JPH11214796A - レーザ素子のヒートシンク及びその製造方法 - Google Patents
レーザ素子のヒートシンク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11214796A JPH11214796A JP10010441A JP1044198A JPH11214796A JP H11214796 A JPH11214796 A JP H11214796A JP 10010441 A JP10010441 A JP 10010441A JP 1044198 A JP1044198 A JP 1044198A JP H11214796 A JPH11214796 A JP H11214796A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- laser element
- mounting portion
- semiconductor laser
- element mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ヒートシンク本体部を確実に気密性にでき、か
つ、放熱効果を向上でき、しかも、製造を容易にできる
レーザ素子のヒートシンク及びその製造方法を提供する
ことにある。 【解決手段】表面に凹部２９が設けられると共に複数の
接続端子貫通孔２５ａ，２５ｂが設けられた板状のヒー
トシンク本体２５と、このヒートシンク本体２５の凹部
２９に一部が埋設されヒートシンク本体２５表面より突
出して設けられたレーザ素子取付部２３とを具備し、前
記レーザ素子取付部２３は、ヒートシンク本体凹部２９
の埋設部分の直径がヒートシンク本体２５表面より突出
した部分の直径より大きく形成されることを特徴とす
る。
つ、放熱効果を向上でき、しかも、製造を容易にできる
レーザ素子のヒートシンク及びその製造方法を提供する
ことにある。 【解決手段】表面に凹部２９が設けられると共に複数の
接続端子貫通孔２５ａ，２５ｂが設けられた板状のヒー
トシンク本体２５と、このヒートシンク本体２５の凹部
２９に一部が埋設されヒートシンク本体２５表面より突
出して設けられたレーザ素子取付部２３とを具備し、前
記レーザ素子取付部２３は、ヒートシンク本体凹部２９
の埋設部分の直径がヒートシンク本体２５表面より突出
した部分の直径より大きく形成されることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＣＤ、ＤＶ
Ｄの信号ピックアップ等に用いられるレーザ素子が取付
られると共にレーザ素子からの発熱を放熱するレーザ素
子のヒートシンク及びその製造方法に関するものであ
る。
Ｄの信号ピックアップ等に用いられるレーザ素子が取付
られると共にレーザ素子からの発熱を放熱するレーザ素
子のヒートシンク及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＤ、ＤＶＤの信号ピックアップ
等に用いられる半導体レーザ素子は動作中発熱するた
め、半導体レーザ素子からの発熱を放熱するため、半導
体レーザ素子をヒートシンクに取付けて用いられる。
等に用いられる半導体レーザ素子は動作中発熱するた
め、半導体レーザ素子からの発熱を放熱するため、半導
体レーザ素子をヒートシンクに取付けて用いられる。
【０００３】図６は従来の半導体レーザ素子のヒートシ
ンクを示す斜視図である。図において、１は半導体レー
ザ素子のヒートシンク、２は半導体レーザ素子、３は半
導体レーザ素子取付部、４，５は接続端子、４ａ，５ａ
は端子部、６は接地端子、７はヒートシンク本体、８
ａ，８ｂは端子貫通孔、９は素子取付部貫通孔、１０は
絶縁ガラスである。すなわち、鉄よりなる板状のヒート
シンク本体７には端子貫通孔８ａ，８ｂが設けられると
共に素子取付部貫通孔９が設けられる。前記素子取付部
貫通孔９には銅又は銅合金よりなる半導体レーザ素子取
付部３が圧入してろう付けされる。この半導体レーザ素
子取付部３の一部はヒートシンク本体７より突出して設
けられ、このヒートシンク本体７より突出した半導体レ
ーザ素子取付部３は相対向する二つの平坦面が形成され
るように圧縮され、この圧縮された平坦面の一方には半
導体レーザ素子２が取付られる。前記端子貫通孔８ａ，
８ｂには接続端子４，５がそれぞれ対応して貫通される
と共に絶縁ガラス１０により気密に封着される。前記接
続端子４，５上端には端子部４ａ，５ａがそれぞれ対応
して設けられ、この端子部４ａ，５ａは前記半導体レー
ザ素子２にワイヤボンティングにより接続される。接地
端子６はヒートシンク本体７の下面にろう付け、又は、
