JPH11106917A - 基板ホルダー及びこの基板ホルダーを有するスパッタリング装置 - Google Patents
基板ホルダー及びこの基板ホルダーを有するスパッタリング装置Info
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- JPH11106917A JPH11106917A JP27455597A JP27455597A JPH11106917A JP H11106917 A JPH11106917 A JP H11106917A JP 27455597 A JP27455597 A JP 27455597A JP 27455597 A JP27455597 A JP 27455597A JP H11106917 A JPH11106917 A JP H11106917A
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- substrate holder
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、任意の形状の基板を保持できる基
板ホルダー及び任意の形状の基板を保持できる基板ホル
ダーを有するスパッタリング装置を提供することを目的
とする。 【解決手段】 任意の形状の基板の表面に薄膜を形成す
るための基板ホルダー20であって、本体部21と、こ
の本体部に載置される基板23をこの本体部に対して固
定するための固定手段22、26と、を含んでいる、基
板ホルダー。
板ホルダー及び任意の形状の基板を保持できる基板ホル
ダーを有するスパッタリング装置を提供することを目的
とする。 【解決手段】 任意の形状の基板の表面に薄膜を形成す
るための基板ホルダー20であって、本体部21と、こ
の本体部に載置される基板23をこの本体部に対して固
定するための固定手段22、26と、を含んでいる、基
板ホルダー。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を固定保持す
るための基板ホルダー及びスパッタリング装置内にてス
パッタリングすべき基板を固定保持するための基板ホル
ダーを有するスパッタリング装置に関するものである。
るための基板ホルダー及びスパッタリング装置内にてス
パッタリングすべき基板を固定保持するための基板ホル
ダーを有するスパッタリング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、例えばガラス製,プラスチック製
等の半導体基板の表面に薄膜を形成する場合、高融点材
料や合金の薄膜が容易に形成できるという利点から、ス
パッタリング法が広く採用されている。このようなスパ
ッタリング法による基板への薄膜形成は、例えば図7に
示す構成の静止対向型マグネトロンスパッタリング装置
によって行なわれる。
等の半導体基板の表面に薄膜を形成する場合、高融点材
料や合金の薄膜が容易に形成できるという利点から、ス
パッタリング法が広く採用されている。このようなスパ
ッタリング法による基板への薄膜形成は、例えば図7に
示す構成の静止対向型マグネトロンスパッタリング装置
によって行なわれる。
【0003】図7において、スパッタリング装置1は、
真空排気口2a及び放電用ガス導入口2bを備えたチャ
ンバー2と、このチャンバー2の上端に設けられたカソ
ード電極3と、このカソード電極3の下方に設けられた
基板載置台4と、カソード電極3と基板載置台4との間
に配設されたシャッタ5と、を含んでいる。
真空排気口2a及び放電用ガス導入口2bを備えたチャ
ンバー2と、このチャンバー2の上端に設けられたカソ
ード電極3と、このカソード電極3の下方に設けられた
基板載置台4と、カソード電極3と基板載置台4との間
に配設されたシャッタ5と、を含んでいる。
【0004】上記カソード電極3は、チャンバー2に対
して絶縁材3aを介して取り付けられると共に、直流ま
たは交流電源6に接続されている。さらに、カソード電
極3の下面には、スパッタされる材料であるターゲット
7が取り付けられると共に、このターゲット7の裏側
(上側)には、マグネトロン放電用の磁気回路8が設け
られている。
して絶縁材3aを介して取り付けられると共に、直流ま
たは交流電源6に接続されている。さらに、カソード電
極3の下面には、スパッタされる材料であるターゲット
7が取り付けられると共に、このターゲット7の裏側
(上側)には、マグネトロン放電用の磁気回路8が設け
られている。
【0005】上記基板載置台4は、スパッタリング装置
1のチャンバー2内にて、その上面が上記ターゲット7
