JPH11194969A - メモリ制御回路およびメモリ装置 - Google Patents

メモリ制御回路およびメモリ装置

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JPH11194969A
JPH11194969A JP43198A JP43198A JPH11194969A JP H11194969 A JPH11194969 A JP H11194969A JP 43198 A JP43198 A JP 43198A JP 43198 A JP43198 A JP 43198A JP H11194969 A JPH11194969 A JP H11194969A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 同一アドレスに対するメモリ書き込みアクセ
スが連続した時のメモリスループットを向上させる。 【解決手段】 アドレス/コマンド比較回路2は、同一
アドレスに対しメモリ書き込みアクセスが連続したと
き、後続メモリリクエストのコマンド/アドレス情報と
先行メモリリクエストのアクセス先バンクのアクセス中
コマンド/アドレス情報を比較する。不一致の時は、バ
ンクビジー回路4,NORゲート7及びアンドゲート8
により、バンクビジー解除後にメモリアクセスを行い、
一致した時はメモリバンク14に書き込むデータを後続
リクエストの書き込みデータに更新して、実際のメモリ
アクセスは1回しか実行しない。このため、同一メモリ
アドレスに対する書き込みアクセスが連続したときのメ
モリスループットを向上させることを可能とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、同一アドレスに対
するメモリ書き込みアクセスが連続したときに有効なメ
モリ制御回路および、このメモリ制御回路を使用したメ
モリ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種のメモリ制御装置は、例え
ば、特開平7−210456号公報に記載されているよ
うに、そして図4に示すように、現在及び前回のメモリ
アクセス時の行アドレスをそれぞれ第1レジスタ31及
び第2レジスタ32に保持し、比較器により行アドレス
を比較することにより行アドレスの変化を検出する。そ
して、制御回路34は、行アドレスに変化がないのに高
速アクセスモードとなっていない場合には、DRAM制
御部35に行アドレスストローブ信号のオン時間を増加
させることにより、高速アクセスモードでのアクセスを
行うことを可能とし、メモリアクセス速度の向上を図っ
ている。逆に、行アドレスが変化したのに高速アクセス
モードとなっている場合には、制御回路34はDRAM
制御部35に行アドレス信号のオン時間を減少させる。
【0003】この結果、メモリアクセスが同じ行アドレ
スについて繰り返し行われる場合は長時間にわたって高
速アクセスモードとなり、行アドレスが頻繁に変化する
場合には高速アクセスモードが短時間で終わるようにさ
れる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術では同一アドレスのメモリ書き込みアクセスが
頻発するようなプログラムではメモリスループットが低
下するという問題がある。
【0005】その理由は、同一アドレスのメモリ書き込
みリクエストが連続した時、後続のメモリ書き込みリク
エストは先行リクエストと同一アドレス、すなわち同一
行アドレスにアクセスするため、高速アクセスモードで
アクセスするが、後続リクエストもメモリアクセスを行
わなければならず、後続リクエストの書き込みデータが
先行リクエストの書き込みデータと異なっていても、メ
モリ論理回路からアドレスレジスタへのアドレスの設
定,アドレスレジスタによるDRAMへのアクセス及び
DRAMへの書き込みを行うからである。
【0006】本発明の目的は、同一アドレスに対するメ
モリ書き込みアクセスが連続した時のメモリスループッ
