JPH11119694A - 表示装置用電極及びその製造方法 - Google Patents
表示装置用電極及びその製造方法Info
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- JPH11119694A JPH11119694A JP10181478A JP18147898A JPH11119694A JP H11119694 A JPH11119694 A JP H11119694A JP 10181478 A JP10181478 A JP 10181478A JP 18147898 A JP18147898 A JP 18147898A JP H11119694 A JPH11119694 A JP H11119694A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極上に形成される誘電体層に、伝導層を構
成する金属が拡散することを防ぐことを課題とする。 【解決手段】 基体上に形成された電極であって、該電
極が基体側から下地層、伝導層及び保護層の順で少なく
とも伝導層を保護層で完全に覆うように積層され、下地
層及び保護層が伝導層と合金化或いは金属間化合物化し
難く、かつ伝導層への固溶度が低い金属又はその合金か
ら構成されることを特徴とする表示装置用電極により上
記課題を解決する。
成する金属が拡散することを防ぐことを課題とする。 【解決手段】 基体上に形成された電極であって、該電
極が基体側から下地層、伝導層及び保護層の順で少なく
とも伝導層を保護層で完全に覆うように積層され、下地
層及び保護層が伝導層と合金化或いは金属間化合物化し
難く、かつ伝導層への固溶度が低い金属又はその合金か
ら構成されることを特徴とする表示装置用電極により上
記課題を解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置用電極及
びその製造方法に関する。本発明の表示装置用電極及び
その製造方法は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤ
Ｐ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）等の電極に好適に使用す
ることができる。
びその製造方法に関する。本発明の表示装置用電極及び
その製造方法は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤ
Ｐ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）等の電極に好適に使用す
ることができる。
【０００２】
【従来の技術】まず、基板上に電極が形成されている表
示装置の代表例として、ＰＤＰが挙げられる。ＰＤＰ
は、自己発光型の表示装置である。図７に、面放電交流
駆動方式のＰＤＰの概略斜視図を示す。このＰＤＰ２０
は、隔壁２１と蛍光体層２２で覆われたアドレス電極
（データ電極）Ａとを備えた基板２３と、低融点ガラス
からなる誘電体層２４で覆われた表示電極（透明電極２
５と金属電極２６との２層電極）を備えた基板２７とを
貼り合わせてなる構成を有している。透明電極２５は、
ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＮＥＳＡ（ＳｎＯ2 ）等
の透明導電膜からなり、金属電極（バス電極）２６は透
明電極２５の幅より狭くそれの上に積層形成される。蛍
光体層２２は、表示電極間のガス放電による真空紫外光
で励起されて発光し、ＲＧＢの順でストライプ状に形成
され（図中ＥＵ）、ＲＧＢ一組が一画素（図中ＥＧ）に
相当する。なお、基板２３側を背面側基板、基板２７側
を表示側基板と称する。また、図中、２８は誘電体層、
２９は表面保護膜、Ｄは表示面を意味する。
示装置の代表例として、ＰＤＰが挙げられる。ＰＤＰ
は、自己発光型の表示装置である。図７に、面放電交流
駆動方式のＰＤＰの概略斜視図を示す。このＰＤＰ２０
は、隔壁２１と蛍光体層２２で覆われたアドレス電極
（データ電極）Ａとを備えた基板２３と、低融点ガラス
からなる誘電体層２４で覆われた表示電極（透明電極２
５と金属電極２６との２層電極）を備えた基板２７とを
貼り合わせてなる構成を有している。透明電極２５は、
ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＮＥＳＡ（ＳｎＯ2 ）等
の透明導電膜からなり、金属電極（バス電極）２６は透
明電極２５の幅より狭くそれの上に積層形成される。蛍
光体層２２は、表示電極間のガス放電による真空紫外光
で励起されて発光し、ＲＧＢの順でストライプ状に形成
され（図中ＥＵ）、ＲＧＢ一組が一画素（図中ＥＧ）に
相当する。なお、基板２３側を背面側基板、基板２７側
を表示側基板と称する。また、図中、２８は誘電体層、
２９は表面保護膜、Ｄは表示面を意味する。
【０００３】アドレス電極及びバス電極の製造方法とし
て、例えばＡｇを含む金属ペーストを印刷法により基板
上に塗布し、焼成することによりＡｇからなる電極を製
造する方法、スパッタ法等の薄膜技法によりＣｒ／Ｃｕ
／Ｃｒの３層やＡｌ若しくはＡｌ合金等からなる電極を
製造する方法等が知られている。印刷法を利用して電極
を製造する場合、幅１０〜２０μｍ程度の高精細パター
ンを形成することが困難であるという問題があった。ま
た、半導体装置の製造に使用される薄膜技法を使用する
場合、高精細パターンの形成は可能であるが、製造装
置、材料等が他の方法より高価であるという問題があっ
た。更に、Ｃｕは低融点ガラスに拡散しやすい性質を有
しているため、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層からなる電極で
は、低融点ガラスの軟化点の温度範囲で誘電体層の形成
時に、側面に露出したＣｕが拡散する恐れがある。Ｃｕ
が拡散することにより、低融点ガラスは着色するので、
カラー表示の色純度が低下するという問題があった。
て、例えばＡｇを含む金属ペーストを印刷法により基板
上に塗布し、焼成することによりＡｇからなる電極を製
造する方法、スパッタ法等の薄膜技法によりＣｒ／Ｃｕ
／Ｃｒの３層やＡｌ若しくはＡｌ合金等からなる電極を
製造する方法等が知られている。印刷法を利用して電極
を製造する場合、幅１０〜２０μｍ程度の高精細パター
ンを形成することが困難であるという問題があった。ま
た、半導体装置の製造に使用される薄膜技法を使用する
場合、高精細パターンの形成は可能であるが、製造装
置、材料等が他の方法より高価であるという問題があっ
た。更に、Ｃｕは低融点ガラスに拡散しやすい性質を有
しているため、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層からなる電極で
は、低融点ガラスの軟化点の温度範囲で誘電体層の形成
時に、側面に露出したＣｕが拡散する恐れがある。Ｃｕ
が拡散することにより、低融点ガラスは着色するので、
カラー表示の色純度が低下するという問題があった。
【０００４】このような問題を解決する方法として、特
開平８−２２７６５６号公報に記載された方法が知られ
ている。具体的には、図１１（ａ）〜（ｄ）に示す方法
により電極が製造されている。図１１（ａ）〜（ｄ）に
示す方法では、まず基板３０上にＮｉ層３１を形成する
（図１１（ａ）参照）。次に、全面にレジスト層３２を
塗布し、Ｎｉ層３１上の所望の領域に開口を形成する。
この後、電気メッキ法により開口にＣｕ層３３を形成す
る（図１１（ｂ）参照）。次いで、レジスト層３２を除
去し、Ｎｉ層３１を所望の形状にパターニングした後
（図１１（ｃ）参照）、無電解メッキ法によりＣｕ層３
３の表面に選択的にＮｉ層３４を形成することにより、
Ｎｉ層３１、Ｃｕ層３３及びＮｉ層３４からなるバス電
極を形成することができる（図１１（ｄ）参照）。ま
た、別の方法として、特開平８−２２２１２８号公報に
記載された方法が知られている。具体的には、図１３
（ａ）〜（ｃ）に示す方法により電極が製造されてい
る。この方法は、基板４１上に透明電極４２を所望の形
状で形成し、次いで全面にＮｉ層４３を形成し、更にＣ
ｕ層４４を所望の形状で形成する（図１３（ａ）参
照）。この後、Ｃｕ層４４と同じ平面形状になるように
Ｎｉ層４３をエッチングし（図１３（ｂ）参照）、Ｎｉ
層４３及びＣｕ層４４を露出するように、レジスト層４
