JPH11106934A - 金属酸化物薄膜の製造方法及び金属酸化物薄膜 - Google Patents
金属酸化物薄膜の製造方法及び金属酸化物薄膜Info
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- JPH11106934A JPH11106934A JP26702897A JP26702897A JPH11106934A JP H11106934 A JPH11106934 A JP H11106934A JP 26702897 A JP26702897 A JP 26702897A JP 26702897 A JP26702897 A JP 26702897A JP H11106934 A JPH11106934 A JP H11106934A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来よりも低温で、低い抵抗値と高い可視光
透過率を有する金属酸化物系の透明導電膜を形成するこ
とができる方法を提供する。 【解決手段】 透明基板上に成膜された金属酸化物系薄
膜の製造法において，金属アルコキシド及び／又は金属
塩を含有する液を，（ａ）零℃以下で加水分解反応させ
る工程，及び（ｂ）透明基板上に塗布し，塗布被膜を加
熱する工程を含むことを特徴とする金属酸化物系薄膜の
製造法。
透過率を有する金属酸化物系の透明導電膜を形成するこ
とができる方法を提供する。 【解決手段】 透明基板上に成膜された金属酸化物系薄
膜の製造法において，金属アルコキシド及び／又は金属
塩を含有する液を，（ａ）零℃以下で加水分解反応させ
る工程，及び（ｂ）透明基板上に塗布し，塗布被膜を加
熱する工程を含むことを特徴とする金属酸化物系薄膜の
製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，金属酸化物薄膜の
製造法及び金属酸化物薄膜に関する。
製造法及び金属酸化物薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜は，可視光透過性が良く，導
電性も良好なため，LCD，タッチパネル，センサー，太
陽電池や無機及び有機ELなどの電極や太陽熱利用のため
の選択透過膜などに用いられている。
電性も良好なため，LCD，タッチパネル，センサー，太
陽電池や無機及び有機ELなどの電極や太陽熱利用のため
の選択透過膜などに用いられている。
【０００３】このような，透明導電膜の中でも，金属酸
化物系の透明導電膜（特に酸化スズ（SnO2）系や酸化イ
ン ジウム（In2O3）系の透明導電膜）は他の材料系の
透明導電膜に比べその比抵抗が低く，可視光の透過率が
高く安定性もよいため，一般的に用いられている。更
に，エッチングのしやすさなどの点から，スズをドープ
した酸化インジウム（In2O3），いわゆるITOが広く用い
られている。
化物系の透明導電膜（特に酸化スズ（SnO2）系や酸化イ
ン ジウム（In2O3）系の透明導電膜）は他の材料系の
透明導電膜に比べその比抵抗が低く，可視光の透過率が
高く安定性もよいため，一般的に用いられている。更
に，エッチングのしやすさなどの点から，スズをドープ
した酸化インジウム（In2O3），いわゆるITOが広く用い
られている。
【０００４】ところで，これらの金属酸化物系の透明導
電膜は，従来から蒸着法，イオンプレーティング法，ス
パッタリング法などによって，基板上に結晶性もしく
は，非晶性の金属酸化物を付着させることにより形成さ
れている。これらの真空成膜法では，装置コストや製造
コストが高くなるため，ゾル−ゲル法のような湿式プロ
セスへの期待が大きい。
電膜は，従来から蒸着法，イオンプレーティング法，ス
パッタリング法などによって，基板上に結晶性もしく
は，非晶性の金属酸化物を付着させることにより形成さ
れている。これらの真空成膜法では，装置コストや製造
コストが高くなるため，ゾル−ゲル法のような湿式プロ
セスへの期待が大きい。
【０００５】独国特許3300589号には，ゾル−ゲル法に
よる低比抵抗，高透過率の成膜法が開示されている。し
かしながら，ゾル−ゲル法のような湿式プロセスにおい
ても，良好な性能の，すなわち，比抵抗が低く，可視光
の透過率がよい膜を得るためには，通常300℃から500℃
程度に基板が加熱される必要がある。このため用いるこ
とのできる基板には制限が加えられる。従って，有機高
分子基板上に成膜するには，成膜温度を250℃以下最も
好ましくは，100℃以下にすることができるような成膜
法が望まれている。
よる低比抵抗，高透過率の成膜法が開示されている。し
かしながら，ゾル−ゲル法のような湿式プロセスにおい
ても，良好な性能の，すなわち，比抵抗が低く，可視光
の透過率がよい膜を得るためには，通常300℃から500℃
程度に基板が加熱される必要がある。このため用いるこ
とのできる基板には制限が加えられる。従って，有機高
分子基板上に成膜するには，成膜温度を250℃以下最も
好ましくは，100℃以下にすることができるような成膜
法が望まれている。
【０００６】特開平3-188938号には，光照射による低温
成膜，特開平8-253318号には，酸触媒及び酸アミドを用
いた低温成膜の技術が開示されている。しかしながら，
これらの技術では，それぞれ，得られた膜の抵抗値が十
分に低くない，なお必要とする温度が高い，光照射の時
間が長い，などの問題点がある。従って，さらに低温で
低抵抗の透明導電膜を成膜する方法が望まれている。
成膜，特開平8-253318号には，酸触媒及び酸アミドを用
いた低温成膜の技術が開示されている。しかしながら，
これらの技術では，それぞれ，得られた膜の抵抗値が十
分に低くない，なお必要とする温度が高い，光照射の時
間が長い，などの問題点がある。従って，さらに低温で
低抵抗の透明導電膜を成膜する方法が望まれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は，従来
の蒸着法，イオンプレーティング法，スパッタリング法
によった場合よりも低温かつ短時間で，低い抵抗値と高
い可視光透過率を有する金属酸化物系の透明導電膜を形
成することができる方法を提供することである。また，
本発明の目的は，上述したような低温かつ短時間で成膜
され，低い抵抗値と高い可視光透過率を有する金属酸化
物系の透明導電膜を提供することである。
