JPH11218373A - 製氷機 - Google Patents
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 23
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 4
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 claims description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 11
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 abstract description 2
- WKVZMKDXJFCMMD-UVWUDEKDSA-L (5ar,8ar,9r)-5-[[(2r,4ar,6r,7r,8r,8as)-7,8-dihydroxy-2-methyl-4,4a,6,7,8,8a-hexahydropyrano[3,2-d][1,3]dioxin-6-yl]oxy]-9-(4-hydroxy-3,5-dimethoxyphenyl)-5a,6,8a,9-tetrahydro-5h-[2]benzofuro[6,5-f][1,3]benzodioxol-8-one;azanide;n,3-bis(2-chloroethyl)-2-ox Chemical compound [NH2-].[NH2-].Cl[Pt+2]Cl.ClCCNP1(=O)OCCCN1CCCl.COC1=C(O)C(OC)=CC([C@@H]2C3=CC=4OCOC=4C=C3C(O[C@H]3[C@@H]([C@@H](O)[C@@H]4O[C@H](C)OC[C@H]4O3)O)[C@@H]3[C@@H]2C(OC3)=O)=C1 WKVZMKDXJFCMMD-UVWUDEKDSA-L 0.000 abstract 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000001877 deodorizing effect Effects 0.000 description 2
- XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N ethanol;titanium Chemical compound [Ti].CCO.CCO.CCO.CCO XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 2
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 241000233866 Fungi Species 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000052616 bacterial pathogen Species 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004447 silicone coating Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 良質の氷を効率良く生成し、氷の剥離作業も
スムーズに行う。 【解決手段】 製氷板１の製氷面２と除氷面３には、そ
れぞれ酸化チタンを主成分とした光半導体層２１が形成
されている。製氷は、冷却管６に冷媒を流通させて製氷
板１を冷却しつつ、製氷面２に製氷用水を流下させるこ
とで行われるが、光半導体層２１の持つ親水性機能によ
り、製氷用水は製氷面２の全面に一様に広がりつつ流下
するため、均一な品質の氷が効率良く生成される。製氷
板１を除氷面３側から加熱して氷を剥離する場合は、光
半導体層２１の表面に形成された水膜から、氷が溶ける
ことで生成された水膜が剥がされるといった現象とな
り、氷の剥離作業もスムーズに行われる。光半導体層２
１は抗菌作用も呈するので、製氷面２と除氷面３のいず
れも清浄に保たれる。
スムーズに行う。 【解決手段】 製氷板１の製氷面２と除氷面３には、そ
れぞれ酸化チタンを主成分とした光半導体層２１が形成
されている。製氷は、冷却管６に冷媒を流通させて製氷
板１を冷却しつつ、製氷面２に製氷用水を流下させるこ
とで行われるが、光半導体層２１の持つ親水性機能によ
り、製氷用水は製氷面２の全面に一様に広がりつつ流下
するため、均一な品質の氷が効率良く生成される。製氷
板１を除氷面３側から加熱して氷を剥離する場合は、光
半導体層２１の表面に形成された水膜から、氷が溶ける
ことで生成された水膜が剥がされるといった現象とな
り、氷の剥離作業もスムーズに行われる。光半導体層２
１は抗菌作用も呈するので、製氷面２と除氷面３のいず
