JPH11205009A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
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- JPH11205009A JPH11205009A JP10311758A JP31175898A JPH11205009A JP H11205009 A JPH11205009 A JP H11205009A JP 10311758 A JP10311758 A JP 10311758A JP 31175898 A JP31175898 A JP 31175898A JP H11205009 A JPH11205009 A JP H11205009A
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- conductor
- electrode
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- dielectric resonator
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で部品点数も削減でき、量産性に優れた
誘電体フィルタを提供することを目的とする。 【解決手段】 誘電体基体１ａと、誘電体基体１ａの外
側面に設けられた外導体１ｄと、誘電体基体１ａの内側
面に設けられた内導体１ｃと、誘電体基体１ａの一方の
端面に設けられ、外導体１ｄと内導体１ｃを連結する連
結導体１ｅと、外側面の一面に設けられ各導体と電気的
に接触しない結合用導体１ｆを有する誘電体共振器１を
少なくとも１つ以上具備し、この誘電体共振器１を絶縁
体基板２上に配置しこの絶縁体基板２上に設けた結合電
極６と結合用導体１ｆとを電気的に接合した誘電体フィ
ルタを構成する。
誘電体フィルタを提供することを目的とする。 【解決手段】 誘電体基体１ａと、誘電体基体１ａの外
側面に設けられた外導体１ｄと、誘電体基体１ａの内側
面に設けられた内導体１ｃと、誘電体基体１ａの一方の
端面に設けられ、外導体１ｄと内導体１ｃを連結する連
結導体１ｅと、外側面の一面に設けられ各導体と電気的
に接触しない結合用導体１ｆを有する誘電体共振器１を
少なくとも１つ以上具備し、この誘電体共振器１を絶縁
体基板２上に配置しこの絶縁体基板２上に設けた結合電
極６と結合用導体１ｆとを電気的に接合した誘電体フィ
ルタを構成する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は高周波帯（ＶＨＦ〜
ＵＨＦ）において、無線通信機器などで使用される小型
で低損失な誘電体フィルタに関するものである。
ＵＨＦ）において、無線通信機器などで使用される小型
で低損失な誘電体フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、自動車電話や携帯電話、コードレ
ス電話等の移動通信機器に誘電体フィルタが使用されて
いるが、移動通信機器の小型化、高性能化に伴い、使用
される部品もプリント基板の表面から実装可能なチップ
部品に超小型化される傾向にあり、この傾向に沿った誘
電体フィルタの開発が要求されている。
ス電話等の移動通信機器に誘電体フィルタが使用されて
いるが、移動通信機器の小型化、高性能化に伴い、使用
される部品もプリント基板の表面から実装可能なチップ
部品に超小型化される傾向にあり、この傾向に沿った誘
電体フィルタの開発が要求されている。
【０００３】以下、従来の誘電体フィルタについて説明
する。図１４、図１５は、それぞれ従来の誘電体フィル
タを示す斜視図及び断面図である。図１４、図１５にお
いて、１は誘電体共振器であり２は絶縁体基板であっ
て、一方の主表面２ａに接地電極３が形成されている。
この接地電極３は、主表面２ａからスルホール電極４を
経由して他方の主表面２ｂ上に形成された接地電極５と
電気的に接続されている。また、接地電極３上には、複
数の誘電体共振器１がそれぞれ互いに接触した状態で配
置されている。
する。図１４、図１５は、それぞれ従来の誘電体フィル
タを示す斜視図及び断面図である。図１４、図１５にお
いて、１は誘電体共振器であり２は絶縁体基板であっ
て、一方の主表面２ａに接地電極３が形成されている。
この接地電極３は、主表面２ａからスルホール電極４を
経由して他方の主表面２ｂ上に形成された接地電極５と
電気的に接続されている。また、接地電極３上には、複
数の誘電体共振器１がそれぞれ互いに接触した状態で配
置されている。
【０００４】誘電体共振器１は、それぞれ中央部に貫通
孔１ｂを有する角筒状の誘電体基体１ａからなる。貫通
孔１ｂの内面には内導体１ｃが、また誘電体基体１ａの
表面には外導体１ｄが形成され、また内導体１ｃと外導
体１ｄとの間を誘電体基体１ａの連結導体１ｅを介して
電気的に短絡する。また、この誘電体基体１ａの連結導
体１ｅと反対側の端面は導体がない開放端となってい
る。
孔１ｂを有する角筒状の誘電体基体１ａからなる。貫通
孔１ｂの内面には内導体１ｃが、また誘電体基体１ａの
表面には外導体１ｄが形成され、また内導体１ｃと外導
体１ｄとの間を誘電体基体１ａの連結導体１ｅを介して
電気的に短絡する。また、この誘電体基体１ａの連結導
体１ｅと反対側の端面は導体がない開放端となってい
る。
【０００５】この誘電体共振器１の外導体１ｄは、接地
電極３と半田付け等により電気的に接続されている。さ
らに誘電体共振器１の貫通孔１ｂには金属ターミナル７
が半田付け等により内導体１ｃと電気的に接続されてい
る。
電極３と半田付け等により電気的に接続されている。さ
らに誘電体共振器１の貫通孔１ｂには金属ターミナル７
が半田付け等により内導体１ｃと電気的に接続されてい
る。
【０００６】誘電体共振器１の開放端側が臨む絶縁体基