の蒸着法，イオンプレーティング法，スパッタリング法
によった場合よりも低温かつ短時間で，低い抵抗値と高
い可視光透過率を有する金属酸化物系の透明導電膜を形
成することができる方法を提供することである。また，
本発明の目的は，上述したような低温かつ短時間で成膜
され，低い抵抗値と高い可視光透過率を有する金属酸化
物系の透明導電膜を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は，以下の
手段によって達成された。 （イ） 透明基板上に成膜された金属酸化物系薄膜の製
造法において，金属アルコキシド及び／あるいは金属塩
を含有する液を，（ａ）零℃以下で加水分解反応させる
工程，及び（ｂ）透明基板上に塗布し，塗布被膜を加熱
する工程を含むことを特徴とする金属酸化物系薄膜の製
造法。 （ロ） （ｂ）工程における塗布被膜の加熱が20℃〜10
0℃であることを特徴とする上記（イ）の金属酸化物系
薄膜の製造法。（ハ） （ａ）工程で加水分解される金
属アルコキシド及び／又は金属塩を含 有する塗布液に，目的とする金属酸化物微粒子種結晶が
添加されていることを特徴とする上記（イ）ないし
（ロ）の金属酸化物系薄膜の製造法。 （ニ） （ｂ）工程と同時に，もしくは引き続いて塗布
被膜に紫外光及びあるいは可視光を照射することを特徴
とする上記（イ）ないし（ハ）の金属酸化物系薄膜の製
造法。 （ホ） （ａ）工程で用いられる金属アルコキシド及び
／又は金属塩を含有する塗布液が，インジウムアルコキ
シド及び／又はインジウム塩，及び，スズアルコキシド
及び／又はスズ塩を含有する塗布液であることを特徴と
する上記（イ）ないし（ニ）の金属酸化物系薄膜の製造
法。 （ヘ） 上記（イ）ないし（ホ）の製造法によって製造
された金属酸化物系薄膜。
手段によって達成された。 （イ） 透明基板上に成膜された金属酸化物系薄膜の製
造法において，金属アルコキシド及び／あるいは金属塩
を含有する液を，（ａ）零℃以下で加水分解反応させる
工程，及び（ｂ）透明基板上に塗布し，塗布被膜を加熱
する工程を含むことを特徴とする金属酸化物系薄膜の製
造法。 （ロ） （ｂ）工程における塗布被膜の加熱が20℃〜10
0℃であることを特徴とする上記（イ）の金属酸化物系
薄膜の製造法。（ハ） （ａ）工程で加水分解される金
属アルコキシド及び／又は金属塩を含 有する塗布液に，目的とする金属酸化物微粒子種結晶が
添加されていることを特徴とする上記（イ）ないし
（ロ）の金属酸化物系薄膜の製造法。 （ニ） （ｂ）工程と同時に，もしくは引き続いて塗布
被膜に紫外光及びあるいは可視光を照射することを特徴
とする上記（イ）ないし（ハ）の金属酸化物系薄膜の製
造法。 （ホ） （ａ）工程で用いられる金属アルコキシド及び
／又は金属塩を含有する塗布液が，インジウムアルコキ
シド及び／又はインジウム塩，及び，スズアルコキシド
及び／又はスズ塩を含有する塗布液であることを特徴と
する上記（イ）ないし（ニ）の金属酸化物系薄膜の製造
法。 （ヘ） 上記（イ）ないし（ホ）の製造法によって製造
された金属酸化物系薄膜。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下本発明について詳細に説明す
る。本発明の製造法においては，以下の２つのプロセス
を含むものである。金属アルコキシド及び／又は金属塩
を含有する液を，（ａ）零℃以下で加水分解反応させる
工程（ｂ）続いて，透明基板上に塗布し，塗布被膜を加
熱する工程
る。本発明の製造法においては，以下の２つのプロセス
を含むものである。金属アルコキシド及び／又は金属塩
を含有する液を，（ａ）零℃以下で加水分解反応させる
工程（ｂ）続いて，透明基板上に塗布し，塗布被膜を加
熱する工程
【００１０】本発明において，金属アルコキシド及び／
又は金属塩の例としては，金属メトキシド，金属エトキ
シド，金属プロポキシド，金属イソプロポキシド，金属
ブトキシド等が挙げられる。金属塩の例としては，ギ酸
塩，酢酸塩，シュウ酸塩，硝酸塩，金属ハロゲン化物等
及び／又はこれらの水和物，及びこれらの化合物と，α
−またはβ−ジケトン類，α−又はβ−ケト酸類，前記
ケト酸類のエステル類，α−又はβ−アミノアルコール
類等とのキレート化合物，酸アミド類のようにキレート
より弱い配位を行う化合物との配位化合物，さらには，
前記化合物を中和及び／又は加水分解して得られる水酸
化金属等も含む。
又は金属塩の例としては，金属メトキシド，金属エトキ
シド，金属プロポキシド，金属イソプロポキシド，金属
ブトキシド等が挙げられる。金属塩の例としては，ギ酸
塩，酢酸塩，シュウ酸塩，硝酸塩，金属ハロゲン化物等
及び／又はこれらの水和物，及びこれらの化合物と，α
−またはβ−ジケトン類，α−又はβ−ケト酸類，前記
ケト酸類のエステル類，α−又はβ−アミノアルコール
類等とのキレート化合物，酸アミド類のようにキレート
より弱い配位を行う化合物との配位化合物，さらには，
前記化合物を中和及び／又は加水分解して得られる水酸
化金属等も含む。
【００１１】本発明において，金属アルコキシド，及び
／又は金属塩を構成する金属の例としては，Li，Be，
B，Na，Mg，Al，Si，K，Ca，Sc，V，Cr，Mn，Fe，Co，N
i，Cu，Zn，Ga，Rb，Sr，Y，Zr，Ti，Nb，Mo，Cd，In，
Sn ，Sb，Cs，Ba，La，Hf，Ta，W，Tl， Pb， Bi，C
e，Pr， Nd， Pm， Sm， Eu， Gd， Tb，Dy， Ho， E
r，Tm，Yb，及びLuなどが挙げられる。これらは単一で
用いられてもよいし，２つ以上組み合わせて用いられて
もよい。これらのうち，好ましくは，B，Mg，Al，Si，C
a，V，Mn，Fe，Cu，Zn，Ga，Sr，Y，Zr，Nb，Cd，In，S
n，Sb，Ba，La，Ta，W， Pb， Bi，及びCeから選ばれ
る。
／又は金属塩を構成する金属の例としては，Li，Be，
B，Na，Mg，Al，Si，K，Ca，Sc，V，Cr，Mn，Fe，Co，N
i，Cu，Zn，Ga，Rb，Sr，Y，Zr，Ti，Nb，Mo，Cd，In，
Sn ，Sb，Cs，Ba，La，Hf，Ta，W，Tl， Pb， Bi，C
e，Pr， Nd， Pm， Sm， Eu， Gd， Tb，Dy， Ho， E
r，Tm，Yb，及びLuなどが挙げられる。これらは単一で
用いられてもよいし，２つ以上組み合わせて用いられて
