JPH1111923A - 高純度炭化珪素粉およびその製造方法 - Google Patents
高純度炭化珪素粉およびその製造方法Info
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- JPH1111923A JPH1111923A JP9179175A JP17917597A JPH1111923A JP H1111923 A JPH1111923 A JP H1111923A JP 9179175 A JP9179175 A JP 9179175A JP 17917597 A JP17917597 A JP 17917597A JP H1111923 A JPH1111923 A JP H1111923A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、半導体製品を汚染することがない高
純度の炭化珪素粉、特にウエハの熱処理時の融着防止用
緩衝剤として使用しても鉄成分によるウエハの汚染の起
らない超高純度の炭化珪素粉、およびその製造方法を提
供すること。 【解決手段】１６０℃の加熱したフッ化水素酸に溶出す
る鉄成分の溶出量が炭化珪素粉１グラム当たり１０ナノ
グラム以下である高純度炭化珪素粉、および炭化珪素粉
と鉱酸の混合物を加圧下で加熱処理する前記高純度炭化
珪素粉の製造方法。
純度の炭化珪素粉、特にウエハの熱処理時の融着防止用
緩衝剤として使用しても鉄成分によるウエハの汚染の起
らない超高純度の炭化珪素粉、およびその製造方法を提
供すること。 【解決手段】１６０℃の加熱したフッ化水素酸に溶出す
る鉄成分の溶出量が炭化珪素粉１グラム当たり１０ナノ
グラム以下である高純度炭化珪素粉、および炭化珪素粉
と鉱酸の混合物を加圧下で加熱処理する前記高純度炭化
珪素粉の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高純度炭化珪素粉及び
その製造方法、詳しくは高純度化が進む半導体工業で有
用な高純度炭化珪素粉及びその製造方法に関する。特
に、シリコンウエハを重ねて熱処理する際の焼き付け防
止緩衝剤として有用な高純度炭化珪素粉及びその製造方
法に関する。
その製造方法、詳しくは高純度化が進む半導体工業で有
用な高純度炭化珪素粉及びその製造方法に関する。特
に、シリコンウエハを重ねて熱処理する際の焼き付け防
止緩衝剤として有用な高純度炭化珪素粉及びその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、炭化珪素粉はセラミックス材料とし
て用いられてきたが、半導体工業で使用する炭化珪素セ
ラミックス部材は高純度であることが要請され、各種高
純度の炭化珪素部材が提案されている。しかしながら、
従来の炭化珪素セラミックス部材は最近特に問題となっ
ている鉄成分の含有量が多く、それを原料として作成し
た半導体処理用部材で半導体製品を処理すると含有する
鉄成分で半導体製品を汚染し、最悪の場合使用不能とな
ることがある。特に炭化珪素粉をシリコンウエハの熱処
理時の融着防止緩衝剤として使用する場合には１０００
℃を超える高温に晒されるところから、含有する鉄成分
が放出し易くシリコンウエハの汚染が起りウエハの劣化
が起る。こうした不純物を除去するため塩酸や硝酸のよ
うな一般的な鉱酸や、これに過酸化水素を添加した洗浄
液で処理することが提案されているが、いずれもシリコ
ンウエハの熱処理時の融着防止緩衝剤とするには純度が
満足するものではなかった。前記に加えて、市販の炭化
珪素粉は硬度が高く、しかも高温下で軟化しにくいた
め、それを用いた融着防止緩衝剤は特公昭６３−４３４
４号公報に記載するように炭化珪素粉がシリコンウエハ
の表面にくい込みそのまま残こり、ウエハの格子欠陥の
原因となり、またその除去に薬剤による長時間の処理が
必要であるなどの欠点があった。
て用いられてきたが、半導体工業で使用する炭化珪素セ
ラミックス部材は高純度であることが要請され、各種高
純度の炭化珪素部材が提案されている。しかしながら、
