JPH11119263A - 反強誘電性液晶パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アミューズメント用反強誘電性液晶パネルに
対応可能な反強誘電性液晶パネルの製造方法を提供する
こと 【解決手段】 第１の基板１１にブラックマトリクス１
３を設け、そのブラックマトリクス１３上にカラーフィ
ルター１４を設け、その上にオーバーコート１５を設
け、さらに透明電極パターン１６を設け、さらにその上
に第１の絶縁膜１７を設け、さらにその上にに第２の絶
縁膜１８を設け、さらにその上に配向膜１９を設け、配
向処理を施す工程と、第２の基板１２の上に、透明電極
パターン１６を設け、さらにその上に第１の絶縁膜１７
を設け、さらにその上に第２の絶縁膜１８を設け、配向
膜１９を設け、配向処理を施す工程と、さらにギャップ
材２０を散布する工程と、アライメントマークを用いて
重ね合わせる工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反強誘電性液晶パ
ネルの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来技術の反強誘電性液晶パネルの製造
方法を図１１を用いて説明する。第１の基板１１の上に
クロムなどのメタルを用いブラックマトリクス１３を格
子上に形成する。さらにブラックマトリクス１３の周辺
に設けられたアライメントマークを用い、その上にカラ
ーフィルター１４を作成する。さらにその上に感光性ア
クリル樹脂などを用い、オーバーコート１５を設ける。

【０００３】さらに２０〜３０ｎｍでＳｉＯ膜（図示せ
ず）を形成し、さらにその上に透明電極１６を低温スパ
ッタ法などを用い１０〜２０Ω／□の抵抗で成膜する。
その後、透明電極１６をブラックマトリクス１３やＣＦ
１４のアライメントマーク（図示せず）に合わせパター
ニングを行い、透明電極パターンを形成する。さらに、
その上にポリイミドやポリアミック酸を原料とする配向
膜１９を、膜厚５０ｎｍで塗布し、ラビング法を用い配
向処理を施す。

【０００４】つぎに、第２の基板１２上に、透明電極１
６を設け、対になる第１の基板１１に直交するように透
明電極パターニングを形成する。

【０００５】つぎに、五酸化タンタルで第１の絶縁膜１
７を低温スパッタリング法を用い、１００ｎｍ〜１５０
ｎｍの膜厚で形成する。

【０００６】また、第１の絶縁膜１７として、テトラア
ルコキシシランの加水分解物のオフセット印刷法などを
用いて塗布し、２００℃から２５０℃の範囲で約１時間
焼成したものを使用する。

【０００７】さらに、その上にポリイミドやポリアミッ
ク酸を原料とする配向膜１９を、膜厚５０ｎｍで塗布
し、ラビング法を用い配向処理を施す。

【０００８】つぎに、第１の基板１１上に熱硬化型のエ
ポキシ系接着剤を所定パターンにスクリーン印刷を行た
ものをシール２２とする。

【０００９】つぎに、第２の基板１２にギャップ材とし
て球径が１．５μｍから１．７μｍのシリカビーズ２０
を散布する。散布個数は、セルギャップを均一に出すた
めにシリカビーズ２０は５００個／ｍｍ² 〜１４００個
／ｍｍ² とする。

【００１０】つぎに、第１の基板１１と第２の基板１２
にあらかじめ設けたアライメントマークを用いて重ね合
わせる。このとき、シール２２を熱硬化するために１．
０〜２．０ｋｇ／ｃｍ² の圧力を掛けながら、１２０℃
〜１６０℃の温度で１時間〜２時間炉の中で焼成する。

【００１１】その後、貼り合わせた基板を所定の大きさ
に切断し、液晶パネルとする。その後、液晶パネルに加
熱真空注入法や加熱二穴注入方法（図示せず）を用い
て、反強誘電性液晶をＩｓｏ温度以上に熱した後、セル
内に注入し、反強誘電性液晶パネルとする。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】反強誘電性液晶パネル
では、セルギャップが１．５μｍ〜１．７μｍと薄い。
このため、第１の基板と第２の基板を重ね合わせ、液晶
パネルとする工程で、１．７μｍ以上の微小導電粒や工
程内の冶工具から発生する微小金属粉が入った場合、上
下間の透明電極パターンで上下ショートが発生する可能
性が非常に大きい。

