JPH11111785A - 半導体装置のワイヤオープン検出方法及び装置 - Google Patents
半導体装置のワイヤオープン検出方法及び装置Info
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- JPH11111785A JPH11111785A JP9273184A JP27318497A JPH11111785A JP H11111785 A JPH11111785 A JP H11111785A JP 9273184 A JP9273184 A JP 9273184A JP 27318497 A JP27318497 A JP 27318497A JP H11111785 A JPH11111785 A JP H11111785A
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パワーデバイスセルの複数本のワイヤにおい
て，オープン不良があっても，複数のワイヤの内，１本
でも結合されていれば不良検出ができない点を解消し，
オープンしたワイヤ数に左右されずオープン不良を容易
に検出することができるパワー半導体装置とそのワイヤ
オープン検出方法及び検出装置とを提供する。 【解決手段】 第１乃至第３のデバイスセル２ａ，２
ｂ，２ｃの複数本の第１の結合ワイヤ３ａ，３ｂ，３ｃ
に対応した各第１のパッド１ａ，１ｂ，１ｃから，第１
乃至第３の抵抗６ａ，６ｂ，６ｃを介してワイヤオープ
ン検出用の第２のパッド１ｄと第２のリード５に接続す
ることにより，第１のパッド１ａ，１ｂ，１ｃに，第１
の結合ワイヤ３ａ，３ｂ，３ｃを介して接続された第１
のリード４とワイヤオープン検出用の第２のリード５と
の間の抵抗の変化によりワイヤオープンを検出する。
て，オープン不良があっても，複数のワイヤの内，１本
でも結合されていれば不良検出ができない点を解消し，
オープンしたワイヤ数に左右されずオープン不良を容易
に検出することができるパワー半導体装置とそのワイヤ
オープン検出方法及び検出装置とを提供する。 【解決手段】 第１乃至第３のデバイスセル２ａ，２
ｂ，２ｃの複数本の第１の結合ワイヤ３ａ，３ｂ，３ｃ
に対応した各第１のパッド１ａ，１ｂ，１ｃから，第１
乃至第３の抵抗６ａ，６ｂ，６ｃを介してワイヤオープ
ン検出用の第２のパッド１ｄと第２のリード５に接続す
ることにより，第１のパッド１ａ，１ｂ，１ｃに，第１
の結合ワイヤ３ａ，３ｂ，３ｃを介して接続された第１
のリード４とワイヤオープン検出用の第２のリード５と
の間の抵抗の変化によりワイヤオープンを検出する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，パワーＭＯＳＦＥ
Ｔ等のパワー半導体装置，その不良検出方法及びと不良
検出装置に関する。
Ｔ等のパワー半導体装置，その不良検出方法及びと不良
検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来，パワーＭＯＳＦＥＴ（酸化金属電
界効果型トランジスタ）等のパワー半導体装置は，伝達
される電流が大きいため，図２に示すように，第１乃至
第３のデバイスセル（Ｍｆ１〜３）５２ａ，５２ｂ，５
２ｃに夫々接続された複数のパッド（Ｐａｄ１〜３）５
１ａ，５１ｂ，５１ｃとパッケージ５０のリード５４と
の間を結合する結合ワイヤ５３ａ，５３ｂ，５３ｃを複
数本にする必要性がある。パワー半導体装置は，複数の
結合ワイヤ５３ａ，５３ｂ，５３ｃに対応して複数のパ
ッド５１ａ，５１ｂ，５１ｃを持つ複数のデバイスセル
５２ａ，５２ｂ，５２ｃに分割されるが，ＤＣ及び高周
波（ＲＦ）動作の際のアンバランスを防ぐため，各デバ
イスセルの端で電極間金属配線５５ａ，５５ｂにより短
絡されている。
界効果型トランジスタ）等のパワー半導体装置は，伝達
される電流が大きいため，図２に示すように，第１乃至
第３のデバイスセル（Ｍｆ１〜３）５２ａ，５２ｂ，５
２ｃに夫々接続された複数のパッド（Ｐａｄ１〜３）５
１ａ，５１ｂ，５１ｃとパッケージ５０のリード５４と