抵抗溶接等の方法で取付けられる。
ンクを示す斜視図である。図において、１は半導体レー
ザ素子のヒートシンク、２は半導体レーザ素子、３は半
導体レーザ素子取付部、４，５は接続端子、４ａ，５ａ
は端子部、６は接地端子、７はヒートシンク本体、８
ａ，８ｂは端子貫通孔、９は素子取付部貫通孔、１０は
絶縁ガラスである。すなわち、鉄よりなる板状のヒート
シンク本体７には端子貫通孔８ａ，８ｂが設けられると
共に素子取付部貫通孔９が設けられる。前記素子取付部
貫通孔９には銅又は銅合金よりなる半導体レーザ素子取
付部３が圧入してろう付けされる。この半導体レーザ素
子取付部３の一部はヒートシンク本体７より突出して設
けられ、このヒートシンク本体７より突出した半導体レ
ーザ素子取付部３は相対向する二つの平坦面が形成され
るように圧縮され、この圧縮された平坦面の一方には半
導体レーザ素子２が取付られる。前記端子貫通孔８ａ，
８ｂには接続端子４，５がそれぞれ対応して貫通される
と共に絶縁ガラス１０により気密に封着される。前記接
続端子４，５上端には端子部４ａ，５ａがそれぞれ対応
して設けられ、この端子部４ａ，５ａは前記半導体レー
ザ素子２にワイヤボンティングにより接続される。接地
端子６はヒートシンク本体７の下面にろう付け、又は、
抵抗溶接等の方法で取付けられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ヒートシンク本体７の
材料に鉄を用いることにより、接続端子４，５を端子貫
通孔８ａ，８ｂに絶縁ガラス１０により良好に封着する
ことができる。しかしながら、鉄の熱伝導率が銅の熱伝
導率より小さいため、半導体レーザ素子取付部３の材料
に銅を用いているが、半導体レーザ素子取付部３はヒー
トシンク本体７の素子取付部貫通孔９に埋設した部分が
ヒートシンク本体７の上面より突出した部分より小さい
ため、十分な放熱効果を得ることができない。また、半
導体レーザ素子取付部３はヒートシンク本体７の素子取
付部貫通孔９に圧入されるため、ヒートシンク本体７に
亀裂が生じる虞があり、気密性に問題があった。
材料に鉄を用いることにより、接続端子４，５を端子貫
通孔８ａ，８ｂに絶縁ガラス１０により良好に封着する
ことができる。しかしながら、鉄の熱伝導率が銅の熱伝
導率より小さいため、半導体レーザ素子取付部３の材料
に銅を用いているが、半導体レーザ素子取付部３はヒー
トシンク本体７の素子取付部貫通孔９に埋設した部分が
ヒートシンク本体７の上面より突出した部分より小さい
ため、十分な放熱効果を得ることができない。また、半
導体レーザ素子取付部３はヒートシンク本体７の素子取
付部貫通孔９に圧入されるため、ヒートシンク本体７に
亀裂が生じる虞があり、気密性に問題があった。
【０００５】又、従来は半導体レーザ素子取付部３を単
体で高精度に製造することが困難であり、更に、従来の
半導体レーザ素子取付部３は素子取付部貫通孔９にろう
付けするため、例えば１０００℃等の高熱に加熱される
ことにより、半導体レーザ素子取付部３の位置精度が低
下する欠点があった。
体で高精度に製造することが困難であり、更に、従来の
半導体レーザ素子取付部３は素子取付部貫通孔９にろう
付けするため、例えば１０００℃等の高熱に加熱される
ことにより、半導体レーザ素子取付部３の位置精度が低
下する欠点があった。
【０００６】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
で、ヒートシンク本体部を確実に気密性にし得、かつ、
放熱効果を向上し得、しかも、製造を容易にして高精
度、安価にし得るレーザ素子のヒートシンク及びその製
造方法を提供することを目的とする。
で、ヒートシンク本体部を確実に気密性にし得、かつ、
放熱効果を向上し得、しかも、製造を容易にして高精
度、安価にし得るレーザ素子のヒートシンク及びその製
造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のレーザ素子のヒートシンクは、表面に凹部が
設けられると共に複数の接続端子貫通孔が設けられた板
状のヒートシンク本体と、このヒートシンク本体の凹部
に一部が埋設されヒートシンク本体表面より突出して設
けられたレーザ素子取付部とを具備し、前記レーザ素子
取付部は、ヒートシンク本体凹部の埋設部分の直径がヒ
ートシンク本体表面より突出した部分の直径より大きく
形成されることを特徴とするものである。
に本発明のレーザ素子のヒートシンクは、表面に凹部が
設けられると共に複数の接続端子貫通孔が設けられた板
状のヒートシンク本体と、このヒートシンク本体の凹部
に一部が埋設されヒートシンク本体表面より突出して設