従来の炭化珪素セラミックス部材は最近特に問題となっ
ている鉄成分の含有量が多く、それを原料として作成し
た半導体処理用部材で半導体製品を処理すると含有する
鉄成分で半導体製品を汚染し、最悪の場合使用不能とな
ることがある。特に炭化珪素粉をシリコンウエハの熱処
理時の融着防止緩衝剤として使用する場合には１０００
℃を超える高温に晒されるところから、含有する鉄成分
が放出し易くシリコンウエハの汚染が起りウエハの劣化
が起る。こうした不純物を除去するため塩酸や硝酸のよ
うな一般的な鉱酸や、これに過酸化水素を添加した洗浄
液で処理することが提案されているが、いずれもシリコ
ンウエハの熱処理時の融着防止緩衝剤とするには純度が
満足するものではなかった。前記に加えて、市販の炭化
珪素粉は硬度が高く、しかも高温下で軟化しにくいた
め、それを用いた融着防止緩衝剤は特公昭６３−４３４
４号公報に記載するように炭化珪素粉がシリコンウエハ
の表面にくい込みそのまま残こり、ウエハの格子欠陥の
原因となり、またその除去に薬剤による長時間の処理が
必要であるなどの欠点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み本
発明者等は鋭意研究を続けた結果、市販の高純度の炭化
珪素粉、特にβ型炭化珪素粉を加圧下で加熱した鉱酸、
特に加熱したフッ化水素酸で処理すると抽出される鉄成
分がナノグラム単位まで容易に除去でき、融着防止緩衝
剤として使用してもシリコンウエハを汚染することがな
いことを見出した。さらに前記炭化珪素粉はシリコンウ
エハに損傷を与えることがないこともわかった。こうし
た知見に基づいて本発明は完成したものである。すなわ
ち、
発明者等は鋭意研究を続けた結果、市販の高純度の炭化
珪素粉、特にβ型炭化珪素粉を加圧下で加熱した鉱酸、
特に加熱したフッ化水素酸で処理すると抽出される鉄成
分がナノグラム単位まで容易に除去でき、融着防止緩衝
剤として使用してもシリコンウエハを汚染することがな
いことを見出した。さらに前記炭化珪素粉はシリコンウ
エハに損傷を与えることがないこともわかった。こうし
た知見に基づいて本発明は完成したものである。すなわ
ち、
【０００４】本発明は、半導体工業用部材の原料として
有用な高純度炭化珪素粉を提供することを目的とする。
有用な高純度炭化珪素粉を提供することを目的とする。
【０００５】また、本発明は、上記高純度炭化珪素粉か
らなるウエハの融着防止用緩衝剤を提供することを目的
とする。
らなるウエハの融着防止用緩衝剤を提供することを目的
とする。
【０００６】さらに、本発明は、上記高純度炭化珪素粉
の製造方法を提供することを目的とする。
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、１６０℃の加熱したフッ化水素酸に溶出する鉄成
分の溶出量が炭化珪素粉１グラム当たり１０ナノグラム
以下であることを特徴とする高純度炭化珪素粉、および
該高純度炭化珪素粉の製造方法に係る。
明は、１６０℃の加熱したフッ化水素酸に溶出する鉄成
分の溶出量が炭化珪素粉１グラム当たり１０ナノグラム
以下であることを特徴とする高純度炭化珪素粉、および
該高純度炭化珪素粉の製造方法に係る。
【０００８】本発明の高純度炭化珪素粉は、上述のとお
り１６０℃の加熱したフッ化水素酸に溶出する鉄成分の
溶出量が炭化珪素粉１グラム当たり１０ナノグラム以下
の超高純度の炭化珪素粉である。前記炭化珪素粉をウエ
ハの融着防止用緩衝剤として使用し１０００℃を超える
高温で加熱しても鉄成分を放出し、シリコンウエハを汚
染することがない。本発明の炭化珪素粉の純度を１６０
℃の加圧下で加熱したフッ化水素酸に溶出する鉄成分の
溶出量と規定したのは１０００℃を超えるウエハの熱処
理時に放出される鉄成分が前記加熱フッ化水素酸に抽出
される状態の鉄成分に類似するとの知見に基づくもので
ある。
り１６０℃の加熱したフッ化水素酸に溶出する鉄成分の
溶出量が炭化珪素粉１グラム当たり１０ナノグラム以下
の超高純度の炭化珪素粉である。前記炭化珪素粉をウエ
ハの融着防止用緩衝剤として使用し１０００℃を超える
