JPH11186300A - 半導体装置の封止方法 - Google Patents
半導体装置の封止方法Info
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- JPH11186300A JPH11186300A JP35101297A JP35101297A JPH11186300A JP H11186300 A JPH11186300 A JP H11186300A JP 35101297 A JP35101297 A JP 35101297A JP 35101297 A JP35101297 A JP 35101297A JP H11186300 A JPH11186300 A JP H11186300A
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- Japan
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- semiconductor device
- sealing
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- cured
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、樹脂の外観形状のバラツキが低減
されるようにした、半導体装置の封止方法を提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 基板１１と、基板上に搭載された半導体
素１２子と、この半導体素子の電極部と基板上の電極部
と電気的に接続する接続部１３を樹脂１４により封止
し、その樹脂を硬化させる、半導体装置の封止方法であ
って、上記接続部１３にて、樹脂に対して乾燥手段を用
いることにより、部分仮硬化を行ないつつ、樹脂による
封止を行う半導体装置の封止方法。
されるようにした、半導体装置の封止方法を提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 基板１１と、基板上に搭載された半導体
素１２子と、この半導体素子の電極部と基板上の電極部
と電気的に接続する接続部１３を樹脂１４により封止
し、その樹脂を硬化させる、半導体装置の封止方法であ
って、上記接続部１３にて、樹脂に対して乾燥手段を用
いることにより、部分仮硬化を行ないつつ、樹脂による
封止を行う半導体装置の封止方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に実装され
た半導体素子を樹脂によって封止する、半導体装置の封
止方法に関するものである。
た半導体素子を樹脂によって封止する、半導体装置の封
止方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、各種電子部品等の半導体装置は、
図３に示すように、構成されている。図３において、半
導体装置１は、製造工程において、基板２上にダイボン
ディング等により例えばＩＣ等の半導体素子３を搭載す
ると共に、この半導体素子３の電極部（図示せず）と基
板２上に形成された電極部（図示せず）とを、ワイヤボ
ンディング４により電気的に接続する。その後、半導体
装置１は、各ワイヤボンディング４の部分を、エポキシ
樹脂等の樹脂５により封止することにより、完成され
る。ここで、上記樹脂５による封止は、所謂ポッティン
グ方法によって、各ワイヤボンディング４の領域に、樹
脂５をポッティングすることにより、全てのワイヤボン
ディング４の部分を覆った後、樹脂５の仮硬化であるキ
ュアを行なうことにより、上記封止樹脂５を加熱硬化さ
せるようにしている。これにより、半導体装置１は、そ
の基板２上の半導体素子３の各ワイヤボンディング４の
領域が、樹脂５によって確実に覆われ、保護されるよう
になっている。
図３に示すように、構成されている。図３において、半
導体装置１は、製造工程において、基板２上にダイボン
ディング等により例えばＩＣ等の半導体素子３を搭載す
ると共に、この半導体素子３の電極部（図示せず）と基
板２上に形成された電極部（図示せず）とを、ワイヤボ
ンディング４により電気的に接続する。その後、半導体
装置１は、各ワイヤボンディング４の部分を、エポキシ
樹脂等の樹脂５により封止することにより、完成され
る。ここで、上記樹脂５による封止は、所謂ポッティン
グ方法によって、各ワイヤボンディング４の領域に、樹
脂５をポッティングすることにより、全てのワイヤボン
ディング４の部分を覆った後、樹脂５の仮硬化であるキ
ュアを行なうことにより、上記封止樹脂５を加熱硬化さ
せるようにしている。これにより、半導体装置１は、そ
の基板２上の半導体素子３の各ワイヤボンディング４の
領域が、樹脂５によって確実に覆われ、保護されるよう
になっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなポッティング封止方法においては、半導体装置１の
すべてのワイヤボンディング４の領域の樹脂５による封
止が行なわれた後、樹脂５のキュアが行なわれることか
ら、樹脂５のポッティングからキュアまでの時間が長く
なってしまう。このため、図４の平面図に示すように、
樹脂５が流れてしまうことから、キュア後の樹脂５が広
がってしまうと共に、外観形状が崩れ、外形のバラツキ
が大きくなってしまうという問題があった。
うなポッティング封止方法においては、半導体装置１の
すべてのワイヤボンディング４の領域の樹脂５による封
止が行なわれた後、樹脂５のキュアが行なわれることか
ら、樹脂５のポッティングからキュアまでの時間が長く
なってしまう。このため、図４の平面図に示すように、
樹脂５が流れてしまうことから、キュア後の樹脂５が広
