JPH11178249A - 非接触電力伝達装置 - Google Patents
非接触電力伝達装置Info
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- JPH11178249A JPH11178249A JP9339004A JP33900497A JPH11178249A JP H11178249 A JPH11178249 A JP H11178249A JP 9339004 A JP9339004 A JP 9339004A JP 33900497 A JP33900497 A JP 33900497A JP H11178249 A JPH11178249 A JP H11178249A
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Abstract
いて電力供給部の自励発振強度を低減する。 【解決手段】 電力供給部10は、電力伝達用1次コイ
ルNm1と電気的にも磁気的にも結合しておらず、か
つ、スイッチング素子FET1の帰還コイルとして動作
する信号伝達用2次コイルNf2を備える。負荷部20
は、電力供給部10に装着された状態で電力伝達用1次
コイルNm1と対向する位置に配置された電力伝達用2
次コイルNm2と、信号伝達用2次コイルNf2と対向
する位置に配置された信号伝達用1次コイルNf1とを
備える。負荷部20の電力供給部10への非装着状態で
は、帰還コイルとしての信号伝達用2次コイルNf2に
電圧が発生せず、スイッチング素子FET1のスイッチ
ングが間欠的に行われる。
Description
浴室内などの水回り等で用いて好適な電気機器における
非接触式の電力伝達装置に関するものである。
力供給部と、電力伝達用2次コイルを備えた負荷部とが
着脱可能に互いに分離して形成され、負荷部が電力供給
部に装着されたときに1次コイルと2次コイルとが磁気
結合されるように構成され、自励発振する電力供給部か
ら電磁誘導により負荷部に電力を伝達するようにした非
接触電力伝達装置が普及しており、特に水回りなどで用
いる電気機器に適用されている。
供給部に負荷部が装着されていないときには、電力供給
部の自励発振を停止するか、又はその発振強度を低減さ
せることが好ましい。これは、負荷部が非装着状態のま
まで発振を継続すると、電力供給部において電力損失が
生じエネルギーが無駄になり、金属片などが電力供給部
の近傍に配置されると誘導加熱作用により金属片が加熱
される等の事態が発生するからである。
に、独立した1対の信号用コイルを設け、電力供給部に
負荷部が装着されて、電力供給部と負荷部の1対の電力
伝達用コイルの電磁誘導により負荷部に電力が伝達され
ると、この電力を用いて負荷部の制御回路を駆動し、こ
の制御回路から出力される制御信号を上記1対の信号用
コイルにより負荷部から電力供給部に戻して、この制御
信号に基づき発振動作を制御することにより目的とする
負荷部を検出するようにしたものが提案されている(特
開平6−311658号公報)。
6−311658号公報記載の装置では、負荷部を検出
するための回路及び発振を制御するための回路が別途必
要であるので、回路構成が複雑になり、装置のコストが
上昇してしまう。
の装置では、比較的簡素な回路構成になっているが、こ
の装置は負荷部の共振周波数と電力供給部の発振周波数
を同調制御するもので、電力供給部と負荷部とのギャッ
プが変化した場合などに適用されるものである。従っ
て、この装置は負荷部が装着されていない状態でも電力
供給部で発振が継続される構成であり、負荷部を検出し
て発振停止又は発振強度の低減を行うものではない。
ないときに、電力供給部の発振停止又は発振強度の低減
を簡素な回路構成で実現するものが望まれていた。
励発振のフィールドバックループの構成を工夫すること
によって、簡素な回路構成で、負荷部の非装着状態にお
いて電力供給部の自励発振強度を低減するようにした非
接触電力伝達装置を提供することを目的とする。
電源、電力伝達用1次コイル、制御端子に印加されるバ
イアス電圧がスレショルド電圧以上になると上記直流電
