JPH11186367A - 基板保持装置 - Google Patents

基板保持装置

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JPH11186367A
JPH11186367A JP36710697A JP36710697A JPH11186367A JP H11186367 A JPH11186367 A JP H11186367A JP 36710697 A JP36710697 A JP 36710697A JP 36710697 A JP36710697 A JP 36710697A JP H11186367 A JPH11186367 A JP H11186367A
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JP
Japan
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substrate
rotating
substrate holding
holding
holding device
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Application number
JP36710697A
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English (en)
Inventor
Joichi Nishimura
讓一 西村
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板保持装置において基板の表面近傍で動作
する機器と干渉しない状態で基板を支持し、基板の回転
処理時には基板の周縁部を保持することのできる技術を
提供することを目的とする。 【解決手段】 回転式基板処理装置に用いられる基板保
持装置は、基板を回転させるための回転台と、回転台の
上方において基板を下面から水平に支持し、かつ基板の
上面よりも上方に突出しない複数の第1の基板保持部
と、回転台上において昇降可能に設置されており、下降
した状態では複数の第1の基板保持部で支持されている
基板の上面よりも上方に突出しない位置で待機するとと
もに、上昇する際に、複数の第1の基板保持部で支持さ
れていた基板の周縁部に接して前記基板の水平方向の移
動を規制する複数の第2の基板保持部とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板を回転させ
ながら処理を行う回転式基板処理装置の技術に関し、特
に基板を保持する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体基板、フォトマスク用のガラス基
板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板
等の基板の処理を行なうための基板処理装置において
は、通常、基板を回転させて処理するための回転式基板
処理装置が組み合わされている。例えば、半導体基板に
現像液を供給して現像処理を行う工程で用いられる半導
体基板処理装置は、スピンデベロッパと呼ばれる回転式
基板処理装置を含んでいる。
【0003】回転式基板処理装置では、基板を回転させ
て処理する段階も有するため、基板保持機構が不可欠と
なる。基板保持機構としては、基板の裏面を真空吸着し
て保持する機構や、基板の周縁部において複数の基板保
持部により保持する機構などがある。基板を汚したり、
傷つけたりしないためには、基板と基板保持機構との接
触面積をできるだけ小さくすることが好ましい。したが
って、従来の回転式基板処理装置では、基板保持機構と
して基板の周縁部において保持する機構が採用されるこ
とが多い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】基板を周縁部において
保持する機構では、回転中に基板が基板保持部からはず
れないようにするために、基板保持部が基板の周縁部と
接触し、かつ、基板表面より上方に突出した状態で基板
を保持する。ところが、基板の表面近傍で機器を動作さ
せたい場合、例えば、処理液供給ノズルを基板の表面近
傍で移動させつつ処理液を供給する場合には、従来の基
板保持装置では、基板表面より上方に突出する部分と処
理液供給ノズルとが干渉する可能性があるという問題が
あった。
【0005】この発明は、従来技術における上述の課題
を解決するためになされたものであり、基板をその周縁
部において保持する基板保持装置において、基板の表面
近傍で動作する機器と干渉しない状態で基板を支持する
ことができ、また、基板の回転処理時には基板の周縁部