【００１３】また、反強誘電性液晶の駆動電圧は通常の
スーパーツイストネマティックモード（以下ＳＴＮ）の
Ｖに対し±３０Ｖと非常に高い。このため、上下電極の
単位セルギャップ間に印加される電圧は、１５Ｖ／μｍ
と非常に高くなる。

【００１４】このため、上下ショートの原因となる微小
な金属粉がセルギャップより大きい１．７μｍ以上の場
合や、１．７μｍ未満の小さなゴミが配向膜上に突起し
ていても、その粒子の放電により上下導通する可能性が
非常に高くなり、上下ショートの発生要因になる。

【００１５】従来のＳＴＮ液晶パネルでは、上下ショー
ト対策のために、第１の基板か第２の基板のどちらか一
方の透明電極上に絶縁膜を６０ｎｍ〜７０ｎｍの膜厚で
塗布している。

【００１６】また、セルギャップが狭い従来の反強誘電
性液晶パネルでは、セルギャップが狭いために、第１の
基板か第２の基板のどちらか一方の透明電極上に１００
ｎｍ〜１５０ｎｍと絶縁膜を厚く塗布している。しかし
ながら、上下ショートが完全には防げないで歩留まりを
低下させる原因になる。

【００１７】改善策として、第１の基板と第２の基板の
両方の透明電極上に低温スパッタ法で五酸化タンタル膜
を１００ｎｍ〜１５０ｎｍの膜厚で形成した場合、上下
ショートは低減し歩留まりは向上する。しかしながら、
膜付け工程がバッチ処理であることと、製膜装置の維持
にコストがかかることと、全面に均一な膜厚が得られな
いことから量産性が低いという欠点がある。

【００１８】また、テトラアルコキシシランの加水分解
物を含む有機材料をオフセット印刷法で、塗布し、３５
０℃で加熱焼成することによりＳｉＯ２化させることが
可能である。この材料は、オフセット印刷が可能なこと
から、量産性は高く実用的である。しかしながら、１５
０ｎｍ〜２００ｎｍと厚く塗布した場合でも、焼成温度
が実際の硬度を得るために必要とする４５０℃以上に達
しない理由によって、膜硬化後の膜質が柔らかく、微小
金属粉が絶縁膜を貫通して、上下ショートが抑えられな
い。

【００１９】また、テトラアルコキシシランの加水分解
物の絶縁膜では、膜硬化後の比誘電率が３以下と低いた
めに、５０ｎｍ以上の膜厚になると、反強誘電性液晶パ
ネル駆動時に電圧降下が絶縁膜で生じ、液晶に適正な電
圧が掛からず、良好な表示が不可能となる欠点がある。

【００２０】さらに、テトラアルコキシシラン／および
チタンの加水分解物を含む有機材料では、３５０℃で加
熱焼成することにより酸化チタン化し絶縁膜とする。こ
の膜は、比誘電率も７〜１３と高く、オフセット印刷も
可能であり、量産性も高い。この絶縁膜を１５０ｎｍの
膜厚で塗布した液晶パネルでは、液晶に掛かる電圧降下
は抑えられる。

【００２１】しかしながら、酸化チタン膜は、膜表面に
クラックが入り、そのクッラクがその上の配向膜の均一
塗布に影響する。このため、ラビング処理を行っても、
クラック部が配向不良となり良好な配向状態は得られな
い。

【００２２】また、酸化チタン膜を１００〜１５０ｎｍ
もしくは１５０ｎｍ以上の膜厚で形成した場合でも、膜
質が柔らかいために上下ショートは発生し、歩留まり低
下の原因になる。

【００２３】また、高コストだが、五酸化タンタル膜を
絶縁膜として使用する場合、オフセット印刷法より、表
面粗さが粗いために、その上に形成する配向膜表面粗さ
も影響を受け、粗くなってしまう。このため、反強誘電
性液晶の配向性が悪くなり、表示品質が低下する。

【００２４】表示特性を向上するためにＳＴＮモードの
パネルでは、液晶分子のねじれ角を１８０゜〜２７０゜
程度にツイストさせ、光学変化を急峻にして表示させ
る。このため、配向膜のプレチルト角は２゜以上にする
必要がある。したがって、優位性のあるＳＴＮパネルの
特性を得るために配向膜材料の選定や厚さの設定に注意
を払わなければならない。

