JPH11144892A - プラズマ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】液晶表示装置に用いられている薄膜トランジス
タ素子を形成するプラズマＣＶＤ装置を大型化するとき
に問題となる、成膜の不均一性、薄膜トランジスタ界面
のイオンダメージ、高速成膜による絶縁膜中の固定電荷
の増大などを低減し、超大型アクティブマトリックス液
晶表示装置の量産を実現する。 【構成】ガラス基板に対向する放電電極が複数の電極か
ら構成されており、それぞれの電極は、互いに極性の異
なる高周波電圧を印加され横方向の放電を生じるように
配置されている。反応ガスは、電極と電極のあいだから
放出される。横電界の放電プラズマ中に放出されたガス
は、プラズマ反応を生じた後ガラス基板側の方向に拡散
し、ガラス基板に堆積する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】アクティブマトリックス液晶パネ
ルを製造するときに使用するプラズマＣＶＤ装置やドラ
イエッチング装置、プラズマアッシング装置に関するも
ので特に超大型基板に適用可能である．そのほかに本発
明は、Ｓｉウェーハーを用いるＬＳＩプロセスにも同様
に適用可能である．

【０００２】

【従来の技術】ガラス基板をのせるステージと、そのス
テージに対向して放電電極を配置している。放電電極は
一体化しており電極の表面に多数の穴をあけその穴から
反応ガスを放出し放電させる．ガラス基板と放電電極の
空間は通常２０ｍｍ以上あいている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の平行平板型一体
化放電電極構造のプラズマ発生装置で放電ガス圧力を高
くしていくとパッツェンの法則により放電電極とステー
ジの空間を小さくしていかないと放電開始電圧と放電維
持電圧が非常に高くなってしまう。放電開始電圧が高く
なると、放電がはじまる時に、ステージの上にガラス基
板側に放電ダメージを与えやすくなり、薄膜アモルファ
ス・トランジスタ素子の特性をいちじるしく低下させて
しまう。さらに従来の平行平板型一体化放電電極構造の
プラズマ発生装置では、ガラス基板の大型化にともない
放電電極を大型化していくとガラス基板に均一にアモル
ファスＳｉ薄膜を堆積していくことがむずかしくなり、
放電ガス圧力を低くする方向で均一堆積を実現してい
る。放電ガス圧力が低くなると堆積速度も低くなりスル
ープットが低下するという問題が発生します。放電ガス
圧力を低くするとプラズマ中のイオンの平均自由行程の
距離が長くなりイオンの運動エネルギーが大きくなりガ
ラス基板にダメージを与えるので膜質が悪化する傾向に
ある。堆積速度を向上させるために放電の高周波の周波
数を大きくする方法も可能であるが大型基板に用いる場
合電源のコストが大きくなり装置の設計もむずかしくな
る。さらに放電パワーを大きくすると従来の場合ガスの
放出口でアーキング現象が発生し、放電電極が破壊され
る問題も多発していた。

【０００４】本発明のプラズマ発生装置は、上記の課題
を解決するもので、その目的とするところは、ガラス基
板を大型化するときに問題となる成膜の不均一性、薄膜
トランジスタの界面のイオンダメージ、高速成膜による
絶縁膜中の固定電荷の増大などを低減することで、薄膜
トランジスタの特性を向上し、超大型ガラス基板を用い
た超大型液晶表示装置を実現することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決
し、その目的を達成するために次の手段をとる． 〔手段１〕ガラス基板をのせるステージと前記ステージ
に水平に対向している放電電極から構成されるプラズマ
発生装置において、前記放電電極を複数の電極から構成
し、それぞれの電極には、互いに極性の異なる高周波電
圧を印加し、ステージに対して水平な横電界を発生さ
せ、横方向の放電が生じるようにした。

【０００６】〔手段２〕手段１において、分離されてい
る放電電極と放電電極ののあいだに、穴か、スリットを
もうけ、この部分から反応ガスを反応チェンバー内にお
くりこむようにした。

【０００７】〔手段３〕手段２において、それぞれ分離
されている複数の放電電極を交互に連結し２群にわけ
て、それぞれの群に位相の異なる２相の高周波電圧を印
加して、ステージに対して水平な方向に放電させた。

