JPH08315733A - Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
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- JPH08315733A JPH08315733A JP7115387A JP11538795A JPH08315733A JP H08315733 A JPH08315733 A JP H08315733A JP 7115387 A JP7115387 A JP 7115387A JP 11538795 A JP11538795 A JP 11538795A JP H08315733 A JPH08315733 A JP H08315733A
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- layer electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 位置合わせ精度が良好で、しかも抵抗値の安
定した複合電極を前面板に形成する。 【構成】 前面板の背面側に設ける複合電極のうち維持
電極４をＩＴＯで構成するとともに、バス電極を維持電
極４側から順にＣｒの第１層電極５ａ、Ｃｕの第２層電
極５ｂ、Ｃｒの第３層電極５ｃの三層構造にし、且つ第
２層電極５ｂを第３層電極５ｃで覆うようにする。第２
層電極５ｂのＣｕが第３層電極５ｃのＣｒで保護される
ので、後工程での熱により酸化して抵抗値が上昇するよ
うなことがない。前面板１上にＩＴＯ膜を形成し、第３
層電極５ｃが第２層電極５ｂを覆う状態でバス電極を形
成した後、ＩＴＯ膜をエッチングによりパターニングし
て維持電極４を形成する。ＩＴＯ膜のエッチャントが第
２層電極５ｂのＣｕを溶かすことがなく、バス電極の三
層構造が維持され、抵抗値も上昇しない。
定した複合電極を前面板に形成する。 【構成】 前面板の背面側に設ける複合電極のうち維持
電極４をＩＴＯで構成するとともに、バス電極を維持電
極４側から順にＣｒの第１層電極５ａ、Ｃｕの第２層電
極５ｂ、Ｃｒの第３層電極５ｃの三層構造にし、且つ第
２層電極５ｂを第３層電極５ｃで覆うようにする。第２
層電極５ｂのＣｕが第３層電極５ｃのＣｒで保護される
ので、後工程での熱により酸化して抵抗値が上昇するよ
うなことがない。前面板１上にＩＴＯ膜を形成し、第３
層電極５ｃが第２層電極５ｂを覆う状態でバス電極を形
成した後、ＩＴＯ膜をエッチングによりパターニングし
て維持電極４を形成する。ＩＴＯ膜のエッチャントが第
２層電極５ｂのＣｕを溶かすことがなく、バス電極の三
層構造が維持され、抵抗値も上昇しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気体放電を用いた自発
光形式の平板ディスプレイであるＡＣ型のプラズマディ
スプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）及びその製造方
法に関するものである。
光形式の平板ディスプレイであるＡＣ型のプラズマディ
スプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）及びその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１はＡＣ型ＰＤＰの一構成例を示した
ものである。同図に示されるように、ガラスからなる前
面板１と背面板２とが互いに平行に且つ対向して配設さ
れており、背面板２の前面側にはこれに立設するバリヤ
ーリブ３が固着され、このバリヤーリブ３により前面板
１と背面板２とが一定間隔で保持されている。そして、
前面板１の背面側には透明電極である維持電極４と金属
電極であるバス電極５とからなる複合電極が互いに平行
に形成され、これを覆って誘電体層６が形成されてお
り、さらにその上にＭｇＯ層７が形成されている。ま
た、背面板２の前面側には前記複合電極と直交するよう
にバリヤーリブ３の間に位置してアドレス電極８が互い
に平行に形成され、必要に応じてその上に誘電体層９が
形成されており、さらにバリヤーリブ３の壁面とセルの
底面を覆うようにして蛍光層１０が設けられている。
ものである。同図に示されるように、ガラスからなる前
面板１と背面板２とが互いに平行に且つ対向して配設さ
れており、背面板２の前面側にはこれに立設するバリヤ
ーリブ３が固着され、このバリヤーリブ３により前面板
１と背面板２とが一定間隔で保持されている。そして、
前面板１の背面側には透明電極である維持電極４と金属
電極であるバス電極５とからなる複合電極が互いに平行