板２の前方部には外部回路と接続するための入出力電極
８とコンデンサ９ａ〜９ｆ、コイル１１ａ〜１１ｂ、金
属ターミナル７を接続するための結合電極１０が形成さ
れている。
板２の前方部には外部回路と接続するための入出力電極
８とコンデンサ９ａ〜９ｆ、コイル１１ａ〜１１ｂ、金
属ターミナル７を接続するための結合電極１０が形成さ
れている。
【０００７】また、このフィルタは図１５の金属のシー
ルドケース１２を接地電極３や誘電体共振器１の外導体
１ｄとを半田付け等により接続し電気的なシールドを得
ている。
ルドケース１２を接地電極３や誘電体共振器１の外導体
１ｄとを半田付け等により接続し電気的なシールドを得
ている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような従来の構成では、結合回路部のコンデンサ９ａ〜
９ｆ、コイル１１ａ〜１１ｂ、金属ターミナル７等を実
装するために、誘電体フィルタの大きさを小型化するこ
とが難しく、また部品点数が多いので工数がかかり、量
産性が悪いという問題があった。特に、誘電体共振器１
と金属ターミナル７との接続は貫通孔１ｂにおいて行う
ため難しい作業となり、さらに自動組立の障害となって
いた。
ような従来の構成では、結合回路部のコンデンサ９ａ〜
９ｆ、コイル１１ａ〜１１ｂ、金属ターミナル７等を実
装するために、誘電体フィルタの大きさを小型化するこ
とが難しく、また部品点数が多いので工数がかかり、量
産性が悪いという問題があった。特に、誘電体共振器１
と金属ターミナル７との接続は貫通孔１ｂにおいて行う
ため難しい作業となり、さらに自動組立の障害となって
いた。
【０００９】本発明は以上のような従来の課題を解決す
るもので、小型で部品点数も削減でき、量産性に優れた
誘電体フィルタを提供することを目的としている。
るもので、小型で部品点数も削減でき、量産性に優れた
誘電体フィルタを提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、開放端面側の外導体の１面に外導体から独立して結
合用導体を設けた誘電体共振器を少なくとも１個以上、
絶縁体基板上の接地電極に外導体を半田付け等により電
気的に接続し、また絶縁体基板上の回路電極に結合用導
体を半田付け等により電気的に接続して誘電体フィルタ
を構成する。
に、開放端面側の外導体の１面に外導体から独立して結
合用導体を設けた誘電体共振器を少なくとも１個以上、
絶縁体基板上の接地電極に外導体を半田付け等により電
気的に接続し、また絶縁体基板上の回路電極に結合用導
体を半田付け等により電気的に接続して誘電体フィルタ
を構成する。
【００１１】
【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、断面方形
形状の誘電体基体と、前記誘電体基体に設けられた１つ
の貫通孔と、前記誘電体基体の外周面に設けられた外導
体と、前記誘電体基体の内周面に設けられた内導体と、
前記誘電体基体の一方の端面に設けられ、前記外導体と
前記内導体を連結する連結導体と、前記外側面の一面に
設けられ、前記各導体と電気的に非接触となる１つの結
合用導体を有する誘電体共振器を具備し、前記誘電体共
振器を回路基板上に配置し前記回路基板上に設けた回路
電極と前記結合用導体とを電気的に接合するとともに、
前記回路基板にコンデンサ，コイルの少なくとも１つ以
上を設けた事によって、誘電体共振器の内導体と結合用
導体間との容量で結合容量を決定して回路との結合を行
わせることにより、コンデンサの一部や金属ターミナル
をなくすことができるので小型化を実現できる。さら
に、部品点数の削減により組立工数の削減ができる。
形状の誘電体基体と、前記誘電体基体に設けられた１つ
の貫通孔と、前記誘電体基体の外周面に設けられた外導
体と、前記誘電体基体の内周面に設けられた内導体と、
前記誘電体基体の一方の端面に設けられ、前記外導体と
前記内導体を連結する連結導体と、前記外側面の一面に
設けられ、前記各導体と電気的に非接触となる１つの結
合用導体を有する誘電体共振器を具備し、前記誘電体共
振器を回路基板上に配置し前記回路基板上に設けた回路
電極と前記結合用導体とを電気的に接合するとともに、
前記回路基板にコンデンサ，コイルの少なくとも１つ以
上を設けた事によって、誘電体共振器の内導体と結合用
導体間との容量で結合容量を決定して回路との結合を行
わせることにより、コンデンサの一部や金属ターミナル
をなくすことができるので小型化を実現できる。さら
に、部品点数の削減により組立工数の削減ができる。
【００１２】請求項２記載の発明は、請求項１におい
て、誘電体共振器を覆うシールドケースを設けた。
て、誘電体共振器を覆うシールドケースを設けた。
【００１３】請求項３記載の発明は、請求項１におい
て、各導体を多層構造とした。請求項４記載の発明は、
請求項１において、誘電体基体はＢａＯ，ＴｉＯ2，Ｎ
ｄ2Ｏ3を含む。
て、各導体を多層構造とした。請求項４記載の発明は、
請求項１において、誘電体基体はＢａＯ，ＴｉＯ2，Ｎ
ｄ2Ｏ3を含む。
【００１４】請求項５記載の発明は、請求項１におい
て、誘電体基体の表面を粗面化した。請求項６記載の発
明は、請求項５において、粗面化した表面粗度を５μｍ
〜９μｍとした。
て、誘電体基体の表面を粗面化した。請求項６記載の発
明は、請求項５において、粗面化した表面粗度を５μｍ
〜９μｍとした。
【００１５】請求項７記載の発明は、請求項１におい
て、レジスト膜を誘電体基体上に塗布した後に各導体を
形成した。
て、レジスト膜を誘電体基体上に塗布した後に各導体を
形成した。
【００１６】請求項８記載の発明は、請求項１におい
て、回路基板の第１及び第２の主表面に接地電極を形成
するとともに、前記回路基板にスルホールを形成し、前
