JPH11207605A

JPH11207605A - 半導体ウェーハの研磨方法およびそれに係る研磨装置

Info

Publication number: JPH11207605A
Application number: JP30728298A
Authority: JP
Inventors: Heinrich Hennhoefer; ハインリヒ・ヘンネーフェル; Hans Kraemer; ハンス・クレマー; Helmut Kirschner; ヘルムト・キルシュナー; Manfred Thurner; マンフリート・トゥルネル; Thomas Buschhardt; トーマス・ブシュハルト; Klaus Dr Roettger; クラウス・レットガー
Original assignee: Wacker Siltronic AG
Current assignee: Siltronic AG
Priority date: 1997-10-30
Filing date: 1998-10-28
Publication date: 1999-08-03
Also published as: EP0916450B1; KR19990037292A; DE59802824D1; DE19748020A1; MY133888A; KR100315162B1; TW407311B; US6095898A; SG75876A1; EP0916450A1

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体ウェーハを研磨する場合において、特
に、研磨半導体ウェーハのくさび形の度合いが減少する
ように研磨の均一性を改善する。【解決手段】本発明は、半導体ウェーハ５の表面が、
研磨布３を張付されている研磨板４に押圧されて研磨さ
れると共に半導体ウェーハ５と研磨板４とが相対移動す
る半導体ウェーハの研磨方法に関する。研磨中、半導体
ウェーハ５は、研磨板４の、少なくとも２つの領域上を
通過し、領域は所定の径方向幅を有して異なる温度を有
する。研磨板４には温度制御手段が設けられ、該温度制
御手段により、半導体ウェーハ５が研磨される以前に、
前記領域の個数、径方向幅および温度が決定される。本
発明は、更に、該方法を実施するための装置にも関す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、少なくとも１つの
半導体ウェーハの少なくとも１つの面が、研磨布を張り
付けた研磨板によって押圧されると共に研磨され、それ
と同時に、半導体ウェーハと研磨板とが相対移動する半
導体ウェーハの研磨方法に関するものである。本発明は
また、この方法を実行するのに適した装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】化学・機械工学的な研磨方法によって半
導体ウェーハを平坦にすることは、平坦で、無傷の、滑
らかな半導体ウェーハを生産することを目的とした製造
方法において、重要な加工段階となっている。多くの製
造方法の中で、この研磨は、成型の最終段階をなすもの
である。それ故、この研磨は、半導体ウェーハが、電
気、電子、マイクロエレクトロニクス機器製造用の初期
材料として使用される以前に、表面特性を決定する決め
手となる。この研磨の目的は、特に、半導体ウェーハの
２つの面の高度な平坦性と平行性を実現すること、前処
理によって損傷された表層を除去（損傷除去）するこ
と、および半導体ウェーハの微小荒廃面を減少させるこ
とにある。

【０００３】半導体ウェーハの研磨方法として、片面研
磨方法と両面研磨方法が通常用いられている。複数の半
導体ウェーハからなるウェーハ群を片面研磨（片面一括
研磨）する場合、例えば、接着、ボンディング、セメン
ト接合または真空の利用によって、その面とキャリヤ・
プレートとの間に、形状的に適合し、かつ力学的に適合
する結合を生じることにより、半導体ウェーハの片面は
キャリヤ・プレートの表面に装着される。一般に、半導
体ウェーハは同心円の形態をなすように、キャリヤ・プ
レートに装着される。装着された後、半導体ウェーハの
開放されている側の面は、研磨布の張り付けられている
研磨板によって押圧され、所定の研磨力と研磨剤が供給
される。その結果、これらの面が研磨される。

【０００４】この研磨方法においては、キャリヤ・プレ
ートと研磨板とおは、異なる速度で回転する。必要とさ
れる研磨力は、以下の記述で研磨ヘッドとして示される
圧力ピストンによって、キャリヤ・プレートの後部に伝
達される。これまで使用されてきた多くの研磨装置は、
複数の研磨ヘッドを持ち、これに対応して複数のキャリ
ヤ・プレートを収容できるように設計されている。