５を形成及び開口させる。この後、メッキ法によりＮｉ
層４３及びＣｕ層４４を覆うようにＮｉ層４６を形成さ
せる。
開平８−２２７６５６号公報に記載された方法が知られ
ている。具体的には、図１１（ａ）〜（ｄ）に示す方法
により電極が製造されている。図１１（ａ）〜（ｄ）に
示す方法では、まず基板３０上にＮｉ層３１を形成する
（図１１（ａ）参照）。次に、全面にレジスト層３２を
塗布し、Ｎｉ層３１上の所望の領域に開口を形成する。
この後、電気メッキ法により開口にＣｕ層３３を形成す
る（図１１（ｂ）参照）。次いで、レジスト層３２を除
去し、Ｎｉ層３１を所望の形状にパターニングした後
（図１１（ｃ）参照）、無電解メッキ法によりＣｕ層３
３の表面に選択的にＮｉ層３４を形成することにより、
Ｎｉ層３１、Ｃｕ層３３及びＮｉ層３４からなるバス電
極を形成することができる（図１１（ｄ）参照）。ま
た、別の方法として、特開平８−２２２１２８号公報に
記載された方法が知られている。具体的には、図１３
（ａ）〜（ｃ）に示す方法により電極が製造されてい
る。この方法は、基板４１上に透明電極４２を所望の形
状で形成し、次いで全面にＮｉ層４３を形成し、更にＣ
ｕ層４４を所望の形状で形成する（図１３（ａ）参
照）。この後、Ｃｕ層４４と同じ平面形状になるように
Ｎｉ層４３をエッチングし（図１３（ｂ）参照）、Ｎｉ
層４３及びＣｕ層４４を露出するように、レジスト層４
５を形成及び開口させる。この後、メッキ法によりＮｉ
層４３及びＣｕ層４４を覆うようにＮｉ層４６を形成さ
せる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記前者公報記載の方
法によれば、高精細パターンの電極を容易にかつ低コス
トで製造することができるという利点を有している。し
かしながら、電極を、低融点ガラスペーストを焼成する
ことで得られる低融点ガラスからなる誘電体層で覆う場
合、その焼成時に電極が高温で加熱されるため、電極材
のＣｕとＮｉが相互拡散して合金化し、抵抗が上昇する
という問題があった。ＣｕとＮｉが合金化するという点
は、例えば“Consititution of Binary Alloys 2nd Edi
tion”(Max Hansen 著;McGraw-Hill Book Company 刊）
の第６０２頁のＣｕ−Ｎｉの相図に示されている。この
文献では、ＣｕとＮｉは、完全に混合した状態が化学的
に安定であるため、焼成時の加熱により容易に混合し合
金化しうることが示されている。
法によれば、高精細パターンの電極を容易にかつ低コス
トで製造することができるという利点を有している。し
かしながら、電極を、低融点ガラスペーストを焼成する
ことで得られる低融点ガラスからなる誘電体層で覆う場
合、その焼成時に電極が高温で加熱されるため、電極材
のＣｕとＮｉが相互拡散して合金化し、抵抗が上昇する
という問題があった。ＣｕとＮｉが合金化するという点
は、例えば“Consititution of Binary Alloys 2nd Edi
tion”(Max Hansen 著;McGraw-Hill Book Company 刊）
の第６０２頁のＣｕ−Ｎｉの相図に示されている。この
文献では、ＣｕとＮｉは、完全に混合した状態が化学的
に安定であるため、焼成時の加熱により容易に混合し合
金化しうることが示されている。
【０００６】ここで、図１２（ａ）は、基板側からＮｉ
／Ｃｕ／Ｃｒの堆積後の断面のＳＥＭ写真であり、図１
２（ｂ）は上記Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒを６００℃で４０分間
加熱した後の断面のＳＥＭ写真である。図１２（ｂ）で
は、ＣｕとＮｉは完全に拡散し、合金化していることが
示されている。
／Ｃｕ／Ｃｒの堆積後の断面のＳＥＭ写真であり、図１
２（ｂ）は上記Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒを６００℃で４０分間
加熱した後の断面のＳＥＭ写真である。図１２（ｂ）で
は、ＣｕとＮｉは完全に拡散し、合金化していることが
示されている。
【０００７】一方、後者公報記載の方法では、工程数が
増加するため製造コストが高くなるという更なる問題が
あった。本発明は、合金化等により抵抗が増大しない電
極を提供すること、及び該電極を工程数を増やすことな
く製造することを目的とする。また、電極を誘電体層で
覆う場合、電極を構成する金属が拡散することによる誘
電体層の着色を防止することができる電極及びその製造
方法を提供することを目的とする。
増加するため製造コストが高くなるという更なる問題が
あった。本発明は、合金化等により抵抗が増大しない電
極を提供すること、及び該電極を工程数を増やすことな
く製造することを目的とする。また、電極を誘電体層で
覆う場合、電極を構成する金属が拡散することによる誘
電体層の着色を防止することができる電極及びその製造
方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、基体上に形成された電極であって、該電極が基体側
から下地層、伝導層及び保護層の順で少なくとも伝導層
を保護層で完全に覆うように積層され、下地層及び保護
層が伝導層と合金化或いは金属間化合物化し難く、かつ
伝導層への固溶度が低い金属又はその合金から構成され
ることを特徴とする表示装置用電極が提供される。
ば、基体上に形成された電極であって、該電極が基体側
から下地層、伝導層及び保護層の順で少なくとも伝導層
を保護層で完全に覆うように積層され、下地層及び保護
層が伝導層と合金化或いは金属間化合物化し難く、かつ
伝導層への固溶度が低い金属又はその合金から構成され
ることを特徴とする表示装置用電極が提供される。
【０００９】また、本発明によれば、低融点ガラスより
なる誘電体層で覆われたプラズマディスプレイパネルの
電極であって、該電極が透明電極とこれに比べて幅の狭
いバス電極との積層構造を有し、前記バス電極が基板側
から下地層、伝導層及び保護層の順で少なくとも伝導層
を保護層で完全に覆うように積層され、下地層及び保護
層が伝導層と合金化或いは金属間化合物化し難く、かつ
伝導層への固溶度が低い金属又はその合金から構成さ
れ、かつ前記透明電極が当該バス電極を完全に覆うよう
に形成されてなることを特徴とする表示装置用電極が提
供される。
なる誘電体層で覆われたプラズマディスプレイパネルの
電極であって、該電極が透明電極とこれに比べて幅の狭
いバス電極との積層構造を有し、前記バス電極が基板側
から下地層、伝導層及び保護層の順で少なくとも伝導層
を保護層で完全に覆うように積層され、下地層及び保護
層が伝導層と合金化或いは金属間化合物化し難く、かつ
伝導層への固溶度が低い金属又はその合金から構成さ
れ、かつ前記透明電極が当該バス電極を完全に覆うよう
に形成されてなることを特徴とする表示装置用電極が提
供される。
【００１０】更に、本発明によれば、基体上に下地層を
形成し、下地層上に伝導層を形成し、伝導層上に伝導層
を完全に覆うように保護膜を無電解メッキ法により形成
して、下地層、伝導層及び保護層からなる電極を形成
し、下地層、伝導層及び保護層を構成する金属のイオン
化傾向が、下地層、保護層及び伝導層の順に大きいこと
を特徴とする表示用電極の製造方法が提供される。ま
た、本発明によれば、基体上に下地層を形成し、下地層
上に伝導層を形成し、伝導層上に伝導層を完全に覆うよ
うに保護層を無電解メッキ法により形成して、下地層、
伝導層及び保護層からなり、下地層、伝導層及び保護層
を構成する金属のイオン化傾向が、下地層、保護層及び
伝導層の順に大きいバス電極を形成し、次いで、バス電
極を完全に覆うように透明電極を形成することにより透
明電極とこれに比べて幅の狭いバス電極との積層構造か
らなる電極を得ることを特徴とする表示装置用電極の製
造方法が提供される。
形成し、下地層上に伝導層を形成し、伝導層上に伝導層
を完全に覆うように保護膜を無電解メッキ法により形成
して、下地層、伝導層及び保護層からなる電極を形成
し、下地層、伝導層及び保護層を構成する金属のイオン
化傾向が、下地層、保護層及び伝導層の順に大きいこと
を特徴とする表示用電極の製造方法が提供される。ま
た、本発明によれば、基体上に下地層を形成し、下地層
上に伝導層を形成し、伝導層上に伝導層を完全に覆うよ