トを向上させる。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のメモリ制御回路
は、同一アドレスにメモリ書き込みリクエストが連続し
た時に、後続メモリリクエストのアドレス情報と先行メ
モリリクエストのアドレス情報を比較し、一致のとき
は、先行メモリリクエストに係るメモリ書き込み動作が
所定の時点を経過していなければ、メモリに書き込むデ
ータを後続メモリリクエストの書き込みデータに変更す
ることを特徴とする。
【0008】より具体的には、本発明のメモリ制御回路
は、N個のメモリバンクを有するメモリ装置のメモリ制
御回路において、各メモリバンクの最新コマンド/アド
レス情報を入力としメモリリクエストのアクセス先バン
クアドレスをセレクト信号とするコマンド/アドレスセ
レクタ(図1の1)と、コマンド/アドレスセレクタの
出力とメモリリクエストの読み出しコマンド/アドレス
情報とを比較するコマンド/アドレス比較回路(図1の
2)と、メモリアクセス開始時に所定のバンクビジー時
間をセットしてクロックサイクル毎にカウントダウンす
ることにより、カウンタ値が”0”の時にバンクビジー
解除となるバンクビジーカウンタ(図1の11)と、バ
ンクビジーカウンタを入力としメモリリクエストのアク
セス先バンクアドレスをセレクト信号とするバンクビジ
ーセレクタ(図1の3)と、ビジーセレクタ出力が”
0”でない時、つまりメモリリクエストのアクセス先バ
ンクがビジーである時バンクビジーを検出するバンクビ
ジー回路(図1の4)と、バンクビジーセレクタの出力
と所定の値と比較するバンクビジー比較回路(図1の
5)と、バンクビジー比較回路出力とコマンド/アドレ
ス比較回路出力との論理積をとりコマンド/アドレス一
致信号を生成するアンドゲート1(図1の6)と、コマ
ンド/アドレス一致信号とバンクビジーとのNOR論理
をるNORゲート(図1の7)と、NORゲートの出力
とメモリリクエストの論理積をとるアンドゲート2(図
1の8)と、アンドゲート出力信号をイネーブルとして
メモリリクエストのバンクアドレスをデコードし、メモ
リリクエストのアクセス先バンクの起動信号を生成する
バンクデコーダ(図1の9)と、コマンド/アドレス一
致信号をイネーブルとしてメモリリクエストのバンクア
ドレスをデコードし、メモリリクエストのアクセス先バ
ンクのバンクアドレス一致信号を生成するアドレス一致
デコーダ(図1の15)と、アクセス先バンクの起動信
号をセット信号とし、コマンド/アドレスをメモリバン
ク(図1の14)に出力するコマンド/アドレスレジス
タ(図1の13)と、バンク起動信号と前記バンクアド
レス一致信号を入力しその論理和をとるORゲート(図
1の10)と、ORゲート出力をセット信号とし、メモ
リバンクに書き込みデータを出力する書き込みデータレ
ジスタ(図1の12)とを有することを特徴とする。
【0009】[作用]本発明では、N個のメモリバンク
を有するコンピュータの記憶装置において、同一アドレ
スに連続して書き込みアクセスが起こった時、後続メモ
リリクエストのコマンド/アドレス情報と先行メモリリ
クエストのアクセス先バンクのアクセス中コマンド/ア
ドレス情報を比較し、不一致の時はバンクビジー解除後
にメモリアクセスを行い、一致した時はメモリに書き込
むデータを後続リクエストの書き込みデータに更新し
て、実際のメモリアクセスは1回しか実行しない。この
ため、同一メモリアドレスに対する書き込みアクセスが
連続した時のメモリスループットを向上させることが可
能となる。
【0010】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。
【0011】図1は、本発明の第1の実施例である、N
個のバンクに対するメモリ制御回路を示す。本メモリ制
御回路は、コマンド/アドレスセレクタ1,コマンド/
アドレス比較回路2,バンクビジーセレクタ3,バンク
ビジー回路4,バンクビジー比較回路5,2つのアンド
ゲート6,8,NORゲート7,バンクデコーダ9,O
Rゲート10,バンクビジーカウンタ11,書き込みデ
ータレジスタ12,コマンド/アドレスレジスタ13,