記スルホール内にスルホール電極を設けて前記第１及び
第２の接地電極を電気的に接続し、前記接地電極と誘電
体共振器の外導体を接続した。
て、回路基板の第１及び第２の主表面に接地電極を形成
するとともに、前記回路基板にスルホールを形成し、前
記スルホール内にスルホール電極を設けて前記第１及び
第２の接地電極を電気的に接続し、前記接地電極と誘電
体共振器の外導体を接続した。
【００１７】（実施例１）図１及び図２はそれぞれ本発
明の第１の実施例における誘電体フィルタを示す斜視図
及び分解斜視図である。図１、図２において、１は誘電
体共振器である。
明の第１の実施例における誘電体フィルタを示す斜視図
及び分解斜視図である。図１、図２において、１は誘電
体共振器である。
【００１８】以下、誘電体共振器の構造について、図２
の誘電体共振器１を用いて説明する。ＢａＯ−ＴｉＯ2
−Ｎｄ2Ｏ3，ＢａＯ−ＴｉＯ2，ＺｎＯ2−ＳｎＯ2−Ｔ
ｉＯ2，ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2，Ｌｎ2Ｏ3−ＢａＯ
−ＴｉＯ2系等の誘電体材料で構成された誘電体基体１
ａに貫通孔１ｂを設ける。この時、誘電体基体１ａの外
形形状は方形であり、貫通孔１ｂは断面円筒形に形成さ
れている。誘電体基体１ａの外側面には外導体１ｄが設
けられており、貫通孔１ｂを構成する内側面には内導体
１ｃが設けられている。外導体１ｄと内導体１ｃは一方
の端面に設けられた連結導体１ｅによって連結されてい
る。
の誘電体共振器１を用いて説明する。ＢａＯ−ＴｉＯ2
−Ｎｄ2Ｏ3，ＢａＯ−ＴｉＯ2，ＺｎＯ2−ＳｎＯ2−Ｔ
ｉＯ2，ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2，Ｌｎ2Ｏ3−ＢａＯ
−ＴｉＯ2系等の誘電体材料で構成された誘電体基体１
ａに貫通孔１ｂを設ける。この時、誘電体基体１ａの外
形形状は方形であり、貫通孔１ｂは断面円筒形に形成さ
れている。誘電体基体１ａの外側面には外導体１ｄが設
けられており、貫通孔１ｂを構成する内側面には内導体
１ｃが設けられている。外導体１ｄと内導体１ｃは一方
の端面に設けられた連結導体１ｅによって連結されてい
る。
【００１９】誘電体基体１ａの外側面の一面には、外導
体１ｄから離隔し絶縁された結合用導体１ｆが設けられ
ており、この結合用導体１ｆと内導体１ｃの間で誘電体
基体１ａを介してコンデンサを形成している。図３にこ
の誘電体共振器１の等価回路を示す。図３において１３
は誘電体共振器の共振回路部、１４は図２における誘電
体共振器１の内導体１ｃと結合用導体１ｆとの間に構成
されたコンデンサである。
体１ｄから離隔し絶縁された結合用導体１ｆが設けられ
ており、この結合用導体１ｆと内導体１ｃの間で誘電体
基体１ａを介してコンデンサを形成している。図３にこ
の誘電体共振器１の等価回路を示す。図３において１３
は誘電体共振器の共振回路部、１４は図２における誘電
体共振器１の内導体１ｃと結合用導体１ｆとの間に構成
されたコンデンサである。
【００２０】この誘電体共振器１を少なくとも１個以
上、絶縁体基板２上の接地電極３に外導体１ｄを半田付
け等により電気的に接続し、また絶縁体基板２上の結合
電極６に結合用導体１ｆを半田付け等により電気的に接
続して誘電体フィルタを構成する。
上、絶縁体基板２上の接地電極３に外導体１ｄを半田付
け等により電気的に接続し、また絶縁体基板２上の結合
電極６に結合用導体１ｆを半田付け等により電気的に接
続して誘電体フィルタを構成する。
【００２１】絶縁体基板２は平板であり、一方の主表面
２ａに接地電極３が形成されている。この接地電極３
は、主表面２ａからスルホール電極４を経由して他方の
主表面２ｂ上に形成された接地電極５と電気的に接続さ
れている。また、接地電極３上には、複数の誘電体共振
器１がそれぞれ互いに接触した状態で配置されている。
この誘電体共振器１の結合用導体１ｆは絶縁体基板２上
の結合電極６と半田等により電気的、機械的に接続さ
れ、また、外導体１ｄは接地電極３と半田等により電気
的、機械的に接続される。
２ａに接地電極３が形成されている。この接地電極３
は、主表面２ａからスルホール電極４を経由して他方の
主表面２ｂ上に形成された接地電極５と電気的に接続さ
れている。また、接地電極３上には、複数の誘電体共振
器１がそれぞれ互いに接触した状態で配置されている。
この誘電体共振器１の結合用導体１ｆは絶縁体基板２上
の結合電極６と半田等により電気的、機械的に接続さ
れ、また、外導体１ｄは接地電極３と半田等により電気
的、機械的に接続される。
【００２２】絶縁体基板２の前方部には外部回路と接続
するための入出力電極８とコンデンサ９ａ，９ｂ，９
ｃ、コイル１１ａ，１１ｂを接続するための結合電極１
０ａが形成されており、これ等の電極にコンデンサ９
ａ，９ｂ，９ｃ、コイル１１ａ，１１ｂ、誘電体共振器
１等を結合し誘電体フィルタを構成している。
するための入出力電極８とコンデンサ９ａ，９ｂ，９
ｃ、コイル１１ａ，１１ｂを接続するための結合電極１
０ａが形成されており、これ等の電極にコンデンサ９
ａ，９ｂ，９ｃ、コイル１１ａ，１１ｂ、誘電体共振器
１等を結合し誘電体フィルタを構成している。
【００２３】また、この誘電体フィルタは図１の金属の
シールドケース１２を接地電極３や誘電体共振器１の外
導体１ｄとを半田付け等により接続し電気的なシールド
を得ている。
シールドケース１２を接地電極３や誘電体共振器１の外
導体１ｄとを半田付け等により接続し電気的なシールド
を得ている。
【００２４】誘電体共振器１の導体膜である内導体１
ｃ，外導体１ｄ，結合用導体１ｆは、それぞれ銅や銀等
の導電材料で構成された薄膜で構成されており、その膜
厚は５μｍ程度となるように形成される。本実施例で
は、導体膜を１層で構成したが、２層以上の多層にして
も良く、材料も２種以上用いても良い。さらに膜厚は５