うに保護層を無電解メッキ法により形成して、下地層、
伝導層及び保護層からなり、下地層、伝導層及び保護層
を構成する金属のイオン化傾向が、下地層、保護層及び
伝導層の順に大きいバス電極を形成し、次いで、バス電
極を完全に覆うように透明電極を形成することにより透
明電極とこれに比べて幅の狭いバス電極との積層構造か
らなる電極を得ることを特徴とする表示装置用電極の製
造方法が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明に使用できる基体は、その
上に表示用電極を形成することができさえすればどのよ
うな構成を有していてもよい。例えば、シリコン基板、
ガラス基板、プラスチック基板等の基板、更に基板上に
透明電極、絶縁膜等が積層されたものも含まれる。
上に表示用電極を形成することができさえすればどのよ
うな構成を有していてもよい。例えば、シリコン基板、
ガラス基板、プラスチック基板等の基板、更に基板上に
透明電極、絶縁膜等が積層されたものも含まれる。
【００１２】基体上には電極が形成される。この電極
は、基体側から下地層、伝導層及び保護層の順で、かつ
少なくとも伝導層を保護層で完全に覆うように積層され
ている。伝導層が保護層で完全に覆われていることによ
り、後に電極上に形成される誘電体層に、伝導層を構成
する金属が拡散するのを防ぐことができる。上記下地層
は、伝導層金属と合金化又は金属間化合物化し難い金属
から構成されることが好ましい。また、伝導層はＣｕか
ら構成されることが好ましい。更に、保護層は、伝導層
と合金化又は金属間化合物化し難い金属又はその合金か
ら構成されることが好ましい。ここで、Ｃｕと合金化し
難い金属として、ＰＤＰへの適用を考える場合、６００
℃において銅中への固溶度が１ａｔ％以下であることが
目安になる。その理由は、固溶度が１ａｔ％以下である
ならば、製造工程中においてもＣｕの抵抗率上昇は倍程
度までに抑えられるからである。このような条件を満た
す金属は、例えば前述の文献“Consititution of Binar
y Alloys 2nd Edition”によれば、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｚｒ等である（なお、原価は高いがＲ
ｅ，Ｒｕ，Ｏｓも該当する）。このような金属を組み合
わせることにより、熱力学的に安定であり、それぞれの
層の界面において合金化又は金属間化合物生成反応が生
じず、合金化又は金属間化合物化することによる抵抗の
上昇を防ぐことができる。下地層、伝導層及び保護層の
厚さは、それぞれ０．０５〜０．５μｍ、０．５〜２０
μｍ及び０．１〜２μｍであることが好ましい。また、
金属電極の幅は、１００〜３００μｍであることが好ま
しい。
は、基体側から下地層、伝導層及び保護層の順で、かつ
少なくとも伝導層を保護層で完全に覆うように積層され
ている。伝導層が保護層で完全に覆われていることによ
り、後に電極上に形成される誘電体層に、伝導層を構成
する金属が拡散するのを防ぐことができる。上記下地層
は、伝導層金属と合金化又は金属間化合物化し難い金属
から構成されることが好ましい。また、伝導層はＣｕか
ら構成されることが好ましい。更に、保護層は、伝導層
と合金化又は金属間化合物化し難い金属又はその合金か
ら構成されることが好ましい。ここで、Ｃｕと合金化し
難い金属として、ＰＤＰへの適用を考える場合、６００
℃において銅中への固溶度が１ａｔ％以下であることが
目安になる。その理由は、固溶度が１ａｔ％以下である
ならば、製造工程中においてもＣｕの抵抗率上昇は倍程
度までに抑えられるからである。このような条件を満た
す金属は、例えば前述の文献“Consititution of Binar
y Alloys 2nd Edition”によれば、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｚｒ等である（なお、原価は高いがＲ
ｅ，Ｒｕ，Ｏｓも該当する）。このような金属を組み合
わせることにより、熱力学的に安定であり、それぞれの
層の界面において合金化又は金属間化合物生成反応が生
じず、合金化又は金属間化合物化することによる抵抗の
上昇を防ぐことができる。下地層、伝導層及び保護層の
厚さは、それぞれ０．０５〜０．５μｍ、０．５〜２０
μｍ及び０．１〜２μｍであることが好ましい。また、
金属電極の幅は、１００〜３００μｍであることが好ま
しい。
【００１３】なお、下記表１にＣｕからなる伝導層の抵
抗率と保護層を構成する金属との関係を示す。加熱は窒
素雰囲気下、６００℃で４０分間行った。
抗率と保護層を構成する金属との関係を示す。加熱は窒
素雰囲気下、６００℃で４０分間行った。
【００１４】
【表１】
【００１５】上記表１から、Ｎｉからなる保護層を有す
る電極は、加熱後の抵抗が、Ｎｉ以外の金属と比べて高
いことが示されている。これに対して、本発明の電極を
構成する保護層は、抵抗がほとんど変化しないことが示
されている。下地層及び伝導層の形成方法は、特に限定
されない。例えば、蒸着法、スパッタ法、電解メッキ法
及び無電解メッキ法等で各層を構成する金属を積層した
後、電極の形成を所望する領域にマスクを形成し、この
マスクを使用してエッチング（反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）法のようなドライエッチング法、ウエットエ
ッチング法を使用できる）することにより形成する方
法、電極の形成を所望する領域に開口を有するマスクを
形成した後、電解メッキ法及び無電解メッキ法等で各層
を構成する金属を積層することにより形成する方法等が
挙げられる。この内、金属の積層に電解メッキ法及び無
電解メッキ法を使用する方法が、製造コストを安価にで
きるため好ましい。なお、上記ウエットエッチングに使
用されるエッチング溶液は、Ｃｒの場合、塩酸水溶液、
Ｃｕの場合、塩化第二鉄水溶液を使用することが好まし
い。マスクは、例えばＯＦＰＲ−８００（東京応化社
製）、ＺＰＰ−１７００（日本ゼオン社製）等の公知の
フォトレジストを使用して、露光・現像により形成する
ことができる。
る電極は、加熱後の抵抗が、Ｎｉ以外の金属と比べて高
いことが示されている。これに対して、本発明の電極を
構成する保護層は、抵抗がほとんど変化しないことが示
されている。下地層及び伝導層の形成方法は、特に限定
されない。例えば、蒸着法、スパッタ法、電解メッキ法
及び無電解メッキ法等で各層を構成する金属を積層した
後、電極の形成を所望する領域にマスクを形成し、この
マスクを使用してエッチング（反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）法のようなドライエッチング法、ウエットエ
ッチング法を使用できる）することにより形成する方
法、電極の形成を所望する領域に開口を有するマスクを
形成した後、電解メッキ法及び無電解メッキ法等で各層
を構成する金属を積層することにより形成する方法等が
挙げられる。この内、金属の積層に電解メッキ法及び無
電解メッキ法を使用する方法が、製造コストを安価にで
きるため好ましい。なお、上記ウエットエッチングに使
用されるエッチング溶液は、Ｃｒの場合、塩酸水溶液、
Ｃｕの場合、塩化第二鉄水溶液を使用することが好まし
い。マスクは、例えばＯＦＰＲ−８００（東京応化社
製）、ＺＰＰ−１７００（日本ゼオン社製）等の公知の
フォトレジストを使用して、露光・現像により形成する
ことができる。
【００１６】保護層の形成方法は、伝導層を完全に覆う
ように形成することができさえすれば、特に限定されな
いが、無電解メッキ法により伝導層に選択的（自己整合
的）に形成することが特に好ましい。無電解メッキ法以
外の方法で形成する場合、伝導層以外をレジストなどで
保護した後、保護層を形成する必要があるため、製造工
程数が増加し、製造コストが高くつく恐れがある。一
方、無電解メッキ法により選択的に形成する場合、保護
工程は必要でなく、また無電解メッキ法自体安価な方法
であるため、製造コストを安価にすることができる。保
護層を構成する金属がＣｏの場合、無電解メッキ液とし
ては、ワールドメタル社製のコバルトメッキ液コンバス
−Ｍが挙げられる。
ように形成することができさえすれば、特に限定されな
いが、無電解メッキ法により伝導層に選択的（自己整合
的）に形成することが特に好ましい。無電解メッキ法以