れも清浄に保たれる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、流下式の製氷機に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】流下式の製氷機の一般的な構造は、ステ
ンレス鋼板等からなる製氷板を略垂直姿勢で配設する一
方、この製氷板の裏面側に冷凍サイクルの冷却管を配管
し、冷却管に冷媒を流通させて製氷板を冷却しつつ、製
氷板の表面に製氷用水を流下させることで、表面に氷結
層を成長させる構造となっている。
ンレス鋼板等からなる製氷板を略垂直姿勢で配設する一
方、この製氷板の裏面側に冷凍サイクルの冷却管を配管
し、冷却管に冷媒を流通させて製氷板を冷却しつつ、製
氷板の表面に製氷用水を流下させることで、表面に氷結
層を成長させる構造となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この場合、良質の氷を
効率良く製造するためには、製氷用水が製氷板の表面に
一様に広がって濡らしつつ流下することが望まれるが、
従来の製氷板では水が表面で弾かれて筋のようになって
流れる傾向にあった。もっとも流水量を増せば表面の全
面に広がらせることも可能であるが、流水量が増すと却
って着氷がし辛くなって、製氷時間が長くなってしま
う。また、一様な濡れ性を図るために、製氷板の表面に
有機系の親水性材料を塗布したり、サンドペーパー等で
表面を粗くすることも試みられたが、前者のものでは耐
用年数に問題があり、後者のものでは思った程実効がな
くて、いずれも実用化には至っていない。
効率良く製造するためには、製氷用水が製氷板の表面に
一様に広がって濡らしつつ流下することが望まれるが、
従来の製氷板では水が表面で弾かれて筋のようになって
流れる傾向にあった。もっとも流水量を増せば表面の全
面に広がらせることも可能であるが、流水量が増すと却
って着氷がし辛くなって、製氷時間が長くなってしま
う。また、一様な濡れ性を図るために、製氷板の表面に
有機系の親水性材料を塗布したり、サンドペーパー等で
表面を粗くすることも試みられたが、前者のものでは耐
用年数に問題があり、後者のものでは思った程実効がな
くて、いずれも実用化には至っていない。
【０００４】一方、製氷が完了したら、製氷板の裏面に
除氷用水を流下させ、必要に応じて冷却管にホットガス
を流して製氷板を加熱することで、生成された氷を取り
出すようになっている。詳細には、生成された氷におけ
る製氷板側の面を溶かして水膜を生じさせることで、製
氷板の表面から剥離するのであるが、水膜と製氷板との
間には表面張力が作用するので、その分剥がれ難くて時
間が掛かり、すなわち従来のものでは除氷作業にも問題
があった。本発明は上記のような事情に基づいて完成さ
れたものであって、その目的は、良質の氷を効率良く生
成でき、また生成された氷の剥離作業もスムーズに行え
るようにした製氷機を提供するところにある。
除氷用水を流下させ、必要に応じて冷却管にホットガス
を流して製氷板を加熱することで、生成された氷を取り
出すようになっている。詳細には、生成された氷におけ
る製氷板側の面を溶かして水膜を生じさせることで、製
氷板の表面から剥離するのであるが、水膜と製氷板との
間には表面張力が作用するので、その分剥がれ難くて時
間が掛かり、すなわち従来のものでは除氷作業にも問題
があった。本発明は上記のような事情に基づいて完成さ
れたものであって、その目的は、良質の氷を効率良く生
成でき、また生成された氷の剥離作業もスムーズに行え
るようにした製氷機を提供するところにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの手段として、請求項１の発明は、冷却される製氷板
の表面に水を流下させることで氷を生成した後に生成し
た氷を製氷板から剥離するようにした製氷機において、
前記製氷板の表面に、光励起に対応して表面が親水性を
示す光半導体層が形成されている構成としたところに特
徴を有する。
めの手段として、請求項１の発明は、冷却される製氷板
の表面に水を流下させることで氷を生成した後に生成し
た氷を製氷板から剥離するようにした製氷機において、
前記製氷板の表面に、光励起に対応して表面が親水性を
示す光半導体層が形成されている構成としたところに特
徴を有する。
【０００６】請求項２の発明は、冷却される製氷板の表
面に水を流下させることで氷を生成した後に、製氷板の
裏面に除氷用水を流下させることで生成した氷を製氷板
から剥離するようにした製氷機において、前記製氷板の
裏面に、光励起に対応して表面が親水性を示す光半導体
層が形成されているところに特徴を有する。請求項３の
発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記
光半導体層が酸化チタンを主成分として構成されている
ところに特徴を有する。
