JPH11177357A - 利得可変増幅回路 - Google Patents

利得可変増幅回路

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JPH11177357A
JPH11177357A JP9339683A JP33968397A JPH11177357A JP H11177357 A JPH11177357 A JP H11177357A JP 9339683 A JP9339683 A JP 9339683A JP 33968397 A JP33968397 A JP 33968397A JP H11177357 A JPH11177357 A JP H11177357A
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JP
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current
variable gain
differential
differential amplifier
voltage
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JP9339683A
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English (en)
Inventor
Kenichi Takano
健一 高野
Akihiko Ishikawa
明彦 石川
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】利得を所定の値に設定することが可能な利得可
変増幅回路に関し、CMOS化した場合の、利得のバラ
ツキを少なく補正し易い回路を実現する。 【解決手段】予め個別に設定された相互コンダクタンス
Gm0〜Gmnを有する電圧入力−電流出力型の複数の
差動増幅器A0〜Anの入力端子Vin+,Vin−及
び出力端子I+,I−をそれぞれ共通接続し、選択制御
部S0〜Snが、該差動増幅器A0〜Anをプログラマ
ブルな制御信号N0〜Nnにより選択作動する。好まし
くは、各差動増幅器A0〜Anの該電圧/電流変換部に
おける差動対のソース結合部に外部からのバイアス供給
が可能なCMOS抵抗を接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】本発明は利得可変増幅回路に
関し、特に利得を所定の値に設定することが可能な相補
形金属酸化膜半導体(Complementary Metal-Oxide Semi
conductor=CMOS)を用いた利得可変増幅回路に関す
るものである。
【0001】近年、CMOS・LSI(Large Scale In
tegrated Circuit)は、その高集積・低消費電力性によ
りLSIの主流になっている。また、ディジタル回路と
アナログ回路を混載させたアナログ・ディジタル混載L
SIは、信頼性の向上及び低コスト化が可能であるとこ
ろから、そのニーズは高まっている。
【0002】このようなアナログ・ディジタル混載LS
IをCMOSで実現するためには、アナログ回路もCM
OS化することが必要である。
【0003】
【従来の技術】図7は、従来のバイポーラ素子を用いた
利得可変増幅回路を示しおり、2つの定電流回路30
0,310と2つの差動増幅部400,410とで構成
されている。
【0004】定電流回路300は、オペアンプOP1と
トランジスタQ15と抵抗Rf1とで成る電流源と、こ
の電流源の出力端子であるトランジスタQ15のコレク
タに接続されたトランジスタQ1,Q2で成るカレント
ミラー回路と、このカレントミラー回路の出力端子であ
るトランジスタQ2のコレクタに接続されたトランジス
タQ3,Q4で成るカレントミラー回路と、で構成され
ている。
【0005】定電流回路310は、定電流回路300と
同じ構成を有し、定電流回路300におけるオペアンプ
OP1、抵抗Rf1、トランジスタQ15,Q1,Q
2,Q3,Q4の代わりにそれぞれオペアンプOP2、
抵抗Rf2、トランジスタQ16,Q11,Q12,Q
13,Q14を用いた構成になっている。
【0006】差動増幅部400は、トランジスタQ5,
Q6及び抵抗Re1,Re2で構成された差動増幅回路
であり、トランジスタQ7,Q8のベースは、それぞれ
入力Vin+,Vin−接続され、コレクタは、それぞれト
ランジスタQ9,Q10のベースに接続され、さらにそ