【００２５】ここで、配向膜は、材料となるポリイミド
の特性を生かすために、その膜厚が５０ｎｍ〜７０ｎｍ
に設定され、ＳＴＮモードでは、膜厚が５０ｎｍ未満で
薄くなるとそのポリイミド特有の構造差があっても、所
望するプレチルト角２゜以上出すをことは不可能になる
とともにパネル全面の均一配向も得られないため表示品
質を低下させる。

【００２６】また、従来の反強誘電性液晶パネルは、第
１の基板か第２の基板のどちらか一方に絶縁膜を形成し
ていた。しかしながら、この液晶パネルでは、交流駆動
時の電圧波形が対称であっても、反強誘電性液晶をプラ
ス側の強誘電状態から反強誘電状態に戻すときとマイナ
ス側の強誘電状態から反強誘電状態に戻すときとで、プ
ラス，マイナス側に掛かる電圧がパネル構造の非対称性
で若干、異なる。さらにこの非対称性により、膜に蓄積
される電荷が次第に累積されてしまう。リセット時の反
強誘状態が次第に異なった状態に戻ってくる。このた
め、黒レベルが異なり、しいては残像が残る原因にな
る。

【００２７】〔発明の目的〕本発明の目的は、上記課題
を解決して、アミューズメント用反強誘電性液晶パネル
に対応可能な反強誘電性液晶パネルの製造方法を提供す
ることである。

【００２８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の反強誘電性液晶パネルの製造方法は、下記
記載の構成を提供する。

【００２９】本発明の反強誘電性液晶パネルの製造方法
は、第１の基板にブラックマトリクスを設け、そのブラ
ックマトリクス上にカラーフィルターを設け、そのカラ
ーフィルター上にオーバーコートを設け、さらに透明電
極パターンを設け、さらにその上に第１の絶縁膜を設
け、さらにその上にに第２の絶縁膜を設け、さらにその
上に配向膜を設け、配向処理を施す工程と、第２の基板
の上に、透明電極パターンを設け、さらにその上に第１
の絶縁膜を設け、さらにその上に第２の絶縁膜を設け、
配向膜を設け、配向処理を施す工程と、さらにギャップ
材を散布する工程と、アライメントマークを用いて重ね
合わせる工程とを特徴とする。

【００３０】〔作用〕本発明の反強誘電性液晶パネルの
製造方法においては、カラーフィルターを有する第１の
基板側に第１の絶縁膜を５０ｎｍ〜７０ｎｍの膜厚で塗
布し、さらにその上に第２の絶縁膜を５０ｎｍ〜７０ｎ
ｍ塗布し、カラーフィルターの耐熱温度以下で熱硬化さ
せることと、対になる第２の基板側に第１の絶縁膜を５
０ｎｍ〜７０ｎｍの膜厚で塗布し、さらにその上に第２
の絶縁膜を５０〜７０ｎｍの膜厚で塗布し、３５０゜以
上で熱硬化させることにより、１回で１００ｎｍ以上塗
布した絶縁膜より、膜硬度が上がり、上下ショートの発
生を抑えることが可能となる。また、膜表面形状の平坦
度が向上することにより反強誘電性液晶の配向性が向上
し表示品質の良いパネルの製造方法が可能となる。

【００３１】本発明の反強誘電性液晶パネルは、第１の
基板と第２の基板の両側に、２回に分けて塗布し、この
時の１度目の膜厚が５０ｎｍ〜７０ｎｍで計１００ｎｍ
以上の膜厚を塗布することにより、１回で１００ｎｍ以
上塗布した絶縁膜より、膜硬度が上がり、上下ショート
の発生を抑えることが可能となる。

【００３２】また、上記製造方法により、絶縁膜表面に
クラックの発生が無くなり、且つ、表面粗さが、１度塗
りで１００ｎｍ以上の膜厚に塗布するものより平坦にな
ることからその上に形成する配向膜表面もより良好にな
り、反強誘電性液晶の配向性が向上する。

【００３３】またさらに、配向膜の膜厚を１０ｎｍ〜２
５ｎｍにすることにより、各種ポリイミド材料が独自に
持っているプレチルト角の特性をコットン繊維でラビン
グすることにより、１゜以下に抑えられることから、反
強誘電性液晶の良配向が可能になる。