【０００８】〔手段４〕手段２において、それぞれ分離
されている複数の放電電極を交互に連結し３群にわけ
て、それぞれの群に位相の異なる３相の高周波電圧を印
加して、ステージに対して水平な方向に放電させた。

【０００９】〔手段５〕手段２において、それぞれ分離
されている複数の放電電極をすべて電気的に連結させ同
相の高周波電圧を印加して、ステージに対して垂直方向
の縦放電を発生させたり、電気的に２つ以上の電極群に
分離してステージに対して水平方向の横放電を発生たり
して、ステージに対して放電モードを切り換えることが
可能なようにした．

【００１０】〔手段６〕手段２において、複数に分離さ
れている放電電極が電極を固定している絶縁体の中にう
めこまれており、電極と電極のあいだの穴やスリットか
ら反応ガスを反応チェンバー内におくりこむ構造とし
た。

【００１１】〔手段７〕ガラス基板をのせるステージ
と、前記ステージに水平に対向している放電電極から構
成されるプラズマ発生装置において、前記放電電極がハ
ニカム形状となっており、このハニカム電極に高周波電
圧を印加し、ステージに対して垂直な方向に電界を発生
させ、縦方向の放電が生じるようにした。

【００１２】〔手段８〕手段７において、ハニカム電極
の穴のおくに、反応ガス放出口があり、この反応ガス放
出口から反応ガスを反応チェンバー内におくりこむ構造
とした。

【００１３】〔手段９〕手段７において、ハニカム電極
の開口部の径よりもハニカム電極の穴の深さの方が大き
い構造とした。（電極の表面積を大きくした。）

【００１４】〔手段１０〕手段２において、ガラス基板
をのせているステージにプラスまたはマイナスのＤＣ電
圧を印加したり、ＤＣバイアス電圧のかかった高周波電
圧を印加することができるようにした。

【００１５】〔手段１１〕ガラス基板をのせるステージ
の表面がハニカム形状となっており、ガラス基板を持ち
上げるリフターのピンがハニカムの穴から出てきてガラ
ス基板をささえられるようにした。

【００１６】〔手段１２〕手段１，手段７に用いられる
放電電極材料にマグネシウムか、マグネシウムを主体と
する合金、または、アルミニウムか、アルミニウムを主
体とする合金を用いた。

【００１７】〔手段１３〕手段７において、ハニカム放
電電極と同じ形状のハニカムシールド電極を絶縁スペー
サーをかいしてはりあわせた構造とした。

【００１８】

【作用】放電電極を複数に分割し、それぞれに位相の異
なる高周波電圧を印加することでステージに水平方向の
放電を生じさせる。この横方向放電の場合にはステージ
の上のガラス基板には、イオンや電子がふりそそぐこと
がないので放電ダメージが激減する．薄膜トランジスタ
の特性を最も支配するゲート絶縁膜と半導体層の界面を
形成する時に界面に放電ダメージを得えないようにする
ことが重要である。ゲート電極が下部にありゲート絶縁
膜を堆積してから半導体層（ノンドープａ−Ｓｉ層）を
堆積する逆スタガー型薄膜トランジスタが主流になって
いるのも、この界面形成時の放電ダメージが小さくでき
るからである。半導体層を堆積する時の放電パワー密度
はゲート絶縁膜を堆積する時の放電パワー密度よりも１
／４〜１／１０程度小さい。放電パワー密度を小さくす
ることで界面にダメージを得えないようにしているだ。
従来の平行平板型のプラズマＣＶＤ装置では、放電電極
とガラス基板の間にガラス基板と垂直方向に電界を印加
させ縦方向に放電を生じさせている。このタイプのプラ
ズマＣＶＤ装置では、放電パワー密度を小さくしても、
原理的に放電ダメージをなくすことは不可能である。そ
のために放電ダメージを低減するためにはイオンの平均
自由行程を小さくする必要があり、放電ガス圧力はでき
るだけ高い方が良い。しかし放電ガス圧が高いと放電開
始電圧が高くなり、放電が開始する瞬間に、界面にダメ
ージを得えてしまう。さらに放電ガス圧が高いと放電電
極のエッジ部分に放電がかたよってしまい均一な膜厚と
膜質を得ることができなくなる。