外の方法で形成する場合、伝導層以外をレジストなどで
保護した後、保護層を形成する必要があるため、製造工
程数が増加し、製造コストが高くつく恐れがある。一
方、無電解メッキ法により選択的に形成する場合、保護
工程は必要でなく、また無電解メッキ法自体安価な方法
であるため、製造コストを安価にすることができる。保
護層を構成する金属がＣｏの場合、無電解メッキ液とし
ては、ワールドメタル社製のコバルトメッキ液コンバス
−Ｍが挙げられる。
【００１７】なお、無電解メッキ法により保護層を形成
する場合、下地層、伝導層及び保護層を構成する金属
は、下地層、保護層及び伝導層の順に大きいイオン化傾
向を有する金属を使用することが好ましい。このような
関係を有する金属を使用することで、下地層と伝導層と
の間に電気化学反応が生じるため、伝導層の表面のみに
保護層を選択的に被覆することができる。
する場合、下地層、伝導層及び保護層を構成する金属
は、下地層、保護層及び伝導層の順に大きいイオン化傾
向を有する金属を使用することが好ましい。このような
関係を有する金属を使用することで、下地層と伝導層と
の間に電気化学反応が生じるため、伝導層の表面のみに
保護層を選択的に被覆することができる。
【００１８】更に、無電解メッキの前に、ＰｄＣｌ2 溶
液等のメッキ用の触媒溶液に浸漬することにより、該触
媒を少なくとも伝導層の表面に塗布してもよい。また、
脱脂、自然酸化膜の除去等の公知の前処理を施してもよ
い。下地層、伝導層及び保護層を構成する金属の内、特
に好ましい組み合わせは、Ｃｒ，Ｃｕ及びＣｏ、Ｆｅ，
Ｃｕ及びＣｏである。
液等のメッキ用の触媒溶液に浸漬することにより、該触
媒を少なくとも伝導層の表面に塗布してもよい。また、
脱脂、自然酸化膜の除去等の公知の前処理を施してもよ
い。下地層、伝導層及び保護層を構成する金属の内、特
に好ましい組み合わせは、Ｃｒ，Ｃｕ及びＣｏ、Ｆｅ，
Ｃｕ及びＣｏである。
【００１９】次に、電極を覆うように誘電体層が形成さ
れる。誘電体層は低融点ガラスから構成され、その厚さ
は、１０〜３０μｍであることが好ましい。誘電体層
は、例えば低融点ガラスペーストを基体全面に塗布し、
焼成することにより形成することができる。ここで、低
融点ガラスペーストは、一般に、酸化鉛及び／又は酸化
亜鉛を主成分として含む低融点ガラス粉末、エチルセル
ロース等のバインダー樹脂、α−テルピネオール等の溶
剤から構成される。また、焼成は、通常４００〜７００
℃の範囲の温度で行われる。このような温度で焼成を行
うと、伝導層が保護されていない場合、伝導層を構成す
る金属が誘電体層に拡散する恐れがあるが、本発明で
は、伝導層が保護層で完全に覆われているため拡散を防
ぐことができる。
れる。誘電体層は低融点ガラスから構成され、その厚さ
は、１０〜３０μｍであることが好ましい。誘電体層
は、例えば低融点ガラスペーストを基体全面に塗布し、
焼成することにより形成することができる。ここで、低
融点ガラスペーストは、一般に、酸化鉛及び／又は酸化
亜鉛を主成分として含む低融点ガラス粉末、エチルセル
ロース等のバインダー樹脂、α−テルピネオール等の溶
剤から構成される。また、焼成は、通常４００〜７００
℃の範囲の温度で行われる。このような温度で焼成を行
うと、伝導層が保護されていない場合、伝導層を構成す
る金属が誘電体層に拡散する恐れがあるが、本発明で
は、伝導層が保護層で完全に覆われているため拡散を防
ぐことができる。
【００２０】本発明では、基体と電極との間、誘電体層
と電極との間に透明電極を設けてもよい。ここで、透明
電極を構成する材料としては、ＩＴＯ、ＮＥＳＡ等が挙
げられる。ＩＴＯ及びＮＥＳＡからなるパターンは、そ
れぞれを構成する金属の有機金属化合物をペースト状に
し、これを塗布・焼成することにより得ることができ
る。この方法以外にも、スパッタ法、ＣＶＤ法等によっ
ても形成することができる。
と電極との間に透明電極を設けてもよい。ここで、透明
電極を構成する材料としては、ＩＴＯ、ＮＥＳＡ等が挙
げられる。ＩＴＯ及びＮＥＳＡからなるパターンは、そ
れぞれを構成する金属の有機金属化合物をペースト状に
し、これを塗布・焼成することにより得ることができ
る。この方法以外にも、スパッタ法、ＣＶＤ法等によっ
ても形成することができる。
【００２１】透明電極の厚さは、０．１〜０．５μｍで
あることが好ましい。更に、透明電極は、誘電体層と電
極との間で、電極を覆うように形成することが特に好ま
しい。電極を覆うように透明電極を形成することで、伝
導層を構成する金属が誘電体層へ拡散することを防ぐ障
壁を２重にすることができる。３種以上に保護すれば、
より効果的ではあるが、このように既存の膜で２重に保
護を行えば低コスト化に有利である。なお、透明電極の
パターニングは、ウエットエッチング法、ドライエッチ
ング法、印刷法等の公知の方法により行うことができ
る。ウエットエッチングの場合、エッチング溶液は、伝
導層が同時にエッチングされることを防ぐために、硝
酸、塩化第二鉄等の酸化作用を有する溶質を含まないこ
とが好ましく、塩酸水溶液等を使用することが好まし
い。
あることが好ましい。更に、透明電極は、誘電体層と電
極との間で、電極を覆うように形成することが特に好ま
しい。電極を覆うように透明電極を形成することで、伝
導層を構成する金属が誘電体層へ拡散することを防ぐ障
壁を２重にすることができる。３種以上に保護すれば、
より効果的ではあるが、このように既存の膜で２重に保
護を行えば低コスト化に有利である。なお、透明電極の
パターニングは、ウエットエッチング法、ドライエッチ
ング法、印刷法等の公知の方法により行うことができ
る。ウエットエッチングの場合、エッチング溶液は、伝
導層が同時にエッチングされることを防ぐために、硝
酸、塩化第二鉄等の酸化作用を有する溶質を含まないこ
とが好ましく、塩酸水溶液等を使用することが好まし
い。
【００２２】ここで、透明電極を電極上に形成する場合
は、伝導層の形状を基体側が広いテーパー状にすること
が好ましい。テーパー状にすることにより、電極の側壁
がなだらかになるので、透明電極が断線することを防止
することができ、電極の側壁を透明電極で容易に覆うこ
とができる。テーパー状の伝導層は、例えば、基体側が
広いテーパー状の開口部を有するマスクを使用して、メ
ッキ法等により金属を開口部に埋め込むことにより形成
することができる。更に、伝導層及び／又は保護層が、
下地層より狭い幅を有していることが好ましい。幅が狭
いことにより、電極により形成される段差が緩和される
ので、透明電極が断線することを防止することができ
る。
は、伝導層の形状を基体側が広いテーパー状にすること
が好ましい。テーパー状にすることにより、電極の側壁
がなだらかになるので、透明電極が断線することを防止
することができ、電極の側壁を透明電極で容易に覆うこ
とができる。テーパー状の伝導層は、例えば、基体側が
広いテーパー状の開口部を有するマスクを使用して、メ
ッキ法等により金属を開口部に埋め込むことにより形成
することができる。更に、伝導層及び／又は保護層が、
下地層より狭い幅を有していることが好ましい。幅が狭
いことにより、電極により形成される段差が緩和される
ので、透明電極が断線することを防止することができ
る。
【００２３】本発明の表示装置用電極及びその製造方法
は、少なくとも基体、電極及びそれを覆う誘電体層を有
する表示装置であれば、どのような電極にも適用するこ
とができる。そのような電極として、例えば、ＰＤＰで
は表示電極用のバス電極及びアドレス電極（データ電
極）、ＬＣＤでは走査電極及び信号電極が挙げられる。
より具体的には、図７に示す如き構成のＰＤＰのバス電
極２６及びアドレス電極Ａに本発明を使用することによ
り、低抵抗の電極を安価に形成することが可能となる。
なお、図７では、誘電体層２８で基板２３上に直接形成
したアドレス電極Ａを覆い、誘電体層２８上に隔壁２１
及び蛍光体層２２を形成している。
は、少なくとも基体、電極及びそれを覆う誘電体層を有
する表示装置であれば、どのような電極にも適用するこ
とができる。そのような電極として、例えば、ＰＤＰで
は表示電極用のバス電極及びアドレス電極（データ電
極）、ＬＣＤでは走査電極及び信号電極が挙げられる。
より具体的には、図７に示す如き構成のＰＤＰのバス電
極２６及びアドレス電極Ａに本発明を使用することによ
り、低抵抗の電極を安価に形成することが可能となる。