もよい。これらのうち，好ましくは，B，Mg，Al，Si，C
a，V，Mn，Fe，Cu，Zn，Ga，Sr，Y，Zr，Nb，Cd，In，S
n，Sb，Ba，La，Ta，W， Pb， Bi，及びCeから選ばれ
る。
【００１２】本発明において，塗布液の溶媒としては，
メタノール，エタノール，プロパノール，イソプロピル
アルコール，ブタノールなどのアルコール類，エチレン
グリコール，トリメチレングリコールなどのグリコール
類，アセトン，メチルエチルケトン，ジエチルケトン，
アセチルアセトン，イソホロンなどのケトン類，酢酸エ
チル，酢酸ブチル，酢酸ベンジルなどのエステル類，メ
トキシエタノール，エトキシエタノール等のエーテルア
ルコール類，ジオキサン，テトラヒドロフラン等 のエ
ーテル類，N，N-ジメチルホルムアミド，N，N-ジメチル
アセトアミドなどの酸アミド類，トルエン，キシレン等
の芳香族炭化水素類などが挙げられる。また これら
の，媒体に水が含まれても良い。溶媒の種類及び組成に
おいては，使用する金属アルコキシド及び／あるいは金
属塩に従って選択する。例えば，使用する金属塩が塩化
物であり，その他の添加物が水溶性である場合，水また
は，媒体として水と有機溶媒の混合物を使用し，また，
金属アルコキシドを使用し，その他の添加物が有機溶剤
に可溶性の場合には，媒体としては有機溶剤あるいは有
機溶剤と水の混合物を使用するとよい。
メタノール，エタノール，プロパノール，イソプロピル
アルコール，ブタノールなどのアルコール類，エチレン
グリコール，トリメチレングリコールなどのグリコール
類，アセトン，メチルエチルケトン，ジエチルケトン，
アセチルアセトン，イソホロンなどのケトン類，酢酸エ
チル，酢酸ブチル，酢酸ベンジルなどのエステル類，メ
トキシエタノール，エトキシエタノール等のエーテルア
ルコール類，ジオキサン，テトラヒドロフラン等 のエ
ーテル類，N，N-ジメチルホルムアミド，N，N-ジメチル
アセトアミドなどの酸アミド類，トルエン，キシレン等
の芳香族炭化水素類などが挙げられる。また これら
の，媒体に水が含まれても良い。溶媒の種類及び組成に
おいては，使用する金属アルコキシド及び／あるいは金
属塩に従って選択する。例えば，使用する金属塩が塩化
物であり，その他の添加物が水溶性である場合，水また
は，媒体として水と有機溶媒の混合物を使用し，また，
金属アルコキシドを使用し，その他の添加物が有機溶剤
に可溶性の場合には，媒体としては有機溶剤あるいは有
機溶剤と水の混合物を使用するとよい。
【００１３】また，以後にのべる乾燥負荷を減らす溶媒
として低沸点化合物を用いることができるが，その揮発
性のため取り扱いには注意を要する。このような例とし
て，アセトンが挙げられる。
として低沸点化合物を用いることができるが，その揮発
性のため取り扱いには注意を要する。このような例とし
て，アセトンが挙げられる。
【００１４】上記溶媒の使用量は使用する金属アルコキ
シド及び／又は金属塩及び他の添加物の種類によって変
化するが，一般的には，上記金属アルコキシド及び／又
は金属塩及び他の添加物の重量成分が1〜30重量％にす
ることが好ましい。より好ましくは，2〜25重量％であ
り，さらに好ましくは，3〜20重量％である。溶媒の量
が不足すると，塗布性が悪化する等，溶媒の量が多すぎ
ると，得られる金属酸化物系薄膜の膜厚が低下し，欠陥
が生じやすくなる等の問題が生じる。
シド及び／又は金属塩及び他の添加物の種類によって変
化するが，一般的には，上記金属アルコキシド及び／又
は金属塩及び他の添加物の重量成分が1〜30重量％にす
ることが好ましい。より好ましくは，2〜25重量％であ
り，さらに好ましくは，3〜20重量％である。溶媒の量
が不足すると，塗布性が悪化する等，溶媒の量が多すぎ
ると，得られる金属酸化物系薄膜の膜厚が低下し，欠陥
が生じやすくなる等の問題が生じる。
【００１５】本発明の，金属アルコキシド及び／又は金
属塩を含有する塗布液には他の添加物が含まれても良
い。他の添加物の例としては，得られる塗布物のバイン
ダーとして機能する樹脂などがある。この場合，低温で
崩壊する樹脂，あるいは酸発生剤と併用して酸発生で崩
壊する樹脂が適当である。上記樹脂の使用量が多すぎる
と，得られる金属酸化物系の透明導電膜の膜質が悪化
し，望ましい抵抗値が得られない等の点で不十分であ
る。
属塩を含有する塗布液には他の添加物が含まれても良
い。他の添加物の例としては，得られる塗布物のバイン
ダーとして機能する樹脂などがある。この場合，低温で
崩壊する樹脂，あるいは酸発生剤と併用して酸発生で崩
壊する樹脂が適当である。上記樹脂の使用量が多すぎる
と，得られる金属酸化物系の透明導電膜の膜質が悪化
し，望ましい抵抗値が得られない等の点で不十分であ
る。
【００１６】また，他の添加物としては，金属アルコキ
シド及び／又は金属塩の加水分解を促進する酸触媒，あ
るいは塩基触媒が挙げられる。酸触媒の例としては，塩
酸，硝酸，ホウ酸，ホウフッ化水素酸等の鉱酸，及び／
あるいは，酢酸，トリフルオロ酢酸，ｐ-トルエンスル
ホン酸，メタンスルホン酸等の有機酸などが挙げられ
る。また，光照射によって酸を発生する光酸発生剤も用
いられる。例としては，ジフェニルヨードニウムヘキサ
フルオロホスフェートなどが挙げられる。また，塩基触
媒の例としては，トリエタールアミン，トリエチルアミ
ン，1，8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン，アン
モニア，ホスフィン等が挙げられる。しかしながら，こ
れらの添加量は多いと加水分解反応が加速しすぎて零℃
以下で反応速度を抑制する意味がなくなるので，十分少
ない量を用いるか全く用いない法が好ましい。
シド及び／又は金属塩の加水分解を促進する酸触媒，あ
るいは塩基触媒が挙げられる。酸触媒の例としては，塩
酸，硝酸，ホウ酸，ホウフッ化水素酸等の鉱酸，及び／
あるいは，酢酸，トリフルオロ酢酸，ｐ-トルエンスル
ホン酸，メタンスルホン酸等の有機酸などが挙げられ
る。また，光照射によって酸を発生する光酸発生剤も用
いられる。例としては，ジフェニルヨードニウムヘキサ
フルオロホスフェートなどが挙げられる。また，塩基触
媒の例としては，トリエタールアミン，トリエチルアミ
ン，1，8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン，アン