に対向するように配設されており、その上面にスパッタ
リングされるべき基板9が載置されるようになってい
る。さらに、基板9の表面には、パターン形成用の穴を
備えたマスク(図示せず)が載置される。
1のチャンバー2内にて、その上面が上記ターゲット7
に対向するように配設されており、その上面にスパッタ
リングされるべき基板9が載置されるようになってい
る。さらに、基板9の表面には、パターン形成用の穴を
備えたマスク(図示せず)が載置される。
【0006】上記シャッタ5は、ターゲット7表面の不
純物を取除き且つ放電が安定するまでの予備スパッタリ
ングのためのものであり、スパッタリング開始から所定
時間の間、ターゲット7と基板載置台4との間に挿入さ
れると共に、その後は図7にて矢印Aで示すように、図
示しない駆動手段によって退避されるようになってい
る。
純物を取除き且つ放電が安定するまでの予備スパッタリ
ングのためのものであり、スパッタリング開始から所定
時間の間、ターゲット7と基板載置台4との間に挿入さ
れると共に、その後は図7にて矢印Aで示すように、図
示しない駆動手段によって退避されるようになってい
る。
【0007】このような構成のスパッタリング装置1に
よれば、基板9のスパッタリングは以下のようにして行
なわれる。即ち、先づチャンバー2の内部が真空排気口
2aから図示しない真空ポンプにより、高真空(〜10
-7Torr程度)まで真空排気された後、ガス導入口2
bからAr等の放電ガスがチャンバー2内に導入され、
10-3乃至10-2Torr程度の圧力に保持される。こ
の状態から、ターゲット7が取り付けられたカソード電
極3に対して電源6から、負の電圧が印加されることに
より、この電圧による電場と磁気回路8による磁場との
相互作用によってマグネトロン放電が発生する。これに
より、ターゲット7のエロージョン領域7aがスパッタ
されることになる。
よれば、基板9のスパッタリングは以下のようにして行
なわれる。即ち、先づチャンバー2の内部が真空排気口
2aから図示しない真空ポンプにより、高真空(〜10
-7Torr程度)まで真空排気された後、ガス導入口2
bからAr等の放電ガスがチャンバー2内に導入され、
10-3乃至10-2Torr程度の圧力に保持される。こ
の状態から、ターゲット7が取り付けられたカソード電
極3に対して電源6から、負の電圧が印加されることに
より、この電圧による電場と磁気回路8による磁場との
相互作用によってマグネトロン放電が発生する。これに
より、ターゲット7のエロージョン領域7aがスパッタ
されることになる。
【0008】ここで、所定時間経過までは予備スパッタ
リングとして、ターゲット7の表面の不純物が取除かれ
る。この際、シャッタ5がターゲット7と基板載置台4
との間に挿入されていることにより、不純物を含むスパ
ッタ粒子が半導体基板9上に付着するようなことはな
い。そして、所定時間経過後に、シャッタ5が退避され
ることにより、ターゲット7のエロージョン領域7aか
ら放出されたスパッタ粒子が、パターン形成用のマスク
の穴を通って、基板載置台4上の半導体基板9の表面に
達し、半導体基板9の表面に薄膜が形成されることにな
る。
リングとして、ターゲット7の表面の不純物が取除かれ
る。この際、シャッタ5がターゲット7と基板載置台4
との間に挿入されていることにより、不純物を含むスパ
ッタ粒子が半導体基板9上に付着するようなことはな
い。そして、所定時間経過後に、シャッタ5が退避され
ることにより、ターゲット7のエロージョン領域7aか
ら放出されたスパッタ粒子が、パターン形成用のマスク
の穴を通って、基板載置台4上の半導体基板9の表面に
達し、半導体基板9の表面に薄膜が形成されることにな
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、例えばコン
パクトディスク等の光ディスクは、プラスチックから成
る基板の表面に、スパッタリング装置により金属薄膜を
形成することにより構成されており、このスパッタリン
グ装置は、基板載置台上に基板を保持するために、円形
のディスク基板を保持するために形成されたキャディ
(図示せず)が基板載置台上に設けられており、このキ
ャディを介して基板を保持するようになっている。しか
しながら、このような光ディスク製造用のスパッタリン
グ装置においては、長方形等の任意の形状の基板、例え
ば顕微鏡用スライドをスパッタしようとしても、上記キ
ャディによっては保持することができないという問題が
あった。
パクトディスク等の光ディスクは、プラスチックから成
る基板の表面に、スパッタリング装置により金属薄膜を
形成することにより構成されており、このスパッタリン