に形成され、これを覆って誘電体層６が形成されてお
り、さらにその上にＭｇＯ層７が形成されている。ま
た、背面板２の前面側には前記複合電極と直交するよう
にバリヤーリブ３の間に位置してアドレス電極８が互い
に平行に形成され、必要に応じてその上に誘電体層９が
形成されており、さらにバリヤーリブ３の壁面とセルの
底面を覆うようにして蛍光層１０が設けられている。
【０００３】このＡＣ型ＰＤＰでは、前面板１上の複合
電極間に交流電源から所定の電圧を印加して電場を形成
することにより、前面板１と背面板２とバリヤーリブ３
とで区画される表示要素としての各セル１１内で放電が
行われる。そして、この放電により生じる紫外線により
蛍光層１０が発光させられ、前面板１を透過してくるこ
の光を観察者が視認するようになっている。
電極間に交流電源から所定の電圧を印加して電場を形成
することにより、前面板１と背面板２とバリヤーリブ３
とで区画される表示要素としての各セル１１内で放電が
行われる。そして、この放電により生じる紫外線により
蛍光層１０が発光させられ、前面板１を透過してくるこ
の光を観察者が視認するようになっている。
【０００４】上記のＡＣ型ＰＤＰにおける前面板１の複
合電極のうち、維持電極４の材料としてはＩＴＯ、Ｓｎ
Ｏ2 、ＺｎＯ等が考えられるが、成膜やパターニングの
容易性から通常ＩＴＯが用いられている。また、バス電
極５は金属材料で構成されるが、その構成はＩＴＯとの
密着性、複合電極を形成した後工程での熱による酸化、
その熱の影響による抵抗値の上昇を考慮して、金属単層
ではなく、異なる金属材料の組合せによるのが一般的で
ある。例えば、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ａｌ／Ｃｒ、
Ａｌ／Ｃｒ等が考えられるが、このうちＡｌを用いた電
極はＩＴＯとＡｌのエッチング選択性をとるのが困難で
あることから、バス電極５としては一般的にはＣｒ／Ｃ
ｕ／Ｃｒの三層構造が採られている。
合電極のうち、維持電極４の材料としてはＩＴＯ、Ｓｎ
Ｏ2 、ＺｎＯ等が考えられるが、成膜やパターニングの
容易性から通常ＩＴＯが用いられている。また、バス電
極５は金属材料で構成されるが、その構成はＩＴＯとの
密着性、複合電極を形成した後工程での熱による酸化、
その熱の影響による抵抗値の上昇を考慮して、金属単層
ではなく、異なる金属材料の組合せによるのが一般的で
ある。例えば、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ａｌ／Ｃｒ、
Ａｌ／Ｃｒ等が考えられるが、このうちＡｌを用いた電
極はＩＴＯとＡｌのエッチング選択性をとるのが困難で
あることから、バス電極５としては一般的にはＣｒ／Ｃ
ｕ／Ｃｒの三層構造が採られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記したＡＣ型ＰＤＰ
における複合電極では、ＩＴＯ膜上にバス電極５を形成
した後でＩＴＯ膜をパターニングして維持電極４を形成
する際、ＩＴＯ膜のパターニングに用いるエッチャント
がバス電極５中のＣｕを側面から溶かすので、バス電極
５の三層構造を維持するのが難しく、したがって抵抗値
が上昇するという問題がある。また、この問題を避ける
ためには、ＩＴＯ膜をパターニングして維持電極４を形
成した後でバス電極５を形成しなければならないが、Ｉ
ＴＯが透明なためにこの手順では両電極の位置合わせが
難しいという問題点が発生する。
における複合電極では、ＩＴＯ膜上にバス電極５を形成
した後でＩＴＯ膜をパターニングして維持電極４を形成
する際、ＩＴＯ膜のパターニングに用いるエッチャント
がバス電極５中のＣｕを側面から溶かすので、バス電極
５の三層構造を維持するのが難しく、したがって抵抗値
が上昇するという問題がある。また、この問題を避ける
ためには、ＩＴＯ膜をパターニングして維持電極４を形
成した後でバス電極５を形成しなければならないが、Ｉ
ＴＯが透明なためにこの手順では両電極の位置合わせが
難しいという問題点が発生する。
【０００６】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、位置合わ
せ精度が良好で、しかも抵抗値の安定した複合電極を前
面板に有するＡＣ型ＰＤＰを提供し、併せてその製造方
法を提供することにある。
されたものであり、その目的とするところは、位置合わ
せ精度が良好で、しかも抵抗値の安定した複合電極を前
面板に有するＡＣ型ＰＤＰを提供し、併せてその製造方
法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、前面板と背面板とが互いに平行に且つ対