μｍ程度としたが、誘電体フィルタの使用条件等によっ
て膜厚は適宜決定しなければならない。
ｃ，外導体１ｄ，結合用導体１ｆは、それぞれ銅や銀等
の導電材料で構成された薄膜で構成されており、その膜
厚は５μｍ程度となるように形成される。本実施例で
は、導体膜を１層で構成したが、２層以上の多層にして
も良く、材料も２種以上用いても良い。さらに膜厚は５
μｍ程度としたが、誘電体フィルタの使用条件等によっ
て膜厚は適宜決定しなければならない。
【００２５】以上のように構成された誘電体フィルタに
ついて、以下その製造方法を説明する。
ついて、以下その製造方法を説明する。
【００２６】まず原材料（ＢａＯ，ＴｉＯ2，Ｎｄ2Ｏ3
等）を所定量ずつ配合し、この配合物をミル等を用いて
混合する。次にこの混合物をスプレードライヤー等を用
いて粒度の調整及びバインダーの添加を行い造粒する。
次に造粒物を乾式プレスを用いて所定の形状に成形し、
その成形物を焼成炉で１３００℃〜１４００℃の温度で
焼結させ、筒型の誘電体基体１ａを作成する。次に誘電
体基体１ａ上に導体膜を形成する。まず導体膜を形成す
る場合には、様々な形成方法があるので、数例を挙げて
説明する。
等）を所定量ずつ配合し、この配合物をミル等を用いて
混合する。次にこの混合物をスプレードライヤー等を用
いて粒度の調整及びバインダーの添加を行い造粒する。
次に造粒物を乾式プレスを用いて所定の形状に成形し、
その成形物を焼成炉で１３００℃〜１４００℃の温度で
焼結させ、筒型の誘電体基体１ａを作成する。次に誘電
体基体１ａ上に導体膜を形成する。まず導体膜を形成す
る場合には、様々な形成方法があるので、数例を挙げて
説明する。
【００２７】まず第１の方法として、導体膜を構成する
材料に銅を用いた時について説明する。誘電体基体１ａ
の表面をバレル研磨機やブラスト装置によって粗面化
し、その後に誘電体基体１ａにエッチング処理を施し
て、誘電体基体１ａの表面粗度を５μｍ〜９μｍ程度に
調整する。この時エッチング液としては、例えばＨＦ−
ＨＮＯ2系のものを用いる。次に誘電体基体１ａの全表
面を塩化第１錫等を用いて感受性化処理を行った後に、
全表面に触媒金属となるパラジウムを付着させ、誘電体
基体１ａの一部にレジスト膜を形成する。すなわち、誘
電体基体１ａの導体膜が付着してはならない部分にレジ
スト膜を形成する。レジスト膜はレジストインクを印刷
技術や転写技術等を用いて誘電体基体１ａ上に塗布し、
その塗布したレジストインクを乾燥硬化させることによ
って形成される。次にこのように加工された誘電体基体
１ａを無電解銅鍍金法を用いて、誘電体基体１ａ上に薄
い第１の銅膜を形成する。この時、第１の銅膜はレジス
ト膜が形成されていない部分のみに選択的に形成され
る。次に電解銅鍍金にて第１の銅膜の上に第２の銅膜を
積層し、導体膜を形成する。この時、導体膜は５μｍ程
度になるように形成する。そして最後にレジスト膜を溶
剤等で溶かし出して、導体膜を完成させる。なおこの製
造方法ではレジスト膜を印刷で誘電体基体１ａの所定の
位置にレジストインクを塗布した後に乾燥硬化させる方
法で形成したが、レジストとして感光性レジストを用い
る方法もある。すなわち、パラジウム等の触媒金属を誘
電体基体１ａに付着させた後に、誘電体基体１ａの全表
面に感光性レジストを塗布し、露光させて所定の部分の
感光性レジストのみを硬化させる。そして現像剤によっ
て、感光性レジストが硬化していない部分を洗い流し、
導体膜を完成させる。
材料に銅を用いた時について説明する。誘電体基体１ａ
の表面をバレル研磨機やブラスト装置によって粗面化
し、その後に誘電体基体１ａにエッチング処理を施し
て、誘電体基体１ａの表面粗度を５μｍ〜９μｍ程度に
調整する。この時エッチング液としては、例えばＨＦ−
ＨＮＯ2系のものを用いる。次に誘電体基体１ａの全表
面を塩化第１錫等を用いて感受性化処理を行った後に、
全表面に触媒金属となるパラジウムを付着させ、誘電体
基体１ａの一部にレジスト膜を形成する。すなわち、誘
電体基体１ａの導体膜が付着してはならない部分にレジ
スト膜を形成する。レジスト膜はレジストインクを印刷
技術や転写技術等を用いて誘電体基体１ａ上に塗布し、
その塗布したレジストインクを乾燥硬化させることによ
って形成される。次にこのように加工された誘電体基体
１ａを無電解銅鍍金法を用いて、誘電体基体１ａ上に薄
い第１の銅膜を形成する。この時、第１の銅膜はレジス
ト膜が形成されていない部分のみに選択的に形成され
る。次に電解銅鍍金にて第１の銅膜の上に第２の銅膜を
積層し、導体膜を形成する。この時、導体膜は５μｍ程
度になるように形成する。そして最後にレジスト膜を溶
剤等で溶かし出して、導体膜を完成させる。なおこの製
造方法ではレジスト膜を印刷で誘電体基体１ａの所定の
位置にレジストインクを塗布した後に乾燥硬化させる方
法で形成したが、レジストとして感光性レジストを用い
る方法もある。すなわち、パラジウム等の触媒金属を誘
電体基体１ａに付着させた後に、誘電体基体１ａの全表
面に感光性レジストを塗布し、露光させて所定の部分の
感光性レジストのみを硬化させる。そして現像剤によっ
て、感光性レジストが硬化していない部分を洗い流し、
導体膜を完成させる。
【００２８】他の方法としては、Ａｇペーストを誘電体
基体１ａの全表面に印刷またはデップ法で塗布し、乾燥
した後に８００℃〜９００℃の温度で熱処理を行うこと
によって、導体膜を誘電体基体１ａの全表面に形成して
もよい。さらに、全表面に導体膜を形成後、ケミカルエ
ッチング、ドライエッチング等のエッチング技術を用い
て不要部分の導体膜を削除し、導体膜を完成させても良
い。
基体１ａの全表面に印刷またはデップ法で塗布し、乾燥
した後に８００℃〜９００℃の温度で熱処理を行うこと
によって、導体膜を誘電体基体１ａの全表面に形成して