源から上記電力伝達用1次コイルに流れる電流をスイッ
チングするスイッチング素子を有する自励発振回路、及
び上記直流電源に接続された起動抵抗とコンデンサとか
らなり、バイアス電圧を上記制御端子に印加するバイア
ス電圧回路を備えた電力供給部と電力伝達用2次コイル
を備えた負荷部とが着脱可能に互いに分離して形成さ
れ、上記電力供給部に上記負荷部が装着された状態で上
記電力伝達用1次コイルと上記電力伝達用2次コイルと
が磁気的に結合されて電磁誘導により上記電力供給部か
ら上記負荷部への電力伝達を可能にする非接触電力伝達
装置において、上記負荷部は、上記電力伝達用2次コイ
ルと電気的又は磁気的に結合された信号伝達用1次コイ
ルを備え、上記電力供給部は、上記電力伝達用1次コイ
ルと電気的にも磁気的にも結合せず、上記負荷部が装着
された状態で上記信号伝達用1次コイルと磁気的に結合
され、上記制御端子に帰還コイルとして電気的に接続さ
れてなる信号伝達用2次コイルを備え、上記電力供給部
に上記負荷部が装着された状態で上記電力伝達用1次コ
イル、上記電力伝達用2次コイル、上記信号伝達用1次
コイル及び上記信号伝達用2次コイルにより、上記自励
発振回路のフィードバックループが構成されることを特
徴としている。
装着された状態のときは、直流電源から起動抵抗を介し
てコンデンサが充電され、この充電電圧によるバイアス
電圧がスイッチング素子の制御端子に印加されてスイッ
チング素子がオンにされる。スイッチング素子のオンに
より電力伝達用1次コイルにコイル電流が流れると、磁
気的に結合している負荷部の電力伝達用2次コイルに電
圧が誘起され、この誘起電圧により電力伝達用2次コイ
ルと電気的又は磁気的に結合された信号伝達用1次コイ
ルに電圧が発生する。この発生電圧により、信号伝達用
1次コイルと磁気的に結合された電力供給部の信号伝達
用2次コイルに電圧が誘起されて、このコイルがスイッ
チング素子の制御端子に帰還コイルとして電気的に接続
されてなり、電力伝達用1次コイル、電力伝達用2次コ
イル、信号伝達用1次コイル及び信号伝達用2次コイル
により、自励発振回路のフィードバックループが構成さ
れることにより、スイッチング素子によるコイル電流の
スイッチングが継続して行われる。
ない状態のときは、電力伝達用1次コイルに電流が流れ
てスイッチング素子がオンにされても、信号伝達用2次
コイルは電力伝達用1次コイルと電気的にも磁気的にも
結合しておらず、電力伝達用1次コイル、電力伝達用2
次コイル、信号伝達用1次コイル及び信号伝達用2次コ
イルにより、自励発振回路のフィードバックループが構
成されないので、帰還コイルとしての信号伝達用2次コ
イルに電圧が発生しない。従って、起動抵抗を介してバ
イアス電圧回路のコンデンサが充電されることによって
得られるバイアス電圧がスイッチング素子のスレショル
ド電圧に達したときのみスイッチング素子がオンにな
り、スイッチング素子によるコイル電流のスイッチング
は、間欠的にのみ行われることとなる。
いないときに、簡素な回路構成で自励発振の強度が低減
されることとなる。
非接触電力伝達装置において、上記負荷部は、上記信号
伝達用1次コイルに接続され、上記信号伝達用1次コイ
ルに発生する電圧レベルの制御を行う制御回路を備えた
ものであることを特徴としている。
装着された状態のときは、信号伝達用1次コイルに発生
する電圧レベルの制御が行われることにより、帰還コイ
ルとして動作する電力供給部の信号伝達用2次コイルの
誘起電圧レベルが制御されることとなり、例えばこの誘
起電圧レベルを増大することにより発振強度を増大させ
るなど、自励発振回路の発振制御が可能になる。
記載の非接触電力伝達装置において、上記電力供給部
は、上記電力伝達用1次コイルに並列接続されたコンデ
ンサを備えたものであることを特徴としている。
に並列接続されたコンデンサにより共振回路が構成され
ることにより、電力供給部に負荷部が装着された状態で
自励発振が効率よく行われることとなる。
いずれかに記載の非接触電力伝達装置において、上記信
号伝達用2次コイルは、上記電力伝達用1次コイルが形