【００１９】本発明の横方向放電を用いると放電電極と
放電電極の空間を１０ｍｍ以下にすることができるので
ガス圧力を高くしても放電開始圧は高くならないし、放
電の不均一性も生じない。ガス圧力を小さくしても横方
向放電なので原理的に放電ダメージをガラス基板に得え
ることがない。放電条件の範囲が非常に広くなるので薄
膜トランジスタの特性を悪化させることなくダストの発
生しない高速堆積条件を見つけることが可能である。

【００２０】ガラス基板がメートルサイズほどの大きさ
になっての放電電極の重量も問題になってきます。従来
のＰＣＶＤの放電電極の板厚は２０ｍｍ以上もあり電極
の交換も非常に大変です。本発明のハニカム電極は、重
量を従来の１／３〜１／４に低減できます。コストも従
来の１／３程度まで低減可能です。従来の平行平板電極
よりも穴の深さを深くできるので放電表面積を拡大でき
ます。これにより放電電極付近の電位降下を低減できる
のでプラズマ反応が放電電極側に集中するのを防止でき
る。そのために従来の電極よりもダストやパーティクル
の発生を低減できる。異常放電がなくなる．

【００２１】スループットと向上させ生産性をあげるた
めに高周波電圧の周波数を従来の２倍、３倍にあげる方
法が提案されているが、ガラス基板が大きくなればなる
ほど、電極の容量が大きくなり電極の表面抵抗も大きく
なるので装置設計が非常にむずかしくなってくる。本発
明の場合、横方向放電ではプラズマダメージが低減可能
なので逆に大型化の場合には、放電周波数をさげる方向
での検討が可能である。放電周波数をさげた場合、高周
波電源の設計も簡単になり、ＰＣＶＤ装置の放電の安定
性も向上する。

【００２２】従来の平行平板型のプラズマ装置ではガラ
ス基板をのせたステージの電位を変化させても放電電極
とステージの間で縦方向放電が生じているために、ガラ
ス基板の表面電位をコントロールすることはできなかっ
たが本発明のプラズマ発生装置では、放電は、複数に分
離された放電電極と放電電極の間で生じるためにガラス
基板をのせたステージの電位を変化させることでガラス
基板表面の電位をコントロールすることが可能となる。
これにより絶縁膜を堆積する時に膜中にとりこまれる固
定電荷の極性と固定電荷の数をコントロールすることが
できるようになるので絶縁膜の膜質を大幅に改善するこ
とができる。膜の応力のコントロールもしやすくなるの
で歩留りも向上することができる．

【００２３】

【実施例】〔実施例１〕図１，図３，図４，図５，図
７，図８，図９，図１０，図２２，図２３は、本発明の
ガラス基板に対して水平方向に横放電させるための放電
電極の断面図と、平面図である。２群に分離されている
放電電極の断面は三角形や台形、半円形、Ｔ字形などい
ろいろな形状のものが考えられる。材質はアルミニウム
かアルミニウムの合金を用いて表面を陽極酸化処理して
いる。これらの放電極は反応ガス放出口の穴のあいた絶
縁板に固定されており、図２のように２群の電極に高周
波電圧を印加して横方向放電を発生させる．

【００２４】放電電極を図１７のように３群に分離さ
せ、それぞれに１２０度の位相のずれた三相高周波電圧
を印加することができる。印加電圧波形は、サイン波形
だけでなく図１８にあるように矩形の波形でも良い。図
１９にあるように変調のかかったサイン波形でも矩形波
でも良い。

【００２５】図７や図８には、放電電極を固定している
絶縁板の裏側に放電がまわりこまないようにシールド板
▲２０▼や多孔質ガス拡散シールド電極▲２１▼を設置
している。図１０ではガスの放出口の部分に強い電界が
かからないようにガス放出口に近い放電電極の一部を円
形にけずりとっています。図２３は、反応ガス放出口を
放電電極からとうざけた構造になっています。

【００２６】図６は、放電電極を絶縁板中にうめこんだ
構造になっています。この構造では、反応チェンバーの
内面をすべてセラミックでおおうことができるので、堆
積膜のはがれが生じにくくなります。