がってしまうと共に、外観形状が崩れ、外形のバラツキ
が大きくなってしまうという問題があった。
【０００４】本発明は、以上の点に鑑み、樹脂の外観形
状のバラツキが低減されるようにした、半導体装置の封
止方法を提供することを目的としている。
状のバラツキが低減されるようにした、半導体装置の封
止方法を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、基板と、基板上に搭載された半導体素子と、この
半導体素子の電極部と基板上の電極部と電気的に接続す
る接続部を樹脂により封止し、その樹脂を硬化させる、
半導体装置の封止方法であって、上記接続部にて、樹脂
に対して乾燥手段を用いることにより、部分仮硬化を行
ないつつ、樹脂による封止を行う半導体装置の封止方法
により、達成される。
れば、基板と、基板上に搭載された半導体素子と、この
半導体素子の電極部と基板上の電極部と電気的に接続す
る接続部を樹脂により封止し、その樹脂を硬化させる、
半導体装置の封止方法であって、上記接続部にて、樹脂
に対して乾燥手段を用いることにより、部分仮硬化を行
ないつつ、樹脂による封止を行う半導体装置の封止方法
により、達成される。
【０００６】上記構成によれば、半導体装置における半
導体素子の電極部と基板上の電極部との間の接続部を、
樹脂で封止する際に、この樹脂が、乾燥手段により部分
仮硬化する。したがって、本発明による封止方法におい
ては、上記接続部を樹脂で封止しながら、この樹脂を部
分硬化するので、接続部の樹脂が硬化前に流れ出すよう
なことはない。その後、半導体装置全体についての樹脂
を硬化することで、接続部の樹脂は完全に硬化されるこ
とになる。
導体素子の電極部と基板上の電極部との間の接続部を、
樹脂で封止する際に、この樹脂が、乾燥手段により部分
仮硬化する。したがって、本発明による封止方法におい
ては、上記接続部を樹脂で封止しながら、この樹脂を部
分硬化するので、接続部の樹脂が硬化前に流れ出すよう
なことはない。その後、半導体装置全体についての樹脂
を硬化することで、接続部の樹脂は完全に硬化されるこ
とになる。
【０００７】また、上記接続部の樹脂は部分硬化される
ため、流れ出すようなことはないので、半導体装置全体
についての樹脂を硬化した後でも、その接続部の樹脂の
外観形状が崩れてしまうようなことがなく、而もそのバ
ラツキが小さくなると共に、見栄えが良好になる。
ため、流れ出すようなことはないので、半導体装置全体
についての樹脂を硬化した後でも、その接続部の樹脂の
外観形状が崩れてしまうようなことがなく、而もそのバ
ラツキが小さくなると共に、見栄えが良好になる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を図１乃至図２を参照しながら、詳細に説明する。尚、
以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例である
から、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、
本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもの
ではない。
を図１乃至図２を参照しながら、詳細に説明する。尚、
以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例である
から、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、
本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもの
ではない。
【０００９】図１は、本発明による封止方法の一実施形
態により半導体装置を封止している状態を示している。
図１において、半導体装置１０は、製造工程において、
基板１１上にダイボンディング等により例えばＩＣ等の
半導体素子１２を搭載すると共に、この半導体素子１２
の電極部（図示せず）と基板２上に形成された電極部
（図示せず）との接続部を、例えばワイヤボンディング
１３により電気的に接続するようになっている。その
後、半導体装置１０は、各ワイヤボンディング１３の部
分を、エポキシ樹脂等の樹脂１４により封止することに
より、完成されるようになっている。
態により半導体装置を封止している状態を示している。
図１において、半導体装置１０は、製造工程において、
基板１１上にダイボンディング等により例えばＩＣ等の
半導体素子１２を搭載すると共に、この半導体素子１２
の電極部（図示せず）と基板２上に形成された電極部
（図示せず）との接続部を、例えばワイヤボンディング
１３により電気的に接続するようになっている。その
後、半導体装置１０は、各ワイヤボンディング１３の部
分を、エポキシ樹脂等の樹脂１４により封止することに
より、完成されるようになっている。
【００１０】ここで、上記樹脂１４による封止は、封止
樹脂工程である所謂ポッティング方法によって、各ワイ
ヤボンディング１３の領域に、樹脂用ノズル１４ａから
樹脂１４をポッティングすることにより、行なわれると
共に、全てのワイヤボンディング１３の部分を覆った
後、樹脂１４の仮硬化であるキュアを行なうことによ
り、上記樹脂１４を加熱硬化させる。これにより、半導
体装置１０は、その基板１１上の半導体素子１２の各ワ
イヤボンディング１３の領域が、樹脂１４によって確実
に覆われ、保護されるようになっている。
樹脂工程である所謂ポッティング方法によって、各ワイ
ヤボンディング１３の領域に、樹脂用ノズル１４ａから
樹脂１４をポッティングすることにより、行なわれると
共に、全てのワイヤボンディング１３の部分を覆った
後、樹脂１４の仮硬化であるキュアを行なうことによ
