列に結合されており、
また全波整流器２２７に結合されている。検知手段２６
２は検知を行なう機能に加えて、高電圧のアルタ電圧源
と低電圧検出回路２２０との間を電気的に絶縁するとい
う有利な機能を有している。
【００３３】検知手段２６２は幾つかの方法で構成する
ことができ、その幾つかが図８の（ａ）〜（ｃ）に示さ
れている。ブレークダウン検出回路２２０の好ましい実
施例では、検知手段２６２は図８の（ａ）に示すように
電流変成器（変流器）Ｔ1 である。約４ターンの１次巻
線２２１はフォーカスマスク構体１００の第１の層３０
をバイアスするのに使用される高電圧ワイヤー２２２に
より形成されている。この形式のワイヤーは典型的には
最高で約３５ｋＶの電圧で使用することができる。２次
巻線２２３は、図示の実施例では２４ＡＷＧ（Ａｍｅｒ
ｉｃａｎ Ｗｉｒｅ Ｇａｕｇｅ）を２００ターンした
ものを有している。変成器Ｔ1 の１次、２次の各ターン
数、従って、そのターンの比は、ブレークダウン検出回
路２２０の特定の実施例によって変成器Ｔ1 に課せられ
る要求に従って変更し得ることは当業者には明らかであ
る。
ことができ、その幾つかが図８の（ａ）〜（ｃ）に示さ
れている。ブレークダウン検出回路２２０の好ましい実
施例では、検知手段２６２は図８の（ａ）に示すように
電流変成器（変流器）Ｔ1 である。約４ターンの１次巻
線２２１はフォーカスマスク構体１００の第１の層３０
をバイアスするのに使用される高電圧ワイヤー２２２に
より形成されている。この形式のワイヤーは典型的には
最高で約３５ｋＶの電圧で使用することができる。２次
巻線２２３は、図示の実施例では２４ＡＷＧ（Ａｍｅｒ
ｉｃａｎ Ｗｉｒｅ Ｇａｕｇｅ）を２００ターンした
ものを有している。変成器Ｔ1 の１次、２次の各ターン
数、従って、そのターンの比は、ブレークダウン検出回
路２２０の特定の実施例によって変成器Ｔ1 に課せられ
る要求に従って変更し得ることは当業者には明らかであ
る。
【００３４】検知手段２６２の代替品として、図８の
（ｂ）に示すように、電圧変成器Ｔ2によって等価的に
構成することができる。この変成器Ｔ2 はフォーカスマ
スク構体１００の２つの層１０と３０との間の公称電圧
からのランダムなずれを検知することによってバイアス
源２１０からの電流の流入を判別する。例えば、ブレー
クダウン現象が生じると、バイアス源２１０の出力は短
絡され、流入電流がバイアス源２１０から供給される。
しかしながら、バイアス源２１０の出力が短絡されてい
るので、バイアス源２１０の出力電圧は急激に低下し、
これによってブレークダウン現象の発生が示される。
（ｂ）に示すように、電圧変成器Ｔ2によって等価的に
構成することができる。この変成器Ｔ2 はフォーカスマ
スク構体１００の２つの層１０と３０との間の公称電圧
からのランダムなずれを検知することによってバイアス
源２１０からの電流の流入を判別する。例えば、ブレー
クダウン現象が生じると、バイアス源２１０の出力は短
絡され、流入電流がバイアス源２１０から供給される。
しかしながら、バイアス源２１０の出力が短絡されてい
るので、バイアス源２１０の出力電圧は急激に低下し、
これによってブレークダウン現象の発生が示される。
【００３５】変成器Ｔ2 の１次巻線２６３はフォーカス
マスク構体１００の第２の層３０をバイアスするのに使
用される高電圧ワイヤー２２２によって形成されてい
る。変成器Ｔ2 の１次巻線２６３、２次巻線２６４の各
ターン数、従って、そのターン数の比は、ブレークダウ
ン検出回路２２２の特定の実施例により、この変成器Ｔ
2 に課せられる要求に従って変更されることは当業者に
は明らかである。
マスク構体１００の第２の層３０をバイアスするのに使
用される高電圧ワイヤー２２２によって形成されてい
る。変成器Ｔ2 の１次巻線２６３、２次巻線２６４の各
ターン数、従って、そのターン数の比は、ブレークダウ
ン検出回路２２２の特定の実施例により、この変成器Ｔ
2 に課せられる要求に従って変更されることは当業者に
は明らかである。
【００３６】変成器Ｔ2 ，Ｔ2 の１次巻線および２次巻
線はトロイダルコアに巻回される。トロイダルコアは、
例えば工業部品番号Ａ−４３８２８１−２を有し、アー
ノルド エンジニアリング コーポレイション（Ａｒｎ
ｏｌｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｏ．）によって製