成する磁束ループの外側に配置され、上記信号伝達用1
次コイルは、上記電力供給部に上記負荷部が装着された
状態で上記信号伝達用2次コイルの対向位置に配置され
ていることを特徴としている。
は、電力伝達用1次コイルが形成する磁束ループの外側
に配置されることにより、電力伝達用1次コイルと電気
的にも磁気的にも結合しない状態が簡素な構成で実現さ
れるとともに、信号伝達用1次コイルは、電力供給部に
負荷部が装着された状態で信号伝達用2次コイルの対向
位置に配置されていることにより、電力供給部に負荷部
が装着されたときに信号伝達用1次コイルと信号伝達用
2次コイルとの磁気結合状態が簡素な構成で実現される
こととなる。
いずれかに記載の非接触電力伝達装置において、上記信
号伝達用2次コイルは、上記電力伝達用1次コイルが形
成する磁束ループの内側に配置され、上記信号伝達用1
次コイルは、上記電力供給部に上記負荷部が装着された
状態で上記信号伝達用2次コイルの対向位置に配置され
ていることを特徴としている。
は、電力伝達用1次コイルが形成する磁束ループの内側
に配置されることにより、電力伝達用1次コイルと電気
的にも磁気的にも結合しない状態が簡素な構成で実現さ
れるとともに、信号伝達用1次コイルは、電力供給部に
負荷部が装着された状態で信号伝達用2次コイルの対向
位置に配置されていることにより、電力供給部に負荷部
が装着されたときに信号伝達用1次コイルと信号伝達用
2次コイルとの磁気結合状態が簡素な構成で実現される
こととなる。
達装置の一実施形態を示す回路図、図2は電力供給部及
び負荷部のコイルの配置を示す図である。図1に示すよ
うに、本装置は、互いに分離して形成された電力供給部
10と負荷部20とを備え、電力供給部10に負荷部2
0が着脱可能に構成されている。
説明する。電力供給部10は、直流電源E1や電力伝達
用1次コイルNm1などを備え、自励式C級共振型イン
バータを構成し、負荷部20が装着されると電磁誘導に
より負荷部20に電力を供給するものである。
る直列回路には、起動抵抗R1及びコンデンサC1から
なる直列回路が並列に接続されている。この起動抵抗R
1及びコンデンサC1からなる直列回路によって、バイ
アス電圧回路が構成されており、起動抵抗R1とコンデ
ンサC1の接続点には、コンデンサC1の充電電圧によ
るバイアス電圧VC1が発生するようになっている。
からなる直列回路には、電力伝達用1次コイルNm1及
びスイッチング素子FET1からなる直列回路が並列に
接続されている。電力伝達用1次コイルNm1には、コ
ンデンサC2が並列接続されており、共振回路が構成さ
れている。
R1とコンデンサC1の接続点、すなわちバイアス電圧
VC1の発生点とスイッチング素子FET1のゲートとの
間に接続され、帰還コイルを兼用している。
及び信号伝達用2次コイルNf2によって、自励発振回
路が構成されている。
続点にダイオードD1のアノードが接続され、ダイオー
ドD1のカソードは、スイッチング素子FET1のドレ
インに接続されている。このダイオードD1は、発振安
定のためのバイアス制御回路を構成している。
する。負荷部20は、電力伝達用2次コイルNm2、信
号伝達用1次コイルNf1、整流回路21及び負荷22
を備えている。
用2次コイルNm2に誘起される電圧を整流するもので
ある。負荷22は、モータなどからなり、整流回路21
により整流された電圧によって駆動されるものである。
用2次コイルNm2に並列に接続されている。すなわ
ち、信号伝達用1次コイルNf1は、電力伝達用2次コ
イルNm2に電気的に結合されている。これによって、
電力伝達用2次コイルNm2の両端間に電圧が誘起され
ると、信号伝達用1次コイルNf1の両端間にも電圧が
発生することとなる。
て説明する。なお、図2には示していないが、電力供給
部10及び負荷部20は、例えば案内構造を有する等、
負荷部20の電力供給部10への装着が特定位置となる
ように構成されている。
m1と、負荷部20の電力伝達用2次コイルNm2と
は、負荷部20が電力供給部10に装着されたときに、
互いに対向するようにそれぞれ配置されている。
イルNf2は、電力伝達用1次コイルNm1が巻かれて