の間を結合する結合ワイヤ５３ａ，５３ｂ，５３ｃを複
数本にする必要性がある。パワー半導体装置は，複数の
結合ワイヤ５３ａ，５３ｂ，５３ｃに対応して複数のパ
ッド５１ａ，５１ｂ，５１ｃを持つ複数のデバイスセル
５２ａ，５２ｂ，５２ｃに分割されるが，ＤＣ及び高周
波（ＲＦ）動作の際のアンバランスを防ぐため，各デバ
イスセルの端で電極間金属配線５５ａ，５５ｂにより短
絡されている。
【０００３】ここで，ワイヤ付着等のオープン不良があ
っても，複数のワイヤ５３ａ〜５３ｃの内，１本でも結
合されていれば正常なデバイス動作をするため，不良検
出ができない。ワイヤオープン不良のあるデバイスは，
短期的には正常動作をするが，ワイヤ５３ａ〜５３ｃの
安全に使用できる許容電流を越えているため，長期的に
は，ワイヤ破損を生じて正常なデバイス動作をしなくな
る。
っても，複数のワイヤ５３ａ〜５３ｃの内，１本でも結
合されていれば正常なデバイス動作をするため，不良検
出ができない。ワイヤオープン不良のあるデバイスは，
短期的には正常動作をするが，ワイヤ５３ａ〜５３ｃの
安全に使用できる許容電流を越えているため，長期的に
は，ワイヤ破損を生じて正常なデバイス動作をしなくな
る。
【０００４】この欠点を解消するために，特開平８−５
１１９０号公報（従来技術１と呼ぶ）には，電圧レギュ
レーターを用いた検出方法が開示されている。
１１９０号公報（従来技術１と呼ぶ）には，電圧レギュ
レーターを用いた検出方法が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来技
術１においては，検出端子間を定電圧にする用途のみに
限定され，通常のパワー半導体装置に適用できないとい
う欠点を有している。
術１においては，検出端子間を定電圧にする用途のみに
限定され，通常のパワー半導体装置に適用できないとい
う欠点を有している。
【０００６】また，従来技術１によるパワー半導体装置
の複数本の結合ワイヤ５３ａ〜５３ｃにおいて，結合ワ
イヤ５３ａ〜５３ｃが１本以上結合されていれば，短期
的にはデバイスは正常動作するために，ワイヤオープン
不良があっても，複数のうち１本だけでも，結合ワイヤ
５３ａ〜５３ｃが正常に結合されていれば不良検出がで
きないという欠点がある。
の複数本の結合ワイヤ５３ａ〜５３ｃにおいて，結合ワ
イヤ５３ａ〜５３ｃが１本以上結合されていれば，短期
的にはデバイスは正常動作するために，ワイヤオープン
不良があっても，複数のうち１本だけでも，結合ワイヤ
５３ａ〜５３ｃが正常に結合されていれば不良検出がで
きないという欠点がある。
【０００７】そこで，本発明の技術的課題は，複数本の
ワイヤを使用するパワー半導体装置において，ワイヤオ
ープン不良を検出し，デバイスの長期正常動作の信頼性
を確保することができる半導体装置とそのワイヤオープ
ン検出方法と検出装置とを提供することにある。
ワイヤを使用するパワー半導体装置において，ワイヤオ
ープン不良を検出し，デバイスの長期正常動作の信頼性
を確保することができる半導体装置とそのワイヤオープ
ン検出方法と検出装置とを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，デバイ
スセルに対応して設けられた複数の第１のパッドとパッ
ケージの単一の第１のリードとの間に，前記複数の第１
のパッドと同数の複数の第１の結合ワイヤを設けたパワ
ー半導体装置のワイヤオープンを検出する装置におい
て，更にワイヤオープン検出用の第２のリードとワイヤ
オープン検出用の第２のパッドとを第２の結合ワイヤを
介して設け，前記複数の第１のパッドと前記第２のパッ
ドとの間を，前記複数の第１のパッドと同数の抵抗を介
して接続し，前記第１のリードと前記第２のリードとの
間の抵抗値を基にワイヤオープン検出する構造を備えて
いることを特徴とする半導体装置のワイヤオープン検出
装置が得られる。
スセルに対応して設けられた複数の第１のパッドとパッ
ケージの単一の第１のリードとの間に，前記複数の第１
のパッドと同数の複数の第１の結合ワイヤを設けたパワ