れぞれトランジスタQ5,Q6のエミッタに接続されて
いる。このトランジスタQ5,Q6のベース及びコレク
タは、電源Vccに共通接続されている。
【0007】同じ抵抗値を有する抵抗Re1,Re2は、
それぞれ一端がトランジスタQ7,Q8のエミッタに接
続され、他端子が定電流回路300のトランジスタQ4
のコレクタに共通接続されている。
【0008】差動増幅部410は、トランジスタQ9,
Q10及び抵抗Rc1,Rc2で構成された差動増幅回路
であり、トランジスタQ9,Q10のコレクタは、それ
ぞれ出力Vout+,Vout−に接続され、エミッタは定電
流回路310のトランジスタQ14のコレクタに接続さ
れている。同じ抵抗値を有する負荷抵抗Rc1,Rc2
は、それぞれ一端がトランジスタQ9,Q10のコレク
タに接続され、他端子が電源Vccに共通接続されてい
る。
【0009】動作において、定電流回路300のトラン
ジスタQ1のコレクタ電流の値は、入力電圧Vrefと抵
抗Rf1で決まるトランジスタQ15のコレクタ電流の
値I1(=基準電圧Vref/抵抗Rf1)と同じになる。
このトランジスタQ1とカレントミラー回路を構成する
トランジスタQ2のコレクタ電流値も電流値I1と同じ
になる。従って、トランジスタQ3のコレクタ電流も電
流値I1と同じになる。従って、トランジスタQ3とカ
レントミラー回路を構成するトランジスタQ4のコレク
タ電流の値は電流値I1となる。この電流値I1を計算
の便宜上2Irefと置く。
【0010】定電流回路310のトランジスタQ14の
コレクタ電流値(2Ivarと置く)は、定電流回路30
0と同様に電流値I2=制御電圧Vvar/抵抗Rf2とな
る。
【0011】差動増幅部400,410の2段で構成さ
れる差動増幅回路は、エミッタ電流バイアスに対するト
ランジスタQ7〜Q10の相互コンダクタンスの従属性
を利用した、相互コンダクタンス増幅回路を構成してい
る。この時の利得係数Gは、次式(1)で示される。
【0012】 G=Vout/Vin=(Rc1/Re1)×(Ivar/Iref)・・・式(1)
【0013】すなわち、利得係数Gは、抵抗比と電流比
の乗算値によって決まることを示している。従って、基
準電流Iref及び制御電流Ivarを制御することで利得係
数Gを可変することができる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の利得
可変増幅回路をCMOS化した場合、次の問題点があ
る。 (1)差動増幅回路における差動対の基準電流Iref及
び制御電流Ivarに対して、CMOSトランジスタの相
互コンダクタンスGmがリニアに可変しないため電流比
で利得可変を行うのは困難である。
【0015】(2)さらに、相互コンダクタンスGm
は、キャリアの実効移動度及び単位面積当たりのゲート
酸化膜容量といった製造工程に影響され易いパラメータ
を含むため、絶対バラツキ以外に製造バラツキがあり利
得の補正が難しい。 (3)差動対の基準電流Iref及び制御電流Ivarを直接
コントロールすることになるため素子特性のバラツキが
大きいCMOSには不向きな回路構成である。
【0016】従って本発明は、利得を所定の値に設定す
ることが可能である利得可変増幅回路において、CMO
S化した場合の、利得のバラツキを少なく補正し易い回
路を実現することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明に係る利得可変増幅回路は、図1に示す如く
入力端子V+,V−及び出力端子I+,I−がそれぞれ
共通接続され予め個別に設定された相互コンダクタンス
Gm0〜Gmnを有する電圧入力−電流出力型の複数の
CMOS差動増幅器A0〜Anと、各差動増幅器A0〜
Anをプログラマブルな制御信号N0〜Nnにより選択
作動する選択制御部S0〜Snと、で構成することを特
徴としている。
【0018】すなわち、この利得可変増幅回路は、電圧
/電流変換特性を持つ複数のCMOS差動増幅器A0〜
Anを備え、これらの差動増幅器A0〜Anのそれぞれ
の相互コンダクタンスGm0〜Gmnは、個別に予め設
定されている。そして、各差動増幅器A0〜Anの電圧
入力端子V+,V−及び電流出力端子I+,I−をそれ
ぞれ共通接続して利得可変増幅回路全体の電圧入力端子
Vin+,Vin−及び電流出力端子Iout+,Iout−とす
る。
【0019】さらに、この利得可変増幅回路は、選択制
御部S0〜Snを備え、これらの選択制御部S0〜Sn
