JPH1110376A - 割断加工方法 - Google Patents
割断加工方法Info
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- JPH1110376A JPH1110376A JP9168479A JP16847997A JPH1110376A JP H1110376 A JPH1110376 A JP H1110376A JP 9168479 A JP9168479 A JP 9168479A JP 16847997 A JP16847997 A JP 16847997A JP H1110376 A JPH1110376 A JP H1110376A
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- JP
- Japan
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- processing
- heat source
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- uncut portion
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic materials other than metals or composite materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 材料の加工終点で切残しが発生したときに、
その切残し部を高い加工精度で確実に割断することが可
能な割断加工方法を提供する。 【解決手段】 材料の加工始点に形成した亀裂を、熱源
の印加により発生する熱応力によって成長させつつ、そ
の熱源を割断予定線に沿って移動することにより材料を
分離する割断加工法において、材料Ｗの加工終点ｂで切
残しが発生したときに、その切残し部Ａの後方側で、か
つ、材料Ｗの端面付近に熱源Ｈを印加し局部的に熱を加
えて応力を発生させることにより、切残し部Ａにおいて
亀裂を進展させて材料を切り離す。
その切残し部を高い加工精度で確実に割断することが可
能な割断加工方法を提供する。 【解決手段】 材料の加工始点に形成した亀裂を、熱源
の印加により発生する熱応力によって成長させつつ、そ
の熱源を割断予定線に沿って移動することにより材料を
分離する割断加工法において、材料Ｗの加工終点ｂで切
残しが発生したときに、その切残し部Ａの後方側で、か
つ、材料Ｗの端面付近に熱源Ｈを印加し局部的に熱を加
えて応力を発生させることにより、切残し部Ａにおいて
亀裂を進展させて材料を切り離す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス、セラミッ
クスあるいは半導体ウエハ等の脆性材料にレーザビーム
等の熱源を印加することにより発生する熱応力を利用し
て、その材料を割断する割断加工装置に関する。
クスあるいは半導体ウエハ等の脆性材料にレーザビーム
等の熱源を印加することにより発生する熱応力を利用し
て、その材料を割断する割断加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】材料を分離加工する技術として、スクラ
イバあるいはレーザ溶断等が挙げられるが、これらの加
工では、切断時においてカレット（屑）、溶融解痕及び
マイクロクラック等が発生するという問題がある。
イバあるいはレーザ溶断等が挙げられるが、これらの加
工では、切断時においてカレット（屑）、溶融解痕及び
マイクロクラック等が発生するという問題がある。
【０００３】そこで、このような問題点を解消するた
め、最近では、レーザビーム等の熱源の印加により発生
する熱応力を利用して脆性材料を割断する割断加工方法
が提案されている。
め、最近では、レーザビーム等の熱源の印加により発生
する熱応力を利用して脆性材料を割断する割断加工方法
が提案されている。
【０００４】この加工方法は、脆性材料に予め亀裂を作
成しておき、その亀裂先端に局所的に熱源を印加して熱
応力を発生させるとともに、熱源の移動により亀裂を成
長させて材料を分離する技術で、この方法によれば、亀
裂を成長させるといった性質上、切りしろや、パーティ
クルが発生しないことから、上記した従来の加工法の問
題点を解決することができるといった特徴がある。
成しておき、その亀裂先端に局所的に熱源を印加して熱
応力を発生させるとともに、熱源の移動により亀裂を成
長させて材料を分離する技術で、この方法によれば、亀
裂を成長させるといった性質上、切りしろや、パーティ
クルが発生しないことから、上記した従来の加工法の問
題点を解決することができるといった特徴がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、脆性材料の
割断加工方法は、上記したように、加工材料に予め発生
させた亀裂先端の前方にレーザビーム等の熱源を印加し
て、その熱源中心と周辺との間に発生する温度勾配によ
り生じる集中応力で亀裂を成長させてゆく加工法である