モニア，ホスフィン等が挙げられる。しかしながら，こ
れらの添加量は多いと加水分解反応が加速しすぎて零℃
以下で反応速度を抑制する意味がなくなるので，十分少
ない量を用いるか全く用いない法が好ましい。
【００１７】更に，他の添加物としては，染料，有機顔
料，及び／又はカーボンブラックなどの無機含量を本発
明の目的を損なわない範囲の量加えてもよい。このよう
な着色剤を含むことにより着色された金属酸化物薄膜を
得ることもできる。
料，及び／又はカーボンブラックなどの無機含量を本発
明の目的を損なわない範囲の量加えてもよい。このよう
な着色剤を含むことにより着色された金属酸化物薄膜を
得ることもできる。
【００１８】本発明においては，（ａ）工程で用いられ
る金属アルコキシド及び／又は金属塩を含有する塗布液
が，零℃以下で加水分解反応された後に塗布されること
が要件である。
る金属アルコキシド及び／又は金属塩を含有する塗布液
が，零℃以下で加水分解反応された後に塗布されること
が要件である。
【００１９】零℃以下での加水分解は，反応が遅く，や
や長い時間を必要とするが，得られた溶液もしくはゾル
を用いた塗布を行った場合，結晶化のための加熱温度の
低下が観察される。原因は不明であるが，低温反応での
溶液中の金属−酸素のネットワーク構造もしくはゲルの
ネットワーク構造がアモルファスではあるが，結晶に近
い構造をとっているのではないかと考えられる。反応温
度が低いことは必要であるが，温度が低いほど反応時間
が長く成るため，極端に低温にすることは実用的ではな
い。好ましくは，−３０℃〜０℃であり，さらに好まし
くは，−２０℃〜０℃である。加水分解時間は、特に限
定されるものではないが、通常１分〜１２０時間の間で
適宜行われる。
や長い時間を必要とするが，得られた溶液もしくはゾル
を用いた塗布を行った場合，結晶化のための加熱温度の
低下が観察される。原因は不明であるが，低温反応での
溶液中の金属−酸素のネットワーク構造もしくはゲルの
ネットワーク構造がアモルファスではあるが，結晶に近
い構造をとっているのではないかと考えられる。反応温
度が低いことは必要であるが，温度が低いほど反応時間
が長く成るため，極端に低温にすることは実用的ではな
い。好ましくは，−３０℃〜０℃であり，さらに好まし
くは，−２０℃〜０℃である。加水分解時間は、特に限
定されるものではないが、通常１分〜１２０時間の間で
適宜行われる。
【００２０】本発明において，透明基板とは，ガラス，
有機ポリマー，ガラス繊維強化プラスチックス，セラミ
ックス等からなる，平板，立体物，フィルムをいう。な
かでも有機ポリマーのフィルムが好ましく，例として
は，セルローストリアセテート，セルロースジアセテー
ト，ニトロセルロース，ポリスチレン，ポリエチレンテ
レフタレート，ポリエチレンナフタレート，シンジオタ
クチックポリスチレン，ポリエチレン被覆紙，ポリエー
テルスルホン，ポリアリレート，ポリフッ化ビニリデ
ン，テフロンなどを用いることができる。また，これら
の支持体には温度や湿度の変化によって寸法が変化す
る，いわゆる寸度安定性を向上する目的で，ポリ塩化ビ
ニリデン系ポリマーを含む防水層を設けてもよい。さら
に，ガスバリアーの目的で，有機及び／又は無機化合物
の薄膜を設けてもよい。有機薄膜の例としてはポリビニ
ルアルコール，ポリ（エチレン-co-ビニルアルコール）
等があげられ，無機化合物の例としては，シリカ，アル
ミナ，タルク，バーミキュライト，カオリナイト，雲
母，合成雲母等が挙げられる。また，その他諸機能のた
め基板中に各種有機及び／又は無機添加物が加えられて
いてもよい。
有機ポリマー，ガラス繊維強化プラスチックス，セラミ
ックス等からなる，平板，立体物，フィルムをいう。な
かでも有機ポリマーのフィルムが好ましく，例として
は，セルローストリアセテート，セルロースジアセテー
ト，ニトロセルロース，ポリスチレン，ポリエチレンテ
レフタレート，ポリエチレンナフタレート，シンジオタ
クチックポリスチレン，ポリエチレン被覆紙，ポリエー
テルスルホン，ポリアリレート，ポリフッ化ビニリデ
ン，テフロンなどを用いることができる。また，これら
の支持体には温度や湿度の変化によって寸法が変化す
る，いわゆる寸度安定性を向上する目的で，ポリ塩化ビ
ニリデン系ポリマーを含む防水層を設けてもよい。さら
に，ガスバリアーの目的で，有機及び／又は無機化合物
の薄膜を設けてもよい。有機薄膜の例としてはポリビニ
ルアルコール，ポリ（エチレン-co-ビニルアルコール）
等があげられ，無機化合物の例としては，シリカ，アル
ミナ，タルク，バーミキュライト，カオリナイト，雲
母，合成雲母等が挙げられる。また，その他諸機能のた
め基板中に各種有機及び／又は無機添加物が加えられて
いてもよい。
【００２１】本発明における塗布方法は，スピンコート
法，ディップコート法，スプレーコート法，ロールコー
ト法，スクリーン印刷法等の公知の方法がいずれも使用
することができる。大量生産を安価に行うためには，ロ
ールコートが好ましい。特に，バーを用いる方法，ギー
サーを用いる方法は好ましい方法である。また，パター
ニングを塗布時にできるという点で，スクリーン印刷法
やオフセット印刷法も好ましい。塗布量は，得られる透
明導電膜の用途によって異なるが，一般的には溶媒以外
の有効成分塗量として0.1〜10 ml/m2である。より好ま
しくは，0.2〜7ml/m2であり，さらに好ましくは0.4〜5
ml/m2である。
法，ディップコート法，スプレーコート法，ロールコー
ト法，スクリーン印刷法等の公知の方法がいずれも使用
することができる。大量生産を安価に行うためには，ロ
ールコートが好ましい。特に，バーを用いる方法，ギー
サーを用いる方法は好ましい方法である。また，パター
ニングを塗布時にできるという点で，スクリーン印刷法
やオフセット印刷法も好ましい。塗布量は，得られる透
明導電膜の用途によって異なるが，一般的には溶媒以外
の有効成分塗量として0.1〜10 ml/m2である。より好ま
しくは，0.2〜7ml/m2であり，さらに好ましくは0.4〜5
ml/m2である。
【００２２】塗布被膜の加熱は溶媒の乾燥とともに，金
属アルコキシドや金属塩の加水分解および脱水縮合のた
めに行われる。塗布後の加熱条件は，基板にダメージを
あたえないために，低温で行われることが好ましい。好
ましくは，20℃〜100℃で行われる。さらに好ましく
