JPH11121976A - 電子部品用放熱構造 - Google Patents
電子部品用放熱構造Info
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Abstract
の集積回路からの放熱を促進すると共に、電磁波をも効
果的に吸収できる放熱構造を提供する。 【解決手段】 本発明の電子部品用放熱構造では、集積
回路24の上に、パテ27、電磁波吸収体29、金属板
31、誘電体33、放熱体25を積層したものである。
また、金属板31と放熱体25とで誘電体33を挟んだ
部分は容量素子となっている。集積回路24から発生
し、電磁波吸収体29にて吸収しきれなかった電磁波の
一部が金属板31にて反射され、再び電磁波吸収体29
にて吸収を受ける。残りの電磁波は金属板31上で渦電
流となるが、前記容量素子により、この箇所の積層構造
が、渦電流と相俟ってLCフィルタを為し、これによ
り、渦電流が減衰される。従って、集積回路24の熱を
放出できるだけでなく、電磁波が周囲に漏れ出すのを効
率的に防ぐことができる。
Description
子部品からの放熱を促すために用いられる放熱構造に関
する。
年、高速動作が可能なCPU(Central Processing Uni
t )が開発されたことにより、コンピュータの性能が目
覚ましく向上している。そしてこれに伴いCPUから発
せられる大量の熱を効率よく発散させ、CPUが誤動作
しないように、多数のフィンを備えた放熱体をCPUの
上面に固定したり、これに更にファンを設けて風を当て
る等の配慮が為されている。
は、熱もさることながら、電磁波も問題となる場合があ
る。すなわち、前記のフィン等から熱だけでなく電磁波
もその周辺へと放出され、その電子部品の近傍の他の電
子部品に動作に悪影響を及ぼすことや、当該電子部品が
適用されている電子機器の周辺へ電磁波が漏洩すること
による障害が危惧されている。こうした課題はCPUに
限らず、様々な電子部品において同様に発生する。
で、請求項1に記載の電子部品用放熱構造は、熱だけで
なく、電子部品から発せられる電磁波の吸収をも良好に
行なえるようにすることを目的としている。また、請求
項2および3に記載の電子部品用放熱構造は、電磁波の
放射防止効果を一層高めることを特徴とする。
めになされた本発明の請求項1記載の電子部品用放熱構
造は、放熱対象となる電子部品の上面に、少なくとも板
状の電磁波吸収体と、該電磁波吸収体にて吸収しきれな
かった電磁波を該電磁波吸収体へと反射するための金属
板と、板状の誘電体と、複数の放熱フィンを備えた放熱
体と、をこの順序で積層したことを特徴とする。
1に記載の電子部品用放熱構造において、前記電磁波吸
収体が、電波吸収材料を厚さが0.1ないし1mmの板
状にしたものである吸収基板に、整合周波数を調整する
貫通穴である調整穴を形成したものであることを特徴と
する。
は2に記載の電子部品用放熱構造において、前記放熱体
をアースしたことを特徴とする。
構造は、CPU等の電子部品の上面に、板状の電磁波吸
収体と、金属板と、板状の誘電体と、複数の放熱フィン
を備えた放熱体と、をこの順序で積層したものである。
なお、これ以外にも、例えば電磁波吸収体を電子部品の
上面に固定するためのパテや接着剤を積層してももちろ
ん構わない。また、電子部品の「上面」とは、電子部品
が実装されるプリント基板等から離れた面を指すものと
する。従って、水平にされたプリント基板の裏面に電子
部品が実装されている場合には、上面は下方を向くこと
になる。
部品から発せられた電磁波はまず、電磁波吸収体にてあ
る程度吸収される。吸収しきれず貫通した電磁波は、そ
の一部が金属板にて反射され、再び電磁波吸収体にて吸
収を受ける。残りの電磁波は金属板上で渦電流となって
停留するが、この金属板と放熱体とで誘電体を挟んでい
ることにより容量素子が形成されているため、この箇所
の積層構造が、渦電流と相俟って一種のLCフィルタを
為す。このLCフィルタにより、渦電流が減衰され、放
熱体のフィンなどから外部へと放出される電磁波はごく
わずかとなる。
ば、電子部品の熱を効率的に放出すると共に、電磁波を
効率よく吸収することができる。ここで誘電体として
は、樹脂、セラミックス、樹脂にフィラーを混練したも
の、等が挙げられる。ここで樹脂としてはエポキシ、ポ
リエチレン、ポリカーボネイト、シリコーン等が挙げら
れ、セラミックスとしてはチタン酸バリウム、SiC、
Al2O3、BeO、MgO、AlN、BN等が挙げられ
る。また電磁波吸収体としては、フェライト(酸化鉄を
粉砕し、焼結したもの)、フェライトと合成樹脂の複合
材、金属磁性粉体(鉄アルミ珪素合金(センダスト)、
鉄ニッケル合金(パーマロイ)、鉄珪素合金)と合成樹
脂の複合材、等が挙げられる。また、請求項2のように
しても良い。
磁波吸収体は、電波吸収材料を厚さが0.1ないし1m
mの板状にしたものである吸収基板に、整合周波数を調
整する貫通穴である調整穴を形成したものものである。
電磁波吸収体の厚さは、一般にその電波吸収基板を構成
する材料の材料定数と吸収させようとする電波の周波数
とから一義的に決まってしまい、例えば、マイクロ波帯
1.0mm以下と言う薄さは、従来、極めて困難とされ
て来た。このような薄さが実現できたのは、吸収基板
に、調整穴を形成したことによる。これについて図1お
よび図2を用いて説明する。
斜視図で、図1(b)は吸収基板の正面図である。図1
(a)に示すように、被験体は、直径19.44mm、
厚さ0.9mmの円盤状に形成した吸収基板11を同軸
管13の終端に装荷したもので、ここでは吸収基板11
を形成する電波吸収材料としてゴムフェライトを用い
た。同軸管13は外導体15と内導体17とから成り、
吸収基板の裏側には外導体15と内導体17とを短絡す
る導体板19が設けられている。そして図1(b)に示
すように、基板には直径11.0mmの周上に等間隔で
調整穴(直径2mm)21を形成した。調整穴21を形
成しないもの、4個形成したもの、8個形成したものを
用意した。なお、吸収基板11の中央の穴23は内導体
17が通る穴である。
13に取り付け、本図の左方からTEM波を照射し、同