ので、加工終点に材料の切残しが必ず発生する。すなわ
ち、熱源を亀裂先端の前方に印加しているので、亀裂の
成長が加工終点に近づいたときに、熱源が加工終点を通
過して材料から外れてしまい、この時点で亀裂の進展が
停止して材料の切残しが発生する。
割断加工方法は、上記したように、加工材料に予め発生
させた亀裂先端の前方にレーザビーム等の熱源を印加し
て、その熱源中心と周辺との間に発生する温度勾配によ
り生じる集中応力で亀裂を成長させてゆく加工法である
ので、加工終点に材料の切残しが必ず発生する。すなわ
ち、熱源を亀裂先端の前方に印加しているので、亀裂の
成長が加工終点に近づいたときに、熱源が加工終点を通
過して材料から外れてしまい、この時点で亀裂の進展が
停止して材料の切残しが発生する。
【０００６】このような加工終点の切残しを解消する方
法として、従来、熱源が加工終点を通過して材料から外
れた後に、その熱源を逆向きに所定距離だけ移動させ、
この位置から再度加工終点に向けて移動する方法（２度
切り）、あるいは、亀裂の進展が加工終点に近づいた時
点で、熱源の移動速度を小さくする方法などが採られて
いるが、いずれの方法においても、切り離しの確実性が
なく、また材料を切り離せたとしても、亀裂の進展に曲
がりが生じて加工精度が非常に悪くなるという問題があ
る。
法として、従来、熱源が加工終点を通過して材料から外
れた後に、その熱源を逆向きに所定距離だけ移動させ、
この位置から再度加工終点に向けて移動する方法（２度
切り）、あるいは、亀裂の進展が加工終点に近づいた時
点で、熱源の移動速度を小さくする方法などが採られて
いるが、いずれの方法においても、切り離しの確実性が
なく、また材料を切り離せたとしても、亀裂の進展に曲
がりが生じて加工精度が非常に悪くなるという問題があ
る。
【０００７】本発明はそのような実情に鑑みてなされた
もので、材料の加工終点で切残しが発生したときに、そ
の切残し部を高い加工精度で確実に割断することが可能
な割断加工方法の提供を目的とする。
もので、材料の加工終点で切残しが発生したときに、そ
の切残し部を高い加工精度で確実に割断することが可能
な割断加工方法の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、材料の加工始点に形成した亀裂を、熱源
の印加により発生する熱応力によって成長させつつ、そ
の熱源を割断予定線に沿って移動することにより材料を
分離する割断加工法において、図１に例示するように、
材料Ｗの加工終点ｂで切残しが発生したときに、その切
残し部Ａの後方側で、かつ、材料Ｗの端面付近に熱源Ｈ
を印加して局部的に熱を加えて応力を発生させる点に特
徴がある。
め、本発明は、材料の加工始点に形成した亀裂を、熱源
の印加により発生する熱応力によって成長させつつ、そ
の熱源を割断予定線に沿って移動することにより材料を
分離する割断加工法において、図１に例示するように、
材料Ｗの加工終点ｂで切残しが発生したときに、その切
残し部Ａの後方側で、かつ、材料Ｗの端面付近に熱源Ｈ
を印加して局部的に熱を加えて応力を発生させる点に特
徴がある。
【０００９】そして、このように材料Ｗの端面近傍に熱
源Ｈを印加すると、その局部的な加熱により、加工材料
Ｗに図１に示す矢印のような応力が発生して、熱源位置
を中心とする微小な撓み（反り）が生じ、この微小撓み
の発生により、材料Ｗの加工始点ａ付近が支点となっ
て、切残し部Ａの端部ｐつまり停止した亀裂ＣR の先端
に応力が集中的に作用し、この部分ｐの応力拡大係数が
材料の破壊じん性値を超える。これにより切残し部Ａで
亀裂が進展する結果、材料Ｗを切り離すことができる。
源Ｈを印加すると、その局部的な加熱により、加工材料
Ｗに図１に示す矢印のような応力が発生して、熱源位置
を中心とする微小な撓み（反り）が生じ、この微小撓み
の発生により、材料Ｗの加工始点ａ付近が支点となっ
て、切残し部Ａの端部ｐつまり停止した亀裂ＣR の先端
に応力が集中的に作用し、この部分ｐの応力拡大係数が
材料の破壊じん性値を超える。これにより切残し部Ａで
亀裂が進展する結果、材料Ｗを切り離すことができる。
【００１０】ここで、以上のように、切残し部Ａの後方
側で材料Ｗの端面近傍に熱源Ｈを印加した場合、その印
加位置が材料の加工終点ｂに近いほど、切残し部Ａで成
長する亀裂が材料幅の広い側に向かって進展し、これと
は逆に熱源Ｈの印加位置が加工終点に対して遠くなるほ
ど、亀裂が材料幅の狭い側に向かって進展するという傾
向がある。そこで、本発明においては、そのような点を
考慮して、材料Ｗの端面近傍に印加する熱源Ｈの加工終
点ｂに対する位置を適宜に調整することで、切残し部Ａ
で成長する亀裂の進展方向が曲がらないようにする。
側で材料Ｗの端面近傍に熱源Ｈを印加した場合、その印
加位置が材料の加工終点ｂに近いほど、切残し部Ａで成
長する亀裂が材料幅の広い側に向かって進展し、これと
は逆に熱源Ｈの印加位置が加工終点に対して遠くなるほ
ど、亀裂が材料幅の狭い側に向かって進展するという傾
向がある。そこで、本発明においては、そのような点を
考慮して、材料Ｗの端面近傍に印加する熱源Ｈの加工終
点ｂに対する位置を適宜に調整することで、切残し部Ａ