は、それぞれ制御信号N0〜Nnに基づいて差動増幅器
A0〜Anを利得可変増幅回路の構成要素として選択又
は非選択とする。
【0020】この結果、選択された差動増幅器同士の出
力電流のみが電流出力端子Iout+,Iout−で加算され
ることになり、利得可変増幅回路全体の相互コンダクタ
ンスGmは、選択された差動増幅器の相互コンダクタン
スの和となる。
【0021】従って、制御信号N0〜Nnを適当に設定
(プログラム)することにより、所定の相互コンダクタ
ンスGmを実現できる。従って、入力信号電圧に相互コ
ンダクタンスを乗算した出力信号電流値である電流増幅
率(利得)のCMOSプロセスの素子特性のバラツキに
起因する変動を補正することが可能となる。
【0022】また本発明では、上記の差動増幅器A0〜
Anが、差動対を構成する電圧/電流変換部と、該電圧
/電流変換部に電流を供給するカレントミラー部とで構
成され、該選択制御部は、該制御信号が該差動増幅器を
選択するときのみ該カレントミラー部を動作させること
ができる。
【0023】すなわち、本発明における差動増幅器A0
〜Anは、それぞれ電圧入力端子V+,V−間の差動電
圧を該電圧/電流変換部で電圧/電流変換して電流出力
端子I+,I−に差動電流出力する。この電圧/電流変
換部は、カレントミラー部から定電流が供給される。
【0024】そして、選択制御部S0〜Snは、それぞ
れ制御信号N0〜Nnに従って、カレントミラー部をオ
ン・オフし、差動増幅器A0〜Anをプログラマブルに
選択/非選択して、動作/不動作状態にする。
【0025】また本発明では、上記の差動増幅器A0〜
Anが、該制御信号が該差動増幅器を選択しないときの
み該選択制御部によって該差動増幅器の代わりに動作す
るとともに、無信号入力時に該差動増幅器に流れる電流
と同一の電流を該出力端子に出力する基準電流源をさら
に有することができる。
【0026】すなわち、差動増幅器A0〜Anは、それ
ぞれ無信号入力時に差動増幅器A0〜Anに流れる電流
と同一の電流を出力する基準電流源を備える。そして、
その出力端子を各差動増幅器の電流出力端子I+,I−
に接続する。また、各基準電流源は、それぞれ制御信号
N0〜Nnが差動増幅器A0〜Anを選択しないときの
み該選択制御部S0〜Snによって差動増幅器A0〜A
nの代わりに動作する。
【0027】この結果、差動増幅器が選択制御部により
動作を停止させられたとき、その代わりに基準電流源が
無信号入力時の差動増幅器が出力する出力電流と同一の
電流を出力することが可能となる。すなわち、差動増幅
器が動作を停止した時、無信号入力時においても流れる
基準電流は、出力端子Iout+,Iout−に出力されなく
なり利得可変増幅回路全体の出力基準電流が変動してし
まう。これを基準電流源の電流で補償することができ
る。
【0028】また本発明では、上記の電圧/電流変換部
における差動対のソース結合部に抵抗を接続してもよ
い。
【0029】すなわち、電圧/電流変換部における差動
対のトランジスタのソース間に、この差動対の相互コン
ダクタンスのパラメータとしての抵抗を接続することが
できる。
【0030】また本発明では、上記の抵抗の代わりに外
部からのバイアス供給が可能なCMOS抵抗を接続する
ことができる。
【0031】すなわち、外部からのバイアス供給が可能
なMOS抵抗を差動対のソース結合部に接続された抵抗
の代わりに接続することができる。
【0032】この結果、MOS抵抗にバイアスを供給す
ることにより差動増幅器の相互コンダクタンスの値を可
変にすることが可能となる。各差動増幅器及び利得可変
増幅回路全体の相互コンダクタンス(従って電流増幅
率)の調整範囲を広げることが可能となる。
【0033】また本発明に係る利得可変増幅回路は、出
力端子に接続された能動負荷をさらに有してもよい。
【0034】すなわち、図1において、利得可変増幅回
路の電流出力端子Iout+,Iout−にそれぞれ能動負荷
Z1,Z2(破線囲まれた部分)を接続することより電
流出力を電圧出力に変換し、利得可変増幅回路全体とし
て電圧/電圧変換回路とすることができる。
【0035】さらに本発明では、能動負荷Z1,Z2の
代わりに負荷として抵抗であってもよい。
【0036】すなわち、能動負荷Z1,Z2を固定抵抗
としても、電圧/電圧変換回路となる。
【0037】
【発明の実施の形態】図2は、本発明に係る利得可変増
幅回路の実施例(1)を示しており、本実施例において
は図1で示した利得可変増幅回路の増幅器及び選択制御