は，30℃〜80℃で行われる。加熱時間は、特に限定され
るものではないが、通常１分〜１２０時間の間で適宜行
われる。
属アルコキシドや金属塩の加水分解および脱水縮合のた
めに行われる。塗布後の加熱条件は，基板にダメージを
あたえないために，低温で行われることが好ましい。好
ましくは，20℃〜100℃で行われる。さらに好ましく
は，30℃〜80℃で行われる。加熱時間は、特に限定され
るものではないが、通常１分〜１２０時間の間で適宜行
われる。
【００２３】本発明において，形成された薄膜の機械的
強度が要求される時には，この薄膜の上に保護膜を形成
すればよい。この保護膜を形成する際には，通常の保護
膜形成用塗布液，例えばアルコキシシラン加水分解物を
含むシリカ系被膜形成用塗布液が用いられる。
強度が要求される時には，この薄膜の上に保護膜を形成
すればよい。この保護膜を形成する際には，通常の保護
膜形成用塗布液，例えばアルコキシシラン加水分解物を
含むシリカ系被膜形成用塗布液が用いられる。
【００２４】本発明において，金属アルコキシド及び／
又は金属塩を含有する塗布液に，目的とする金属酸化物
微粒子種結晶が添加されていることは好ましい。金属酸
化物微粒子種結晶の添加割合は，好ましくは，金属アル
コキシド及び／又は金属塩からゾルが生成した場合のゾ
ル重量の10wt%〜90wt%であり，特に好ましくは，10wt%
〜80wt%である。以後に述べるように，本発明において
は，光照射により金属酸化物が結晶化する場合がある
が，この場合は，種結晶が添加されていることにより，
金属酸化物の結晶化がさらに促進する。金属アルコキシ
ド及び/及び／又は金属塩の10wt%〜90wt%の金属酸化物
微粒子種結晶を添加すれば，結晶化の促進に実効があ
る。ホモエピタキシャル成長が関与していると思われ
る。
又は金属塩を含有する塗布液に，目的とする金属酸化物
微粒子種結晶が添加されていることは好ましい。金属酸
化物微粒子種結晶の添加割合は，好ましくは，金属アル
コキシド及び／又は金属塩からゾルが生成した場合のゾ
ル重量の10wt%〜90wt%であり，特に好ましくは，10wt%
〜80wt%である。以後に述べるように，本発明において
は，光照射により金属酸化物が結晶化する場合がある
が，この場合は，種結晶が添加されていることにより，
金属酸化物の結晶化がさらに促進する。金属アルコキシ
ド及び/及び／又は金属塩の10wt%〜90wt%の金属酸化物
微粒子種結晶を添加すれば，結晶化の促進に実効があ
る。ホモエピタキシャル成長が関与していると思われ
る。
【００２５】種結晶の大きさは任意であるが，透過率の
観点から球換算で0.1μｍ以下が好ましい。
観点から球換算で0.1μｍ以下が好ましい。
【００２６】加える種結晶は目的とする金属酸化物その
ものでなくても，結晶形が同じ，及び／又は格子定数が
近い値をとるものなど，ヘテロエピタキシャルに都合の
良いものを使用することもできる。例えば，ITO薄膜を
作成する場合，酸化インジウムを種結晶として用いるこ
とができる。
ものでなくても，結晶形が同じ，及び／又は格子定数が
近い値をとるものなど，ヘテロエピタキシャルに都合の
良いものを使用することもできる。例えば，ITO薄膜を
作成する場合，酸化インジウムを種結晶として用いるこ
とができる。
【００２７】上述の種結晶は，市販品を用いても，合成
したものを用いてもよい。金属酸化物薄膜がITOの場
合，市販品では三菱マテリアル製，住友金属鉱山製のも
のなどを用いることができる。合成法については，ゾル
−ゲル法，水熱合成の他通常の焼結などが挙げられる。
ゾル−ゲル法については，「ゾル−ゲル法の科学，作花
済夫，アグネ承風社，1988」，「ゾル−ゲル法による薄
膜コーティング技術，技術情報協会編，1994」や「ゾル
−ゲル法の現状と展望，山根正之監修，技術情報サービ
ス懇談会[ATIS]ゾル−ゲル法リポート刊行会，1992」な
どに詳しく記述されている。
したものを用いてもよい。金属酸化物薄膜がITOの場
合，市販品では三菱マテリアル製，住友金属鉱山製のも
のなどを用いることができる。合成法については，ゾル
−ゲル法，水熱合成の他通常の焼結などが挙げられる。
ゾル−ゲル法については，「ゾル−ゲル法の科学，作花
済夫，アグネ承風社，1988」，「ゾル−ゲル法による薄
膜コーティング技術，技術情報協会編，1994」や「ゾル
−ゲル法の現状と展望，山根正之監修，技術情報サービ
ス懇談会[ATIS]ゾル−ゲル法リポート刊行会，1992」な
どに詳しく記述されている。
【００２８】本発明においては，塗布膜の加熱時及び／
又は加熱後に，光照射をされるとよい。塗布被膜に紫外
光もしくは可視光を照射する光源は，150nm〜700nmの波
長の光を発生する限りにおいてどんなものを用いてもよ
い。例えば，超高圧水銀ランプ，高圧水銀ランプ，低圧
水銀ランプ，キセノンランプ，ハロゲンランプ，ナトリ
ウムランプなどが挙げられる。好ましくは，超高圧水銀
ランプ，高圧水銀ランプ，低圧水銀ランプ，キセノンラ
ンプである。また，フォトマスクを併用することによっ
て透明導電 性パターンが形成できる。また，レーザー
発振装置を使用することもできる。レーザー発振装置と
しては，エキシマレーザー，アルゴンレーザー，ヘリウ
ムネオンレーザー，半導体レーザー，YAGレーザー，炭
酸ガスレーザー，色素レーザー等が挙げられる。レーザ
ー光を用いた場合，照射部分以外は金属酸化物と成らな
いので，塗布時にスクリーン印刷等を用いることなくパ
ターン形成ができる。また，シンクロトロン放射光を利
用することもできる。これらの装置は，照射したい波長
を考慮して選ぶ事ができる。金属アルコキシド及び／又
は金属塩を含む塗布液の反応を行った場合，金属酸化物
の生成ともに，金属水酸化物も残るが，この金属-OH結
合の吸収を考慮して，400nm以下の紫外光含む光を発生
する装置を用いるとよい。更に，脱水反応が進行して，
メタロキサンネットワークが形成した場合，金属-O-金
属結合の吸収は，金属-OH結合より短波長であるが，金
属-O-金属結合を活性化することができる波長の光照射
によって，金属酸化物の結晶化が促進する。照射時間
は、特に限定されるものではないが、通常１分〜１２０
時間の間で適宜行われる。
又は加熱後に，光照射をされるとよい。塗布被膜に紫外
光もしくは可視光を照射する光源は，150nm〜700nmの波
長の光を発生する限りにおいてどんなものを用いてもよ