じ側で計測された電波の強さから算出された電波反射減
衰量を示したのが図2のグラフである。図2のグラフ
は、横軸に周波数、縦軸に各周波数にて計測された電波
反射減衰量を示したものである。本図に示すように、調
整穴21を8個形成することによって、2.2〜3GH
zの周波数において−20dBという電波反射減衰量を
呈する。つまり、0.9mmという薄い吸収基板11に
おいても、微小な調整穴を多数形成することによって、
形成しない場合に比べ、吸収基板11の整合特性を改善
し、2.2〜3GHzの範囲で吸収可能にすることがで
きる。
変えたときのグラフを図3に示す。図3に示すように、
厚さを0.8mmにすると、調整穴の数が8個のときの
整合周波数が1.5〜2.2GHzとなる。すなわち、
1mm以下の厚さであっても適宜調整穴を設けることに
よって、ゴムフェライトを用いた実施例では、1GHz
以上の周波数の電波を吸収することができる。
判明した、1mm以下という薄さの吸収基板に貫通孔を
形成すると、予想に反し、比透磁率の値μr=μr'−j
μr''の虚部が増大し実部が1となる周波数が低下する
という事実、による。具体的には、磁性電波吸収材が電
波を吸収する条件である μr''>μr' (ただしμr'はほぼ1)……(1) の関係が貫通孔を設けても保たれる。この場合、吸収基
板が2〜8mmといった厚さの場合には、貫通孔を形成
すると、μr'、μr''が何れも増加し、とくに整合周波数
に関連する透磁率実部μr'がほぼ1となる周波数が高周
波域へ移行する。しかし、1mm以下になると貫通孔を
設けることにより透磁率の実部μr'、虚部μr''の値が
増加状態から減少しはじめ、μr'が1となる周波数が再
び低周波側へ移行してくる。しかし、この場合依然μ
r''の値は上記(1)の関係を維持し、本来の整合時
(貫通孔を設けない場合)のμr''の値と同等かやや大
きな値をとる。この結果、本来の整合厚(例えば8m
m)における整合特性と同等の特性を、わずか1mm以
下という薄さの吸収基板に貫通孔を形成することにより
備えさせることができる。この貫通孔が本発明の調整孔
である。
放熱構造によれば、電磁波吸収体が1mm以下という薄
さであるため、金属板や誘電体と共に積層しても、かさ
ばることがなく、また金属板が、図1に示した導体板1
9と同等の作用をするので、電子部品から漏洩する電波
を効果的に吸収することができる。
は、放熱体がアースされている。これにより放熱体にま
で到達した電磁波を、グランドや筐体へ流すことがで
き、当該電子部品の周辺への電磁波の漏洩を着実に防ぐ
ことができる。
る。まず、図4は、本発明の第1実施例としての電子部
品用放熱構造を、集積回路24に適用した様子を示した
側面図である。本図に示すように集積回路24と放熱体
25との間には、集積回路24の方から、パテ27と、
電磁波吸収体29と、金属板31と、誘電体33とが積
層されている。集積回路24はプリント基板35状に実
装されており、また放熱体25は導線37にてアースさ
れている。また、金属板31と放熱体25とで誘電体3
3を挟んでいることにより容量素子が形成されている。
集積回路24から発せられ、パテ27を貫通した電磁波
は、電磁波吸収体29にてある程度吸収される。ここで
吸収されなかった電磁波は、その一部が金属板31にて
反射され、再び電磁波吸収体29にて吸収を受ける。残
りの電磁波は金属板31上で渦電流となって停留する
が、金属板31、誘電体33、放熱体25にてなる容量
素子により、この箇所の積層構造が、渦電流と相俟って
一種のLCフィルタを為す。このLCフィルタにより、
渦電流が減衰される。しかも、放熱体25は導線37に
てアースされているため、放熱体25のフィンなどから
外部へと放出される電磁波はごくわずかとなる。
ば、集積回路24の熱を放熱体25から効率的に放出す
るだけでなく、電磁波が周囲に漏れ出すのを効率的に防
ぐことができる。次に、本発明の第2実施例を図5に示
す。図5(a)は、第2実施例の電子部品用放熱構造
を、集積回路24に適用した様子を示した側面図、図5
(b)は、吸収基板11および金属板31のみを取り出
し拡大した断面図、図5(c)は吸収基板11および金
属板31の他の態様を示す断面図である。
は、第1実施例における電磁波吸収体29を吸収基板1
1に変えたものである。この吸収基板11は、図5
(b)に示すように、その上に積層される金属板31と
共に大小の貫通穴21a、21bが形成されている。こ
れら調整穴21a、21bにより吸収基板11の吸収特
性を改善することができ、吸収基板11が第1実施例の
電磁波吸収体29と同等の吸収効果を発揮する。
明してきたが、本発明はこうした実施例に何等限定され
るものではなく様々な態様で実施しうる。例えば、吸収
したい電磁波の周波数によっては、図5(c)に示すよ
うに、調整穴21を吸収基板11のみに形成したり、大
きさを均一にしたりしてもよい。またこのようにしても
所望の周波数の電磁波を吸収できない場合には、調整穴
21内に誘電体を充填しても良い。こうすると、吸収で
きる周波数を低い側へシフトさせることができる。
験体を示す説明図である。
結果を示すグラフである。
験の結果を示すグラフである。
Claims (3)
- 【請求項1】 放熱対象となる電子部品の上面に、少な
くとも板状の電磁波吸収体と、 該電磁波吸収体にて吸収しきれなかった電磁波を該電磁
波吸収体へと反射するための金属板と、 板状の誘電体と、 複数の放熱フィンを備えた放熱体と、 をこの順序で積層したことを特徴とする電子部品用放熱
構造。 - 【請求項2】 前記電磁波吸収体が、 電波吸収材料を厚さが0.1ないし1mmの板状にした
ものである吸収基板に、整合周波数を調整する貫通穴で
ある調整穴を形成したものであることを特徴とする請求
項1記載の電子部品用放熱構造。 - 【請求項3】 前記放熱体をアースしたことを特徴とす