造されている。図８の（ａ）および（ｂ）に示す実施例
でトロイダルコアを使用することは単なる一例で、その
他の幾何学的形状のコアは使用できないことを示すもの
ではない。
線はトロイダルコアに巻回される。トロイダルコアは、
例えば工業部品番号Ａ−４３８２８１−２を有し、アー
ノルド エンジニアリング コーポレイション（Ａｒｎ
ｏｌｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｏ．）によって製
造されている。図８の（ａ）および（ｂ）に示す実施例
でトロイダルコアを使用することは単なる一例で、その
他の幾何学的形状のコアは使用できないことを示すもの
ではない。
【００３７】次に図８の（ｃ）を参照する。検知手段２
６２は光学的絶縁装置２６５を使用して構成することも
できる。図８の（ａ）乃至（ｃ）に示す検知手段２６２
の構成は単なる例であって、ここで説明した本発明の構
成内容の範囲内で他の実施例を使用することができない
ことを意味するものでないことは当業者には明らかであ
る。
６２は光学的絶縁装置２６５を使用して構成することも
できる。図８の（ａ）乃至（ｃ）に示す検知手段２６２
の構成は単なる例であって、ここで説明した本発明の構
成内容の範囲内で他の実施例を使用することができない
ことを意味するものでないことは当業者には明らかであ
る。
【００３８】通常の動作では、フォーカスマスク構体１
００はブレークダウン現象の影響を受けない。図７を参
照すると、このような通常の動作期間の間、トランジス
タＱ１は非導通状態、つまりオフ状態にある。抵抗Ｒ１
は電圧Ｖccを第１の単安定マルチバイブレータ２２５の
後縁（ｔｒａｉｌｉｎｇ−ｅｄｇｅ）トリガ入力２２４
に結合させる。第１の単安定マルチバイブレータ２２５
は、例えば工業部品番号ＣＤ４０９８Ｂをもっている。
マルチバイブレータ２２５の反転出力２２６はこのよう
な通常の動作期間の間、高論理“Ｈ”にある。
００はブレークダウン現象の影響を受けない。図７を参
照すると、このような通常の動作期間の間、トランジス
タＱ１は非導通状態、つまりオフ状態にある。抵抗Ｒ１
は電圧Ｖccを第１の単安定マルチバイブレータ２２５の
後縁（ｔｒａｉｌｉｎｇ−ｅｄｇｅ）トリガ入力２２４
に結合させる。第１の単安定マルチバイブレータ２２５
は、例えば工業部品番号ＣＤ４０９８Ｂをもっている。
マルチバイブレータ２２５の反転出力２２６はこのよう
な通常の動作期間の間、高論理“Ｈ”にある。
【００３９】フォーカスマスク構体１００にブレークダ
ウン現象が生じると、マスクのキャパシタンスとバイア
ス源２１０によってクロス−ストランド電流が供給され
る。クロス−ストランド電流が１次巻線２２１を通って
流れると、２次巻線２２３に２次電流ＩSEC が誘導され
る。２次電流ＩSEC の大きさはクロス−ストランド電流
の大きさと変成器Ｔ1 の１次巻線−２次巻線の巻線比と
の積に等しくなる。
ウン現象が生じると、マスクのキャパシタンスとバイア
ス源２１０によってクロス−ストランド電流が供給され
る。クロス−ストランド電流が１次巻線２２１を通って
流れると、２次巻線２２３に２次電流ＩSEC が誘導され
る。２次電流ＩSEC の大きさはクロス−ストランド電流
の大きさと変成器Ｔ1 の１次巻線−２次巻線の巻線比と
の積に等しくなる。
【００４０】２次電流ＩSEC は全波整流器２２７により
整流され、可調整抵抗Ｒ２およびインダクタＬ１を経て
駆動トランジスタＱ１に流れる。抵抗Ｒ２は、ブレーク
ダウン検出回路２２０が通常生じるリプル電圧および電
流と真正のブレークダウン現象とを区別できるように調
整される。
整流され、可調整抵抗Ｒ２およびインダクタＬ１を経て
駆動トランジスタＱ１に流れる。抵抗Ｒ２は、ブレーク
ダウン検出回路２２０が通常生じるリプル電圧および電
流と真正のブレークダウン現象とを区別できるように調
整される。
【００４１】これによってトランジスタＱ１は導通を開
始し、すなわちターンオンし、それによって例えば接地
電位である基準電位がマルチバイブレータ２２５の後縁
トリガ入力２２４に結合される。このような基準電位を
上記マルチバイブレータ２２５の後縁トリガ入力２２４
に結合するために他の適当な電子装置、例えば適当に構
成された演算増幅回路あるいは比較回路を上記トランジ
スタＱ１の代わりに使用することができることは当業者