高温で加熱しても鉄成分を放出し、シリコンウエハを汚
染することがない。本発明の炭化珪素粉の純度を１６０
℃の加圧下で加熱したフッ化水素酸に溶出する鉄成分の
溶出量と規定したのは１０００℃を超えるウエハの熱処
理時に放出される鉄成分が前記加熱フッ化水素酸に抽出
される状態の鉄成分に類似するとの知見に基づくもので
ある。
【０００９】上記高純度炭化珪素粉は、炭化珪素粉に鉱
酸を加え、加圧下で加熱することで製造できるが、好ま
しくは室温で炭化珪素粉とフッ化水素酸を密閉容器に導
入し、それを１６０℃に加熱保持して内部に加圧状態を
作り出すのがよい。後に室温にまで冷却しフッ化水素酸
中に抽出された鉄成分含有量を炭化珪素粉１グラム当た
り１０ナノグラム以下であるかを確認する。前記抽出さ
れる鉄成分の含有量はフッ化水素酸中の鉄成分含有量を
モニターすることで測定できる。前記製造方法の１回目
でフッ化水素酸中の鉄成分含有量が炭化珪素粉１グラム
当たり１０ナノグラムを超えるときは、フッ化水素酸を
取り替えたのち加圧下の加熱フッ化水素酸処理を溶出す
る鉄成分含有量が１０ナノグラム以下になるまで繰り返
す。より好ましい製造方法は炭化珪素粉重量１ｇに対し
て５ｍｌの割合で５０％フッ化水素酸を加える方法であ
る。前記製造方法では炭化珪素粉に付着する不純物のす
すぎと処理効率とがバランスよく行え経済的である。
酸を加え、加圧下で加熱することで製造できるが、好ま
しくは室温で炭化珪素粉とフッ化水素酸を密閉容器に導
入し、それを１６０℃に加熱保持して内部に加圧状態を
作り出すのがよい。後に室温にまで冷却しフッ化水素酸
中に抽出された鉄成分含有量を炭化珪素粉１グラム当た
り１０ナノグラム以下であるかを確認する。前記抽出さ
れる鉄成分の含有量はフッ化水素酸中の鉄成分含有量を
モニターすることで測定できる。前記製造方法の１回目
でフッ化水素酸中の鉄成分含有量が炭化珪素粉１グラム
当たり１０ナノグラムを超えるときは、フッ化水素酸を
取り替えたのち加圧下の加熱フッ化水素酸処理を溶出す
る鉄成分含有量が１０ナノグラム以下になるまで繰り返
す。より好ましい製造方法は炭化珪素粉重量１ｇに対し
て５ｍｌの割合で５０％フッ化水素酸を加える方法であ
る。前記製造方法では炭化珪素粉に付着する不純物のす
すぎと処理効率とがバランスよく行え経済的である。
【００１０】本発明の製造方法における加熱温度は精製
効率から高温の方がよい。高純度の耐熱性容器としてフ
ッ素樹脂容器が好適であり、この容器の耐熱限界である
１６０℃を加熱温度とし、加熱時間を３〜１０時間とす
るのがよい。加熱時間が３時間未満では容器内の温度の
均一化が不十分で抽出が充分行われず。また１０時間を
超えても処理効率の向上が望めない。こうした加圧下で
の加熱処理で炭化珪素粒子の表面に形成されている二酸
化珪素の酸化膜中の鉄成分が容易に溶出され、ウエハの
熱処理時にウエハを鉄成分で汚染することがない。
効率から高温の方がよい。高純度の耐熱性容器としてフ
ッ素樹脂容器が好適であり、この容器の耐熱限界である
１６０℃を加熱温度とし、加熱時間を３〜１０時間とす
るのがよい。加熱時間が３時間未満では容器内の温度の
均一化が不十分で抽出が充分行われず。また１０時間を
超えても処理効率の向上が望めない。こうした加圧下で
の加熱処理で炭化珪素粒子の表面に形成されている二酸
化珪素の酸化膜中の鉄成分が容易に溶出され、ウエハの
熱処理時にウエハを鉄成分で汚染することがない。
【００１１】上記製造方法で使用する容器としては加圧
に耐えるオートクレーブが考えられるが、フッ化水素酸
を１６０℃に加熱するとフッ素成分が揮発し容器内圧力
を上昇させるところから密閉容器で充分である。前記密
閉容器に炭化珪素粉とフッ化水素酸を導入し１６０℃に
加熱すると、容器内はおよそ１．５気圧に達し、二酸化
珪素が激しくエッチングされ含有鉄成分の精製が充分に
行なわれる。前記密閉容器の具体例としては、フッ素樹
脂の密閉容器をステンレスのような金属ジャケットに収
めた二重容器が挙げられる。
に耐えるオートクレーブが考えられるが、フッ化水素酸
を１６０℃に加熱するとフッ素成分が揮発し容器内圧力