面に水を流下させることで氷を生成した後に、製氷板の
裏面に除氷用水を流下させることで生成した氷を製氷板
から剥離するようにした製氷機において、前記製氷板の
裏面に、光励起に対応して表面が親水性を示す光半導体
層が形成されているところに特徴を有する。請求項３の
発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記
光半導体層が酸化チタンを主成分として構成されている
ところに特徴を有する。
【０００７】
【発明の作用及び効果】＜請求項１の発明＞光半導体層
の持つ親水性機能により、製氷用水は製氷板の表面の全
面に一様に広がりつつ流下する。これにより、全面にわ
たって均一な品質の氷が効率良く生成される。また、製
氷板を加熱して生成された氷を剥がす場合、光半導体層
の表面には薄い水膜ができていて、この水膜から氷が溶
けて生成された水膜が剥がされるといった現象を呈す
る。両水膜の間の表面張力はごく小さなものに抑えられ
るから、氷の剥離作業もスムーズに行われる。
の持つ親水性機能により、製氷用水は製氷板の表面の全
面に一様に広がりつつ流下する。これにより、全面にわ
たって均一な品質の氷が効率良く生成される。また、製
氷板を加熱して生成された氷を剥がす場合、光半導体層
の表面には薄い水膜ができていて、この水膜から氷が溶
けて生成された水膜が剥がされるといった現象を呈す
る。両水膜の間の表面張力はごく小さなものに抑えられ
るから、氷の剥離作業もスムーズに行われる。
【０００８】＜請求項２の発明＞光半導体層の持つ親水
性機能により、除氷用水が製氷板の裏面の全面に一様に
広がりつつ流下するので、表面側に生成された氷が剥離
しやすくなる。すなわち、除氷能力を高めることができ
る。 ＜請求項３の発明＞光半導体層として形成された酸化チ
タンは酸化機能を発揮するので、有機物を分解して抗
菌、脱臭等に有効であり、よって製氷板の表面または裏
面を清浄に保つことができる。また、酸化チタンを主成
分とした光半導体層は、塗料等と比較すると、薄膜とし
て強固に密着した状態で形成されるから、剥がれ難く、
すなわち耐久性に優れている。
性機能により、除氷用水が製氷板の裏面の全面に一様に
広がりつつ流下するので、表面側に生成された氷が剥離
しやすくなる。すなわち、除氷能力を高めることができ
る。 ＜請求項３の発明＞光半導体層として形成された酸化チ
タンは酸化機能を発揮するので、有機物を分解して抗
菌、脱臭等に有効であり、よって製氷板の表面または裏
面を清浄に保つことができる。また、酸化チタンを主成
分とした光半導体層は、塗料等と比較すると、薄膜とし
て強固に密着した状態で形成されるから、剥がれ難く、
すなわち耐久性に優れている。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図１
ないし図３に基づいて説明する。本実施形態に係る製氷
機の概略構造を図１及び図２によって説明する。符号１
はステンレス鋼板等からなる製氷板であって、一対が所
定間隔を開けて垂直姿勢で配設されており、それぞれの
上端部が互いに接近する方向に折曲されて山形に接合さ
れ、各製氷板１の表面（以下製氷面２という）へ製氷用
水を案内する案内部５が形成されている。各製氷板１の
裏面（以下除氷面３という）には、冷凍サイクルの一部
を構成する冷却管６（蒸発器）が、それぞれ上下方向に
所定間隔を開けて蛇行状に接合配設されている。
ないし図３に基づいて説明する。本実施形態に係る製氷
機の概略構造を図１及び図２によって説明する。符号１
はステンレス鋼板等からなる製氷板であって、一対が所
定間隔を開けて垂直姿勢で配設されており、それぞれの
上端部が互いに接近する方向に折曲されて山形に接合さ
れ、各製氷板１の表面（以下製氷面２という）へ製氷用
水を案内する案内部５が形成されている。各製氷板１の
裏面（以下除氷面３という）には、冷凍サイクルの一部
を構成する冷却管６（蒸発器）が、それぞれ上下方向に
所定間隔を開けて蛇行状に接合配設されている。
【００１０】上記した案内部５の頂上の上方には、製氷
用水の給水管７が水平姿勢で配設され、その給水管７に
開口された給水口８から、図２の矢線に示すように案内
部５に向けて製氷用水が供給されるようになっている。
また、両製氷板１の下方位置には、製氷板１の製氷面２
において凍結に至らなかった余剰水を受けるタンク１０
が装備されている。このタンク１０は、ポンプ１１を介
して上記の給水管７と接続され、タンク１０内の水がポ
ンプ１１により汲み上げられて上記のように給水管７か
ら製氷用水として循環供給されるようになっている。ま
た、案内部５の内側には、除氷用の散水管１３が装備さ
れて別系統の給水路１４と接続されており、そこに介設
された開閉弁１５を開放することにより、散水管１３に
開口された散水口から、両製氷板１の除氷面３の上部に
向けて除氷用水が散水されるようになっている。
用水の給水管７が水平姿勢で配設され、その給水管７に