【００２７】〔実施例２〕図１２，図１４，図１６，図
２４，図２６，図２７は、本発明のハニカム放電電極を
用いたプラズマ発生装置の断面図とハニカム放電電極の
平面図である。従来のプラズマ発生装置は、図１１にあ
るように板厚が２５ｍｍ以上あるアルミ合金を陽極酸化
したものを使用していた。メートルサイズの放電電極
を、従来の構造で造る場合重量が非常に重くなり、メン
テナンスの時に問題となっていた。さらに従来の場合ド
リルによる１個１個の穴あけ加工なので製作コストも非
常に高価なものになっていた。本発明のハニカム電極を
用いれば重量を従来の１／３〜１／４に低減でき、コス
トも大幅で低減可能となる．図１５，図１６，図２６の
ようにハニカム放電電極の近くにアース電極を設置する
ことで、反応ガス圧力を高くしても安定した放電を放電
電極全面に均一に持続できる。図１６の場合絶縁スペー
サー▲１７▼のガス放出口の部分に放電が集中し狭さ
く放電が生じる。▲１７▼は耐熱性セラミックなので溶
解しない。ハニカム電極の表面積は従来の放電電極より
も大きいので陰極降下電圧も小さくなり電極の発熱も小
さくなる。ハニカムの開口径▲ａ▼を電子の平均自由行
程よりも小さくし穴の深さ▲ｂ▼を▲ａ▼よりも大きく
することでハニカム電極の穴の中の電子密度を上げるこ
とができる。ハニカム電極の材質をマグネシウムやマグ
ネシウム合金の酸化物にすることで、電子密度をさらに
向上することが可能となる．このことにより反応ガスの
イオン化やラジカル形成をいちじるしく増大させること
ができるようになる。堆積の場合には堆積速度を向上す
ることができ、ドライエッチングの場合には、エッチン
グ速度を向上できる。アッシングの場合には、アッシン
グの速度を早くすることができる。

【００２８】本発明のハニカム電極は、マグネシウム合
金を使用する場合チクソモールディング法を用いて射出
成形することが可能である。この場合にはコストをいち
じるしく低下できる。ハニカムステージの製造にもチク
ソモールディング法を用いることができる。軽く、肉厚
を薄くでき、精度を向上できるので大面積のハニカム板
を作るには適した製造方法である。

【００２９】〔実施例３〕図２０，図２１が本発明のハ
ニカム構造のステージの平面図と断面図である。ガラス
基板との接触面積が小さいので、ガラス基板を持ち上げ
る時の静電気の発生が非常にすくなくてすみます。ガラ
ス基板が大きくなっても、ガラス基板のエッジ部分を持
ってもちあげる必要がありません。ガラス基板のたわみ
の一番すくなくなる点にリフターのピンを設置すること
ができるようになるので、ガラス基板の破壊などが生じ
なくなります。ガラス基板に応力がかからなくなるの
で、ガラス基板に形成された配線の断線も発生しなくな
ります。リフターピンの穴を利用してＮ_２ガスを流して
ガラス基板の真空吸着をやぶることが可能となります。
ガラス基板が大きくなればなるほどいろいろな効果が期
待できるハニカム形状のステージは、真空装置のステー
ジ用だけでなく、大気中で使用されるホットプレートな
どの加熱乾燥装置のステージ用としても利用可能であ
る。

【００３０】

【発明の効果】本発明の横方向放電電極方式のプラズマ
ＣＶＤ装置を用いることで界面ダメージのすくないすぐ
れた特性の薄膜トランジスタを形成することができる．
電子移動度の向上により液晶パネルに利用する場合薄膜
トランジスタのＷ／Ｌを小さく設計できるので、開口率
を向上でき明るい液晶パネルを作ることができる．さら
にＷ／Ｌを小さくできることは画素電極電位のゲート電
極による影響を小さくできるので残像の問題を低減する
ことができる。

【００３１】さらに横放電型プラズマＣＶＤ装置を用い
て絶縁膜を堆積する場合、ガラス基板のプラズマ電位を
自由にコントロールできるので絶縁膜中の固定電荷量を
低減することができる．これにより薄膜トランジスタ特
性の信頼性を大幅に向上することができる。