を上昇させるところから密閉容器で充分である。前記密
閉容器に炭化珪素粉とフッ化水素酸を導入し１６０℃に
加熱すると、容器内はおよそ１．５気圧に達し、二酸化
珪素が激しくエッチングされ含有鉄成分の精製が充分に
行なわれる。前記密閉容器の具体例としては、フッ素樹
脂の密閉容器をステンレスのような金属ジャケットに収
めた二重容器が挙げられる。
【００１２】本発明の製造方法では、最大粒径が１５０
μｍ以下、かさ密度が１．２ｇ／ｃｍ3以下の高純度の
炭化珪素粉、好ましくはβ型炭化珪素粉を使用するのが
よい。前記炭化珪素粉の原料として一次粒子の粗いもの
を用いると、抽出される鉄成分を炭化珪素粉１グラム当
たり１０ナノグラム以下とするための処理回数を多くす
る必要があるので、最大粒径を１５０μｍとする。最大
粒径が１５０μｍ以下の細粉であっても、かさ密度が
１．２ｇ／ｃｍ3を超えるような、強く凝集した状態は
鉄成分の抽出が良好に行われず処理回数が多くなる。前
記珪素粉原料としては、例えばイビデン社製炭化珪素粉
（商品名ＳＣＰ−００）などを挙げることができる。
μｍ以下、かさ密度が１．２ｇ／ｃｍ3以下の高純度の
炭化珪素粉、好ましくはβ型炭化珪素粉を使用するのが
よい。前記炭化珪素粉の原料として一次粒子の粗いもの
を用いると、抽出される鉄成分を炭化珪素粉１グラム当
たり１０ナノグラム以下とするための処理回数を多くす
る必要があるので、最大粒径を１５０μｍとする。最大
粒径が１５０μｍ以下の細粉であっても、かさ密度が
１．２ｇ／ｃｍ3を超えるような、強く凝集した状態は
鉄成分の抽出が良好に行われず処理回数が多くなる。前
記珪素粉原料としては、例えばイビデン社製炭化珪素粉
（商品名ＳＣＰ−００）などを挙げることができる。
【００１３】本発明の製造方法で製造された炭化珪素粉
は、高純度であるところから、緩衝剤にとどまらず、焼
結して半導体製品処理用部材としても使用できる。
は、高純度であるところから、緩衝剤にとどまらず、焼
結して半導体製品処理用部材としても使用できる。
【００１４】
【発明の実施の態様】次に具体例に基づいて本発明を詳
細に説明するが、本発明はそれにより限定されるもので
はない。
細に説明するが、本発明はそれにより限定されるもので
はない。
【００１５】
実施例１ β型結晶の高純度炭化珪素粉（イビデン株式会社ＳＣＰ
−００）１ｇをフッ化樹脂製容器に入れ、５ｍｌの５０
％フッ化水素酸を加え、密閉蓋をしたのち、金属ジャケ
ットに収めた。前記高純度炭化珪素粉は１００メッシュ
のふるいをパスした最大粒径が１４０μｍ以下、かさ密
度が１．０１ｇ／ｃｍ3の炭化珪素粉である。
−００）１ｇをフッ化樹脂製容器に入れ、５ｍｌの５０
％フッ化水素酸を加え、密閉蓋をしたのち、金属ジャケ
ットに収めた。前記高純度炭化珪素粉は１００メッシュ
のふるいをパスした最大粒径が１４０μｍ以下、かさ密
度が１．０１ｇ／ｃｍ3の炭化珪素粉である。
【００１６】上記金属ジャケットごと１６０℃に加熱
し、４時間保持した後室温にまで冷却し、その上澄みの
フッ化水素酸中の鉄成分を原子吸光光度法で測定した。
その結果は１０２０ナノグラムであった。この炭化珪素
粉を取り出して純水で２回洗浄し、再び５ｍｌのフッ化
水素酸を新たに加え加熱抽出した。２回目に抽出された
鉄成分は２０ナノグラムであった。さらに繰り返して処
理を行ったところ、３回目には原子吸光光度法の定量限
界の１０ナノグラム以下となった。この炭化珪素粉を取
り出して純水で洗浄し、クリーンオーブンで乾燥して、
高純度炭化珪素粉を得た。前記炭化珪素粉を、直径３イ
ンチのウエハ５０枚の間に少量ずつ撒き散らして縦に積
み重ねて熱処理したところ、緩衝効果は良好であり、ミ
ノリティキャリアーのライフタイムの劣化もなかった。
し、４時間保持した後室温にまで冷却し、その上澄みの
フッ化水素酸中の鉄成分を原子吸光光度法で測定した。
その結果は１０２０ナノグラムであった。この炭化珪素
粉を取り出して純水で２回洗浄し、再び５ｍｌのフッ化
水素酸を新たに加え加熱抽出した。２回目に抽出された
鉄成分は２０ナノグラムであった。さらに繰り返して処