グ装置は、基板載置台上に基板を保持するために、円形
のディスク基板を保持するために形成されたキャディ
(図示せず)が基板載置台上に設けられており、このキ
ャディを介して基板を保持するようになっている。しか
しながら、このような光ディスク製造用のスパッタリン
グ装置においては、長方形等の任意の形状の基板、例え
ば顕微鏡用スライドをスパッタしようとしても、上記キ
ャディによっては保持することができないという問題が
あった。
【0010】本発明は、以上の点に鑑み、任意の形状の
基板を保持できる基板ホルダー及び任意の形状の基板を
保持できる基板ホルダーを有するスパッタリング装置を
提供することを目的としている。
基板を保持できる基板ホルダー及び任意の形状の基板を
保持できる基板ホルダーを有するスパッタリング装置を
提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、任意の形状の基板の表面に薄膜を形成するための
基板ホルダーであって、本体部と、この本体部に載置さ
れる基板をこの本体部に対して固定するための固定手段
と、を含んでいることを特徴とする、基板ホルダーによ
り、達成される。
れば、任意の形状の基板の表面に薄膜を形成するための
基板ホルダーであって、本体部と、この本体部に載置さ
れる基板をこの本体部に対して固定するための固定手段
と、を含んでいることを特徴とする、基板ホルダーによ
り、達成される。
【0012】上記構成によれば、本体部に対して、薄膜
を形成すべき任意の形状の基板が固定手段により固定さ
れることにより、固定手段、基板及び本体部が一体化さ
れる。そして、この一体化された基板ホルダーと基板
が、基板に薄膜を形成する装置に取り付けられる。この
状態から、基板ホルダーに保持された基板の表面に、薄
膜が形成されることになる。
を形成すべき任意の形状の基板が固定手段により固定さ
れることにより、固定手段、基板及び本体部が一体化さ
れる。そして、この一体化された基板ホルダーと基板
が、基板に薄膜を形成する装置に取り付けられる。この
状態から、基板ホルダーに保持された基板の表面に、薄
膜が形成されることになる。
【0013】ここで、上記基板は、基板ホルダーの本体
部と固定手段の間に挟持され、固定されることになると
共に、本体部が薄膜形成装置内に取り付けられる。した
がって、従来の薄膜形成装置を利用して、任意の形状の
基板の表面に薄膜を形成することができる。
部と固定手段の間に挟持され、固定されることになると
共に、本体部が薄膜形成装置内に取り付けられる。した
がって、従来の薄膜形成装置を利用して、任意の形状の
基板の表面に薄膜を形成することができる。
【0014】上記目的は、本発明によれば、任意の形状
の基板の表面に薄膜を形成するための基板ホルダーを有
するスパッタリング装置であって、本体部と、この本体
部に載置される基板をこの本体部に対して固定するため
の固定手段と、を備えている基板ホルダーを有するスパ
ッタリング装置により、達成される。
の基板の表面に薄膜を形成するための基板ホルダーを有
するスパッタリング装置であって、本体部と、この本体
部に載置される基板をこの本体部に対して固定するため
の固定手段と、を備えている基板ホルダーを有するスパ
ッタリング装置により、達成される。
【0015】上記構成によれば、スパッタリング装置内
に取り付けられる本体部にスパッタすべき任意の形状の
基板が固定手段により固定されることにより、固定手
段、基板及び本体部が一体化される。そして、この一体
化された基板ホルダーと基板が、スパッタリング装置内
に取り付けられる。この状態から、基板ホルダーに保持
された基板の表面に、スパッタリング装置により、スパ
ッタ粒子が堆積して、薄膜が形成されることになる。
に取り付けられる本体部にスパッタすべき任意の形状の
基板が固定手段により固定されることにより、固定手
段、基板及び本体部が一体化される。そして、この一体
化された基板ホルダーと基板が、スパッタリング装置内
に取り付けられる。この状態から、基板ホルダーに保持
された基板の表面に、スパッタリング装置により、スパ
ッタ粒子が堆積して、薄膜が形成されることになる。
【0016】ここで、上記基板は、基板ホルダーの本体
部と固定手段の間に挟持され、固定されることになると
共に、本体部がスパッタリング装置内に取り付けられ
る。したがって、従来のスパッタリング装置を利用し
て、任意の形状の基板の表面に薄膜を形成することがで
きる。
部と固定手段の間に挟持され、固定されることになると
共に、本体部がスパッタリング装置内に取り付けられ
る。したがって、従来のスパッタリング装置を利用し