る請求項1または2に記載の電子部品用放熱構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28202697A JP4005678B2 (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | 電子部品用放熱構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28202697A JP4005678B2 (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | 電子部品用放熱構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121976A true JPH11121976A (ja) | 1999-04-30 |
| JP4005678B2 JP4005678B2 (ja) | 2007-11-07 |
Family
ID=17647209
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4005678B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003081973A1 (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Toyo Services,Corp. | Electromagnetic wave shielding sheet, electromagnetic wave shielding transmission cable and electromagnetic wave shielding lsi |
| JP2009123785A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Kitagawa Ind Co Ltd | 熱伝放射材 |
| US10631397B1 (en) | 2018-10-25 | 2020-04-21 | Seiko Epson Corporation | Printed circuit board, electronic device and heat conduction sheet |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52128014U (ja) * | 1976-03-26 | 1977-09-29 | ||
| JPS5927597A (ja) * | 1982-08-06 | 1984-02-14 | ティーディーケイ株式会社 | 電波吸収体 |
| JPS61292998A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-23 | 横浜ゴム株式会社 | 電波吸収材 |
| JPS6441248A (en) * | 1987-08-07 | 1989-02-13 | Hitachi Ltd | Hermetically sealed type semiconductor device |
| JPH08167682A (ja) * | 1994-10-12 | 1996-06-25 | Kitagawa Ind Co Ltd | 放熱体 |
| JPH08204377A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Nec Eng Ltd | 遮蔽体 |
-
1997
- 1997-10-15 JP JP28202697A patent/JP4005678B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52128014U (ja) * | 1976-03-26 | 1977-09-29 | ||
| JPS5927597A (ja) * | 1982-08-06 | 1984-02-14 | ティーディーケイ株式会社 | 電波吸収体 |
| JPS61292998A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-23 | 横浜ゴム株式会社 | 電波吸収材 |
| JPS6441248A (en) * | 1987-08-07 | 1989-02-13 | Hitachi Ltd | Hermetically sealed type semiconductor device |
| JPH08167682A (ja) * | 1994-10-12 | 1996-06-25 | Kitagawa Ind Co Ltd | 放熱体 |
| JPH08204377A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Nec Eng Ltd | 遮蔽体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003081973A1 (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Toyo Services,Corp. | Electromagnetic wave shielding sheet, electromagnetic wave shielding transmission cable and electromagnetic wave shielding lsi |
| JP2009123785A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Kitagawa Ind Co Ltd | 熱伝放射材 |
| US10631397B1 (en) | 2018-10-25 | 2020-04-21 | Seiko Epson Corporation | Printed circuit board, electronic device and heat conduction sheet |
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|---|---|
| JP4005678B2 (ja) | 2007-11-07 |
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