に明らかである。
始し、すなわちターンオンし、それによって例えば接地
電位である基準電位がマルチバイブレータ２２５の後縁
トリガ入力２２４に結合される。このような基準電位を
上記マルチバイブレータ２２５の後縁トリガ入力２２４
に結合するために他の適当な電子装置、例えば適当に構
成された演算増幅回路あるいは比較回路を上記トランジ
スタＱ１の代わりに使用することができることは当業者
に明らかである。
【００４２】入力２２４がＶccから接地電位に変化する
ことにより、マルチバイブレータ２２５をトリガして反
転入力２２６に負方向パルス２２８を発生させるパルス
２２８はＶccの電圧にほぼ等しいピーク−ピーク値をも
っている。パルス２２８の幅は抵抗Ｒ４とキャパシタＣ
５を適当に選択することによって設定される。現時点で
のブレークダウン検出回路の好ましい実施例では、パル
ス２２８のパルス幅は約５０マイクロ秒に等しい。
ことにより、マルチバイブレータ２２５をトリガして反
転入力２２６に負方向パルス２２８を発生させるパルス
２２８はＶccの電圧にほぼ等しいピーク−ピーク値をも
っている。パルス２２８の幅は抵抗Ｒ４とキャパシタＣ
５を適当に選択することによって設定される。現時点で
のブレークダウン検出回路の好ましい実施例では、パル
ス２２８のパルス幅は約５０マイクロ秒に等しい。
【００４３】ブレークダウン検出回路２２０の抵抗Ｒ６
はパルス２２８を図９に示す消磁制御回路２３０に結合
する。図９のスイッチＳ１およびＳ２は消磁制御回路に
対する手動による消磁を可能にするものである。図９に
示すこれらのスイッチの位置によれば自動消磁が可能で
ある。
はパルス２２８を図９に示す消磁制御回路２３０に結合
する。図９のスイッチＳ１およびＳ２は消磁制御回路に
対する手動による消磁を可能にするものである。図９に
示すこれらのスイッチの位置によれば自動消磁が可能で
ある。
【００４４】図９を参照すると、負方向パルス２２８は
ダイオードＤ５と抵抗Ｒ１３とによってナンドゲート２
３３の入力２３１と２３２に結合される。消磁制御回路
２３０全体を通じて使用されるナンドゲートは工業部品
番号ＣＤ４０９３Ｂのものである。
ダイオードＤ５と抵抗Ｒ１３とによってナンドゲート２
３３の入力２３１と２３２に結合される。消磁制御回路
２３０全体を通じて使用されるナンドゲートは工業部品
番号ＣＤ４０９３Ｂのものである。
【００４５】これによって、ナンドゲート２３３の出力
は高論理“Ｈ”になり、これはＤ形フリップフロップ２
３５のセット入力２３４に供給される。Ｄ形フリップフ
ロップ２３５は工業部品番号ＣＤ４０１３Ｂのものが使
用されている。入力２３４が高論理“Ｈ”になることに
より、フリップフロップ２３５の非反転出力２３６もま
た高論理“Ｈ”になる。
は高論理“Ｈ”になり、これはＤ形フリップフロップ２
３５のセット入力２３４に供給される。Ｄ形フリップフ
ロップ２３５は工業部品番号ＣＤ４０１３Ｂのものが使
用されている。入力２３４が高論理“Ｈ”になることに
より、フリップフロップ２３５の非反転出力２３６もま
た高論理“Ｈ”になる。
【００４６】フリップフロップ２３５の出力２３６はナ
ンドゲート２４０の入力２３７に結合される。ナンドゲ
ート２４０の他の入力２３８はフォーカスマスク１００
構体が正常に動作している間は一般に高論理“Ｈ”の状
態にある。この点については以下で詳細に説明する。従
って、ナンドゲート２４０の出力２３９は低論理“Ｌ”
であり、この状態が存在することはブレークダウン現象
が生じたことを表わしている。この低論理“Ｌ”はＤ形
フリップフロップ２４４のデータ入力２４１に結合され
る。
ンドゲート２４０の入力２３７に結合される。ナンドゲ
ート２４０の他の入力２３８はフォーカスマスク１００
構体が正常に動作している間は一般に高論理“Ｈ”の状
態にある。この点については以下で詳細に説明する。従
って、ナンドゲート２４０の出力２３９は低論理“Ｌ”
であり、この状態が存在することはブレークダウン現象
が生じたことを表わしている。この低論理“Ｌ”はＤ形
フリップフロップ２４４のデータ入力２４１に結合され
る。
【００４７】データ入力２４１における低論理“Ｌ”の
補信号は、クロック入力２４３におけるトリガパルスの
正方向への変化時にフリップフロップ２２４の反転出力
２４２に転送される。現在での消磁制御回路２３０の好
ましい実施例では、トリガパルス２４５はビデオ表示装