向するように配設され、両者の間に設けられたバリヤー
リブにより表示要素しての複数のセルが形成されてお
り、前記前面板の背面側に透明電極である維持電極と金
属電極であるバス電極とからなる複合電極を備え、前記
背面板の前面側に前記複合電極と直交するように前記バ
リヤーリブの間に位置してアドレス電極を備えてなるＡ
Ｃ型ＰＤＰにおいて、前記維持電極をＩＴＯで形成し、
前記バス電極を維持電極側から順にＣｒの第１層電極、
Ｃｕの第２層電極、Ｃｒの第３層電極の三層構造にし、
且つ前記第２層電極を前記第３層電極で覆うようにした
ことを特徴とする。
め、本発明は、前面板と背面板とが互いに平行に且つ対
向するように配設され、両者の間に設けられたバリヤー
リブにより表示要素しての複数のセルが形成されてお
り、前記前面板の背面側に透明電極である維持電極と金
属電極であるバス電極とからなる複合電極を備え、前記
背面板の前面側に前記複合電極と直交するように前記バ
リヤーリブの間に位置してアドレス電極を備えてなるＡ
Ｃ型ＰＤＰにおいて、前記維持電極をＩＴＯで形成し、
前記バス電極を維持電極側から順にＣｒの第１層電極、
Ｃｕの第２層電極、Ｃｒの第３層電極の三層構造にし、
且つ前記第２層電極を前記第３層電極で覆うようにした
ことを特徴とする。
【０００８】そして、上記構成のＡＣ型ＰＤＰの製造方
法は、前記前面板上にＩＴＯ膜を形成し、前記第３層電
極が前記第２層電極を覆う状態で前記三層構造のバス電
極を形成した後、前記ＩＴＯ膜をエッチングによりパタ
ーニングにして前記維持電極を形成することにより前記
前面板上に前記複合電極を形成する工程を含むことを特
徴とする。
法は、前記前面板上にＩＴＯ膜を形成し、前記第３層電
極が前記第２層電極を覆う状態で前記三層構造のバス電
極を形成した後、前記ＩＴＯ膜をエッチングによりパタ
ーニングにして前記維持電極を形成することにより前記
前面板上に前記複合電極を形成する工程を含むことを特
徴とする。
【０００９】
【作用】上述の構成からなるＡＣ型ＰＤＰは、その前面
板上に複合電極を形成するに際し、ＩＴＯ膜上に第３層
電極が第２層電極を覆った状態でバス電極を形成した後
で下のＩＴＯ膜をエッチングによりパターニングして維
持電極を形成するので、第２層電極のＣｕがＩＴＯのエ
ッチャントから保護されて損傷を受けることがない。ま
た、後工程の熱の影響が第２層電極に直接及ばない。
板上に複合電極を形成するに際し、ＩＴＯ膜上に第３層
電極が第２層電極を覆った状態でバス電極を形成した後
で下のＩＴＯ膜をエッチングによりパターニングして維
持電極を形成するので、第２層電極のＣｕがＩＴＯのエ
ッチャントから保護されて損傷を受けることがない。ま
た、後工程の熱の影響が第２層電極に直接及ばない。
【００１０】
【実施例】本実施例のＡＣ型ＰＤＰの構造は図１に示す
のと同様であり、前面板の背面側に設ける複合電極が図
２に示す構造になっている点で異なっている。すなわ
ち、前面板１の複合電極のうちのバス電極５が維持電極
４側から順に第１層電極５ａ、第２層電極５ｂ、第３層
電極５ｃの三層構造になっている点で従来のものと軌を
一にするが、本実施例では第２層電極５ｂが第３層電極
５ｃで覆われた状態になっている。また、維持電極４は
ＩＴＯで形成され、バス電極５の第１層電極５ａはＣｒ
で、第２層電極５ｂはＣｕで、第３層電極５ｃはＣｒで
それぞれ形成されている。
のと同様であり、前面板の背面側に設ける複合電極が図
２に示す構造になっている点で異なっている。すなわ
ち、前面板１の複合電極のうちのバス電極５が維持電極
４側から順に第１層電極５ａ、第２層電極５ｂ、第３層
電極５ｃの三層構造になっている点で従来のものと軌を
一にするが、本実施例では第２層電極５ｂが第３層電極
５ｃで覆われた状態になっている。また、維持電極４は
ＩＴＯで形成され、バス電極５の第１層電極５ａはＣｒ
で、第２層電極５ｂはＣｕで、第３層電極５ｃはＣｒで
それぞれ形成されている。
【００１１】以下、前面板１の背面側に図２に示す維持
電極４とバス電極５を形成する手順について説明する。
電極４とバス電極５を形成する手順について説明する。
【００１２】まず、図３（ａ）に示すように、前面板１
となるガラス基板上にスパッタ法或いは真空蒸着法でＩ
ＴＯ膜２０を成膜する。その膜厚は１５００〜２０００
Å程度である。次いで、図３（ｂ）に示すように、ＩＴ
Ｏ膜２０の上に第１層２１としてＣｒを、第２層２２と
してＣｕを成膜する。それらの成膜方法はスパッタ法或
いは真空蒸着法であり、その膜厚は第１層２１が１００
Åであり、第２層２２が１００００Åである。ただし、
第１層２１と第２層２２の膜厚はこの限りではない。特