で成長する亀裂の進展方向が曲がらないようにする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、以下、図
面に基づいて説明する。まず、本発明の割断加工方法の
実施に使用する装置は、図２に示すように、ガラス材等
の加工材料Ｗを載置する加工テーブル（２軸移動）１
と、この加工テーブル１上に置かれた材料Ｗに、熱源と
してのレーザビームＨを照射するレーザ発振器２などを
主として構成されており、その加工テーブル１の移動に
よりレーザビームＨの材料Ｗへの照射位置を割断予定線
Ｌ上に沿って移動させることができる。また、加工テー
ブル１の移動によって、レーザビームＨの材料Ｗへの照
射位置を後述する動作で変更・調整することができる。
面に基づいて説明する。まず、本発明の割断加工方法の
実施に使用する装置は、図２に示すように、ガラス材等
の加工材料Ｗを載置する加工テーブル（２軸移動）１
と、この加工テーブル１上に置かれた材料Ｗに、熱源と
してのレーザビームＨを照射するレーザ発振器２などを
主として構成されており、その加工テーブル１の移動に
よりレーザビームＨの材料Ｗへの照射位置を割断予定線
Ｌ上に沿って移動させることができる。また、加工テー
ブル１の移動によって、レーザビームＨの材料Ｗへの照
射位置を後述する動作で変更・調整することができる。
【００１２】次に、以上の装置を使用して、本発明の割
断加工方法を実施する際の加工手順を、以下、図１及び
図２を参照しつつ説明する。まず、加工材料Ｗの加工始
点ａに初期亀裂を作成する。その初期亀裂の作成には、
硬質工具を使用して材料端部に切欠きを形成する方法、
あるいは加工材料の表面に高出力のレーザビームを集光
して孔を加工しこの孔から亀裂を作成する方法等の公知
の方法を採用する。
断加工方法を実施する際の加工手順を、以下、図１及び
図２を参照しつつ説明する。まず、加工材料Ｗの加工始
点ａに初期亀裂を作成する。その初期亀裂の作成には、
硬質工具を使用して材料端部に切欠きを形成する方法、
あるいは加工材料の表面に高出力のレーザビームを集光
して孔を加工しこの孔から亀裂を作成する方法等の公知
の方法を採用する。
【００１３】次いで、初期亀裂ＣR の先端前方にレーザ
ビームＨを照射するとともに、そのビーム照射位置を加
工テーブル１の移動により割断予定線Ｌに沿って移動し
て、亀裂ＣR を加工始点ａから加工終点ｂに向けて成長
させてゆき、そのレーザビームＨの照射位置が加工終点
ｂを通過した時点で、割断予定線Ｌ上へのレーザビーム
照射を終了する。
ビームＨを照射するとともに、そのビーム照射位置を加
工テーブル１の移動により割断予定線Ｌに沿って移動し
て、亀裂ＣR を加工始点ａから加工終点ｂに向けて成長
させてゆき、そのレーザビームＨの照射位置が加工終点
ｂを通過した時点で、割断予定線Ｌ上へのレーザビーム
照射を終了する。
【００１４】この時点で、先にも述べたように、加工材
料Ｗの加工終点ｂには切残しが発生しており、これを解
消するため、この実施の形態では、図１に示すように、
切残し部Ａの後方側で、加工材料Ｗの端面（材料幅の狭
い側の端面）付近に、レーザビーム（熱源）Ｈを照射し
て切残し部Ａの割断加工を行う。
料Ｗの加工終点ｂには切残しが発生しており、これを解
消するため、この実施の形態では、図１に示すように、
切残し部Ａの後方側で、加工材料Ｗの端面（材料幅の狭
い側の端面）付近に、レーザビーム（熱源）Ｈを照射し
て切残し部Ａの割断加工を行う。
【００１５】すなわち、図１に示す位置に熱源Ｈを印加
して局部的に熱を加えることで、加工材料Ｗの材料幅の
狭い側に応力を発生させ、その応力により切残し部Ａの
端部ｐから亀裂を進展させることによって、加工材料Ｗ
を完全に切り離す。
して局部的に熱を加えることで、加工材料Ｗの材料幅の
狭い側に応力を発生させ、その応力により切残し部Ａの
端部ｐから亀裂を進展させることによって、加工材料Ｗ
を完全に切り離す。
【００１６】ここで、以上のように切残し部Ａの後方側
で材料Ｗの端面近傍にレーザビームＨを照射して局部的
に熱を加えた場合、その熱により発生する応力のバラン
スによって、切残し部Ａで進展する亀裂の方向が変化す
る。つまり、レーザビームＨの照射位置が加工材料Ｗの
加工終点ｂに近いと、切残し部Ａで成長する亀裂が材料
幅の広い側に向かって進展し、これとは逆に熱源Ｈの印
加位置が加工終点に対して遠くなると、亀裂が材料幅の
狭い側に向かって進展するという傾向がある。
で材料Ｗの端面近傍にレーザビームＨを照射して局部的
に熱を加えた場合、その熱により発生する応力のバラン
スによって、切残し部Ａで進展する亀裂の方向が変化す
る。つまり、レーザビームＨの照射位置が加工材料Ｗの
加工終点ｂに近いと、切残し部Ａで成長する亀裂が材料
幅の広い側に向かって進展し、これとは逆に熱源Ｈの印
加位置が加工終点に対して遠くなると、亀裂が材料幅の
狭い側に向かって進展するという傾向がある。
【００１７】そこで、この実施の形態では、加工材料Ｗ
の端面付近に照射するレーザビームＨの加工終点ｂに対
する位置を調整して、材料Ｗにかかる応力のバランスを
適当に変化させつつ亀裂の成長方向をコントロールする