【０００５】両面研磨（ＤＳＰ）においては、前面と後
面は同時に研磨され、複数の半導体ウェーハが、上下の
研磨板の間に案内され、研磨布が張り付けられる。この
場合、半導体ウェーハは、ロータ・ディスクと呼ばれる
薄いキャリヤに置かれ、半導体ウェーハのラッピング方
法の間も、同様の形態で使用される。両面研磨の方法と
装置は、常に一群の半導体ウェーハを取り扱うように設
計される（一括研磨）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】複数の要因が、理想外
形として後述される、半導体ウェーハの理想平面性と理
想平行性の実現を困難にしている。研磨された半導体ウ
ェーハは、互いに平行ではない、むしろ断面がくさび型
と見なされるような面を持つことがある。

【０００７】くさび型の形状は、線形厚み偏差という用
語で記述される。線形厚み偏差は、半導体ウェーハの中
心に対して対称な、同じ直径線上に存在する２つの測定
点の間で測定された、最大の厚みの差である。通常、測
定点は、例えば、半導体ウェーハの端から６ｍｍという
ような距離の、円の上に対称的に存在する。キャリヤ・
プレートの縁に面した半導体ウェーハの縁が、キャリヤ
・プレートの中心に面した半導体ウェーハの縁よりも厚
いなら、これは、正の線形くさび型として扱われ、そし
て、キャリヤ・プレートの縁に面した半導体ウェーハの
縁が、キャリヤ・プレートの中心に面した半導体ウェー
ハの縁よりも薄いなら、これは、負の線形くさび型とし
て扱われる。

【０００８】半導体ウェーハのくさび形に関するもう１
つの測定法は、いわゆるＴＴＶ値（ＴＴＶ＝Ｔｏｔａｌ
ＴｈｉｃｋｎｅｓｓＶａｒｉａｔｉｏｎ: 合計厚さ
変動）である。この値は、半導体ウェーハの最も厚い点
と最も薄い点の間の差を測定したものである。

【０００９】研磨に起因する半導体ウェーハのくさび形
の形状は、最終的には材料の不均等な除去による結果に
より生じる。これは、キャリヤ・プレートが、それ自身
の重さによって研磨中に径方向に対して変形されるか、
製造によって径方向に対するくさび形を持つ場合に発生
するものである。時には、研磨布の初期摩耗が、一連の
研磨作業のうちに、ウェーハ形状の悪化の原因となるこ
とがある。理想的な平面を持つキャリヤ・プレートを使
用してさえ、片面ウェーハ研磨時の力の配分によって、
くさび形の形状が残る。

【００１０】研磨ヘッドとキャリヤ・プレートの後部と
の間に、柔軟な、弾力性のある物体の中間層を挿入し、
その結果、キャリヤ・プレートを、放射形対称となるよ
うな方法で、じっくりと、少しだけ湾曲しようとするこ
とが、欧州特許公開公報第４０３３号で提案されてい
る。このようにして、ある程度までは、半導体ウェーハ
がくさび形に研磨されることを防ぐことができる。しか
しながら、この方法は自動化することができず、前記中
間層を選んで挿入を担当する操作者の経験と注意力に、
その成功のほとんどを依存しているため、失敗による影
響を受けやすい。しかも、この方法を遂行するのにたと
え何の失敗を犯さなかったとしても、研磨された半導体
ウェーハのくさび形の形状は、規定された限界値以上の
ままである。