て、任意の形状の基板の表面に薄膜を形成することがで
きる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を図1乃至図6を参照しながら、詳細に説明する。尚、
以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例である
から、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、
本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもの
ではない。
を図1乃至図6を参照しながら、詳細に説明する。尚、
以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例である
から、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、
本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもの
ではない。
【0018】図1は、本発明を適用した基板ホルダーを
組み込んだスパッタリング装置の一実施形態の構成を示
している。図1において、スパッタリング装置10は、
例えば、光ディスク製造用のスパッタリング装置であっ
て、真空排気口11a及び放電用ガス導入口11bを備
えたチャンバー11と、このチャンバー11の上端に設
けられたカソード電極12と、このカソード電極12の
下方に設けられた基板載置台13と、カソード電極12
と基板載置台13との間に配設されたシャッタ14と、
基板載置台13上に載置された本発明により構成された
基板ホルダー20と、を含んでおり、例えば、静止対向
型マグネトロンスパッタリング装置として構成されてい
る。
組み込んだスパッタリング装置の一実施形態の構成を示
している。図1において、スパッタリング装置10は、
例えば、光ディスク製造用のスパッタリング装置であっ
て、真空排気口11a及び放電用ガス導入口11bを備
えたチャンバー11と、このチャンバー11の上端に設
けられたカソード電極12と、このカソード電極12の
下方に設けられた基板載置台13と、カソード電極12
と基板載置台13との間に配設されたシャッタ14と、
基板載置台13上に載置された本発明により構成された
基板ホルダー20と、を含んでおり、例えば、静止対向
型マグネトロンスパッタリング装置として構成されてい
る。
【0019】上記カソード電極12は、チャンバー11
に対して絶縁材12aを介して取り付けられると共に、
直流または交流電源15に接続されている。さらに、カ
ソード電極12の下面には、スパッタされる材料である
ターゲット16が取り付けられると共に、このターゲッ
ト16の裏側(上側)には、マグネトロン放電用の磁気
回路17が設けられている。
に対して絶縁材12aを介して取り付けられると共に、
直流または交流電源15に接続されている。さらに、カ
ソード電極12の下面には、スパッタされる材料である
ターゲット16が取り付けられると共に、このターゲッ
ト16の裏側(上側)には、マグネトロン放電用の磁気
回路17が設けられている。
【0020】上記基板載置台13は、スパッタリング装
置10のチャンバー11内にて、その上面が上記ターゲ
ット16に対向するように配設されている。
置10のチャンバー11内にて、その上面が上記ターゲ
ット16に対向するように配設されている。
【0021】上記シャッタ14は、ターゲット16表面
の不純物を取除き且つ放電が安定するまでの予備スパッ
タリングのためのものであり、スパッタリング開始から
所定時間の間、ターゲット16と基板載置台13との間
に挿入されると共に、その後は図1にて矢印Aで示すよ
うに、図示しない駆動手段によって退避されるようにな
っている。
の不純物を取除き且つ放電が安定するまでの予備スパッ
タリングのためのものであり、スパッタリング開始から
所定時間の間、ターゲット16と基板載置台13との間
に挿入されると共に、その後は図1にて矢印Aで示すよ
うに、図示しない駆動手段によって退避されるようにな
っている。
【0022】以上の構成は、図7に示した従来のスパッ
タリング装置1とほぼ同様の構成であるが、本発明実施
形態においては、基板載置台13の上面に、スパッタリ
ングされるべき基板を保持した基板ホルダー20が載置
されるようになっている。
タリング装置1とほぼ同様の構成であるが、本発明実施
形態においては、基板載置台13の上面に、スパッタリ
ングされるべき基板を保持した基板ホルダー20が載置
されるようになっている。
【0023】この基板ホルダー20は、図2及び図3に