ことにより、亀裂を割断予定線Ｌ（図２参照）に沿って
直線状に成長させるといった制御方法を採用し、これに
より、材料の切り離しの確実性に加えて、切残し部Ａの
加工精度の向上も同時に達成する。
の端面付近に照射するレーザビームＨの加工終点ｂに対
する位置を調整して、材料Ｗにかかる応力のバランスを
適当に変化させつつ亀裂の成長方向をコントロールする
ことにより、亀裂を割断予定線Ｌ（図２参照）に沿って
直線状に成長させるといった制御方法を採用し、これに
より、材料の切り離しの確実性に加えて、切残し部Ａの
加工精度の向上も同時に達成する。
【００１８】なお、以上の実施の形態においては、熱源
としてレーザビームを用いた例を示したが、本発明はこ
れに限られることなく、例えば電子ビーム、電熱ヒータ
または火炎等の他の熱源を用いても本発明は実施可能で
ある。
としてレーザビームを用いた例を示したが、本発明はこ
れに限られることなく、例えば電子ビーム、電熱ヒータ
または火炎等の他の熱源を用いても本発明は実施可能で
ある。
【００１９】
【実施例】本発明の割断加工方法を実施した例を以下に
述べる。 a.加工材料：ガラス材（２００mm×２５０mm×厚さ０．
７mm） b.熱源 ：レーザビーム（熱量２０Ｗ，ビーム形状；
楕円（10mm×3mm ） c.加工位置：加工材料端４mm d.切残処理：図１において熱源Ｈの加工終点ｂに対する
距離ｄを、１０mm，１５mm，２０mm，３０mm，４０mm，
５０mm，１００mmとして切残し部Ａの加工を行った。
述べる。 a.加工材料：ガラス材（２００mm×２５０mm×厚さ０．
７mm） b.熱源 ：レーザビーム（熱量２０Ｗ，ビーム形状；
楕円（10mm×3mm ） c.加工位置：加工材料端４mm d.切残処理：図１において熱源Ｈの加工終点ｂに対する
距離ｄを、１０mm，１５mm，２０mm，３０mm，４０mm，
５０mm，１００mmとして切残し部Ａの加工を行った。
【００２０】以上の条件で割断加工を行った各試料につ
いて、切残し部の表面精度を測定したところ、図３のグ
ラフに示すような結果が得られた。この結果から、上記
した加工条件の場合、加工終点ｂからの熱源Ｈの位置を
１００ｍｍ程度とすれば、切り離しの際の確率が１００
％で、しかも高い加工精度が得らることが確認できた。
一方、１００ｍｍ以下とした場合、切り落としが不安定
になるか、あるいは図３のグラフのプラス方向に大きく
曲がりが発生することが判明した。
いて、切残し部の表面精度を測定したところ、図３のグ
ラフに示すような結果が得られた。この結果から、上記
した加工条件の場合、加工終点ｂからの熱源Ｈの位置を
１００ｍｍ程度とすれば、切り離しの際の確率が１００
％で、しかも高い加工精度が得らることが確認できた。
一方、１００ｍｍ以下とした場合、切り落としが不安定
になるか、あるいは図３のグラフのプラス方向に大きく
曲がりが発生することが判明した。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の割断加工
方法によれば、材料の加工終点付近において切残しが発
生したときに、その切残し部の後方側で材料の端面付近
に熱源を印加して局部的に熱を加え、これによって発生
する応力によって亀裂を進展させて切残し部を割断する
ので、材料の切り離しの確実性が従来に比して大幅に向
上する。ちなみに、従来の方法（２度切り等）では切り
離しの際の確率が高々１０％程度であったのに対し、本
発明方法では９５％以上にまで向上させることができ
る。
方法によれば、材料の加工終点付近において切残しが発
生したときに、その切残し部の後方側で材料の端面付近
に熱源を印加して局部的に熱を加え、これによって発生
する応力によって亀裂を進展させて切残し部を割断する
ので、材料の切り離しの確実性が従来に比して大幅に向
上する。ちなみに、従来の方法（２度切り等）では切り
離しの際の確率が高々１０％程度であったのに対し、本
発明方法では９５％以上にまで向上させることができ
る。
【００２２】なお、本発明の割断加工方法において、上
記した切残し部の割断加工を実行する際に、加工終点に
対する熱源の印加位置を調整して亀裂の成長方向を制御
するという手法を付加すれば、材料の切り離しの確実性
に加えて、切残し部の加工精度の向上も同時に達成する
ことができる。
記した切残し部の割断加工を実行する際に、加工終点に
対する熱源の印加位置を調整して亀裂の成長方向を制御
するという手法を付加すれば、材料の切り離しの確実性
に加えて、切残し部の加工精度の向上も同時に達成する
ことができる。
【図１】本発明の割断加工方法の説明図
【図２】本発明の割断加工方法の実施に使用する装置の
概略構成図
概略構成図
【図３】切残し部の加工精度を示すグラフ
１ 加工テーブル ２ レーザ発振器 Ｈ レーザビーム（熱源） Ｗ 加工材料 Ｌ 割断予定線 ａ 加工始点 ｂ 加工終点 ＣR 亀裂 Ａ 切残し部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沖山 俊裕 兵庫県姫路市御国野町御着1174−22 (72)発明者 白浜 秀幸 長崎県長崎市梁川町612−42 (72)発明者 光武 克之 長崎県諫早市日の出町29−１ (72)発明者 大仁田 英信 長崎県大村市三城町955−１ (72)発明者 末永 知宏 長崎県大村市協和町764 旭ハイツ22号 (72)発明者 木下 耕一 長崎県大村市植松１丁目189−１ ファー ストコート205号 (72)発明者 前川 俊一 兵庫県伊丹市春日丘１−15