メモリバンク14及びアドレス一致デコーダ15を有す
る。
【0012】コマンド/アドレスセレクタは各バンクに
アクセス中のコマンド/アドレス情報をコマンド/アド
レスレジスタ13から入力し、メモリリクエストのアク
セス先のバンクアドレスをセレクト信号とし、受信した
リクエストのアクセス先バンクのコマンド/アドレス情
報をセレクトする。コマンド/アドレス比較回路2は、
コマンド/アドレスセレクタ1の出力と、受信したリク
エストのアドレス/書き込みコマンド情報とを比較し、
アドレスが一致しているか、書き込み命令かをチェック
して条件が満足しているとき、論理”1”を出力する。
【0013】一方、各バンク内のバンクビジーカウンタ
11には、メモリアクセス開始時に所定のバンクビジー
時間がセットされ、クロックサイクル毎にカウントダウ
ンすることにより、カウンタ値が”0”の時にバンクビ
ジー解除となる。バンクビジーセレクタ3は、各バンク
ビジーカウンタ11の出力を入力とし、メモリリクエス
トのアクセス先のバンクアドレスをセレクト信号とす
る。このビジーセレクタ3の出力が”1”、すなわちメ
モリリクエストのアクセス先のバンクがビジーの時、バ
ンクビジー回路4はバンクビジー信号を論理”1”とし
て出力する。
【0014】バンクビジー比較回路5は、バンクビジー
セレクタ3の出力と、設定値”X”とを比較し、バンク
ビジーセレクタ3の出力値が設定値”X”より大きい時
に論理”1”を出力する。ここで、Xとは、DRAMの
カラム信号が入力するタイミング値を意味する。
【0015】アンドゲート6は、コマンド/アドレス比
較回路2の出力とバンクビジー比較回路5の出力との論
理積をとり、コマンド/アドレス一致信号を出力する。
NORゲート7は、コマンド/アドレス一致信号とバン
クビジー信号とのNOR論理とり、アンドゲート8は本
論理信号とメモリリクエストの論理積を出力する。バン
クデコーダ9は、アンドゲート8の出力をイネーブルと
して、メモリリクエストのバンクアドレスをデコード
し、メモリリクエストのアクセス先バンクの起動信号を
生成する。また、アドレス一致デコーダ15は、コマン
ド/アドレス一致信号をイネーブルとして、メモリリク
エストのバンクアドレスをデコードし、メモリリクエス
トのアクセス先バンクのアドレス一致信号を生成する。
【0016】各バンク内のコマンド/アドレスレジスタ
13は、バンク起動信号をセット信号として、メモリバ
ンク14に対して、コマンド/アドレス情報を出力しメ
モリアクセスを実行する。ORゲート10はバンク起動
信号とバンクアドレス一致信号の論理和を生成し、書き
込みデータレジスタ12は、本論理和信号をセット信号
としてメモリバンク14に書き込みデータを出力する。
【0017】従って、バンク起動信号は、バンクアドレ
ス一致が論理”1”、つまり受信リクエストのコマンド
/アドレスとアクセス先バンクに先行してアクセスして
いるコマンド/アドレス情報とが一致した時は出力され
ないことになる。このため、先行リクエストと後続リク
エストが同一アドレスの書き込み命令時には後続リクエ
ストのバンク起動信号は出力されず、バンクビジーカウ
ンタ11とコマンド/アドレスレジスタ13は動作しな
いが、バンクアドレス一致信号は出力され、ORゲート
10を介し書き込みデータレジスタ12のセット信号と
なるため、書き込みデータは後続のメモリリクエストの
データに更新される。
【0018】図2に一例としてDRAMを使用した場合
のタイミングチャートを示し、本実施例の動作を説明す
る。
【0019】同一アドレスに対する書き込みリクエスト
A,Bを受信した時、リクエストAに対してはバンク起
動信号が出力され、クロック1でコマンド/アドレスレ
ジスタ13及び書き込みデータレジスタ12に各値がセ
ットされる。クロック1では後続リクエストBを受信し
ており、バンクアドレス一致信号が出力され、クロック
2で書き込みデータレジスタ12の内容がリクエストB
による書き込みデータに更新される。書き込みデータの
更新が許される時間は、バンクビジーカウンタ11の値
がバンクビジー比較回路5への入力の値”X”より大き