いるトランス用ポットコアK1の外側、すなわち電力伝
達用1次コイルNm1による磁束ループ、及び、電力伝
達用1次、2次コイルNm1,Nm2のトランスによる
磁束ループの外側に配置されている。
Nf1は、電力供給部10に負荷部20が装着されたと
きに電力供給部10の信号伝達用2次コイルNf2に対
向する位置、すなわち電力伝達用2次コイルNm2が巻
かれているトランス用ポットコアK2の外側に配置され
ている。
2は、電力伝達用1次、2次コイルNm1,Nm2のト
ランスにより形成される磁束ループの外側に配置される
ことで、すなわちその内側で磁束が打ち消しあうことと
なり、信号伝達用2次コイルNf2に磁束が鎖交しない
ので、電力伝達用1次コイルNm1が発生する磁束によ
って信号伝達用2次コイルNf2に起電力が発生するこ
とはない。すなわち、信号伝達用2次コイルNf2と電
力伝達用1次コイルNm1とは、電気的にも磁気的にも
結合されていない、あるいはその結合状態が無視できる
程度(漏れ磁束分)になっている。
されると、電力伝達用1次コイルNm1と電力伝達用2
次コイルNm2、信号伝達用1次コイルNf1と信号伝
達用2次コイルNf2は、それぞれ磁気的に結合される
こととなる。
電力供給部10に装着されている場合の動作について説
明する。図3は負荷部の装着状態における電力供給部の
各部の波形図である。
電源E1により起動抵抗R1を介してコンデンサC1が
充電される。このとき、電力供給部10の信号伝達用2
次コイルNf2には電圧が発生していないため、スイッ
チング素子FET1のゲート電圧Vgはバイアス電圧V
C1に等しい。
チング素子FET1をオンできるスレショルド電圧に達
すると、スイッチング素子FET1はオンになり、これ
によってドレイン電圧Vdは、ほぼアース電位になる。
このとき、コンデンサC2の共振電圧VC2は直流電源E
1の電圧にほぼ等しくなり、電力供給部10の電力伝達
用1次コイルNm1には、ほぼ単調に増加するコイル電
流IL1が流れ始める。
m1にコイル電流IL1が流れると、負荷部20の電力伝
達用2次コイルNm2にも、電磁誘導の作用により電圧
が誘起され、これによって、電気的に接続されている負
荷部20の信号伝達用1次コイルNf1にも電圧が発生
する。
伝達用1次コイルNf1と磁気的に結合している電力供
給部10の信号伝達用2次コイルNf2にも、電磁誘導
の作用により電圧Vnf2が誘起される。このとき、ゲー
ト電圧VgはVC1+Vnf2となるので、スイッチング素子
FET1は安定したオン状態になる。
になったため、ダイオードD1及びスイッチング素子F
ET1のオン抵抗を介してコンデンサC1の電荷が放電
されるので、バイアス電圧VC1は低下する。なお、この
放電電流はその電流が流れる経路の抵抗値に依存するの
で、放電時間を長くしたい場合には、ダイオードD1に
直列に抵抗素子を挿入すればよい。
圧VC1は徐々に低下し、それに応じてゲート電圧Vgも
低下する。そして、ゲート電圧Vgがスイッチング素子
FET1をオフにさせるスレショルド電圧まで低下する
と、スイッチング素子FET1のオン抵抗が増大し始
め、これによってドレイン電圧Vdが増大する。
サC2、すなわち電力伝達用1次コイルNm1の共振電
圧VC2が低下する。これに応じて、電力伝達用2次コイ
ルNm2の誘起電圧も低下し始めるので、信号伝達用1
次コイルNf1の発生電圧も低下し始める。これによっ
て、更に信号伝達用2次コイルNf2の誘起電圧Vnf2
も低下し始めるため、ゲート電圧Vgは更に低下する。
この結果、スイッチング素子FET1は急速にオフ状態
に移行する。
ンサC2の共振電圧VC2は、コンデンサC2と電力伝達
用1次コイルNm1との共振作用により正弦波状とな
り、電力伝達用1次コイルNm1に流れるコイル電流I
L1も正弦波状になる。
関係がVd>VC1となる期間においては、ドレイン電圧
VdによるコンデンサC1の充電は、ダイオードD1に
よって阻止されているが、起動抵抗R1を介する直流電
源E1からコンデンサC1への充電電流は常に流れてお
り、バイアス電圧VC1が上昇する。