なお、図７では、誘電体層２８で基板２３上に直接形成
したアドレス電極Ａを覆い、誘電体層２８上に隔壁２１
及び蛍光体層２２を形成している。
【００２４】
実施例１ 図１（ａ）〜（ｅ）に基づいてＰＤＰの表示電極（透明
電極とバス電極との２層電極）を形成した。基板（ガラ
ス基板）１上にＩＴＯ膜を厚さ４０００Åで形成した。
この後、ＩＴＯ膜上に厚さ３μｍのフォトレジストを塗
布し、露光・現像することにより所望の透明電極形成用
の開口部を有するマスクを形成した。このマスクを使用
して、王水によりＩＴＯ膜をエッチングし、透明電極２
を形成した（図１（ａ）参照）。
電極とバス電極との２層電極）を形成した。基板（ガラ
ス基板）１上にＩＴＯ膜を厚さ４０００Åで形成した。
この後、ＩＴＯ膜上に厚さ３μｍのフォトレジストを塗
布し、露光・現像することにより所望の透明電極形成用
の開口部を有するマスクを形成した。このマスクを使用
して、王水によりＩＴＯ膜をエッチングし、透明電極２
を形成した（図１（ａ）参照）。
【００２５】次いで、下地層となるＣｒ層３をスパッタ
法により厚さ１０００Åで形成した（図１（ｂ）参
照）。更に、フォトレジストを基板の全面に塗布し、透
明電極上の伝導層の形成を所望する領域を露光・現像す
ることにより、該領域に開口部を有するマスク４を形成
した。このマスク４を使用して、電解メッキ法により厚
さ２μｍのＣｕからなる伝導層５を形成した（図１
（ｃ）参照）。なお、メッキ条件は、ピロリン酸銅を主
成分として含む水溶液、ピロリン酸銅３水和物８０ｇ／
ｌ、ピロリン酸カリウム２７０ｇ／ｌ、アンモニア水３
ｍｌ／ｌをメッキ液として使用し、液温５５℃、陽極電
流密度２Ａ／ｄｍ2 とした。
法により厚さ１０００Åで形成した（図１（ｂ）参
照）。更に、フォトレジストを基板の全面に塗布し、透
明電極上の伝導層の形成を所望する領域を露光・現像す
ることにより、該領域に開口部を有するマスク４を形成
した。このマスク４を使用して、電解メッキ法により厚
さ２μｍのＣｕからなる伝導層５を形成した（図１
（ｃ）参照）。なお、メッキ条件は、ピロリン酸銅を主
成分として含む水溶液、ピロリン酸銅３水和物８０ｇ／
ｌ、ピロリン酸カリウム２７０ｇ／ｌ、アンモニア水３
ｍｌ／ｌをメッキ液として使用し、液温５５℃、陽極電
流密度２Ａ／ｄｍ2 とした。
【００２６】次に、マスク４を除去した後、無電解メッ
キ法により厚さ３０００ÅのＣｏからなる保護層６を伝
導層５の表面に選択的に被覆した（図１（ｄ）参照）。
このとき、電気化学反応によりＣｒ層３上にはＣｏは形
成されなかった。なお、メッキ条件は、コンバス−Ｍ
（ワールドメタル社製）をメッキ液として使用し、液温
８０℃、浸漬時間２分とした。
キ法により厚さ３０００ÅのＣｏからなる保護層６を伝
導層５の表面に選択的に被覆した（図１（ｄ）参照）。
このとき、電気化学反応によりＣｒ層３上にはＣｏは形
成されなかった。なお、メッキ条件は、コンバス−Ｍ
（ワールドメタル社製）をメッキ液として使用し、液温
８０℃、浸漬時間２分とした。
【００２７】この後、２０重量％の塩酸を含む水溶液を
使用してＣｒ層３をエッチングすることにより透明電極
２を部分的に露出させて下地層７、伝導層５及び保護層
６からなるバス電極を形成した（図１（ｅ）参照）。更
に、図示しないが、透明電極とバス電極との２層構造の
表示電極を覆うように基板上に低融点ガラスペーストを
塗布、焼成することにより誘電体層を形成した。次い
で、誘電体層上にＭｇＯからなる表面保護層を蒸着によ
り形成することで、ＰＤＰの表示面側基板を製造するこ
とができた。
使用してＣｒ層３をエッチングすることにより透明電極
２を部分的に露出させて下地層７、伝導層５及び保護層
６からなるバス電極を形成した（図１（ｅ）参照）。更
に、図示しないが、透明電極とバス電極との２層構造の
表示電極を覆うように基板上に低融点ガラスペーストを
塗布、焼成することにより誘電体層を形成した。次い
で、誘電体層上にＭｇＯからなる表面保護層を蒸着によ
り形成することで、ＰＤＰの表示面側基板を製造するこ
とができた。
【００２８】実施例２ 図２（ａ）〜（ｅ）に基づいて同じくＰＤＰの表示電極
を形成した。図１（ａ）と同様にして、基板１上に透明
電極２を形成した（図２（ａ）参照）。次いで、透明電
極２を覆うように基板１上にスパッタ法で厚さ１０００
ÅのＣｒ層３（下地層）を形成し、更にその上にピロリ
ン酸銅電解メッキ法で厚さ２μｍのＣｕ層８を形成した
（図２（ｂ）参照）。
を形成した。図１（ａ）と同様にして、基板１上に透明
電極２を形成した（図２（ａ）参照）。次いで、透明電
極２を覆うように基板１上にスパッタ法で厚さ１０００
ÅのＣｒ層３（下地層）を形成し、更にその上にピロリ
ン酸銅電解メッキ法で厚さ２μｍのＣｕ層８を形成した
（図２（ｂ）参照）。
【００２９】次に、フォトレジストを基板の全面に塗布
し、露光・現像することにより伝導層の形成を所望する
領域にのみマスク９を形成した。この後、塩化第二鉄水
溶液を使用してエッチングすることにより、Ｃｕの伝導
層５を形成した（図２（ｃ）参照）。マスク９を除去し
た後、図１（ｄ）及び（ｅ）と同様の工程を経ることに
よりＰＤＰの表示面側基板を製造することができた（図
２（ｄ）及び（ｅ）参照）。
し、露光・現像することにより伝導層の形成を所望する
領域にのみマスク９を形成した。この後、塩化第二鉄水
溶液を使用してエッチングすることにより、Ｃｕの伝導
層５を形成した（図２（ｃ）参照）。マスク９を除去し
た後、図１（ｄ）及び（ｅ）と同様の工程を経ることに
よりＰＤＰの表示面側基板を製造することができた（図
２（ｄ）及び（ｅ）参照）。
【００３０】実施例３ 図３（ａ）〜（ｆ）に基づいてＰＤＰの表示電極を形成
した。基板１上にＣｒ層３、Ｃｕ層８をスパッタ法でそ
れぞれ１０００Å、２μｍの厚さでこの順で積層した
（図３（ａ）参照）。次いで、フォトレジストを全面に
塗布し、露光・現像することにより電極の形成を所望す
る領域にのみマスク９を形成した。この後、塩化第二鉄
水溶液を使用してＣｕ層８をエッチングすることによ
り、伝導層５を形成した。更に、塩酸水溶液を使用して
Ｃｒ層３をエッチングすることにより、下地層７を形成
した（図３（ｂ）参照）。
した。基板１上にＣｒ層３、Ｃｕ層８をスパッタ法でそ
れぞれ１０００Å、２μｍの厚さでこの順で積層した
（図３（ａ）参照）。次いで、フォトレジストを全面に
塗布し、露光・現像することにより電極の形成を所望す
る領域にのみマスク９を形成した。この後、塩化第二鉄
水溶液を使用してＣｕ層８をエッチングすることによ
り、伝導層５を形成した。更に、塩酸水溶液を使用して
Ｃｒ層３をエッチングすることにより、下地層７を形成
した（図３（ｂ）参照）。
【００３１】この後、ＮａＯＨ水溶液によりフォトレジ
ストの除去と脱脂を行い、酢酸のような有機酸を使用し
て伝導層５の表面の自然酸化膜を除去した。次いで、ワ
ールドメタル社製のコバルトメッキ液コンバス−Ｍを使
用して、伝導層５の表面を覆うように、選択的に厚さ
０．３μｍのＣｏからなる保護層６を形成した。従っ
て、基板１上に下地層７、伝導層５及び保護層６からな
る電極が形成できた（図３（ｃ）参照）。
ストの除去と脱脂を行い、酢酸のような有機酸を使用し
て伝導層５の表面の自然酸化膜を除去した。次いで、ワ
ールドメタル社製のコバルトメッキ液コンバス−Ｍを使
用して、伝導層５の表面を覆うように、選択的に厚さ
０．３μｍのＣｏからなる保護層６を形成した。従っ
て、基板１上に下地層７、伝導層５及び保護層６からな
る電極が形成できた（図３（ｃ）参照）。
【００３２】次に、電極を覆うように基板１上に厚さ
０．３μｍのＩＴＯ膜２ａを形成した（図３（ｄ）参
照）。ＩＴＯ膜２ａは、インジウム及びスズの有機金属
化合物を含むペーストを基板１上に塗布・焼成すること
により形成した。次いで、フォトレジストを全面に塗布
し、露光・現像することにより透明電極の形成を所望す
る領域にのみ膜厚３μｍのマスク１０を形成した。この
マスク１０を使用して塩酸水溶液によりＩＴＯ膜２ａを
ウエットエッチングして、透明電極２を形成することに
より、バス電極を透明電極で覆った２層構造の表示電極
が形成できた（図３（ｅ）参照）。
０．３μｍのＩＴＯ膜２ａを形成した（図３（ｄ）参
照）。ＩＴＯ膜２ａは、インジウム及びスズの有機金属
化合物を含むペーストを基板１上に塗布・焼成すること
により形成した。次いで、フォトレジストを全面に塗布