に第２層２２はパネルでの要求抵抗によりその膜厚を変
えなければならない。例えば、２１インチサイズ級で
は、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの三層構造で０．０１Ω／□以下
であることが望ましいため、その抵抗値を満たす膜厚分
を成膜する必要がある。
となるガラス基板上にスパッタ法或いは真空蒸着法でＩ
ＴＯ膜２０を成膜する。その膜厚は１５００〜２０００
Å程度である。次いで、図３（ｂ）に示すように、ＩＴ
Ｏ膜２０の上に第１層２１としてＣｒを、第２層２２と
してＣｕを成膜する。それらの成膜方法はスパッタ法或
いは真空蒸着法であり、その膜厚は第１層２１が１００
Åであり、第２層２２が１００００Åである。ただし、
第１層２１と第２層２２の膜厚はこの限りではない。特
に第２層２２はパネルでの要求抵抗によりその膜厚を変
えなければならない。例えば、２１インチサイズ級で
は、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの三層構造で０．０１Ω／□以下
であることが望ましいため、その抵抗値を満たす膜厚分
を成膜する必要がある。
【００１３】第２層２２までを成膜した後、フォトレジ
ストを塗布して乾燥させてから、露光及び現像工程を経
て、図３（ｃ）に示すようにフォトレジストＲのパター
ニングを行う。この場合、フォトレジストＲのパターン
幅は所定のバス電極の線幅より細くする。例えばバス電
極の線幅が６４μｍだとすると、フォトレジストＲは線
幅は６０μｍ程度にパターニングする。そして、パター
ニングされたフォトレジストＲをマスクとして、第２層
２２のＣｕをエッチング加工して所定パターンにパター
ニングした後、フォトレジストＲを剥離し、水洗して乾
燥させることにより、図３（ｄ）に示すように第１層２
１の上に第２層電極５ｂを形成する。ここで、Ｃｕのエ
ッチャントとしては過硫酸アンモン（（ＮＨ4 ）2 Ｓ2
Ｏ8 ）の水溶液（８０ｇ／ｌ）を使用した。
ストを塗布して乾燥させてから、露光及び現像工程を経
て、図３（ｃ）に示すようにフォトレジストＲのパター
ニングを行う。この場合、フォトレジストＲのパターン
幅は所定のバス電極の線幅より細くする。例えばバス電
極の線幅が６４μｍだとすると、フォトレジストＲは線
幅は６０μｍ程度にパターニングする。そして、パター
ニングされたフォトレジストＲをマスクとして、第２層
２２のＣｕをエッチング加工して所定パターンにパター
ニングした後、フォトレジストＲを剥離し、水洗して乾
燥させることにより、図３（ｄ）に示すように第１層２
１の上に第２層電極５ｂを形成する。ここで、Ｃｕのエ
ッチャントとしては過硫酸アンモン（（ＮＨ4 ）2 Ｓ2
Ｏ8 ）の水溶液（８０ｇ／ｌ）を使用した。
【００１４】次に、図３（ｅ）に示すように、第２層電
極５ｂを覆うように第３層２３としてＣｒを成膜する。
その成膜方法にはスパッタ法を用いるのがよい。真空蒸
着法でも成膜は可能であるが、その場合は、第２層電極
５ｂの側面部をＣｒで覆うためにガラス基板を金属蒸発
源に対してある程度角度を持たせた状態で成膜する必要
がある。第３層２３の膜厚は２０００Å程度とする。
極５ｂを覆うように第３層２３としてＣｒを成膜する。
その成膜方法にはスパッタ法を用いるのがよい。真空蒸
着法でも成膜は可能であるが、その場合は、第２層電極
５ｂの側面部をＣｒで覆うためにガラス基板を金属蒸発
源に対してある程度角度を持たせた状態で成膜する必要
がある。第３層２３の膜厚は２０００Å程度とする。
【００１５】第３層２３を成膜した後、再びフォトレジ
ストを塗布して乾燥させてから、露光及び現像工程を経
て、図４（ａ）に示すようにフォトレジストＲのパター
ニングを行う。この場合、フォトレジストＲのパターン
幅はバス電極の幅と同等にする。前述の例に従えば６４
μｍである。そして、パターニングされたフォトレジス
トＲをマスクとして第１層２１のＣｒと第３層２３のＣ
ｒを同時にエッチング加工して所定パターンにパターニ
ングした後、フォトレジストＲを剥離し、水洗して乾燥
させることにより、図４（ｂ）に示すように第１層電極
５ａと第３層電極５ｃを形成する。ここで、Ｃｒのエッ
チャントとしては「ザ・インクテック社製、ＭＲ−Ｅ
Ｓ」を使用した。
ストを塗布して乾燥させてから、露光及び現像工程を経
て、図４（ａ）に示すようにフォトレジストＲのパター
ニングを行う。この場合、フォトレジストＲのパターン
幅はバス電極の幅と同等にする。前述の例に従えば６４
μｍである。そして、パターニングされたフォトレジス
トＲをマスクとして第１層２１のＣｒと第３層２３のＣ
ｒを同時にエッチング加工して所定パターンにパターニ