ル終了近くになるとドレイン電圧Vdはアース電位に近
づき、そのときの電力伝達用1次コイルNm1の誘起電
圧によって、電力伝達用2次コイルNm2、信号伝達用
1次コイルNf1及び信号伝達用2次コイルNf2から
なるフィードバックループで信号伝達用2次コイルNf
2の発生電圧Vnf2が増加し、この結果、ゲート電圧Vg
が上昇して、再びスイッチング素子FET1をオンにさ
せる。
電力供給部10から負荷部20に電力が供給されること
となる。
電力供給部10に装着されていない場合の動作について
説明する。図4は負荷部の非装着状態における電力供給
部の各部の波形図である。
部20が装着されている場合と同様に、直流電源E1に
より起動抵抗R1を介してコンデンサC1が充電され
る。このとき電力供給部10の信号伝達用2次コイルN
f2には電圧が発生していないため、スイッチング素子
FET1のゲート電圧Vgは、バイアス電圧VC1に等し
い。
チング素子FET1をオンできるスレショルド電圧に達
すると、スイッチング素子FET1はオンになり、これ
によってドレイン電圧Vdは、ほぼアース電位になる。
このとき、コンデンサC2の共振電圧VC2は直流電源E
1の電圧にほぼ等しくなり、電力供給部10の電力伝達
用1次コイルNm1には、ほぼ単調に増加するコイル電
流IL1が流れ始める。
で、電力伝達用1次コイルNm1、電力伝達用2次コイ
ルNm2、信号伝達用1次コイルNf1及び信号伝達用
2次コイルNf2からなるフィードバックループが構成
されておらず、信号伝達用2次コイルNf2の両端には
電圧が発生しない。
旦オンになっても、直ぐにダイオードD1を介する放電
によりバイアス電圧VC1が低下するので、スイッチング
素子FET1をオンさせるのに必要なゲート電圧Vgを
保持することができず、スイッチング素子FET1は直
ぐにオフになり、図4に示すように、共振電圧VC2は減
衰振動によって直ぐに低下してしまう。
1からコンデンサC1への充電によって、バイアス電圧
VC1がスイッチング素子FET1をオンにさせるゲート
電圧Vgに上昇するまで発振は停止したままとなる。従
って、電力供給部10に負荷部20が装着されていない
ときには、電力供給部10における発振動作は間欠発振
となる。
クループの経路を電力供給部10から外部の負荷部20
側へ一旦出して、再び電力供給部10内へ戻すように構
成することにより、電力供給部10に負荷部20が装着
されていない状態ではフィードバックループが形成され
ず、これによって電力供給部10における自励発振が間
欠発振となり、電力供給部10の電力損失は、ほとんど
無視できるレベルにすることができる。また、金属製の
異物等が電力供給部10の近傍に置かれた場合でも、誘
導加熱などによる当該異物の発熱を防止することができ
る。
定数を適宜の値に設定することにより、例えば負荷部2
0の電力供給部10への装着状態における発振周期10μ
sec程度に対し、非装着状態における間欠周期を数百mse
c程度に設定可能である。なお、各周期の値はこれらに
限られず、電力損失を低減して省エネルギーを図れる程
度の値になるように、起動抵抗R1及びコンデンサC1
の定数を採用すればよい。
ず、以下の変形形態(1)〜(4)を採用することがで
きる。 (1)上記実施形態では、スイッチング素子FET1と
して、電界効果トランジスタを用いているが、これに限
られず、バイポーラトランジスタやその他のスイッチン
グ機能を果たす素子を用いてもよい。
路構成として、図5の回路図に示すものを用いてもよ
い。この電力供給部10は、上記実施形態の直流電源E
1に代えて、交流電源ACから電力供給を受けて直流電
源を構成するもので、自励式C級共振型インバータ11
及び高調波対策回路12からなる。
LFと整流ブリッジダイオードD2とトランスT1とか
らなり、電力供給部10から交流電源ACに対して高調
波成分を流出させないようにするためのものである。
1からの出力電圧をダイオードD3によって整流し、コ
ンデンサC3によって平滑することにより、直流電源を
得ている。
て制御回路23を備え、整流回路21としてダイオード
D4及びコンデンサC4を備え、負荷22としてバッテ