【００１１】本発明の目的は、半導体ウェーハを研磨す
る場合において、特に、研磨半導体ウェーハのくさび形
の度合いが減少するように研磨の均一性を改善すること
である。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
って提供される半導体ウェーハの研磨方法、すなわち、
少なくとも１つの半導体ウェーハの少なくとも１つの面
が研磨布を張り付けた研磨板に押圧されて研磨され、そ
れと同時に、半導体ウェーハと研磨板とが相対移動する
半導体ウェーハの研磨方法において、研磨の際に、前記
半導体ウェーハが、前記研磨板に存在する少なくとも２
つの領域を通過し、加えて、前記研磨板には温度制御手
段が設けられ、前記領域は所定の径方向幅を有すると共
に異なる温度であり、そして、前記温度制御手段によっ
て、前記半導体ウェーハが研磨される以前に、前記領域
の個数、前記径方向幅および前記温度が決定される、半
導体ウェーハの研磨方法によって達成される。

【００１３】また、上記目的は、本発明によって提供さ
れる半導体ウェーハの研磨装置、すなわち、研磨布を張
付した少なくとも１つの研磨板を有しており、前記半導
体ウェーハの研磨方法を実行するのに用いられる、半導
体ウェーハの研磨装置において、前記研磨板が、同心円
状に配置された複数の環状チャンバを含む研磨板を備
え、そして、前記複数の環状チャンバは、所定の調整可
能な温度を有する温度制御媒体が流れることからなるチ
ャンバシステムを有することを特徴とする半導体ウェー
ハの研磨装置によって達成される。

【００１４】研磨の最中、径方向に対して凸形状の温度
分布が研磨板の上に形成され、これが研磨される半導体
ウェーハのくさび形の形状の原因の一部になっている、
ということを発明者によって行われた研究が示してい
る。この温度分布は材料の非均一な除去を引き起こす。
例えば、実際上湾曲させることのできない磁器製のキャ
リヤ・プレートを用いる場合には、これを補正すること
ができず、また、比較的固くない物質で形成されたキャ
リヤ・プレートを用いる場合には、上述の弾力性のある
中間層を用いたとしても十分に補正することができな
い。温度制御された領域を造り出すことは、研磨板の径
方向に対する温度分布を規定し、除去される材料の総量
を決定するのにある程度の決め手となるため、本発明
は、このような補正を可能とするものである。本発明に
より、研磨によって半導体ウェーハがくさび形の形状に
なることが比較的広い許容範囲で、許容される。本発明
によって、統制された正または負のくさび形の形状を持
つ半導体ウェーハを製造することが可能である。しかし
ながら、本発明は第一に、力学的な効果と、くさび形の
原因となるキャリヤ・プレートまたは研磨布の効果を補
正するため、および例えば研磨布の耐用年数を延長する
ために使用される。

【００１５】本発明は、片面研磨（単一ウェーハおよび
一括研磨）と両面研磨の両方に使用できる。本発明は、
後述の片面一括研磨の実施形態を参照することにより、
更に詳細に説明される。

【００１６】本発明では、研磨の最中、研磨板上の少な
くとも２つの領域を半導体ウェーハが通過し、その領域
は研磨板の温度制御手段によって、ある温度に保たれ
る、ということが要請される。それらの領域は、同心円
上に配置され、それらの少なくとも２つの領域が異なる
温度を持つことが想定される。それらの領域の個数、径
方向幅、および温度は研磨の実行前に決定される。ただ
し、研磨の実行中、それらの領域で保持されている温度
が変化する可能性は除外されていない。

【００１７】研磨の力学的効果、完全に平面でないキャ
リヤ・プレートの使用、および研磨布の非均一な損耗な
どのため、典型的な研磨板の上では、半導体ウェーハの
研磨の間、温度は均一にはならない。温度はしばしば、
研磨板の縁からｒ／２（ｒは研磨板の径方向幅）の所ま
では増加し、研磨板の中心に向かって減少し、その結
果、径方向に凸形の温度分布になる。研磨板の中の温度
制御手段により、該研磨板の中で、一定の温度に保たれ
る領域を確立することによって、温度分布を均一にする
ことが可能となる。径方向に対して凸形の温度分布の形
成を避けるためには、少なくとも２つの温度制御された
領域を、研磨板上に確立しなければならない。このため
に適した形態の例は、例えば、同心円状の３つのリング
において、中央の領域よりも外側と内側の領域の温度の
方がより高い温度に保たれるようなものである。結果と
して、半導体ウェーハの研磨の間に研磨板の中心領域で
生成された熱は、温度制御手段を通して消散させられ
る。外側と内側のリング、および研磨板の部分で縁に近
いものは、反対に余分な熱エネルギーを受け取り、その
結果、全体的には、径方向に対してより平坦な温度分布
が得られる。原理上、本発明は、径方向に対しては、研
磨の最中に生じるどんな目標温度分布を安定させるのに
も使用することができる。