【００３２】本発明の横方向放電装置はプラズマＣＶＤ
装置だけでなくプラズマドライエッチング装置、プラズ
マアッシング装置などにも適用可能であり、ガラス基板
だけでなくＳｉ単結晶基板にも用いることができ、応用
範囲の非常に広い装置である。

【００３３】本発明のハニカム放電電極を用いることで
超大型ガラス基板用のプラズマ装置のメンテナンス作業
がしやすくなり、放電電極のコストを低減することが可
能となる。ハニカム放電電極の近くにアース電極を設置
することで放電ガス圧力を高くしても電極全体に放電が
ひろがるので、高速堆積を実現でき、界面ダメージも低
減できる．これにより生産性が向上する。

【００３４】本発明のハニカムステージを用いることで
超大型ガラス基板のリフトアップ時に静電気の発生が大
幅に低減できガラス基板の破損が減少する。ガラス基板
の歪曲がいちばん小さくなる部分にリフターピンを設置
することが可能なのでガラス基板上の配線パターンの断
線も激減します．ハニカムステージの材質はアルミニウ
ム合金でもマグネシウム合金でもよい．ステンレス系の
合金でもよい。セラミックスの絶縁物でもよい。本発明
ではハニカム形状を特色としているがストライプ状の形
状でも効果は同じである。ハニカム形状では真空吸着の
機能をもたせやすいが、ストライプ状では真空吸着の機
能をもたせにくいのでスロットタイプの形状に変えると
よい。ストライプ形状の方がチクソモールド法を用いて
作る場合作りやすく大幅なコストダウンが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の横方向放電電極を採用したプラズマ
発生装置の断面構造図。（三角形）

