JPH1121664A - 相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット材料およびその製造法 - Google Patents
相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット材料およびその製造法Info
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- JPH1121664A JPH1121664A JP9187266A JP18726697A JPH1121664A JP H1121664 A JPH1121664 A JP H1121664A JP 9187266 A JP9187266 A JP 9187266A JP 18726697 A JP18726697 A JP 18726697A JP H1121664 A JPH1121664 A JP H1121664A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 相変化型光記録媒体のＺｎＳ−ＳｉＯ2 系保
護膜をスパッタリングによって成膜するためのターゲッ
ト材料として，プレスパッター時間を短縮し且つスパッ
ターレートを増進し，しかも高品質の保護膜が形成でき
るターゲット材料を得る。 【解決手段】 ＺｎＳとＳｉＯ2 からなるスパッタリン
グターゲット材料であって，ＺｎＳに対するＺｎＯ2-X
（０≦Ｘ＜２）とＺｎＣＯ3 の含有比率が，ＥＳＣＡで
検出されるこれら化合物のピーク面積強度で評価したと
きに， （ＺｎＯ2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)2＋ＺｎＣＯ3 ）／ＺｎＳの
面積強度比≦１ である，相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパッタリ
ングターゲット材料。
護膜をスパッタリングによって成膜するためのターゲッ
ト材料として，プレスパッター時間を短縮し且つスパッ
ターレートを増進し，しかも高品質の保護膜が形成でき
るターゲット材料を得る。 【解決手段】 ＺｎＳとＳｉＯ2 からなるスパッタリン
グターゲット材料であって，ＺｎＳに対するＺｎＯ2-X
（０≦Ｘ＜２）とＺｎＣＯ3 の含有比率が，ＥＳＣＡで
検出されるこれら化合物のピーク面積強度で評価したと
きに， （ＺｎＯ2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)2＋ＺｎＣＯ3 ）／ＺｎＳの
面積強度比≦１ である，相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパッタリ
ングターゲット材料。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，相変化型光記録媒
体の保護膜をスパッタリングで成膜するさいのターゲッ
ト材料およびその製造法に関する。
体の保護膜をスパッタリングで成膜するさいのターゲッ
ト材料およびその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】低融点金属薄膜を光ビームで可逆的な相
変態を行わせて情報の記録・再生・消去を行わせる相変
化型光記録媒体は，周知のように，例えばＴｅ，Ｇｅ，
Ｓｂ等を含む低融点合金の記録膜の両面を耐熱性の誘電
体保護膜で覆ったうえ，一方の面に反射膜を形成した基
本構造を有し，強度変調した光ビームを照射することに
より，該金属膜の融点以上の加熱と冷却により該金属を
非晶質とする変態と，該非晶質状態から結晶化温度以上
融点以下の加熱と冷却により該金属を結晶化する変態と
を行わせることにより情報の記録や消去を行うものであ
るが，その保護膜としては，特開昭６３−２７６７２号
公報や特公平４−３６１６４号公報に見られるように，
ＺｎＳとＳｉＯ2 からなる誘電体薄膜をスパッタリング
で成膜することが知られている。また一部には，特開昭
６０−２１３７２に見られるようにＺｎＳだけを用いた
ものもある。
変態を行わせて情報の記録・再生・消去を行わせる相変
化型光記録媒体は，周知のように，例えばＴｅ，Ｇｅ，
Ｓｂ等を含む低融点合金の記録膜の両面を耐熱性の誘電
体保護膜で覆ったうえ，一方の面に反射膜を形成した基
本構造を有し，強度変調した光ビームを照射することに
より，該金属膜の融点以上の加熱と冷却により該金属を
非晶質とする変態と，該非晶質状態から結晶化温度以上
融点以下の加熱と冷却により該金属を結晶化する変態と
を行わせることにより情報の記録や消去を行うものであ
るが，その保護膜としては，特開昭６３−２７６７２号
公報や特公平４−３６１６４号公報に見られるように，
ＺｎＳとＳｉＯ2 からなる誘電体薄膜をスパッタリング
で成膜することが知られている。また一部には，特開昭
６０−２１３７２に見られるようにＺｎＳだけを用いた
ものもある。
【０００３】このような光記録媒体（以下，光ディスク
と略称することがある）の保護膜に要求される性質とし
ては，レーザー光に対して無反射膜とするために屈折率
が２から３以内の範囲であること，熱伝導率が高いとそ
の分レーザーのパワーを上げる必要があるので熱伝導率
が低いこと，レーザーに対して光吸収しないこと，記録
膜の結晶化速度は保護膜と記録膜の表面張力が強いほど
結晶化速度が速くなる傾向があるので塗れ性が良いこ
と，記録膜と保護膜の熱膨張率の差が少ないこと，記録
膜の化学的安定性は両面にある保護膜の材質によって決
まるので保護膜の酸素拡散量が低いこと，耐湿性である
こと，保護膜自体の化学的安定性が良好であること等が
挙げられるが，ＺｎＳ−ＳｉＯ2 系のものでは，これら
の諸性質をほとんど満たすことができるので該保護膜の
主流となっている。
と略称することがある）の保護膜に要求される性質とし
ては，レーザー光に対して無反射膜とするために屈折率
が２から３以内の範囲であること，熱伝導率が高いとそ
の分レーザーのパワーを上げる必要があるので熱伝導率