部のそれぞれの個数nが4個である。
【0038】すなわち、4個の差動増幅器A0〜A3の
入力端子V+,V−は、それぞれ入力端子Vin+,Vin
−に共通接続され、差動増幅器A0〜A3の出力端子I
+,I−は、それぞれ出力端子Iout+,Iout−に共通
接続されている。そして差動増幅器A0〜A3にはそれ
ぞれ選択制御部S0〜S3が接続されている。
【0039】差動増幅器A0〜A3は、その各基準電流
の相対比を、それぞれ対応した制御信号N0〜N4
(“1”/“0”)を4ビットのバイナリコードとした
各ビットの重みの比とすることにより、所定の相互コン
ダクタンス(例えば「2」,「4」,「8」,「16」
mho)が与えられる。そして、差動増幅器A0〜A3
は、選択制御部S0〜S4に制御信号N0〜N3(例え
ば“1”,“0”,“1”,“1”)を設定(プログラ
ム)することで選択制御されて差動増幅器A0,A2,
A3が選択される。
【0040】利得可変増幅回路全体の相互コンダクタン
スは、選択された差動増幅器A0,A2,A3の各相互
コンダクタンスGm0,Gm2,Gm4(「2」,
「8」,「16」)の和として「26」に設定されたこ
とになる。
【0041】この結果、CMOSプロセスによる製造バ
ラツキ等により差動増幅器A0〜A3の相互コンダクタ
ンスGmの特性が初期設定値から外れた場合でも、制御
信号で選択制御することより差動増幅器A0〜A3を選
択して所定の値に合わせ込むことが容易に可能となる。
【0042】さらに、差動増幅器の並列段数を多くとれ
ば、各増幅器の相互コンダクタンスをその段数Kに合わ
せて例えばバイナリコード(1,2,4,…2K-1))
で重み付けを行い、この差動増幅器の中から適当に増幅
器を選択することで利得可変増幅回路全体の相互コンダ
クタンスを所定の値に精度良く設定することが可能とな
る。
【0043】図3は、本発明に係る利得可変増幅回路の
実施例(2)を示しており、図1で示した利得可変増幅
回路の出力端子Iout+,Iout−と電源VDDの間に出力
負荷としてそれぞれ能動負荷Z1,Z2が接続されてい
る。
【0044】能動負荷Z1,Z2は、バイアス電圧VB
+でコントロールされるトランジスタMa,Mcとバイ
アス電圧VB−でコントロールされるトランジスタM
b,Mdとがそれぞれ縦属接続された構成になってい
る。
【0045】動作において、能動負荷Z1,Z2による
電圧降下により、差動増幅器A0〜Anの合成波を電圧
出力として取り出すことができる。
【0046】この結果、利得可変増幅回路は、バイアス
電圧Vb+,Vb−よっても利得が可変である電圧/電
圧変換回路になる。なお、能動負荷Z1,Z2は単に抵
抗としてもよい。
【0047】図4は、図1〜図3に示した本発明におけ
る差動増幅器の実施例(1)を示しており、電圧/電流
変換部100と、カレントミラー部210及び選択制御
部Sから成る電流制御部200と、で構成されている。
なお、選択制御部Sは、図1〜図3に示した選択制御部
S0〜Snに相当する。
【0048】電圧/電流変換部100は、トランジスタ
M1,M2と抵抗Rで構成された差動増幅器である。す
なわち、トランジスタM1,M2のゲートとドレイン
は、それぞれ電圧入力端子V+,V−と電流出力端子I
+,I−に接続され、ソース間(ソース結合部)には抵
抗Rが接続され、さらに、ソースはカレントミラー部2
10に接続されている。
【0049】なお、抵抗RはトランジスタM1,M2を
差動対として動作させ出力電流I+,I−を互いに対称
にさせる働きがあるが、トランジスタM5,M6がカス
ケード電流源Is及びM20によりカレントミラーにな
っているので省いてもよい。
【0050】選択制御部Sは、縦属接続されたトランジ
スタM17,M18で構成されたインバータ回路となっ
ている。すなわち、トランジスタM17のドレインは、
電源VDDに接続され、トランジスタM18のソースはグ
ランドGndに接地され、トランジスタM17,M18
のゲートは制御信号端子Nに共通接続されている。
【0051】インバータ回路の出力端子であるトランジ
スタM17のソースとトランジスタM18のドレイン
は、カレントミラー部210に接続されている。
【0052】カレントミラー部210は、それぞれ縦属
接続されたトランジスタM5,M9、トランジスタM
6,M10、及びトランジスタM13,M14で構成さ
れている。トランジスタM5,M6のゲートはカスケー
ド電流源Is及びトランジスタM20に共通接続されて
カレントミラーを形成しており、ドレインはそれぞれ電