示すように、構成されている。図2及び図3において、
基板ホルダー20は、本体部である円形プレート21
と、この円形プレートの上面に対して押圧して固定され
る固定手段である圧力プレート22と、円形プレート2
1と圧力プレート22の間で、スパッタすべき基板23
(図示の場合、長方形の顕微鏡用スライド)の表面に圧
接されるマスク24と、を含んでいる。
示すように、構成されている。図2及び図3において、
基板ホルダー20は、本体部である円形プレート21
と、この円形プレートの上面に対して押圧して固定され
る固定手段である圧力プレート22と、円形プレート2
1と圧力プレート22の間で、スパッタすべき基板23
(図示の場合、長方形の顕微鏡用スライド)の表面に圧
接されるマスク24と、を含んでいる。
【0024】上記円形プレート21は、例えばアルミニ
ウム製の円形プレートであって、外周縁の領域にて、例
えばコンパクトディスク等の光ディスク用のディスク基
板と同じ外形、即ち直径及び厚さを有している。これに
より、円形プレート21は、光ディスク製造用のスパッ
タリング装置10の基板載置台13の上面に対して、デ
ィスク保持リング25により、キャディにクランプさ
れ、保持され得ることになる。
ウム製の円形プレートであって、外周縁の領域にて、例
えばコンパクトディスク等の光ディスク用のディスク基
板と同じ外形、即ち直径及び厚さを有している。これに
より、円形プレート21は、光ディスク製造用のスパッ
タリング装置10の基板載置台13の上面に対して、デ
ィスク保持リング25により、キャディにクランプさ
れ、保持され得ることになる。
【0025】さらに、円形プレート21は、図4に示す
ように、その上面に植設された圧力プレート22の位置
決め用の複数本(図示の場合、4本)の位置決めピン2
1aと、圧力プレート22の固定用の複数個(図示の場
合、6個)のネジ穴21bを備えている。また、円形プ
レート21は、図4に示すように、中央下面に凹部21
cを備えている。この凹部21cは、キャディのスピン
ドルが当たらないようにするためのものである。
ように、その上面に植設された圧力プレート22の位置
決め用の複数本(図示の場合、4本)の位置決めピン2
1aと、圧力プレート22の固定用の複数個(図示の場
合、6個)のネジ穴21bを備えている。また、円形プ
レート21は、図4に示すように、中央下面に凹部21
cを備えている。この凹部21cは、キャディのスピン
ドルが当たらないようにするためのものである。
【0026】上記圧力プレート22は、例えばアルミニ
ウム製の長方形のプレートであって、保持すべき基板2
3及びマスク24より一回り大きく形成されていると共
に、図5に示すように、内側に基板23よりやや小さい
(図示の場合、長手方向にのみ基板23より短い)穴2
2aを有している。これにより、圧力プレート22は、
基板23の周縁部を円形プレート21に向かって押圧し
て、挟持するようになっている。
ウム製の長方形のプレートであって、保持すべき基板2
3及びマスク24より一回り大きく形成されていると共
に、図5に示すように、内側に基板23よりやや小さい
(図示の場合、長手方向にのみ基板23より短い)穴2
2aを有している。これにより、圧力プレート22は、
基板23の周縁部を円形プレート21に向かって押圧し
て、挟持するようになっている。
【0027】さらに、圧力プレート22は、円形プレー
ト21上にて所定位置に位置決めするための位置決め穴
22bと、締付け部材である固定ネジ26のための貫通
穴22cを備えている。位置決め穴22bは、円形プレ
ート21の位置決めピン21aに対応して、また貫通穴
22cは、円形プレート21のネジ穴21bに対応し
て、配設されている。
ト21上にて所定位置に位置決めするための位置決め穴
22bと、締付け部材である固定ネジ26のための貫通
穴22cを備えている。位置決め穴22bは、円形プレ
ート21の位置決めピン21aに対応して、また貫通穴
22cは、円形プレート21のネジ穴21bに対応し
て、配設されている。
【0028】上記マスク24は、例えば金属薄膜シート
により、非常に薄く形成されており、図6に示すよう
に、所定形状の穴24aを備えている。
により、非常に薄く形成されており、図6に示すよう
に、所定形状の穴24aを備えている。
【0029】本発明の実施の形態による基板ホルダー2
0を備えたスパッタリング装置10は、以上のように構
成されており、基板23のスパッタリングは以下のよう
にして行なわれる。
0を備えたスパッタリング装置10は、以上のように構
成されており、基板23のスパッタリングは以下のよう
にして行なわれる。