り、上記樹脂１４を加熱硬化させる。これにより、半導
体装置１０は、その基板１１上の半導体素子１２の各ワ
イヤボンディング１３の領域が、樹脂１４によって確実
に覆われ、保護されるようになっている。
【００１１】以上の構成は、図３及び図４に示したポッ
ティング方法と同じ構成であるが、本発明による封止方
法においては、前述した樹脂１４のポッティングの際
に、側方から、エアノズル１５を介して、乾燥手段であ
る高温エアが噴射される。このエアノズル１５から噴射
される高温エアは、好ましくは、例えば約１００℃であ
る。
ティング方法と同じ構成であるが、本発明による封止方
法においては、前述した樹脂１４のポッティングの際
に、側方から、エアノズル１５を介して、乾燥手段であ
る高温エアが噴射される。このエアノズル１５から噴射
される高温エアは、好ましくは、例えば約１００℃であ
る。
【００１２】これにより、ポッティングされる封止樹脂
１４は、エアノズル１５からの高温エアによって部分的
にキュアされることになる。従って、半導体装置全体が
キュアされるまでの時間が長くなったとしても、ポッテ
ィングされる樹脂１４が流れてしまうようなことはな
い。
１４は、エアノズル１５からの高温エアによって部分的
にキュアされることになる。従って、半導体装置全体が
キュアされるまでの時間が長くなったとしても、ポッテ
ィングされる樹脂１４が流れてしまうようなことはな
い。
【００１３】尚、上述したエアノズル１５は、樹脂１４
をポッティングすべき樹脂用ノズル１４ａに一体的に取
り付けられることにより、各ワイヤボンディング１３の
領域で、樹脂１４のポッティングが行なわれる際に、特
にエアノズル１５を位置決めする必要なく、ポッティン
グされる樹脂１４に対して確実に高温エアが噴射され、
樹脂１４の部分キュアが行なわれることになる。
をポッティングすべき樹脂用ノズル１４ａに一体的に取
り付けられることにより、各ワイヤボンディング１３の
領域で、樹脂１４のポッティングが行なわれる際に、特
にエアノズル１５を位置決めする必要なく、ポッティン
グされる樹脂１４に対して確実に高温エアが噴射され、
樹脂１４の部分キュアが行なわれることになる。
【００１４】本発明の実施の形態による半導体装置の封
止方法は、以上のように構成されており、半導体装置の
封止を行なう場合、以下のようにして行なわれる。先
づ、封止の前に、半導体装置１０は、基板１１上に半導
体素子１２が搭載され、この半導体素子１２の各電極部
と基板上１１に形成された対応する電極部とが、それぞ
れ互いにワイヤボンディング１３によって電気的に接続
される。
止方法は、以上のように構成されており、半導体装置の
封止を行なう場合、以下のようにして行なわれる。先
づ、封止の前に、半導体装置１０は、基板１１上に半導
体素子１２が搭載され、この半導体素子１２の各電極部
と基板上１１に形成された対応する電極部とが、それぞ
れ互いにワイヤボンディング１３によって電気的に接続
される。
【００１５】このようにして組み立てられた半導体装置
１０は、図１に示すように、各ワイヤボンディング１３
の領域に、樹脂用ノズル１４ａから樹脂１４がポッティ
ングされることにより、当該ワイヤボンディング１３の
領域が、樹脂１４によって封止される。
１０は、図１に示すように、各ワイヤボンディング１３
の領域に、樹脂用ノズル１４ａから樹脂１４がポッティ
ングされることにより、当該ワイヤボンディング１３の
領域が、樹脂１４によって封止される。
【００１６】このとき、同時にポッティングされた樹脂
１４には、樹脂用ノズル１４ａに一体的に取り付けられ
たエアノズル１５から、高温エアが噴射される。これに
より、ポッティングされた樹脂１４は、高温エアの熱に
よって部分的にキュアされて加熱硬化され、仮硬化する
ことになる。このような樹脂１４のポッティング及び仮
硬化は、各ボンディングワイヤ１３の領域について、そ
れぞれ行なわれる。
１４には、樹脂用ノズル１４ａに一体的に取り付けられ
たエアノズル１５から、高温エアが噴射される。これに
より、ポッティングされた樹脂１４は、高温エアの熱に
よって部分的にキュアされて加熱硬化され、仮硬化する
ことになる。このような樹脂１４のポッティング及び仮
硬化は、各ボンディングワイヤ１３の領域について、そ
れぞれ行なわれる。
【００１７】このようにしてすべてのワイヤボンディン
グ１３の領域における樹脂１４のポッティング及び仮硬
化が終わった後、半導体装置１０全体の樹脂がキュアさ
れることにより、各ワイヤボンディング１３の領域を封
止する樹脂１４のキュアが行なわれ、封止樹脂１４が完
全に硬化されることにより、半導体装置１０の封止が完
了することになる。その後、半導体装置１０全体につい
ての樹脂をキュアすることで、この部分硬化された樹脂
１４は完全に硬化され、半導体装置１０が完成すること
になる。
グ１３の領域における樹脂１４のポッティング及び仮硬
化が終わった後、半導体装置１０全体の樹脂がキュアさ
れることにより、各ワイヤボンディング１３の領域を封
止する樹脂１４のキュアが行なわれ、封止樹脂１４が完
全に硬化されることにより、半導体装置１０の封止が完
了することになる。その後、半導体装置１０全体につい
ての樹脂をキュアすることで、この部分硬化された樹脂
１４は完全に硬化され、半導体装置１０が完成すること
になる。
【００１８】この場合、各ワイヤボンディング１３の領
域にてポッティングされた樹脂１４は、ポッティングと
同時に高温エアによって部分的にキュアされるので、半
導体装置１０全体の樹脂がキュアされる前に、樹脂１４
が流れるようなことはない。かくして、図２に示すよう
に、半導体装置１０の基板１１上にて、樹脂１４は流れ
ることないので、その外観形状が崩れるようなことはな