を保持することのできる技術を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
述の課題の少なくとも一部を解決するため、本発明の基
板保持装置は、基板を回転させるための回転台と、前記
回転台の上方において基板を下面から水平に支持し、か
つ基板の上面よりも上方に突出しない複数の第1の基板
保持部と、前記回転台上において昇降可能に設置されて
おり、下降した状態では前記複数の第1の基板保持部で
支持されている基板の上面よりも上方に突出しない位置
で待機するとともに、上昇する際に、前記複数の第1の
基板保持部で支持されていた基板の周縁部に接して前記
基板の水平方向の移動を規制する複数の第2の基板保持
部と、を備えることを特徴とする。
【0007】上記基板保持装置では、基板が複数の第1
の基板保持部により支持されているときに、第1および
第2の基板保持部は、基板の上面より上方に突出してい
ないので、基板の表面近傍で動作する機器と干渉しない
状態で基板を支持することができる。また、回転処理を
行う際には、第2の基板保持部が上昇した状態で、基板
の周縁部を保持することができる。
【0008】上記基板保持装置において、前記複数の第
1の基板保持部は、基板の下面のみに接触し、基板の周
縁部には接触しないことが好ましい。
【0009】こうすれば、基板上に処理液を供給した場
合に、第1および第2の基板保持部が基板の周縁部と接
触していないため、第1および第2の基板保持部から処
理液が流れることなく、基板の表面に均一に処理液を盛
ることができる。
【0010】また、上記基板保持装置において、前記複
数の第2の基板保持部のそれぞれは、前記上昇の際にほ
ぼ鉛直な回転軸の回りに回転する回転部を有し、前記回
転部は、前記回転軸に対して偏心した状態でほぼ鉛直に
立設された略円筒状の壁面を有し、前記壁面は、前記上
昇の際に前記回転軸の回りに回転しつつ前記基板の前記
周縁部に接することが好ましい。
【0011】こうすれば、回転軸に偏心した状態で設け
られた略円筒状の壁面を有する回転部を回転させながら
上昇させることにより、基板をその周縁部において保持
することができる。
【0012】また、上記基板保持装置において、前記壁
面は、基板の水平方向の移動を規制するときには基板の
上面より上方に突出していることが好ましい。
【0013】こうすれば、第2の基板保持部により基板
を保持して回転させたときに、仮に上方に多少ずれても
基板を第2の基板保持部からはずれないようにすること
ができる。
【0014】また、上記基板保持装置において、前記複
数の第2の基板保持部のそれぞれは、前記回転台上に載
置された基板上から飛散する液体を受け取るために前記
回転台の周囲に昇降可能に設けられた処理液回収カップ
の昇降に伴って、前記回転部を回転させつつ昇降させる
昇降機構を備えることが好ましい。
【0015】こうすれば、処理液回収カップの昇降に伴
って、第2の基板保持部を昇降させることができるた
め、処理液回収カップの昇降動作に連動させて、基板を
保持することができる。
【0016】また、上記基板保持装置において、前記昇
降機構は、前記処理液回収カップの昇降に伴って前記回
転部を回転させる回転機構と、前記回転台上に固定され
ているとともに、前記回転部と係合してカム機構を構成
し、前記回転部が回転する際に、前記回転部の回転方向
によって前記回転部を上昇または下降させる係合部と、
を備える、基板保持装置。
【0017】こうすれば、カム機構により、第2の基板
保持部を容易に昇降させて基板を保持することができ
る。
【0018】
【発明の実施の形態】A.基板処理装置の構成:以下、
本発明の実施の形態を実施例に基づいて説明する。図1
は、本発明の一実施例としての半導体基板処理装置の構
成を示す説明図である。この半導体基板処理装置10
は、プロセスモジュール100と、インデクサモジュー
ル200との、2つのモジュールから構成されている。
なお、本プロセスモジュール100は半導体基板(以下
「基板」と呼ぶ)上にフォトレジストを塗布する工程、
および露光パターンを現像する工程に用いられるモジュ
ールであるが、図示しない他のインタフェースモジュー
ルを介して、さらに他のプロセスモジュール、例えば、
パターンの露光工程に用いられるプロセスモジュール
を、本プロセスモジュール100と接続することも可能
である。
【0019】プロセスモジュール100は、スピンコー
タSC1と、スピンデベロッパSD1と、3台のホット
プレートHP1,HP2,HP3と、3台のクーリング
プレートCP1,CP2,CP3と、基板搬送ユニット
110と、を備えている。スピンコータSC1は、基板