ー半導体装置のワイヤオープンを検出する装置におい
て，更にワイヤオープン検出用の第２のリードとワイヤ
オープン検出用の第２のパッドとを第２の結合ワイヤを
介して設け，前記複数の第１のパッドと前記第２のパッ
ドとの間を，前記複数の第１のパッドと同数の抵抗を介
して接続し，前記第１のリードと前記第２のリードとの
間の抵抗値を基にワイヤオープン検出する構造を備えて
いることを特徴とする半導体装置のワイヤオープン検出
装置が得られる。
【０００９】また，本発明によれば，前記パワー半導体
装置のワイヤオープン検出装置において，前記各抵抗は
略同一抵抗値を有することを特徴とする半導体装置のワ
イヤオープン検出装置が得られる。
装置のワイヤオープン検出装置において，前記各抵抗は
略同一抵抗値を有することを特徴とする半導体装置のワ
イヤオープン検出装置が得られる。
【００１０】ここで，本発明において，前記半導体装置
のワイヤオープン検出装置において，前記各抵抗値は，
構成する材料によるが，１０Ω〜１０ｋΩの範囲内であ
ることが好ましい。
のワイヤオープン検出装置において，前記各抵抗値は，
構成する材料によるが，１０Ω〜１０ｋΩの範囲内であ
ることが好ましい。
【００１１】また，本発明によれば，デバイスセルの複
数の第１のパッドと，パッケージの単一の第１のリード
との間に，前記複数の第１のパッドと同数の複数の第１
の結合ワイヤを設けたパワー半導体装置のワイヤオープ
ンを検出する方法において，更にワイヤオープン検出用
の第２のリードとワイヤオープン検出用の第２のパッド
とを設け，前記第１のパッドと前記第２のパッドとの間
を，前記第１のパッドと同数の抵抗を介して接続し，前
記第１のリードと前記第２のリードとの間の抵抗値を基
にワイヤオープン検出することを特徴とする半導体装置
のワイヤオープン検出方法が得られる。
数の第１のパッドと，パッケージの単一の第１のリード
との間に，前記複数の第１のパッドと同数の複数の第１
の結合ワイヤを設けたパワー半導体装置のワイヤオープ
ンを検出する方法において，更にワイヤオープン検出用
の第２のリードとワイヤオープン検出用の第２のパッド
とを設け，前記第１のパッドと前記第２のパッドとの間
を，前記第１のパッドと同数の抵抗を介して接続し，前
記第１のリードと前記第２のリードとの間の抵抗値を基
にワイヤオープン検出することを特徴とする半導体装置
のワイヤオープン検出方法が得られる。
【００１２】また，本発明によれば，前記半導体装置の
ワイヤオープン検出方法において，前記各抵抗に，略同
一抵抗値を有するものを使用することを特徴とする半導
体装置のワイヤオープン検出方法が得られる。
ワイヤオープン検出方法において，前記各抵抗に，略同
一抵抗値を有するものを使用することを特徴とする半導
体装置のワイヤオープン検出方法が得られる。
【００１３】ここで，本発明のパワー半導体装置のオー
プン検出方法において，前記各抵抗値は，構成する材料
にもよるが，１０Ω〜１０ｋΩの範囲内であることが好
ましい。
プン検出方法において，前記各抵抗値は，構成する材料
にもよるが，１０Ω〜１０ｋΩの範囲内であることが好
ましい。
【００１４】また，本発明によれば，デバイスセルの複
数の第１のパッドとパッケージの単一の第１のリードと
の間に，前記複数の第１のパッドと同数の複数の第１の
結合ワイヤを設けた構造を備えた半導体装置において，
更にワイヤオープン検出用の第２のリードとワイヤオー
プン検出用の第２のパッドとを第２の結合ワイヤを介し
て設け，前記複数の第１のパッドと前記第２のパッドと
の間を，前記複数の第１のパッドと同数の抵抗を介して
接続し，前記第１のリードと前記第２のリードとの間の
抵抗値を基にワイヤオープン検出する構造を備えている
ことを特徴とする半導体装置が得られる。
数の第１のパッドとパッケージの単一の第１のリードと
の間に，前記複数の第１のパッドと同数の複数の第１の
結合ワイヤを設けた構造を備えた半導体装置において，
更にワイヤオープン検出用の第２のリードとワイヤオー
プン検出用の第２のパッドとを第２の結合ワイヤを介し
て設け，前記複数の第１のパッドと前記第２のパッドと
