JPH11219959A - 半導体装置製造用キャリア - Google Patents
半導体装置製造用キャリアInfo
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- JPH11219959A JPH11219959A JP2167298A JP2167298A JPH11219959A JP H11219959 A JPH11219959 A JP H11219959A JP 2167298 A JP2167298 A JP 2167298A JP 2167298 A JP2167298 A JP 2167298A JP H11219959 A JPH11219959 A JP H11219959A
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- Japan
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- semiconductor device
- carrier
- manufacturing
- metal frame
- insulating tape
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な搬送装置で搬送できるため、半導体装
置の製造コストを低くでき、半導体装置組立工程でキャ
リアが反るために生ずる、チップの割れ等の半導体装置
の不良が防止された半導体装置製造用キャリアを提供す
る。 【課題の解決手段】 導体パターンを有するフレキシブ
ルテープに金属フレームを貼り付け、金属フレームは１
１.5ppm ／Ｋ以上１７.5ppm ／Ｋ以下の線膨張係数を有
する半導体装置製造用キャリア。
置の製造コストを低くでき、半導体装置組立工程でキャ
リアが反るために生ずる、チップの割れ等の半導体装置
の不良が防止された半導体装置製造用キャリアを提供す
る。 【課題の解決手段】 導体パターンを有するフレキシブ
ルテープに金属フレームを貼り付け、金属フレームは１
１.5ppm ／Ｋ以上１７.5ppm ／Ｋ以下の線膨張係数を有
する半導体装置製造用キャリア。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造用
のキャリアに関し、特に、金属フレームを使用した半導
体装置製造用キャリアに関する。
のキャリアに関し、特に、金属フレームを使用した半導
体装置製造用キャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から行なわれている、絶縁性のフレ
キシブルテープを用いてＢＧＡ(BallGrid Array) 用の
半導体装置を製造する工程においては、両面又は片面に
所定の配線パターンを有する絶縁性のフレキシブルテー
プに半導体素子を搭載し、半導体素子とフレキシブルテ
ープ上の配線パターンを電気的に接続した後、半導体素
子搭載部をモールド樹脂等の封止剤で封止し、モールド
封止面とは反対の面にはんだボールを形成して、半導体
装置を製造していた。この半導体装置製造工程で半導体
素子を搭載して搬送するための、配線パターンを有する
絶縁性のフレキシブルテープをキャリアと呼んでいる。
キシブルテープを用いてＢＧＡ(BallGrid Array) 用の
半導体装置を製造する工程においては、両面又は片面に
所定の配線パターンを有する絶縁性のフレキシブルテー
プに半導体素子を搭載し、半導体素子とフレキシブルテ
ープ上の配線パターンを電気的に接続した後、半導体素
子搭載部をモールド樹脂等の封止剤で封止し、モールド
封止面とは反対の面にはんだボールを形成して、半導体
装置を製造していた。この半導体装置製造工程で半導体
素子を搭載して搬送するための、配線パターンを有する
絶縁性のフレキシブルテープをキャリアと呼んでいる。
【０００３】図８は、従来の半導体装置製造用キャリア
を示す。この半導体装置製造用キャリアは、絶縁性のフ