ングした後、フォトレジストＲを剥離し、水洗して乾燥
させることにより、図４（ｂ）に示すように第１層電極
５ａと第３層電極５ｃを形成する。ここで、Ｃｒのエッ
チャントとしては「ザ・インクテック社製、ＭＲ−Ｅ
Ｓ」を使用した。
【００１６】次いで、再度フォトレジストを塗布して乾
燥させてから、露光及び現像工程を経て、図４（ｃ）に
示すようにフォトレジストＲのパターニングを行う。こ
の場合、フォトレジストＲのパターン幅は維持電極４の
線幅に対応させる。そして、パターニングされたフォト
レジストＲをマスクとしてＩＴＯ膜２０をエッチング加
工して所定パターンにパターニングした後、フォトレジ
ストＲを剥離し、水洗して乾燥させることにより、図４
（ｄ）に示すように維持電極４を形成して複合電極を完
成させる。このＩＴＯ膜２０のエッチャントとしては、
水、塩酸、硝酸を１：１：０．０８の割合で混合した水
溶液を使用した。このエッチング加工の際、第２層電極
５ｂが第３層電極５ｃで覆われていることで第２層電極
５ｂのＣｕがＩＴＯ膜２０のエッチャントにより溶かさ
れることがない。また、複合電極を完成した後も第２層
電極５ｂは露出していないため、後工程での熱の影響が
直接及ばず、したがって抵抗値が上昇することもない。
燥させてから、露光及び現像工程を経て、図４（ｃ）に
示すようにフォトレジストＲのパターニングを行う。こ
の場合、フォトレジストＲのパターン幅は維持電極４の
線幅に対応させる。そして、パターニングされたフォト
レジストＲをマスクとしてＩＴＯ膜２０をエッチング加
工して所定パターンにパターニングした後、フォトレジ
ストＲを剥離し、水洗して乾燥させることにより、図４
（ｄ）に示すように維持電極４を形成して複合電極を完
成させる。このＩＴＯ膜２０のエッチャントとしては、
水、塩酸、硝酸を１：１：０．０８の割合で混合した水
溶液を使用した。このエッチング加工の際、第２層電極
５ｂが第３層電極５ｃで覆われていることで第２層電極
５ｂのＣｕがＩＴＯ膜２０のエッチャントにより溶かさ
れることがない。また、複合電極を完成した後も第２層
電極５ｂは露出していないため、後工程での熱の影響が
直接及ばず、したがって抵抗値が上昇することもない。
【００１７】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、次に記載の効果を奏する。
で、次に記載の効果を奏する。
【００１８】請求項１記載のＡＣ型ＰＤＰは、前面板の
背面側に設ける複合電極のうち維持電極をＩＴＯで構成
するとともに、バス電極を維持電極側から順にＣｒの第
１層電極、Ｃｕの第２層電極、Ｃｒの第３層電極の三層
構造にし、且つ第２層電極を第３層電極で覆うようにし
たことにより、第２層電極のＣｕが第３層電極のＣｒで
保護されることで後工程での熱が第２層電極のＣｕに直
接及ばず、したがって熱による酸化が防止されて抵抗値
の上昇が抑えられることから、抵抗値が安定したものと
なる。
背面側に設ける複合電極のうち維持電極をＩＴＯで構成
するとともに、バス電極を維持電極側から順にＣｒの第
１層電極、Ｃｕの第２層電極、Ｃｒの第３層電極の三層
構造にし、且つ第２層電極を第３層電極で覆うようにし
たことにより、第２層電極のＣｕが第３層電極のＣｒで
保護されることで後工程での熱が第２層電極のＣｕに直
接及ばず、したがって熱による酸化が防止されて抵抗値
の上昇が抑えられることから、抵抗値が安定したものと
なる。
【００１９】請求項２記載の製造方法は、前面板上にＩ
ＴＯ膜を形成し、第３層電極が第２層電極を覆う状態で
三層構造のバス電極を形成した後、ＩＴＯ膜をエッチン
グによりパターニングにして維持電極を形成するように
したことにより、ＩＴＯ膜のエッチャントが第２層電極
のＣｕを溶かすことがなく、したがってバス電極の三層
構造が維持され、製造工程で抵抗値が上昇することがな
い。また、ＩＴＯ膜をパターニングして維持電極を形成
した後でバス電極を形成する場合に比べると、維持電極
とバス電極の位置合わせが良好に行えるという利点もあ
る。
ＴＯ膜を形成し、第３層電極が第２層電極を覆う状態で
三層構造のバス電極を形成した後、ＩＴＯ膜をエッチン
グによりパターニングにして維持電極を形成するように
したことにより、ＩＴＯ膜のエッチャントが第２層電極
のＣｕを溶かすことがなく、したがってバス電極の三層
構造が維持され、製造工程で抵抗値が上昇することがな
い。また、ＩＴＯ膜をパターニングして維持電極を形成
した後でバス電極を形成する場合に比べると、維持電極
とバス電極の位置合わせが良好に行えるという利点もあ
る。