の間を，前記複数の第１のパッドと同数の抵抗を介して
接続し，前記第１のリードと前記第２のリードとの間の
抵抗値を基にワイヤオープン検出する構造を備えている
ことを特徴とする半導体装置が得られる。
【００１５】また，本発明によれば，前記半導体装置に
おいて，前記各抵抗は略同一抵抗値を有することを特徴
とする半導体装置が得られる。
おいて，前記各抵抗は略同一抵抗値を有することを特徴
とする半導体装置が得られる。
【００１６】ここで，本発明の半導体装置において，前
記各抵抗値は，構成する材料にもよるが，１０Ω〜１０
ｋΩの範囲内であることが好ましい。
記各抵抗値は，構成する材料にもよるが，１０Ω〜１０
ｋΩの範囲内であることが好ましい。
【００１７】また，本発明によれば，前記いずれかの半
導体装置において，パワーＭＯＳＦＥＴ（酸化金属電界
効果型）を構成していることを特徴とする半導体装置が
得られる。
導体装置において，パワーＭＯＳＦＥＴ（酸化金属電界
効果型）を構成していることを特徴とする半導体装置が
得られる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て，図１を参照して説明する。
て，図１を参照して説明する。
【００１９】図１は本発明の実施の形態によるワイヤオ
ープン検出装置のパワー半導体装置の構成を示す図であ
る図１を参照すると，パワー半導体装置は，パッケージ
１０内に設けられた第１乃至第３のデバイスセル（Ｍｆ
１〜Ｍｆ３）２ａ〜２ｃに分割され，各セルに対応する
各パッド（Ｐａｄ１〜Ｐａｄ３，以下，第１のパッドと
呼ぶ）１ａ〜１ｃを介して３本の結合ワイヤ（以下，第
１の結合ワイヤーと呼ぶ）３ａ〜３ｃにより，リード
（以下，第１のリードと呼ぶ）４に接続されている。各
第１のパッド１ａ，１ｂ，１ｃから，ワイヤオープン検
出用の第２のパッド（Ｐａｄ４）１ｄに，第１乃至第３
の抵抗（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３）６ａ，６ｂ，６ｃを介して
接続している。第１及び第２のリード４，５は，図示し
ないこの第１及び第２のリード４，５間の抵抗値を検出
するための抵抗検出手段に接続されている。
ープン検出装置のパワー半導体装置の構成を示す図であ
る図１を参照すると，パワー半導体装置は，パッケージ
１０内に設けられた第１乃至第３のデバイスセル（Ｍｆ
１〜Ｍｆ３）２ａ〜２ｃに分割され，各セルに対応する
各パッド（Ｐａｄ１〜Ｐａｄ３，以下，第１のパッドと
呼ぶ）１ａ〜１ｃを介して３本の結合ワイヤ（以下，第
１の結合ワイヤーと呼ぶ）３ａ〜３ｃにより，リード
（以下，第１のリードと呼ぶ）４に接続されている。各
第１のパッド１ａ，１ｂ，１ｃから，ワイヤオープン検
出用の第２のパッド（Ｐａｄ４）１ｄに，第１乃至第３
の抵抗（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３）６ａ，６ｂ，６ｃを介して
接続している。第１及び第２のリード４，５は，図示し
ないこの第１及び第２のリード４，５間の抵抗値を検出
するための抵抗検出手段に接続されている。
【００２０】第２のパッド１ｄは第２のワイヤ３ｄを介
して第２のリード５に接続されている。第１及び第２の
結合ワイヤ３ａ〜３ｄ，第１及び第２のパッド１ａ〜１
ｄ，及び配線は，金やＡｌなどの金属によって形成す
る。抵抗６ａ〜６ｃは，Ｓｉ基板に不純物を導入した拡
散層や，不純物を導入したポリシリコン層，あるいはＷ
Ｓｉなど，金属に比べて十分に高い抵抗材を用いて形成
する。
して第２のリード５に接続されている。第１及び第２の
結合ワイヤ３ａ〜３ｄ，第１及び第２のパッド１ａ〜１
ｄ，及び配線は，金やＡｌなどの金属によって形成す
る。抵抗６ａ〜６ｃは，Ｓｉ基板に不純物を導入した拡
散層や，不純物を導入したポリシリコン層，あるいはＷ
Ｓｉなど，金属に比べて十分に高い抵抗材を用いて形成
する。
【００２１】ここで，第１乃至第３の抵抗６ａ〜６ｃの
各抵抗値をＲ１＝Ｒ２＝Ｒ３＝９０Ωに設定すると，ワ
イヤオープン不良がなく正常の場合，第１及び第２のリ