上にフォトレジストを塗布する処理ユニットである。ス
ピンデベロッパSD1は、露光パターンを現像する処理
ユニットである。3台のホットプレートHP1,HP
2,HP3は、基板の加熱処理を行う処理ユニットであ
る。3台のクーリングプレートCP1,CP2,CP3
は、基板の冷却処理を行う処理ユニットである。基板搬
送ユニット110は、インデクサモジュールから各処理
ユニットに、あるいは処理ユニット間で、基板を搬送す
る搬送ユニットである。
【0020】インデクサモジュール200は、4台のカ
セットステージ210,212,214,216と、イ
ンデクサアーム220と、処理制御ステーション230
と、を備えている。4台のカセットステージ210,2
12,214,216は、基板を複数枚収納したカセッ
トを備えるステージユニットである。インデクサアーム
220は、カセットステージに備えられたカセット内か
ら所定の基板を取り出して基板搬送ユニット110に渡
し、また、各処理ユニットで処理された基板を基板搬送
ユニット110から受け取りカセット内に収納する搬送
ユニットである。処理制御ステーション230は、本半
導体基板処理装置10におけるすべての処理を制御する
コンピュータである。
【0021】なお、この明細書において「回転式基板処
理装置」とは、特に、基板を回転させて処理を行うユニ
ットをいう。図1に示されているユニットの中で、「回
転式基板処理装置」と呼べるものは、プロセスモジュー
ル100内のスピンコータSC1と、スピンデベロッパ
SD1との2つである。
【0022】B.第1実施例:図2は、回転式基板処理
装置であるスピンデベロッパSD1(図1)の概略を示
す説明図である。スピンデベロッパSD1は、回転処理
部Aと、処理液供給部Bと、洗浄液供給部Cとを備えて
いる。回転処理部Aは、基板を回転させるための回転台
300を備えている。処理液供給部Bは、現像液を基板
上に供給するためのスリットノズル600を備えてい
る。スリットノズル600は基板の表面近傍において平
行移動しながら基板全面に現像液を供給する。洗浄液供
給部Cは、基板に洗浄液を供給するための洗浄ノズル6
50を備えている。洗浄ノズル650は、ノズル回転軸
650aを中心に回転し、その先端には流出口652が
設けられている。洗浄ノズル650が回転することによ
り、流出口652は基板の中心まで移動する。
【0023】このスピンデベロッパSD1は、露光パタ
ーンの現像工程に用いられる。スピンデベロッパSD1
における処理には、基板上に現像液を供給して露光パタ
ーンの現像を行う現像処理と、基板上の現像液を洗浄液
により流し去る洗浄処理とが含まれる。洗浄処理におい
ては、基板を回転させて行う処理が含まれており、この
場合、基板が飛散しないように保持する必要がある。
【0024】図3は、第1実施例におけるスピンデベロ
ッパSD1(図2)の回転処理部Aの断面を示す説明図
である。スピンデベロッパSD1の回転処理部Aは、回
転部と、鉛直移動部とから構成されている。
【0025】回転部は、回転台300と、スピンモータ
310と、モータ軸312と、複数の第1の基板保持部
400と、複数の第2の基板保持部500と、を備えて
いる。回転台300は、モータ軸312により軸支され
ており、スピンモータ310を動作させることにより回
転軸300aを中心として回転する。
【0026】第1の基板保持部400は、回転台300
上に固定された基板支持ピン402であり、比較的大径
の略円柱状の台座部404と、台座部404の上に同軸
状に設けられた比較的小径の略円柱状の頂部403とで
構成されている。第2の基板保持部500は、基板保持
ピン502と、基板保持ピン502の下方において回転
台300上に設けられたカム機構520と、回転台30
0の下方に設けられた保持部回転体580とを備えてい
る。保持部回転体580は、内部に棒状磁石582を備
えている。保持部回転体580と基板保持ピン502と
は、回転軸体590を介して接続されており、保持部回
転体580の回転とともに基板保持ピン502は回転す
る。第2の基板保持部500の構成の詳細については後
述する。
【0027】鉛直移動部は、処理液回収カップ350
と、円盤360と、エアシリンダ370と、昇降棒37
2と、を備えている。処理液回収カップ350は、基板
を回転させたときに基板上から飛散する処理液を回収す
るための略中空円筒状のカップであり、回転台300上
の基板Wの外周を取り囲む周状の側面とリング状の底面
とを有している。円盤360は、内部にリング状磁石3
62を備えており、処理液回収カップ350の底面の内
部に固定されている。リング状磁石362は、リングの
外周側、内周側にそれぞれ異なる磁極、例えば外周側に