置の垂直ブランキングパルス２４６から取り出されると
いう利点があり、それによって消磁動作はブレークダウ
ン現象の検出後の次のブランキング期間まで遅延され
る。これによってビデオ表示装置の視聴者に迷惑をかけ
ることなく変色バンドの異常を修正することができる。
勿論ブレークダウン現象の検出時に直ちに消磁を行うこ
とができるように消磁制御回路２３０を適当に修正ある
いは省略することも可能なことは当業者には明らかであ
る。
補信号は、クロック入力２４３におけるトリガパルスの
正方向への変化時にフリップフロップ２２４の反転出力
２４２に転送される。現在での消磁制御回路２３０の好
ましい実施例では、トリガパルス２４５はビデオ表示装
置の垂直ブランキングパルス２４６から取り出されると
いう利点があり、それによって消磁動作はブレークダウ
ン現象の検出後の次のブランキング期間まで遅延され
る。これによってビデオ表示装置の視聴者に迷惑をかけ
ることなく変色バンドの異常を修正することができる。
勿論ブレークダウン現象の検出時に直ちに消磁を行うこ
とができるように消磁制御回路２３０を適当に修正ある
いは省略することも可能なことは当業者には明らかであ
る。
【００４８】垂直リトレース期間の間、垂直ブランキン
グパルス２４６は、一例として基準電位、例えば接地電
位よりも約４．５Ｖ低い電圧レベルに低下する。垂直ブ
ランキングパルス２４６は、光学的絶縁装置２４８、あ
るいは垂直偏向回路を消磁制御回路２３０から適当に絶
縁する他の任意の手段によって反転バッファ２４７に結
合される。反転バッファ２４７は正方向にトリガパルス
２４５を発生する。このパルス２４５は約１２Ｖのピー
ク−ピーク値を有し、また垂直ブランキング期間にほぼ
等しい、すなわち約１ミリ秒のパルス幅をもっている。
グパルス２４６は、一例として基準電位、例えば接地電
位よりも約４．５Ｖ低い電圧レベルに低下する。垂直ブ
ランキングパルス２４６は、光学的絶縁装置２４８、あ
るいは垂直偏向回路を消磁制御回路２３０から適当に絶
縁する他の任意の手段によって反転バッファ２４７に結
合される。反転バッファ２４７は正方向にトリガパルス
２４５を発生する。このパルス２４５は約１２Ｖのピー
ク−ピーク値を有し、また垂直ブランキング期間にほぼ
等しい、すなわち約１ミリ秒のパルス幅をもっている。
【００４９】トリガパルス２４５が一旦フリップフロッ
プ２４４のクロック入力２４３に供約されると、その反
転出力２４２に高論理“Ｈ”が現れ、この出力はナンド
ゲート２５２の出力２４９に結合される。トリガパルス
２４５はナンドゲート２５２の他の入力２５０に供給さ
れる。これによってナンドゲート２５２の出力２５１に
低論理“Ｌ”が発生し、この低論理“Ｌ”は反転バッフ
ァ２５３によって反転され、該バッファ２５３の出力２
５４に発生する高論理“Ｈ”への変化は単安定マルチバ
イブレータ２５５をトリガする。単安定マルチバイブレ
ータ２５５は再トリガ不能形式に接続されたものが使用
されている。
プ２４４のクロック入力２４３に供約されると、その反
転出力２４２に高論理“Ｈ”が現れ、この出力はナンド
ゲート２５２の出力２４９に結合される。トリガパルス
２４５はナンドゲート２５２の他の入力２５０に供給さ
れる。これによってナンドゲート２５２の出力２５１に
低論理“Ｌ”が発生し、この低論理“Ｌ”は反転バッフ
ァ２５３によって反転され、該バッファ２５３の出力２
５４に発生する高論理“Ｈ”への変化は単安定マルチバ
イブレータ２５５をトリガする。単安定マルチバイブレ
ータ２５５は再トリガ不能形式に接続されたものが使用
されている。
【００５０】マルチバイブレータ２５５がバッファ２５
３によってトリガされると、その反転出力２５７は低論
理“Ｌ”になり、これは反転バッファ２５８および２５
９により反転されて高論理“Ｈ”を発生する。この高論
理“Ｈ”の持続期間は抵抗Ｒ１２とキャパシタＣ１３を
適当に選択することによって設定される。好ましい実施
例では、この高論理“Ｈ”の持続時間は垂直ブランキン
グ期間にほぼ等しく、すなわち約１ミリ秒である。バッ
ファ２５８および２５９の出力は、図１０に示す消磁回
路２７０の抵抗Ｒ７とＲ８とにより構成される分圧器に
供給される。
３によってトリガされると、その反転出力２５７は低論
理“Ｌ”になり、これは反転バッファ２５８および２５
９により反転されて高論理“Ｈ”を発生する。この高論