レキシブルテープ１２上に、所定の配線パターンをそれ
ぞれ有する複数の配線層領域１４を、２列に設け、両側
にはフレキシブルテープ１２を機械的に搬送するための
搬送孔１３が所定の間隔で設けられている。上述の半導
体装置を製造する工程において、搬送孔１３によってフ
レキシブルテープ１２が機械的に搬送されるので、フレ
キシブルテープ１２自身が従来の半導体装置製造用のキ
ャリアとなっている。
を示す。この半導体装置製造用キャリアは、絶縁性のフ
レキシブルテープ１２上に、所定の配線パターンをそれ
ぞれ有する複数の配線層領域１４を、２列に設け、両側
にはフレキシブルテープ１２を機械的に搬送するための
搬送孔１３が所定の間隔で設けられている。上述の半導
体装置を製造する工程において、搬送孔１３によってフ
レキシブルテープ１２が機械的に搬送されるので、フレ
キシブルテープ１２自身が従来の半導体装置製造用のキ
ャリアとなっている。
【０００４】また、従来の半導体装置製造用キャリアに
おいては、半導体素子搭載部をモールド樹脂等で封止す
る際、フレキシブルテープ１２を短冊状に形成した後、
その周囲を金属ホルダで固定していた。
おいては、半導体素子搭載部をモールド樹脂等で封止す
る際、フレキシブルテープ１２を短冊状に形成した後、
その周囲を金属ホルダで固定していた。
【０００５】しかしながら、図８に示したような従来の
半導体装置製造用キャリアによれば、フレキシブルテー
プ自身を搬送用のキャリアとしているため、フレキシブ
ルテープの剛性が低く、その取扱において特別な技術と
装置が必要になるという問題があった。
半導体装置製造用キャリアによれば、フレキシブルテー
プ自身を搬送用のキャリアとしているため、フレキシブ
ルテープの剛性が低く、その取扱において特別な技術と
装置が必要になるという問題があった。
【０００６】また、従来の半導体装置製造用キャリアに
おいては、半導体素子搭載部をモールド樹脂等で封止す
る際に、フレキシブルテープを短冊状にして、その周囲
を金属ホルダで固定しておこなっていたので、モールド
樹脂が金属ホルダの流路に残り、封止作業後に、この付
着したモールド樹脂を金属ホルダから除去する作業が必
要になるという問題があった。
おいては、半導体素子搭載部をモールド樹脂等で封止す
る際に、フレキシブルテープを短冊状にして、その周囲
を金属ホルダで固定しておこなっていたので、モールド
樹脂が金属ホルダの流路に残り、封止作業後に、この付
着したモールド樹脂を金属ホルダから除去する作業が必
要になるという問題があった。
【０００７】従来の半導体装置製造用キャリアにおいて
は、上述のように、特別の装置を必要とし、またモール
ド樹脂を金属ホルダから除去する作業も発生するため、
コストがかかるという問題があった。
は、上述のように、特別の装置を必要とし、またモール
ド樹脂を金属ホルダから除去する作業も発生するため、
コストがかかるという問題があった。
【０００８】出願人は、以上述べたそれぞれの問題点を
解決するため、特願平１０−２９９２号（出願日平成１
０年１月９日）として、両面又は片面に所定の配線パタ
ーンを設けた半導体装置搬送用の絶縁テープ（フレキシ
ブルテープ）と、絶縁テープの配線パターンを露出する
ように、絶縁テープの片面周辺に接合された金属フレー
ムとを備えた半導体装置製造用キャリアを提案した。
解決するため、特願平１０−２９９２号（出願日平成１
０年１月９日）として、両面又は片面に所定の配線パタ
ーンを設けた半導体装置搬送用の絶縁テープ（フレキシ
ブルテープ）と、絶縁テープの配線パターンを露出する
ように、絶縁テープの片面周辺に接合された金属フレー
ムとを備えた半導体装置製造用キャリアを提案した。
【０００９】この半導体装置製造用キャリアによると、
剛性が高くなるため、取扱が容易になり、また、モール
ド封止の際に金属フレームがフレキシブルテープのホル
ダとして機能するため、封止作業後の樹脂除去作業を不
要にすることができる。
剛性が高くなるため、取扱が容易になり、また、モール
ド封止の際に金属フレームがフレキシブルテープのホル