が低いこと，レーザーに対して光吸収しないこと，記録
膜の結晶化速度は保護膜と記録膜の表面張力が強いほど
結晶化速度が速くなる傾向があるので塗れ性が良いこ
と，記録膜と保護膜の熱膨張率の差が少ないこと，記録
膜の化学的安定性は両面にある保護膜の材質によって決
まるので保護膜の酸素拡散量が低いこと，耐湿性である
こと，保護膜自体の化学的安定性が良好であること等が
挙げられるが，ＺｎＳ−ＳｉＯ2 系のものでは，これら
の諸性質をほとんど満たすことができるので該保護膜の
主流となっている。
【０００４】このＺｎＳ−ＳｉＯ2 系保護膜の形成には
スパッタリング技術が用いられ，対向式スパッター法が
主流となっているが，このスパッタリングを行うターゲ
ット材料の特性としては，(1) スパッターレートが安定
するまでの時間（プレスパッター時間と呼ばれる）が短
いこと，(2) スパッターレートが大きいこと，(3) スパ
ッター時の投入パワーが大きくてもターゲットが割れな
いこと，(4) ターゲットからガスが発生しないこと等の
特性を有することが要望されている。
スパッタリング技術が用いられ，対向式スパッター法が
主流となっているが，このスパッタリングを行うターゲ
ット材料の特性としては，(1) スパッターレートが安定
するまでの時間（プレスパッター時間と呼ばれる）が短
いこと，(2) スパッターレートが大きいこと，(3) スパ
ッター時の投入パワーが大きくてもターゲットが割れな
いこと，(4) ターゲットからガスが発生しないこと等の
特性を有することが要望されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】光ディスクにおけるＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2 系保護膜をスパッタリングで成膜するさ
いに，ターゲット材料に要求される前記(1) 〜(4) の特
性のうち，(1) や(2) の特性は，光ディスク１枚あたり
の製造時間を決める要因となるので特に重要である。し
かし，このターゲットの材料特性がスパッターレートや
膜質の安定性にどのように影響を及ぼすかについて，こ
れまで必ずしも十分な解明がなされていなかった。
ｎＳ−ＳｉＯ2 系保護膜をスパッタリングで成膜するさ
いに，ターゲット材料に要求される前記(1) 〜(4) の特
性のうち，(1) や(2) の特性は，光ディスク１枚あたり
の製造時間を決める要因となるので特に重要である。し
かし，このターゲットの材料特性がスパッターレートや
膜質の安定性にどのように影響を及ぼすかについて，こ
れまで必ずしも十分な解明がなされていなかった。
【０００６】したがって，光ディスクの生産性に大きく
影響する保護膜のプレスパッター時間を短縮し且つ高品
質のＺｎＳ−ＳｉＯ2 系保護膜を再現性よく安定生産す
るには，該ターゲットの材料をどのように改質するか，
また，どのように製作するかについての指針が得られな
かった。
影響する保護膜のプレスパッター時間を短縮し且つ高品
質のＺｎＳ−ＳｉＯ2 系保護膜を再現性よく安定生産す
るには，該ターゲットの材料をどのように改質するか，
また，どのように製作するかについての指針が得られな
かった。
【０００７】したがって本発明は，光ディスクのＺｎＳ
−ＳｉＯ2 系保護膜形成用のスパッタリングターゲット
材料に要求される前記の諸性質，とりわけ前記の(1) と
(2)の性質を満足し，高品質の保護膜を安定してスパッ
タリング成膜できるターゲット材料を得ることを課題と
したものである。
−ＳｉＯ2 系保護膜形成用のスパッタリングターゲット
材料に要求される前記の諸性質，とりわけ前記の(1) と
(2)の性質を満足し，高品質の保護膜を安定してスパッ
タリング成膜できるターゲット材料を得ることを課題と
したものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは，ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 系ターゲットの材料特性とスパッター特性との
関係を解明すべく種々の試験研究を重ねてきたが，該タ
ーゲット材料中のＺｎＳの一部が酸化, 水酸化または炭
酸化し，その酸化物であるＺｎＯ2 -X（０≦Ｘ＜２）,
水酸化物であるＺｎ(ＯＨ)2, または炭酸物であるＺｎ
ＣＯ3 が含まれるようになると，スパッターレートが低
下することが判明し，前記の課題を解決できることがわ
かった。
ＳｉＯ2 系ターゲットの材料特性とスパッター特性との
関係を解明すべく種々の試験研究を重ねてきたが，該タ
ーゲット材料中のＺｎＳの一部が酸化, 水酸化または炭
酸化し，その酸化物であるＺｎＯ2 -X（０≦Ｘ＜２）,
水酸化物であるＺｎ(ＯＨ)2, または炭酸物であるＺｎ
ＣＯ3 が含まれるようになると，スパッターレートが低
下することが判明し，前記の課題を解決できることがわ
かった。
【０００９】すなわち，本発明によれば，ＺｎＳとＳｉ
Ｏ2 からなるスパッタリングターゲット材料であって，
ＺｎＳに対するＺｎＯ2-X (０≦Ｘ＜２), Ｚｎ(ＯＨ)2
,ＺｎＣＯ3 の含有比率が，ＥＳＣＡで検出されるこれ
ら化合物のピーク面積強度で評価したときに，（ＺｎＯ
2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)2＋ＺｎＣＯ3 ）／ＺｎＳの面積強度
比が１以下である，相変化型光記録媒体の保護膜形成用
スパッタリングターゲット材料を提供する。
Ｏ2 からなるスパッタリングターゲット材料であって，
ＺｎＳに対するＺｎＯ2-X (０≦Ｘ＜２), Ｚｎ(ＯＨ)2
,ＺｎＣＯ3 の含有比率が，ＥＳＣＡで検出されるこれ
ら化合物のピーク面積強度で評価したときに，（ＺｎＯ
2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)2＋ＺｎＣＯ3 ）／ＺｎＳの面積強度
比が１以下である，相変化型光記録媒体の保護膜形成用