【００３４】さらに交流駆動時の反強誘電性液晶に掛か
る駆動電圧の非対称性が無くなり、残像現象や焼き付き
を解消して、良好な表示品質の反強誘電性液晶パネルが
得られる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の反強誘電性液晶パ
ネルの製造方法における最適な実施形態を図面に基づい
て詳細に説明する。図１は、実施形態に用いた反強誘電
性液晶パネルの断面図である。まず、第１の基板１１上
には、ブラックマトリクス１３を備え、その上にカラー
フィルター１４を備える。さらにその上にオーバーコー
ト１５を備え、さらに透明電極１６を備え、第１の絶縁
膜１７と第２基板１８を備え、配向膜１９を備え、配向
処理を施す。第２基板１２は、透明電極１６を備え、第
２の絶縁膜１８と配向膜１９を備え、配向処理を施す。

【００３６】つぎに、本発明の製造方法を図１〜図４を
用いて説明する。第１基板１１上にクロムなどのメタル
を用いブラックマトリクス１３を格子上に形成する。さ
らにブラックマトリクス１３の周辺に設けられたアライ
メントマークを用い、その上にカラーフィルター１４を
作成する。さらにその上に感光性アクリル樹脂をスピン
ナーで塗布し、オーバーコート１５とする。

【００３７】さらにその上に透明電極１７を低温スパッ
タ法などを用い４〜７Ω／□のシート抵抗で成膜する。
その後、透明電極１７をブラックマトリクス１３やカラ
ーフィルター１４のアライメントマーク（図示せず）に
合わせパターニングを行う。

【００３８】さらに、その上にテトラアルコキシシラン
／およびチタンの加水分解物を含む有機化合物（ＡＴ−
７３２もしくはＡＴ−９０２／日産化学工業株式会社
製）の樹脂分濃度６ｗｔ％の絶縁膜溶液をオフセット印
刷法などを用いて印刷し、第１の絶縁膜１７とする。こ
のとき、第１の絶縁膜１７の膜厚は６５ｎｍ程度になる
ように調節し塗布する。その後、温度が８０℃でプレキ
ュアーし、２５０ｎｍの光を５０００ｍＪ以上照射した
後、２５０℃で３０分から１時間焼成し硬化させる。

【００３９】その後、同様な溶液（ＡＴ−７３２もしく
はＡＴ−９０２／日産化学工業株式会社製）の樹脂分濃
度６ｗｔ％の絶縁膜溶液をオフセット印刷法などを用い
て第１の絶縁膜１７の上に再び印刷し、第２の絶縁膜１
８とする。このとき、第２の絶縁膜１８の膜厚は６５ｎ
ｍ程度になるように調節するが、第１の絶縁膜１７の厚
さを測定し、第１の絶縁膜１７と第２の絶縁膜１８の総
膜厚が１５０ｎｍを越えないように調節し塗布する。そ
の後、同様に８０℃でプレキュアーし、２５０ｎｍの光
を５０００ｍＪ以上照射した後、２５０℃で３０分から
１時間焼成し硬化させる。

【００４０】つぎに、第２の基板１２上に、透明電極１
６を設け、対向する第１の基板１１に直交するようにパ
ターニングを行う。さらに、テトラアルコキシシラン／
およびチタンの加水分解物を含む有機化合物（ＡＴ−７
３２もしくはＡＴ−９０２／日産化学工業株式会社製）
の樹脂分濃度６ｗｔ％の絶縁膜溶液をオフセット印刷法
などを用いて印刷し、第１の絶縁膜１７とする。このと
き、第１の絶縁膜１８の膜厚は６５ｎｍ程度になるよう
に調節し塗布する。その後、８０℃でプレキュアーし、
２５０ｎｍの光を５０００ｍＪ以上照射した後、２５０
℃で３０分から１時間焼成し硬化させる。

【００４１】その後、同様な溶液（ＡＴ−７３２もしく
はＡＴ−９０２／日産化学工業株式会社製）の樹脂分濃
度６ｗｔ％の絶縁膜溶液をオフセット印刷法などを用い
て第１の絶縁膜１７の上に再び印刷し、第２の絶縁膜１
８とする。このとき、第２の絶縁膜１８の膜厚は５０〜
６５ｎｍ程度になるように調節するが、第１の絶縁膜１
７の厚さを測定し、第１の絶縁膜１７と第２の絶縁膜１
８の総膜厚が１５０ｎｍを越えないように調節し塗布す
る。その後、同様に８０℃でプレキュアーし、２５０ｎ
ｍの光を５０００ｍＪ以上照射した後、２５０℃で３０
分から１時間焼成し硬化させる。

