JPH11110838A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11110838A JPH11110838A JP9266886A JP26688697A JPH11110838A JP H11110838 A JPH11110838 A JP H11110838A JP 9266886 A JP9266886 A JP 9266886A JP 26688697 A JP26688697 A JP 26688697A JP H11110838 A JPH11110838 A JP H11110838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- kerr
- rotation angle
- layer
- magneto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Abstract
(57)【要約】
【課題】 紫外線に対し好適な磁気光学効果を有する光
磁気記録媒体を得る。 【解決手段】 ガラス基板（Ｇｌａｓｓ Ｓｕｂｓｔｒ
ａｔｅ）上記、ｙ，ｘ層を順次積層する。ここで、ｘは
ＴｂＦｅＣｏ層であり、ｙはＰｔ層またはＮｄＣｏ層で
ある。このような多層薄膜により、垂直磁気異方性定数
Ｋｕが反磁界エネルギー２πＭｓ2（Ｍｓは飽和磁化）
より十分大きく、従って角型比１のヒステリシスループ
を得ることができる。カー回転角θk及びカー楕円率ηk
から与えられるＦＯＭ（Ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ Ｍｅｒｉ
ｔ）＝Ｒ√［θk 2＋ηK 2］が紫外線（波長４００ｎｍ以
下）領域で０．０５以上である。
磁気記録媒体を得る。 【解決手段】 ガラス基板（Ｇｌａｓｓ Ｓｕｂｓｔｒ
ａｔｅ）上記、ｙ，ｘ層を順次積層する。ここで、ｘは
ＴｂＦｅＣｏ層であり、ｙはＰｔ層またはＮｄＣｏ層で
ある。このような多層薄膜により、垂直磁気異方性定数
Ｋｕが反磁界エネルギー２πＭｓ2（Ｍｓは飽和磁化）
より十分大きく、従って角型比１のヒステリシスループ
を得ることができる。カー回転角θk及びカー楕円率ηk
から与えられるＦＯＭ（Ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ Ｍｅｒｉ
ｔ）＝Ｒ√［θk 2＋ηK 2］が紫外線（波長４００ｎｍ以
下）領域で０．０５以上である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属薄膜及び多層
薄膜の紫外光（波長４００ｎｍ以下）に対する磁気光学
効果を利用して情報を記録する光磁気記録媒体及びその
製造方法に関する。
薄膜の紫外光（波長４００ｎｍ以下）に対する磁気光学
効果を利用して情報を記録する光磁気記録媒体及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光磁気記録用記録媒体とし
て、ＴｂＦｅＣｏ（テルビウム・鉄・コバルト）の非晶
質膜や、Ｂｉ（ビスマス）−置換型ガーネット薄膜やＣ
ｏＰｔ（コバルト・白金）多層薄膜などの金属質薄膜が
利用されている。これらの薄膜は、４００〜８６０ｎｍ
程度の可視光について磁気光学効果の極カー回転角（以
下、単にカー回転角という）もしくはカー楕円率とし
て、有意のもの（例えば０．１°以上）を備えている。
磁化方向が膜面垂直方向になるための大きな垂直磁気異
方性を有し、この中でもＴｂＦｅＣｏ非晶質薄膜系は実
用に供されている。
て、ＴｂＦｅＣｏ（テルビウム・鉄・コバルト）の非晶
質膜や、Ｂｉ（ビスマス）−置換型ガーネット薄膜やＣ
ｏＰｔ（コバルト・白金）多層薄膜などの金属質薄膜が
利用されている。これらの薄膜は、４００〜８６０ｎｍ
程度の可視光について磁気光学効果の極カー回転角（以
下、単にカー回転角という）もしくはカー楕円率とし
て、有意のもの（例えば０．１°以上）を備えている。
磁化方向が膜面垂直方向になるための大きな垂直磁気異
方性を有し、この中でもＴｂＦｅＣｏ非晶質薄膜系は実
用に供されている。
【０００３】なお、ＴｂＦｅＣｏ（テルビウム・鉄・コ
バルト）の非晶質膜は、［Ｔ．Ｓｕｚｕｋｉ；Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．６９（８），４７５６−４７６０（１
９９１）］などに示されている。また、Ｂｉ（ビスマ
ス）−置換型ガーネット薄膜やＣｏＰｔ（コバルト・白
金）多層薄膜は、［Ｗ．Ｂ．Ｚｅｐｅｒ，Ｆ．Ｇｒｅｉ
ｄａｎｕｓ ａｎｄ Ｐ．Ｆ．Ｃａｒｃｉａ；ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓ．ＭＡＧ２５，３７６４−３７６６（１９
８９）］などに示されている。
バルト）の非晶質膜は、［Ｔ．Ｓｕｚｕｋｉ；Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．６９（８），４７５６−４７６０（１
９９１）］などに示されている。また、Ｂｉ（ビスマ
ス）−置換型ガーネット薄膜やＣｏＰｔ（コバルト・白
金）多層薄膜は、［Ｗ．Ｂ．Ｚｅｐｅｒ，Ｆ．Ｇｒｅｉ
ｄａｎｕｓ ａｎｄ Ｐ．Ｆ．Ｃａｒｃｉａ；ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓ．ＭＡＧ２５，３７６４−３７６６（１９
８９）］などに示されている。
【０００４】一方、記録媒体に対しては、その記録密度
を増加することが常に要求されている。光磁気記録媒体
は、通常の磁気記録媒体と比べ、高密度記録を可能とす
るものであるが、さらに高密度であることが望ましい。
を増加することが常に要求されている。光磁気記録媒体
は、通常の磁気記録媒体と比べ、高密度記録を可能とす
るものであるが、さらに高密度であることが望ましい。
【０００５】そして、記録密度を増加させるためには、
磁気超解像法、磁区拡大法等の技術が提唱されている
が、基本的には用いる光の短波長化をはかることにより
記録スポット光の大きさを小さくすることが必要にな
る。
磁気超解像法、磁区拡大法等の技術が提唱されている
が、基本的には用いる光の短波長化をはかることにより
記録スポット光の大きさを小さくすることが必要にな
る。
【０００６】しかし、現在光磁気記録媒体として広く利
用されているＴｂＦｅＣｏ非晶質薄膜は、波長７６０ｎ
ｍ付近において０．３°以上のカー回転角を有している
が波長が短くなるとこのカー回転角及びカー楕円率が低
下し、再生信号強度が著しく減少することが知られてい
る。将来、使用する光の短波長化が進み、紫外光を用い
た光記録の高密度化が利用されると考えられる。このた
めには、上記の理由で現在一般に用いられているＴｂＦ
ｅＣｏ系非晶質薄膜を紫外線など短波長の光を用いる光
磁気記録に利用することはできない。
用されているＴｂＦｅＣｏ非晶質薄膜は、波長７６０ｎ
ｍ付近において０．３°以上のカー回転角を有している
が波長が短くなるとこのカー回転角及びカー楕円率が低
下し、再生信号強度が著しく減少することが知られてい
る。将来、使用する光の短波長化が進み、紫外光を用い
た光記録の高密度化が利用されると考えられる。このた
めには、上記の理由で現在一般に用いられているＴｂＦ
ｅＣｏ系非晶質薄膜を紫外線など短波長の光を用いる光
磁気記録に利用することはできない。
【０００７】ここで、４００ｎｍ付近以上の領域におい
て極カー効果が大きくなることが知られている材料とし
ては、コバルト−白金多層薄膜やＢｉ（ビスマス）−置
換型ガーネット膜等が知られている。しかし、これらは
結晶質構造であるために結晶粒界に伴う再生ノイズが大
きく、実用化には不適当である。
て極カー効果が大きくなることが知られている材料とし
ては、コバルト−白金多層薄膜やＢｉ（ビスマス）−置
換型ガーネット膜等が知られている。しかし、これらは
結晶質構造であるために結晶粒界に伴う再生ノイズが大
きく、実用化には不適当である。
【０００８】一方、Ｒ−ＴＭ合金薄膜（Ｒ；希土類元素
例えばＴｂ，Ｄｙ等、ＴＭ；遷移金属：Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ）は非晶質構造である為に粒界ノイズが結晶質膜に較
べて非常に少なく（５〜１０ｄＢ以上小さい（３０ＫＨ
ｚバンド幅））、信号雑音比も大きく現在実用化されて
いる。短波長におけるカー回転角を向上させる為に今ま
で多くの研究・開発が行われたが、中でもＰｔ［特開平
５−１２８６００号公報］、軽希土類［特許１９４９７
４０号公報、特許２０２６００３号公報、特開平６−１
０３６２１、特開平６−６０４５２］によるエンハンス
効果が報告されている。
例えばＴｂ，Ｄｙ等、ＴＭ；遷移金属：Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ）は非晶質構造である為に粒界ノイズが結晶質膜に較
べて非常に少なく（５〜１０ｄＢ以上小さい（３０ＫＨ
ｚバンド幅））、信号雑音比も大きく現在実用化されて
いる。短波長におけるカー回転角を向上させる為に今ま
で多くの研究・開発が行われたが、中でもＰｔ［特開平
５−１２８６００号公報］、軽希土類［特許１９４９７
４０号公報、特許２０２６００３号公報、特開平６−１
０３６２１、特開平６−６０４５２］によるエンハンス
効果が報告されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらは、特
許１９４９７４０号公報、特許２０２６００３号公報を
除いて波長領域がλ≧４００ｎｍ以上（Ｐｈｏｔｏｎ
ｅｎｅｒｇｙ 約３ｅＶ以下）であり、それより短波長
については調べられていない。
許１９４９７４０号公報、特許２０２６００３号公報を
除いて波長領域がλ≧４００ｎｍ以上（Ｐｈｏｔｏｎ
ｅｎｅｒｇｙ 約３ｅＶ以下）であり、それより短波長
については調べられていない。
【００１０】また、特許１９４９７４０号公報、特許２
０２６００３号公報においては、実験データは波長領域
２００ｎｍまで報告されているが、４００ｎｍ以下では
光の吸収により正確な測定値ではない。
０２６００３号公報においては、実験データは波長領域
２００ｎｍまで報告されているが、４００ｎｍ以下では
光の吸収により正確な測定値ではない。
【００１１】また、光磁気記録媒体は磁化の方向が膜面
に垂直に向いていることが必要であり、そのため大きな
垂直磁気異方性を有することが必要である。具体的には
磁気異方性定数Ｋｕは反磁界エネルギー２πＭｓ2より
大きいことが必要である。
に垂直に向いていることが必要であり、そのため大きな
垂直磁気異方性を有することが必要である。具体的には
磁気異方性定数Ｋｕは反磁界エネルギー２πＭｓ2より
大きいことが必要である。
【００１２】従って、紫外線領域において、十分な磁気
光学効果を有しかつ大きな垂直磁気異方性を有する光磁
気記録媒体が望まれる。
光学効果を有しかつ大きな垂直磁気異方性を有する光磁
気記録媒体が望まれる。