【００１８】それらの領域の個数、径方向幅、および温
度は、半導体ウェーハが研磨される前に決定される。予
め研磨された半導体ウェーハの形態の分析から得られた
データ、例えば、これらの半導体ウェーハに対して決定
された線形厚み偏差は、上記の因子を決定する基礎とし
て使用することができる。また、前回の研磨の実行中に
決定された研磨板の、径方向に対する温度分布に関連し
て測定されたデータも基礎として使用できる。研磨後に
期待される半導体ウェーハの形状と、決定されるべき研
磨板上の領域の個数、幅、および温度との間の関係性
は、実験の繰り返しにより、適宜決定される。このよう
な実験において、領域の個数、径方向幅、温度は、対称
的に変化させられ、研磨された半導体ウェーハの形状に
対する効果が調査される。

【００１９】このような実験を行った後、半導体ウェー
ハの研磨方法は、ある簡単な方法で自動化できる。すな
わち、マスタ・コンピュータが、入力データとして、先
に行われる研磨試験の間に決定された断面温度分布、ま
たは、先に行われる研磨試験の間に研磨された半導体ウ
ェーハの形状（例えば、くさび形の形状）に関連したデ
ータを受け取り、そして、経験的に発見された関係を基
礎として、（領域の個数、径方向幅、および温度など
の）目標ウェーハ形状を実現するのに必要な因子を決定
する。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を詳
細に説明する。図１は、請求された装置の実施形態の略
図を示している。この図は、装置の縦断面の側面図を示
している。図２は、本装置の研磨板の水平断面の平面図
を示している。図３（ａ），（ｂ）および図４（ａ），
（ｂ）は、本発明によって、半導体ウェーハの形状がど
のように影響されるかを図解している。以下の記述で
は、本発明を説明するのに必要となる特徴に対してのみ
参照を行う。図上では、同じ特徴は、同じ参照記号で表
示されている。

【００２１】まず、図１を参照する。これは複数の研磨
ヘッドを持つ、片面研磨装置に関連した実施形態を示し
ており、それらの１つが示されている。研磨ヘッド１
は、キャリヤ・プレート２を、研磨布３が張り付けられ
る研磨板４に対して、研磨力Ｋで押圧する。キャリヤ・
プレートは、例えば、真空吸引装置によって、研磨ヘッ
ド上に保持される。半導体ウェーハ５は、研磨布３に面
して、キャリヤ・プレート２の表面部分に固定される。
研磨の最中、キャリヤ・プレート２および研磨板４は、
両方とも、ある速度で、ある回転方向に回転する。本発
明に係る装置の基本的な特徴は、同心円状に配置された
通路を通る、研磨板４の中の環状チャンバである。該環
状チャンバには温度制御媒体が流れる。本実施例におい
ては、５つの環状チャンバＺ１，Ｚ２，Ｚ３，Ｚ４，Ｚ
５が、研磨板４の中に設けられている。各環状チャンバ
Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３，Ｚ４，Ｚ５は、それぞれ独立してお
り、各環状チャンバＺ１，Ｚ２，Ｚ３，Ｚ４，Ｚ５ごと
に特定の温度を持つ温度制御媒体が流れる。該温度制御
媒体は、例えば、水からなり、それぞれの温度は変化さ
せることができる。また、前記温度制御媒体は、流入路
ＶＺ１〜ＶＺ５を通って、各環状チャンバに注入され、
循環経路ＲＺ１〜ＲＺ５を通って再び流れ出る。流入路
および循環経路としては、研磨板４の下部に取り付けら
れた環状の導入路が使用される。明瞭性を考慮し、前記
流入路および前記循環経路は、断面として示されてい
る。前記温度制御媒体は、サーモスタット装置７によっ
て、目標温度に保たれる。サーモスタット装置７は、環
状チャンバＺ１〜Ｚ５内の係る温度制御媒体に対する目
標温度伝達機構ＳＺ１〜ＳＺ５を指示するマスタ・コン
ピュータ８によって制御される。マスタ・コンピュータ
８の役割は、先に行われる研磨試験の測定データが格納
された記憶装置９にアクセスし、これらにより目標温度
を自動的に計算することである。