い。例えば，超高圧水銀ランプ，高圧水銀ランプ，低圧
水銀ランプ，キセノンランプ，ハロゲンランプ，ナトリ
ウムランプなどが挙げられる。好ましくは，超高圧水銀
ランプ，高圧水銀ランプ，低圧水銀ランプ，キセノンラ
ンプである。また，フォトマスクを併用することによっ
て透明導電 性パターンが形成できる。また，レーザー
発振装置を使用することもできる。レーザー発振装置と
しては，エキシマレーザー，アルゴンレーザー，ヘリウ
ムネオンレーザー，半導体レーザー，YAGレーザー，炭
酸ガスレーザー，色素レーザー等が挙げられる。レーザ
ー光を用いた場合，照射部分以外は金属酸化物と成らな
いので，塗布時にスクリーン印刷等を用いることなくパ
ターン形成ができる。また，シンクロトロン放射光を利
用することもできる。これらの装置は，照射したい波長
を考慮して選ぶ事ができる。金属アルコキシド及び／又
は金属塩を含む塗布液の反応を行った場合，金属酸化物
の生成ともに，金属水酸化物も残るが，この金属-OH結
合の吸収を考慮して，400nm以下の紫外光含む光を発生
する装置を用いるとよい。更に，脱水反応が進行して，
メタロキサンネットワークが形成した場合，金属-O-金
属結合の吸収は，金属-OH結合より短波長であるが，金
属-O-金属結合を活性化することができる波長の光照射
によって，金属酸化物の結晶化が促進する。照射時間
は、特に限定されるものではないが、通常１分〜１２０
時間の間で適宜行われる。
【００２９】本発明において，光照射プロセスでの雰囲
気は自由であるが，ある程度の還元雰囲気で行うことは
好ましい。ある程度の還元雰囲気下では酸素欠陥の増大
によるキャリアー密度の増大及び／又は粒界への酸素分
子の吸着が抑制されたものと考えられる。
気は自由であるが，ある程度の還元雰囲気で行うことは
好ましい。ある程度の還元雰囲気下では酸素欠陥の増大
によるキャリアー密度の増大及び／又は粒界への酸素分
子の吸着が抑制されたものと考えられる。
【００３０】一方，光照射によって分解する高沸点低分
子量溶媒を使用してもよい。このような例としてイソホ
ロン，酢酸ベンジルが挙げられる。
子量溶媒を使用してもよい。このような例としてイソホ
ロン，酢酸ベンジルが挙げられる。
【００３１】また，金属アルコキシド及び／又は金属塩
を含有する液に，添加できるものとして，光照射を行う
場合は，光崩壊製樹脂なども用いることができる。例え
ば，ポリメチルビニルケトン，ポリビニルフェニルケト
ン，ポリスルホン，ｐ-ジアゾジフェニルアミン・パラ
ホルムアルデヒド重縮合物等のジアゾニウム塩類，1，2
-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホン酸イソブチルエ
ステルなどのキノンジアジド類，ポリメチルメタクリレ
ート，ポリフェニルメチルシラン，ポリメチルイソプロ
ぺニルケトンなどが挙げられる。上記樹脂の場合，金属
アルコキシドもしくは金属塩の合計100重量部あたり0〜
1000重量部の割合で使用することが望ましい。上記樹脂
の使用量が多すぎると，得られる金属酸化物系の透明導
電膜の膜質が悪化し，望ましい抵抗値が得られない等の
点で不十分である。
を含有する液に，添加できるものとして，光照射を行う
場合は，光崩壊製樹脂なども用いることができる。例え
ば，ポリメチルビニルケトン，ポリビニルフェニルケト
ン，ポリスルホン，ｐ-ジアゾジフェニルアミン・パラ
ホルムアルデヒド重縮合物等のジアゾニウム塩類，1，2
-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホン酸イソブチルエ
ステルなどのキノンジアジド類，ポリメチルメタクリレ
ート，ポリフェニルメチルシラン，ポリメチルイソプロ
ぺニルケトンなどが挙げられる。上記樹脂の場合，金属
アルコキシドもしくは金属塩の合計100重量部あたり0〜
1000重量部の割合で使用することが望ましい。上記樹脂
の使用量が多すぎると，得られる金属酸化物系の透明導
電膜の膜質が悪化し，望ましい抵抗値が得られない等の
点で不十分である。
【００３２】更に，光照射を行う場合に，照射光波長と
金属アルコキシド，金属塩及び／又はこれらのキレート
化合物の吸収波長が異なる場合に，金属アルコキシド及
び／又は金属塩を含有する液に他の添加物として光増感
剤を加えるとよい。
金属アルコキシド，金属塩及び／又はこれらのキレート
化合物の吸収波長が異なる場合に，金属アルコキシド及
び／又は金属塩を含有する液に他の添加物として光増感
剤を加えるとよい。
【００３３】本発明においては，金属アルコキシド及び
／あるいは金属塩を含有する塗布液が，インジウムアル
コキシド及び／又はインジウム塩，及び／又は，スズア
ルコキシド及びスズ塩を含有する塗布液であることが好
ましい。インジウムアルコキシドの例としては，インジ
ウムメトキシド，インジウムエトキシド，インジウムプ
ロポキシド，インジウムイソプロポキシド，インジウム
ブトキシド等が挙げられる。インジウム塩の例として
は，ギ酸インジウム，酢酸インジウム，シュウ酸インジ
ウム，硝酸インジウム，塩化インジウム等及び／又はこ
れらの水和物，及びこれらの化合物と，α−またはβ−
ジケトン類，α−又はβ−ケト酸類，前記ケト酸類のエ
ステル類，α−又はβ−アミノアルコール等とのキレー
ト化合物，酸アミド類のようにキレートより弱い配位を
行う化合物との配位化合物，さらには，前記化合物を中
和及び／又は加水分解して得られる水酸化インジウム等
も含む。スズアルコキシドの例としては，スズメトキシ
ド，スズエトキシド，スズプロポキシド，スズイソプロ
ポキシド，スズブトキシド等が挙げられる。スズ塩の例
としては，ギ酸スズ，酢酸スズ，シュウ酸スズ，硝酸ス
ズ，塩化スズ等及び／又はこれらの水和物，及びこれら
の化合物と，α−またはβ−ジケトン類，α−又はβ−
ケト酸類，前記ケト酸類のエステル類，α−又はβ−ア
ミノアルコール等とのキレート化合物，酸アミド類のよ
うにキレートより弱い配位を行う化合物との配位化合
物，さらには，前記化合物を中和及び／又は加水分解し
て得られる水酸化スズ等も含む。
／あるいは金属塩を含有する塗布液が，インジウムアル
コキシド及び／又はインジウム塩，及び／又は，スズア
ルコキシド及びスズ塩を含有する塗布液であることが好
ましい。インジウムアルコキシドの例としては，インジ
ウムメトキシド，インジウムエトキシド，インジウムプ