【0030】先づ、長方形の基板23が、円形プレート
21の上面の中央(図2の点線図示位置)に載置され、
その上にマスク24が載置される。そして、さらにその
上から、圧力プレート22が、その位置決め用穴22b
に、円形プレート21の位置決めピン21aが挿入され
ることにより、円形プレート21の上面に位置決めされ
且つ載置される。この状態から、圧力プレート22の各
貫通穴22cに対して、それぞれ固定ネジ26が螺合さ
れ、締め付けられることにより、圧力プレート22が、
円形プレート21の表面に対して、基板23及びマスク
24を押し付ける。この場合、圧力プレート22は、各
固定ネジ26が均一に締め付けられることにより、全面
に亘って、均一な押圧力で基板及びマスク24を押し付
けることになる。尚、各固定ネジ26の締付力を適宜に
調整することにより、圧力プレート22の所望の押圧力
が得られることになる。このようにして、基板23及び
マスク24が一体化された基板ホルダー20が、スパッ
タリング装置10のチャンバー11内にて、基板載置台
13上のキャディ(図示せず)に取り付けられる。
21の上面の中央(図2の点線図示位置)に載置され、
その上にマスク24が載置される。そして、さらにその
上から、圧力プレート22が、その位置決め用穴22b
に、円形プレート21の位置決めピン21aが挿入され
ることにより、円形プレート21の上面に位置決めされ
且つ載置される。この状態から、圧力プレート22の各
貫通穴22cに対して、それぞれ固定ネジ26が螺合さ
れ、締め付けられることにより、圧力プレート22が、
円形プレート21の表面に対して、基板23及びマスク
24を押し付ける。この場合、圧力プレート22は、各
固定ネジ26が均一に締め付けられることにより、全面
に亘って、均一な押圧力で基板及びマスク24を押し付
けることになる。尚、各固定ネジ26の締付力を適宜に
調整することにより、圧力プレート22の所望の押圧力
が得られることになる。このようにして、基板23及び
マスク24が一体化された基板ホルダー20が、スパッ
タリング装置10のチャンバー11内にて、基板載置台
13上のキャディ(図示せず)に取り付けられる。
【0031】続いて、チャンバー11の内部が真空排気
口11aから図示しない真空ポンプにより、高真空(〜
10-7Torr程度)まで真空排気された後、ガス導入
口11bからAr等の放電ガスがチャンバー11内に導
入され、10-3乃至10-2Torr程度の圧力に保持さ
れる。この状態から、ターゲット16が取り付けられた
カソード電極12に対して電源15から、負の電圧が印
加されることにより、この電圧による電場と磁気回路1
7による磁場との相互作用によってマグネトロン放電が
発生する。これにより、ターゲット16のエロージョン
領域16aがスパッタされることになる。
口11aから図示しない真空ポンプにより、高真空(〜
10-7Torr程度)まで真空排気された後、ガス導入
口11bからAr等の放電ガスがチャンバー11内に導
入され、10-3乃至10-2Torr程度の圧力に保持さ
れる。この状態から、ターゲット16が取り付けられた
カソード電極12に対して電源15から、負の電圧が印
加されることにより、この電圧による電場と磁気回路1
7による磁場との相互作用によってマグネトロン放電が
発生する。これにより、ターゲット16のエロージョン
領域16aがスパッタされることになる。
【0032】ここで、所定時間経過までは予備スパッタ
リングとして、ターゲット16の表面の不純物が取除か
れる。この際、シャッタ14がターゲット16と基板載
置台13との間に挿入されていることにより、不純物を
含むスパッタ粒子が半導体基板23上に付着するような
ことはない。そして、所定時間経過後に、シャッタ14
が退避されることにより、ターゲット16のエロージョ
ン領域16aから放出されたスパッタ粒子が、基板ホル
ダー20の圧力プレート22の穴22aを介して、パタ
ーン形成用のマスク23の穴23aを通って、円形プレ
ート21上の基板23の表面に達し、基板23の表面
に、マスク24の穴24aに対応したパターンの薄膜が
形成されることになる。
リングとして、ターゲット16の表面の不純物が取除か
れる。この際、シャッタ14がターゲット16と基板載
置台13との間に挿入されていることにより、不純物を
含むスパッタ粒子が半導体基板23上に付着するような
ことはない。そして、所定時間経過後に、シャッタ14
が退避されることにより、ターゲット16のエロージョ
ン領域16aから放出されたスパッタ粒子が、基板ホル
ダー20の圧力プレート22の穴22aを介して、パタ
ーン形成用のマスク23の穴23aを通って、円形プレ