けられたレーザ素子取付部とを具備し、前記レーザ素子
取付部は、ヒートシンク本体凹部の埋設部分の直径がヒ
ートシンク本体表面より突出した部分の直径より大きく
形成されることを特徴とするものである。
【０００８】また本発明のレーザ素子のヒートシンク製
造方法は、板状のヒートシンク本体部に凹部を形成する
凹部形成工程と、この凹部形成工程で形成された凹部に
レーザ素子取付部用材料を圧入する圧入工程と、この圧
入工程の後、前記レーザ素子取付部用材料とヒートシン
ク本体部の表面が平坦になるように圧縮する圧縮工程
と、この圧縮工程の後、前記ヒートシンク本体部及びレ
ーザ素子取付部用材料を金型に圧入してヒートシンク本
体部を成型すると共にレーザ素子取付部用材料の一部を
ヒートシンク本体表面より突出する成型工程と、前記ヒ
ートシンク本体に接続端子貫通孔を設ける貫通孔形成工
程とを具備することを特徴とする。
造方法は、板状のヒートシンク本体部に凹部を形成する
凹部形成工程と、この凹部形成工程で形成された凹部に
レーザ素子取付部用材料を圧入する圧入工程と、この圧
入工程の後、前記レーザ素子取付部用材料とヒートシン
ク本体部の表面が平坦になるように圧縮する圧縮工程
と、この圧縮工程の後、前記ヒートシンク本体部及びレ
ーザ素子取付部用材料を金型に圧入してヒートシンク本
体部を成型すると共にレーザ素子取付部用材料の一部を
ヒートシンク本体表面より突出する成型工程と、前記ヒ
ートシンク本体に接続端子貫通孔を設ける貫通孔形成工
程とを具備することを特徴とする。
【０００９】また本発明のレーザ素子のヒートシンク製
造方法は、板状のヒートシンク本体部に貫通孔を形成す
る貫通孔形成工程と、この貫通孔形成工程で形成された
貫通孔にレーザ素子取付部用材料を圧入する圧入工程
と、この圧入工程の後、前記レーザ素子取付部用材料と
ヒートシンク本体部の表面が平坦になるように圧縮する
圧縮工程と、この圧縮工程の後、前記ヒートシンク本体
部及びレーザ素子取付部用材料を金型に圧入してヒート
シンク本体部を成型すると共にレーザ素子取付部用材料
の一部をヒートシンク本体表面より突出する成型工程
と、前記ヒートシンク本体に接続端子貫通孔を設ける貫
通孔形成工程とを具備することを特徴とする。
造方法は、板状のヒートシンク本体部に貫通孔を形成す
る貫通孔形成工程と、この貫通孔形成工程で形成された
貫通孔にレーザ素子取付部用材料を圧入する圧入工程
と、この圧入工程の後、前記レーザ素子取付部用材料と
ヒートシンク本体部の表面が平坦になるように圧縮する
圧縮工程と、この圧縮工程の後、前記ヒートシンク本体
部及びレーザ素子取付部用材料を金型に圧入してヒート
シンク本体部を成型すると共にレーザ素子取付部用材料
の一部をヒートシンク本体表面より突出する成型工程
と、前記ヒートシンク本体に接続端子貫通孔を設ける貫
通孔形成工程とを具備することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態例を詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態
例を示す斜視図である。図において、２１は半導体レー
ザ素子のヒートシンク、２２は半導体レーザ素子、２３
は半導体レーザ素子取付部、２３ａは半導体レーザ素子
取付部の突出部、２３ｂは半導体レーザ素子取付部の埋
設部、２４ａ，２４ｂは接続端子、２５はヒートシンク
本体、２５ａ，２５ｂは端子貫通孔、２６は接地端子、
２７ａ，２７ｂは端子部、２８ａ，２８ｂは絶縁ガラ
ス、２９は半導体レーザ素子取付部用の凹部ある。すな
わち、鉄よりなる板状のヒートシンク本体２５には端子
貫通孔２５ａ，２５ｂが設けられると共に半導体レーザ
素子取付部用の凹部２９が設けられる。前記半導体レー
ザ素子取付部用の凹部２９には銅又は銅合金よりなる半
導体レーザ素子取付部２３が植設される。この場合、前
記レーザ素子取付部２３は、半導体レーザ素子取付部用
の凹部２９に埋設された埋設部２３ｂの直径がヒートシ
ンク本体２５の表面より突出した突出部２３ａの直径よ
り大きく形成される。前記半導体レーザ素子取付部２３
のヒートシンク本体７より突出した側面には半導体レー
ザ素子２２が取付られる。前記端子貫通孔２５ａ，２５
ｂには接続端子２４ａ，２４ｂがそれぞれ対応して貫通
されると共に絶縁ガラス２８ａ，２８ｂにより気密に封
着される。前記接続端子２４ａ，２４ｂの上端部には端
子部２７ａ，２７ｂがそれぞれ対応して設けられ、この
端子部２７ａ，２７ｂは前記半導体レーザ素子２２にワ
イヤボンティングにより接続される。接地端子２６はヒ
ートシンク本体２５の下面にろう付け、又は、抵抗溶接