もよい。さらに、全表面に導体膜を形成後、ケミカルエ
ッチング、ドライエッチング等のエッチング技術を用い
て不要部分の導体膜を削除し、導体膜を完成させても良
い。
【００２９】また別の方法として、誘電体基体１ａの全
表面に導体膜を形成した後に、切削加工やレーザー加工
等を施して物理的に除去し、導体膜を完成させても良
い。
表面に導体膜を形成した後に、切削加工やレーザー加工
等を施して物理的に除去し、導体膜を完成させても良
い。
【００３０】上述のように構成した誘電体共振器１と絶
縁体基板２を結合用導体１ｆと結合電極６が対向するよ
うに突合せ、クリーム半田等で外導体１ｄ，絶縁体基板
２上の接地電極３を接合するとともに、結合用導体１ｆ
と結合電極６をそれぞれクリーム半田等の接合材によっ
て接合する。
縁体基板２を結合用導体１ｆと結合電極６が対向するよ
うに突合せ、クリーム半田等で外導体１ｄ，絶縁体基板
２上の接地電極３を接合するとともに、結合用導体１ｆ
と結合電極６をそれぞれクリーム半田等の接合材によっ
て接合する。
【００３１】（実施例２）図４、図５はそれぞれ本発明
の第２の実施例における誘電体フィルタを示す斜視図及
び分解斜視図である。
の第２の実施例における誘電体フィルタを示す斜視図及
び分解斜視図である。
【００３２】図４、図５において、２１は誘電体共振器
であり、誘電体共振器２１は図１、図２に示す（実施例
１）の構造とほぼ同じであるが、貫通孔２１ｂの形状が
異なっている。
であり、誘電体共振器２１は図１、図２に示す（実施例
１）の構造とほぼ同じであるが、貫通孔２１ｂの形状が
異なっている。
【００３３】まず誘電体共振器２１について説明する。
２１ａは誘電体材料で構成された誘電体基体で、誘電体
基体２１ａは外形が方形状に形成されている。さらに誘
電体基体２１ａには貫通孔２１ｂが設けられており、貫
通孔２１ｂには開放端側に形成された方形状の孔２１ｇ
と、孔２１ｇに連結した円筒状の孔２１ｈによって構成
されている。図１、図２に示す（実施例１）の誘電体共
振器１においては、貫通孔１ｂは開放端から連結端に至
るまで同一の径を有していたが、本実施例においては、
貫通孔２１ｂに段差部２１ｉが設けられていることが特
徴である。この構成によって貫通孔２１ｂ内に形成され
る内導体２１ｃを大きく形成できるので、結合用導体２
１ｆと内導体２１ｃとの間の入出力結合容量を大きくと
ることができ、高減衰量の誘電体フィルタを作成するこ
とができる。その他の構成は図１、図２に示すものと同
様の構成を有している。
２１ａは誘電体材料で構成された誘電体基体で、誘電体
基体２１ａは外形が方形状に形成されている。さらに誘
電体基体２１ａには貫通孔２１ｂが設けられており、貫
通孔２１ｂには開放端側に形成された方形状の孔２１ｇ
と、孔２１ｇに連結した円筒状の孔２１ｈによって構成
されている。図１、図２に示す（実施例１）の誘電体共
振器１においては、貫通孔１ｂは開放端から連結端に至
るまで同一の径を有していたが、本実施例においては、
貫通孔２１ｂに段差部２１ｉが設けられていることが特
徴である。この構成によって貫通孔２１ｂ内に形成され
る内導体２１ｃを大きく形成できるので、結合用導体２
１ｆと内導体２１ｃとの間の入出力結合容量を大きくと
ることができ、高減衰量の誘電体フィルタを作成するこ
とができる。その他の構成は図１、図２に示すものと同
様の構成を有している。
【００３４】なお、誘電体フィルタの構成としては、図
１、図２に示す（実施例１）の貫通孔１ｂが開放端から
連結端に至るまで同一の径を有する誘電体共振器１と、
図４、図５に示す本実施例の誘電体共振器２１とを混在
して使用しても良い。
１、図２に示す（実施例１）の貫通孔１ｂが開放端から
連結端に至るまで同一の径を有する誘電体共振器１と、
図４、図５に示す本実施例の誘電体共振器２１とを混在
して使用しても良い。
【００３５】加えて、本実施例の誘電体共振器２１の貫
通孔２１ｂは方形状であったが、長方形、多角形、楕円
形、円形でも同様の効果が得られる。
通孔２１ｂは方形状であったが、長方形、多角形、楕円
形、円形でも同様の効果が得られる。
【００３６】（実施例３）図６は本発明の第３の実施例
における誘電体フィルタを示す分解斜視図であり、誘電
体共振器の構造自体は、（実施例１）や（実施例２）の
ものと同様である。ただし、図面の都合上（実施例１）
の誘電体共振器１を基に説明を行う。
における誘電体フィルタを示す分解斜視図であり、誘電
体共振器の構造自体は、（実施例１）や（実施例２）の
ものと同様である。ただし、図面の都合上（実施例１）
の誘電体共振器１を基に説明を行う。
【００３７】この誘電体共振器１を少なくとも１個以
上、絶縁体基板２上の接地電極３に外導体１ｄを半田付
け等により電気的に接続し、また絶縁体基板２上の結合
電極６に結合用導体１ｆを半田付け等により電気的に接
続して誘電体フィルタを構成する。
上、絶縁体基板２上の接地電極３に外導体１ｄを半田付
け等により電気的に接続し、また絶縁体基板２上の結合
電極６に結合用導体１ｆを半田付け等により電気的に接
続して誘電体フィルタを構成する。
【００３８】絶縁体基板２は平板であり、一方の主表面
２ａに接地電極３が形成されている。この接地電極３
は、主表面２ａからスルホール電極４を経由して他方の
主表面２ｂ上に形成された接地電極５と電気的に接続さ
れている。また、接地電極３上には、複数の誘電体共振
器１がそれぞれ互いに接触した状態で配置されている。
この誘電体共振器１の結合用導体１ｆは絶縁体基板２上
の結合電極６と半田等により電気的、機械的に接続さ
れ、また、外導体１ｄは接地電極３と半田等により電気
的、機械的に接続される。
２ａに接地電極３が形成されている。この接地電極３
は、主表面２ａからスルホール電極４を経由して他方の
主表面２ｂ上に形成された接地電極５と電気的に接続さ