し、露光・現像することにより透明電極の形成を所望す
る領域にのみ膜厚３μｍのマスク１０を形成した。この
マスク１０を使用して塩酸水溶液によりＩＴＯ膜２ａを
ウエットエッチングして、透明電極２を形成することに
より、バス電極を透明電極で覆った２層構造の表示電極
が形成できた（図３（ｅ）参照）。
【００３３】マスク１０を除去した後、基板１全面に、
低融点ガラス粉末、エチルセルロース（バインダー樹
脂）及びα−テルピネオール（溶剤）からなる低融点ガ
ラスペーストを塗布した。この低融点ガラスペーストを
空気中で４００〜７００℃で焼成することにより、誘電
体層１１を形成した。この後、誘電体層１１上に蒸着法
により厚さ１μｍのＭｇＯからなる表面保護層１２を形
成することにより、ＰＤＰの表示面側基板を製造するこ
とができた（図３（ｆ）参照）。
低融点ガラス粉末、エチルセルロース（バインダー樹
脂）及びα−テルピネオール（溶剤）からなる低融点ガ
ラスペーストを塗布した。この低融点ガラスペーストを
空気中で４００〜７００℃で焼成することにより、誘電
体層１１を形成した。この後、誘電体層１１上に蒸着法
により厚さ１μｍのＭｇＯからなる表面保護層１２を形
成することにより、ＰＤＰの表示面側基板を製造するこ
とができた（図３（ｆ）参照）。
【００３４】実施例４ 図４（ａ）〜（ｆ）に基づいてＰＤＰの表示電極を形成
した。図３（ａ）と同様にして、基板１上にＣｒ層３及
びＣｕ層８をこの順で積層した（図４（ａ）参照）。次
いで、図３（ｂ）と同様にして、Ｃｒ層３及びＣｕ層８
をマスク９を使用してエッチングすることにより下地層
７を形成した。この後、塩化第二鉄水溶液を使用してＣ
ｕ層８の側面を更にサイドエッチングすることにより、
伝導層５を形成した（図４（ｂ）参照）。マスク９を除
去した後、図３（ｃ）〜（ｆ）と同様の工程を経ること
によりＰＤＰの表示面側基板を製造することができた
（図４（ｃ）〜（ｆ）参照）。
した。図３（ａ）と同様にして、基板１上にＣｒ層３及
びＣｕ層８をこの順で積層した（図４（ａ）参照）。次
いで、図３（ｂ）と同様にして、Ｃｒ層３及びＣｕ層８
をマスク９を使用してエッチングすることにより下地層
７を形成した。この後、塩化第二鉄水溶液を使用してＣ
ｕ層８の側面を更にサイドエッチングすることにより、
伝導層５を形成した（図４（ｂ）参照）。マスク９を除
去した後、図３（ｃ）〜（ｆ）と同様の工程を経ること
によりＰＤＰの表示面側基板を製造することができた
（図４（ｃ）〜（ｆ）参照）。
【００３５】実施例５ 厚さ２μｍのＣｕ層８を硫酸銅と硫酸とを含む水溶液を
用いた電解メッキ法で形成し、該Ｃｕ層８の形成前に、
Ｃｒ層３上に厚さ１０００ÅのＣｕ層をスパッタ法で形
成すること以外は、図３（ａ）と同様の工程を繰り返し
た。上記工程以外は、図３（ｂ）〜（ｆ）と同様の工程
を経ることによりＰＤＰの表示面側基板を製造すること
ができた。
用いた電解メッキ法で形成し、該Ｃｕ層８の形成前に、
Ｃｒ層３上に厚さ１０００ÅのＣｕ層をスパッタ法で形
成すること以外は、図３（ａ）と同様の工程を繰り返し
た。上記工程以外は、図３（ｂ）〜（ｆ）と同様の工程
を経ることによりＰＤＰの表示面側基板を製造すること
ができた。
【００３６】実施例６ 厚さ２μｍのＣｕ層８を硫酸銅と硫酸とを含む水溶液を
用いた電解メッキ法で形成し、厚さ１０００ÅのＣｏ層
３を無電解メッキ法で形成し、該Ｃｕ層８の形成前に、
Ｃｏ層３上に厚さ１０００ÅのＣｕ層を無電解メッキ法
で形成すること以外は、図３（ａ）と同様の工程を繰り
返した。なお、Ｃｏ層３の形成前に基板１の表面をフッ
酸水溶液を使用して粗面化した。上記工程以外は、図３
（ｂ）〜（ｆ）と同様の工程を経ることによりＰＤＰの
表示面側基板を製造することができた。
用いた電解メッキ法で形成し、厚さ１０００ÅのＣｏ層
３を無電解メッキ法で形成し、該Ｃｕ層８の形成前に、
Ｃｏ層３上に厚さ１０００ÅのＣｕ層を無電解メッキ法
で形成すること以外は、図３（ａ）と同様の工程を繰り
返した。なお、Ｃｏ層３の形成前に基板１の表面をフッ
酸水溶液を使用して粗面化した。上記工程以外は、図３
（ｂ）〜（ｆ）と同様の工程を経ることによりＰＤＰの
表示面側基板を製造することができた。
【００３７】実施例７ 図５（ａ）〜（ｆ）に基づいてＰＤＰの表示電極を形成
した。まず、基板１上にＣｒ層３及びＣｕ層１３をスパ
ッタ法によりそれぞれ厚さ１０００Åで形成した（図５
（ａ）参照）。
した。まず、基板１上にＣｒ層３及びＣｕ層１３をスパ
ッタ法によりそれぞれ厚さ１０００Åで形成した（図５
（ａ）参照）。
【００３８】更に、厚さ５μｍでフォトレジストを基板
全面に塗布し、透明電極上の伝導層の形成を所望する領
域を露光・現像することにより、該領域に開口部を有す
るマスク４を形成した。このマスク４を使用して、電解
メッキ法により厚さ２μｍのＣｕからなる伝導層５を形
成した（図５（ｂ）参照）。なお、メッキ条件は、酸性
硫酸銅を主成分として含む水溶液（商品名ミクロファ
ブ、ＥＥＪＡ社製）をメッキ液として使用し、液温３０
℃、電流密度２Ａ／ｄｍ2 とした。マスク４を除去した
後、図３（ｃ）〜（ｆ）と同様の工程を経ることにより
ＰＤＰの表示面側基板を製造することができた（図５
（ｃ）〜（ｆ）参照）。
全面に塗布し、透明電極上の伝導層の形成を所望する領
域を露光・現像することにより、該領域に開口部を有す
るマスク４を形成した。このマスク４を使用して、電解
メッキ法により厚さ２μｍのＣｕからなる伝導層５を形
成した（図５（ｂ）参照）。なお、メッキ条件は、酸性
硫酸銅を主成分として含む水溶液（商品名ミクロファ
ブ、ＥＥＪＡ社製）をメッキ液として使用し、液温３０
℃、電流密度２Ａ／ｄｍ2 とした。マスク４を除去した
後、図３（ｃ）〜（ｆ）と同様の工程を経ることにより
ＰＤＰの表示面側基板を製造することができた（図５
（ｃ）〜（ｆ）参照）。
【００３９】実施例８ 基板１の表面をフッ酸水溶液を使用して粗面化した後、
Ｃｏ層３及びＣｕ層１３を無電解メッキ法で形成するこ
と以外は、図５（ａ）〜（ｆ）と同様の工程を経ること
によりＰＤＰの表示面側基板を製造することができた。
Ｃｒは無電解メッキ法で形成できないため、Ｃｏを下地
層として使用した。
Ｃｏ層３及びＣｕ層１３を無電解メッキ法で形成するこ
と以外は、図５（ａ）〜（ｆ）と同様の工程を経ること
によりＰＤＰの表示面側基板を製造することができた。
Ｃｒは無電解メッキ法で形成できないため、Ｃｏを下地
層として使用した。
【００４０】実施例９ 図６（ａ）〜（ｆ）に基づいてＰＤＰの表示電極を形成
した。図５（ａ）と同様にして、基板１上にＣｒ層３及
びＣｒ層１３をこの順で積層した（図６（ａ）参照）。
次いで、図５（ｂ）と同様にして、マスク４を形成し、
このマスク４を用いてＣｕ層１３上に伝導層５を形成し
た。マスク４の除去後、塩化第二鉄水溶液を使用して伝
導層５の側面を更にサイドエッチングした（図６（ｂ）
参照）。この後、図５（ｃ）〜（ｆ）と同様の工程を経
ることによりＰＤＰの表示面側基板を製造することがで
きた（図６（ｃ）〜（ｆ）参照）。
した。図５（ａ）と同様にして、基板１上にＣｒ層３及
びＣｒ層１３をこの順で積層した（図６（ａ）参照）。
次いで、図５（ｂ）と同様にして、マスク４を形成し、
このマスク４を用いてＣｕ層１３上に伝導層５を形成し
た。マスク４の除去後、塩化第二鉄水溶液を使用して伝
導層５の側面を更にサイドエッチングした（図６（ｂ）
参照）。この後、図５（ｃ）〜（ｆ）と同様の工程を経
ることによりＰＤＰの表示面側基板を製造することがで
きた（図６（ｃ）〜（ｆ）参照）。
【００４１】実施例１０ 基板１の表面をフッ酸水溶液を使用して粗面化した後、
Ｃｏ層３及びＣｕ層１３を無電解メッキ法で形成するこ
と以外は、図６（ａ）〜（ｆ）と同様の工程を経ること
によりＰＤＰの表示面側基板を製造することができた。
Ｃｏ層３及びＣｕ層１３を無電解メッキ法で形成するこ
と以外は、図６（ａ）〜（ｆ）と同様の工程を経ること
によりＰＤＰの表示面側基板を製造することができた。
【００４２】比較例１ ガラス基板上に厚さ５００Åの下地Ｃｒ層と厚さ１００
０Åの上部Ｃｕ層を、それぞれスパッタ法により形成し
た。次いで、無電解メッキ法により所定パターンの任意
の厚さのＮｉ層を形成した。このＮｉ層上に無電解メッ
キ法により厚さ２μｍのＣｕ層を積層することにより電
極を形成した。この後、全体を６００℃で４０分間の熱