【００１３】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、紫外線に対し好適な磁気光学効果を有する光磁気
記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
あり、紫外線に対し好適な磁気光学効果を有する光磁気
記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１４】
【課題を解決するために手段】本発明は、１５〜５０原
子％の希土類元素Ｒ（但し、Ｒの内７０％以上がＴｂ及
びＤｙの１種または２種、Ｒの残部はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，
Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂの１種以
上）と、鉄族遷移金属ＴＭ（但し、ＴＭはＦｅ及びＣｏ
よりなりその内Ｆｅは０〜１００％）から成る（Ｒ−Ｔ
Ｍ）薄膜であり、垂直磁気異方性定数Ｋｕが反磁界エネ
ルギー２πＭｓ2（Ｍｓは飽和磁化）より大きく、カー
回転角θk及びカー楕円率ηkから与えられるＦＯＭ（Ｆ
ｉｇｕｒｅ ｏｆ Ｍｅｒｉｔ）＝Ｒ√［θk 2＋ηK 2］
が紫外線光（波長４００ｎｍ以下）領域で０．０５以上
であることを特徴とする。
子％の希土類元素Ｒ（但し、Ｒの内７０％以上がＴｂ及
びＤｙの１種または２種、Ｒの残部はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，
Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂの１種以
上）と、鉄族遷移金属ＴＭ（但し、ＴＭはＦｅ及びＣｏ
よりなりその内Ｆｅは０〜１００％）から成る（Ｒ−Ｔ
Ｍ）薄膜であり、垂直磁気異方性定数Ｋｕが反磁界エネ
ルギー２πＭｓ2（Ｍｓは飽和磁化）より大きく、カー
回転角θk及びカー楕円率ηkから与えられるＦＯＭ（Ｆ
ｉｇｕｒｅ ｏｆ Ｍｅｒｉｔ）＝Ｒ√［θk 2＋ηK 2］
が紫外線光（波長４００ｎｍ以下）領域で０．０５以上
であることを特徴とする。
【００１５】また、本発明は、１５〜５０原子％の希土
類元素Ｒ（但し、Ｒの内７０％以上がＴｂ及びＤｙの１
種または２種、Ｒの残部はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂの１種以上）と、
鉄族遷移金属ＴＭ（但し、ＴＭはＦｅ及びＣｏよりなり
その内Ｆｅは０〜１００％）及びＭ（但し、ＭとしてＰ
ｔ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｗの１種以上）からなる（Ｒ−ＴＭ−
Ｍ）薄膜であり、垂直磁気異方性定数Ｋｕが反磁界エネ
ルギー２πＭｓ2（Ｍｓは飽和磁化）より大きいこと、
カー回転角θk及びカー楕円率ηkから与えられるＦＯＭ
（Ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ Ｍｅｒｉｔ）＝Ｒ√［θk 2＋η
K 2］が紫外線光（波長４００ｎｍ以下）領域で０．０５
以上であることを特徴とする。
類元素Ｒ（但し、Ｒの内７０％以上がＴｂ及びＤｙの１
種または２種、Ｒの残部はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂの１種以上）と、
鉄族遷移金属ＴＭ（但し、ＴＭはＦｅ及びＣｏよりなり
その内Ｆｅは０〜１００％）及びＭ（但し、ＭとしてＰ
ｔ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｗの１種以上）からなる（Ｒ−ＴＭ−
Ｍ）薄膜であり、垂直磁気異方性定数Ｋｕが反磁界エネ
ルギー２πＭｓ2（Ｍｓは飽和磁化）より大きいこと、
カー回転角θk及びカー楕円率ηkから与えられるＦＯＭ
（Ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ Ｍｅｒｉｔ）＝Ｒ√［θk 2＋η
K 2］が紫外線光（波長４００ｎｍ以下）領域で０．０５
以上であることを特徴とする。
【００１６】また、本発明は、上記（Ｒ−ＴＭ）薄膜ま
たは上記（Ｒ−ＴＭ−Ｍ）薄膜と、Ｍ′薄膜とから形成
される多層構造薄膜であって、Ｍ′はＰｔ，Ｔａ，Ｐ
ｄ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｗの１種以上からなり、垂直磁気異方性定数Ｋｕが
反磁界エネルギー２πＭｓ2（Ｍｓは飽和磁化）より大
きく、カー回転角θk及びカー楕円率ηkから与えられる
ＦＯＭ（Ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ Ｍｅｒｉｔ）＝Ｒ√［θ
k 2＋ηK 2］が紫外線光（波長４００ｎｍ以下）領域で
０．０５以上であることを特徴とする。
たは上記（Ｒ−ＴＭ−Ｍ）薄膜と、Ｍ′薄膜とから形成
される多層構造薄膜であって、Ｍ′はＰｔ，Ｔａ，Ｐ
ｄ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｗの１種以上からなり、垂直磁気異方性定数Ｋｕが
反磁界エネルギー２πＭｓ2（Ｍｓは飽和磁化）より大
きく、カー回転角θk及びカー楕円率ηkから与えられる
ＦＯＭ（Ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ Ｍｅｒｉｔ）＝Ｒ√［θ
k 2＋ηK 2］が紫外線光（波長４００ｎｍ以下）領域で
０．０５以上であることを特徴とする。
【００１７】また、本発明は、上記Ｍ’薄膜の厚みが１
５Å以下であることを特徴とする。
５Å以下であることを特徴とする。
【００１８】また、本発明は、上記（Ｒ−ＴＭ）薄膜ま
たは上記（Ｒ−ＴＭ−Ｍ）薄膜と、（Ｒ’−ＴＭ′）薄
膜とから形成される多層構造薄膜であって、Ｒ′は希土
類元素で２０〜８０原子％のＮｄ，Ｐｒの１種または２
種、Ｒ′の残部はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，
Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂの１種以上、ＴＭ′はＦｅ及
びＣｏの１種以上または２種からなり、垂直磁気異方性
定数Ｋｕが反磁界エネルギー２πＭｓ2（Ｍｓは飽和磁
化）より大きく、カー回転角θk及びカー楕円率ηkから
与えられるＦＯＭ（Ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ Ｍｅｒｉｔ）
＝Ｒ√［θk 2＋ηK 2］が紫外線光（波長４００ｎｍ以
下）領域で０．０５以上であることを特徴とする。
たは上記（Ｒ−ＴＭ−Ｍ）薄膜と、（Ｒ’−ＴＭ′）薄
膜とから形成される多層構造薄膜であって、Ｒ′は希土
類元素で２０〜８０原子％のＮｄ，Ｐｒの１種または２
種、Ｒ′の残部はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，
Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂの１種以上、ＴＭ′はＦｅ及
びＣｏの１種以上または２種からなり、垂直磁気異方性
定数Ｋｕが反磁界エネルギー２πＭｓ2（Ｍｓは飽和磁
化）より大きく、カー回転角θk及びカー楕円率ηkから
与えられるＦＯＭ（Ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ Ｍｅｒｉｔ）
＝Ｒ√［θk 2＋ηK 2］が紫外線光（波長４００ｎｍ以
下）領域で０．０５以上であることを特徴とする。
【００１９】また、本発明は、上述した光磁気記録媒体
を製造する製造方法であって、基板上に金属ガス凝集法
により薄膜を形成することを特徴とする。
を製造する製造方法であって、基板上に金属ガス凝集法
により薄膜を形成することを特徴とする。
【００２０】このように、本発明に係る光磁気記録媒体
によれば、カー回転角θk及びカー楕円率ηkから与えら
れるＦＯＭ（Ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ Ｍｅｒｉｔ）＝Ｒ√
［θk 2＋ηK 2］が紫外線（波長４００ｎｍ以下）領域で
０．０５以上である。このため、紫外光を用いてスポッ
ト系の小さい高密度の記録再生が行える。
によれば、カー回転角θk及びカー楕円率ηkから与えら
れるＦＯＭ（Ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ Ｍｅｒｉｔ）＝Ｒ√
［θk 2＋ηK 2］が紫外線（波長４００ｎｍ以下）領域で
０．０５以上である。このため、紫外光を用いてスポッ
ト系の小さい高密度の記録再生が行える。
【００２１】なお、本発明のような金属薄膜では、垂直
磁気異方性定数Ｋｕが反磁界エネルギー２πＭｓ2（Ｍ
ｓは飽和磁化）より大きい。従って、光磁気記録媒体の
放線方向の磁気異方性である垂直磁気異方性を有する。
そこで、これを利用して高密度の光磁気記録を達成する
ことができる。また、可視光に対して負のカー回転角を
有しているが、照射する光を短波長にしていくと、その
カー回転角の絶対値は増加し、その後減少する。また、
短波長では正に変わることもある。そして、４００ｎｍ
以下の紫外線領域において、十分の大きなＦＯＭを得る
ことができる。
磁気異方性定数Ｋｕが反磁界エネルギー２πＭｓ2（Ｍ
ｓは飽和磁化）より大きい。従って、光磁気記録媒体の
放線方向の磁気異方性である垂直磁気異方性を有する。
そこで、これを利用して高密度の光磁気記録を達成する
ことができる。また、可視光に対して負のカー回転角を
有しているが、照射する光を短波長にしていくと、その
カー回転角の絶対値は増加し、その後減少する。また、
短波長では正に変わることもある。そして、４００ｎｍ
以下の紫外線領域において、十分の大きなＦＯＭを得る
ことができる。
【００２２】また、（Ｒ−ＴＭ）または（Ｒ−ＴＭ−
Ｍ）膜と、Ｍ’膜を交互に積層した多層構造薄膜によ
り、ＦＯＭを十分大きくできる。従って、多層薄膜にす
ることによって、ＦＯＭの大きなより好適な光磁気記録
媒体が得られる。
Ｍ）膜と、Ｍ’膜を交互に積層した多層構造薄膜によ
り、ＦＯＭを十分大きくできる。従って、多層薄膜にす
ることによって、ＦＯＭの大きなより好適な光磁気記録
媒体が得られる。
【００２３】ここで、Ｍ’膜の膜厚をあまり大きくする
と、Ｍ’膜が磁性薄膜でないことに起因して抗磁力が小
さくなってしまい、十分な記録再生が行えなくなる。
Ｍ’膜の厚みを１５Å以下にすることによって、十分な
光磁気効果を得つつ、抗磁力を所定以上に保つことがで
きる。
と、Ｍ’膜が磁性薄膜でないことに起因して抗磁力が小
さくなってしまい、十分な記録再生が行えなくなる。
Ｍ’膜の厚みを１５Å以下にすることによって、十分な
光磁気効果を得つつ、抗磁力を所定以上に保つことがで
きる。
【００２４】また、（Ｒ−ＴＭ）薄膜または上記（Ｒ−