れている。また、接地電極３上には、複数の誘電体共振
器１がそれぞれ互いに接触した状態で配置されている。
この誘電体共振器１の結合用導体１ｆは絶縁体基板２上
の結合電極６と半田等により電気的、機械的に接続さ
れ、また、外導体１ｄは接地電極３と半田等により電気
的、機械的に接続される。
【００３９】絶縁体基板２０は４層の積層構造になって
おり、第１層は誘電体共振器１の結合用導体１ｆと接続
するための結合電極６と接地電極３を有している。第２
層はコイル電極１５を、第３層はコンデンサ電極１６
を、第４層は接地電極１７を有している。この接地電極
１７はスルーホル電極４により接地電極３，５と電気的
に接続している。また、コンデンサ電極１６は接地電極
１７との間で絶縁基板層１８を介してコンデンサを形成
している。また結合電極６とコイル電極１５、コンデン
サ電極１６は側面電極１９ａ、１９ｂ、１９ｃを介して
接続されている。この側面電極１９ａと１９ｃは入出力
電極も兼ねている。
おり、第１層は誘電体共振器１の結合用導体１ｆと接続
するための結合電極６と接地電極３を有している。第２
層はコイル電極１５を、第３層はコンデンサ電極１６
を、第４層は接地電極１７を有している。この接地電極
１７はスルーホル電極４により接地電極３，５と電気的
に接続している。また、コンデンサ電極１６は接地電極
１７との間で絶縁基板層１８を介してコンデンサを形成
している。また結合電極６とコイル電極１５、コンデン
サ電極１６は側面電極１９ａ、１９ｂ、１９ｃを介して
接続されている。この側面電極１９ａと１９ｃは入出力
電極も兼ねている。
【００４０】なお、誘電体フィルタの構成としては、図
１、図２に示す（実施例１）の誘電体共振器１と、図
４、図５に示す（実施例２）の誘電体共振器２１とを混
在して使用しても良い。
１、図２に示す（実施例１）の誘電体共振器１と、図
４、図５に示す（実施例２）の誘電体共振器２１とを混
在して使用しても良い。
【００４１】（実施例４）図７及び図８はそれぞれ本発
明の第４の実施例における誘電体フィルタを示す斜視図
及び等価回路図である。誘電体共振器の構造自体は、
（実施例１）や（実施例２）のものと同様であるが、図
面の都合上（実施例１）の誘電体共振器１を基に説明を
行う。
明の第４の実施例における誘電体フィルタを示す斜視図
及び等価回路図である。誘電体共振器の構造自体は、
（実施例１）や（実施例２）のものと同様であるが、図
面の都合上（実施例１）の誘電体共振器１を基に説明を
行う。
【００４２】図７に示すのは、（実施例１）の構造の誘
電体フィルタを２個合成回路を通して一端で接続したデ
ュプレクサ構造の誘電体フィルタであり、１はそれぞれ
誘電体共振器である。この誘電体フィルタは図８に示す
ような等価回路構造となり、（実施例１）の誘電体フィ
ルタをａ部、ｂ部としてｃ部の合成回路により接続した
構造である。このｃ部の回路は２つの誘電体フィルタを
接続するための合成回路であり、本実施例においてはイ
ンピーダンスＺ１、Ｚ２が誘導性、Ｚ３＝０の場合であ
るが、それぞれの回路によりＺ１〜Ｚ３は容量性から誘
導性まで種々の値をとり、適当な値のコイルやコンデン
サにより実施することができる。この合成回路のコイル
は図７のコイル２２，２３に対応する。このコイル２
２、２３は電極２４に接続され合成入出力電極２５に接
続される。他の構成は（実施例１）と同様である。図９
に本実施例の特性例を示す。
電体フィルタを２個合成回路を通して一端で接続したデ
ュプレクサ構造の誘電体フィルタであり、１はそれぞれ
誘電体共振器である。この誘電体フィルタは図８に示す
ような等価回路構造となり、（実施例１）の誘電体フィ
ルタをａ部、ｂ部としてｃ部の合成回路により接続した
構造である。このｃ部の回路は２つの誘電体フィルタを
接続するための合成回路であり、本実施例においてはイ
ンピーダンスＺ１、Ｚ２が誘導性、Ｚ３＝０の場合であ
るが、それぞれの回路によりＺ１〜Ｚ３は容量性から誘
導性まで種々の値をとり、適当な値のコイルやコンデン
サにより実施することができる。この合成回路のコイル
は図７のコイル２２，２３に対応する。このコイル２
２、２３は電極２４に接続され合成入出力電極２５に接
続される。他の構成は（実施例１）と同様である。図９
に本実施例の特性例を示す。
【００４３】なお、図７の絶縁体基板２は（実施例３）
のような積層型で内部に容量やコイルを一体形成したも
のでも同様の効果が得られる。
のような積層型で内部に容量やコイルを一体形成したも
のでも同様の効果が得られる。
【００４４】（実施例５）図１０及び図１２はそれぞれ
本発明の第５の実施例における誘電体フィルタを示す斜
視図及び等価回路図である。誘電体共振器の構造自体
は、（実施例１）や（実施例２）のものと同様である
が、図面の都合上（実施例１）の誘電体共振器１を基に
説明を行う。図１０において１はそれぞれ誘電体共振器
である。
本発明の第５の実施例における誘電体フィルタを示す斜
視図及び等価回路図である。誘電体共振器の構造自体
は、（実施例１）や（実施例２）のものと同様である
が、図面の都合上（実施例１）の誘電体共振器１を基に
説明を行う。図１０において１はそれぞれ誘電体共振器
である。
【００４５】図１０に示すのは（実施例１）の構造の誘
電体フィルタとバンドパス構造の誘電体フィルタを一端
で接続したデュプレクサ構造のフィルタである。この誘
電体フィルタは図１２に示すような等価回路構造とな
り、（実施例１）の誘電体フィルタのａ部、合成回路の
ｃ部、バンドパスフィルタのｄ部、さらにノッチ回路の
ｅ部を接続した回路構成となっている。このｃ部の回路
は２つの誘電体フィルタを接続するための合成回路であ
り、本実施例においてはインピーダンスＺ１＝０、Ｚ２
が誘導性、Ｚ３＝０の場合であるが、それぞれの回路に
よりＺ１〜Ｚ３は容量性から誘導性まで種々の値をとり
適当な値のコイルやコンデンサにより実施することがで