等の方法で取付けられる。
の形態例を詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態
例を示す斜視図である。図において、２１は半導体レー
ザ素子のヒートシンク、２２は半導体レーザ素子、２３
は半導体レーザ素子取付部、２３ａは半導体レーザ素子
取付部の突出部、２３ｂは半導体レーザ素子取付部の埋
設部、２４ａ，２４ｂは接続端子、２５はヒートシンク
本体、２５ａ，２５ｂは端子貫通孔、２６は接地端子、
２７ａ，２７ｂは端子部、２８ａ，２８ｂは絶縁ガラ
ス、２９は半導体レーザ素子取付部用の凹部ある。すな
わち、鉄よりなる板状のヒートシンク本体２５には端子
貫通孔２５ａ，２５ｂが設けられると共に半導体レーザ
素子取付部用の凹部２９が設けられる。前記半導体レー
ザ素子取付部用の凹部２９には銅又は銅合金よりなる半
導体レーザ素子取付部２３が植設される。この場合、前
記レーザ素子取付部２３は、半導体レーザ素子取付部用
の凹部２９に埋設された埋設部２３ｂの直径がヒートシ
ンク本体２５の表面より突出した突出部２３ａの直径よ
り大きく形成される。前記半導体レーザ素子取付部２３
のヒートシンク本体７より突出した側面には半導体レー
ザ素子２２が取付られる。前記端子貫通孔２５ａ，２５
ｂには接続端子２４ａ，２４ｂがそれぞれ対応して貫通
されると共に絶縁ガラス２８ａ，２８ｂにより気密に封
着される。前記接続端子２４ａ，２４ｂの上端部には端
子部２７ａ，２７ｂがそれぞれ対応して設けられ、この
端子部２７ａ，２７ｂは前記半導体レーザ素子２２にワ
イヤボンティングにより接続される。接地端子２６はヒ
ートシンク本体２５の下面にろう付け、又は、抵抗溶接
等の方法で取付けられる。
【００１１】このように、鉄よりなるヒートシンク本体
２５の凹部２９に銅又は銅合金よりなる半導体レーザ素
子取付部２３が植設されるため、ヒートシンク本体２５
にクラック等が発生することがなく、ヒートシンク本体
２５の気密性を損なうことがなく、気密性を確実にする
ことができる。また、レーザ素子取付部２３は、半導体
レーザ素子取付部用の凹部２９に埋設された埋設部２３
ｂの直径がヒートシンク本体２５の表面より突出した突
出部２３ａの直径より大きく形成され、放熱効果の良い
銅を多く用いることができるため、放熱効果を向上する
ことができる。なお、ヒートシンク本体２５に鉄を用い
ることにより、接続端子２４ａ，２４ｂを端子貫通孔２
５ａ，２５ｂに絶縁ガラス２８ａ，２８ｂにより気密に
封着する際、良好に封着することができる。
２５の凹部２９に銅又は銅合金よりなる半導体レーザ素
子取付部２３が植設されるため、ヒートシンク本体２５
にクラック等が発生することがなく、ヒートシンク本体
２５の気密性を損なうことがなく、気密性を確実にする
ことができる。また、レーザ素子取付部２３は、半導体
レーザ素子取付部用の凹部２９に埋設された埋設部２３
ｂの直径がヒートシンク本体２５の表面より突出した突
出部２３ａの直径より大きく形成され、放熱効果の良い
銅を多く用いることができるため、放熱効果を向上する
ことができる。なお、ヒートシンク本体２５に鉄を用い
ることにより、接続端子２４ａ，２４ｂを端子貫通孔２
５ａ，２５ｂに絶縁ガラス２８ａ，２８ｂにより気密に
封着する際、良好に封着することができる。
【００１２】図２（ａ）〜（ｅ），（ｂ′）〜（ｅ′）
及び図３（ｆ）〜（ｊ），（ｆ′）は本発明に係る半導
体レーザ素子のヒートシンク製造方法の一例を示す平面
図（（ａ）〜（ｊ））及び拡大断面図（（ｂ′）〜
（ｆ′））である。すなわち、先ず図２（ａ）の工程に
おいて、細長い鉄板３０の両側縁部近傍にそれぞれパイ
ロット穴３１及び第１の窓穴３２をプレス加工により設
ける。次に図２（ｂ），（ｂ′）の工程において、前記
第１の窓穴３２の間に半導体レーザ素子取付部用の凹部
２９をプレス加工により設ける。次に図２（ｃ），
（ｃ′）の工程において、前記第１の窓穴３２及び凹部
２９を挟むようにして第２の窓穴３３をプレス加工によ
り設ける。次に図２（ｄ），（ｄ′）の工程において、
前記半導体レーザ素子取付部用の凹部２９の内部に半導
体レーザ素子取付部用の銅部材３４を圧入する。この場
合、銅部材３４は凹部２９の内部容積より僅かに少なく
する。次に図２（ｅ），（ｅ′）の工程において、前記
第１の窓穴３２及び第２の窓穴３３で囲まれた部分の上
面が平坦になるようにプレス加工する。この場合、凹部
２９の開口周縁部が銅部材３４の上面周縁部に被さるよ
うになり、銅部材３４が鉄板３０によりカシメられる。
次に図３（ｆ），（ｆ′）の工程において、前記第１の
窓穴３２及び第２の窓穴３３で囲まれた部分の上面が図