N極、内周側にS極が形成されている磁石である。処理
液回収カップ350とエアシリンダ370とは、昇降棒
372によって接続されており、エアシリンダ370を
動作させることにより処理液回収カップ350は鉛直方
向に移動する。
【0028】基板を回転させるときには、飛散する処理
液を回収するために処理液回収カップ350を図3の位
置P1から位置P2へと上昇させる。このとき、円盤3
60内のリング状磁石362と保持部回転体580内の
棒状磁石582との相互作用によって、保持部回転体5
80が回転するとともに、基板保持ピン502が回転し
て基板の水平方向の移動を規制することができる。リン
グ状磁石362と棒状磁石582との関係については後
述する。
【0029】図4は、回転台300上における第1の基
板保持部400および第2の基板保持部500の配置を
示す説明図である。図4は、基板Wを上方から見た平面
図を示している。回転台300上には、3つの第1の基
板保持部400と、3つの第2の基板保持部500とが
交互に等角度で配置されている。なお、第1の基板保持
部400および第2の基板保持部500は、基板の支持
および保持をすることができれば、その個数、配置はこ
れに限られない。
【0030】図5は、第1の基板保持部400および第
2の基板保持部500による基板の保持状態を示す説明
図である。基板Wが基板搬送ユニット110(図1)か
ら搬送されたときには、図5(a)に示すように、基板
Wは3つの第1の基板保持部400によって支持され
る。すなわち、基板Wは、基板支持ピン402の頂部4
03および台座部404によって形成される肩部によっ
て水平に支持される。頂部403の上端は、基板の上面
より下方に位置している。すなわち、頂部403の厚み
は基板Wの厚さ以下となっている。また、3つの第2の
基板保持部500は、頂部503の上端が基板上面より
下方にある位置で待機している。このとき、図3の処理
液回収カップ350は、位置P1に位置している。図5
(a)に示す状態において、基板上面に現像液を供給す
る。
【0031】図6は、走査供給方法によって基板に現像
液を供給する場合の概略を示す説明図である。図6
(a)は、基板Wを上方から見た平面図を示している。
図6(b)は、基板Wを側面から見た側面図を示してい
る。現像液は、図6(b)に示すように、スリットノズ
ル600の下面に設けられたスリット610から基板上
面に供給される。なお、スリット610の長さは、基板
の直径よりも大きく、片道の走査で基板全面に現像液を
盛ることができる。図6(a)に示すように、スリット
ノズル600には距離センサ620aおよび傾きセンサ
620bが備えられている。距離センサ620aは、ス
リットノズル600が、基板Wに対して一定の距離を保
つためのセンサである。傾きセンサ620bは、スリッ
トノズル600を基板Wと平行に保つためのセンサであ
る。スリットノズル600は、現像液を基板上に供給し
ながら、基板の表面近傍を基板と平行に矢印の方向に移
動する。現像液を均一に供給するために、基板Wの表面
からスリット610までの距離は、通常、1mm程度に
保たれる。なお、距離センサ620aおよび傾きセンサ
620bによるスリットノズル600の調整は、微調整
を行うためのものなので、基板Wは可能な限り水平に載
置されることが好ましい。
【0032】図6(b)に示すように、現像液の供給の
際には基板Wは第1の基板保持部400のみで支持され
ており、第2の基板保持部500は下方の待機位置で待
機している。この状態では、第1および第2の基板保持
部400,500の頂部403,503が基板Wの上面
よりも低くなっているので、スリットノズル600は基
板保持部400,500と干渉(衝突)せずに現像液を
基板W上に供給することができる。
【0033】図5(a)の状態で現像液を供給した後、
図3の処理液回収カップ350を位置P2に上昇させる
と、第2の基板保持部500は回転しながら上昇し、図
5(b)に示す状態となる。このとき、基板Wの周縁部
は3つの第2の基板保持部500によって保持される。
すなわち、基板Wは、基板保持ピン502の頂部503
の円筒状の壁面により水平方向の移動が規制される。ま
た、頂部503の先端は、基板の上面より上方に突出し
ている。図5(b)の状態においても、第1の基板保持
部400の台座部404は基板Wを下面から支持してい
る。なお、第2の基板保持部500が保持を行う際に
は、第1の基板保持部400が基板Wを支持しない位置
まで基板Wを持ち上げて、第2の基板保持部500のみ
で基板Wの下面と周縁部とを保持するようにしてもよ
い。
【0034】図7は、第2の基板保持部500の構成を
示す斜視図である。第2の基板保持部500は、基板保
