JPH11102914A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPH11102914A JPH11102914A JP26397397A JP26397397A JPH11102914A JP H11102914 A JPH11102914 A JP H11102914A JP 26397397 A JP26397397 A JP 26397397A JP 26397397 A JP26397397 A JP 26397397A JP H11102914 A JPH11102914 A JP H11102914A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- susceptor
- wafer
- heat treatment
- processed
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】被処理物の面内温度分布を均一化、耐食性の向
上、自動化の促進を課題とする。 【解決手段】処理室21と、この処理室21内に配置され、
ウェハ31を支持するサセプタ30と、前記ウェハ31を加熱
するウェハ用ヒータ34と、前記サセプタ30を加熱するサ
セプタ用ヒータ33と、前記ウェハ31とウェハ用ヒータ34
間に配置された均熱板35とを具備することを特徴とする
熱処理装置。
上、自動化の促進を課題とする。 【解決手段】処理室21と、この処理室21内に配置され、
ウェハ31を支持するサセプタ30と、前記ウェハ31を加熱
するウェハ用ヒータ34と、前記サセプタ30を加熱するサ
セプタ用ヒータ33と、前記ウェハ31とウェハ用ヒータ34
間に配置された均熱板35とを具備することを特徴とする
熱処理装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は熱処理装置に関し、
特に被処理物と該被処理物を支持するサセプタを夫々加
熱するヒータを備えた熱処理装置に関する。
特に被処理物と該被処理物を支持するサセプタを夫々加
熱するヒータを備えた熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、熱処理装置としては、図４に示す
ものが知られている（特開平３−９７２２２）。図中の
付番１は反応室である。この反応室１には、反応ガスの
導入口２及び排気口３が設けられている。前記反応室１
内には、Ｏリング４を介して石英ヒータカバー５が設け
られ、中心部に不活性ガスのガス導入路６が設けられて
いる。前記石英ヒータカバー５内の上部にはヒータケー
ス７が支持材８により支持されており、前記ヒータケー
ス７上には厚さ数ミリの渦巻状の平板形カーボンヒータ
９が設置されている。ここで、カーボンヒータ９は内
側、中心部及び外側の３ゾーンに電気的に分割され、各
ゾーンは独立に電力制御される。前記カーボンヒータ９
上には支持部10によりウェハ12を間接加熱するサセプタ
11が設けられている。このサセプタ11と石英ヒータカバ
ー５との間には不活性ガス流通部13が設けられている。
なお、図中の付番14は石英ヒータカバー５内を排気する
排気口である。
ものが知られている（特開平３−９７２２２）。図中の
付番１は反応室である。この反応室１には、反応ガスの
導入口２及び排気口３が設けられている。前記反応室１
内には、Ｏリング４を介して石英ヒータカバー５が設け
られ、中心部に不活性ガスのガス導入路６が設けられて
いる。前記石英ヒータカバー５内の上部にはヒータケー
ス７が支持材８により支持されており、前記ヒータケー
ス７上には厚さ数ミリの渦巻状の平板形カーボンヒータ
９が設置されている。ここで、カーボンヒータ９は内
側、中心部及び外側の３ゾーンに電気的に分割され、各
ゾーンは独立に電力制御される。前記カーボンヒータ９
上には支持部10によりウェハ12を間接加熱するサセプタ
11が設けられている。このサセプタ11と石英ヒータカバ
ー５との間には不活性ガス流通部13が設けられている。
なお、図中の付番14は石英ヒータカバー５内を排気する
排気口である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４の熱処
理装置においては、ウェハ12を渦巻状の平板形カーボン
ヒータ９で間接的に加熱しているため、ウェハ12の均一
性がカーボンヒータ９の平面形状に左右され、ウェハ12
の面内温度分布が均一にならないという課題があった。
理装置においては、ウェハ12を渦巻状の平板形カーボン
ヒータ９で間接的に加熱しているため、ウェハ12の均一
性がカーボンヒータ９の平面形状に左右され、ウェハ12
の面内温度分布が均一にならないという課題があった。