示しない金型に圧入されるようにプレス加工する。この
場合、加工によりヒートシンク本体２５が円形に残され
るように周囲が薄くプレス加工され、かつ、銅部材３４
の一部がヒートシンク本体２５の上面より突出されて半
導体レーザ素子取付部２３が形成される。この半導体レ
ーザ素子取付部２３は凹部２９に埋設された埋設部２３
ｂの直径がヒートシンク本体２５の表面より突出した突
出部２３ａの直径より大きく形成される。次に図３
（ｇ）の工程において、前記ヒートシンク本体２５の上
面に半導体レーザ素子取付部２３近傍から除々に深くな
るような傾斜凹部３５をプレス加工により形成する。次
に図３（ｈ）の工程において、前記ヒートシンク本体２
５に端子貫通孔２５ａ，２５ｂをプレス加工により形成
する。次に図３（ｉ）の工程において、前記ヒートシン
ク本体２５の周縁部に切り欠き部３６を設けるようにプ
レス加工して所定の形状に形成する。次に図３（ｊ）の
工程において、前記ヒートシンク本体２５をプレス加工
により抜き落とす。
及び図３（ｆ）〜（ｊ），（ｆ′）は本発明に係る半導
体レーザ素子のヒートシンク製造方法の一例を示す平面
図（（ａ）〜（ｊ））及び拡大断面図（（ｂ′）〜
（ｆ′））である。すなわち、先ず図２（ａ）の工程に
おいて、細長い鉄板３０の両側縁部近傍にそれぞれパイ
ロット穴３１及び第１の窓穴３２をプレス加工により設
ける。次に図２（ｂ），（ｂ′）の工程において、前記
第１の窓穴３２の間に半導体レーザ素子取付部用の凹部
２９をプレス加工により設ける。次に図２（ｃ），
（ｃ′）の工程において、前記第１の窓穴３２及び凹部
２９を挟むようにして第２の窓穴３３をプレス加工によ
り設ける。次に図２（ｄ），（ｄ′）の工程において、
前記半導体レーザ素子取付部用の凹部２９の内部に半導
体レーザ素子取付部用の銅部材３４を圧入する。この場
合、銅部材３４は凹部２９の内部容積より僅かに少なく
する。次に図２（ｅ），（ｅ′）の工程において、前記
第１の窓穴３２及び第２の窓穴３３で囲まれた部分の上
面が平坦になるようにプレス加工する。この場合、凹部
２９の開口周縁部が銅部材３４の上面周縁部に被さるよ
うになり、銅部材３４が鉄板３０によりカシメられる。
次に図３（ｆ），（ｆ′）の工程において、前記第１の
窓穴３２及び第２の窓穴３３で囲まれた部分の上面が図
示しない金型に圧入されるようにプレス加工する。この
場合、加工によりヒートシンク本体２５が円形に残され
るように周囲が薄くプレス加工され、かつ、銅部材３４
の一部がヒートシンク本体２５の上面より突出されて半
導体レーザ素子取付部２３が形成される。この半導体レ
ーザ素子取付部２３は凹部２９に埋設された埋設部２３
ｂの直径がヒートシンク本体２５の表面より突出した突
出部２３ａの直径より大きく形成される。次に図３
（ｇ）の工程において、前記ヒートシンク本体２５の上
面に半導体レーザ素子取付部２３近傍から除々に深くな
るような傾斜凹部３５をプレス加工により形成する。次
に図３（ｈ）の工程において、前記ヒートシンク本体２
５に端子貫通孔２５ａ，２５ｂをプレス加工により形成
する。次に図３（ｉ）の工程において、前記ヒートシン
ク本体２５の周縁部に切り欠き部３６を設けるようにプ
レス加工して所定の形状に形成する。次に図３（ｊ）の
工程において、前記ヒートシンク本体２５をプレス加工
により抜き落とす。
【００１３】図２（ａ）〜（ｅ），（ｂ″）〜（ｅ″）
及び図３（ｆ）〜（ｊ），（ｆ″）は本発明に係る半導
体レーザ素子のヒートシンク製造方法の他の例を示す平
面図（（ａ）〜（ｊ））及び拡大断面図（（ｂ″）〜
（ｆ″））である。すなわち、先ず図２（ａ）の工程に
おいて、細長い鉄板３０の両側縁部近傍にそれぞれパイ
ロット穴３１及び第１の窓穴３２をプレス加工により設
ける。次に図２（ｂ），（ｂ″）の工程において、前記
第１の窓穴３２の間に半導体レーザ素子取付部用の貫通
孔２９′をプレス加工により設ける。次に図２（ｃ），
（ｃ″）の工程において、前記第１の窓穴３２及び貫通
孔２９′を挟むようにして第２の窓穴３３をプレス加工
により設ける。次に図２（ｄ），（ｄ″）の工程におい
て、前記半導体レーザ素子取付部用の貫通孔２９′の内
部に半導体レーザ素子取付部用の銅部材３４′を圧入す
る。この場合、銅部材３４′は貫通孔２９′の内部容積
より僅かに少なくする。次に図２（ｅ），（ｅ″）の工
程において、前記第１の窓穴３２及び第２の窓穴３３で
囲まれた部分の上面が平坦になるようにプレス加工す
る。この場合、貫通孔２９′の開口周縁部が銅部材３
４′の上面周縁部に被さるようになり、銅部材３４′が
鉄板３０によりカシメられる。次に図３（ｆ），
（ｆ″）の工程において、前記第１の窓穴３２及び第２