スパッタリングターゲット材料を提供する。
【００１０】また，このターゲット材料の製造法とし
て，ＺｎＳの粉末とＳｉＯ2 の粉末を目標組成となるよ
うに混合してなる混合粉を加圧して焼成し，得られた焼
成品を所定寸法のターゲット材料に研削加工するにさい
し，相対湿度６０％以下の大気雰囲気下または窒素もし
くはアルゴンガス雰囲気下で前記の研削加工を行うこと
を特徴とする表面酸素含有量および表面炭素含有量の少
ない相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパッタリング
ターゲット材料の製造法を提供する。
て，ＺｎＳの粉末とＳｉＯ2 の粉末を目標組成となるよ
うに混合してなる混合粉を加圧して焼成し，得られた焼
成品を所定寸法のターゲット材料に研削加工するにさい
し，相対湿度６０％以下の大気雰囲気下または窒素もし
くはアルゴンガス雰囲気下で前記の研削加工を行うこと
を特徴とする表面酸素含有量および表面炭素含有量の少
ない相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパッタリング
ターゲット材料の製造法を提供する。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明が対象とするターゲット材
料は，ＺｎＳ／ＳｉＯ2 系の保護膜をスパッタリングで
成膜するためのものであり，したがって，目標とする保
護膜の組成に対応するＺｎＳとＳｉＯ2 の組成を有する
ものであるが，代表的には，ＺｎＳ／ＳｉＯ2 のモル比
が４若しくはその近傍のもの，すなわち，目標値とし
て，ＺｎＳが８０mol%，ＳｉＯ2 が２０mol%のＺｎＳ−
ＳｉＯ2 系材料である。
料は，ＺｎＳ／ＳｉＯ2 系の保護膜をスパッタリングで
成膜するためのものであり，したがって，目標とする保
護膜の組成に対応するＺｎＳとＳｉＯ2 の組成を有する
ものであるが，代表的には，ＺｎＳ／ＳｉＯ2 のモル比
が４若しくはその近傍のもの，すなわち，目標値とし
て，ＺｎＳが８０mol%，ＳｉＯ2 が２０mol%のＺｎＳ−
ＳｉＯ2 系材料である。
【００１２】本発明者らはＺｎＳ−ＳｉＯ2 系ターゲッ
ト材料についてその材質特性とスパッタリング特性との
相関を調べてきたが，ターゲット表面に局在するＺｎＯ
2-X（０≦Ｘ＜２），Ｚｎ(ＯＨ)2 および／またはＺｎ
ＣＯ3 を低減すること，特にこれらが存在する深さを減
らすと，プレスパッター時間（スパッターレートが安定
するまでの時間）を低減できることがわかった。
ト材料についてその材質特性とスパッタリング特性との
相関を調べてきたが，ターゲット表面に局在するＺｎＯ
2-X（０≦Ｘ＜２），Ｚｎ(ＯＨ)2 および／またはＺｎ
ＣＯ3 を低減すること，特にこれらが存在する深さを減
らすと，プレスパッター時間（スパッターレートが安定
するまでの時間）を低減できることがわかった。
【００１３】スパッター特性に影響を与えるターゲット
材料の材質要因としては，ターゲット材料の空孔率，母
材中の各化合物単体の結晶サイズ若しくは凝集サイズ，
粒界偏析物等も考えられるが，スパッターレートやスパ
ッター安定に要する時間は，このような要因だけではな
く，ＺｎＯ2-X ，Ｚｎ(ＯＨ)2および／またはＺｎＣＯ
3 が大きく関与することが以下に示すように実験的に確
かめられた。
材料の材質要因としては，ターゲット材料の空孔率，母
材中の各化合物単体の結晶サイズ若しくは凝集サイズ，
粒界偏析物等も考えられるが，スパッターレートやスパ
ッター安定に要する時間は，このような要因だけではな
く，ＺｎＯ2-X ，Ｚｎ(ＯＨ)2および／またはＺｎＣＯ
3 が大きく関与することが以下に示すように実験的に確
かめられた。
【００１４】すなわち，目標組成であるＺｎＳ：８０mo
l%，ＳｉＯ2 ：２０mol%となるように，いずれも平均粒
径が３〜５μｍのＺｎＳ原料粉とＳｉＯ2 原料粉を混合
し，この混合粉を加圧して焼結するさいに，焼結条件を
変えて，相対密度が９０％と８５％の焼結品を製造し，
両焼結品から４インチサイズの厚み５ｍｍのターゲット
を試作し，Ｒｆスパッター装置において，該ターゲット
を用いて入力パワー：０.３ｋＷ，Ａｒ圧：１×１０-3
Ｔｏｒｒでスパッターしたところ，相対密度８５％の方
がスパッターレートが良くなる結果が得られた。本来，
相対密度の高いターゲットの方がスパッターレートが高
くなる筈であるが，逆関係が生じた。
l%，ＳｉＯ2 ：２０mol%となるように，いずれも平均粒
径が３〜５μｍのＺｎＳ原料粉とＳｉＯ2 原料粉を混合
し，この混合粉を加圧して焼結するさいに，焼結条件を
変えて，相対密度が９０％と８５％の焼結品を製造し，
両焼結品から４インチサイズの厚み５ｍｍのターゲット
を試作し，Ｒｆスパッター装置において，該ターゲット
を用いて入力パワー：０.３ｋＷ，Ａｒ圧：１×１０-3
Ｔｏｒｒでスパッターしたところ，相対密度８５％の方
がスパッターレートが良くなる結果が得られた。本来，
相対密度の高いターゲットの方がスパッターレートが高
くなる筈であるが，逆関係が生じた。
【００１５】このため，両試料について，化学分析によ
る組成の違いや，Ｘ線解析による結晶構造の違い，ＥＳ
ＣＡによる反応生成物等の点からその原因を調べた結
果，前２者には実質的な差異は見られないが，ＺｎＯ
2-X （過酸化亜鉛や化学量論量よりも酸素欠損したもの
も含む），Ｚｎ(ＯＨ)2 および／またはＺｎＣＯ3 の
含有量が，相対密度８５％のものよりも９０％の方が多
いことが分かった。なお，以下の試験を含めＥＳＣＡに
よる分析は，日本電子株式会社製のＥＳＣＡ装置を使用
し，印加電圧２０ｋＶ，ビーム電流１０ｍＡ，真空度３
×１０-6Ｐａで行った。
る組成の違いや，Ｘ線解析による結晶構造の違い，ＥＳ
ＣＡによる反応生成物等の点からその原因を調べた結
果，前２者には実質的な差異は見られないが，ＺｎＯ
2-X （過酸化亜鉛や化学量論量よりも酸素欠損したもの
も含む），Ｚｎ(ＯＨ)2 および／またはＺｎＣＯ3 の
含有量が，相対密度８５％のものよりも９０％の方が多