ＴＭ−Ｍ）薄膜と、（Ｒ’−ＴＭ′）薄膜とから形成さ
れる多層構造薄膜によっても、十分大きな磁気光学効果
を得ることができると共に、十分な垂直磁気異方性を得
ることができる。
ＴＭ−Ｍ）薄膜と、（Ｒ’−ＴＭ′）薄膜とから形成さ
れる多層構造薄膜によっても、十分大きな磁気光学効果
を得ることができると共に、十分な垂直磁気異方性を得
ることができる。
【００２５】ここで、Ｒとして重希土類元素を利用し、
Ｒ’としてＮｄ，Ｐｒなどの軽希土類元素を利用するこ
とが好適である。
Ｒ’としてＮｄ，Ｐｒなどの軽希土類元素を利用するこ
とが好適である。
【００２６】垂直磁化膜としてもっともよく知られてい
る希土類−遷移金属の組合せは重希土類元素と鉄であ
る。代表的なものにＴｂＦｅ，ＧｄＦｅ，ＤｙＦｅ，Ｇ
ｄＴｂＦｅ，ＴｂＤｙＦｅなどがある。例えばＴｂＦｅ
はキュリー温度Ｔｃ＝１４０〜２５０℃、カー回転角θ
K約０.３°、飽和磁化Ｍｓ＝５０〜１００ｅｍｕ／ｃ
ｃ、垂直磁気異方性定数Ｋｕ＝１０5〜１０6ｅｒｇ／ｃ
ｃなどの特性を有する。
る希土類−遷移金属の組合せは重希土類元素と鉄であ
る。代表的なものにＴｂＦｅ，ＧｄＦｅ，ＤｙＦｅ，Ｇ
ｄＴｂＦｅ，ＴｂＤｙＦｅなどがある。例えばＴｂＦｅ
はキュリー温度Ｔｃ＝１４０〜２５０℃、カー回転角θ
K約０.３°、飽和磁化Ｍｓ＝５０〜１００ｅｍｕ／ｃ
ｃ、垂直磁気異方性定数Ｋｕ＝１０5〜１０6ｅｒｇ／ｃ
ｃなどの特性を有する。
【００２７】しかし、これらに用いられるＴｂ，Ｄｙ，
Ｇｄなどの重希土類元素は地殻中にわずかしか存在せず
稀少資源であり、また複雑な分離工程を必要とし、大変
高価である。
Ｇｄなどの重希土類元素は地殻中にわずかしか存在せず
稀少資源であり、また複雑な分離工程を必要とし、大変
高価である。
【００２８】また、重希土類元素と鉄の原子磁気モーメ
ントは反平行に結合しているので飽和磁化Ｍｓやキュリ
ー温度Ｔｃの組成依存性が大きく均質な製品を数多く生
産することが困難である。一方、Ｎｄ，Ｐｒなどの軽希
土類元素は地殻中に重希土類元素よりもはるかに多く存
在している。
ントは反平行に結合しているので飽和磁化Ｍｓやキュリ
ー温度Ｔｃの組成依存性が大きく均質な製品を数多く生
産することが困難である。一方、Ｎｄ，Ｐｒなどの軽希
土類元素は地殻中に重希土類元素よりもはるかに多く存
在している。
【００２９】ＮｄＦｅ等で代表される軽希土類元素−鉄
族遷移金属非晶質薄膜は波長が短くなるにつれて光磁気
効果が大きくなるが、４００ｎｍ付近では急激に小さく
なることが以前報告されていた。しかし、本発明者等に
よる実験により、４００ｎｍ以下の波長帯でもカー回転
角の絶対値が増加することが知られている［国際出願Ｐ
ＣＴ／ＪＰ９７／０２４１５］。このエンハンス効果は
軽希土類元素の効果であると考えられている。
族遷移金属非晶質薄膜は波長が短くなるにつれて光磁気
効果が大きくなるが、４００ｎｍ付近では急激に小さく
なることが以前報告されていた。しかし、本発明者等に
よる実験により、４００ｎｍ以下の波長帯でもカー回転
角の絶対値が増加することが知られている［国際出願Ｐ
ＣＴ／ＪＰ９７／０２４１５］。このエンハンス効果は
軽希土類元素の効果であると考えられている。
【００３０】また、軽希土類元素及び鉄の非晶質薄膜は
高い飽和磁化を有するがそのために薄膜の反磁界による
作用に打ち勝つための垂直磁気異方性エネルギーを付与
することはほとんど不可能とされてきた。さらに、磁化
曲線ヒステリシスループの形状も充分大きい垂直磁気異
方性が得られなかったためいわゆる「へび形」曲線であ
り、角型比の高いヒステリシスループを得ることは不可
能であった。角型比が悪いと記録ビットの不安定性をも
たらす原因とともにＳ／Ｎ比の低下になる。
高い飽和磁化を有するがそのために薄膜の反磁界による
作用に打ち勝つための垂直磁気異方性エネルギーを付与
することはほとんど不可能とされてきた。さらに、磁化
曲線ヒステリシスループの形状も充分大きい垂直磁気異
方性が得られなかったためいわゆる「へび形」曲線であ
り、角型比の高いヒステリシスループを得ることは不可
能であった。角型比が悪いと記録ビットの不安定性をも
たらす原因とともにＳ／Ｎ比の低下になる。
【００３１】しかし、本発明による軽希土類元素−鉄族
遷移金属非晶質薄膜を利用することによって、紫外線領
域において大きな磁気光学効果を得ると同時に多層膜構
造にすることにより、角型性の高いヒステリシスループ
を得ることができる。また、重希土類元素−鉄族遷移金
属非晶質薄膜を利用することによって、十分な垂直磁気
異方性及び角型比を得ることができる。また、重希土類
元素の使用量も減少することができる。
遷移金属非晶質薄膜を利用することによって、紫外線領
域において大きな磁気光学効果を得ると同時に多層膜構
造にすることにより、角型性の高いヒステリシスループ
を得ることができる。また、重希土類元素−鉄族遷移金
属非晶質薄膜を利用することによって、十分な垂直磁気
異方性及び角型比を得ることができる。また、重希土類
元素の使用量も減少することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態（以下
実施形態という）について、図面に基づいて説明する。
実施形態という）について、図面に基づいて説明する。
【００３３】スパッタリング蒸着法により、基板上に薄
膜を形成する。スパッタリング蒸着法としては、ＲＦマ
グネトロンスパッタ法またはＤＣマグネトロンスパッタ
法を採用した。なお、本発明の光磁気記録媒体の製造
は、上記スパッタ法に限らず各種の金属ガス凝集法を利
用することができる。例えば、イオンビームスパッタ、
ＭＢＥ（分子線エピタキシ）、ＣＶＤ（化学的気相成
長）、真空蒸着などが利用可能である。
膜を形成する。スパッタリング蒸着法としては、ＲＦマ
グネトロンスパッタ法またはＤＣマグネトロンスパッタ
法を採用した。なお、本発明の光磁気記録媒体の製造
は、上記スパッタ法に限らず各種の金属ガス凝集法を利
用することができる。例えば、イオンビームスパッタ、
ＭＢＥ（分子線エピタキシ）、ＣＶＤ（化学的気相成
長）、真空蒸着などが利用可能である。
【００３４】そして、後述する実験においては、ターゲ
ットの材料として、Ｔｂ28Ｆｅ64.8Ｃｏ7.2及びＰｔを
用いた。
ットの材料として、Ｔｂ28Ｆｅ64.8Ｃｏ7.2及びＰｔを
用いた。
【００３５】図１にＴｂ23（ＦｅＣｏ）77単層膜のヒス
テリシスループのアルゴン圧力依存性及び堆積速度依存
性を示す。この図でみるように５ｍＴｏｒｒ圧力では、
すべての成膜速度に対して、角型比は１であり、成膜速
度が遅いほど抗磁力（Ｈｃ）が大きい。
テリシスループのアルゴン圧力依存性及び堆積速度依存
性を示す。この図でみるように５ｍＴｏｒｒ圧力では、
すべての成膜速度に対して、角型比は１であり、成膜速
度が遅いほど抗磁力（Ｈｃ）が大きい。
【００３６】この実験結果をもとにして、ＴｂＦｅＣｏ
層及びＰｔ，ＮｄＣｏの作製条件を決めた。特に、成膜
速度は、より高い抗磁力を得るために、より遅いものに
設定した。すなわち、アルゴン圧力５ｍＴｏｒｒの雰囲
気で行った成膜速度は約０.５Å／ｓｅｃであった。
層及びＰｔ，ＮｄＣｏの作製条件を決めた。特に、成膜
速度は、より高い抗磁力を得るために、より遅いものに
設定した。すなわち、アルゴン圧力５ｍＴｏｒｒの雰囲
気で行った成膜速度は約０.５Å／ｓｅｃであった。
【００３７】また、基板は、ガラスで下地温度は常温に
保った。全体の多層薄膜構成は、ＸÅＴｂＦｅＣｏ／Ｙ
ÅＰｔである。ここでＸ＝１０〜５０、Ｙ＝０.５〜１
２である。
保った。全体の多層薄膜構成は、ＸÅＴｂＦｅＣｏ／Ｙ
ÅＰｔである。ここでＸ＝１０〜５０、Ｙ＝０.５〜１
２である。
【００３８】図２に、光磁気記録媒体用金属多層薄膜の
概略構成を示す。このように、ガラス基板（Ｇｌａｓｓ
Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）上記、ｙ，ｘ層を順次積層し
た。ここで、この例では、ｘはＴｂＦｅＣｏ層であり、
ｙはＰｔ層またはＮｄＣｏ層である。全膜厚は、約５０
０Åである。
概略構成を示す。このように、ガラス基板（Ｇｌａｓｓ
Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）上記、ｙ，ｘ層を順次積層し
た。ここで、この例では、ｘはＴｂＦｅＣｏ層であり、
ｙはＰｔ層またはＮｄＣｏ層である。全膜厚は、約５０
０Åである。
【００３９】ここで、ｘ層としては、１５〜５０原子％
の希土類元素Ｒ（但し、Ｒの内７０％以上がＴｂ及びＤ
ｙの１種または２種、Ｒの残部はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓ
ｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂの１種以
上）と、鉄族遷移金属ＴＭ（但し、ＴＭはＦｅ及びＣｏ
よりなりその内Ｆｅは０〜１００％）から成る（Ｒ−Ｔ
Ｍ）薄膜が好適である。また、これに数％以下のＭ（但
し、ＭとしてＰｔ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｗの１種以上）を含むこ
とも好適である。さらに、これらの単層膜でもよい。
の希土類元素Ｒ（但し、Ｒの内７０％以上がＴｂ及びＤ
ｙの１種または２種、Ｒの残部はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓ
ｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂの１種以
上）と、鉄族遷移金属ＴＭ（但し、ＴＭはＦｅ及びＣｏ
よりなりその内Ｆｅは０〜１００％）から成る（Ｒ−Ｔ
Ｍ）薄膜が好適である。また、これに数％以下のＭ（但
し、ＭとしてＰｔ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｗの１種以上）を含むこ
とも好適である。さらに、これらの単層膜でもよい。
【００４０】さらに、ｙ層はＭ’（但し、Ｍ’としてＰ
ｔ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｗの１種以上）で構成することが好適
である。また、ｙ層を（Ｒ’−ＴＭ′）薄膜から構成す
ることも好適である。ここで、Ｒ′は希土類元素で２０
〜８０原子％のＮｄ，Ｐｒの１種または２種、Ｒ′の残
部はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，
Ｅｒ及びＹｂの１種以上、ＴＭ′はＦｅ及びＣｏの１種
以上または２種からなる、そして、これらの金属膜は、
垂直磁気異方性定数Ｋｕが反磁界エネルギー２πＭｓ2
（Ｍｓは飽和磁化）より大きく、カー回転角θk及びカ
ー楕円率ηkから与えられるＦＯＭ（Ｆｉｇｕｒｅ ｏ
ｆ Ｍｅｒｉｔ）＝Ｒ√［θk 2＋ηK 2］が紫外線（波長
４００ｎｍ以下）領域で０．０５以上であることを特徴
とする。