の窓穴３３で囲まれた部分の上面が図示しない金型に圧
入されるようにプレス加工する。この場合、加工により
ヒートシンク本体２５が円形に残されるように周囲が薄
くプレス加工され、かつ、銅部材３４′の一部がヒート
シンク本体２５の上面より突出されて半導体レーザ素子
取付部２３′が形成される。この半導体レーザ素子取付
部２３′は貫通孔２９′に埋設された埋設部２３′ｂの
直径がヒートシンク本体２５の表面より突出した突出部
２３′ａの直径より大きく形成される。次に図３（ｇ）
の工程において、前記ヒートシンク本体２５の上面に半
導体レーザ素子取付部２３′近傍から除々に深くなるよ
うな傾斜凹部３５をプレス加工により形成する。次に図
３（ｈ）の工程において、前記ヒートシンク本体２５に
端子貫通孔２５ａ，２５ｂをプレス加工により形成す
る。次に図３（ｉ）の工程において、前記ヒートシンク
本体２５の周縁部に切り欠き部３６を設けるようにプレ
ス加工して所定の形状に形成する。次に図３（ｊ）の工
程において、前記ヒートシンク本体２５をプレス加工に
より抜き落とす。
及び図３（ｆ）〜（ｊ），（ｆ″）は本発明に係る半導
体レーザ素子のヒートシンク製造方法の他の例を示す平
面図（（ａ）〜（ｊ））及び拡大断面図（（ｂ″）〜
（ｆ″））である。すなわち、先ず図２（ａ）の工程に
おいて、細長い鉄板３０の両側縁部近傍にそれぞれパイ
ロット穴３１及び第１の窓穴３２をプレス加工により設
ける。次に図２（ｂ），（ｂ″）の工程において、前記
第１の窓穴３２の間に半導体レーザ素子取付部用の貫通
孔２９′をプレス加工により設ける。次に図２（ｃ），
（ｃ″）の工程において、前記第１の窓穴３２及び貫通
孔２９′を挟むようにして第２の窓穴３３をプレス加工
により設ける。次に図２（ｄ），（ｄ″）の工程におい
て、前記半導体レーザ素子取付部用の貫通孔２９′の内
部に半導体レーザ素子取付部用の銅部材３４′を圧入す
る。この場合、銅部材３４′は貫通孔２９′の内部容積
より僅かに少なくする。次に図２（ｅ），（ｅ″）の工
程において、前記第１の窓穴３２及び第２の窓穴３３で
囲まれた部分の上面が平坦になるようにプレス加工す
る。この場合、貫通孔２９′の開口周縁部が銅部材３
４′の上面周縁部に被さるようになり、銅部材３４′が
鉄板３０によりカシメられる。次に図３（ｆ），
（ｆ″）の工程において、前記第１の窓穴３２及び第２
の窓穴３３で囲まれた部分の上面が図示しない金型に圧
入されるようにプレス加工する。この場合、加工により
ヒートシンク本体２５が円形に残されるように周囲が薄
くプレス加工され、かつ、銅部材３４′の一部がヒート
シンク本体２５の上面より突出されて半導体レーザ素子
取付部２３′が形成される。この半導体レーザ素子取付
部２３′は貫通孔２９′に埋設された埋設部２３′ｂの
直径がヒートシンク本体２５の表面より突出した突出部
２３′ａの直径より大きく形成される。次に図３（ｇ）
の工程において、前記ヒートシンク本体２５の上面に半
導体レーザ素子取付部２３′近傍から除々に深くなるよ
うな傾斜凹部３５をプレス加工により形成する。次に図
３（ｈ）の工程において、前記ヒートシンク本体２５に
端子貫通孔２５ａ，２５ｂをプレス加工により形成す
る。次に図３（ｉ）の工程において、前記ヒートシンク
本体２５の周縁部に切り欠き部３６を設けるようにプレ
ス加工して所定の形状に形成する。次に図３（ｊ）の工
程において、前記ヒートシンク本体２５をプレス加工に
より抜き落とす。
【００１４】このように、本発明に係る半導体レーザ素
子のヒートシンク製造方法ではプレス加工により半導体
レーザ素子取付部２３，２３′を製造できるため、半導
体レーザ素子取付部２３，２３′を飛躍的に高精度に製
造することができると共に、製造が容易になり、飛躍的
にコストダウンになる。
子のヒートシンク製造方法ではプレス加工により半導体
レーザ素子取付部２３，２３′を製造できるため、半導
体レーザ素子取付部２３，２３′を飛躍的に高精度に製
造することができると共に、製造が容易になり、飛躍的
にコストダウンになる。
【００１５】図４及び図５はそれぞれ本発明の変形例を
示す平面図である。図中、図１と同一部分に相当する部
分は同一符号を付してその説明を省略する。すなわち、
図４は外周形状が円形の一部に小さな波形部３７を有す
る半導体レーザ素子取付部用の凹部２９１を設けた半導
体レーザ素子のヒートシンク本体２５１であり、図５は
外周形状が円形の一部に大きな波形部３８を有する半導
体レーザ素子取付部用の凹部２９２を設けた半導体レー
ザ素子のヒートシンク本体２５２である。このように、
半導体レーザ素子取付部用の凹部に波形部を設けること