開口された給水口８から、図２の矢線に示すように案内
部５に向けて製氷用水が供給されるようになっている。
また、両製氷板１の下方位置には、製氷板１の製氷面２
において凍結に至らなかった余剰水を受けるタンク１０
が装備されている。このタンク１０は、ポンプ１１を介
して上記の給水管７と接続され、タンク１０内の水がポ
ンプ１１により汲み上げられて上記のように給水管７か
ら製氷用水として循環供給されるようになっている。ま
た、案内部５の内側には、除氷用の散水管１３が装備さ
れて別系統の給水路１４と接続されており、そこに介設
された開閉弁１５を開放することにより、散水管１３に
開口された散水口から、両製氷板１の除氷面３の上部に
向けて除氷用水が散水されるようになっている。
【００１１】さて、上記した両製氷板１の製氷面２と除
氷面３とには、それぞれ図３に詳細に示すように、酸化
チタンを主成分とした光半導体層２１が形成されてい
る。なお、この光半導体層２１の膜厚は強調するために
実際よりも厚く図示されている。上記した光半導体層２
１の形成方法としては、以下に挙げるものがある。 第１例：塗膜形成要素としてシリコーンにアナターゼ型
チタニアルゾルを添加して、チタニア含有塗料用組成物
を調整し、これを製氷板１の製氷面２と除氷面３とに塗
布し、所定の温度で硬化させてアナターゼ型チタニア粒
子がシリコーン塗膜中に分散された光半導体層２１を形
成する。
氷面３とには、それぞれ図３に詳細に示すように、酸化
チタンを主成分とした光半導体層２１が形成されてい
る。なお、この光半導体層２１の膜厚は強調するために
実際よりも厚く図示されている。上記した光半導体層２
１の形成方法としては、以下に挙げるものがある。 第１例：塗膜形成要素としてシリコーンにアナターゼ型
チタニアルゾルを添加して、チタニア含有塗料用組成物
を調整し、これを製氷板１の製氷面２と除氷面３とに塗
布し、所定の温度で硬化させてアナターゼ型チタニア粒
子がシリコーン塗膜中に分散された光半導体層２１を形
成する。
【００１２】第２例：まず製氷板１の製氷面２と除氷面
３とに無定形シリカの薄膜を形成し、次にテトラエトキ
シチタンＴｉ（ＯＣ2Ｈ5）4とエタノールとの混合物か
らなるチタニアコーティング溶液を調整し、この溶液を
製氷面２と除氷面３に塗布して乾燥させる。テトラエト
キシチタンの加水分解によって、水酸化チタンが生成
し、さらに脱水縮重合によって無定形チタニアが生成す
る。 第３例：上記の第２例と同様に、製氷板１の製氷面２と
除氷面３上に無定形シリカの薄膜を形成し、スパッタリ
ング法により無定形ＴｉＯ2からなる薄膜を形成しても
よい。 上記の各例のように形成された酸化チタンを主成分とし
た光半導体層２１は、透明で、光励起に対応して表面が
親水性を示すものである。併せて、光励起による酸化機
能を有し、有機物を分解して抗菌、脱臭等に有効とな
る。
３とに無定形シリカの薄膜を形成し、次にテトラエトキ
シチタンＴｉ（ＯＣ2Ｈ5）4とエタノールとの混合物か
らなるチタニアコーティング溶液を調整し、この溶液を
製氷面２と除氷面３に塗布して乾燥させる。テトラエト
キシチタンの加水分解によって、水酸化チタンが生成
し、さらに脱水縮重合によって無定形チタニアが生成す
る。 第３例：上記の第２例と同様に、製氷板１の製氷面２と
除氷面３上に無定形シリカの薄膜を形成し、スパッタリ
ング法により無定形ＴｉＯ2からなる薄膜を形成しても
よい。 上記の各例のように形成された酸化チタンを主成分とし
た光半導体層２１は、透明で、光励起に対応して表面が
親水性を示すものである。併せて、光励起による酸化機
能を有し、有機物を分解して抗菌、脱臭等に有効とな
る。
【００１３】また、製氷板１の製氷面２と除氷面３にそ
れぞれ光を当てるべく蛍光ランプ２３が装備されてい
る。蛍光ランプ２３としては、酸化チタンが最もその能
力を発揮できる紫外線ランプ（波長が３７０ｎｍ近辺）
が好ましい。蛍光ランプ２３は、製氷機が稼働している
間点灯させるようにしても良いが、間欠的に点灯するよ
うにすると、その寿命を伸ばすことができる。間欠点灯
の方法としては、製氷工程中に点灯、除氷工程中に点
灯、氷が剥離されて製氷板に氷がない状態のときに点
灯、あるいは製氷の工程とは関係なく点灯と消灯とを交
互に繰り返す、といったことが考えられる。
れぞれ光を当てるべく蛍光ランプ２３が装備されてい
る。蛍光ランプ２３としては、酸化チタンが最もその能
力を発揮できる紫外線ランプ（波長が３７０ｎｍ近辺）
が好ましい。蛍光ランプ２３は、製氷機が稼働している
間点灯させるようにしても良いが、間欠的に点灯するよ
うにすると、その寿命を伸ばすことができる。間欠点灯
の方法としては、製氷工程中に点灯、除氷工程中に点
灯、氷が剥離されて製氷板に氷がない状態のときに点
灯、あるいは製氷の工程とは関係なく点灯と消灯とを交
互に繰り返す、といったことが考えられる。