ｔ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｗの１種以上）で構成することが好適
である。また、ｙ層を（Ｒ’−ＴＭ′）薄膜から構成す
ることも好適である。ここで、Ｒ′は希土類元素で２０
〜８０原子％のＮｄ，Ｐｒの１種または２種、Ｒ′の残
部はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，
Ｅｒ及びＹｂの１種以上、ＴＭ′はＦｅ及びＣｏの１種
以上または２種からなる、そして、これらの金属膜は、
垂直磁気異方性定数Ｋｕが反磁界エネルギー２πＭｓ2
（Ｍｓは飽和磁化）より大きく、カー回転角θk及びカ
ー楕円率ηkから与えられるＦＯＭ（Ｆｉｇｕｒｅ ｏ
ｆ Ｍｅｒｉｔ）＝Ｒ√［θk 2＋ηK 2］が紫外線（波長
４００ｎｍ以下）領域で０．０５以上であることを特徴
とする。
【００４１】
［実施例１］実施例１は、スパッタ蒸着法により作成し
た金属多層薄膜ＴｂＦｅＣｏ／Ｐｔである。すなわち、
図２におけるｙ層としてＰｔ層が採用されている。全膜
厚は約５００Åである。
た金属多層薄膜ＴｂＦｅＣｏ／Ｐｔである。すなわち、
図２におけるｙ層としてＰｔ層が採用されている。全膜
厚は約５００Åである。
【００４２】図３に、５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／Ｘ
ÅＰｔ（Ｘ＝１，２，３，６，１２Å）のカー回転角
（Ｋｅｒｒ ｒｏｔａｔｉｏｎ（°：ｄｅｇ））及びカ
ー楕円率（Ｋｅｒｒ Ｅｌｌｉｐｔｉｃｉｔｙ（°：ｄ
ｅｇ））の光子エネルギー（Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇ
ｙ）依存性を示す。ここで、波長（Å）は１２４００／
Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙで与えられる。また、Ｔｂ
ＦｅＣｏ（Ｐｔ）におけるＰｔの含有量は０．５％程度
以下である。
ÅＰｔ（Ｘ＝１，２，３，６，１２Å）のカー回転角
（Ｋｅｒｒ ｒｏｔａｔｉｏｎ（°：ｄｅｇ））及びカ
ー楕円率（Ｋｅｒｒ Ｅｌｌｉｐｔｉｃｉｔｙ（°：ｄ
ｅｇ））の光子エネルギー（Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇ
ｙ）依存性を示す。ここで、波長（Å）は１２４００／
Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙで与えられる。また、Ｔｂ
ＦｅＣｏ（Ｐｔ）におけるＰｔの含有量は０．５％程度
以下である。
【００４３】カー回転角は、全Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒ
ｇｙにわたってＰｔの増加とともにその絶対値が増加し
ていることがわかる。また、カー楕円率ηKの絶対値
は、約４.５ｅＶ付近以下（２，７５６Å）ではＰｔの
増加とともに減少するが、４．５ｅＶ以上では増加する
傾向にある。
ｇｙにわたってＰｔの増加とともにその絶対値が増加し
ていることがわかる。また、カー楕円率ηKの絶対値
は、約４.５ｅＶ付近以下（２，７５６Å）ではＰｔの
増加とともに減少するが、４．５ｅＶ以上では増加する
傾向にある。
【００４４】図４に、５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／Ｘ
ÅＰｔ（Ｘ＝１，３，６，１２Å）のＦＯＭ値のＰｈｏ
ｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。Ｘ＝３，６，１２
Åにおいて、ＦＯＭが上昇している。
ÅＰｔ（Ｘ＝１，３，６，１２Å）のＦＯＭ値のＰｈｏ
ｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。Ｘ＝３，６，１２
Åにおいて、ＦＯＭが上昇している。
【００４５】図５に、３０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／Ｘ
Å（Ｘ＝０.５，１，２，３，６，Å）のカー回転角及
びカー楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示
す。カー回転角の絶対値はＰｔの増加とともに増加す
る。また、カー楕円率の絶対値も約５ｅｖ以上でＰｔと
ともに増加することがわかる。
Å（Ｘ＝０.５，１，２，３，６，Å）のカー回転角及
びカー楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示
す。カー回転角の絶対値はＰｔの増加とともに増加す
る。また、カー楕円率の絶対値も約５ｅｖ以上でＰｔと
ともに増加することがわかる。
【００４６】図６に、３０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／Ｘ
ÅＰｔのＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎｅｎｅｒｇｙ依存性を
示す。Ｘ＝６Åを含むすべての場合において、ＦＯＭ値
はＴｂＦｅＣｏ単層膜のそれより増加している。
ÅＰｔのＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎｅｎｅｒｇｙ依存性を
示す。Ｘ＝６Åを含むすべての場合において、ＦＯＭ値
はＴｂＦｅＣｏ単層膜のそれより増加している。
【００４７】図７に、１０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／Ｘ
ÅＰｔ（Ｘ＝０.５，１，２Å）のカー回転角及びカー
楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。
ÅＰｔ（Ｘ＝０.５，１，２Å）のカー回転角及びカー
楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。
【００４８】カー回転角の絶対値はＰｔの増加とともに
増加し、また、カー楕円率の絶対値も５ｅＶ以上でＰｔ
とともに増加することがわかる。
増加し、また、カー楕円率の絶対値も５ｅＶ以上でＰｔ
とともに増加することがわかる。
【００４９】図８に、１０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／Ｘ
ÅＰｔ（Ｘ＝０.５，１，２Å）のＦＯＭ値のＰｈｏｔ
ｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。特に、Ｘ＝２Åの場
合に、全波長領域において、単層膜より大きいＦＯＭ値
が得られている。
ÅＰｔ（Ｘ＝０.５，１，２Å）のＦＯＭ値のＰｈｏｔ
ｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。特に、Ｘ＝２Åの場
合に、全波長領域において、単層膜より大きいＦＯＭ値
が得られている。
【００５０】図９に、５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／Ｘ
ÅＰｔについてのＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ ５ｅＶ
における単層膜ＴｂＦｅＣｏに対する、（ａ）カー回転
角θk、（ｂ）カー楕円率ηk（ｃ）ＦＯＭ値、の比較を
示す。Ｐｔ層厚が約３Å以上においてカー回転角及びカ
ー楕円率は飽和する傾向にある。従って、この条件で
は、Ｐｔ層の厚さが３Åで十分な効果が得られているこ
とがわかる。
ÅＰｔについてのＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ ５ｅＶ
における単層膜ＴｂＦｅＣｏに対する、（ａ）カー回転
角θk、（ｂ）カー楕円率ηk（ｃ）ＦＯＭ値、の比較を
示す。Ｐｔ層厚が約３Å以上においてカー回転角及びカ
ー楕円率は飽和する傾向にある。従って、この条件で
は、Ｐｔ層の厚さが３Åで十分な効果が得られているこ
とがわかる。
【００５１】図１０に、カー効果のヒステリシスループ
（Ｘ＝３，６，１２Å）を示す。なお、印加磁界方向は
膜面に垂直である。これより、いずれの膜においても、
明らかに大きな垂直磁気異方性Ｋｕを有し、磁化方向は
印加磁界方向がなくても膜面に垂直に向いていることが
わかる。また、Ｐｔ層の厚みが増加するに従い、抗磁力
Ｈｃが減少する。従って、Ｐｔ層の厚みは、１２Å程度
以下にすることが好ましいと考えられる。
（Ｘ＝３，６，１２Å）を示す。なお、印加磁界方向は
膜面に垂直である。これより、いずれの膜においても、
明らかに大きな垂直磁気異方性Ｋｕを有し、磁化方向は
印加磁界方向がなくても膜面に垂直に向いていることが
わかる。また、Ｐｔ層の厚みが増加するに従い、抗磁力
Ｈｃが減少する。従って、Ｐｔ層の厚みは、１２Å程度
以下にすることが好ましいと考えられる。
【００５２】図１１に、抗磁力ＨｃのＰｔ層厚依存性
（１０Å，３０Å，５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／ＸÅ
Ｐｔ）を示す。ＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）層厚が３０、５０
Åの場合、微小のＰｔ層厚においてＨｃは増加しそして
急激に減少する。そして、３０ÅＴｂＦｅＣｏにおいて
は、Ｐｔ層厚が６Åでは、Ｈｃはかなり小さな値とな
り、また１０ÅＴｂＦｅＣｏにおいてはＰｔ層厚１Åで
も小さな値になる。従って、このような多層薄膜におい
ては、Ｐｔの厚みを１５Å以下に設定することが好適で
あるといえる。
（１０Å，３０Å，５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／ＸÅ
Ｐｔ）を示す。ＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）層厚が３０、５０
Åの場合、微小のＰｔ層厚においてＨｃは増加しそして
急激に減少する。そして、３０ÅＴｂＦｅＣｏにおいて
は、Ｐｔ層厚が６Åでは、Ｈｃはかなり小さな値とな
り、また１０ÅＴｂＦｅＣｏにおいてはＰｔ層厚１Åで
も小さな値になる。従って、このような多層薄膜におい
ては、Ｐｔの厚みを１５Å以下に設定することが好適で
あるといえる。
【００５３】図１２に、垂直磁気異方性定数ＫｕのＰｔ
層厚依存性を示す。５０ÅＴｂＦｅＣｏにおいてもＰｔ
層厚が約３Å以上において、Ｋｕはほとんど飽和する傾
向にある。
層厚依存性を示す。５０ÅＴｂＦｅＣｏにおいてもＰｔ
層厚が約３Å以上において、Ｋｕはほとんど飽和する傾
向にある。
【００５４】［実施例２］次に、実施例２は、スパッタ
蒸着法により作成した金属多層薄膜ＴｂＦｅＣｏ／Ｎｄ
Ｃｏである。すなわち、図２におけるｙ層としてＮｄＣ
ｏ層が採用されている。全膜厚は約５００Åである。
蒸着法により作成した金属多層薄膜ＴｂＦｅＣｏ／Ｎｄ