により、半導体レーザ素子取付部が回転することがな
く、しかも半導体レーザ素子取付部の密着度もよくな
る。
示す平面図である。図中、図１と同一部分に相当する部
分は同一符号を付してその説明を省略する。すなわち、
図４は外周形状が円形の一部に小さな波形部３７を有す
る半導体レーザ素子取付部用の凹部２９１を設けた半導
体レーザ素子のヒートシンク本体２５１であり、図５は
外周形状が円形の一部に大きな波形部３８を有する半導
体レーザ素子取付部用の凹部２９２を設けた半導体レー
ザ素子のヒートシンク本体２５２である。このように、
半導体レーザ素子取付部用の凹部に波形部を設けること
により、半導体レーザ素子取付部が回転することがな
く、しかも半導体レーザ素子取付部の密着度もよくな
る。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、ヒー
トシンク本体部を確実に気密性にでき、かつ、放熱効果
を向上でき、しかも、プレス加工により半導体レーザ素
子取付部を製造できるため、半導体レーザ素子取付部を
飛躍的に高精度に製造することができると共に、製造が
容易になり、飛躍的にコストダウンになるレーザ素子の
ヒートシンク及びその製造方法を提供することができ
る。
トシンク本体部を確実に気密性にでき、かつ、放熱効果
を向上でき、しかも、プレス加工により半導体レーザ素
子取付部を製造できるため、半導体レーザ素子取付部を
飛躍的に高精度に製造することができると共に、製造が
容易になり、飛躍的にコストダウンになるレーザ素子の
ヒートシンク及びその製造方法を提供することができ
る。
【図１】本発明の一実施形態例を示す斜視図である。
【図２】本発明に係る半導体レーザ素子のヒートシンク
製造方法例を示す平面図及び拡大断面図である。
製造方法例を示す平面図及び拡大断面図である。
【図３】本発明に係る半導体レーザ素子のヒートシンク
製造方法例を示す平面図及び拡大断面図である。
製造方法例を示す平面図及び拡大断面図である。
【図４】本発明の変形例を示す平面図である。
【図５】本発明の変形例を示す平面図である。
【図６】従来の半導体レーザ素子のヒートシンクを示す
斜視図である。
斜視図である。
２１ 半導体レーザ素子のヒートシンク ２２ 半導体レーザ素子 ２３ 半導体レーザ素子取付部 ２３ａ 半導体レーザ素子取付部の突出部 ２３ｂ 半導体レーザ素子取付部の埋設部 ２４ａ，２４ｂ 接続端子 ２５ ヒートシンク本体 ２５ａ，２５ｂ 端子貫通孔 ２６ 接地端子 ２７ａ，２７ｂ 端子部 ２８ａ，２８ｂ 絶縁ガラス ２９ 半導体レーザ素子取付部用の凹部
Claims (3)
- 【請求項１】 表面に凹部が設けられると共に複数の接
続端子貫通孔が設けられた板状のヒートシンク本体と、 このヒートシンク本体の凹部に一部が埋設されヒートシ
ンク本体表面より突出して設けられたレーザ素子取付部
とを具備し、 前記レーザ素子取付部は、ヒートシンク本体凹部の埋設
部分の直径がヒートシンク本体表面より突出した部分の
直径より大きく形成されることを特徴とするレーザ素子
のヒートシンク。 - 【請求項２】 板状のヒートシンク本体部に凹部を形成
する凹部形成工程と、 この凹部形成工程で形成された凹部にレーザ素子取付部
用材料を圧入する圧入工程と、 この圧入工程の後、前記レーザ素子取付部用材料とヒー
トシンク本体部の表面が平坦になるように圧縮する圧縮
工程と、 この圧縮工程の後、前記ヒートシンク本体部及びレーザ
素子取付部用材料を金型に圧入してヒートシンク本体部
を成型すると共にレーザ素子取付部用材料の一部をヒー
トシンク本体表面より突出する成型工程と、 前記ヒートシンク本体に接続端子貫通孔を設ける貫通孔
形成工程とを具備することを特徴とするレーザ素子のヒ
ートシンク製造方法。 - 【請求項３】 板状のヒートシンク本体部に貫通孔を形
成する貫通孔形成工程と、 この貫通孔形成工程で形成された貫通孔にレーザ素子取
付部用材料を圧入する圧入工程と、 この圧入工程の後、前記レーザ素子取付部用材料とヒー
トシンク本体部の表面が平坦になるように圧縮する圧縮
工程と、 この圧縮工程の後、前記ヒートシンク本体部及びレーザ
素子取付部用材料を金型に圧入してヒートシンク本体部
を成型すると共にレーザ素子取付部用材料の一部をヒー
トシンク本体表面より突出する成型工程と、 前記ヒートシンク本体に接続端子貫通孔を設ける貫通孔
形成工程とを具備することを特徴とするレーザ素子のヒ