【００１４】本実施形態は上記のような構造であって、
続いてその作用を説明する。製氷を行う場合には、冷却
管６に冷媒を流して製氷板１を冷却しつつ、給水管７か
ら製氷用水を供給する。製氷用水は案内部５から両製氷
板１の製氷面２を流下し、製氷面２における主に冷却管
６が配管された部分から順次に氷結層を成長させ、すな
わち氷Ｉが生成される。
続いてその作用を説明する。製氷を行う場合には、冷却
管６に冷媒を流して製氷板１を冷却しつつ、給水管７か
ら製氷用水を供給する。製氷用水は案内部５から両製氷
板１の製氷面２を流下し、製氷面２における主に冷却管
６が配管された部分から順次に氷結層を成長させ、すな
わち氷Ｉが生成される。
【００１５】ここで、製氷板１の製氷面２には酸化チタ
ンを主成分とした光半導体層２１が形成されており、光
励起により親水性を示す。そのため製氷用水は、図１に
示すように、製氷板１の製氷面２の全面を濡らしながら
一様に広がって流下する。これにより、白濁も少ない良
質の氷が均一に生成される。また、流量を多くしないで
も製氷用水は一様に広げられるので、流量が抑えられた
分、氷の成長時間が短縮でき、すなわち製氷能力が上げ
られる。併せて、光半導体層２１として形成された酸化
チタンは酸化機能を発揮するので、雑菌類の繁殖を抑制
する抗菌作用を呈し、製氷板１の製氷面２すなわち生成
された氷Ｉに対して衛生面上で好適となる。
ンを主成分とした光半導体層２１が形成されており、光
励起により親水性を示す。そのため製氷用水は、図１に
示すように、製氷板１の製氷面２の全面を濡らしながら
一様に広がって流下する。これにより、白濁も少ない良
質の氷が均一に生成される。また、流量を多くしないで
も製氷用水は一様に広げられるので、流量が抑えられた
分、氷の成長時間が短縮でき、すなわち製氷能力が上げ
られる。併せて、光半導体層２１として形成された酸化
チタンは酸化機能を発揮するので、雑菌類の繁殖を抑制
する抗菌作用を呈し、製氷板１の製氷面２すなわち生成
された氷Ｉに対して衛生面上で好適となる。
【００１６】製氷が完了したら、散水管１３から除氷用
水を散水して製氷板１の除氷面３を流下させ、また必要
に応じて冷却管６にホットガスを流して製氷板１を加熱
することで、生成された氷Ｉを取り出す。詳細には、図
３に示すように、生成された氷Ｉにおける製氷板１側の
面を溶かして水膜Ｗ１を生じさせることで、製氷板１の
製氷面２から剥離する。ここで従来のように、製氷面２
に光半導体層２１が形成されていなくて、氷Ｉがステン
レス鋼板の表面から直に剥離される場合は、水膜Ｗ１と
ステンレス製の製氷面との間に表面張力が作用すること
により、その分、氷Ｉが剥がれ難い。それに対して本実
施形態では、製氷面２に親水性を呈する光半導体層２１
が形成されているため、その表面には薄い水膜Ｗ２がで
きており、氷Ｉから溶けた水膜Ｗ１が光半導体層２１の
表面の水膜Ｗ２から剥離される状態となる。その場合、
両水膜Ｗ１，Ｗ２の間に作用する表面張力は、従来のよ
うな水膜Ｗ１と製氷面自体との間に作用する表面張力よ
りも遙かに小さいから、氷Ｉはスムーズに剥離される。
これにより、除氷時間が短縮化されて製氷能力が向上
し、また剥離が遅れて前の氷の上に新たな氷が生成され
るといった二重製氷もなくなる。
水を散水して製氷板１の除氷面３を流下させ、また必要
に応じて冷却管６にホットガスを流して製氷板１を加熱
することで、生成された氷Ｉを取り出す。詳細には、図
３に示すように、生成された氷Ｉにおける製氷板１側の
面を溶かして水膜Ｗ１を生じさせることで、製氷板１の
製氷面２から剥離する。ここで従来のように、製氷面２
に光半導体層２１が形成されていなくて、氷Ｉがステン
レス鋼板の表面から直に剥離される場合は、水膜Ｗ１と
ステンレス製の製氷面との間に表面張力が作用すること
により、その分、氷Ｉが剥がれ難い。それに対して本実
施形態では、製氷面２に親水性を呈する光半導体層２１
が形成されているため、その表面には薄い水膜Ｗ２がで
きており、氷Ｉから溶けた水膜Ｗ１が光半導体層２１の
表面の水膜Ｗ２から剥離される状態となる。その場合、
両水膜Ｗ１，Ｗ２の間に作用する表面張力は、従来のよ
うな水膜Ｗ１と製氷面自体との間に作用する表面張力よ
りも遙かに小さいから、氷Ｉはスムーズに剥離される。
これにより、除氷時間が短縮化されて製氷能力が向上
し、また剥離が遅れて前の氷の上に新たな氷が生成され
るといった二重製氷もなくなる。
【００１７】また、除氷用水を除氷面３に散水して氷Ｉ
を剥離する場合において、その除氷用水が製氷面２側に
回り込むことが無いとは言えない。その点この実施形態
では、除氷面３側にも、抗菌作用を呈する光半導体層２
１が形成されていて清浄に保たれているから、除氷用水
を介して雑菌等が製氷面２側に回ることも防止される。
を剥離する場合において、その除氷用水が製氷面２側に
回り込むことが無いとは言えない。その点この実施形態