Claims (2)
- 【請求項１】 材料の加工始点に形成した亀裂を、熱源
の印加により発生する熱応力によって成長させつつ、そ
の熱源を割断予定線に沿って移動することにより材料を
分離する割断加工法において、 材料の加工終点で切残しが発生したときに、その切残し
部の後方側で、かつ、材料の端面付近に、熱源を印加し
局部的に熱を加えて応力を発生させることにより、上記
切残し部で亀裂を進展させて材料を切り離すことを特徴
とする割断加工方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の加工方法において、切
残し部の加工を実行するときに、材料の端面付近に印加
する熱源の加工終点に対する位置を調整することによっ
て、当該切残し部での亀裂の成長方向を制御することを
特徴とする割断加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9168479A JPH1110376A (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 割断加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9168479A JPH1110376A (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 割断加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1110376A true JPH1110376A (ja) | 1999-01-19 |
Family
ID=15868867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9168479A Pending JPH1110376A (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 割断加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1110376A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002316829A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-31 | Seiko Epson Corp | ガラス基板の切断方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器、およびスクライブ溝形成装置 |
| WO2008139585A1 (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Toray Engineering Co., Ltd. | 初期亀裂形成機構 |
| US9543256B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9837315B2 (en) | 2000-09-13 | 2017-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US10675274B2 (en) | 2018-09-19 | 2020-06-09 | Forma Therapeutics, Inc. | Activating pyruvate kinase R |
| US10836771B2 (en) | 2017-03-20 | 2020-11-17 | Forma Therapeutics, Inc. | Compositions for activating pyruvate kinase |
| US11001588B2 (en) | 2018-09-19 | 2021-05-11 | Forma Therapeutics, Inc. | Activating pyruvate kinase R and mutants thereof |
| US12161634B2 (en) | 2019-09-19 | 2024-12-10 | Novo Nordisk Health Care Ag | Pyruvate kinase R (PKR) activating compositions |
-
1997