リーを備えており、電力伝達用2次コイルNm2の誘起
電圧をダイオードD4により半波整流し、コンデンサC
4により平滑して、負荷22としてのバッテリーに直流
電力を供給している。
1は、制御回路23を介して電力伝達用2次コイルNm
2に電気的に接続されている。
m2の誘起電圧や、バッテリー22からの電力を利用し
て、信号伝達用1次コイルNf1の発生電圧レベルを制
御するものである。
部20が装着されている場合に、制御回路23によって
信号伝達用1次コイルNf1の発生電圧レベルを制御す
ることにより、帰還コイルとしての信号伝達用2次コイ
ルNf2に誘起される電圧レベルを制御することがで
き、これによって、負荷部20から電力供給部10の発
振動作を制御することができる。
には、上記実施形態と同様に、電力供給部10における
発振動作は間欠発振となる。
図6の回路図に示すものを用いてもよい。図6の回路で
は、コンデンサC2及び電力伝達用1次コイルNm1か
らなる共振回路とスイッチング素子FET1のドレイン
との間に、ダイオードD11及び抵抗R11からなる並
列回路が接続されている。
1のアノード側の電圧が負電圧にまで低下しようとした
とき、スイッチング素子FET1の内部ダイオードを通
して直流電源E1側に流入しようとする回生電流を阻止
しつつダイオードD11のアノード側の電圧を負電圧ま
で低下させるようにするものである。
より、共振回路内の発生電圧によってスイッチング素子
FET1の寄生容量における充放電が阻害されるのを阻
止するためのものである。
FET1のソースとアース間に、抵抗R12,R13の
直列回路が接続されており、スイッチング素子FET1
のゲートは、ダイオードD12のアノードに接続される
とともに、抵抗R14を介して信号伝達用2次コイルN
f2に接続されている。
スタQ1のコレクタに接続され、トランジスタQ1のベ
ースは抵抗R12,R13の接続点に接続され、エミッ
タは接地されている。
を備えておらず、上記抵抗R12〜R14、ダイオード
D12及びトランジスタQ1によって、バイアス制御回
路を構成している。
について説明すると、上記実施形態と同様に、起動抵抗
R1を介してコンデンサC1が充電され、バイアス電圧
VC1が上昇する。そして、バイアス電圧VC1によりゲー
ト電圧Vgがスイッチング素子FET1のオン電圧以上
になると、スイッチング素子FET1はオンしてコイル
電流IL1が流れるとともに、ドレイン電圧Vdが低下
し、電力伝達用1次コイルNm1の両端に電位差が生じ
る。
コイルNm2に電圧が誘起され、この誘起電圧により信
号伝達用1次コイルNf1に電圧が発生する。
伝達用1次コイルNf1と磁気的に結合している電力供
給部10の信号伝達用2次コイルNf2にも、電磁誘導
の作用により電圧Vnf2が誘起される。このとき、ゲー
ト電圧VgはVC1+Vnf2となるので、スイッチング素子
FET1は安定したオン状態になる。
R13間の電圧が上昇してトランジスタQ1にベース電
流が供給されると、トランジスタQ1がオンし、これに
よりスイッチング素子FET1のゲート電圧Vgが低下
して、スイッチング素子FET1がオフになる。
ング素子FET1のオン時間を大幅に短縮できるので、
コイル電流IL1による蓄積エネルギーを適量に抑制し、
スイッチング素子FET1のオフ後に発生するフライバ
ック電圧を低減することができる。
は、同様に、バイアス制御回路を構成するトランジスタ
Q1のオンにより、スイッチング素子FET1がオフに
されて、スイッチング素子FET1のスイッチングが継
続的に行われる。
同様に、負荷部20が装着されていない場合には、電力
供給部10における発振動作は間欠発振となり、上記実
施形態と同様の効果が得られる。
イルNf2及び負荷部20の信号伝達用1次コイルNf
1は、上記実施形態(図2)に代えて、図7に示すよう
に配置してもよい。図7に示すように、電力供給部10
の信号伝達用2次コイルNf2は、電力伝達用1次コイ
ルNm1が巻かれているトランス用ポットコアK1の内
側、すなわち電力伝達用1次コイルNm1による磁束ル
ープ、及び、電力伝達用1次、2次コイルNm1,Nm