持ピン502と、基板保持ピン502の下方に設けられ
たカム機構520と、基板保持ピン502を回転させる
保持部回転体580とを備えている。基板保持ピン50
2は、比較的大径の略円柱状の台座部504と、台座部
504の上に偏心した状態で設けられた比較的小径の略
円柱状の頂部503とを備えている。また、台座部50
4と頂部503との間には、錐状の側面を有する錐状部
505が設けられている。台座部504の下端は、やや
小径の第1の回転軸体518に接続されており、この第
1の回転軸体518は、さらに小径の第2の回転軸体5
90を介して保持部回転体580に接続されている。保
持部回転体580と、2つの回転軸体590,518
と、基板保持ピン502とは互いに固定されており、保
持部回転体580の回転に伴って一体として回転する。
保持部回転体580と、2つの回転軸体590,518
と、基板保持ピン502の台座部504は同軸に形成さ
れているが、頂部503は偏心した状態で設けられてい
るので、頂部503のみが偏心した状態で回転する。従
って、頂部503の側面は、基板保持ピン502の回転
軸に対して偏心した状態でほぼ鉛直に立設された略円筒
状の壁面となっている。
【0035】カム機構520は、回転台300上に固定
された円筒カム515と、円筒カム515の溝516に
係合する回転制御ピン517とで構成されている。回転
制御ピン517は、第1の回転軸体518の側面から外
側に向かって伸びており、溝516を突出するように形
成されている。溝516は、円筒カム515の周面に沿
って斜めに形成されている。円筒カム515は回転台3
00上に固定されているので、保持部回転体580が回
転すると、回転制御ピン517は回転しつつ溝516に
沿って上昇または下降する。従って、基板保持ピン50
2も、保持部回転体580の回転に伴って上昇または下
降する。基板保持ピン502が回転しつつ上昇すると、
頂部503の壁面が基板Wの周縁部と接して中心方向に
押しつけながら、基板Wの水平方向の移動を規制する。
【0036】図8および図9は、第2の基板保持部50
0の動作を示す説明図である。第2の基板保持部500
の動作は、リング状磁石362と、第2の基板保持部5
00の棒状磁石582との相互作用によるため、処理液
回収カップ350の昇降動作と連動する。
【0037】図8は、処理液回収カップが図3に示す位
置P1にあるときを示しており、このとき基板Wは第1
の基板保持部400(図4)により支持されている。こ
の状態で、図6に示したように基板Wに現像液を供給す
る。図8(a)は第2の基板保持部500を側面から見
た側面図、(b)は基板保持ピン502と基板Wの関係
を上方から見た平面図、(c)は第2の基板保持部50
0を回転台300の下方から見た平面図を示している。
図8(a)に示すように、リング状磁石362は、第2
の基板保持部500の棒状磁石582の下方に位置して
いる。このときリング状磁石362が形成する磁場の影
響により、棒状磁石582は図8(a),(c)に示す
状態となっている。すなわち、棒状磁石582はN極が
回転台300の回転軸300a(図3)の方向を向いて
いる。また、回転制御ピン517は、溝516の下端に
位置している。なお、基板保持ピン502は、図8
(a),(b)に示すように基板Wに接触していない。
【0038】図9は、処理液回収カップが図3に示す位
置P2にあるときを示している。この状態で、基板Wを
回転させながら洗浄処理を行う。図9(a)は第2の基
板保持部500を側面から見た側面図、(b)は基板保
持ピン502と基板Wの関係を上方から見た平面図、
(c)は第2の基板保持部500を回転台300の下方
から見た平面図を示している。図9(a)に示すよう
に、リング状磁石362は、第2の基板保持部500の
棒状磁石582の横に位置する高さまで上昇している。
このときリング状磁石362が形成する磁場の影響によ
り、棒状磁石582は図9(a),(c)に示す状態と
なる。すなわち、棒状磁石582のN極は、リング状磁
石362のN極と反発しあい遠ざかるように回転する。
このとき、基板保持ピン502の頂部503は、図9
(a),(b)に示すように基板Wの周縁部に当接しつ
つ、基板Wをほぼ中心に向けて押し付ける。ここで、頂
部503の上面は、基板Wより上方に突出している。こ
の突出量は、基板Wが仮に上方に多少ずれても基板Wが
第2の基板保持部500からはずれないようにするため
に、1mm程度あることが好ましく、特に約1〜2mm
とすることが好ましい。
【0039】基板保持ピン502の回転角度は、円筒カ
ム515の溝516により制限されており、基板保持ピ
ン502の頂部503が基板Wに当接するときには、回