理“Ｈ”の持続期間は抵抗Ｒ１２とキャパシタＣ１３を
適当に選択することによって設定される。好ましい実施
例では、この高論理“Ｈ”の持続時間は垂直ブランキン
グ期間にほぼ等しく、すなわち約１ミリ秒である。バッ
ファ２５８および２５９の出力は、図１０に示す消磁回
路２７０の抵抗Ｒ７とＲ８とにより構成される分圧器に
供給される。
【００５１】図１０を参照すると、バッファ２５８およ
び２５９の出力における高論理“Ｈ”を抵抗Ｒ７とＲ８
とからなる分圧器に供給することにより、トランジスタ
Ｑ２を導通、つまりターンオンさせる。これによって２
４Ｖの電圧はサイリスタＱ３のゲート電極をトリガし、
その結果、消磁電流ＩDGが図１１に示すように減衰振動
する態様で共振インダクタＬ２と共振キャパシタＣ６と
の間に流れ、フォーカスマスク構体１００を消磁する。
び２５９の出力における高論理“Ｈ”を抵抗Ｒ７とＲ８
とからなる分圧器に供給することにより、トランジスタ
Ｑ２を導通、つまりターンオンさせる。これによって２
４Ｖの電圧はサイリスタＱ３のゲート電極をトリガし、
その結果、消磁電流ＩDGが図１１に示すように減衰振動
する態様で共振インダクタＬ２と共振キャパシタＣ６と
の間に流れ、フォーカスマスク構体１００を消磁する。
【００５２】図９および図１０を参照する。フォーカス
マスク構体１００の通常の動作期間の間、共振キャパシ
タＣ６は図示の実施例では公称８９０Ｖの直流電圧に十
分に充電されており、ナンドゲード２４０の入力２３８
は高論理“Ｈ”をとる。しかしながら、フォーカスマス
ク構体１００の消磁期間の間、消磁電流ＩDGが消磁回路
２７０を通って流れ、共振キャパシタＣ６の両端間の電
圧Ｖc は公称の電圧以下に低下する。一旦消磁動作が完
了すると、キャパシタＣ６は次の消磁動作を予測してそ
の公称の電圧に再充電される。
マスク構体１００の通常の動作期間の間、共振キャパシ
タＣ６は図示の実施例では公称８９０Ｖの直流電圧に十
分に充電されており、ナンドゲード２４０の入力２３８
は高論理“Ｈ”をとる。しかしながら、フォーカスマス
ク構体１００の消磁期間の間、消磁電流ＩDGが消磁回路
２７０を通って流れ、共振キャパシタＣ６の両端間の電
圧Ｖc は公称の電圧以下に低下する。一旦消磁動作が完
了すると、キャパシタＣ６は次の消磁動作を予測してそ
の公称の電圧に再充電される。
【００５３】ブレークダウン現象が検出され、それによ
って消磁動作が試みられて電圧Ｖcがその公称の電圧値
以下に低下している間は、フォーカスマスク構体１００
は適正に消磁されない。このような状況は、例えば既に
消磁動作が進行している間にブレークダウン現象が検出
された場合に生じる。
って消磁動作が試みられて電圧Ｖcがその公称の電圧値
以下に低下している間は、フォーカスマスク構体１００
は適正に消磁されない。このような状況は、例えば既に
消磁動作が進行している間にブレークダウン現象が検出
された場合に生じる。
【００５４】消磁制御回路２３０は、共振キャパシタＣ
６が十分に充電されるまで消磁動作を有効に遅らせる機
能を与えることができる。従って、ブレークダウン現象
を検出して一旦消磁動作が開始されると、共振キャパシ
タＣ６が十分に充電された後の最初の垂直ブランキング
期間まで、ブレークダウン現象が検出されても後続する
消磁動作を開始させることはできない。単安定マルチバ
イブレータ２５６の前縁（ｌｅａｄｉｎｇ−ｅｄｇｅ）
トリガ入力２６０は対応する単安定マルチバイブレータ
２５５の対応する入力に結合される。マルチバイブレー
タ２５６は再トリガ不能構成に接続される。
６が十分に充電されるまで消磁動作を有効に遅らせる機
能を与えることができる。従って、ブレークダウン現象
を検出して一旦消磁動作が開始されると、共振キャパシ
タＣ６が十分に充電された後の最初の垂直ブランキング
期間まで、ブレークダウン現象が検出されても後続する
消磁動作を開始させることはできない。単安定マルチバ
イブレータ２５６の前縁（ｌｅａｄｉｎｇ−ｅｄｇｅ）
トリガ入力２６０は対応する単安定マルチバイブレータ
２５５の対応する入力に結合される。マルチバイブレー
タ２５６は再トリガ不能構成に接続される。
【００５５】マルチバイブレータ２５５がバッファ２５
３の出力２５４における正方向変化によりトリガされ、
それにより消磁が開始されると、マルチバイブレータ２
５６は同様にトリガされ、その反転出力２６１にナンド