ロポキシド，インジウムイソプロポキシド，インジウム
ブトキシド等が挙げられる。インジウム塩の例として
は，ギ酸インジウム，酢酸インジウム，シュウ酸インジ
ウム，硝酸インジウム，塩化インジウム等及び／又はこ
れらの水和物，及びこれらの化合物と，α−またはβ−
ジケトン類，α−又はβ−ケト酸類，前記ケト酸類のエ
ステル類，α−又はβ−アミノアルコール等とのキレー
ト化合物，酸アミド類のようにキレートより弱い配位を
行う化合物との配位化合物，さらには，前記化合物を中
和及び／又は加水分解して得られる水酸化インジウム等
も含む。スズアルコキシドの例としては，スズメトキシ
ド，スズエトキシド，スズプロポキシド，スズイソプロ
ポキシド，スズブトキシド等が挙げられる。スズ塩の例
としては，ギ酸スズ，酢酸スズ，シュウ酸スズ，硝酸ス
ズ，塩化スズ等及び／又はこれらの水和物，及びこれら
の化合物と，α−またはβ−ジケトン類，α−又はβ−
ケト酸類，前記ケト酸類のエステル類，α−又はβ−ア
ミノアルコール等とのキレート化合物，酸アミド類のよ
うにキレートより弱い配位を行う化合物との配位化合
物，さらには，前記化合物を中和及び／又は加水分解し
て得られる水酸化スズ等も含む。
【００３４】上記，インジウム化合物とスズ化合物が用
いられた場合の比率は，インジウムとスズの原子比にお
いて，インジウム/スズ=99/1〜 80/20であることが好
ましい。さらに好ましくは，インジウム/スズ=97/3〜85
/15である。スズの量が減ると，キャリアー密度が低く
なり，導電性が悪化する等の点で不十分であり，一方，
スズの量が増えるとキャリアーの散乱が起こるため，キ
ャリアー移動度が低下して導電性が悪化する等の点で不
十分である。
いられた場合の比率は，インジウムとスズの原子比にお
いて，インジウム/スズ=99/1〜 80/20であることが好
ましい。さらに好ましくは，インジウム/スズ=97/3〜85
/15である。スズの量が減ると，キャリアー密度が低く
なり，導電性が悪化する等の点で不十分であり，一方，
スズの量が増えるとキャリアーの散乱が起こるため，キ
ャリアー移動度が低下して導電性が悪化する等の点で不
十分である。
【００３５】本発明の金属酸化物薄膜は，例えば液晶パ
ネル，タッチパネル，太陽電池，さらには無機及び有機
ELの材料として用いることができる。
ネル，タッチパネル，太陽電池，さらには無機及び有機
ELの材料として用いることができる。
【００３６】次に，本発明の金属酸化物薄膜の製造法の
例を具体的に示すが，本発明はこれらに限定されるもの
ではない。
例を具体的に示すが，本発明はこれらに限定されるもの
ではない。
【００３７】（表面抵抗及び比抵抗値の測定）表面抵抗
は，三菱化学（株）製 LORESTA-FPを用いて四探針法に
よって測定した。 （膜厚の測定）膜厚は，王水エッチングしたサンプルを
用いて表面形状顕微鏡（キーエンス社）測定するか，も
しくは，SEM〔JEOL JSM-5400；加速電圧：20kV〕断面を
測定することにより求めた。 （透過率の測定）550nmの透過率を，自記分光光度計UV2
400-PC（島津製）用いて測定した。 （Ｘ線回折測定）粉末Ｘ線回折装置（理学電気（株）
製）を用いて測定した（広角ゴニオメータ使用，CuKα
線，２θ／θスキャン）。
は，三菱化学（株）製 LORESTA-FPを用いて四探針法に
よって測定した。 （膜厚の測定）膜厚は，王水エッチングしたサンプルを
用いて表面形状顕微鏡（キーエンス社）測定するか，も
しくは，SEM〔JEOL JSM-5400；加速電圧：20kV〕断面を
測定することにより求めた。 （透過率の測定）550nmの透過率を，自記分光光度計UV2
400-PC（島津製）用いて測定した。 （Ｘ線回折測定）粉末Ｘ線回折装置（理学電気（株）
製）を用いて測定した（広角ゴニオメータ使用，CuKα
線，２θ／θスキャン）。
【００３８】実施例−１ ITO薄膜の合成 インジウムイソプロポキシド（In（OC3H7）3）とスズイ
ソプロポキシド（Sn（OC3H7）4）をインジウムとスズの
原子比においてIn/Sn=0.93/0.07となるように混合し，
イソプロピルアルコールに加え，酢酸を添加して，零℃
で３０時間加水分解した。この液を，ホウケイ酸ガラス
（1mm厚）およびポリエチレンテレフタレート（PET；17
5μm厚）にワイアーバーにより塗布し，80℃に30分加熱
した。
ソプロポキシド（Sn（OC3H7）4）をインジウムとスズの
原子比においてIn/Sn=0.93/0.07となるように混合し，
イソプロピルアルコールに加え，酢酸を添加して，零℃
で３０時間加水分解した。この液を，ホウケイ酸ガラス
（1mm厚）およびポリエチレンテレフタレート（PET；17
5μm厚）にワイアーバーにより塗布し，80℃に30分加熱
した。
【００３９】実施例−２ 塗布液に，ITO微粒子（住友金属製）を，インジウム及
びスズのイソプロポキシドからゾルが生成した場合のゾ
ル重量の10wt%加えたこと以外は，実施例−１と同様な
操作を行った。
びスズのイソプロポキシドからゾルが生成した場合のゾ
ル重量の10wt%加えたこと以外は，実施例−１と同様な
操作を行った。
【００４０】実施例−３ 加熱時に低圧水銀等で光照射したこと以外は，実施例−
１と同様な操作を行った。
１と同様な操作を行った。
【００４１】比較例−１ 塗布前の加水分解を40℃で行う以外は，実施例−１と同
様な操作を行った。
様な操作を行った。
【００４２】比較例−２ 塗布前の加水分解を40℃で行い，塗布後の加熱を500℃
で行う以外は，実施例−１と同様な操作を行った。
で行う以外は，実施例−１と同様な操作を行った。
【００４３】結果を表１にまとめた。また，試料11のＸ
線回折図を図１に示した。
線回折図を図１に示した。
【００４４】
【表１】
【００４５】表１から明らかな様に本発明の試料は，低
温短時間で成膜され，抵抗値も低く，透過率も高いこと
がわかる。
温短時間で成膜され，抵抗値も低く，透過率も高いこと
がわかる。
【００４６】
【発明の効果】本発明の製造法を使用することにより，
金属酸化物系の透明導電膜を低温かつ短時間で形成する
ことができ，得られた透明導電膜の比抵抗が低く，可視
光透過率が高いことが分かった。
金属酸化物系の透明導電膜を低温かつ短時間で形成する
ことができ，得られた透明導電膜の比抵抗が低く，可視
光透過率が高いことが分かった。