【図２】 本発明の横方向放電電極への高周波電圧の印
加図

【図３】 本発明の横方向放電電極の断面図。（台形）

【図４】 本発明の横方向放電電極の断面図。（半円
形）

【図５】 本発明の横方向放電電極の断面図。（Ｔ字
形）

【図６】 本発明のうめこみ型横方向放電電極の断面
図。

【図７】 本発明の横方向放電電極の断面図。（三角
形）

【図８】 本発明の横方向放電電極の断面図。（三角
形）

【図９】 本発明の横方向放電電極の平面図。

【図１０】 本発明の横方向放電電極の平面図。

【図１１】 従来の縦方向放電電極を採用したプラズマ
発生装置の断面構造図。

【図１２】 本発明のハニカム放電電極を採用したプラ
ズマ発生装置の断面構造図。

【図１３】 本発明の縦方向放電電極の平面図。

【図１４】 本発明のハニカム放電電極の平面図。

【図１５】 本発明の縦方向放電電極を採用したプラズ
マ発生装置の断面構造図。

【図１６】 本発明のハニカム放電電極を採用した縦方
向プラズマ発生装置の断面構造図。

【図１７】 本発明の横方向放電電極への高周波電圧の
印加図。

【図１８】 本発明の横方向放電電極へ印加するパルス
電圧波形。

【図１９】 本発明の横方向放電電極へ印加する変調高
周波電圧波形。

【図２０】 本発明のハニカムステージの平面図。

【図２１】 本発明のハニカムステージの断面図。

【図２２】 本発明の横方向放電電極の平面図。

【図２３】 本発明の横方向放電電極を採用したプラズ
マ発生装置の断面構造図。

【図２４】 本発明のハニカム放電電極を採用した縦方
向プラズマ発生装置の断面構造図。

【図２５】 本発明のハニカム放電電極の平面図。

【図２６】 本発明のハニカム放電電極を採用した縦方
向プラズマ発生装置の断面構造図．

【図２７】 本発明のハニカム放電電極の平面図．

【符号の説明】

１ 奇数群放電電極 ２ 偶数群放電電極 ３ 放電電極固定絶縁板 ４ 反応ガス注入口 ５ 反応ガス均一拡散板 ６ ガラス基板（またはＳｉウェハー） ７ ガラス基板加熱ステージ ８ ガラス基板固定板 ９ 反応ガス排気口 １０ 高周波交流電源 １１ 断面が台形の放電電極 １２ 断面が半円形の放電電極 １３ 断面がＴ型の放電電極 １４ 固定絶縁板の内部にうめこまれた放電電極 １５ 穴のあいた一体型放電電極 １６ ハニカム型放電電極 １７ 絶縁スペーサー １８ 穴のあいた一体型アース電極 １９ 穴のあいた一体型放電電極 ２０ シールド電極 ２１ 多孔質ガス拡散シールド電極 ２２ 高周波三相交流電源 ａ ハニカム電極の開口部の径 ｂ ハニカム電極の穴の深さ ２３ 奇数群放電電極電圧波形 ２４ 偶数群放電電極電圧波形 ２５ ハニカムステージ ２６ リフターピン ｃ 電極板と電極板の距離 ｄ 電極板の深さ ｈ 電極板の先端からガラス基板までの距離 ２７ シールドハニカム電極 ２８ 放電電極ホルダー ２９ ハニカムアース電極

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ガラス基板をのせるステージと前記ステー
   ジに水平に対向している放電電極から構成されているプ
   ラズマ発生装置において、前記放電電極が、複数の電極
   から構成されており、それぞれの電極は互いに極性の異
   なる高周波電圧を印加されステージに対して水平な横電
   界を形成し、横方向の放電が生じることを特徴とするプ
   ラズマ発生装置。
2. 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、分離され
   ている放電電極と放電電極のあいだに穴かスリットをも
   うけ、ここから反応ガスを反応チェンバー内におくりこ
   む構造を特徴とするプラズマ発生装置。
3. 【請求項３】特許請求の範囲第２項において、それぞれ
   に分離されている複数の放電電極を交互に連結し２群に
   わけて、２相の高周波電圧を印加して横放電させること
   を特徴とするプラズマ発生装置
4. 【請求項４】特許請求の範囲第２項において、それぞれ
   に分離されている複数の放電電極を交互に連結し３群に
   わけて、３相の高周波電圧を印加して横放電させること
   を特徴とするプラズマ発生装置。
5. 【請求項５】特許請求の範囲第２項において、複数の別
   々の電極を電気的に連結してガラス基板に対して縦放電
   させたり、２つ以上の電極群に分離させ横方向放電を生
   じさせたりして、ステージに対して放電モードを切り換
   えることが可能なプラズマ発生装置。
6. 【請求項６】特許請求の範囲第２項において、複数の放
   電電極が電極を固定している絶縁体の中にうめこまれて
   おり電極と電極のあいだの穴から、反応ガスを反応チェ
   ンバー中におくりこむ構造を特徴とするプラズマ発生装
   置。
7. 【請求項７】ガラス基板をのせるステージと、前記ステ
   ージに水平に対向している放電電極から構成されるプラ
   ズマ発生装置において、前記放電電極がハニカム形状と
   なっており、このハニカム電極に高周波電圧を印加しス
   テージに対して垂直な方向に電界を発生させ、縦方向の
   放電が生じることを特徴とするプラズマ発生装置。
8. 【請求項８】特許請求の範囲第７項において、ハニカム
   電極の穴には、反応ガス放出口があり、この反応ガス放
   出口から反応ガスを反応チェンバー中におくりこむ構造
   を特徴とするプラズマ発生装置。
9. 【請求項９】特許請求の範囲第７項においてハニカム電
   極の開口部の径よりもハニカム電極の穴の深さの方が大
   きいことを特徴とするプラズマ発生装置。
10. 【請求項１０】特許請求の範囲第２項において、ガラス
    基板をのせているステージにプラスまたは、マイナスの
    ＤＣ電圧を印加したり、ＤＣバイアス電圧のかかった高
    周波電圧を印加することができることを特徴とするプラ
    ズマ発生装置。
11. 【請求項１１】ガラス基板をのせるステージの表面がハ
    ニカム形状となっており、ガラス基板を持ち上げるリフ
    ターのピンがハニカムの穴から出てきてガラス基板ささ
    える機構を特徴とするステージ。
12. 【請求項１２】特許請求の範囲第１項、第７項に用いら
    れる放電電極材料がマグネシウムか、マグネシウムを主
    体とする合金、または、アルミニウムか、アルミニウム
    を主体とする合金であることを特徴とするプラズマ発生
    装置。
13. 【請求項１３】特許請求の範囲第７項において、ハニカ
    ム放電電極と同じ形状のハニカムシールド電極を絶縁ス
    ペーサーではりあわせた構造のプラズマ発生装置。