【００４２】つぎに、第１基板１１と第２基板１２上に
設けた絶縁膜の上に、ポリイミドやポリアミック酸など
の配向膜１９を１０〜２５ｎｍの膜厚で塗布し、２００
℃〜２５０℃で１時間〜１．５時間焼成する。遠赤外焼
成炉を使用する場合は、２０分〜４０分の間で焼成す
る。

【００４３】図２に、基板断面図と配向膜表面の粗さを
示す。配向膜硬化後の第１の絶縁膜１７と第２の絶縁膜
１８の単一膜厚は５０ｎｍ〜７０ｎｍとし総膜厚は、１
００ｎｍ〜１６０ｎｍとする。さらに、その上に配向膜
１９を１５ｎｍ〜２５ｎｍの膜厚で塗布し硬化させる。

【００４４】図５に上記形成方法で作成された絶縁膜上
の配向膜表面粗さと基板断面図を示す。原子間力顕微鏡
（ＳＰＩ−３７００／セイコー電子工業株式会社製）を
用いて測定し、カラーフィルターが形成されている第１
の基板１１側でＲａ≦５．５ｎｍ、Ｒｍａｘ≦２７．５
ｎｍ、Ｒｚ≦１６．５ｎｍとする。また、透明電極１６
のみの第２の基板１２側ではＲａ≦４．５ｎｍ、Ｒｍａ
ｘ≦１７．５ｎｍ、Ｒｚ≦１０．５ｎｍとする。

【００４５】その後、ラビング法で配向処理を施す。こ
のとき、ラビング材の材質は比較的柔らかい繊維質のコ
ットン繊維２７を使用する。また、ラビング密度は、図
６に示すラビング装置を用いて、下記の（１）式にて１
６００〜２２００とする。 ラビング密度＝（（（２πｒ×ω）／６０）−ν）×ｎ……（１）

【００４６】しかし、反強誘電性液晶パネルでは、プレ
チルト角が１゜以下でないと配向しないため、配向膜厚
を２５０Å以下にする必要がある。これは、膜厚を薄く
することにより配向膜材質であるポリイミドの種類によ
る異なる配向依存性を少なくしプレチルト角を１゜以下
にするためである。

【００４７】上記方法で形成した絶縁膜を使用し、且つ
上記配向処理法を用いて作成した反強誘電性液晶パネル
の表面観察した。この結果、従来技術では、配向欠陥が
目立ち、駆動電圧「オフ」時の黒状態が劣化し、高コン
トラストが得られない。しかしながら、本発明では、駆
動電圧「オフ」時の黒状態が向上し、高コントラストが
得られ表示品質が向上する。

【００４８】図７に今回の発明で得られた膜硬度測定法
を示す。金属板３３上に第１の絶縁膜１７と第２の絶縁
膜１８を所定の方法で塗布し硬化させる。測定には、電
流計２９と電源３１が直列に配線３２により接続された
両側の端子の１つを荷重計付き導電針３０に接続し、も
う１つの端子を金属板３３に接続する。

【００４９】その後、加重計付き導線針３０を下ろして
いき金属板３３と導通した加重を膜荷重（ｇ）とし、そ
の値を１００ｎｍの膜厚で換算した値を膜硬度とする。

【００５０】図８に「２回塗布した絶縁膜の硬度」の上
段に絶縁膜塗布と膜硬化を繰り返して２回行い、所定の
膜厚１１０〜１４０ｎｍ形成し測定した時の膜硬度を示
す。また、下段には、絶縁膜塗布、硬化を１回のみ行い
所定の膜厚１２０ｎｍを形成し測定した時の膜硬度を示
す。

【００５１】この測定結果から、本発明の２回塗布した
絶縁膜形成法の方が膜荷重２５００ｇ／１００ｎｍとな
り、１回のみで所定の膜厚を塗布した絶縁膜硬度５６０
ｇ／１００ｎｍより堅くなる。