転制御ピン517は、溝516の上端部まで達しない構
造となっている。こうすれば、基板Wが頂部503の壁
面によって押し付けられた状態で保持されるので、基板
Wの保持が不十分となることを回避することができる。
【0040】また、図8(a)に示す基板保持ピン50
2の昇降距離dも、円筒カム515の溝516により制
限される。すなわち、溝516の傾きを小さくするほど
基板保持ピン502の昇降距離dは小さくなり、溝51
6の傾きを大きくするほど昇降距離dは大きくなる。
【0041】図9に示すように基板Wを保持した後、基
板Wを回転させながら純水により洗浄処理を行う。洗浄
処理においては、図2に示す洗浄ノズル650を基板の
中心付近に移動させ、洗浄ノズル650の裏面に設けら
れた流出口652より純水を基板Wの表面に流す。純水
を流しながら、基板を回転させ、遠心力を利用して現像
液を流し去る。なお、この現像液は処理液回収カップ3
50(図3)によって回収される。この後、基板Wを乾
燥させる。本実施例においては、基板Wを回転させたま
ま、基板上の純水を飛散させて、振り切り乾燥する。
【0042】上記の基板の洗浄処理が終了した後、図3
の処理液回収カップ350を位置P1に下降させる。こ
のとき、リング状磁石362と棒状磁石582との相互
作用により、第2の基板保持部500は、図8に示す状
態となり、基板の保持が解除される。
【0043】以上のように、第1実施例では、第1の基
板保持部400および第2の基板保持部500がスリッ
トノズル600と干渉することなく、適切な基板の露光
パターンの現像処理を行うことができ、現像処理後、基
板を保持して基板の洗浄処理を行うことができる。
【0044】C.第2実施例:図10は、本発明の第2
実施例における基板保持部を示す説明図である。図10
(a)は、第1の基板保持部の部分を側面から見た側面
図、(b)は、基板Wの上方から見た平面図を示してい
る。第2の基板保持部500は第1実施例のものと同じ
である。本実施例では、図10(b)に示すように、第
1の基板保持部は、先端が球状となっている基板支持ピ
ン422であり、その先端で基板Wの下面を支えてい
る。これにより、基板との接触面積を小さくできるた
め、基板の汚れを防ぐことができる。また、先端が球状
であって鋭利な部分がないため、基板の損傷を防ぐこと
ができる。
【0045】D.第3実施例:図11は、本発明の第3
実施例における基板保持部を示す説明図である。図11
(a)は、第1の基板保持部の部分を側面から見た側面
図、(b)は、基板Wの上方から見た平面図を示してい
る。第2の基板保持部500は第1実施例のものと同じ
である。本実施例では、図11(b)に示すように、第
1の基板保持部430は、直方体の部材に階段状の段差
が設けられている台座部434と、半球状の基板支持ピ
ン432とから構成されている。基板Wは、半球状の基
板支持ピン432上に載置されるため、基板の汚れ、お
よび基板の損傷を防ぐことができる。また、本実施例で
は、台座部434が階段状となっているため、基板Wが
仮に横滑りした場合に基板の脱落を防止することができ
る。なお、台座部434の上端面は、基板Wを基板支持
ピン432上に載置したときに、基板Wの上面より上方
に突出していない。
【0046】上述した第1ないし第3の実施例から分か
るように、第1の基板保持部としては、基板を載置した
ときに基板を水平に保ち、かつ、その先端が基板上面よ
り上方に突出しないという条件を満たすような種々の形
状の部材を利用することができる。
【0047】D.第4実施例:図12は、本発明の第4
実施例における基板保持部を示す説明図である。本実施
例では、第1と第2の基板保持部の機能が1つの基板保
持部550にまとめられている。円筒カム555は、移
動保持ピン552の周囲を包み込むように設けられてい
る。回転制御ピン557は、移動保持ピン552の側面
から外側に向かって伸びており、溝556を突出するよ
うに形成されている。また、固定保持ピン551は円筒
カム555の肉厚部分の上端面に設けられている。
【0048】図12(a)は、固定保持ピン551によ
り基板Wを支持している状態を示している。回転制御ピ
ン557が溝556の下端にあるときには、移動保持ピ
ン552の上端は、固定保持ピン551に載置された基
板Wの上面より下方に位置する。基板Wは、半球状の固
定保持ピン551上に載置されるため、基板の汚れ、お
よび基板の損傷を防ぐことができる。
【0049】図12(b)は、移動保持ピン552によ
り基板を保持している状態を示している。回転制御ピン
557が溝556の上端にあるときには、移動保持ピン
552の先端は、基板Wの上面より上方に位置する。
【0050】図12(a),(b)に示すように、第2