Ｃｏである。すなわち、図２におけるｙ層としてＮｄＣ
ｏ層が採用されている。全膜厚は約５００Åである。
【００５５】図１３に、５０ÅＴｂＦｅＣｏ／ＸÅＮｄ
Ｃｏ多層薄膜（Ｘ＝１，３，６Å）のカー回転角及びカ
ー楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。
カー回転角の絶対値はＰｔが１Å層膜のときは減少する
が３Å以上では増加し、６Åでは大幅に増加しているこ
とがわかる。また、カー楕円率の絶対値も５ｅＶ以上で
Ｐｔ層厚とともに増加する。
Ｃｏ多層薄膜（Ｘ＝１，３，６Å）のカー回転角及びカ
ー楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。
カー回転角の絶対値はＰｔが１Å層膜のときは減少する
が３Å以上では増加し、６Åでは大幅に増加しているこ
とがわかる。また、カー楕円率の絶対値も５ｅＶ以上で
Ｐｔ層厚とともに増加する。
【００５６】図１４に、５０ÅＴｂＦｅＣｏ／ＸÅＮｄ
Ｃｏ多層薄膜のＦＯＭ値（＝Ｒ√［θk 2＋ηk 2］）のＰ
ｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。Ｐｈｏｔｏｎ
ｅｎｅｒｇｙの全範囲にわたってＸ＝６の多層薄膜の
ＦＯＭ値が単層膜に比較して増加していることがわか
る。
Ｃｏ多層薄膜のＦＯＭ値（＝Ｒ√［θk 2＋ηk 2］）のＰ
ｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。Ｐｈｏｔｏｎ
ｅｎｅｒｇｙの全範囲にわたってＸ＝６の多層薄膜の
ＦＯＭ値が単層膜に比較して増加していることがわか
る。
【００５７】図１５に、３０ÅＴｂＦｅＣｏ／ＸÅＮｄ
Ｃｏ（Ｘ＝０．５，１，３，６Å）のカー回転角及びカ
ー楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。
特に、Ｘ＝０．５Åでは、Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ
４ｅＶ以上の紫外線領域において、カー回転角及びカー
楕円率の絶対値が単層膜に対し大きくなっていることが
わかる。
Ｃｏ（Ｘ＝０．５，１，３，６Å）のカー回転角及びカ
ー楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。
特に、Ｘ＝０．５Åでは、Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ
４ｅＶ以上の紫外線領域において、カー回転角及びカー
楕円率の絶対値が単層膜に対し大きくなっていることが
わかる。
【００５８】図１６に、３０ÅＴｂＦｅＣｏ／ＸÅＮｄ
Ｃｏ（Ｘ＝０．５，１，３，６Å）のＦＯＭ値のＰｈｏ
ｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。Ｐｈｏｔｏｎ ｅ
ｎｅｒｇｙ４ｅＶ以上ではＸ＝６の多層薄膜のＦＯＭ値
は単層膜に比較して増加している。
Ｃｏ（Ｘ＝０．５，１，３，６Å）のＦＯＭ値のＰｈｏ
ｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。Ｐｈｏｔｏｎ ｅ
ｎｅｒｇｙ４ｅＶ以上ではＸ＝６の多層薄膜のＦＯＭ値
は単層膜に比較して増加している。
【００５９】図１７に、１０ÅＴｂＦｅＣｏ／ＸÅＮｄ
Ｃｏ（Ｘ＝１，３，１０Å）のカー回転角及びカー楕円
率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。特に、
Ｘ＝３，１０Åでは、カー回転角の絶対値が単層膜にか
なり比較して大きくなっている。
Ｃｏ（Ｘ＝１，３，１０Å）のカー回転角及びカー楕円
率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。特に、
Ｘ＝３，１０Åでは、カー回転角の絶対値が単層膜にか
なり比較して大きくなっている。
【００６０】図１８に、１０ÅＴｂＦｅＣｏ／ＸÅＮｄ
Ｃｏ（Ｘ＝１，３，１０Å）のＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎ
ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。Ｐｈｏｔｐｎ ｅｎｅｒ
ｇｙ全範囲にわたってＸ＝１０の多層薄膜のＦＯＭ値は
単層膜のそれに比較して大きく増加している。特に、Ｐ
ｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ ３ｅＶ以上ではこの傾向が
顕著である。また、Ｘ＝１においては、ＦＯＭ値は、Ｐ
ｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ４ｅＶ以上において、単層膜
より十分に大きくなっている。
Ｃｏ（Ｘ＝１，３，１０Å）のＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎ
ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。Ｐｈｏｔｐｎ ｅｎｅｒ
ｇｙ全範囲にわたってＸ＝１０の多層薄膜のＦＯＭ値は
単層膜のそれに比較して大きく増加している。特に、Ｐ
ｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ ３ｅＶ以上ではこの傾向が
顕著である。また、Ｘ＝１においては、ＦＯＭ値は、Ｐ
ｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ４ｅＶ以上において、単層膜
より十分に大きくなっている。
【００６１】図１９に、１０ÅＴｂＦｅＣｏ（／ＸÅＮ
ｄＣｏ多層薄膜（Ｘ＝０、１、３、１０）のカー回転角
ヒステリシスループを示す。この図でわかるように（Ｔ
ｂＦｅＣｏ／ＮｄＣｏ）多層薄膜は角型比１の高い抗磁
力を示すことがわかる。また、Ｘ＝１、３において十分
な抗磁力を有している。
ｄＣｏ多層薄膜（Ｘ＝０、１、３、１０）のカー回転角
ヒステリシスループを示す。この図でわかるように（Ｔ
ｂＦｅＣｏ／ＮｄＣｏ）多層薄膜は角型比１の高い抗磁
力を示すことがわかる。また、Ｘ＝１、３において十分
な抗磁力を有している。
【００６２】図２０に、（１０ÅＴｂＦｅＣｏ／１０Å
ＮｄＣｏ）×２５層のカー回転角のヒステリシスループ
の温度依存性を示す。この温度範囲において角型比１を
有した多層薄膜であることがわかる。
ＮｄＣｏ）×２５層のカー回転角のヒステリシスループ
の温度依存性を示す。この温度範囲において角型比１を
有した多層薄膜であることがわかる。
【００６３】図２１に、８０℃における（１０，３０，
５０）ÅＴｂＦｅＣｏ／ＸÅＮｄＣｏの抗磁力のＸ依存
性を示す。このように、全体として、ＮｄＣｏの厚みが
大きくなると抗磁力が下がる傾向にあるが、抗磁力は比
較的大きいことがわかる。
５０）ÅＴｂＦｅＣｏ／ＸÅＮｄＣｏの抗磁力のＸ依存
性を示す。このように、全体として、ＮｄＣｏの厚みが
大きくなると抗磁力が下がる傾向にあるが、抗磁力は比
較的大きいことがわかる。
【００６４】［実施例３］実施例３は、スパッタ蒸着法
により作成した金属多層薄膜ＴｂＦｅＣｏ／Ｐｔであ
る。ここで、この実施例３は、図２２に示すように、ガ
ラス基板（Ｇｌａｓｓ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）上に、７
５ｎｍのＰｔ反射層（Ｐｔ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｌ
ａｙｅｒ）を設け、その上にｙ層（Ｐｔ層）及びｘ層
（ＴｂＦｅＣｏ層）を順次積層した構成を有している。
ｘ層，ｙ層の多層薄膜の厚さは、２５ｎｍである。そし
て、本実施例３では、最上部のｘ層上にＰｔの保護層を
配置していない。従って、Ｐｔ保護層の影響を排除し
て、多層薄膜の性質をより正確に検出できると考えられ
る。
により作成した金属多層薄膜ＴｂＦｅＣｏ／Ｐｔであ
る。ここで、この実施例３は、図２２に示すように、ガ
ラス基板（Ｇｌａｓｓ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）上に、７
５ｎｍのＰｔ反射層（Ｐｔ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｌ
ａｙｅｒ）を設け、その上にｙ層（Ｐｔ層）及びｘ層
（ＴｂＦｅＣｏ層）を順次積層した構成を有している。
ｘ層，ｙ層の多層薄膜の厚さは、２５ｎｍである。そし
て、本実施例３では、最上部のｘ層上にＰｔの保護層を
配置していない。従って、Ｐｔ保護層の影響を排除し
て、多層薄膜の性質をより正確に検出できると考えられ
る。
【００６５】図２３に、５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／
ＹÅＰｔ多層薄膜（Ｙ＝１，３，６Å）のカー回転角及
びカー楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示
す。Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ４ｅＶ以上では、多層
薄膜のカー回転角の絶対値が単層膜より大きく、またＰ
ｔ層の厚みが大きいほど大きいことがわかる。
ＹÅＰｔ多層薄膜（Ｙ＝１，３，６Å）のカー回転角及
びカー楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示
す。Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ４ｅＶ以上では、多層
薄膜のカー回転角の絶対値が単層膜より大きく、またＰ
ｔ層の厚みが大きいほど大きいことがわかる。
【００６６】図２４に、５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／
ＹÅＰｔ多層薄膜のＰｈｏｔｏｎｅｎｅｒｇｙ５．０ｅ
ＶにおけるＰｔ層の厚みＹと、カー回転角の比率（単層
膜のカー回転角に対する比の絶対値）及びＦＯＭ値の比
率（単層膜のＦＯＭ値に対する比）の関係を示す。Ｐｔ
層の厚みが増加するに従い、カー回転角の比率、ＦＯＭ
値の比率の両方が大きくなっている。そして、Ｐｔ層の
厚みＹ＝１０Å程度でＰｔ層の効果がほぼ飽和すること
がわかる。
ＹÅＰｔ多層薄膜のＰｈｏｔｏｎｅｎｅｒｇｙ５．０ｅ
ＶにおけるＰｔ層の厚みＹと、カー回転角の比率（単層
膜のカー回転角に対する比の絶対値）及びＦＯＭ値の比
率（単層膜のＦＯＭ値に対する比）の関係を示す。Ｐｔ
層の厚みが増加するに従い、カー回転角の比率、ＦＯＭ
値の比率の両方が大きくなっている。そして、Ｐｔ層の
厚みＹ＝１０Å程度でＰｔ層の効果がほぼ飽和すること
がわかる。
【００６７】図２５に、ＸÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／６