【図１】試料11のＸ線回折図を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成９年１１月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】また，他の添加物としては，金属アルコキ
シド及び／又は金属塩の加水分解を促進する酸触媒，あ
るいは塩基触媒が挙げられる。酸触媒の例としては，塩
酸，硝酸，ホウ酸，ホウフッ化水素酸等の鉱酸，及び／
あるいは，酢酸，トリフルオロ酢酸，ｐ-トルエンスル
ホン酸，メタンスルホン酸等の有機酸などが挙げられ
る。また，光照射によって酸を発生する光酸発生剤も用
いられる。例としては，ジフェニルヨードニウムヘキサ
フルオロホスフェートなどが挙げられる。また，塩基触
媒の例としては，トリエタールアミン，トリエチルアミ
ン，1，8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン，アン
モニア，ホスフィン等が挙げられる。しかしながら，こ
れらの添加量は多いと加水分解反応が加速しすぎて零℃
以下で反応速度を抑制する意味がなくなるので，十分少
ない量を用いるか全く用いないことが好ましい。
シド及び／又は金属塩の加水分解を促進する酸触媒，あ
るいは塩基触媒が挙げられる。酸触媒の例としては，塩
酸，硝酸，ホウ酸，ホウフッ化水素酸等の鉱酸，及び／
あるいは，酢酸，トリフルオロ酢酸，ｐ-トルエンスル
ホン酸，メタンスルホン酸等の有機酸などが挙げられ
る。また，光照射によって酸を発生する光酸発生剤も用
いられる。例としては，ジフェニルヨードニウムヘキサ
フルオロホスフェートなどが挙げられる。また，塩基触
媒の例としては，トリエタールアミン，トリエチルアミ
ン，1，8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン，アン
モニア，ホスフィン等が挙げられる。しかしながら，こ
れらの添加量は多いと加水分解反応が加速しすぎて零℃
以下で反応速度を抑制する意味がなくなるので，十分少
ない量を用いるか全く用いないことが好ましい。
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基板上に成膜された金属酸化物系薄
膜の製造法において，金属アルコキシド及び／又は金属
塩を含有する液を，（ａ）零℃以下で加水分解反応させ
る工程，及び（ｂ）透明基板上に塗布し，塗布被膜を加
熱する工程を含むことを特徴とする金属酸化物系薄膜の
製造法。 - 【請求項２】 （ｂ）工程における塗布被膜の加熱が20
℃〜100℃であることを特徴とする請求項１記載の金属
酸化物系薄膜の製造法。 - 【請求項３】 （ａ）工程で加水分解される金属アルコ
キシド及び／又は金属塩を含有する塗布液に，目的とす
る金属酸化物微粒子種結晶が添加されていることを特徴
とする請求項１ないし２記載の金属酸化物系薄膜の製造
法。 - 【請求項４】 （ｂ）工程と同時に，もしくは引き続い
て塗布被膜に紫外光及び／又は可視光を照射することを
特徴とする請求項１ないし３記載の金属酸化物系薄膜の
製造法。 - 【請求項５】 （ａ）工程で用いられる金属アルコキシ
ド及び／又は金属塩を含有する塗布液が，インジウムア
ルコキシド及び／又はインジウム塩，及び，スズアルコ
キシド及び／又はスズ塩を含有する塗布液であることを
特徴とする請求項１ないし４記載の金属酸化物系薄膜の
製造法。 - 【請求項６】 請求項１ないし５記載の製造法によって
製造された金属酸化物系薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26702897A JPH11106934A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 金属酸化物薄膜の製造方法及び金属酸化物薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26702897A JPH11106934A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 金属酸化物薄膜の製造方法及び金属酸化物薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11106934A true JPH11106934A (ja) | 1999-04-20 |
Family
ID=17439058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26702897A Pending JPH11106934A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 金属酸化物薄膜の製造方法及び金属酸化物薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11106934A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005510073A (ja) * | 2001-11-15 | 2005-04-14 | スペクトラ インコーポレイテッド | 定向圧電膜 |
| DE102009009337A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung |
| DE102009009338A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| JPWO2014119680A1 (ja) * | 2013-01-31 | 2017-01-26 | 日産化学工業株式会社 | ガラス基板及びそれを用いたデバイス |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP26702897A patent/JPH11106934A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE102009009337A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung |
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