【００２２】前記温度制御媒体が、各環状チャンバＺ
１，Ｚ２，Ｚ３，Ｚ４，Ｚ５を規定された温度に保ち、
その結果、研磨板上に固有の温度を持つ同心円状に対称
な領域が形成され、研磨の最中にこの上方を半導体ウェ
ーハが通過する。利用可能な領域の個数は、設けられた
環状チャンバの数に依存する。その領域の径方向幅は、
環状チャンバの選択された径方向幅と、環状チャンバを
流れる温度制御媒体の温度に依存している。

【００２３】図２は、図１に対応して、本装置の研磨板
の水平断面の平面図を示している。もしも各環状チャン
バＺ１〜Ｚ５内で温度制御媒体の温度が他の環状チャン
バの温度制御媒体の温度と異なるならば、環状チャンバ
の個数に対応して、環状チャンバは、研磨板上に一定の
個数の環状領域を形成する。これらの領域は、関連付け
られた環状チャンバの温度制御媒体の温度に基本的に対
応した温度に保たれる。もしも温度制御媒体の温度が、
２つかそれ以上の隣接する環状チャンバにおいて一致す
るならば、研磨板上の領域はこれらの環状チャンバの径
方向幅の総計にほぼ対応した径方向幅を持つということ
になる。環状チャンバは２個〜５個設けられることが好
ましい。環状チャンバの径方向幅は、研磨される半導体
ウェーハの直径の２５〜１２０％の総計になることが好
ましい。

【００２４】図２で示された図に対する他の選択肢とし
て、固有の環状チャンバを構築しても良い（例えば、蛇
行した形状のものなど）。また、例えば研磨板の加熱要
素と冷却要素を統合するなどにより、前述の方法とは異
なる方法で、特定の温度領域を与える。それによって、
研磨板上の所定の径方向に対する温度分布を設定するこ
とが可能である。これらはまた、研磨板で利用されてい
る誘導または電源供給により操作されてもよい。

【００２５】図３（ａ）、図３（ｂ）、図４（ａ）およ
び図４（ｂ）は、本発明によって、半導体ウェーハの形
状がどのように影響されるかを、図解している。該図
は、典型的な実施形態についての結果を示している。

【００２６】図１に対応した装置での研磨実行後、正の
くさび形をした半導体ウェーハが得られた。この研磨の
実行の際、環状チャンバＺ１〜Ｚ５に対して、それぞれ
の温度が、Ｚ１＝３０℃、Ｚ２＝３０℃、Ｚ３＝４０
℃、Ｚ４＝３０℃、およびＺ５＝３０℃となるように制
御された温度制御媒体が環状チャンバ内を流れた。これ
が図３（ａ）の状態である。環状チャンバの温度を、Ｚ
１＝４０℃、Ｚ２＝４０℃、Ｚ３＝３０℃、Ｚ４＝４０
℃、およびＺ５＝４０℃と変えることにより、続くの研
磨の後で、図３（ｂ）に示されるように、ほぼ平行な面
を持った半導体ウェーハを得ることができた。