では、除氷面３側にも、抗菌作用を呈する光半導体層２
１が形成されていて清浄に保たれているから、除氷用水
を介して雑菌等が製氷面２側に回ることも防止される。
【００１８】＜他の実施形態＞本発明は上記記述及び図
面によって説明した実施形態に限定されるものではな
く、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施するこ
とができる。
面によって説明した実施形態に限定されるものではな
く、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施するこ
とができる。
【図１】 本発明の一実施形態に係る製氷機の斜視図
【図２】 その断面図
【図３】 製氷部分を示す部分拡大断面図
１…製氷板 ２…製氷面 ３…除氷面 ６…冷却管 ７
…（製氷用水の）給水管 １３…（除氷用水の）散水管
２１…光半導体層 Ｉ…氷 Ｗ１…水膜 Ｗ２…水膜
…（製氷用水の）給水管 １３…（除氷用水の）散水管
２１…光半導体層 Ｉ…氷 Ｗ１…水膜 Ｗ２…水膜
Claims (3)
- 【請求項１】 冷却される製氷板の表面に水を流下させ
ることで氷を生成した後に生成した氷を製氷板から剥離
するようにした製氷機において、 前記製氷板の表面に、光励起に対応して表面が親水性を
示す光半導体層が形成されていることを特徴とする製氷
機。 - 【請求項２】 冷却される製氷板の表面に水を流下させ
ることで氷を生成した後に、製氷板の裏面に除氷用水を
流下させることで生成した氷を製氷板から剥離するよう
にした製氷機において、 前記製氷板の裏面に、光励起に対応して表面が親水性を
示す光半導体層が形成されていることを特徴とする製氷
機。 - 【請求項３】 前記光半導体層が酸化チタンを主成分と
して構成されていることを特徴とする請求項１または請
求項２記載の製氷機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123498A JPH11218373A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 製氷機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123498A JPH11218373A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 製氷機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11218373A true JPH11218373A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12049356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2123498A Pending JPH11218373A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 製氷機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11218373A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108081357A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-05-29 | 宁波雯泽纺织品有限公司 | 布料张紧装置 |
| JP2019074242A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | 三菱電機株式会社 | 製氷装置、アイスディスペンサー及び冷蔵庫 |
-
1998
- 1998-02-02 JP JP2123498A patent/JPH11218373A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019074242A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | 三菱電機株式会社 | 製氷装置、アイスディスペンサー及び冷蔵庫 |
| CN108081357A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-05-29 | 宁波雯泽纺织品有限公司 | 布料张紧装置 |
| CN108081357B (zh) * | 2017-12-27 | 2019-06-21 | 宁波雯泽纺织品有限公司 | 布料张紧装置 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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