いことが分かった。なお，以下の試験を含めＥＳＣＡに
よる分析は，日本電子株式会社製のＥＳＣＡ装置を使用
し，印加電圧２０ｋＶ，ビーム電流１０ｍＡ，真空度３
×１０-6Ｐａで行った。
【００１６】そこで，ＺｎＯ2-X ，Ｚｎ(ＯＨ)2，Ｚｎ
ＣＯ3 のトータル含有量とスパッターレートの関係を調
べたところ，図１の結果を得た。図１は，ＺｎＳに対す
るＺｎＯ2-X （０≦Ｘ＜２）とＺｎＣＯ3 の含有比率
を，ＥＳＣＡで検出されるＺｎＳ，ＺｎＯ2-X , Ｚｎ
(ＯＨ)2，ＺｎＣＯ3 のピーク面積強度の比で評価し，
この比，すなわち（ＺｎＯ2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)2＋ＺｎＣ
Ｏ3 ）／ＺｎＳを横軸，スパッターレートを縦軸として
表したものである。図１の結果に見られるように，該比
が大きいと，すなわち，ＺｎＯ2-X ，Ｚｎ(ＯＨ)2，Ｚ
ｎＣＯ3 のトータル含有量が多くなるに従って顕著にス
パッターレートが低下することが分かった。また，Ｚｎ
Ｏ2-X が多いと，二酸化炭素を吸着したり，ＺｎＣＯ3
を生成したりしてスパッター時の昇温でガスを放出する
原因となることが分かった。このように，ターゲーット
中に存在するＺｎＯ2-X ，Ｚｎ(ＯＨ)2，ＺｎＣＯ3 の
量によってスパッターレートが低下するので，スパッタ
ーレートの高いターゲットとするには，（ＺｎＯ2-X と
ＺｎＣＯ3 ）／ＺｎＳの面積強度比を小さくすること，
好ましくは該比を１以下とすることが必要である。
ＣＯ3 のトータル含有量とスパッターレートの関係を調
べたところ，図１の結果を得た。図１は，ＺｎＳに対す
るＺｎＯ2-X （０≦Ｘ＜２）とＺｎＣＯ3 の含有比率
を，ＥＳＣＡで検出されるＺｎＳ，ＺｎＯ2-X , Ｚｎ
(ＯＨ)2，ＺｎＣＯ3 のピーク面積強度の比で評価し，
この比，すなわち（ＺｎＯ2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)2＋ＺｎＣ
Ｏ3 ）／ＺｎＳを横軸，スパッターレートを縦軸として
表したものである。図１の結果に見られるように，該比
が大きいと，すなわち，ＺｎＯ2-X ，Ｚｎ(ＯＨ)2，Ｚ
ｎＣＯ3 のトータル含有量が多くなるに従って顕著にス
パッターレートが低下することが分かった。また，Ｚｎ
Ｏ2-X が多いと，二酸化炭素を吸着したり，ＺｎＣＯ3
を生成したりしてスパッター時の昇温でガスを放出する
原因となることが分かった。このように，ターゲーット
中に存在するＺｎＯ2-X ，Ｚｎ(ＯＨ)2，ＺｎＣＯ3 の
量によってスパッターレートが低下するので，スパッタ
ーレートの高いターゲットとするには，（ＺｎＯ2-X と
ＺｎＣＯ3 ）／ＺｎＳの面積強度比を小さくすること，
好ましくは該比を１以下とすることが必要である。
【００１７】また，後述の図７に示すように，ターゲッ
ト表面に局在するＺｎＯ2 -X，Ｚｎ(ＯＨ)2，ＺｎＣＯ
3 の層厚が表面から深くなるにつれ，プレスパッター時
間がながくなることが分かり，プレスパッター時間を短
くするには，表面からの酸化層もしくは炭酸塩化した層
の低減が必要であることが明らかとなった。すなわち，
このような酸化層もしくは水酸化または炭酸塩化した層
の厚みは，一般的なスパッター条件の入力パワー２０Ｗ
／ｃｍ2 程度を想定すると（但し，図７の実験では４Ｗ
／ｃｍ2 程度であった) ，３０μｍ以内，好ましくは２
０μｍ以内とすればプレスパッター時間を一般的に要求
されている１０分以内とすることができる。なお，入力
パワーを大きくすればプレスパッター時間は小さくな
り，一般的にはＴ＝Ａ／Ｐｗで近似できる。但し，Ｔ：
プレスパッター時間，Ｐｗ：入力パワー，Ａ：装置特性
で定まる定数である。このようなことから，該面積強度
比が１となる厚みが３０μｍ以内であることが好まし
い。
ト表面に局在するＺｎＯ2 -X，Ｚｎ(ＯＨ)2，ＺｎＣＯ
3 の層厚が表面から深くなるにつれ，プレスパッター時
間がながくなることが分かり，プレスパッター時間を短
くするには，表面からの酸化層もしくは炭酸塩化した層
の低減が必要であることが明らかとなった。すなわち，
このような酸化層もしくは水酸化または炭酸塩化した層
の厚みは，一般的なスパッター条件の入力パワー２０Ｗ
／ｃｍ2 程度を想定すると（但し，図７の実験では４Ｗ
／ｃｍ2 程度であった) ，３０μｍ以内，好ましくは２
０μｍ以内とすればプレスパッター時間を一般的に要求
されている１０分以内とすることができる。なお，入力
パワーを大きくすればプレスパッター時間は小さくな
り，一般的にはＴ＝Ａ／Ｐｗで近似できる。但し，Ｔ：
プレスパッター時間，Ｐｗ：入力パワー，Ａ：装置特性
で定まる定数である。このようなことから，該面積強度
比が１となる厚みが３０μｍ以内であることが好まし
い。
【００１８】この系統の材料にＺｎＯ2-X が生成する要
因については，原料ＺｎＳ粉末としてＺｎＯが存在しな
いか存在しても微量のＺｎＳ粉末を用いたとしても，原
料粉末中に含まれるＳＯ4 が焼成段階で分解してＺｎＯ
2-X が生成することが確かめられた。また混合粉をホッ
トプレス法で加圧成形するさいに用いるカーボンモール
ドが，活性炭のように空気中の酸素を吸着する要因とな
り，焼結過程での酸素のドナーのような役割をし，Ｚｎ
Ｓを酸化させたり，Ｚｎの炭酸塩を生成する原因の１つ
となっていることもわかった。これらは，例えば，イオ
ウ（Ｓ）添加やＨ2Ｓ添加で還元すれば防ぐことができ
ることも分かった。もちろん，原料ＺｎＳ粉末としては
ＺｎＯが微量のもの（例えばＺｎＯが１％以下のもの）
を使用することか必要である。
因については，原料ＺｎＳ粉末としてＺｎＯが存在しな
いか存在しても微量のＺｎＳ粉末を用いたとしても，原
料粉末中に含まれるＳＯ4 が焼成段階で分解してＺｎＯ
2-X が生成することが確かめられた。また混合粉をホッ
トプレス法で加圧成形するさいに用いるカーボンモール
ドが，活性炭のように空気中の酸素を吸着する要因とな
り，焼結過程での酸素のドナーのような役割をし，Ｚｎ