ート21上の基板23の表面に達し、基板23の表面
に、マスク24の穴24aに対応したパターンの薄膜が
形成されることになる。
【0033】この場合、光ディスク製造用のスパッタリ
ング装置10を利用して、チャンバー11内の基板載置
台13上に備えられたディスク基板保持用のキャディに
よって、基板ホルダー20の円形プレート21の外周縁
を保持することにより、基板23がマスク24と共に、
上記チャンバー11の基板載置台13上に保持されるこ
とになる。従って、既設の光ディスク製造用のスパッタ
リング装置10を有効利用することにより、円形のディ
スク基板とは異なる形状である長方形の基板23のスパ
ッタリングが行なわれ得ることになる。
ング装置10を利用して、チャンバー11内の基板載置
台13上に備えられたディスク基板保持用のキャディに
よって、基板ホルダー20の円形プレート21の外周縁
を保持することにより、基板23がマスク24と共に、
上記チャンバー11の基板載置台13上に保持されるこ
とになる。従って、既設の光ディスク製造用のスパッタ
リング装置10を有効利用することにより、円形のディ
スク基板とは異なる形状である長方形の基板23のスパ
ッタリングが行なわれ得ることになる。
【0034】以上述べたように、本実施の形態によれ
ば、任意の形状の基板23及びパターン形成用のマスク
24が、基板ホルダー20の円形プレート21及び圧力
プレート22の間に挟持され、固定保持されることにな
ると共に、円形プレート21がスパッタリング装置10
のチャンバー11内に取り付けられるので、従来の光デ
ィスク用基板と同様に取り扱うことにより、光ディスク
製造用のスパッタリング装置を利用して、任意の形状の
基板のスパッタリングを行なうことができる。
ば、任意の形状の基板23及びパターン形成用のマスク
24が、基板ホルダー20の円形プレート21及び圧力
プレート22の間に挟持され、固定保持されることにな
ると共に、円形プレート21がスパッタリング装置10
のチャンバー11内に取り付けられるので、従来の光デ
ィスク用基板と同様に取り扱うことにより、光ディスク
製造用のスパッタリング装置を利用して、任意の形状の
基板のスパッタリングを行なうことができる。
【0035】尚、上述した実施形態においては、基板2
3は、長方形の形状を有しているが、これに限らず、他
の任意の形状であってもよいことは明らかである。この
場合、基板の形状や大きさに対応して、基板ホルダー2
0の円形プレート21及び圧力プレート22の固定ネジ
26のネジ止め箇所及び位置決めピン21aによる位置
決め箇所は、適宜に移動すればよい。
3は、長方形の形状を有しているが、これに限らず、他
の任意の形状であってもよいことは明らかである。この
場合、基板の形状や大きさに対応して、基板ホルダー2
0の円形プレート21及び圧力プレート22の固定ネジ
26のネジ止め箇所及び位置決めピン21aによる位置
決め箇所は、適宜に移動すればよい。
【0036】また、上述した実施形態においては、スパ
ッタリング装置20が、静止対向型マグネトロンスパッ
タリング装置として構成されているが、これに限らず、
他の型式のスパッタリング装置であっても、基板載置台
を備えていれば、本発明を適用し得ることは明らかであ
る。
ッタリング装置20が、静止対向型マグネトロンスパッ
タリング装置として構成されているが、これに限らず、
他の型式のスパッタリング装置であっても、基板載置台
を備えていれば、本発明を適用し得ることは明らかであ
る。
【0037】
【発明の効果】かくして、本発明によれば、任意の形状
の基板を保持できる基板ホルダー及び任意の形状の基板
を保持できる基板ホルダーを有するスパッタリング装置
を提供することができる。
の基板を保持できる基板ホルダー及び任意の形状の基板
を保持できる基板ホルダーを有するスパッタリング装置
を提供することができる。
【図1】本発明による基板ホルダーの一実施形態を備え
たスパッタリング装置の全体構成を示す概略断面図であ
る。
たスパッタリング装置の全体構成を示す概略断面図であ
る。
【図2】図1における基板ホルダーの一実施形態を示す
分解斜視図である。
分解斜視図である。
【図3】図2の基板ホルダーの(A)側面図及び(B)
平面図である。
平面図である。
【図4】図2の基板ホルダーにおける円形プレートの
(A)側面図及び(B)平面図である。
(A)側面図及び(B)平面図である。
【図5】図2の基板ホルダーにおける圧力プレートの
(A)側面図及び(B)平面図である。
(A)側面図及び(B)平面図である。
【図6】図2の基板ホルダーにおけるマスクの平面図で
ある。
ある。