ートシンク製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10010441A JPH11214796A (ja) | 1998-01-22 | 1998-01-22 | レーザ素子のヒートシンク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10010441A JPH11214796A (ja) | 1998-01-22 | 1998-01-22 | レーザ素子のヒートシンク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214796A true JPH11214796A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11750253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10010441A Pending JPH11214796A (ja) | 1998-01-22 | 1998-01-22 | レーザ素子のヒートシンク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214796A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012060044A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ用ステムおよび半導体パッケージ用ステムの製造方法 |
-
1998
- 1998-01-22 JP JP10010441A patent/JPH11214796A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012060044A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ用ステムおよび半導体パッケージ用ステムの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3165078B2 (ja) | 表面実装部品の製造方法 | |
| JPS6143851B2 (ja) | ||
| US11742251B2 (en) | Power semiconductor device including press-fit connection terminal | |
| JP4262937B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP4800556B2 (ja) | 半導体構成素子を電気構成群と電気接続する方法 | |
| JP4162363B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3616698B2 (ja) | ヒートシンク付きステムの製造方法 | |
| WO2002037562A1 (en) | Lead frame and semiconductor device using this | |
| JPH08242041A (ja) | ヒートシンク | |
| JP3513295B2 (ja) | 気密端子用ステム | |
| JP3209121B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JPH0735403Y2 (ja) | リードフレーム | |
| JP3854208B2 (ja) | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 | |
| JP4367009B2 (ja) | ヒートシンク付き気密端子およびその製造方法 | |
| JPH08153844A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2009135269A (ja) | 光半導体素子用パッケージおよび光半導体装置 | |
| JP3053662U (ja) | ダイの気密封止パッケージング構造 | |
| JPH10261755A (ja) | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2000068101A (ja) | 抵抗器及びその製造方法 | |
| JP2606051Y2 (ja) | 気密端子 | |
| JPH0431745Y2 (ja) | ||
| JP2002134215A (ja) | ケース一体コネクタ | |
| JPH0727177U (ja) | ヒートシンク | |
| JP2001358275A (ja) | リードフレーム及び半導体装置 | |
| JPH04237975A (ja) | 気密端子およびその製造方法 |