ード４，５間の抵抗値は３０Ωである。
各抵抗値をＲ１＝Ｒ２＝Ｒ３＝９０Ωに設定すると，ワ
イヤオープン不良がなく正常の場合，第１及び第２のリ
ード４，５間の抵抗値は３０Ωである。
【００２２】しかし，第１のリード４から各第１のパッ
ド（Ｐａｄ１〜Ｐａｄ３）１ａ〜１ｃへの第１も結合ワ
イヤ３ａ〜３ｃでオープンがあった場合，１本オープン
で第１及び第２のリード４，５間の抵抗は４５Ω，２本
オープンで，第１及び第２のリード４，５間の抵抗は９
０Ω，３本全てオープンで第１及び第２のリード４，５
間の抵抗もオープン（∞）と抵抗値が変化する。
ド（Ｐａｄ１〜Ｐａｄ３）１ａ〜１ｃへの第１も結合ワ
イヤ３ａ〜３ｃでオープンがあった場合，１本オープン
で第１及び第２のリード４，５間の抵抗は４５Ω，２本
オープンで，第１及び第２のリード４，５間の抵抗は９
０Ω，３本全てオープンで第１及び第２のリード４，５
間の抵抗もオープン（∞）と抵抗値が変化する。
【００２３】従って，第１及び第２のリード４，５間の
抵抗を測定することにより，ワイヤオープンを検出する
ことができる。
抵抗を測定することにより，ワイヤオープンを検出する
ことができる。
【００２４】なお，検出用の第２のリード５と第２のパ
ッド（Ｐａｄ４）１ｄ間の第２のワイヤ１１ｄがオープ
ンであった場合も，第１及び第２のリード間はオープン
となる。また，抵抗検出手段は，検出する抵抗値のオー
ダーに対応し（∞は除く），且つ全てオープンを検出で
きるものであるならば，どのような構成を有するもので
あっても良い。
ッド（Ｐａｄ４）１ｄ間の第２のワイヤ１１ｄがオープ
ンであった場合も，第１及び第２のリード間はオープン
となる。また，抵抗検出手段は，検出する抵抗値のオー
ダーに対応し（∞は除く），且つ全てオープンを検出で
きるものであるならば，どのような構成を有するもので
あっても良い。
【００２５】次に，本発明の実施の形態の動作につい
て，図１を参照して説明する。
て，図１を参照して説明する。
【００２６】第１の結合ワイヤ３ａ〜３ｃにオープンが
生じた場合，抵抗６ａ〜６ｃの内のオープンしたワイヤ
に対応した抵抗がオープンとなる。
生じた場合，抵抗６ａ〜６ｃの内のオープンしたワイヤ
に対応した抵抗がオープンとなる。
【００２７】従って，デバイスの第１のリード４とワイ
ヤオープン検出用の第２のリード５との間の抵抗値が変
化する。従って，デバイスのリードと検出リード間の抵
抗を測定することにより，ワイヤオープンの有無を検出
することができる。
ヤオープン検出用の第２のリード５との間の抵抗値が変
化する。従って，デバイスのリードと検出リード間の抵
抗を測定することにより，ワイヤオープンの有無を検出
することができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
第１のリードと第１のパッドに，更に，ワイヤオープン
検出用の第２のリードと第２のパッドを設け，複数の第
１のワイヤに対応する第１のパッドから同一抵抗を介し
て接続することにより，ワイヤオープンのＤＣ検出を可
能にしたので，複数のワイヤを使用するパワー半導体装
置のワイヤオープンを検出できる半導体装置と，半導体
装置のオープン検出方法及び検出装置を提供することが
できる。
第１のリードと第１のパッドに，更に，ワイヤオープン
検出用の第２のリードと第２のパッドを設け，複数の第
１のワイヤに対応する第１のパッドから同一抵抗を介し
て接続することにより，ワイヤオープンのＤＣ検出を可
能にしたので，複数のワイヤを使用するパワー半導体装
置のワイヤオープンを検出できる半導体装置と，半導体
装置のオープン検出方法及び検出装置を提供することが
できる。
【図１】本発明の実施の形態によるワイヤオープン検出
装置を備えたパワー半導体装置の構成を示す図である。
装置を備えたパワー半導体装置の構成を示す図である。
【図２】従来のワイヤオープン検出装置を備えたパワー
半導体装置の一例を示す図である。
半導体装置の一例を示す図である。
１ａ，１ｂ，１ｃ， 第１のパッド（Ｐａｄ１，Ｐａ