理を行ったところ、３回目には原子吸光光度法の定量限
界の１０ナノグラム以下となった。この炭化珪素粉を取
り出して純水で洗浄し、クリーンオーブンで乾燥して、
高純度炭化珪素粉を得た。前記炭化珪素粉を、直径３イ
ンチのウエハ５０枚の間に少量ずつ撒き散らして縦に積
み重ねて熱処理したところ、緩衝効果は良好であり、ミ
ノリティキャリアーのライフタイムの劣化もなかった。
【００１７】比較例１ 実施例１で製造した炭化珪素粉を単に純水で洗浄し、乾
燥しただけで、実施例１と同様にして３インチの口径の
ウエハ５０枚の間に少量ずつ撒き散らして縦に積み重ね
て熱処理したところ、ウエハ同士の貼り付きは生じなか
ったが、鉄成分による汚染が原因と思われるミノリティ
キャリアーのライフタイムの劣化が起こった。
燥しただけで、実施例１と同様にして３インチの口径の
ウエハ５０枚の間に少量ずつ撒き散らして縦に積み重ね
て熱処理したところ、ウエハ同士の貼り付きは生じなか
ったが、鉄成分による汚染が原因と思われるミノリティ
キャリアーのライフタイムの劣化が起こった。
【００１８】比較例２ １００メッシュふるい上の、平均粒径が１７０μｍの炭
化珪素粉を実施例１と同様にして加圧下でフッ化水素酸
で洗浄した。前記炭化珪素粉のかさ密度は１．４ｇ／ｃ
ｍ3あった。フッ化水素酸に抽出された鉄成分は炭化珪
素粉１ｇあたりで、１回目が８００ナノグラム、２回目
が６２０ナノグラム、３回目が４９０ナノグラム、４回
目が４９０ナノグラムであった。実施例１と同様にウエ
ハ貼り付き防止に用いたところ、ライフタイムの劣化が
生じて、ウエハは総て規格外のものになってしまった。
化珪素粉を実施例１と同様にして加圧下でフッ化水素酸
で洗浄した。前記炭化珪素粉のかさ密度は１．４ｇ／ｃ
ｍ3あった。フッ化水素酸に抽出された鉄成分は炭化珪
素粉１ｇあたりで、１回目が８００ナノグラム、２回目
が６２０ナノグラム、３回目が４９０ナノグラム、４回
目が４９０ナノグラムであった。実施例１と同様にウエ
ハ貼り付き防止に用いたところ、ライフタイムの劣化が
生じて、ウエハは総て規格外のものになってしまった。
【００１９】
【発明の効果】本発明の高純度炭化珪素粉は、鉄成分の
含有量が極めて少なく半導体工業で使用する各種部材の
原料として有用である。特にウエハの熱処理時の融着防
止用緩衝剤として使用してもウエハを鉄成分で汚染する
ことがない。前記高純度炭化珪素粉は容器内に炭化珪素
粉末と鉱酸を導入し、加圧下で加熱することで容易に製
造でき工業的価値が高いものである。
含有量が極めて少なく半導体工業で使用する各種部材の
原料として有用である。特にウエハの熱処理時の融着防
止用緩衝剤として使用してもウエハを鉄成分で汚染する
ことがない。前記高純度炭化珪素粉は容器内に炭化珪素
粉末と鉱酸を導入し、加圧下で加熱することで容易に製
造でき工業的価値が高いものである。
フロントページの続き (72)発明者 笠原 晶夫 新潟県中頸城郡頸城村大字城野腰新田596 番地２ 直江津電子工業株式会社内 (72)発明者 前川 清貴 福井県武生市北府２丁目１番５号 株式会 社福井環境分析センター内 (72)発明者 辻 忠左衛門 福井県武生市北府２丁目１番５号 株式会 社福井環境分析センター内 (72)発明者 斉藤 学 福井県武生市北府２丁目１番５号 株式会 社福井環境分析センター内
Claims (7)
- 【請求項１】１６０℃の加熱したフッ化水素酸に溶出す
る鉄成分の溶出量が炭化珪素粉１グラム当たり１０ナノ
グラム以下であることを特徴とする高純度炭化珪素粉。 - 【請求項２】炭化珪素粉と鉱酸との混合物を容器内に導
入しそれを加圧下で加熱処理することを特徴とする高純
度炭化珪素粉の製造方法。 - 【請求項３】鉱酸がフッ化水素酸であることを特徴とす
る請求項２記載の高純度炭化珪素粉の製造方法。 - 【請求項４】容器内に炭化珪素粉とフッ化水素酸を導入
し加圧下で加熱処理する工程を溶出する鉄成分量が炭化
珪素粉１グラム当たり１０ナノグラム以下となるまで繰
り返すことを特徴とする請求項３記載の高純度炭化珪素
粉の製造方法。 - 【請求項５】炭化珪素粉１グラムに対し５ｍｌの割合で