- 1997-06-25 JP JP9168479A patent/JPH1110376A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9837315B2 (en) | 2000-09-13 | 2017-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US10796959B2 (en) | 2000-09-13 | 2020-10-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| JP2002316829A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-31 | Seiko Epson Corp | ガラス基板の切断方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器、およびスクライブ溝形成装置 |
| US11424162B2 (en) | 2002-03-12 | 2022-08-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9548246B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9553023B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9711405B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-07-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9543207B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US10068801B2 (en) | 2002-03-12 | 2018-09-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US10622255B2 (en) | 2002-03-12 | 2020-04-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9543256B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| WO2008139585A1 (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Toray Engineering Co., Ltd. | 初期亀裂形成機構 |
| US10836771B2 (en) | 2017-03-20 | 2020-11-17 | Forma Therapeutics, Inc. | Compositions for activating pyruvate kinase |
| US11014927B2 (en) | 2017-03-20 | 2021-05-25 | Forma Therapeutics, Inc. | Pyrrolopyrrole compositions as pyruvate kinase (PKR) activators |
| US12071440B2 (en) | 2017-03-20 | 2024-08-27 | Novo Nordisk Health Care Ag | Pyrrolopyrrole compositions as pyruvate kinase (PKR) activators |
| US11001588B2 (en) | 2018-09-19 | 2021-05-11 | Forma Therapeutics, Inc. | Activating pyruvate kinase R and mutants thereof |
| US10675274B2 (en) | 2018-09-19 | 2020-06-09 | Forma Therapeutics, Inc. | Activating pyruvate kinase R |
| US11980611B2 (en) | 2018-09-19 | 2024-05-14 | Novo Nordisk Health Care Ag | Treating sickle cell disease with a pyruvate kinase R activating compound |
| US12053458B2 (en) | 2018-09-19 | 2024-08-06 | Novo Nordisk Health Care Ag | Treating sickle cell disease with a pyruvate kinase R activating compound |
| US12122778B2 (en) | 2018-09-19 | 2024-10-22 | Novo Nordisk Health Care Ag | Activating pyruvate kinase R |
| US12161634B2 (en) | 2019-09-19 | 2024-12-10 | Novo Nordisk Health Care Ag | Pyruvate kinase R (PKR) activating compositions |
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