JPH11200032A - 絶縁膜のスパッタ成膜方法 - Google Patents
絶縁膜のスパッタ成膜方法Info
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP431298A JPH11200032A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 絶縁膜のスパッタ成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP431298A JPH11200032A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 絶縁膜のスパッタ成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11200032A true JPH11200032A (ja) | 1999-07-27 |
| JPH11200032A5 JPH11200032A5 (2) | 2005-06-16 |
Family
ID=11580976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP431298A Pending JPH11200032A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 絶縁膜のスパッタ成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11200032A (2) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2346155A (en) * | 1999-01-06 | 2000-08-02 | Trikon Holdings Ltd | Sputtering apparatus |
| JP2001342555A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Canon Inc | スパッタリングによる成膜方法、及び該成膜方法を用いる光起電力素子の製造方法 |
| WO2011077653A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電子デバイスの製造方法、およびスパッタリング装置 |
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| WO2017154774A1 (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | 学校法人 芝浦工業大学 | 窒化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜の製造方法、および高耐圧部品 |
-
1998
- 1998-01-12 JP JP431298A patent/JPH11200032A/ja active Pending
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| US11572275B2 (en) | 2016-03-08 | 2023-02-07 | Shibaura Institute Of Technology | Aluminum nitride film, method of manufacturing aluminum nitride film, and high withstand voltage component |
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| A521 | Written amendment |
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| A521 | Written amendment |
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|
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