い場合であり、図2のタイミングチャートでは本”X”
の値は”5”となる。これは、汎用DRAMやSDRA
Mの書き込みデータの確定タイミングはCOL情報とほ
ぼ同じであるためである。つまり、先行リクエストによ
る書き込みが進行してしまっている場合には、そのまま
書き込み動作を続け、後続リクエストにより書き込み
は、あらためて行うのである。
【0020】次に、本発明の第2の実施例を図2に示
す。本実施例では、メモリリクエストがある度に、その
時のコマンド/アドレスが先行命令コマンド/アドレス
レジスタ22にセットされる。このコマンド/アドレス
の内のアドレスはバンクアドレスを含む。
【0021】ライトアドレス一致検出回路23は、先行
命令コマンド/アドレスレジスタ22の出力、即ち現時
点から1クロック前の先行命令のコマンド/アドレス
と、現時点のコマンド/アドレスとを比較する。この比
較の結果により、一致の場合にはインバータ24によ
り、バンクデコーダ21からのバンク起動信号の出力を
抑止し、不一致の場合はバンク起動信号の出力を許す。
【0022】バンク起動信号は、第1の実施例における
のと同様に、該当するコマンド/アドレスレジスタ25
に供給され、書き込みデータレジスタ27の内容がメモ
リバンク26に書き込まれる。
【0023】本実施例では、先行命令コマンド/アドレ
スレジスタ22及びライトアドレス一致検出回路23
は、バンクアドレスを含むアドレスを扱うものの、図1
に示した第1の実施例に比べて、回路構成はシンプルで
あり、ハードウェア量も少なくなる。
【0024】なお、以上に説明した実施例は、メモリが
複数バンクで構成されている場合における本発明の適用
例であり、メモリが1バンクであってもよい。その場合
には、第1の実施例におけるコマンド/アドレスセレク
タ1,バンクビジーセレクタ3,バンクデコーダ9及び
アドレス一致デコーダ15、また第2の実施例における
バンクデコーダ21及びバンクセレクタ28は不要とな
る。
【0025】また、以上に説明したメモリ制御回路を組
み込んだ記憶装置、それは基本的な主記憶装置であって
も、また拡張記憶装置であってもよいが、そのような記
憶装置は容易に構成できる。さらに、このような記憶装
置をコンピュータに組み込むことも容易である。
【0026】
【発明の効果】本発明の効果は、同一アドレス対しメモ
リ書き込みアクセスが連続した時、メモリスループット
を向上可能とする。その理由は、同一アドレスに対しメ
モリ書き込みリクエストが連続した時、後続メモリリク
エストのコマンド/アドレス情報と先行メモリリクエス
トのアクセス先バンクのアクセス中のコマンド/アドレ
ス情報を比較し、不一致の時はバンクビジー解除後にメ
モリアクセスを行い、一致した時はメモリに書き込むデ
ータを後続リクエストの書き込みデータに更新して、実
際のメモリアクセスは1回しか実行しないからである。
同一アドレスが連続することは、スーパーコンピュータ
における行列計算等では頻発するので、この効果は大き
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す。
【図2】図1に示した実施例のタイミングチャートであ
る。
【図3】本発明の第2の実施例を示す。
【図4】従来例を示す。
【符号の説明】
1 コマンド/アドレスセレクタ 2 コマンド/アドレス比較回路 3 バンクビジーセレクタ 4 バンクビジー回路 5 バンクビジー比較回路 6,8 アンドゲート 7 NORゲート 9,21 バンクデコーダ 10 ORゲート 11 バンクビジーカウンタ 12,27 書き込みデータレジスタ 13,25 コマンド/アドレスレジスタ 14,26 メモリバンク 15 アドレス一致デコーダ 22 先行命令コマンド/アドレスレジスタ 23 ライトアドレス一致検出回路 24 インバータ 28 バンクセレクタ 31 第1レジスタ 32 第2レジスタ 33 比較器 34 制御回路 35 DRAM制御部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 同一アドレスにメモリ書き込みリクエス