い。従って、外観形状のバラツキが小さくなると共に、
見栄えが良好になる。
域にてポッティングされた樹脂１４は、ポッティングと
同時に高温エアによって部分的にキュアされるので、半
導体装置１０全体の樹脂がキュアされる前に、樹脂１４
が流れるようなことはない。かくして、図２に示すよう
に、半導体装置１０の基板１１上にて、樹脂１４は流れ
ることないので、その外観形状が崩れるようなことはな
い。従って、外観形状のバラツキが小さくなると共に、
見栄えが良好になる。
【００１９】ここで、上述した高温エアの噴射が、図１
に示すように、半導体装置１０の基板１１の外側から中
心に向かうような方向で行なわれることによって、樹脂
１４の流れがより一層抑制され得ると共に、樹脂１４の
外観形状が整うことになり、より一層見栄えが良好にな
る。
に示すように、半導体装置１０の基板１１の外側から中
心に向かうような方向で行なわれることによって、樹脂
１４の流れがより一層抑制され得ると共に、樹脂１４の
外観形状が整うことになり、より一層見栄えが良好にな
る。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、樹
脂の外観形状のバラツキが低減されるようにした、半導
体装置の封止方法を提供することができる。
脂の外観形状のバラツキが低減されるようにした、半導
体装置の封止方法を提供することができる。
【図１】本発明による封止方法の一実施形態により半導
体装置を封止している状態を示す図である。
体装置を封止している状態を示す図である。
【図２】図１の半導体装置の完成後の状態を示す平面図
である。
である。
【図３】従来のポッティング封止方法による半導体装置
に対する封止樹脂のポッティングの状態を示す概略側面
図である。
に対する封止樹脂のポッティングの状態を示す概略側面
図である。
【図４】図３の半導体装置の完成後の状態を示す平面図
である。
である。
１０・・・半導体装置、１１・・・基板、１２・・・半
導体素子、１３・・・ワイヤボンディング、１４・・・
樹脂、１４ａ・・・樹脂用ノズル、１５・・・エアノズ
ル。
導体素子、１３・・・ワイヤボンディング、１４・・・
樹脂、１４ａ・・・樹脂用ノズル、１５・・・エアノズ
ル。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と、基板上に搭載された半導体素子
と、この半導体素子の電極部と基板上の電極部と電気的
に接続する接続部を樹脂により封止し、その樹脂を硬化
させる、半導体装置の封止方法であって、 上記接続部にて、樹脂に対して乾燥手段を用いることに
より、部分仮硬化を行ないつつ、樹脂による封止を行う
ことを特徴とする、半導体装置の封止方法。 - 【請求項２】 上記乾燥手段が高温エアであり、この高
温エアが上記半導体装置の基板の外側から中心に向かう
ように、噴射されることを特徴とする、請求項１に記載
の半導体装置の封止方法。 - 【請求項３】 上記高温エアが、約１００℃の温度であ
ることを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置の封
止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35101297A JPH11186300A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 半導体装置の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35101297A JPH11186300A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 半導体装置の封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186300A true JPH11186300A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18414445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35101297A Withdrawn JPH11186300A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 半導体装置の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186300A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003094222A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Toray Engineering Co., Ltd. | Bonding method and bonding device |
-
1997
- 1997-12-19 JP JP35101297A patent/JPH11186300A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003094222A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Toray Engineering Co., Ltd. | Bonding method and bonding device |
| CN100375256C (zh) * | 2002-04-30 | 2008-03-12 | 东丽工程株式会社 | 粘附方法及其装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050301 |