ÅＰｔのカー回転角及びカー楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅ
ｎｅｒｇｙ依存性を示す。ＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）の厚み
Ｘが１０Åでは、Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ５ｅＶ程
度において、カー回転角の絶対値がかなり大きな値（−
０．３５程度）を示している。そして、Ｘを大きくする
に従って、このＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ５ｅＶ付近
のカー回転角は小さくなる。また、カー楕円率の絶対値
は、Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ５ｅＶ以上において、
Ｐｔ層を設けた方が大きくなる。そして、Ｐｔ層の厚み
は薄い方が大きい。
ÅＰｔのカー回転角及びカー楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅ
ｎｅｒｇｙ依存性を示す。ＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）の厚み
Ｘが１０Åでは、Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ５ｅＶ程
度において、カー回転角の絶対値がかなり大きな値（−
０．３５程度）を示している。そして、Ｘを大きくする
に従って、このＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ５ｅＶ付近
のカー回転角は小さくなる。また、カー楕円率の絶対値
は、Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ５ｅＶ以上において、
Ｐｔ層を設けた方が大きくなる。そして、Ｐｔ層の厚み
は薄い方が大きい。
【００６８】図２６に、ＸÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／６
ÅＰｔのＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎｅｎｅｒｇｙ依存性を
示す。Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ４ｅＶ以上では、Ｐ
ｔ層を設けた多層薄膜の方が単層膜よりＦＯＭ値が大き
くなっている。そして、Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ４
ｅＶ以上の領域においては、Ｐｔ層の厚みＸ＝１０Åの
場合が最もＦＯＭ値が高く、次がＸ＝３０Åであり、Ｘ
＝５０，８０Åではほぼ同一になっている。
ÅＰｔのＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎｅｎｅｒｇｙ依存性を
示す。Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ４ｅＶ以上では、Ｐ
ｔ層を設けた多層薄膜の方が単層膜よりＦＯＭ値が大き
くなっている。そして、Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ４
ｅＶ以上の領域においては、Ｐｔ層の厚みＸ＝１０Åの
場合が最もＦＯＭ値が高く、次がＸ＝３０Åであり、Ｘ
＝５０，８０Åではほぼ同一になっている。
【００６９】図２７に、Ｚ（５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐ
ｔ）／６ÅＰｔ）のカー回転角及びカー楕円率のＰｈｏ
ｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。ここで、Ｚ
は、（）内の各層全体の厚みの比率を示し、Ｚ＝１／１
０は、５ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／０．６ÅＰｔ、Ｚ＝
１は５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／６ÅＰｔを意味して
いる。これより、カー回転角の絶対値は、単層膜より多
層薄膜の方が大きい。特に、Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇ
ｙ４〜６ｅＶの領域においては、多層薄膜の方が単層膜
よりかなり大きい。カー楕円率の絶対値は、Ｐｈｏｔｏ
ｎ ｅｎｅｒｇｙ３〜５の領域において、単層膜の方が
多層薄膜より大きく、Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ５ｅ
Ｖ以上で、多層薄膜の方が大きくなっている。
ｔ）／６ÅＰｔ）のカー回転角及びカー楕円率のＰｈｏ
ｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す。ここで、Ｚ
は、（）内の各層全体の厚みの比率を示し、Ｚ＝１／１
０は、５ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／０．６ÅＰｔ、Ｚ＝
１は５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／６ÅＰｔを意味して
いる。これより、カー回転角の絶対値は、単層膜より多
層薄膜の方が大きい。特に、Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇ
ｙ４〜６ｅＶの領域においては、多層薄膜の方が単層膜
よりかなり大きい。カー楕円率の絶対値は、Ｐｈｏｔｏ
ｎ ｅｎｅｒｇｙ３〜５の領域において、単層膜の方が
多層薄膜より大きく、Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ５ｅ
Ｖ以上で、多層薄膜の方が大きくなっている。
【００７０】図２８に、Ｚ（５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐ
ｔ）／６ÅＰｔ）のＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒ
ｇｙ依存性を示す。Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ４ｅＶ
以上の領域においては、多層薄膜の方が単層膜よりかな
り大きくなっている。
ｔ）／６ÅＰｔ）のＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒ
ｇｙ依存性を示す。Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ４ｅＶ
以上の領域においては、多層薄膜の方が単層膜よりかな
り大きくなっている。
【００７１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
カー回転角θk及びカー楕円率ηkから与えられるＦＯＭ
（Ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ Ｍｅｒｉｔ）＝Ｒ√［θk 2＋η
K 2］が紫外線（波長４００ｎｍ以下）領域で０．０５以
上である。このため、紫外光を用いてスポット系の小さ
い高密度の記録再生が行える。
カー回転角θk及びカー楕円率ηkから与えられるＦＯＭ
（Ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ Ｍｅｒｉｔ）＝Ｒ√［θk 2＋η
K 2］が紫外線（波長４００ｎｍ以下）領域で０．０５以
上である。このため、紫外光を用いてスポット系の小さ
い高密度の記録再生が行える。
【００７２】また、本発明の金属薄膜では、垂直磁気異
方性定数Ｋｕが反磁界エネルギー２πＭｓ2（Ｍｓは飽
和磁化）より大きい。従って、光磁気記録媒体の放線方
向の磁気異方性である垂直磁気異方性を有する。そこ
で、これを利用して高密度の光磁気記録を達成すること
ができる。
方性定数Ｋｕが反磁界エネルギー２πＭｓ2（Ｍｓは飽
和磁化）より大きい。従って、光磁気記録媒体の放線方
向の磁気異方性である垂直磁気異方性を有する。そこ
で、これを利用して高密度の光磁気記録を達成すること
ができる。
【００７３】また、（Ｒ−ＴＭ）または（Ｒ−ＴＭ−
Ｍ）膜と、Ｍ’膜を交互に積層した多層構造薄膜によ
り、ＦＯＭを十分大きくできる。従って、多層薄膜にす
ることによって、ＦＯＭの大きなより好適な光磁気記録
媒体が得られる。
Ｍ）膜と、Ｍ’膜を交互に積層した多層構造薄膜によ
り、ＦＯＭを十分大きくできる。従って、多層薄膜にす
ることによって、ＦＯＭの大きなより好適な光磁気記録
媒体が得られる。
【００７４】また、Ｍ’膜の厚みを１５Å以下にするこ
とによって、十分な光磁気効果を得つつ、抗磁力を所定
以上に保つことができる。
とによって、十分な光磁気効果を得つつ、抗磁力を所定
以上に保つことができる。
【００７５】また、（Ｒ−ＴＭ）薄膜または上記（Ｒ−
ＴＭ−Ｍ）薄膜と、（Ｒ’−ＴＭ′）薄膜とから形成さ
れる多層構造薄膜によっても、十分大きな磁気光学効果
を得ることができると共に、十分な垂直磁気異方性を得
ることができ、角型比１のヒステリシスループを得るこ
とができる。
ＴＭ−Ｍ）薄膜と、（Ｒ’−ＴＭ′）薄膜とから形成さ
れる多層構造薄膜によっても、十分大きな磁気光学効果
を得ることができると共に、十分な垂直磁気異方性を得
ることができ、角型比１のヒステリシスループを得るこ
とができる。
【図１】 ＴｂＦｅＣｏ単層膜のヒステリシスループの
アルゴン圧力依存性及び堆積速度依存性を示す図であ
る。
アルゴン圧力依存性及び堆積速度依存性を示す図であ
る。
【図２】 実施例１、２の多層薄膜の概略構成を示す図
である。
である。
【図３】 ５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／ＸÅＰｔ（Ｘ
＝０，１，２，３，６，１２）のカー回転角及びカー楕
円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図であ
る。
＝０，１，２，３，６，１２）のカー回転角及びカー楕
円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図であ
る。
【図４】 ５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／ＸÅＰｔ（Ｘ
＝０，１，３，１２）のＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎ ｅｎ
ｅｒｇｙ依存性を示す図である。
＝０，１，３，１２）のＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎ ｅｎ
ｅｒｇｙ依存性を示す図である。
【図５】 ３０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／ＸÅＰｔ（Ｘ
＝０，０．５，１，２，３，６）のカー回転角及びカー
楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図で
ある。
＝０，０．５，１，２，３，６）のカー回転角及びカー
楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図で
ある。
【図６】 ３０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／ＸÅＰｔ（Ｘ
＝０，１，３，６）のＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅ
ｒｇｙ依存性を示す図である。
＝０，１，３，６）のＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅ
ｒｇｙ依存性を示す図である。
【図７】 １０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／ＸÅＰｔ（Ｘ
＝０，０．５，１，２）のカー回転角及びカー楕円率の
Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図である。
＝０，０．５，１，２）のカー回転角及びカー楕円率の
Ｐｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図である。
【図８】 １０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／ＸÅＰｔ（Ｘ
＝０，０．５，１，２）のＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎ ｅ
ｎｅｒｇｙ依存性を示す図である。
＝０，０．５，１，２）のＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎ ｅ
ｎｅｒｇｙ依存性を示す図である。
【図９】 ５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／ＸÅＰｔ（５
ｅＶ）のカー回転角、カー楕円率及びＦＯＭ値のＰｔの
厚み依存性を示す図である。
ｅＶ）のカー回転角、カー楕円率及びＦＯＭ値のＰｔの
厚み依存性を示す図である。
【図１０】 ５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／ＸÅＰｔ
（Ｘ＝３，６，１２）のヒステリシスループを示す図で
ある。
（Ｘ＝３，６，１２）のヒステリシスループを示す図で
ある。
【図１１】 （１０，３０，５０）ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐ
ｔ）／ＸÅＰｔの抗磁力のＰｔの厚みとの関係を示す図
である。
ｔ）／ＸÅＰｔの抗磁力のＰｔの厚みとの関係を示す図
である。
【図１２】 （１０，３０，５０）ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐ
ｔ）／ＸÅＰｔの垂直磁気異方性とＰｔの厚みとの関係
を示す図である。
ｔ）／ＸÅＰｔの垂直磁気異方性とＰｔの厚みとの関係
を示す図である。
【図１３】 ５０ÅＴｂＦｅＣｏ／ＸÅＮｄＣｏ（Ｘ＝
０，１，３，６）のカー回転角及びカー楕円率のＰｈｏ
ｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図である。
０，１，３，６）のカー回転角及びカー楕円率のＰｈｏ
ｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図である。
【図１４】 ５０ÅＴｂＦｅＣｏ／ＸÅＮｄＣｏ（Ｘ＝
０，１，３，６）のＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒ
ｇｙ依存性を示す図である。
０，１，３，６）のＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒ
ｇｙ依存性を示す図である。
【図１５】 ３０ÅＴｂＦｅＣｏ／ＸÅＮｄＣｏ（Ｘ＝
０，０．５，１，３，６）のカー回転角及びカー楕円率
のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図である。
０，０．５，１，３，６）のカー回転角及びカー楕円率
のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図である。
【図１６】 ３０ÅＴｂＦｅＣｏ／ＸÅＮｄＣｏ（Ｘ＝
０，１，３，６）のＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒ
ｇｙ依存性を示す図である。
０，１，３，６）のＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒ
ｇｙ依存性を示す図である。
【図１７】 １０ÅＴｂＦｅＣｏ／ＸÅＮｄＣｏ（Ｘ＝
０，１，３，１０）のカー回転角及びカー楕円率のＰｈ
ｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図である。
０，１，３，１０）のカー回転角及びカー楕円率のＰｈ
ｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図である。
【図１８】 １０ÅＴｂＦｅＣｏ／ＸÅＮｄＣｏ（Ｘ＝
０，１，３，６）のＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒ
ｇｙ依存性を示す図である。
０，１，３，６）のＦＯＭ値のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒ
ｇｙ依存性を示す図である。
【図１９】 １０ÅＴｂＦｅＣｏ／ＸÅＮｄＣｏ（Ｘ＝
０，１，３，１０）のヒステリシスループを示す図であ
る。
０，１，３，１０）のヒステリシスループを示す図であ
る。
【図２０】 １０ÅＴｂＦｅＣｏ／１０ÅＮｄＣｏ（室
温、４０℃、６０℃、８０℃）のヒステリシスループを
示す図である。
温、４０℃、６０℃、８０℃）のヒステリシスループを
示す図である。
【図２１】 （１０，３０，５０）ÅＴｂＦｅＣｏ／Ｘ
ÅＮｄＣｏの抗磁力のＮｄＣｏの厚み依存性を示す図で
ある。
ÅＮｄＣｏの抗磁力のＮｄＣｏの厚み依存性を示す図で
ある。
【図２２】 実施例３の多層薄膜の構成を示す図であ
る。
る。
【図２３】 ５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／ＹÅＰｔ
（Ｙ＝０，１，３，６，１２，２４）のカー回転角及び
カー楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す
図である。
（Ｙ＝０，１，３，６，１２，２４）のカー回転角及び
カー楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す
図である。
【図２４】 ５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／ＹÅＰｔ
（５ｅＶ）のカー回転角及びＦＯＭ値のＰｔの厚み依存
性を示す図である。
（５ｅＶ）のカー回転角及びＦＯＭ値のＰｔの厚み依存
性を示す図である。
【図２５】 ＸÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／６ÅＰｔ（Ｘ
＝０，１０，３０，５０，８０）のカー回転角及びカー
楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図で
ある。
＝０，１０，３０，５０，８０）のカー回転角及びカー
楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図で
ある。
【図２６】 ＸÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／６ÅＰｔ（Ｘ
＝０，１０，３０，５０，８０）のカー回転角及びカー
楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図で
ある。
＝０，１０，３０，５０，８０）のカー回転角及びカー
楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図で
ある。
【図２７】 Ｚ（５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／６ÅＰ
ｔ）（Ｚ＝１／１０，１／５，１／２，１）のカー回転
角及びカー楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性
を示す図である。
ｔ）（Ｚ＝１／１０，１／５，１／２，１）のカー回転
角及びカー楕円率のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性
を示す図である。
【図２８】 Ｚ（５０ÅＴｂＦｅＣｏ（Ｐｔ）／６ÅＰ
ｔ）（Ｚ＝１／１０，１／５，１／２，１）のＦＯＭ値
のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図である。
ｔ）（Ｚ＝１／１０，１／５，１／２，１）のＦＯＭ値
のＰｈｏｔｏｎ ｅｎｅｒｇｙ依存性を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 祐介 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 １５〜５０原子％の希土類元素Ｒ（但
し、Ｒの内７０％以上がＴｂ及びＤｙの１種または２
種、Ｒの残部はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂの１種以上）と、鉄族遷移金属
ＴＭ（但し、ＴＭはＦｅ及びＣｏよりなりその内Ｆｅは
０〜１００％）から成る（Ｒ−ＴＭ）薄膜であり、垂直
磁気異方性定数Ｋｕが反磁界エネルギー２πＭｓ2（Ｍ
ｓは飽和磁化）より大きく、カー回転角θk及びカー楕
円率ηkから与えられるＦＯＭ（Ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ
Ｍｅｒｉｔ）＝Ｒ√［θk 2＋ηK 2］が紫外線（波長４０
０ｎｍ以下）領域で０．０５以上であることを特徴とす
る光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 １５〜５０原子％の希土類元素Ｒ（但
し、Ｒの内７０％以上がＴｂ及びＤｙの１種または２