Ｓを酸化させたり，Ｚｎの炭酸塩を生成する原因の１つ
となっていることもわかった。これらは，例えば，イオ
ウ（Ｓ）添加やＨ2Ｓ添加で還元すれば防ぐことができ
ることも分かった。もちろん，原料ＺｎＳ粉末としては
ＺｎＯが微量のもの（例えばＺｎＯが１％以下のもの）
を使用することか必要である。
【００１９】更に，焼成品をターゲットに研削加工する
さいに，乾式で行う場合には，研削熱でＺｎＯ2-X ，Ｚ
ｎ(ＯＨ)2，ＺｎＣＯ3 等の生成反応が進むこと，特に
環境の湿度が高いとそれらの生成反応が顕著に進むこと
が分かった。このため，ターゲットの研削を湿式で行っ
て研削熱を除去するか，乾式で行う場合には, 雰囲気環
境の除湿を行ったり二酸化炭素や酸素に触れないような
雰囲気制御を行う必要があることが分かった。
さいに，乾式で行う場合には，研削熱でＺｎＯ2-X ，Ｚ
ｎ(ＯＨ)2，ＺｎＣＯ3 等の生成反応が進むこと，特に
環境の湿度が高いとそれらの生成反応が顕著に進むこと
が分かった。このため，ターゲットの研削を湿式で行っ
て研削熱を除去するか，乾式で行う場合には, 雰囲気環
境の除湿を行ったり二酸化炭素や酸素に触れないような
雰囲気制御を行う必要があることが分かった。
【００２０】他方，ターゲット表面もしくは内部の残留
カーボンが多いと，成膜中のカーボン量も増え，このた
め保護膜の透過率が低下することが分かった。ＥＳＣＡ
で評価したターゲット中の残留カーボンを評価すると１
０ａｔ％程度となることがある。この原因には，ＥＳＣ
Ａでは軽元素に対する補正係数が大きいので，少量のカ
ーボンでも，他の元素よりも多めに評価されることが挙
げられる。ＥＳＣＡでターゲット中の残留カーボン量を
評価し，成膜した保護膜の光透過率との相関を調べた結
果を図２に示したが，図２の結果から，保護膜の光透過
率を低減させないためには，ＥＳＣＡでのターゲット中
の残留カーボン量は７ａｔ％以下が望ましいことがわか
る。
カーボンが多いと，成膜中のカーボン量も増え，このた
め保護膜の透過率が低下することが分かった。ＥＳＣＡ
で評価したターゲット中の残留カーボンを評価すると１
０ａｔ％程度となることがある。この原因には，ＥＳＣ
Ａでは軽元素に対する補正係数が大きいので，少量のカ
ーボンでも，他の元素よりも多めに評価されることが挙
げられる。ＥＳＣＡでターゲット中の残留カーボン量を
評価し，成膜した保護膜の光透過率との相関を調べた結
果を図２に示したが，図２の結果から，保護膜の光透過
率を低減させないためには，ＥＳＣＡでのターゲット中
の残留カーボン量は７ａｔ％以下が望ましいことがわか
る。
【００２１】また，保護膜中にカーボンが取り込まれる
と，ＺｎＳを酸化または炭酸塩化しやすくする可能性が
あり，光ディスク使用中のレーザーによる書き込み，消
去時に加わる熱で，このカーボンの存在によってＺｎＳ
が大気の酸素と反応して膜質劣化に寄与する可能性があ
る。
と，ＺｎＳを酸化または炭酸塩化しやすくする可能性が
あり，光ディスク使用中のレーザーによる書き込み，消
去時に加わる熱で，このカーボンの存在によってＺｎＳ
が大気の酸素と反応して膜質劣化に寄与する可能性があ
る。
【００２２】このようなことから，ターゲット中の残留
カーボン量の限界値は，ＥＳＣＡで評価した場合に７ａ
ｔ％以下であることが必要である。
カーボン量の限界値は，ＥＳＣＡで評価した場合に７ａ
ｔ％以下であることが必要である。
【００２３】
〔実施例１〕平均粒径３〜５μｍのＺｎＳ粉末と同じく
平均粒径３〜５μｍのＳｉＯ2 粉末をモル比で４対１の
割合で秤量し，それをＶ型混合機で，乾燥窒素雰囲気中
で混合した。この混合粉をカーボンモールドに入れた
後，ホットプレス装置を用いて１２５０〜１３００℃に
て２〜５時間の範囲で焼結した。この時の昇圧条件は，
昇温開始前に最大プレス圧１５０ｋｇｆ／ｃｍ2 で加圧
した。雰囲気は昇温前に一度ロータリーポンブで真空引
きを行い，１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空度になっ
た後，Ａｒガスを導入し，その後Ａｒガスを５００ｃｃ
／ｍｉｎでフローした。
平均粒径３〜５μｍのＳｉＯ2 粉末をモル比で４対１の
割合で秤量し，それをＶ型混合機で，乾燥窒素雰囲気中
で混合した。この混合粉をカーボンモールドに入れた
後，ホットプレス装置を用いて１２５０〜１３００℃に
て２〜５時間の範囲で焼結した。この時の昇圧条件は，
昇温開始前に最大プレス圧１５０ｋｇｆ／ｃｍ2 で加圧
した。雰囲気は昇温前に一度ロータリーポンブで真空引
きを行い，１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空度になっ
た後，Ａｒガスを導入し，その後Ａｒガスを５００ｃｃ
／ｍｉｎでフローした。
【００２４】焼結後，カーボンモールドからターゲット
を取り出し，ターゲット表面に付着したカーボンシート
をカッターで削り取り，平面研削機で所定の厚さまで削
り取った。この際，ターゲットの表面酸化を防ぐため
に，水冷でターゲットの研削面を冷却した。研削後，１
２０℃にて真空乾燥を行った。
を取り出し，ターゲット表面に付着したカーボンシート
をカッターで削り取り，平面研削機で所定の厚さまで削
り取った。この際，ターゲットの表面酸化を防ぐため
に，水冷でターゲットの研削面を冷却した。研削後，１
２０℃にて真空乾燥を行った。
【００２５】作製されたターゲットの相対密度は９９％
であり，ＥＳＣＡで評価した（ＺｎＯ2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)
2＋ＺｎＣＯ3 ）／ＺｎＳのピーク面積強度比（以下，
この比を「該化合物のＥＳＣＡ比」と略称する）は０.
１以下であった。
であり，ＥＳＣＡで評価した（ＺｎＯ2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)
2＋ＺｎＣＯ3 ）／ＺｎＳのピーク面積強度比（以下，
この比を「該化合物のＥＳＣＡ比」と略称する）は０.