【図１】ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの一構成例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明に係るＡＣ型プラズマディスプレイパネ
ルにおける前面板の複合電極を示す断面図である。
ルにおける前面板の複合電極を示す断面図である。
【図３】本発明に係るＡＣ型プラズマディスプレイパネ
ルの製造方法を説明するための前半の工程図である。
ルの製造方法を説明するための前半の工程図である。
【図４】図３に続く後半の工程図である。
１ 前面板 ２ 背面板 ３ バリヤーリブ ４ 維持電極 ５ バス電極 ５ａ 第１層電極 ５ｂ 第２層電極 ５ｃ 第３層電極 ６ 誘電体層 ７ ＭｇＯ層 ８ アドレス電極 ９ 誘電体層 １０ 蛍光層 １１ セル
Claims (2)
- 【請求項１】 前面板と背面板とが互いに平行に且つ対
向するように配設され、両者の間に設けられたバリヤー
リブにより表示要素しての複数のセルが形成されてお
り、前記前面板の背面側に透明電極である維持電極と金
属電極であるバス電極とからなる複合電極を備え、前記
背面板の前面側に前記複合電極と直交するように前記バ
リヤーリブの間に位置してアドレス電極を備えてなるＡ
Ｃ型プラズマディスプレイパネルにおいて、前記維持電
極をＩＴＯで構成し、前記バス電極を維持電極側から順
にＣｒの第１層電極、Ｃｕの第２層電極、Ｃｒの第３層
電極の三層構造にし、且つ前記第２層電極を前記第３層
電極で覆うようにしたことを特徴とするＡＣ型プラズマ
ディスプレイパネル。 - 【請求項２】 請求項１記載のＡＣ型プラズマディスプ
レイパネルを製造する方法であって、前記前面板上にＩ
ＴＯ膜を形成し、前記第３層電極が前記第２層電極を覆
う状態で前記三層構造のバス電極を形成した後、前記Ｉ
ＴＯ膜をエッチングによりパターニングにして前記維持
電極を形成することにより前記前面板上に前記複合電極
を形成する工程を含むことを特徴とするＡＣ型プラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7115387A JPH08315733A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7115387A JPH08315733A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08315733A true JPH08315733A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=14661289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7115387A Pending JPH08315733A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08315733A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980084659A (ko) * | 1997-05-24 | 1998-12-05 | 손욱 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2003229049A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| KR100393040B1 (ko) * | 1997-05-22 | 2003-10-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마표시소자의제조방법 |
-
1995
- 1995-05-15 JP JP7115387A patent/JPH08315733A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100393040B1 (ko) * | 1997-05-22 | 2003-10-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마표시소자의제조방법 |
| KR19980084659A (ko) * | 1997-05-24 | 1998-12-05 | 손욱 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2003229049A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
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