    トが連続した時に、後続メモリリクエストのアドレス情
    報と先行メモリリクエストのアドレス情報を比較し、一
    致のときは、先行メモリリクエストに係るメモリ書き込
    み動作が所定の時点を経過していなければ、メモリに書
    き込むデータを後続メモリリクエストの書き込みデータ
    に変更することを特徴とするメモリ制御回路。
  2. 【請求項2】 N(N≧2)個のメモリバンクを有する
    メモリ装置のメモリ制御回路において、各メモリバンク
    の最新アドレス情報を入力としメモリリクエストのアク
    セス先バンクアドレスをセレクト信号とするアドレスセ
    レクタと、該セレクタの出力とメモリリクエストの書き
    込みアドレス情報とを比較するコマンド/アドレス比較
    回路とを設け、前記同一アドレスを示すアドレス一致信
    号を検出することを特徴とする請求項1記載のメモリ制
    御回路。
  3. 【請求項3】 メモリアクセス開始時に所定のバンクビ
    ジー時間をセットしてクロックサイクル毎にカウントダ
    ウンすることにより、該カウンタ値が”0”の時にバン
    クビジー解除となるバンクビジーカウンタと、該バンク
    ビジーカウンタの出力を入力としメモリリクエストのア
    クセス先バンクアドレスをセレクト信号とするバンクビ
    ジーセレクタと、該ビジーセレクタによってセレクトさ
    れるメモリリクエストのアクセス先バンクがビジーであ
    る時バンクビジーを検出するバンクビジー回路と、 前記バンクビジーセレクタの出力と所定の値と比較する
    バンクビジー比較回路と、該バンクビジー比較回路の出
    力と前記コマンド/アドレス比較回路出力との論理積を
    とりコマンド/アドレス一致信号を生成する第1のアン
    ドゲートと、 前記コマンド/アドレス一致信号と前記バンクビジーと
    のNOR論理をるNORゲートと、 前記NORゲートの出力とメモリリクエストの論理積を
    とる第2のアンドゲートと、該第2のアンドゲート出力
    信号をイネーブルとしてメモリリクエストのバンクアド
    レスをデコードし、メモリリクエストのアクセス先バン
    クの起動信号を生成するバンクデコーダと、 前記コマンド/アドレス一致信号をイネーブルとしてメ
    モリリクエストのバンクアドレスをデコードし、メモリ
    リクエストのアクセス先バンクのバンクアドレス一致信
    号を生成するアドレス一致デコーダとを設けたことを特
    徴とする請求項2記載のメモリ制御回路。
  4. 【請求項4】 前記アクセス先バンクの起動信号をセッ
    ト信号とし、コマンド/アドレスをメモリバンクに出力
    するコマンド/アドレスレジスタと、 前記バンク起動信号と前記バンクアドレス一致信号を入
    力しその論理和をとるORゲートと、 前記ORゲート出力をセット信号とし、前記メモリバン
    クに書き込みデータを出力する書き込みデータレジスタ
    とを有することを特徴とする請求項3記載のメモリ制御
    回路。
  5. 【請求項5】 前記所定の時点又は前記所定の値が、D
    RAMにおけるカラム信号のそれぞれイネーブル時点又
    は該時点をクロック同期で除いた値であることを特徴と
    する請求1又は請求項3記載のメモリ制御回路。
  6. 【請求項6】 請求項1記載のメモリ制御回路を有する
    メモリ装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100869984B1 (ko) 2006-03-17 2008-11-21 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 메모리, 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작방법

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