【００５２】つぎに、第１の基板１１上に熱硬化型の接
着剤を所定パターンにスクリーン印刷を行い、シール材
２２とする。つぎに、第２の基板１２にギャップ材とし
て球径が１．５μｍから１．８μｍのシリカビーズ２０
を散布する。この時、セルギャップを均一に出すために
シリカビーズ２０は５００個／ｍｍ² 〜１０００個／ｍ
ｍ² の量だけ散布する。

【００５３】つぎに、第１の基板１１と第２の基板１２
にあらかじめ設けたアライメントマーク（図示せず）を
用いて重ね合わせる。この時、シール材２２を硬化する
ために重ね合わせた基板に１．０〜２．１ｋｇ／ｃｍ²
の圧力を掛け、１２０℃から１６０℃の温度で１時間〜
２時間炉の中で焼成する。

【００５４】その後、完成した液晶パネルに所定の大き
さに切断し（図示せず）、加熱真空注入法や二穴注入法
などを用いて、反強誘電性液晶ＭＸ−Ｋ５９−１ｈ（三
菱瓦斯化学株式会社製）２１をＩｓｏ温度以上に熱した
後、セル内に注入し、反強誘電性液晶パネルとする。

【００５５】図９に、１００Ｈｚの三角波を加えて測定
した光学特性をしめす。両側絶縁膜を塗布した反強誘電
性液晶パネルでは、＋側の透過率−電圧曲線を示すヒス
テリシスカーブ３４が対称であるが、片側のみ絶縁膜を
塗布した反強誘電性液晶パネルでは、ヒステリシスカー
ブ３５が対称性を失う。

【００５６】つぎに、図１０には「非対称の実験結果」
には実際の反強誘電性液晶パネルの対向する電極に配線
を取り付け、交流電圧で測定した光学特性を示す。

【００５７】第１の基板１１と第２の基板１２のどちら
か一方の基板に絶縁膜を塗布し作成した片側絶縁膜の反
強誘電性液晶パネルでは、測定時の電極に取り付ける配
線を交換することにより光学特性の急峻性、バイアス電
圧、コントラスト等の値に差を生じる。しかしながら、
第１の基板１１と第２の基板１２の両側に絶縁膜を塗布
した反強誘電性液晶パネルでは、測定端子の配線を入れ
替えても測定誤差の範囲しか光学特性の急峻性、バイア
ス電圧、コントラスト等の値に差を生じることがない。

【００５８】

【発明の効果】本発明の反強誘電性液晶パネルの製造方
法は、カラーフィルターを有する第１の基板側に第１の
絶縁膜を５０〜７０ｎｍの膜厚で塗布し、さらにその上
に第２の絶縁膜を５０〜７０ｎｍ塗布し、カラーフィル
ターの耐熱温度以下で熱硬化させることと、対になる第
２の基板側に第１の絶縁膜を５０ｎｍ〜７０ｎｍの膜厚
で塗布し、さらにその上に第２の絶縁膜を５０ｎｍ〜７
０ｎｍの膜厚で塗布し、３５０゜以上で熱硬化させるこ
とにより、１回で１００ｎｍ以上塗布した絶縁膜より、
膜硬度が上がり、上下ショートの発生を抑えることが可
能となる。

【００５９】本発明の反強誘電性液晶パネルは、第１の
基板と第２の基板の両側に、２回に分け５０ｎｍ〜７０
ｎｍの膜を塗布することにより、１回で１００ｎｍ以上
塗布した絶縁膜より、膜硬度が上がり、上下ショートの
発生を抑えることが可能となる。

【００６０】また、上記製造方法により、絶縁膜表面に
クラックの発生が無くなり、しかも表面粗さが、１度塗
りで１０００Å以上の膜厚に塗布するものより平坦にな
ることからその上に形成する配向膜表面もより良好にな
り、反強誘電性液晶の配向性が向上する。

【００６１】また、配向膜の膜厚を１０ｎｍ〜２５ｎｍ
し、コットン繊維を用いラビング処理を行うことによ
り、各種ポリイミド材料が独自に持っているプレチルト
角の特性をラビング処理に関係なく、１゜以下に抑えら
れることから、反強誘電性液晶の良配向が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における反強誘電性液晶パ
ネルの製造方法を示す図面である。