ｄ２，Ｐａｄ３） １ｄ 第２のパッド（Ｐａｄ４） ２ａ，２ｂ，２ｃ 第１乃至第３のデバイスセル（Ｍ
ｆ１，Ｍｆ２，Ｍｆ３） ３ａ，３ｂ，３ｃ 第１の結合ワイヤ ３ｄ 第２の結合ワイヤ ４ 第１のリード ５ 第２のリード １０ パッケージ ５０ パッケージ ５１ａ，５１ｂ，５１ｃ パッド（Ｐａｄ１，Ｐａｄ
２，Ｐａｄ３） ５３ａ，５３ｂ，５３ｃ 結合ワイヤ ５４ リード ５５ａ，５５ｂ 電極間金属配線
ｄ２，Ｐａｄ３） １ｄ 第２のパッド（Ｐａｄ４） ２ａ，２ｂ，２ｃ 第１乃至第３のデバイスセル（Ｍ
ｆ１，Ｍｆ２，Ｍｆ３） ３ａ，３ｂ，３ｃ 第１の結合ワイヤ ３ｄ 第２の結合ワイヤ ４ 第１のリード ５ 第２のリード １０ パッケージ ５０ パッケージ ５１ａ，５１ｂ，５１ｃ パッド（Ｐａｄ１，Ｐａｄ
２，Ｐａｄ３） ５３ａ，５３ｂ，５３ｃ 結合ワイヤ ５４ リード ５５ａ，５５ｂ 電極間金属配線
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｅ Ｒ
Claims (7)
- 【請求項１】 デバイスセルに対応して設けられた複数
の第１のパッドとパッケージの単一の第１のリードとの
間に，前記複数の第１のパッドと同数の複数の第１の結
合ワイヤを設けたパワー半導体装置のワイヤオープンを
検出する装置において，更にワイヤオープン検出用の第
２のリードとワイヤオープン検出用の第２のパッドとを
第２の結合ワイヤを介して設け，前記複数の第１のパッ
ドと前記第２のパッドとの間を，前記複数の第１のパッ
ドと同数の抵抗を介して接続し，前記第１のリードと前
記第２のリードとの間の抵抗値を基にワイヤオープン検
出する構造を備えていることを特徴とする半導体装置の
ワイヤオープン検出装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置のワイヤオー
プン検出装置において，前記各抵抗は略同一抵抗値を有
することを特徴とする半導体装置のワイヤオープン検出
装置。 - 【請求項３】 デバイスセルの複数の第１のパッドと，
パッケージの単一の第１のリードとの間に，前記複数の
第１のパッドと同数の複数の第１の結合ワイヤを設けた
パワー半導体装置のワイヤオープンを検出する方法にお
いて，更にワイヤオープン検出用の第２のリードとワイ
ヤオープン検出用の第２のパッドとを設け，前記第１の
パッドと前記第２のパッドとの間を，前記第１のパッド
と同数の抵抗を介して接続し，前記第１のリードと前記
第２のリードとの間の抵抗値を基にワイヤオープン検出
することを特徴とする半導体装置のワイヤオープン検出
方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置のワイヤオー
プン検出方法において，前記各抵抗に，略同一抵抗値を
有するものを使用することを特徴とする半導体装置のワ
イヤオープン検出方法。 - 【請求項５】 パワーデバイスの複数の第１のパッドと
パッケージの単一の第１のリードとの間に，前記複数の
第１のパッドと同数の複数の第１の結合ワイヤを設けた
構造を備えたパワー半導体装置において，更にワイヤオ
ープン検出用の第２のリードとワイヤオープン検出用の
第２のパッドとを第２の結合ワイヤを介して設け，前記
複数の第１のパッドと前記第２のパッドとの間を，前記
複数の第１のパッドと同数の抵抗を介して接続し，前記
第１のリードと前記第２のリードとの間の抵抗値を基に
ワイヤオープン検出する構造を備えていることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体装置において，前
記各抵抗は略同一抵抗値を有することを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項７】 請求項５又は６記載の半導体装置におい
て，パワーＭＯＳＦＥＴを構成していることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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