処理に付した。この電極の熱処理前後のシート抵抗を測
定し、その結果を図８に示した。図８の横軸は、Ｃｕ層
の厚さに対するＮｉ層の厚さの比を示し、縦軸は、熱処
理前のシート抵抗に対する熱処理後のシート抵抗の増加
率を示している。
０Åの上部Ｃｕ層を、それぞれスパッタ法により形成し
た。次いで、無電解メッキ法により所定パターンの任意
の厚さのＮｉ層を形成した。このＮｉ層上に無電解メッ
キ法により厚さ２μｍのＣｕ層を積層することにより電
極を形成した。この後、全体を６００℃で４０分間の熱
処理に付した。この電極の熱処理前後のシート抵抗を測
定し、その結果を図８に示した。図８の横軸は、Ｃｕ層
の厚さに対するＮｉ層の厚さの比を示し、縦軸は、熱処
理前のシート抵抗に対する熱処理後のシート抵抗の増加
率を示している。
【００４３】図８から分かるように、Ｃｕ層とＮｉ層か
らなる電極では、熱処理によりＮｉがＣｕ層に拡散する
ので、熱処理前より１４倍までシート抵抗が上昇する。
従って、ＮｉとＣｕの組み合わせは電極材料として好ま
しくないことが判った。なお、ガラス基板上に厚さ５０
０Åの下地Ｃｒ層、厚さ２μｍのＣｕ層及び厚さを変化
させたＣｏ層を形成し、上記と同様にして熱処理に付し
た電極の抵抗を測定し、その結果を図８に示した。図８
の横軸は、Ｃｕ層の厚さに対するＣｏ層の厚さの比を示
している。図８から分かるように、Ｃｒ層、Ｃｕ層とＣ
ｏ層からなる電極では、熱処理によるシート抵抗の増加
率が約２０％と一定であった。この結果は、Ｃｏ層で被
覆した本発明の電極の有用性を示している。
らなる電極では、熱処理によりＮｉがＣｕ層に拡散する
ので、熱処理前より１４倍までシート抵抗が上昇する。
従って、ＮｉとＣｕの組み合わせは電極材料として好ま
しくないことが判った。なお、ガラス基板上に厚さ５０
０Åの下地Ｃｒ層、厚さ２μｍのＣｕ層及び厚さを変化
させたＣｏ層を形成し、上記と同様にして熱処理に付し
た電極の抵抗を測定し、その結果を図８に示した。図８
の横軸は、Ｃｕ層の厚さに対するＣｏ層の厚さの比を示
している。図８から分かるように、Ｃｒ層、Ｃｕ層とＣ
ｏ層からなる電極では、熱処理によるシート抵抗の増加
率が約２０％と一定であった。この結果は、Ｃｏ層で被
覆した本発明の電極の有用性を示している。
【００４４】実施例１１ ガラス基板上に厚さ５００ÅのＣｒ層、厚さ２μｍのＣ
ｕ層及び厚さ０．２μｍのＣｒ層をこの順で積層した
後、エッチングすることによりストライプ状の電極を得
た。この電極を日本電気ガラス社製のガラス材（ＰＬＳ
−３２３５）からなる誘電体層で覆った。この後、全体
を６００℃で４０分間熱処理した時の状態（ＳＥＭ写
真）を図９（ａ）に比較例として示す。図９（ａ）から
明らかなように、従来例によるＣｒ−Ｃｒ−Ｃｒの組み
合わせでは、誘電体層と電極との界面で気泡が生じてい
ることが判る。この気泡は、誘電体層に電極を構成する
材料が拡散していることにより生じていると考えられ
る。
ｕ層及び厚さ０．２μｍのＣｒ層をこの順で積層した
後、エッチングすることによりストライプ状の電極を得
た。この電極を日本電気ガラス社製のガラス材（ＰＬＳ
−３２３５）からなる誘電体層で覆った。この後、全体
を６００℃で４０分間熱処理した時の状態（ＳＥＭ写
真）を図９（ａ）に比較例として示す。図９（ａ）から
明らかなように、従来例によるＣｒ−Ｃｒ−Ｃｒの組み
合わせでは、誘電体層と電極との界面で気泡が生じてい
ることが判る。この気泡は、誘電体層に電極を構成する
材料が拡散していることにより生じていると考えられ
る。
【００４５】厚さ０．２μｍのＣｒ層を、厚さ０．３μ
ｍのＣｏ層に変えること以外は、上記と同様にして電極
を形成し、得られた電極を熱処理に付した。熱処理に付
した時の状態（ＳＥＭ写真）を図９（ｂ）に示す。図９
（ｂ）から明らかなように、本発明によるＣｒ−Ｃｒ−
Ｃｏの組み合わせでは、図９（ａ）と比べて、気泡の発
生が少ないことが判る。
ｍのＣｏ層に変えること以外は、上記と同様にして電極
を形成し、得られた電極を熱処理に付した。熱処理に付
した時の状態（ＳＥＭ写真）を図９（ｂ）に示す。図９
（ｂ）から明らかなように、本発明によるＣｒ−Ｃｒ−
Ｃｏの組み合わせでは、図９（ａ）と比べて、気泡の発
生が少ないことが判る。
【００４６】Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｏの組み合わせからなる電
極を厚さ０．２μｍのＩＴＯからなる透明電極で覆うこ
と以外は、上記と同様にして電極を形成し、得られた電
極を熱処理に付した。熱処理に付した時の状態（ＳＥＭ
写真）を図９（ｃ）に示す。図９（ｃ）から明らかなよ
うに、本発明による透明電極でＣｒ−Ｃｕ−Ｃｏのバス
電極を覆うことにより、図９（ａ）及び（ｂ）と比べ
て、気泡の発生を更に少なくすることができた。
極を厚さ０．２μｍのＩＴＯからなる透明電極で覆うこ
と以外は、上記と同様にして電極を形成し、得られた電
極を熱処理に付した。熱処理に付した時の状態（ＳＥＭ
写真）を図９（ｃ）に示す。図９（ｃ）から明らかなよ
うに、本発明による透明電極でＣｒ−Ｃｕ−Ｃｏのバス
電極を覆うことにより、図９（ａ）及び（ｂ）と比べ
て、気泡の発生を更に少なくすることができた。
【００４７】実施例１２ 図１０（ａ）〜（ｅ）に基づいてＰＤＰの表示電極を形
成した。図５（ａ）〜（ｃ）と同様にして、基板１上に
下地層７、伝導層５及び保護層６からなる電極を形成し
た（図１０（ａ）〜（ｃ）参照）。インジウム及び錫の
有機金属化合物を含むペーストを、印刷法により、透明
電極の形成を所望する領域にのみ塗布した。次いで、ペ
ーストを焼成することによりＩＴＯからなる透明電極２
を形成した（図１０（ｄ）参照）。透明電極の形成に印
刷法を使用することにより、図５（ｄ）及び（ｅ）のよ
うな、マスク形成工程及びエッチング工程を省略するこ
とができる。次に、図５（ｆ）と同様にして、誘電体層
１１及び表面保護層１２を形成することにより、ＰＤＰ
の表示面側基板を製造することができた（図１０（ｅ）
参照）。
成した。図５（ａ）〜（ｃ）と同様にして、基板１上に
下地層７、伝導層５及び保護層６からなる電極を形成し
た（図１０（ａ）〜（ｃ）参照）。インジウム及び錫の
有機金属化合物を含むペーストを、印刷法により、透明
電極の形成を所望する領域にのみ塗布した。次いで、ペ
ーストを焼成することによりＩＴＯからなる透明電極２
を形成した（図１０（ｄ）参照）。透明電極の形成に印
刷法を使用することにより、図５（ｄ）及び（ｅ）のよ
うな、マスク形成工程及びエッチング工程を省略するこ
とができる。次に、図５（ｆ）と同様にして、誘電体層
１１及び表面保護層１２を形成することにより、ＰＤＰ
の表示面側基板を製造することができた（図１０（ｅ）
参照）。
【００４８】
【発明の効果】本発明の表示装置用電極によれば、電極
上に形成される誘電体層に、伝導層を構成する金属が拡
散することを防ぐことができるため、誘電体層が着色す
ることにより表示が妨げられることはない。また、伝導
層の抵抗が周囲の金属と伝導層との反応により上昇する
ことを防ぐことができる。
上に形成される誘電体層に、伝導層を構成する金属が拡
散することを防ぐことができるため、誘電体層が着色す
ることにより表示が妨げられることはない。また、伝導
層の抵抗が周囲の金属と伝導層との反応により上昇する
ことを防ぐことができる。
【００４９】また、本発明の表示装置用電極の製造方法
によれば、伝導層の表面を選択的に覆うように保護層を
形成することができるので、工程が増加することに伴う
製造コストの増加を防ぐことができる。
によれば、伝導層の表面を選択的に覆うように保護層を
形成することができるので、工程が増加することに伴う
製造コストの増加を防ぐことができる。
【図１】本発明の表示装置用電極の製造工程の概略断面
図である。
図である。
【図２】本発明の表示装置用電極の製造工程の概略断面
図である。
図である。
【図３】本発明の表示装置用電極の製造工程の概略断面
図である。
図である。
【図４】本発明の表示装置用電極の製造工程の概略断面
図である。
図である。
【図５】本発明の表示装置用電極の製造工程の概略断面
図である。
図である。
【図６】本発明の表示装置用電極の製造工程の概略断面
図である。
図である。
【図７】ＰＤＰの概略斜視図である。
【図８】Ｃｕ層に対するＮｉ層又はＣｏ層の厚さの比に
関するシート抵抗の増加を説明するグラフである。