【０００４】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、被処理物を加熱する第１のヒータ、サセプタを
加熱する第２のヒータ、及び第１のヒータと被処理物間
に配置された均熱板を具備した構成とすることにより、
被処理物の面内温度分布を均一にしえる熱処理装置を提
供することを目的とする。
もので、被処理物を加熱する第１のヒータ、サセプタを
加熱する第２のヒータ、及び第１のヒータと被処理物間
に配置された均熱板を具備した構成とすることにより、
被処理物の面内温度分布を均一にしえる熱処理装置を提
供することを目的とする。
【０００５】また、本発明は、第１のヒータ及び第２の
ヒータを、カーボングラファイト製の基材の表面にＳｉ
Ｃ被膜又はガラス状カーボン被膜を被覆した構成とする
ことにより、耐食性に優れた熱処理装置を提供すること
を目的とする。
ヒータを、カーボングラファイト製の基材の表面にＳｉ
Ｃ被膜又はガラス状カーボン被膜を被覆した構成とする
ことにより、耐食性に優れた熱処理装置を提供すること
を目的とする。
【０００６】更に、本発明は、被処理物の表面の温度を
測定する手段を設けることにより、被処理物の表面の温
度を第１のヒータ及び第２のヒータにフィードバックさ
せ、被処理物の表面温度の管理を自動化できる熱処理装
置を提供することを目的とする。
測定する手段を設けることにより、被処理物の表面の温
度を第１のヒータ及び第２のヒータにフィードバックさ
せ、被処理物の表面温度の管理を自動化できる熱処理装
置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、処理室と、こ
の処理室内に配置され、被処理物を支持するサセプタ
と、前記被処理物を加熱する第１のヒータと、前記サセ
プタを加熱する第２のヒータと、前記被処理物と第１の
ヒータ間に配置された均熱板とを具備することを特徴と
する熱処理装置である。
の処理室内に配置され、被処理物を支持するサセプタ
と、前記被処理物を加熱する第１のヒータと、前記サセ
プタを加熱する第２のヒータと、前記被処理物と第１の
ヒータ間に配置された均熱板とを具備することを特徴と
する熱処理装置である。
【０００８】本発明において、第１のヒータとしては、
例えばカーボングラファイト製の基材の表面にＳｉＣ被
膜又はガラス状カーボン被膜が被覆された構成であるこ
とが好ましい。これにより耐食性を向上できる。
例えばカーボングラファイト製の基材の表面にＳｉＣ被
膜又はガラス状カーボン被膜が被覆された構成であるこ
とが好ましい。これにより耐食性を向上できる。
【０００９】本発明において、被処理物の表面の温度を
測定する手段、例えば放射温度計を基板の真上に設け、
これを第１のヒータ及び第２のヒータに電気的に接続さ
せることが好ましい。これにより、被処理物の表面温度
の管理を自動化できる。
測定する手段、例えば放射温度計を基板の真上に設け、
これを第１のヒータ及び第２のヒータに電気的に接続さ
せることが好ましい。これにより、被処理物の表面温度
の管理を自動化できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１〜
図３を参照して説明する。図中の付番21は処理室であ
る。この処理室21は、筒状体22と、この筒状体22の上下
に夫々Ｏリング23を介して設けられた上蓋24及び下蓋25
とから構成されている。前記上蓋24の中央部には開口部
24ａが設けられており、この開口部24ａに透明な板26が
設けられている。この板26の上方には、後述するウェハ
の表面の温度を計測する放射温度計27が配置されてい
る。前記下蓋25には排気口28が設けられている。前記放
射温度計27は、後述するサセプタ用ヒータ33、ウェハ用
ヒータ34にそれぞれ電気的に接続されている。
図３を参照して説明する。図中の付番21は処理室であ
る。この処理室21は、筒状体22と、この筒状体22の上下
に夫々Ｏリング23を介して設けられた上蓋24及び下蓋25
とから構成されている。前記上蓋24の中央部には開口部
24ａが設けられており、この開口部24ａに透明な板26が
設けられている。この板26の上方には、後述するウェハ
の表面の温度を計測する放射温度計27が配置されてい
る。前記下蓋25には排気口28が設けられている。前記放
射温度計27は、後述するサセプタ用ヒータ33、ウェハ用
ヒータ34にそれぞれ電気的に接続されている。
【００１１】前記処理室21内の中央部にはサセプタ受け
台29が設けられ、このサセプタ受け台29上にサセプタ30
が設けられている。このサセプタ30の中央には開口部30
ａが設けられ、この開口部30ａの周囲の段差部にウェハ
31が載置される。前記サセプタ受け台29の内部にはヒー
タ受け台32が設けられ、このヒータ受け台32上にサセプ
タ30を加熱するサセプタ用ヒータ（第２のヒータ）33と