ダとして機能するため、封止作業後の樹脂除去作業を不
要にすることができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、出願人が提案
した半導体装置製造用キャリアによると、反りが発生し
て、後の工程で搭載される半導体素子に割れが生じて、
半導体装置に不良を引き起こす問題がある。
した半導体装置製造用キャリアによると、反りが発生し
て、後の工程で搭載される半導体素子に割れが生じて、
半導体装置に不良を引き起こす問題がある。
【００１１】従って、本発明の目的は、金属フレームを
使用しても反りによる半導体素子の割れが生じない、半
導体装置製造用キャリアを提供することにある。
使用しても反りによる半導体素子の割れが生じない、半
導体装置製造用キャリアを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、両面又は片面に所定の配線パターンを設け
た半導体装置搬送用の絶縁テープ（フレキシブルテー
プ）と、この絶縁テープの配線パターンを露出するよう
に、この絶縁テープの片面周辺に接合された金属フレー
ムを具え、この金属フレームは１１.5ppm ／Ｋ以上１
７.5ppm ／Ｋ以下の線膨張係数を有することを特徴とす
る半導体装置製造用キャリアを提供する。線膨張係数の
単位ppm ／Ｋは、１℃当たり１０-6を意味する。
成するため、両面又は片面に所定の配線パターンを設け
た半導体装置搬送用の絶縁テープ（フレキシブルテー
プ）と、この絶縁テープの配線パターンを露出するよう
に、この絶縁テープの片面周辺に接合された金属フレー
ムを具え、この金属フレームは１１.5ppm ／Ｋ以上１
７.5ppm ／Ｋ以下の線膨張係数を有することを特徴とす
る半導体装置製造用キャリアを提供する。線膨張係数の
単位ppm ／Ｋは、１℃当たり１０-6を意味する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置製造用
キャリアの実施の形態を詳細に説明する。図１は本発明
の半導体装置製造用キャリアを、図２（ａ）は本発明の
半導体装置製造用キャリアの金属フレームを、それぞれ
示す。図２（ｂ）は本発明の半導体装置製造用キャリア
に用いるフレキシブルテープの説明図である。本発明の
半導体装置製造用キャリアは、絶縁性のフレキシブルテ
ープ２と金属フレーム１から成る。フレキシブルテープ
２は両面又は片面に銅箔等から成る配線層を有する。配
線層は領域１４内に所定の配線パターンで形成されてい
る。金属フレーム１の周辺部には、キャリアを搬送する
ための搬送孔１５が設けられている。
キャリアの実施の形態を詳細に説明する。図１は本発明
の半導体装置製造用キャリアを、図２（ａ）は本発明の
半導体装置製造用キャリアの金属フレームを、それぞれ
示す。図２（ｂ）は本発明の半導体装置製造用キャリア
に用いるフレキシブルテープの説明図である。本発明の
半導体装置製造用キャリアは、絶縁性のフレキシブルテ
ープ２と金属フレーム１から成る。フレキシブルテープ
２は両面又は片面に銅箔等から成る配線層を有する。配
線層は領域１４内に所定の配線パターンで形成されてい
る。金属フレーム１の周辺部には、キャリアを搬送する
ための搬送孔１５が設けられている。
【００１４】図２（ａ）の金属フレーム１は、中央部
に、フレキシブルテープ２の配線層領域１４に対応して
開口部１６を有する。そして、開口部１６の周辺付近に
は一方の面に接着剤３が施されている。金属フレーム１
の周辺には前述の搬送孔１５が設けられている。金属フ
レーム１は１１.5ppm ／Ｋ以上１７.5ppm ／Ｋ以下の線
膨張係数を有する。このような金属は、例えば銅合金か
ら選ぶことができる。
に、フレキシブルテープ２の配線層領域１４に対応して
開口部１６を有する。そして、開口部１６の周辺付近に
は一方の面に接着剤３が施されている。金属フレーム１
の周辺には前述の搬送孔１５が設けられている。金属フ