きる。この合成回路のコイルは図１０のコイル２２に対
応する。このコイル２２、は電極２４に接続され合成入
出力電極２５に接続される。
電体フィルタとバンドパス構造の誘電体フィルタを一端
で接続したデュプレクサ構造のフィルタである。この誘
電体フィルタは図１２に示すような等価回路構造とな
り、（実施例１）の誘電体フィルタのａ部、合成回路の
ｃ部、バンドパスフィルタのｄ部、さらにノッチ回路の
ｅ部を接続した回路構成となっている。このｃ部の回路
は２つの誘電体フィルタを接続するための合成回路であ
り、本実施例においてはインピーダンスＺ１＝０、Ｚ２
が誘導性、Ｚ３＝０の場合であるが、それぞれの回路に
よりＺ１〜Ｚ３は容量性から誘導性まで種々の値をとり
適当な値のコイルやコンデンサにより実施することがで
きる。この合成回路のコイルは図１０のコイル２２に対
応する。このコイル２２、は電極２４に接続され合成入
出力電極２５に接続される。
【００４６】バンドパスフィルタの例を図１１に示す。
誘電体共振器３１、３２は開放端面側の外導体３１ｄ，
３２ｄの２面に、外導体３１ｄ，３２ｄから独立した結
合用導体３１ｆ，３２ｆをそれぞれ直交するように設け
る。また、誘電体共振器３３は開放端面側の外導体３３
ｄの２面に、外導体３３ｄから独立した結合用導体３３
ｆをそれぞれ平行になるように設け、誘電体共振器３１
の側面に設けた結合用導体３１ｆと誘電体共振器３３の
側面に設けた結合用導体３３ｆとが密着するように、ま
た、誘電体共振器３３の側面に設けた結合用導体３３ｆ
と誘電体共振器３２の側面に設けた結合用導体３２ｆと
が密着するように配置し、半田等により電気的、機械的
に接続する。これらの誘電体共振器の接合によって得ら
れた誘電体フィルタを絶縁体基板２上の電極２６，２７
に、それぞれ電極２６が誘電体共振器３１の底部の結合
用導体３１ｆに電極２７が誘電体共振器３２の底部の結
合用導体３２ｆに密着するように配置し、半田等により
電気的、機械的に接続する。
誘電体共振器３１、３２は開放端面側の外導体３１ｄ，
３２ｄの２面に、外導体３１ｄ，３２ｄから独立した結
合用導体３１ｆ，３２ｆをそれぞれ直交するように設け
る。また、誘電体共振器３３は開放端面側の外導体３３
ｄの２面に、外導体３３ｄから独立した結合用導体３３
ｆをそれぞれ平行になるように設け、誘電体共振器３１
の側面に設けた結合用導体３１ｆと誘電体共振器３３の
側面に設けた結合用導体３３ｆとが密着するように、ま
た、誘電体共振器３３の側面に設けた結合用導体３３ｆ
と誘電体共振器３２の側面に設けた結合用導体３２ｆと
が密着するように配置し、半田等により電気的、機械的
に接続する。これらの誘電体共振器の接合によって得ら
れた誘電体フィルタを絶縁体基板２上の電極２６，２７
に、それぞれ電極２６が誘電体共振器３１の底部の結合
用導体３１ｆに電極２７が誘電体共振器３２の底部の結
合用導体３２ｆに密着するように配置し、半田等により
電気的、機械的に接続する。
【００４７】誘電体共振器３４は誘電体共振器１と同一
構造であり、絶縁体基板２上の電極２８に誘電体共振器
３４の結合用導体３４ｆが密着するように配置し、半田
等により電気的、機械的に接続する。以上のような本実
施例の特性例を図１３に示す。
構造であり、絶縁体基板２上の電極２８に誘電体共振器
３４の結合用導体３４ｆが密着するように配置し、半田
等により電気的、機械的に接続する。以上のような本実
施例の特性例を図１３に示す。
【００４８】なお、図１０の絶縁体基板２は（実施例
３）のような積層型で内部に容量やコイルを一体形成し
たものでも同様の効果が得られる。
３）のような積層型で内部に容量やコイルを一体形成し
たものでも同様の効果が得られる。
【００４９】
【発明の効果】以上のように本発明は、誘電体基体と、
誘電体基体の外側面に設けられた外導体と、誘電体基体
の内側面に設けられた内導体と、誘電体基体の一方の端
面に設けられ、外導体と内導体を連結する連結導体と、
外側面の一面に設けられ各導体と電気的に接触しない結
合用導体を有する誘電体共振器を少なくとも１つ以上具
備し、この誘電体共振器を絶縁体基板上に配置しこの絶
縁体基板上に設けた回路電極と結合用導体とを電気的に
接合した誘電体フィルタを構成することにより、小型で
広帯域フィルタを実現することができ、性能を向上する
ことができる。
誘電体基体の外側面に設けられた外導体と、誘電体基体
の内側面に設けられた内導体と、誘電体基体の一方の端
面に設けられ、外導体と内導体を連結する連結導体と、
外側面の一面に設けられ各導体と電気的に接触しない結
合用導体を有する誘電体共振器を少なくとも１つ以上具
備し、この誘電体共振器を絶縁体基板上に配置しこの絶
縁体基板上に設けた回路電極と結合用導体とを電気的に
接合した誘電体フィルタを構成することにより、小型で
広帯域フィルタを実現することができ、性能を向上する
ことができる。
【図１】本発明の第１の実施例における誘電体フィルタ
を示す斜視図
を示す斜視図
【図２】本発明の第１の実施例における誘電体フィルタ
を示す分解斜視図
を示す分解斜視図
【図３】本発明の第１の実施例における誘電体共振器の
等価回路図
等価回路図
【図４】本発明の第２の実施例における誘電体フィルタ
を示す斜視図
を示す斜視図
【図５】本発明の第２の実施例における誘電体フィルタ
を示す分解斜視図
を示す分解斜視図
【図６】本発明の第３の実施例における誘電体フィルタ
を示す分解斜視図
を示す分解斜視図
【図７】本発明の第４の実施例における誘電体フィルタ
を示す斜視図
を示す斜視図
【図８】本発明の第４の実施例における誘電体フィルタ
の等価回路図
の等価回路図
【図９】本発明の第４の実施例における誘電体フィルタ
の特性図
の特性図
【図１０】本発明の第５の実施例における誘電体フィル
タを示す斜視図
タを示す斜視図