ウェハ31を加熱するウェハ用ヒータ（第１のヒータ）34
が配置されている。
台29が設けられ、このサセプタ受け台29上にサセプタ30
が設けられている。このサセプタ30の中央には開口部30
ａが設けられ、この開口部30ａの周囲の段差部にウェハ
31が載置される。前記サセプタ受け台29の内部にはヒー
タ受け台32が設けられ、このヒータ受け台32上にサセプ
タ30を加熱するサセプタ用ヒータ（第２のヒータ）33と
ウェハ31を加熱するウェハ用ヒータ（第１のヒータ）34
が配置されている。
【００１２】ここで、サセプタ用ヒータ33の平面形状
は、図２（Ａ），（Ｂ）に示す如くリング状である。一
方、ウェハ用ヒータ34の平面形状は図３（Ａ），（Ｂ）
に示す如く渦巻き状である。また、両ヒータとも、カー
ボングラファイト製の基材の表面にＳｉＣ被膜又はガラ
ス状カーボン被膜が被覆された構成となっている。な
お、図３中の34ａ，34ｂはヒータ34の電極端子である。
前記ウェハ用ヒータ34とウェハ31間には、円板状の均熱
板35が設けられている。
は、図２（Ａ），（Ｂ）に示す如くリング状である。一
方、ウェハ用ヒータ34の平面形状は図３（Ａ），（Ｂ）
に示す如く渦巻き状である。また、両ヒータとも、カー
ボングラファイト製の基材の表面にＳｉＣ被膜又はガラ
ス状カーボン被膜が被覆された構成となっている。な
お、図３中の34ａ，34ｂはヒータ34の電極端子である。
前記ウェハ用ヒータ34とウェハ31間には、円板状の均熱
板35が設けられている。
【００１３】上記実施例に係る熱処理装置によれば、ウ
ェハ用ヒータ34によりウェハ31を加熱するとともに、サ
セプタ用ヒータ33によりサセプタ30を加熱し、ウェハ用
ヒータ34とウェハ31間に均熱板35を配置した構成となっ
ているため、ウェハ31の縁部がサセプタ30の段差部に接
した状態で載置されていても、サセプタ用ヒータ33によ
りサセプタ30を加熱することによってウェハ31の縁部を
間接的に加熱することができる。また、ウェハ用ヒータ
34は渦巻状のためヒータ部分がない箇所が存在するが、
円板状の均熱板35がウェハ用ヒータ34とウェハ31間に配
置されているため、見かけ上加熱源は円形平板の全面と
なり、均一な加熱源となる。従って、ウェハ31面内の温
度分布を均一にできる。
ェハ用ヒータ34によりウェハ31を加熱するとともに、サ
セプタ用ヒータ33によりサセプタ30を加熱し、ウェハ用
ヒータ34とウェハ31間に均熱板35を配置した構成となっ
ているため、ウェハ31の縁部がサセプタ30の段差部に接
した状態で載置されていても、サセプタ用ヒータ33によ
りサセプタ30を加熱することによってウェハ31の縁部を
間接的に加熱することができる。また、ウェハ用ヒータ
34は渦巻状のためヒータ部分がない箇所が存在するが、
円板状の均熱板35がウェハ用ヒータ34とウェハ31間に配
置されているため、見かけ上加熱源は円形平板の全面と
なり、均一な加熱源となる。従って、ウェハ31面内の温
度分布を均一にできる。
【００１４】更に、サセプタ用ヒータ33及びウェハ用ヒ
ータ34は、カーボングラファイト製の基材の表面にＳｉ
Ｃ被膜又はガラス状カーボン被膜が被覆された構成とな
っているため、耐食性がよく、クリーニング時における
装置構成材料の劣化を減少させ、ライフサイクルを延長
できる。
ータ34は、カーボングラファイト製の基材の表面にＳｉ
Ｃ被膜又はガラス状カーボン被膜が被覆された構成とな
っているため、耐食性がよく、クリーニング時における
装置構成材料の劣化を減少させ、ライフサイクルを延長
できる。
【００１５】更には、ウェハ31の真上にウェハ31の表面
温度を測定する放射温度計27を設けた構成となっている
ため、ウェハ31の表面の温度をウェハ用ヒータ（第１の
ヒータ）34及びサセプタ用ヒータ（第２のヒータ）33に
フィードバックさせ、被処理物の表面温度の管理を自動
化できる。なお、上記実施例における各構成部材の材質
は一例であり、他の材質を用いてもよいことは勿論のこ
とである。
温度を測定する放射温度計27を設けた構成となっている
ため、ウェハ31の表面の温度をウェハ用ヒータ（第１の
ヒータ）34及びサセプタ用ヒータ（第２のヒータ）33に
フィードバックさせ、被処理物の表面温度の管理を自動
化できる。なお、上記実施例における各構成部材の材質
は一例であり、他の材質を用いてもよいことは勿論のこ
とである。
【００１６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、被
処理物を加熱する第１のヒータ、サセプタを加熱する第
２のヒータ、及び第１のヒータと被処理物間に配置され
た均熱板を具備した構成とすることにより、被処理物の
面内温度分布を均一にしえる熱処理装置を提供できる。