レーム１は１１.5ppm ／Ｋ以上１７.5ppm ／Ｋ以下の線
膨張係数を有する。このような金属は、例えば銅合金か
ら選ぶことができる。
【００１５】図２（ｂ）に示すように、本発明の半導体
装置製造用キャリアに用いるフレキシブルテープ２は、
周辺部に搬送孔１３を有する従来のテープキャリア（図
８）から、複数（ここでは１０個）の配線層領域１４を
含む短冊状の部分を、破線で示した切り取り線４に沿っ
て切り取り、搬送孔１３を含む周辺部を除いたものであ
る。フレキシブルテープ２の素材は、例えばポリイミド
である。
装置製造用キャリアに用いるフレキシブルテープ２は、
周辺部に搬送孔１３を有する従来のテープキャリア（図
８）から、複数（ここでは１０個）の配線層領域１４を
含む短冊状の部分を、破線で示した切り取り線４に沿っ
て切り取り、搬送孔１３を含む周辺部を除いたものであ
る。フレキシブルテープ２の素材は、例えばポリイミド
である。
【００１６】図１の半導体装置製造用キャリアを製作す
るには、図２（ｂ）に示したように切り取り線４に沿っ
て切り取られた、配線層領域１４を含む短冊状のフレキ
シブルテープ２を、図２（ａ）に示す金属フレーム１に
接着剤３によって貼り付け、図１のように構成する。
るには、図２（ｂ）に示したように切り取り線４に沿っ
て切り取られた、配線層領域１４を含む短冊状のフレキ
シブルテープ２を、図２（ａ）に示す金属フレーム１に
接着剤３によって貼り付け、図１のように構成する。
【００１７】本発明の半導体装置製造用キャリアは、半
導体装置の組立工程において、金属フレームの外周付近
に設けられた搬送孔１５を利用して搬送される。
導体装置の組立工程において、金属フレームの外周付近
に設けられた搬送孔１５を利用して搬送される。
【００１８】図３は、本発明の半導体装置製造用キャリ
アを用いて製造された半導体装置の一例（半導体パッケ
ージ）を示す。図３の半導体パッケージは、フレキシブ
ルテープ２、配線パターンを形成する銅箔９、および半
導体素子（ＩＣチップ）５を有する。銅箔９は、その表
面の所定の部分と、その裏面の、フレキシブルテープ２
の貫通孔に臨む部分に、金めっき８が施されている。銅
箔９の表面の金めっき８と半導体素子５の端子５ａと
は、ボンディングワイヤ７で接続され、これらは封止樹
脂６によって封入、固定されている。フレキシブルテー
プ２の貫通孔には、金めっき８の上にはんだボール１１
が付けられている。フレキシブルテープ２の表面は金め
っき８の部分を除いてレジスト樹脂１０で保護されてい
る。
アを用いて製造された半導体装置の一例（半導体パッケ
ージ）を示す。図３の半導体パッケージは、フレキシブ
ルテープ２、配線パターンを形成する銅箔９、および半
導体素子（ＩＣチップ）５を有する。銅箔９は、その表
面の所定の部分と、その裏面の、フレキシブルテープ２
の貫通孔に臨む部分に、金めっき８が施されている。銅
箔９の表面の金めっき８と半導体素子５の端子５ａと
は、ボンディングワイヤ７で接続され、これらは封止樹
脂６によって封入、固定されている。フレキシブルテー
プ２の貫通孔には、金めっき８の上にはんだボール１１
が付けられている。フレキシブルテープ２の表面は金め
っき８の部分を除いてレジスト樹脂１０で保護されてい
る。
【００１９】図３の半導体パッケージを製造するには、
銅箔９の表面の所定の部分とフレキシブルテープ２の貫
通孔の部分に金めっき８が施され、表面がレジスト樹脂
１０で保護された、本発明の半導体装置製造用キャリア
に、まず半導体素子５を搭載する。半導体素子５を搭載
するには、フレキシブルテープ２の表面のレジスト樹脂
１０の上に樹脂接着剤１７により半導体素子５を接着す
る。半導体素子５の端子５ａをボンディングワイヤ７に
より金めっき８と接続（ワイヤボンディング）し、半導
体素子５とともに封止樹脂６で封止する。さらに、封止
面とは反対の面の貫通孔内の金めっき８の上に、はんだ
ボール１１を付ける。この後、配線層領域毎に切断する
と、図３に示す半導体パッケージが得られる。このと
き、半導体パッケージは金属フレームから分離される。