2のトランスによる磁束ループの内側に配置されてい
る。
Nf1は、電力供給部10に負荷部20が装着されたと
きに電力供給部10の信号伝達用2次コイルNf2に対
向する位置、すなわち電力伝達用2次コイルNm2が巻
かれているトランス用ポットコアK2の内側に配置され
ている。
2は、電力伝達用1次、2次コイルNm1,Nm2のト
ランスにより形成される磁束ループが外側となってお
り、すなわち信号伝達用2次コイルNf2から見て外側
で磁束が打ち消しあうこととなり、信号伝達用2次コイ
ルNf2に磁束が鎖交しないので、電力伝達用1次コイ
ルNm1が発生する磁束によって起電力が発生すること
はない。すなわち、信号伝達用2次コイルNf2と電力
伝達用1次コイルNm1とは、電気的にも磁気的にも結
合されていない、あるいはその結合状態が無視できる程
度(漏れ磁束分)になっている。
されると、電力伝達用1次コイルNm1と電力伝達用2
次コイルNm2、信号伝達用1次コイルNf1と信号伝
達用2次コイルNf2は、それぞれ磁気的に結合される
こととなる。
部20が装着された状態で、電力伝達用1次コイルNm
1、電力伝達用2次コイルNm2、信号伝達用1次コイ
ルNf1及び信号伝達用2次コイルNf2により、自励
発振回路のフィードバックループが構成され、上記実施
形態と同様の動作が行われる。
されていない状態では、電力伝達用1次コイルNm1、
電力伝達用2次コイルNm2、信号伝達用1次コイルN
f1及び信号伝達用2次コイルNf2によるフィードバ
ックループが構成されないので、電力供給部10の発振
動作が間欠発振となり、上記実施形態と同様の効果を得
ることができる。
素子によりコイル電流がスイッチングされる電力伝達用
1次コイルを備えた電力供給部と、電力伝達用2次コイ
ルを備えた負荷部とが、着脱可能に互いに分離して形成
された非接触電力伝達装置において、負荷部は、電力伝
達用2次コイルと電気的又は磁気的に結合された信号伝
達用1次コイルを備え、電力供給部は、電力伝達用1次
コイルと電気的にも磁気的にも結合せず、負荷部が装着
された状態で信号伝達用1次コイルと磁気的に結合さ
れ、スイッチング素子の制御端子に帰還コイルとして電
気的に接続されてなる信号伝達用2次コイルを備え、電
力供給部に負荷部が装着された状態で電力伝達用1次コ
イル、電力伝達用2次コイル、信号伝達用1次コイル及
び信号伝達用2次コイルにより、自励発振回路のフィー
ドバックループを構成するようにしたので、電力供給部
に負荷部が装着されていないときは、信号伝達用2次コ
イルは電力伝達用1次コイルと電気的にも磁気的にも結
合しておらず、電力伝達用1次コイル、電力伝達用2次
コイル、信号伝達用1次コイル及び信号伝達用2次コイ
ルにより、自励発振回路のフィードバックループが構成
されないので、帰還コイルとしての信号伝達用2次コイ
ルに電圧が発生しないため、スイッチング素子によるコ
イル電流のスイッチングを間欠的にのみ行うことがで
き、これによって極めて簡素な回路構成で、電力供給部
に負荷部が装着されていない状態のときに自励発振の強
度を低減することができる。
電力化を実現することができるとともに、電力供給部の
近傍に金属異物が置かれた場合でも、その加熱を防止す
ることができる。また、極めて簡素な回路構成のため、
本装置を低コストで実現することができる。
は、信号伝達用1次コイルに発生する電圧レベルの制御
を行う制御回路を備えることにより、電力供給部の自励
発振回路の発振制御を行うことができ、これによって、
負荷部に供給する電力レベルを制御することができる。
部は、電力伝達用1次コイルに並列接続されたコンデン
サを備えることにより、共振回路を構成し、電力供給部
に負荷部が装着されたときに、自励発振を効率よく行う
ことができる。
用2次コイルを電力伝達用1次コイルが形成する磁束ル
ープの外側に配置し、信号伝達用1次コイルを、電力供
給部に負荷部が装着された状態で信号伝達用2次コイル
の対向位置に配置することにより、信号伝達用2次コイ
ルが電力伝達用1次コイルと電気的にも磁気的にも結合
しない状態を簡素な構成で実現することができるととも