１以下であった。
【００２６】ターゲットの製造条件は前記同様とし，研
削を乾式（相対湿度８５％）で行ったものは，該化合物
のＥＳＣＡ比は平均０.７程度であった。この比の違う
ターゲットを用いて，Ａｒ：５×１０-3Ｔｏｒｒ，Ｒｆ
パワー：０.３ｋＷ，基板とターゲット間距離：７０ｍ
ｍの条件でスパッターを行ったところ，２分後の成膜速
度（スパッターレート）は該比が０.７のものでは１０
Ａ／ｓｅｃであり，該比が０.１以下のものは１４Ａ／
ｓｅｃであった。
削を乾式（相対湿度８５％）で行ったものは，該化合物
のＥＳＣＡ比は平均０.７程度であった。この比の違う
ターゲットを用いて，Ａｒ：５×１０-3Ｔｏｒｒ，Ｒｆ
パワー：０.３ｋＷ，基板とターゲット間距離：７０ｍ
ｍの条件でスパッターを行ったところ，２分後の成膜速
度（スパッターレート）は該比が０.７のものでは１０
Ａ／ｓｅｃであり，該比が０.１以下のものは１４Ａ／
ｓｅｃであった。
【００２７】該比が異なるターゲットを用いて成膜され
た薄膜の屈折率を測定したところ，該比が０.２以下の
ターゲットを用いた薄膜の屈折率は２.１，該比が１.０
のターゲットを用いた薄膜の屈折率は２.０であった。
また，前者の屈折率２.１の薄膜について該化合物のＥ
ＳＣＡ比を測定したとろ０.１１であり，後者の屈折率
２.１のものは０.２５であった。
た薄膜の屈折率を測定したところ，該比が０.２以下の
ターゲットを用いた薄膜の屈折率は２.１，該比が１.０
のターゲットを用いた薄膜の屈折率は２.０であった。
また，前者の屈折率２.１の薄膜について該化合物のＥ
ＳＣＡ比を測定したとろ０.１１であり，後者の屈折率
２.１のものは０.２５であった。
【００２８】〔実施例２〕平均粒径３〜５μｍのＺｎＳ
粉末と平均粒径０.５μｍの球状ＳｉＯ2 粉末をモル比
で４対１の割合で秤量し，更にイオウを０.１ｗｔ％を
添加し，それを振動ボールミルで乾燥窒素雰囲気中で混
合した。この混合粉をカーボンモールドに入れた後，ホ
ットプレス装置を用いて１１５０〜１２００℃にて２〜
５時間の範囲で焼結した。この時の昇圧条件は，昇温開
始前に最大プレス圧１５０ｋｇｆ／ｃｍ2 で加圧した。
雰囲気は昇温前に一度ロータリーポンプで真空引きを行
い，１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空度になった後，
Ａｒガスを導入し，その後Ａｒガスを５００ｃｃ／ｍｉ
ｎでフローした。
粉末と平均粒径０.５μｍの球状ＳｉＯ2 粉末をモル比
で４対１の割合で秤量し，更にイオウを０.１ｗｔ％を
添加し，それを振動ボールミルで乾燥窒素雰囲気中で混
合した。この混合粉をカーボンモールドに入れた後，ホ
ットプレス装置を用いて１１５０〜１２００℃にて２〜
５時間の範囲で焼結した。この時の昇圧条件は，昇温開
始前に最大プレス圧１５０ｋｇｆ／ｃｍ2 で加圧した。
雰囲気は昇温前に一度ロータリーポンプで真空引きを行
い，１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空度になった後，
Ａｒガスを導入し，その後Ａｒガスを５００ｃｃ／ｍｉ
ｎでフローした。
【００２９】焼結後，カーボンモールドからターゲット
を取り出し，ターゲット表面に付着したカーボンシート
をカッターで削り取り，平均研削機で所定の厚さまで削
り取った。この際，ターゲットの表面酸化を防ぐため
に，乾燥窒素雰囲気の乾式でターゲットの研削を行っ
た。作製されたターゲットの相対密度は９７％であり，
該化合物のＥＳＣＡ比は０.１以下であった。
を取り出し，ターゲット表面に付着したカーボンシート
をカッターで削り取り，平均研削機で所定の厚さまで削
り取った。この際，ターゲットの表面酸化を防ぐため
に，乾燥窒素雰囲気の乾式でターゲットの研削を行っ
た。作製されたターゲットの相対密度は９７％であり，
該化合物のＥＳＣＡ比は０.１以下であった。
【００３０】このターゲットを用いて，Ａｒ：５×１０
-3Ｔｏｒｒ，Ｒｆパワー：０.３ｋｗ，基板とターゲッ
ト間距離：７０ｍｍの条件でスパッターを行ったとこ
ろ，１０分後の成膜速度（スパッターレート）は，１４
Ａ／ｓｅｃであった。
-3Ｔｏｒｒ，Ｒｆパワー：０.３ｋｗ，基板とターゲッ
ト間距離：７０ｍｍの条件でスパッターを行ったとこ
ろ，１０分後の成膜速度（スパッターレート）は，１４
Ａ／ｓｅｃであった。
【００３１】〔実施例３〕平均粒径３〜５μｍのＺｎＳ
粉末と同じく平均粒径３〜５μｍのＳｉＯ2 粉末をモル
比で４対１の割合で秤量し，振動ボールミルで乾燥窒素
雰囲気中で混合した。この混合粉をカーボンモールドに
入れた後，ホットプレス装置を用いて１１５０〜１３５
０℃にて２〜５時間の範囲とし，昇圧は昇温開始前に最
大プレス圧０〜１５０ｋｇｆ／ｃｍ2 で加圧した。雰囲
気は昇温前に一度ロータリーポンプで真空引きを行い，
１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空度になった後，Ａｒ
ガスを導入し，その後Ａｒガスを５００ｃｃ／ｍｉｎで
フローした。
粉末と同じく平均粒径３〜５μｍのＳｉＯ2 粉末をモル
比で４対１の割合で秤量し，振動ボールミルで乾燥窒素
雰囲気中で混合した。この混合粉をカーボンモールドに
入れた後，ホットプレス装置を用いて１１５０〜１３５
０℃にて２〜５時間の範囲とし，昇圧は昇温開始前に最
大プレス圧０〜１５０ｋｇｆ／ｃｍ2 で加圧した。雰囲
気は昇温前に一度ロータリーポンプで真空引きを行い，
１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空度になった後，Ａｒ
ガスを導入し，その後Ａｒガスを５００ｃｃ／ｍｉｎで
フローした。
【００３２】焼結の後はカーボンモールドから焼結品を
取り出し，その表面に付着したカーボンシートをカッタ
ーで削り取り，さらに平面研削機を用いてカーボンのコ
ンタミを受けている範囲で所定の厚さまで削り取った。
この際，ターゲットの表面酸化を防ぐために，乾燥窒素
雰囲気の乾式でターゲットの研削を行った。
取り出し，その表面に付着したカーボンシートをカッタ
ーで削り取り，さらに平面研削機を用いてカーボンのコ
ンタミを受けている範囲で所定の厚さまで削り取った。
この際，ターゲットの表面酸化を防ぐために，乾燥窒素
雰囲気の乾式でターゲットの研削を行った。
【００３３】作製されたターゲットは相対密度８５〜９
９％の範囲であった。またいずれのターゲットも表面の
残留カーボンは０.１％〜測定限界以下の範囲にあっ
た。
９％の範囲であった。またいずれのターゲットも表面の
残留カーボンは０.１％〜測定限界以下の範囲にあっ
た。
【００３４】ターゲットに研削するさいに，相対湿度が
４０〜８０％の大気雰囲気に代えた以外は，前記同様に
して乾式研削を行った。得られたターゲットの該化合物
のＥＳＣＡ比と前記相対湿度との関係を調べた結果を図
３に示した。