ゲート２４０の入力２３８に供給される低論理“Ｌ”が
発生する。マルチバイブレータ２５６の出力２６１がナ
ンドゲート２４０の入力２３８に高論理“Ｈ”を供給す
るまで消磁動作を開始することはできない。これはマル
チバイブレータ２５６が最初にトリガされたのち、予め
定められた時点で生じる。この予め定められた時点は抵
抗Ｒ１４とキャパシタＣ２を適当に選択することにより
設定される。
３の出力２５４における正方向変化によりトリガされ、
それにより消磁が開始されると、マルチバイブレータ２
５６は同様にトリガされ、その反転出力２６１にナンド
ゲート２４０の入力２３８に供給される低論理“Ｌ”が
発生する。マルチバイブレータ２５６の出力２６１がナ
ンドゲート２４０の入力２３８に高論理“Ｈ”を供給す
るまで消磁動作を開始することはできない。これはマル
チバイブレータ２５６が最初にトリガされたのち、予め
定められた時点で生じる。この予め定められた時点は抵
抗Ｒ１４とキャパシタＣ２を適当に選択することにより
設定される。
【００５６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、フォー
カスマスク形式の陰極線管において、内部で生ずる垂直
ストランドと水平ワイヤーとの間のブレークダウン現象
に起因する短絡によりクロス−ストランド電流が流れ
て、上記ストランドに残留磁界が生じても、この残留磁
界は消磁回路の作用により急速に除去されるから、変色
あるいは褐色のバンドがスクリーンに現れるのを確実に
防止することができる。ブレークダウン現象が検出され
るとそれに続く垂直ブランキング期間の間に急速に消磁
動作が開始されて、ストランドを消磁する。
カスマスク形式の陰極線管において、内部で生ずる垂直
ストランドと水平ワイヤーとの間のブレークダウン現象
に起因する短絡によりクロス−ストランド電流が流れ
て、上記ストランドに残留磁界が生じても、この残留磁
界は消磁回路の作用により急速に除去されるから、変色
あるいは褐色のバンドがスクリーンに現れるのを確実に
防止することができる。ブレークダウン現象が検出され
るとそれに続く垂直ブランキング期間の間に急速に消磁
動作が開始されて、ストランドを消磁する。
【００５７】以上、本発明を特定の実施例について説明
したが、本発明の本質から逸脱しない範囲内で図示の実
施例を変更し、あるいは変形できることは言うまでもな
い。例えば、ブレークダウン検出回路２２０と消磁制御
回路２３０とによって実行される論理機能はマイクロプ
ロセッサおよびそれに関連する回路によっても実行でき
ることは当業者には明らかである。従って、特許請求の
範囲は前述の説明および実施例から当然に考えられるす
べての変形を包含することを意図していることはいうま
でもない。
したが、本発明の本質から逸脱しない範囲内で図示の実
施例を変更し、あるいは変形できることは言うまでもな
い。例えば、ブレークダウン検出回路２２０と消磁制御
回路２３０とによって実行される論理機能はマイクロプ
ロセッサおよびそれに関連する回路によっても実行でき
ることは当業者には明らかである。従って、特許請求の
範囲は前述の説明および実施例から当然に考えられるす
べての変形を包含することを意図していることはいうま
でもない。
【図１】従来のフォーカスマスク形式の色選択構体を示
す図である。
す図である。
【図２】フォーカスマスク色選択構体におけるブレーク
ダウン現象を説明するのに有効な図である。
ダウン現象を説明するのに有効な図である。
【図３】フォーカスマスク色選択構体におけるブレーク
ダウン現象を説明するのに有効な図である。
ダウン現象を説明するのに有効な図である。
【図４】フォーカスマスク色選択構体におけるブレーク
ダウン現象を説明するのに有効な図である。
ダウン現象を説明するのに有効な図である。
【図５】フォーカスマスク色選択構体におけるブレーク
ダウン現象を説明するのに有効な図である。
ダウン現象を説明するのに有効な図である。
【図６】本発明の装置による変色バンド修正装置をブロ
ックの形式で示した図である。
ックの形式で示した図である。
【図７】図６中のブロック図で示した回路成分を回路図
の形で示した図である。
の形で示した図である。
【図８】図６中のブロック図で示した回路成分の部分を
回路図の形で示した図である。
回路図の形で示した図である。
【図９】図６中のブロック図で示した回路成分の部分を