に、電力供給部に負荷部が装着された状態のときに信号
伝達用1次コイルと信号伝達用2次コイルとの磁気結合
状態を簡素な構成で実現することができる。
用2次コイルを電力伝達用1次コイルが形成する磁束ル
ープの内側に配置し、信号伝達用1次コイルを、電力供
給部に負荷部が装着された状態で信号伝達用2次コイル
の対向位置に配置することにより、信号伝達用2次コイ
ルが電力伝達用1次コイルと電気的にも磁気的にも結合
しない状態を簡素な構成で実現することができるととも
に、電力供給部に負荷部が装着された状態のときに信号
伝達用1次コイルと信号伝達用2次コイルとの磁気結合
状態を簡素な構成で実現することができる。
を示す回路図である。
である。
波形図である。
の波形図である。
ルの配置を示す図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 直流電源、電力伝達用1次コイル、制御
端子に印加されるバイアス電圧がスレショルド電圧以上
になると上記直流電源から上記電力伝達用1次コイルに
流れる電流をスイッチングするスイッチング素子を有す
る自励発振回路、及び上記直流電源に接続された起動抵
抗とコンデンサとからなり、バイアス電圧を上記制御端
子に印加するバイアス電圧回路を備えた電力供給部と電
力伝達用2次コイルを備えた負荷部とが着脱可能に互い
に分離して形成され、上記電力供給部に上記負荷部が装
着された状態で上記電力伝達用1次コイルと上記電力伝
達用2次コイルとが磁気的に結合されて電磁誘導により
上記電力供給部から上記負荷部への電力伝達を可能にす
る非接触電力伝達装置において、 上記負荷部は、上記電力伝達用2次コイルと電気的又は
磁気的に結合された信号伝達用1次コイルを備え、 上記電力供給部は、上記電力伝達用1次コイルと電気的
にも磁気的にも結合せず、上記負荷部が装着された状態
で上記信号伝達用1次コイルと磁気的に結合され、上記
制御端子に帰還コイルとして電気的に接続されてなる信
号伝達用2次コイルを備え、 上記電力供給部に上記負荷部が装着された状態で上記電
力伝達用1次コイル、上記電力伝達用2次コイル、上記
信号伝達用1次コイル及び上記信号伝達用2次コイルに
より、上記自励発振回路のフィードバックループが構成
されることを特徴とする非接触電力伝達装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の非接触電力伝達装置にお
いて、上記負荷部は、上記信号伝達用1次コイルに接続
され、上記信号伝達用1次コイルに発生する電圧レベル
の制御を行う制御回路を備えたものであることを特徴と
する非接触電力伝達装置。 - 【請求項3】 請求項1又は2記載の非接触電力伝達装
置において、上記電力供給部は、上記電力伝達用1次コ
イルに並列接続されたコンデンサを備えたものであるこ
とを特徴とする非接触電力伝達装置。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の非接触
電力伝達装置において、上記信号伝達用2次コイルは、
上記電力伝達用1次コイルが形成する磁束ループの外側
に配置され、上記信号伝達用1次コイルは、上記電力供
給部に上記負荷部が装着された状態で上記信号伝達用2
次コイルの対向位置に配置されていることを特徴とする
非接触電力伝達装置。 - 【請求項5】 請求項1〜3のいずれかに記載の非接触
電力伝達装置において、上記信号伝達用2次コイルは、
上記電力伝達用1次コイルが形成する磁束ループの内側
に配置され、上記信号伝達用1次コイルは、上記電力供
給部に上記負荷部が装着された状態で上記信号伝達用2
次コイルの対向位置に配置されていることを特徴とする
非接触電力伝達装置。
Priority Applications (5)
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Family
ID=18323368
Family Applications (1)
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