４０〜８０％の大気雰囲気に代えた以外は，前記同様に
して乾式研削を行った。得られたターゲットの該化合物
のＥＳＣＡ比と前記相対湿度との関係を調べた結果を図
３に示した。
【００３５】図３の結果から，研削時の相対湿度が高い
と該化合物のＥＳＣＡ比が大きくなり，相対湿度６０％
以下とするのがよいことがわかる。
と該化合物のＥＳＣＡ比が大きくなり，相対湿度６０％
以下とするのがよいことがわかる。
【００３６】該比の異なるターゲットを用いて，Ａｒ：
５×１０-3Ｔｏｒｒ，Ｒｆパワー：０.３ｋＷ，基板と
ターゲット間距離：７０ｍｍの条件でスパッターを行な
い，該比と１０分後の成膜速度（スパッターレート）と
の関係を調べた結果を図１に示した。図１から該化合物
のＥＳＣＡ比を１以下とすれば良好なスパッターレート
が得られることがわかる。
５×１０-3Ｔｏｒｒ，Ｒｆパワー：０.３ｋＷ，基板と
ターゲット間距離：７０ｍｍの条件でスパッターを行な
い，該比と１０分後の成膜速度（スパッターレート）と
の関係を調べた結果を図１に示した。図１から該化合物
のＥＳＣＡ比を１以下とすれば良好なスパッターレート
が得られることがわかる。
【００３７】また，該比の異なるターゲットを用いて成
膜された薄膜の該化合物のＥＳＣＡ比を測定し，両者の
関係を図４に示した。この結果から，膜中のＺｎＯまた
はＺｎＣＯ3 の量はターゲット中のものより全体的に減
少しているが，ターゲットに含有する量に比例して膜中
に含有する量も増えていることが分かる。さらに，ＥＳ
ＣＡで測定したターゲット中のカーボン量と膜中のカー
ボン量の関係を図５に示したが，膜中のカーボン量はタ
ーゲット中のカーボン量が多いほど増えることが分か
る。
膜された薄膜の該化合物のＥＳＣＡ比を測定し，両者の
関係を図４に示した。この結果から，膜中のＺｎＯまた
はＺｎＣＯ3 の量はターゲット中のものより全体的に減
少しているが，ターゲットに含有する量に比例して膜中
に含有する量も増えていることが分かる。さらに，ＥＳ
ＣＡで測定したターゲット中のカーボン量と膜中のカー
ボン量の関係を図５に示したが，膜中のカーボン量はタ
ーゲット中のカーボン量が多いほど増えることが分か
る。
【００３８】〔実施列４〕実施例３と同条件で試作した
相対密度の異なるターゲット（該化合物のＥＳＣＡ比も
異なる）を用いてスパッタリングし，初期のスパッター
レートが飽和安定するまでの時間と，飽和したスパッタ
ーレートの値に及ぼすターゲット相対密度の関係を調べ
た結果，図６の結果を得た。図６に見られように，相対
密度が高いものほどスパッターレートが高くなるが，相
対密度が同じでも該化合物のＥＳＣＡ比が小さい方がス
パッターレートが一層改善されることが分かる。
相対密度の異なるターゲット（該化合物のＥＳＣＡ比も
異なる）を用いてスパッタリングし，初期のスパッター
レートが飽和安定するまでの時間と，飽和したスパッタ
ーレートの値に及ぼすターゲット相対密度の関係を調べ
た結果，図６の結果を得た。図６に見られように，相対
密度が高いものほどスパッターレートが高くなるが，相
対密度が同じでも該化合物のＥＳＣＡ比が小さい方がス
パッターレートが一層改善されることが分かる。
【００３９】〔実施例５〕実施例３と同条件で作製した
ターゲットについて，該化合物のＥＳＣＡ比を測定する
さいに，ＥＳＣＡで２０μｍ程度の深さまでエッチング
しながら表面からの深さ方向と該比の関係を調べ，該比
が１となる深さ（μｍ）と，そのターゲットの飽和安定
時間との関係を調べた結果を図７に示した。図７から，
スパッターレートがすぐに立ち上がるものほど，該比が
１となる深さが浅くて，安定するまでの時間が短いこと
がわかる。したがって，該比が１となる厚みが薄いほど
よく，具体的には該比が１以上となる厚みが３０μｍ以
内であればよい。
ターゲットについて，該化合物のＥＳＣＡ比を測定する
さいに，ＥＳＣＡで２０μｍ程度の深さまでエッチング
しながら表面からの深さ方向と該比の関係を調べ，該比
が１となる深さ（μｍ）と，そのターゲットの飽和安定
時間との関係を調べた結果を図７に示した。図７から，
スパッターレートがすぐに立ち上がるものほど，該比が
１となる深さが浅くて，安定するまでの時間が短いこと
がわかる。したがって，該比が１となる厚みが薄いほど
よく，具体的には該比が１以上となる厚みが３０μｍ以
内であればよい。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によると光
ディスクの保護膜をスパッタリングによって成膜するた
めのターゲット材料として，プレスパッター時間を短縮
し且つスパッターレートを増進し，しかも高品質のＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 系保護膜が形成できるターゲット材料が提
供される。
ディスクの保護膜をスパッタリングによって成膜するた
めのターゲット材料として，プレスパッター時間を短縮
し且つスパッターレートを増進し，しかも高品質のＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 系保護膜が形成できるターゲット材料が提
供される。
【図１】ターゲット材料の（ＺｎＯ2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)2
＋ＺｎＣＯ3 ）／ＺｎＳのＥＳＣＡ面積強度比とスパッ
ターレートとの関係を示す図である。
＋ＺｎＣＯ3 ）／ＺｎＳのＥＳＣＡ面積強度比とスパッ
ターレートとの関係を示す図である。
【図２】ターゲット材料のＥＳＣＡで評価したカーボン
量と成膜した薄膜の光透過率との関係を示す図である。
量と成膜した薄膜の光透過率との関係を示す図である。
【図３】ターゲット材料研削時の大気中の相対湿度とタ
ーゲット材料の（ＺｎＯ2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)2＋ＺｎＣＯ
3 ）／ＺｎＳのＥＳＣＡ面積強度比との関係を示す図で
ある。
ーゲット材料の（ＺｎＯ2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)2＋ＺｎＣＯ
3 ）／ＺｎＳのＥＳＣＡ面積強度比との関係を示す図で
ある。
【図４】ターゲット材料の（ＺｎＯ2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)2
＋ＺｎＣＯ3 ）／ＺｎＳのＥＳＣＡ面積強度比と，成膜
した薄膜の（ＺｎＯ2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)2＋ＺｎＣＯ3 ）
／ＺｎＳのＥＳＣＡ面積強度比との関係を示す図であ
る。
＋ＺｎＣＯ3 ）／ＺｎＳのＥＳＣＡ面積強度比と，成膜
した薄膜の（ＺｎＯ2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)2＋ＺｎＣＯ3 ）
