JPS62113433A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止形半導体装置の製造方法

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JPS62113433A
JPS62113433A JP60253967A JP25396785A JPS62113433A JP S62113433 A JPS62113433 A JP S62113433A JP 60253967 A JP60253967 A JP 60253967A JP 25396785 A JP25396785 A JP 25396785A JP S62113433 A JPS62113433 A JP S62113433A
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JP
Japan
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resin
chip
sealing resin
semiconductor device
swelling agent
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Application number
JP60253967A
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English (en)
Inventor
Kunihito Sakai
酒井　国人
Takashi Takahama
高浜　隆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、樹脂封止形半導体装置における内４”＋ツ
ブに加わる応力を低減するために、少くともチップを取
シ巻く部分を空洞にするようにしたその製造方法に関す
る。
〔従来の技術〕
第３図は従来の樹脂封止形半導体装置の断面図であシ１
図におりで（１）は全体の封止用樹脂、（３）はチップ
、（４１はチップ（３）をその上に固着するダイバラ）
、＋５１はチップ（３）とリード（６）とを電気的に接
続するだめのボンデングワイヤである。
次に従来の樹脂封止形半導体装置の製造過程を第３図で
説明する。
先ずチップ（３）を半田等を用いてダイパット（４）上
に固着し、ボンデングワイヤ（５）でチップ（３）とリ
ード（６）とを接続した後、これらをカロ熱金型内に配
置し、封止用樹脂（１）で全体を封止するようになって
いる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の樹脂封止形半導体装置は以上のように全体を封止
用樹脂（１）で包んでいるため、封止用樹脂（１）とチ
ップ（３）とが直接密着状態にあることから。
チップ（３１と封止用樹脂（１）との熱膨張差および封
止用樹脂（１）が硬化する時に生ずる収縮応力によシ。
チップ（３）の表面の配線が切れたシ、チップ（３）そ
のものが割れたシするという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、内装のチップが熱衝撃や硬化収縮により破
損されることのない樹脂封止形半導体装置を得ることを
目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明の場合は、全体を封止用樹脂（１）で包む前に
、チップ（３）およびこれを固着したダイパット（４）
を、膨潤される有機物で囲み、その後これを膨潤剤に接
触させ、上記の有機物が膨潤された膨張状態で全体を封
止用樹脂（１１で封止成形するようにしている。
〔作用〕
この発明の場合は、樹脂封止された半導体装置の全体を
加熱することにより、有機物中の膨潤剤が蒸発し、これ
によシ膨潤された有機物の体積収縮が起シ、封止用樹脂
（りとチップ（３）およびダイパット（４）を囲んだ収
縮状態の有機物との間に空洞ができ、封止用樹脂（１）
とチップ（３）とが離れることから、封止用樹脂（１１
の硬化応力や熱衝撃による応力をチップが直接受けなく
なる。
〔実施例〕
以下この発明の一実施例につｈて説明する。すなわち第
１図および第２図において、（１）は上記同様にチップ
（３）、ダイパラ）　＋４１　、ボンデングワイヤ（５
）およびリード（６）を封止するエポキシ樹脂またはシ
リコン樹脂等の封止用樹脂、（２）は上記チップ（３）
およびダイパット（４）を包んだシリコンゴム等の有機
物で第１図の状態はキシレン等の膨潤剤で適度に膨潤さ
れた状態である。（７）は有機物（２）を膨潤させてい
るキシレン等の膨潤剤、第２図の＋ａ＋は加熱によシキ
シレン等の膨潤剤ｆｆｌが蒸発することにょシ、当該有