回路図の形で示した図である。
回路図の形で示した図である。
【図１０】従来の共振消磁回路を示す図である。
【図１１】図１０の消磁回路の動作を説明するのに有効
な図である。
な図である。
１００ フォーカスマスク構体 ２００ 変色バンド修正装置 ２２０ ブレークダウン検出回路 ２３０ 消磁制御回路 ２７０ 消磁回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イストバン ゴログ アメリカ合衆国 ペンシルベニア州 ラン カスター ウイートランド・アベニユー 1275 (72)発明者 ロジヤー ピエーリ フランス国 デイジヨン ルー・ダボー ８ (72)発明者 ジヨン アラン ホルツアツプル アメリカ合衆国 ペンシルベニア州 レオ ーラ ロビン・デール・ドライブ 274 (72)発明者 リチヤード ウイリアム ノスカー アメリカ合衆国 ニユージヤージ州 プリ ンストン ホーソーン・アベニユー 269 (72)発明者 ポール カクザー アメリカ合衆国 ペンシルベニア州 フオ ールシングトン テイラー・ドライブ 90
Claims (19)
- 【請求項１】 フォーカスマスク構体を有する陰極線管
における変色バンドを除去する装置であって、 上記フォーカスマスク構体にブレークダウン現象が発生
したことを検出するブレークダウン検出回路と、 上記ブレークダウン検出回路に応答して上記フォーカス
マスク構体を消磁する消磁回路と、からなる陰極線管の
変色バンド修正装置。 - 【請求項２】 上記消磁回路は共振磁場を有する、請求
項１記載の陰極線管の変色バンド修正装置。 - 【請求項３】 上記消磁回路は共振キャパシタからな
り、上記キャパシタの充電によって上記ブレークダウン
現象の発生の検出に続いて行われる上記消磁を遅延させ
る、請求項２記載の陰極線管の変色バンド修正装置。 - 【請求項４】 上記ブレークダウン現象の発生の検出時
に上記フォーカスマスク構体の自動消磁と手動消磁との
間の選択を行なう第１のスイッチ手段と、手動消磁を開
始させる第２のスイッチ手段とを含む、請求項１記載の
陰極線管の変色バンド修正装置。 - 【請求項５】 フォーカスマスク構体を有する陰極線管
における変色バンド修正装置であって、 上記フォーカスマスク構体にブレークダウン現象が発生
したことを検出するブレークダウン検出回路と、 上記ブレークダウン検出回路に結合された消磁制御回路
と、 上記消磁制御回路に応答して上記フォーカスマスク構体
を消磁する消磁回路と、からなる陰極線管の変色バンド
修正装置。 - 【請求項６】 上記ブレークダウン検出回路は上記ブレ
ークダウン現象の発生の検出時に上記消磁制御回路をト
リガする、請求項５記載の陰極線管の変色バンド修正装
置。 - 【請求項７】 上記上記ブレークダウン検出回路は上記
消磁制御回路に波形を供給する、請求項６記載の陰極線
管の変色バンド修正装置。 - 【請求項８】 上記波形は実質的にパルス形状である、
請求項７記載の陰極線管の変色バンド修正装置。 - 【請求項９】 上記上記消磁制御回路は、上記ブレーク
ダウン現象の発生の検出後に、上記陰極線管スクリーン
の次のブランキングが生ずるまで消磁を遅延させる、請
求項６記載の陰極線管の変色バンド修正装置。 - 【請求項１０】 上記ブランキングは上記陰極線管に供
給されるビデオ信号の垂直ブランキングパルスに応答す
る、請求項９記載の陰極線管の変色バンド修正装置。 - 【請求項１１】 上記消磁制御回路は、 ブレークダウン現象の発生を示す情報を記憶する手段
と、 上記装置にブランキングパルスを供給する手段と、 上記記憶手段からの上記情報を上記ブランキングパルス
と比較する手段と、 上記比較手段に応答するトリガ手段と、からなる請求項
５記載の陰極線管の変色バンド修正装置。 - 【請求項１２】 上記トリガ手段は単安定マルチバイブ
レータ回路からなる、請求項１１記載の陰極線管の変色
バンド修正装置。 - 【請求項１３】 上記マルチバイブレータ回路は再トリ
ガ不能動作モードとして構成される、請求項１２記載の
陰極線管の変色バンド修正装置。 - 【請求項１４】 上記比較手段は、上記ブレークダウン
現象の発生の検出後の次のブランキングパルスの発生期
間の間に消磁を可能にする、請求項１１記載の陰極線管
の変色バンド修正装置。 - 【請求項１５】 上記ブランキングパルスは垂直ブラン