関するシート抵抗の増加を説明するグラフである。
【図９】実施例１１の熱処理後の状態を示すＳＥＭ写真
である。
である。
【図１０】本発明の表示装置用電極の製造工程の概略断
面図である。
面図である。
【図１１】従来の表示装置用電極の製造工程の概略断面
図である。
図である。
【図１２】Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒの堆積後及び前記Ｎｉ／Ｃ
ｕ／Ｃｒの加熱後の断面のＳＥＭ写真である。
ｕ／Ｃｒの加熱後の断面のＳＥＭ写真である。
【図１３】従来の表示装置用電極の製造工程の概略断面
図である。
図である。
１、２３、２７、３０、４１ 基板 ２、４２ 透明電極 ２ａ ＩＴＯ膜 ３ Ｃｒ層又はＣｏ層 ４、９、１０ マスク ５ 伝導層 ６ 保護層 ７ 下地層 ８、１３ Ｃｕ層 １１、２４、２８ 誘電体層 １２、２９ 表面保護層 ２０ ＰＤＰ ２１ 隔壁 ２２ 蛍光体層 ２５ 透明電極 ２６ 金属電極（バス電極） ３１、３４、４３、４６ Ｎｉ層 ３２、４５ レジスト層 ３３、４４ Ｃｕ層 Ａ アドレス電極 Ｄ 表示面
Claims (15)
- 【請求項１】 基体上に形成された電極であって、該電
極が基体側から下地層、伝導層及び保護層の順で少なく
とも伝導層を保護層で完全に覆うように積層され、下地
層及び保護層が伝導層と合金化或いは金属間化合物化し
難く、かつ伝導層への固溶度が低い金属又はその合金か
ら構成されることを特徴とする表示装置用電極。 - 【請求項２】 表示用装置用電極が、低融点ガラスより
なる誘電体層で覆われたプラズマディスプレイパネルの
電極である請求項１の表示装置用電極。 - 【請求項３】 伝導層がＣｕで、かつ保護層がＭｏ，
Ｗ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｚｒ又はそれらの合金から構成
される請求項１又は２の表示装置用電極。 - 【請求項４】 伝導層がＣｕで、かつ下地層がＣｒ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｚｒ又はそれらの合金であ
る請求項１又は２の表示装置用電極。 - 【請求項５】 下地層が、伝導層より広い幅を有する請
求項１〜４いずれかの表示装置用電極。 - 【請求項６】 下地層が、保護層より広い幅を有する請
求項１〜５いずれかの表示装置用電極。 - 【請求項７】 伝導層が、基板側が広いテーパー状であ
る請求項１〜６いずれかの表示装置用電極。 - 【請求項８】 低融点ガラスよりなる誘電体層で覆われ
たプラズマディスプレイパネルの電極であって、該電極
が透明電極とこれに比べて幅の狭いバス電極との積層構
造を有し、前記バス電極が基板側から下地層、伝導層及
び保護層の順で少なくとも伝導層を保護層で完全に覆う
ように積層され、下地層及び保護層が伝導層と合金化或
いは金属間化合物化し難く、かつ伝導層への固溶度が低
い金属又はその合金から構成され、かつ前記透明電極が
当該バス電極を完全に覆うように形成されてなることを
特徴とする表示装置用電極。 - 【請求項９】 透明電極が、ＩＴＯ又はＮＥＳＡから
なる請求項８の表示装置用電極。 - 【請求項１０】 基体上に下地層を形成し、下地層上に
伝導層を形成し、伝導層上に伝導層を完全に覆うように
保護層を無電解メッキ法により形成して、下地層、伝導
層及び保護層からなる電極を形成し、下地層、伝導層及
び保護層を構成する金属のイオン化傾向が、下地層、保
護層及び伝導層の順に大きいことを特徴とする表示装置
用電極の製造方法。 - 【請求項１１】 下地層がＣｒ，Ｆｅ又はそれらの合金
から構成され、伝導層がＣｕから構成され、保護層がＭ
ｏ，Ｗ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｚｒ又はそれらの合金から
構成される請求項１０の表示装置用電極の製造方法。 - 【請求項１２】 下地層、伝導層又は保護層が、メッキ
法で形成される請求項１０又は１１の表示装置用電極の
製造方法。 - 【請求項１３】 伝導層が、電解メッキ法で形成される
請求項１２の表示装置用電極の製造方法。 - 【請求項１４】 伝導層が、基体側が広いテーパー状の
開口部を有するマスクを使用して形成される請求項１０
〜１３いずれかの表示用電極の製造方法。 - 【請求項１５】 基体上に下地層を形成し、下地層上に
伝導層を形成し、伝導層上に伝導層を完全に覆うように
保護層を無電解メッキ法により形成して、下地層、伝導
層及び保護層からなり、下地層、伝導層及び保護層を構
成する金属のイオン化傾向が、下地層、保護層及び伝導
層の順に大きいバス電極を形成し、次いで、バス電極を
完全に覆うように透明電極を形成することにより透明電
極とこれに比べて幅の狭いバス電極との積層構造からな
る電極を得ることを特徴とする表示装置用電極の製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18147898A JP3492204B2 (ja) | 1997-08-13 | 1998-06-11 | 表示装置用電極及びその製造方法 |
| US09/104,672 US6191530B1 (en) | 1997-08-13 | 1998-06-25 | Electrode for a display device and method for manufacturing the same |
| KR1019980032544A KR100317978B1 (ko) | 1997-08-13 | 1998-08-11 | 표시장치용전극및그제조방법 |
| US09/716,333 US6334802B1 (en) | 1997-08-13 | 2000-11-21 | Electrode for a display device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-233375 | 1997-08-13 | ||
| JP23337597 | 1997-08-13 | ||
| JP18147898A JP3492204B2 (ja) | 1997-08-13 | 1998-06-11 | 表示装置用電極及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11119694A true JPH11119694A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3492204B2 JP3492204B2 (ja) | 2004-02-03 |
Family
ID=26500645
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18147898A Expired - Fee Related JP3492204B2 (ja) | 1997-08-13 | 1998-06-11 | 表示装置用電極及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6191530B1 (ja) |
| JP (1) | JP3492204B2 (ja) |
| KR (1) | KR100317978B1 (ja) |
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| KR100378792B1 (ko) * | 2000-02-29 | 2003-04-07 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 패널의 전극 및 그 제조방법 |
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| KR101113853B1 (ko) * | 2006-02-27 | 2012-02-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널용 전극 매립유전체 벽 제조 방법과, 상기 플라즈마 디스플레이 패널용전극 매립 유전체 벽 제조 방법 |
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-
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