の基板保持部に第1の基板保持部の機能を統合すること
により、1つの基板保持部で第1および第2の基板保持
部の機能を実現することができる。本実施例では、図1
2(c)に示すように、3つの第2の基板保持部550
が回転台300上に等角度で配置されているが、これよ
り多数の第2の基板保持部550を用いてもよい。
【0051】以上説明したように、上記各実施例では、
基板を保持するための第2の基板保持部は、回転しなが
ら上昇する機構となっている。したがって、基板を支持
している状態においては、第1の基板保持部および第2
の基板保持部が基板の表面より上方に突出していない機
構とすることができる。この結果、基板を支持した状態
で基板の表面近傍における処理を行うときに、第1の基
板保持部あるいは第2の基板保持部と干渉せず処理を行
うことができる。また、基板を保持するときには第2の
基板保持部の先端を基板の表面より上方に突出させて保
持することが可能となる。
【0052】なお、この発明は上記の実施例や実施形態
に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲に
おいて種々の態様において実施することが可能であり、
例えば次のような変形も可能である。
【0053】(1)上記実施例においては、第2の基板
保持部は保持部回転体580に備えられた棒状磁石58
2と、リング状磁石362との相互作用により回転しな
がら上昇して保持する機構であるが、リング状磁石36
2に替えてコイルとしてもよい。こうすれば、基板を保
持するタイミング、および保持を解除するタイミングを
コイルに流す電流で制御することができる。また、基板
を保持する力を制御することも可能となる。
【0054】(2)上記実施例においては、第2の基板
保持部の保持部回転体580は、磁石の相互作用により
回転しているが、第2の基板保持部の個々にモータを設
けてモータの駆動により回転させてもよい。この場合に
も上述した実施例と同様の効果がある。また、電磁力を
用いる替わりに、バネ(スプリング)などを用いた機械
的な力を用いて第2の基板保持部を回転しながら上昇さ
せることも可能である。例えば、処理液回収カップ35
0の底面の円盤360(図3)を保持部回転体580の
真下に配置し、円盤360と保持部回転体580との間
にバネ(コイルスプリングや板バネ等)を介挿するよう
にしてもよい。こうすれば、カップ350が上昇すると
きに、円盤360がバネを介して保持部回転体580を
上方に押し上げるので、基板Wを破損しない程度の力で
基板Wの周縁部を押しつけながら保持することができ
る。この場合には、円盤360や保持部回転体580内
の磁石は不要である。
【0055】(3)上記実施例において、第2の基板保
持部に備えられたカム機構は、回転制御ピン517が円
筒内部の円柱部である第1の回転軸体518に備えら
れ、円筒カム515に設けられた溝516と係合させて
いるが、これを逆にしてもよい。すなわち、円筒内部の
円柱部に溝を設け、円筒部の内側に回転制御ピンを備え
て係合させてもよい。
【0056】(4)上記実施例においては、第2の基板
保持部の基板保持ピン頂部の壁面において基板の水平方
向の移動を規制しているときでも、第1の基板保持部が
基板の下面に接触しているが、第2の基板保持部の昇降
距離d(図8(a))をさらに大きくして、第1の基板
保持部を基板と接触させないようにしてもよい。すなわ
ち、第2の基板保持部500の基板保持ピン502の錐
状部505により、基板を第1の基板支持部から持ち上
げた状態で保持してもよい。
【0057】(5)また、第2の基板保持部を回転させ
ずに斜め方向に平行移動させつつ上昇させるようにして
もよい。すなわち、第2の基板保持部は、下降した状態
では第1の基板保持部で支持されている基板の上面より
も上方に突出しない位置で待機し、上昇する際に、基板
の周縁部に接して、基板の水平方向の移動を規制する機
構であればよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例としての半導体基板処理装置
の構成を示す説明図。
【図2】回転式基板処理装置であるスピンデベロッパS
D1(図1)の概略を示す説明図。
【図3】本発明の第1実施例におけるスピンデベロッパ
SD1(図2)の回転処理部Aを示す説明図。
【図4】回転台300上における第1の基板保持部40
0および第2の基板保持部500の配置を示す説明図。
【図5】第1の基板保持部400および第2の基板保持
部500による基板の保持状態を示す説明図。
【図6】走査供給方法によって基板に現像液を供給する
場合の概略を示す説明図。
【図7】第2の基板保持部500の構成を示す斜視図。