【００２７】図１に対応した装置での研磨実行後、負の
くさび形をした半導体ウェーハが得られた。この研磨の
実行の際、環状チャンバＺ１〜Ｚ５に、それぞれの温度
が、Ｚ１＝３０℃、Ｚ２＝３０℃、Ｚ３＝４０℃、Ｚ４
＝３０℃、およびＺ５＝３０℃となるように制御された
温度制御媒体が、環状チャンバ内を流れた。すなわち、
これが図４（ａ）の状態である。環状チャンバの温度を
Ｚ１＝２０℃、Ｚ２＝２０℃、Ｚ３＝５０℃、Ｚ４＝２
０℃、およびＺ５＝２０℃と変えることにより、後くの
研磨の後で、図４（ｂ）に示されるように、同様にほぼ
平行な面を持った半導体ウェーハを得ることができた。

【００２８】以下に、本発明の実施の形態を要約列挙す
る。

【００２９】＜１＞少なくとも１つの半導体ウェーハ
の少なくとも１つの面が研磨布を張り付けた研磨板に押
圧されて研磨され、それと同時に、半導体ウェーハと研
磨板とが相対移動する半導体ウェーハの研磨方法におい
て、研磨の際に、前記半導体ウェーハが、前記研磨板に
存在する少なくとも２つの領域を通過し、加えて、前記
研磨板には温度制御手段が設けられ、前記領域は所定の
径方向幅を有すると共に異なる温度であり、そして、前
記温度制御手段によって、前記半導体ウェーハが研磨さ
れる以前に、前記領域の個数、前記径方向幅および前記
温度が決定されることを特徴とする、半導体ウェーハの
研磨方法。

【００３０】＜２＞研磨板の平面図において、前記領
域が、同心円状の環状部を形成する、前記＜１＞に記載
の半導体ウェーハの研磨方法。

【００３１】＜３＞前記領域の個数、径方向幅、およ
び温度は、先に行われる研磨試験時に、研磨板の個数お
よび該研磨板の径方向に対する温度分布についての測定
結果の関数として決定される、前記＜１＞又は前記＜２
＞に記載の半導体ウェーハの研磨方法。

【００３２】＜４＞前記領域の数、径方向幅、および
温度は、予め研磨された半導体ウェーハの形状について
の分析結果の関数として決定される、前記＜１＞又は前
記＜２＞に記載の半導体ウェーハの研磨方法。

【００３３】＜５＞前記領域の個数、径方向幅、およ
び温度は、コンピュータを用いて自動的に決定される、
前記＜１＞〜前記＜４＞のいずれか１つに記載の半導体
ウェーハの研磨方法。

【００３４】＜６＞前記領域の温度を研磨時に変化さ
せる、前記＜１＞〜前記＜５＞のいずれか１つに記載の
半導体ウェーハの研磨方法。

【００３５】＜７＞研磨が、片面研磨、両面研磨、単
一ウェーハ研磨および一括研磨からなる一群の半導体ウ
ェーハの研磨方法から選択される、前記＜１＞〜前記＜
４＞のいずれか１つに記載の半導体ウェーハの研磨方
法。

【００３６】＜８＞研磨布を張付した少なくとも１つ
の研磨板を有する半導体ウェーハの研磨装置において、
前記研磨板が、同心円状に配置された複数の環状チャン
バを含む研磨板を備え、そして、前記複数の環状チャン
バは、所定の調整可能な温度を有する温度制御媒体が流
れることからなるチャンバシステムを有する半導体ウェ
ーハの研磨装置。

【００３７】＜９＞伝送された処理データに基づき各
環状チャンバ内の温度制御媒体の温度を制御するマスタ
・コンピュータを有する、前記＜８＞に記載の半導体ウ
ェーハの研磨装置。