機物（２）の体積が収縮してその回シにできた空洞であ
る。
次に本発明の樹脂封止形半導体装置の製造過程につｂて
説明する。先ずダイパット（４１上にチップ（３）を半
田等で固着し、ボンデングワイヤ（５）をチップ（３）
とリード（６）の間に配線する。この状態に組立た後シ
リコンゴム等の有機物（２Ｉをチップ（３）トダイバッ
ト（４）の周囲に付着し硬化させる。次にこの有機物（
２）の体積を膨張させるためにキシレン溶液あるｂはそ
の蒸気等の膨潤剤中に晒す。
これによシ有機物（２）はその体積が元の２倍程度に大
きくなる。その後これらを上記の膨潤剤の沸点以下の温
度に刀ａ熱した金型内に配置し、封止用樹脂（１）で全
体を封止する。そして封止用樹脂（！）が金型内で硬化
してからこの金型を開すて成形された半導体装置を取シ
出す。この状態では第１図に示すように有機物（２）の
中に膨潤剤（７１が含有されておシ、有機物（２）は元
の体積の２倍に膨張したままの形で封止用樹脂（１）と
接触しており、この状態では封止用樹脂（１）の応力が
〃ａわシ、チップ（３１は破損されやすい。
したがって封止用樹脂ｉｌｌの応力をチップ（３）に伝
わらないようにするために１次の工程で全体を膨潤剤の
沸点以上で加熱する。然るときは有機物（２）に含まれ
ている膨潤剤（７１は蒸発し、第２図に示すように膨張
していた有機物（２１は収縮し、封止用樹脂（１）とこ
の有機物（２）との間に膨潤剤が蒸発した体積分の空洞
ができ、これによシチツプ（３（およびダイパット（４
１は封止用樹脂（１）から離れる。
臥 なおこの空洞形成も際膨潤剤（７１ｆよシ効率良く蒸発
させるために、封止用樹脂（１）の温度を、その熱変形
温度以上に加熱維持することが望まし−。
上述の実施例では半導体装置の樹脂封止の場合について
説明したが、これに特定されるものでなく、トランジス
ター、ダイオード、：ｒンデンサーあるいは抵抗体など
を樹脂で封止する場合においても、封止用樹脂の応力を
受けたくない部分に本発明の方法を同様に適用でき、同
様の効果が得られることもちろんである。
その他実施例においては膨潤される有機物をダイパット
まで包み込むように設けたが、チップ表面のみを包むよ
うに設けてもよい。
〔発明の効果〕
この発明では以上のように、少くともチップの周囲に有
機物を付着させ、これを膨潤剤で膨潤［て膨張させてか
ら全体を封止用樹脂で封止し、その後全体を使用された
膨潤剤の沸点以上に加熱し。
含有膨潤剤を蒸発させて有機物を収縮させること応力を
内装のチップが受けることがな（、これにより信頼性の
高い樹脂封止形半導体装置が得られるという効果がある
。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図はこの発明の方法の適用途中および
適用後の完成状態の半導体装置を示す断面図、第３図は
従来の半導体装置の断面図である。 なお図中（りは封止用樹脂、（２）は有機物、（３）は
チップ、（４１はダイパラ）、（５１はボンデングワイ
ヤ。 （６）はリード、（７１は膨潤剤、（８）は空洞である
。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ダイパットにチップを固定し、リードとの間にボ
    ンデングワイヤを施したものにおいて、上記チップおよ
    びダイパットの一部あるいは全周をシリコンゴム等の有
    機物で囲み、この有機物をキシレン等の膨潤剤で膨潤さ
    せた後、これらを上記膨潤剤の沸点以下でエポキシ樹脂
    等の封止用樹脂で包み、その後上記膨潤剤の沸点以上で
    全体を加熱して含有膨潤剤の蒸発による当該有機物の収
    縮により、封止用樹脂の内部に空洞を形成させるように
    したことを特徴とする樹脂封止形半導体装置の製造方法
    。
  2. （２）封止用樹脂の内側への空洞形成工程時に、この封
    止用樹脂をその熱変形温度以上に加熱維持するようにし
    た特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止形半導体装置の
    製造方法。
JP60253967A 1985-11-12 1985-11-12 樹脂封止形半導体装置の製造方法 Pending JPS62113433A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0247857A (ja) * 1988-08-10 1990-02-16 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
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