【図8】第2の基板保持部500の動作を示す説明図。
【図9】第2の基板保持部500の動作を示す説明図。
【図10】本発明の第2実施例における基板保持部を示
す説明図。
【図11】本発明の第3実施例における基板保持部を示
す説明図。
【図12】本発明の第4実施例における基板保持部を示
す説明図。
【符号の説明】
10…半導体基板処理装置 100…プロセスモジュール 110…基板搬送ユニット 200…インデクサモジュール 210,212,214,216…カセットステージ 220…インデクサアーム 230…処理制御ステーション 300…回転台 300a…回転軸 310…スピンモータ 312…モータ軸 350…処理液回収カップ 360…円盤 362…リング状磁石 370…エアシリンダ 372…昇降棒 400…第1の基板保持部 402…基板支持ピン 403…頂部 404…台座部 422…基板支持ピン 430…第1の基板保持部 430…基板保持部 432…基板支持ピン 434…台座部 500…第2の基板保持部 502…基板保持ピン 503…頂部 504…台座部 505…錐状部 515…円筒カム 516…溝 517…回転制御ピン 518…第1の回転軸体 520…カム機構 550…第2の基板保持部 551…固定保持ピン 552…移動保持ピン 555…円筒カム 556…溝 557…回転制御ピン 580…保持部回転体 582…棒状磁石 590…第2の回転軸体 600…スリットノズル 610…スリット 620a…距離センサ 620b…傾きセンサ 650…洗浄ノズル 650a…ノズル回転軸 652…流出口 A…回転処理部 B…処理液供給部 C…洗浄液供給部 P1…処理液回収カップ350の位置 P2…処理液回収カップ350の位置 CP1…クーリングプレート HP1…ホットプレート SC1…スピンコータ SD1…スピンデベロッパ W…基板 d…昇降距離

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を回転させて処理を行う回転式基板
    処理装置に用いられる基板保持装置であって、 基板を回転させるための回転台と、 前記回転台の上方において基板を下面から水平に支持
    し、かつ基板の上面よりも上方に突出しない複数の第1
    の基板保持部と、 前記回転台上において昇降可能に設置されており、下降
    した状態では前記複数の第1の基板保持部で支持されて
    いる基板の上面よりも上方に突出しない位置で待機する
    とともに、上昇する際に、前記複数の第1の基板保持部
    で支持されていた基板の周縁部に接して前記基板の水平
    方向の移動を規制する複数の第2の基板保持部と、を備
    えることを特徴とする基板保持装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の基板保持装置であって、 前記複数の第1の基板保持部は、基板の下面のみに接触
    し、基板の周縁部には接触しない、基板保持装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2記載の基板保持
    装置であって、 前記複数の第2の基板保持部のそれぞれは、前記上昇の
    際にほぼ鉛直な回転軸の回りに回転する回転部を有し、 前記回転部は、前記回転軸に対して偏心した状態でほぼ
    鉛直に立設された略円筒状の壁面を有し、 前記壁面は、前記上昇の際に前記回転軸の回りに回転し
    つつ前記基板の前記周縁部に接する、基板保持装置。
  4. 【請求項4】 請求項3記載の基板保持装置であって、 前記壁面は、基板の水平方向の移動を規制するときには
    基板の上面より上方に突出している、基板保持装置。
  5. 【請求項5】 請求項3または請求項4記載の基板保持
    装置であって、 前記複数の第2の基板保持部のそれぞれは、前記回転台
    上に載置された基板上から飛散する液体を受け取るため
    に前記回転台の周囲に昇降可能に設けられた処理液回収
    カップの昇降に伴って、前記回転部を回転させつつ昇降
    させる昇降機構を備える、基板保持装置。
  6. 【請求項6】 請求項5記載の基板保持装置であって、 前記昇降機構は、 前記処理液回収カップの昇降に伴って前記回転部を回転
    させる回転機構と、 前記回転台上に固定されているとともに、前記回転部と
    係合してカム機構を構成し、前記回転部が回転する際
    に、前記回転部の回転方向によって前記回転部を上昇ま
    たは下降させる係合部と、を備える、基板保持装置。
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