【００３８】＜１０＞各環状チャンバが、半導体ウェ
ーハの直径の２５〜１２０％の径方向幅を有する、前記
＜８＞又は前記＜９＞に記載の半導体ウェーハの研磨装
置。

【００３９】

【発明の効果】本発明における半導体ウェーハの研磨方
法は以下のような構成からなっている。（１）同心円
状に配置されると共に温度制御媒体が流れる複数の領
域、すなわち環状チャンバを備えた研磨板を有すること
を特徴とする研磨装置を用いる。（２）前記半導体ウェーハは研磨中に前記研磨板の前
記複数の環状チャンバ上を通過する。（３）前記複数の環状チャンバが所定の径方向幅を有
して異なる温度であり、前記研磨板には温度制御手段が
設けられ、該温度制御手段により、半導体ウェーハが研
磨される以前に、該領域の個数、径方向幅および温度が
決定される。上述された本発明によって、半導体ウェー
ハを研磨する際、研磨半導体ウェーハのくさび形の度合
いが減少するように研磨の均一性を改善することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明により提供される半導体ウェーハの研磨
装置の縦断面図である。

【図２】本発明により提供される研磨板の水平断面図で
ある。

【図３】本発明の一実施形態に係る研磨方法であり、
（ａ）がくさび形の研磨前、（ｂ）が研磨後を示す。

【図４】本発明の一実施形態に係る研磨方法であり、
（ａ）がくさび形の研磨前、（ｂ）が研磨後を示す。

【符号の説明】

１研磨ヘッド２キャリヤ・プレート３研磨布４研磨板５半導体ウェーハ７サーモススタット装置８マスタ・コンピュータ９記憶装置Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３，Ｚ４，Ｚ５環状チャンバＲＺ１，ＲＺ２，ＲＺ３，ＲＺ４，ＲＺ５循環経路ＳＺ１，ＳＺ２，ＳＺ３，ＳＺ４，ＳＺ５目標温度伝
達機構ＶＺ１，ＶＺ２，ＶＺ３，ＶＺ４，ＶＺ５流入路Ｋ研磨力

フロントページの続き (72)発明者ハインリヒ・ヘンネーフェルドイツ連邦共和国アルテッティンク、ザイネル−エーディト−シュタイン−シュトラーセ５ (72)発明者ハンス・クレマードイツ連邦共和国ブルクハウゼン、インマヌエル−カント−シュトラーセ 49ツェー (72)発明者ヘルムト・キルシュナードイツ連邦共和国エンメルティンク、ゲルシュトラーセ２ (72)発明者マンフリート・トゥルネルオーストリア国アッハ、ホルツガッセン５ (72)発明者トーマス・ブシュハルトドイツ連邦共和国ブルクハウゼン、アン・フォルストポイント 18 (72)発明者クラウス・レットガードイツ連邦共和国シュナイツェー、ラタウスシュトラーセ３

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも１つの半導体ウェーハの少な
くとも１つの面が研磨布を張り付けた研磨板に押圧され
て研磨され、それと同時に、半導体ウェーハと研磨板と
が相対移動する半導体ウェーハの研磨方法において、研磨の際に、前記半導体ウェーハが、前記研磨板に存在
する少なくとも２つの領域を通過し、加えて、前記研磨
板には温度制御手段が設けられ、前記領域は所定の径方
向幅を有すると共に異なる温度であり、そして、前記温
度制御手段によって、前記半導体ウェーハが研磨される
以前に、前記領域の個数、前記径方向幅および前記温度
が決定されることを特徴とする、半導体ウェーハの研磨
方法。
【請求項２】研磨布を張付した少なくとも１つの研磨
板を有する半導体ウェーハの研磨装置において、前記研磨板が、同心円状に配置された複数の環状チャン
バを含む研磨板を備え、そして、前記複数の環状チャン
バは、所定の調整可能な温度を有する温度制御媒体が流
れることからなるチャンバシステムを有することを特徴
とする半導体ウェーハの研磨装置。