圧/電流変換部100のトランジスタM1,M2に接続
され、トランジスタM1,M2に電流を供給する定電流
源を構成している。
【0053】トランジスタM13のドレインとゲートは
電源VDDと制御信号端子Nにそれぞれ接続され、トラン
ジスタM14のソースとゲートはグランドGndと上記
のインバータ回路の出力端子にそれぞれ接続されてい
る。トランジスタM13,M14は、バッファ回路を形
成しており、トランジスタM13のソースとトランジス
タM14のドレインは接続されその出力端子となってい
る。
【0054】トランジスタM9,M10のゲートとソー
スは、それぞれ上記のバッファ回路の出力端子とグラン
ドGndに接続され、ドレインはそれぞれ電流源回路を
構成するトランジスタM5,M6のソースに接続され、
この電流源をオン・オフする回路となっている。
【0055】動作において、制御信号端子Nに選択を示
す“1”(正論理、以下も同様)を設定すると、インバ
ータ回路の出力は“0”となる。従って、トランジスタ
M13,M14のゲートにはそれぞれ“1”,“0”が
入力され、バッファ回路の出力は“1”となる。出力信
号“1”が入力されたトランジスタM9,M10は“オ
ン”状態となり、トランジスタM1,M2の差動対は動
作状態となる。
【0056】制御信号端子Nに非選択を示す“0”を設
定したときは、トランジスタM9,M10が“オフ”状
態となり、差動対は動作を停止する。
【0057】この結果、差動増幅器Aは、制御信号端子
Nに“1”が入力されたたときのみ利得可変増幅回路の
要素として動作状態になる。なお、トランジスタM1,
M2のサイズ(ゲート幅)を予め設定しておくことによ
り、所望の重み付けされた相互コンダクタンスGmを設
定することができる。
【0058】図5は、本発明における差動増幅器の実施
例(2)を示しており、図4に示した差動増幅回路に基
準電流源150とこの基準電流源150に接続されたカ
レントミラー部210をさらに接続した構成になってい
る。
【0059】すなわち、抵抗R以外のトランジスタM
1,M2,M5,M6,M9,M10,M13,M14
に対応するトランジスタM3,M4,M7,M8,M1
1,M12,M15,M16が追加され、各追加された
トランジスタは対応するトランジスタと同じ接続になっ
ている。
【0060】但し、トランジスタM3,M4のソース
は、間に抵抗Rが挿入される代わりに短絡され、ゲート
は共にバイアス電位端子に接続されており、さらに、ト
ランジスタM15,M16のゲートにはそれぞれインバ
ータ回路の出力端子及びコントロール信号端子Nが接続
されている点が異なっている。
【0061】動作において、トランジスタM3,M4
は、無信号入力時のトランジスタM1,M2の基準電流
と同一の電流を出力する基準電流源として動作し、トラ
ンジスタM11,M12は、定電流源として動作するト
ランジスタM7,M8をコントロール信号Nが選択を示
す“1”のときのみ「オフ」状態とする。
【0062】
【表1】
【0063】表1は、上記の電圧/電流変換部100及
び基準電流源150の切替動作を示しており、制御信号
に“1「オン」”が入力された場合、選択制御部のトラ
ンジスタM17,M18は、それぞれ「オフ」、「オ
ン」する。差動増幅器側の電圧/電流変換部100及び
カレントミラー部の動作は、図4で説明した動作により
電圧/電流変換部100は動作状態(「オン」)とな
る。
【0064】一方、基準電流源150は、トランジスタ
M13,M14に相当するトランジスタM15,M16
にそれぞれトランジスタM13,M14の入力信号と逆
の信号が入力されるため動作停止状態(「オフ」)とな
る。
【0065】同様にして、制御信号に“0「オフ」”が
入力された場合、電圧/電流変換部100は動作停止状
態(「オフ」)となり、基準電流源150は、動作状態
(「オン」)となる。
【0066】この結果、電圧/電流変換部100と基準
電流源150は、制御信号により相互に動作が切替えら
れる。従って、差動増幅器の非動作時においても差動増
幅器の基準電流に相当する電流が基準電流源から供給さ
れ、利得可変増幅回路全体の出力基準電流の該切替えに
起因する変動を無くすることができる。
【0067】図6は、本発明における差動増幅器の実施
例(3)を示しており、図5に示した差動増幅器と異な
る点は、ソース結合部の抵抗Rの代わりに外部からバイ
アス供給されるCMOS抵抗M19が接続されているこ
とである。
【0068】動作において、差動増幅器は、抵抗M19