【図7】従来のスパッタリング装置の一例の構成を示す
概略斜視図である。
概略斜視図である。
10・・・スパッタリング装置、11・・・チャンバ
ー、12・・・カソード電極、13・・・基板載置台、
14・・・シャッタ、15・・・電源、16・・・ター
ゲット、17・・・磁気回路、20・・・基板ホルダ
ー、21・・・円形プレート、22・・・圧力プレー
ト、23・・・基板、24・・・マスク、25・・・デ
ィスク保持リング、26・・・固定ネジ。
ー、12・・・カソード電極、13・・・基板載置台、
14・・・シャッタ、15・・・電源、16・・・ター
ゲット、17・・・磁気回路、20・・・基板ホルダ
ー、21・・・円形プレート、22・・・圧力プレー
ト、23・・・基板、24・・・マスク、25・・・デ
ィスク保持リング、26・・・固定ネジ。
Claims (4)
- 【請求項1】 任意の形状の基板の表面に薄膜を形成す
るための基板ホルダーであって、 本体部と、 この本体部に載置される基板をこの本体部に対して固定
するための固定手段と、を含んでいることを特徴とす
る、基板ホルダー。 - 【請求項2】 上記本体部が円形プレートであって、且
つ少なくとも外周縁の領域にて、光ディスク用のディス
ク基板と同じ外形を有しており、この円形プレートがこ
の光ディスク基板の代わりに取り付けられることを特徴
とする、請求項1に記載の基板ホルダー。 - 【請求項3】 上記固定手段が、固定部材と締付け部材
よりなり、この固定部材が上記本体部に対して締付け部
材により固定されると共に、この締付け部材の締付け力
を調整することにより、この固定部材の上記本体部に対
する固定力が調整されることを特徴とする、請求項1に
記載の基板ホルダー。 - 【請求項4】 任意の形状の基板の表面に薄膜を形成す
るための基板ホルダーを有するスパッタリング装置であ
って、 本体部と、 この本体部に載置される基板をこの本体部に対して固定
するための固定手段と、を備えている基板ホルダーを有
するスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27455597A JPH11106917A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 基板ホルダー及びこの基板ホルダーを有するスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27455597A JPH11106917A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 基板ホルダー及びこの基板ホルダーを有するスパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11106917A true JPH11106917A (ja) | 1999-04-20 |
Family
ID=17543367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27455597A Pending JPH11106917A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 基板ホルダー及びこの基板ホルダーを有するスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11106917A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110218986A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-09-10 | 上海现代先进超精密制造中心有限公司 | 一种针对长条形反射镜的镀膜工装以及安装方法 |
-
1997
- 1997-10-07 JP JP27455597A patent/JPH11106917A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110218986A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-09-10 | 上海现代先进超精密制造中心有限公司 | 一种针对长条形反射镜的镀膜工装以及安装方法 |
| CN110218986B (zh) * | 2019-05-24 | 2021-03-19 | 上海现代先进超精密制造中心有限公司 | 一种针对长条形反射镜的镀膜工装以及安装方法 |
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