処理物を加熱する第１のヒータ、サセプタを加熱する第
２のヒータ、及び第１のヒータと被処理物間に配置され
た均熱板を具備した構成とすることにより、被処理物の
面内温度分布を均一にしえる熱処理装置を提供できる。
【００１７】また、本発明によれば、第１のヒータ及び
第２のヒータを、カーボングラファイト製の基材の表面
にＳｉＣ被膜又はガラス状カーボン被膜を被覆した構成
とすることにより、耐食性に優れた熱処理装置を提供で
きる。
第２のヒータを、カーボングラファイト製の基材の表面
にＳｉＣ被膜又はガラス状カーボン被膜を被覆した構成
とすることにより、耐食性に優れた熱処理装置を提供で
きる。
【００１８】更に、本発明によれば、被処理物の表面の
温度を測定する手段を設けることにより、被処理物の表
面の温度を第１のヒータ及び第２のヒータにフィードバ
ックさせ、被処理物の表面温度の管理を自動化できる熱
処理装置を提供できる。
温度を測定する手段を設けることにより、被処理物の表
面の温度を第１のヒータ及び第２のヒータにフィードバ
ックさせ、被処理物の表面温度の管理を自動化できる熱
処理装置を提供できる。
【図１】本発明の一実施例に係る熱処理装置の説明図。
【図２】図１の熱処理装置の一構成であるサセプタ用ヒ
ータの説明図で、図２（Ａ）は平面図、図２（Ｂ）は図
２（Ａ）の正面図。
ータの説明図で、図２（Ａ）は平面図、図２（Ｂ）は図
２（Ａ）の正面図。
【図３】図１の熱処理装置の一構成であるウェハ用ヒー
タの説明図で、図３（Ａ）は平面図、図３（Ｂ）は図３
（Ａ）の正面図。
タの説明図で、図３（Ａ）は平面図、図３（Ｂ）は図３
（Ａ）の正面図。
【図４】従来の熱処理装置の説明図。
21…処理室、 24…上蓋、 25…下蓋、 27…放射温度計、 29…サセプタ受け台、 30…サセプタ、 31…ウェハ、 32…ヒータ受け台、 33…サセプタ用ヒータ（第２のヒータ）、 34…ウェハ用ヒータ（第１のヒータ）、 35…均熱板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ２３Ｃ 14/54 Ｃ２３Ｃ 14/54 Ｄ Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205
Claims (3)
- 【請求項１】 処理室と、この処理室内に配置され、被
処理物を支持するサセプタと、前記被処理物を加熱する
第１のヒータと、前記サセプタを加熱する第２のヒータ
と、前記被処理物と第１のヒータ間に配置された均熱板
とを具備することを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 第１のヒータは、カーボングラファイト
製の基材の表面にＳｉＣ被膜又はガラス状カーボン被膜
が被覆された構成であることを特徴とする請求項１記載
の熱処理装置。 - 【請求項３】 被処理物の表面の温度を測定する手段を
具備したことを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26397397A JPH11102914A (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26397397A JPH11102914A (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11102914A true JPH11102914A (ja) | 1999-04-13 |
Family
ID=17396796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26397397A Pending JPH11102914A (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11102914A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105714245A (zh) * | 2014-12-01 | 2016-06-29 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔室 |
-
1997
- 1997-09-29 JP JP26397397A patent/JPH11102914A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105714245A (zh) * | 2014-12-01 | 2016-06-29 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔室 |
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