／ＺｎＳのＥＳＣＡ面積強度比との関係を示す図であ
る。
【図５】ターゲット材料のＥＳＣＡで評価したカーボン
量と成膜した薄膜の同カーボン量の関係を示す図であ
る。
量と成膜した薄膜の同カーボン量の関係を示す図であ
る。
【図６】ターゲット材料の相対密度が，初期のスパッタ
ーレートが飽和安定するまでの時間および飽和したスパ
ッターレートの値に及ぼす影響を示す図である。
ーレートが飽和安定するまでの時間および飽和したスパ
ッターレートの値に及ぼす影響を示す図である。
【図７】ターゲット材料の（ＺｎＯ2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)2
＋ＺｎＣＯ3 ）／ＺｎＳのＥＳＣＡ面積強度比の深さと
スパッタリングの飽和安定化時間との関係図である。
＋ＺｎＣＯ3 ）／ＺｎＳのＥＳＣＡ面積強度比の深さと
スパッタリングの飽和安定化時間との関係図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 雄一 東京都千代田区丸の内１丁目８番２号 同 和鉱業株式会社内 (72)発明者 妹尾 和浩 東京都千代田区丸の内１丁目８番２号 同 和鉱業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 ＺｎＳとＳｉＯ2 からなるスパッタリン
グターゲット材料であって，ＺｎＳに対するＺｎＯ2-X
（０≦Ｘ＜２），Ｚｎ(ＯＨ)2 ,ＺｎＣＯ3の含有比率
が，ＥＳＣＡで検出されるこれら化合物のピーク面積強
度で評価したときに， （ＺｎＯ2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)2＋ＺｎＣＯ3 ）／ＺｎＳの
面積強度比≦１ である，相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパッタリ
ングターゲット材料。 - 【請求項２】 （ＺｎＯ2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)2＋ＺｎＣＯ
3 ）／ＺｎＳの面積強度比が１となるターゲット表面か
らの深さが３０μｍ以内である請求項１に記載のターゲ
ット材料。 - 【請求項３】 ＥＳＣＡで評価されたカーボン量が７ａ
ｔ％以下である請求項１または２に記載のターゲット材
料。 - 【請求項４】 ＺｎＳの粉末とＳｉＯ2 の粉末を目標組
成となるように混合してなる混合粉を加圧して焼成し，
得られた焼成品を所定寸法のターゲット材料に研削加工
するにさいし，相対湿度６０％以下の大気雰囲気下また
は窒素もしくはアルゴンガス雰囲気下で前記の研削加工
を行うことを特徴とする表面酸素含有量および表面炭素
含有量の少ない相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパ
ッタリングターゲット材料の製造法。 - 【請求項５】 表面酸素含有量および表面炭素含有量
は，ＥＳＣＡで検出されるピーク面積強度で評価したと
きに， （ＺｎＯ2-X ＋Ｚｎ(ＯＨ)2＋ＺｎＣＯ3 ）／ＺｎＳの
面積強度比≦１ の関係を満足する量である請求項４に記載の製造法。 - 【請求項６】 焼成を還元剤の存在下で行う請求項４に
記載の製造法。 - 【請求項７】 混合粉の目標組成は，ＺｎＳ／ＳｉＯ2
のモル比が４または４近傍の組成である請求項４，５ま
たは６に記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9187266A JPH1121664A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット材料およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9187266A JPH1121664A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット材料およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1121664A true JPH1121664A (ja) | 1999-01-26 |
Family
ID=16202983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9187266A Pending JPH1121664A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 相変化型光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット材料およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1121664A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2003044241A1 (en) * | 2001-11-19 | 2003-05-30 | Nikko Materials Company, Limited | Spattering target for use in forming preventive film for optical recording medium, method for preparing the target, and optical recording medium having preventive film formed by use of the target |
| JP2007211345A (ja) * | 1998-12-07 | 2007-08-23 | Nikko Kinzoku Kk | 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP2009150001A (ja) * | 2001-09-21 | 2009-07-09 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| WO2009130949A1 (ja) | 2008-04-25 | 2009-10-29 | 三菱マテリアル株式会社 | 太陽電池用インターコネクタ用材料及び太陽電池用インターコネクタ |
| JP2020090422A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックス焼結体、インサート、切削工具、及び摩擦攪拌接合用工具 |
-
1997
- 1997-06-30 JP JP9187266A patent/JPH1121664A/ja active Pending
Cited By (7)
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