【図２】本発明の実施の形態における反強誘電性液晶パ
ネルの製造方法を示す図面である。

【図３】本発明の実施の形態における反強誘電性液晶パ
ネルの製造方法を示す図面である。

【図４】本発明の実施の形態における反強誘電性液晶パ
ネルの製造方法を示す図面である。

【図５】本発明の実施の形態における反強誘電性液晶パ
ネルの製造方法の基板表面の膜構成を示す図面である。

【図６】本発明の実施の形態における反強誘電性液晶パ
ネルの製造方法のラビング密度を示す図面である。

【図７】本発明の実施の形態における反強誘電性液晶パ
ネルの製造方法の膜硬度測定法を示す図面である。

【図８】本発明の実施の形態における反強誘電性液晶パ
ネルのヒステリシス特性を示す図面である。

【図９】本発明の実施の形態における反強誘電性液晶パ
ネルの製造方法の膜硬度測定法を示す図面である。

【図１０】本発明の実施の形態における反強誘電性液晶
パネルの製造方法の非対称の実験結果を示す図面であ
る。

【図１１】従来の反強誘電性液晶パネルの断面図であ
る。

【符号の説明】

１１ 第１の基板 １２ 第２の基板 １３ ブラックマトリクス １４ カラーフィルター １５ オーバーコート １６ 透明電極パターン １７ 第１の絶縁膜 １８ 第２の絶縁膜 １９ 配向膜 ２０ シリカビーズ ２１ 反強誘電性液晶 ２２ シール材 ２３ 上偏光板 ２４ 下偏光板 ２５ 紫外線照射ランプ ２６ ラビングロール ２７ コットン繊維 ２８ 載物台 ２９ 電流計 ３０ 荷重計付き導電針 ３１ 電源 ３２ 配線 ３３ 金属板 ３４ 両側絶縁膜を塗布した反強誘電性液晶パネルのヒ
ステリシスカーブ ３５ 片側絶縁膜を塗布した反強誘電性液晶パネルのヒ
ステリシスカーブ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の基板にブラックマトリクスを設
   け、そのブラックマトリクス上にカラーフィルターを設
   け、その上にオーバーコートを設け、さらに透明電極パ
   ターンを設け、さらにその上に第１の絶縁膜を設け、さ
   らにその上にに第２の絶縁膜を設け、さらにその上に配
   向膜を設け、配向処理を施す工程と、 第２の基板の上に、透明電極パターンを設け、さらにそ
   の上に第１の絶縁膜を設け、さらにその上に第２の絶縁
   膜を設け、配向膜を設け、配向処理を施す工程と、 さらにギャップ材を散布する工程と、 アライメントマークを用いて重ね合わせる工程とを有す
   る特徴とする反強誘電性液晶パネルの製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１の反強誘電性液晶パネルの製造
   方法であって、 絶縁膜の比誘電率が１３以上で、 第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の膜厚の総和が１２０ｎｍ
   〜１５０ｎｍ以内であることを特徴とする反強誘電性液
   晶パネルの製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１の反強誘電性液晶パネルの製造
   方法であって、 第１の基板にブラックマトリクスを設け、さらにカラー
   フィルターを設け、さらにそのカラーフィルター上にオ
   ーバーコートを設け、さらにその上に透明電極パターン
   を設け、さらにその上の第１の絶縁膜と第２の絶縁膜を
   設け、さらに配向膜を設ける工程で、配向膜表面の表面
   粗さの値が、原子間顕微鏡測定で、Ｒａで５．５ｎｍ以
   下、Ｒｍａｘで２７．５ｎｍ以下、Ｒｚで１６．５ｎｍ
   以下であり、 第２の基板に透明電極パターンを設け、さらにその上の
   第１の絶縁膜と第２の絶縁膜を設け、さらに配向膜を設
   ける工程で、配向膜表面の表面粗さの値が、原子間顕微
   鏡測定でＲａで４．５ｎｍ以下、Ｒｍａｘで１７．５ｎ
   ｍ以下、Ｒｚで１０．５ｎｍ以下であることを特徴とす
   る反強誘電性液晶パネルの製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１の反強誘電性液晶パネルの製造
   方法であって、 第１の基板と第２の基板の配向膜の厚さが１０ｎｍ〜２
   ５ｎｍの範囲にあり、 ラビング材がコットン繊維であり、 配向膜表面のプレチルト角が０．７〜１．０°の範囲で
   あることを特徴とする反強誘電性液晶パネルの製造方
   法。