５０％フッ化水素酸を加え加圧下で加熱処理することを
特徴とする請求項３又は４記載の高純度炭化珪素粉の製
造方法。 - 【請求項６】密閉容器内に炭化珪素粉とフッ化水素酸を
導入し１６０℃に加熱保持することを特徴とする請求項
３ないし５のいずれか１記載の高純度炭化珪素粉の製造
方法。 - 【請求項７】炭化珪素粉がかさ密度１．２ｇ／ｃｍ3以
下、最大粒径１５０μｍ以下のβ型炭化珪素粉であるこ
とを特徴とする請求項２ないし６のいずれか１記載の高
純度炭化珪素粉の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17917597A JP4006716B2 (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 高純度炭化珪素粉およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17917597A JP4006716B2 (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 高純度炭化珪素粉およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1111923A true JPH1111923A (ja) | 1999-01-19 |
| JP4006716B2 JP4006716B2 (ja) | 2007-11-14 |
Family
ID=16061258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17917597A Expired - Fee Related JP4006716B2 (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 高純度炭化珪素粉およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4006716B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012509975A (ja) * | 2008-12-29 | 2012-04-26 | ダイキン工業株式会社 | 架橋性含フッ素エラストマー組成物および該組成物から作製された成形品 |
| US20150001766A1 (en) * | 2013-07-01 | 2015-01-01 | Dale Adams | Process for sintering silicon carbide |
| US9556073B2 (en) * | 2013-07-01 | 2017-01-31 | Dale Adams | Process for sintering silicon carbide |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5999715B2 (ja) | 2011-08-24 | 2016-09-28 | 太平洋セメント株式会社 | 炭化珪素粉末の製造方法 |
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| JPH0532458A (ja) * | 1990-11-20 | 1993-02-09 | Asahi Glass Co Ltd | 半導体熱処理装置および半導体熱処理装置用高純度炭化珪素質部材とその製造方法 |
| JPH0948605A (ja) * | 1995-05-31 | 1997-02-18 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法及び単結晶 |
-
1997
- 1997-06-20 JP JP17917597A patent/JP4006716B2/ja not_active Expired - Fee Related
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