【図１１】本発明の一実施例における誘電体フィルタの
バンドパスフィルタを示す斜視図
バンドパスフィルタを示す斜視図
【図１２】本発明の第５の実施例における誘電体フィル
タの等価回路図
タの等価回路図
【図１３】本発明の第５の実施例における誘電体フィル
タの特性図
タの特性図
【図１４】従来の誘電体フィルタを示す斜視図
【図１５】従来の誘電体フィルタを示す断面図
【符号の説明】 １ 誘電体共振器 １ａ 誘電体基体 １ｂ 貫通孔 １ｃ 内導体 １ｄ 外導体 １ｅ 連結導体 １ｆ 結合用導体 ２ 絶縁体基板 ３ 接地電極 ４ スルホール電極 ６ 結合電極 １２ シールドケース ２０ 絶縁体基板 ２１ 誘電体共振器 ２１ａ 誘電体基体 ２１ｂ 貫通孔 ２１ｃ 内導体 ２１ｄ 外導体 ２１ｆ 結合用導体 ２１ｇ 孔 ２１ｈ 孔 ２１ｉ 段差部 ３１ 誘電体共振器 ３１ｄ 外導体 ３１ｆ 結合用導体 ３２ 誘電体共振器 ３２ｄ 外導体 ３２ｆ 結合用導体 ３３ 誘電体共振器 ３３ｄ 外導体 ３３ｆ 結合用導体 ３４ 誘電体共振器 ３４ｆ 結合用導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大野 博司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】断面方形形状の誘電体基体と、前記誘電体
基体に設けられた１つの貫通孔と、前記誘電体基体の外
周面に設けられた外導体と、前記誘電体基体の内周面に
設けられた内導体と、前記誘電体基体の一方の端面に設
けられ、前記外導体と前記内導体を連結する連結導体
と、前記外側面の一面に設けられ、前記各導体と電気的
に非接触となる結合用導体を有する誘電体共振器を具備
し、前記誘電体共振器を回路基板上に配置し前記回路基
板上に設けた回路電極と前記結合用導体とを電気的に接
合するとともに、前記回路基板にコンデンサ，コイルの
少なくとも１つ以上を設けたことを特徴とする誘電体フ
ィルタ。 - 【請求項２】誘電体共振器を覆うシールドケースを設け
た事を特徴とする請求項１記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項３】各導体を多層構造とした事を特徴とする請
求項１記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項４】誘電体基体はＢａＯ，ＴｉＯ2，Ｎｄ2Ｏ3
を含むことを特徴とする請求項１記載の誘電体フィル
タ。 - 【請求項５】誘電体基体の表面を粗面化した事を特徴と
する請求項１記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項６】粗面化した表面粗度を５μｍ〜９μｍとし
たことを特徴とする請求項５記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項７】レジスト膜を誘電体基体上に塗布した後に
各導体を形成した事を特徴とする請求項１記載の誘電体
フィルタ。 - 【請求項８】回路基板の第１及び第２の主表面に接地電
極を形成するとともに、前記回路基板にスルホールを形
成し、前記スルーホール内にスルホール電極を設けて前
記第１及び第２の接地電極を電気的に接続し、前記接地
電極と誘電体共振器の外導体を接続した事を特徴とする
請求項１記載の誘電体フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10311758A JPH11205009A (ja) | 1994-08-03 | 1998-11-02 | 誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6182260A JP2907010B2 (ja) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | 誘電体フィルタ |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP6182260A Division JP2907010B2 (ja) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | 誘電体フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1085593A3 (en) * | 1999-09-14 | 2002-09-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resonator device, dielectric duplexer, and communication apparatus incorporating same |
| JP2009290897A (ja) * | 2006-01-17 | 2009-12-10 | Hitachi Metals Ltd | 高周波回路部品及びこれを用いた通信装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350102A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-03 | Fujitsu Ltd | 誘電体共振器 |
| JP2753096B2 (ja) * | 1989-02-16 | 1998-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 同軸型誘電体共振器 |
| JPH0644165Y2 (ja) * | 1989-03-06 | 1994-11-14 | 富士電気化学株式会社 | 発振回路用誘電体共振器 |
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