キングパルスである、請求項１４記載の陰極線管の変色
バンド修正装置。 - 【請求項１６】 フォーカスマスク構体を有する陰極線
管における変色バンド修正装置であって、 ブレークダウン現象の発生を示す情報を記憶する手段
と、 上記装置にブランキングパルスを供給する手段と、 上記記憶手段からの上記情報を上記ブランキングパルス
と比較する第１の手段と、 上記比較手段に応答するトリガ手段と、 上記第１の手段に応答するパルス波形を発生する手段
と、 上記記憶手段からの上記情報を上記パルス波形と比較す
る第２の手段と、 上記トリガ手段に応答して上記フォーカスマスク構体を
消磁する消磁回路と、からなる陰極線管の変色バンド修
正装置。 - 【請求項１７】 上記第２の手段は、上記パルス波形の
持続期間の間上記フォーカスマスク構体の消磁を遅延さ
せる、請求項１６記載の陰極線管の変色バンド修正装
置。 - 【請求項１８】 上記パルス波形を発生する手段は単安
定マルチバイブレータ回路からなる、請求項１６記載の
陰極線管の変色バンド修正装置。 - 【請求項１９】 上記マルチバイブレータ回路は再トリ
ガ不能動作モードとして構成される、請求項１８記載の
陰極線管の変色バンド修正装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/704,003 US5729092A (en) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | CRT focus mask degaussing arrangement responsive to a breakdown event |
| US704003 | 1996-08-22 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098737A true JPH1098737A (ja) | 1998-04-14 |
| JPH1098737A5 JPH1098737A5 (ja) | 2005-05-26 |
| JP3805865B2 JP3805865B2 (ja) | 2006-08-09 |
Family
ID=24827673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23049897A Expired - Fee Related JP3805865B2 (ja) | 1996-08-22 | 1997-08-13 | 変色バンド除去装置 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5729092A (ja) |
| EP (1) | EP0825785B1 (ja) |
| JP (1) | JP3805865B2 (ja) |
| KR (1) | KR100458249B1 (ja) |
| CN (1) | CN1188888C (ja) |
| DE (1) | DE69731795T2 (ja) |
| ID (1) | ID18058A (ja) |
| MY (1) | MY115244A (ja) |
| TW (1) | TW388056B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894445B2 (en) * | 2001-08-31 | 2005-05-17 | Thomson Licensing S.A. | Cathode ray tube phosphor protection |
| US8936592B2 (en) | 2010-06-03 | 2015-01-20 | Ams Research Corporation | Laser tissue ablation system |
| CN104953840B (zh) * | 2014-03-31 | 2017-11-21 | 比亚迪股份有限公司 | 采样装置和具其的开关电源管理芯片及充电器 |
| CN112415431B (zh) * | 2019-08-22 | 2024-10-15 | 遂宁立讯精密工业有限公司 | 一种数据线短接不良的检测方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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