のゲートにバイアス供給することによって抵抗値を変更
し、トランジスタM1,M2で構成される差動増幅器の
相互コンダクタンスの値を調整することが可能となる。
【0069】この結果、利得可変増幅回路は、制御信号
によった相互コンダクタンスの設定の他に、各差動増幅
器の相互コンダクタンスを調節することによる相互コン
ダクタンスの微調整がさらに可能となった。
【0070】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る利得
可変増幅回路によれば、予め個別に設定された相互コン
ダクタンスを有する電圧入力−電流出力型の複数の差動
増幅器の入力端子及び出力端子をそれぞれ共通接続し、
選択制御部が、差動増幅器をプログラマブルな制御信号
により選択作動するように構成したので、CMOS化し
た場合の、利得のバラツキを少なく補正し易い回路を実
現することが可能となる。
【0071】また、各差動増幅器の該電圧/電流変換部
における差動対のソース結合部に外部からのバイアス供
給が可能なCMOS抵抗を接続するように構成したの
で、各差動増幅器の相互コンダクタンス(従って電流増
幅率)の微調整が可能となり、利得可変増幅回路全体の
利得の微調整がし易い回路を実現することが可能とな
る。
【0072】さらに、プログラマブルな制御信号を用い
れば動作中の利得可変増幅回路の利得をダイナミックに
変更することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る利得可変増幅回路の構成例を示し
たブロック図である。
【図2】本発明に係る利得可変増幅回路の実施例(1)
を示したブロック図である。
【図3】本発明に係る利得可変増幅回路の実施例(2)
を示したブロック図である。
【図4】本発明に係る利得可変増幅回路における差動増
幅器の実施例(1)を示した回路図である。
【図5】本発明に係る利得可変増幅回路における差動増
幅器の実施例(2)を示した回路図である。
【図6】本発明に係る利得可変増幅回路における差動増
幅器の実施例(3)を示した回路図である。
【図7】従来の利得可変増幅回路の構成例を示した回路
図である。
【符号の説明】
A,A0,A1,〜,An 差動増幅器 S,,S0,S1,〜,Sn 選択制御部 Z1,Z2 能動負荷 100 電圧/電流変換部 150 基準電流源 200 電流制御部 210 カレントミラー部 300,310 定電流回路 400,410 差動増幅部 図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】入力端子及び出力端子がそれぞれ共通接続
    され予め個別に設定された相互コンダクタンスを有する
    電圧入力−電流出力型の複数のCMOS差動増幅器と、 各差動増幅器をプログラマブルな制御信号により選択作
    動する選択制御部と、 で構成されたことを特徴とする利得可変増幅回路。
  2. 【請求項2】請求項1において、 該差動増幅器が、差動対を構成する電圧/電流変換部
    と、該電圧/電流変換部に電流を供給するカレントミラ
    ー部と、で構成され、 該選択制御部は、該制御信号が該差動増幅器を選択する
    ときのみ該カレントミラー部を動作させることを特徴と
    した利得可変増幅回路。
  3. 【請求項3】請求項2において、 該差動増幅器が、該制御信号が該差動増幅器を選択しな
    いときのみ該選択制御部によって該差動増幅器の代わり
    に動作するとともに、無信号入力時に該差動増幅器に流
    れる電流と同一の電流を該出力端子に出力する基準電流
    源をさらに有することを特徴とした利得可変増幅回路。
  4. 【請求項4】請求項2乃至4のいずれかにおいて、 該電圧/電流変換部における差動対のソース結合部に抵
    抗が接続されていることを特徴とした利得可変増幅回
    路。
  5. 【請求項5】請求項4において、 該抵抗の代わりに外部からのバイアス供給が可能なCM
    OS抵抗が接続されることを特徴とした利得可変増幅回
    路。
  6. 【請求項6】請求項1乃至5のいずれかにおいて、 出力端子に接続された能動負荷をさらに有することを特
    徴とした利得可変増幅回路。
  7. 【請求項7】請求項5において、 該能動負荷の代わりとして固定抵抗を負荷とすることを
    特徴とした利得可変増幅回路。
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