種、Ｒの残部はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂの１種以上）と、鉄族遷移金属
ＴＭ（但し、ＴＭはＦｅ及びＣｏよりなりその内Ｆｅは
０〜１００％）及びＭ（但し、ＭとしてＰｔ，Ｔａ，Ｐ
ｄ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｗの１種以上）からなる（Ｒ−ＴＭ−Ｍ）薄膜であ
り、垂直磁気異方性定数Ｋｕが反磁界エネルギー２πＭ
ｓ2（Ｍｓは飽和磁化）より大きいこと、カー回転角θk
及びカー楕円率ηkから与えられるＦＯＭ（Ｆｉｇｕｒ
ｅ ｏｆ Ｍｅｒｉｔ）＝Ｒ√［θk 2＋ηK 2］が紫外線
（波長４００ｎｍ以下）領域で０．０５以上であること
を特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１に記載した（Ｒ−ＴＭ）薄膜ま
たは請求項２に記載した（Ｒ−ＴＭ−Ｍ）薄膜と、Ｍ′
薄膜とから形成される多層構造薄膜であって、Ｍ′はＰ
ｔ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｗの１種以上からなり、垂直磁気異方
性定数Ｋｕが反磁界エネルギー２πＭｓ2（Ｍｓは飽和
磁化）より大きく、カー回転角θk及びカー楕円率ηkか
ら与えられるＦＯＭ（Ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ Ｍｅｒｉ
ｔ）＝Ｒ√［θk 2＋ηK 2］が紫外線（波長４００ｎｍ以
下）領域で０．０５以上であることを特徴とする光磁気
記録媒体。 - 【請求項４】 請求項３に記載した光磁気記録媒体にお
いて、上記Ｍ’薄膜の厚みが１５Å以下であることを特
徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１に記載した（Ｒ−ＴＭ）薄膜ま
たは請求項２に記載した（Ｒ−ＴＭ−Ｍ）薄膜と、
（Ｒ’−ＴＭ′）薄膜とから形成される多層構造薄膜で
あって、Ｒ′は希土類元素で２０〜８０原子％のＮｄ，
Ｐｒの１種または２種、Ｒ′の残部はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，
Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂの１種以
上、ＴＭ′はＦｅ及びＣｏの１種以上または２種からな
り、垂直磁気異方性定数Ｋｕが反磁界エネルギー２πＭ
ｓ2（Ｍｓは飽和磁化）より大きく、カー回転角θk及び
カー楕円率ηkから与えられるＦＯＭ（Ｆｉｇｕｒｅ
ｏｆＭｅｒｉｔ）＝Ｒ√［θk 2＋ηK 2］が紫外線（波長
４００ｎｍ以下）領域で０．０５以上であることを特徴
とする光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１つに記載の光
磁気記録媒体を製造する製造方法であって、基板上に金
属ガス凝集法により薄膜を形成することを特徴とする光
磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9266886A JPH11110838A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US09/159,607 US6096446A (en) | 1997-09-30 | 1998-09-24 | Magnetooptical recording medium and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9266886A JPH11110838A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11110838A true JPH11110838A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17437031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9266886A Pending JPH11110838A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6096446A (ja) |
| JP (1) | JPH11110838A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI224305B (en) * | 2003-07-14 | 2004-11-21 | Po-Cheng Kuo | Heat assisted magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0670924B2 (ja) * | 1984-11-12 | 1994-09-07 | 住友特殊金属株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| JPH05128600A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH0660452A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-03-04 | Dainippon Ink & Chem Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPH0670924A (ja) * | 1992-08-27 | 1994-03-15 | Toshiba Corp | Ｘ線ｔｖ装置 |
| JPH06103621A (ja) * | 1992-09-16 | 1994-04-15 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JP2536412B2 (ja) * | 1993-07-16 | 1996-09-18 | 日本電気株式会社 | 光ａｇｃ回路 |
| EP0911821A4 (en) * | 1996-07-11 | 2001-05-23 | Toyota Motor Co Ltd | MAGNETO-OPTICAL RECORDING MEDIUM AND USING MAGNETO-OPTICAL RECORDING MACHINE |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP9266886A patent/JPH11110838A/ja active Pending
-
1998
- 1998-09-24 US US09/159,607 patent/US6096446A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6096446A (en) | 2000-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3641611B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置 | |
| JPS6066349A (ja) | 光熱磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| US5112701A (en) | Magneto-optic recording media and process for producing the same | |
| US20090246362A1 (en) | Heat assisted magnetic recording medium and method for fabricating the same | |
| EP0622791B1 (en) | Composite magneto-optic memory and media | |
| JP2646398B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0670924B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| US4925742A (en) | Thin-film having large Kerr rotation angle and production process thereof | |
| JPH11110838A (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3150401B2 (ja) | 垂直磁化膜及び磁気記録媒体 | |
| US5710746A (en) | Magneto-optical recording medium and reading method with magnetic layers of different coercivity | |
| EP1887568B1 (en) | Heat assisted magnetic recording medium and method for fabricating the same | |
| JPS63269354A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0757312A (ja) | 光磁気薄膜および光磁気記録媒体 | |
| JP2997493B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3084580B2 (ja) | 光磁気記録媒体用ガーネット多結晶膜、光磁気記録用媒体および光磁気記録ディスク | |
| JP3022642B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH04111302A (ja) | 人工格子膜 | |
| JP3566779B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH09195018A (ja) | 軽稀土類金属−遷移金属−半金属の非晶質合金及びその非晶質合金の磁気記録層並びにその記録層を有する光磁気ディスク | |
| JP2829321B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2770836B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP4029991B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH05234053A (ja) | 垂直磁化膜 | |
| JPH06290497A (ja) | 光磁気記録媒体用ガーネット二層膜及び光磁気記録ディスク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040427 |