銅箔９の表面の所定の部分とフレキシブルテープ２の貫
通孔の部分に金めっき８が施され、表面がレジスト樹脂
１０で保護された、本発明の半導体装置製造用キャリア
に、まず半導体素子５を搭載する。半導体素子５を搭載
するには、フレキシブルテープ２の表面のレジスト樹脂
１０の上に樹脂接着剤１７により半導体素子５を接着す
る。半導体素子５の端子５ａをボンディングワイヤ７に
より金めっき８と接続（ワイヤボンディング）し、半導
体素子５とともに封止樹脂６で封止する。さらに、封止
面とは反対の面の貫通孔内の金めっき８の上に、はんだ
ボール１１を付ける。この後、配線層領域毎に切断する
と、図３に示す半導体パッケージが得られる。このと
き、半導体パッケージは金属フレームから分離される。
【００２０】
【実施例】以下に、本発明の実施例を詳細に説明する。
図４は実施例で用いた半導体装置製造用キャリアを示
す。キャリア２３はフレキシブルテープ２２を金属フレ
ーム２１に貼り付けたものである。金属フレーム２１は
厚さ125 μm の種々の線膨張係数をもつ合金のシート
を、図４に示す形状に加工したもので、これにフレキシ
ブルテープ２２として厚さ７５μm のポリイミド樹脂フ
ィルムを温度３００℃で貼り付けて、キャリア２３を製
作した。常温で、このキャリアの反りを測定した。
図４は実施例で用いた半導体装置製造用キャリアを示
す。キャリア２３はフレキシブルテープ２２を金属フレ
ーム２１に貼り付けたものである。金属フレーム２１は
厚さ125 μm の種々の線膨張係数をもつ合金のシート
を、図４に示す形状に加工したもので、これにフレキシ
ブルテープ２２として厚さ７５μm のポリイミド樹脂フ
ィルムを温度３００℃で貼り付けて、キャリア２３を製
作した。常温で、このキャリアの反りを測定した。
【００２１】図５はキャリア２３の反り量の評価方法
を、図６は図４のキャリア２３の反りを常温で測定した
結果を示す。反り量は、図５に示すように、試料に生じ
た反り（単位μm ）を試料の長さ（cm）で除した比（単
位μm ／cm）で表わす。図６で、グラフの横軸は金属フ
レームに用いた金属の線膨張係数（単位ppm ／Ｋ）を、
縦軸はキャリアの反り量（単位μm ／cm）を示す。線膨
張係数が１１.5ないし１７.5ppm ／Ｋの範囲では、キャ
リアの反り量が約100 μm ／cm程度に減小することがわ
かる。
を、図６は図４のキャリア２３の反りを常温で測定した
結果を示す。反り量は、図５に示すように、試料に生じ
た反り（単位μm ）を試料の長さ（cm）で除した比（単
位μm ／cm）で表わす。図６で、グラフの横軸は金属フ
レームに用いた金属の線膨張係数（単位ppm ／Ｋ）を、
縦軸はキャリアの反り量（単位μm ／cm）を示す。線膨
張係数が１１.5ないし１７.5ppm ／Ｋの範囲では、キャ
リアの反り量が約100 μm ／cm程度に減小することがわ
かる。
【００２２】図７は、キャリアの反り量（単位μm ／c
m）と製造された半導体パッケージの不良率（％）の関
係を示す。このグラフから、キャリアの反り量が100 μ
m ／cm程度であると、半導体パッケージの不良率は極め
て低い（２％未満）ことがわかる。
m）と製造された半導体パッケージの不良率（％）の関
係を示す。このグラフから、キャリアの反り量が100 μ
m ／cm程度であると、半導体パッケージの不良率は極め
て低い（２％未満）ことがわかる。
【００２３】
【発明の効果】本発明の半導体装置製造用キャリアによ
ると、導体パターンを有する絶縁性のフレキシブルテー
プを金属フレームに貼り付けて構成され、かつ金属フレ
ームに線膨張係数が１１.5ppm ／Ｋ以上１７.5ppm ／Ｋ
以下である金属を用いるため、従来のものに比してキャ
リアの剛性が大きくなり、搬送装置を簡単なものにする
ことができるので、半導体装置の製造コストが低下する
ばかりでなく、フレキシブルテープと金属フレームとの
熱膨張率の差が小さいので、半導体素子を搬送する半導
体装置組立工程でキャリアが反るために生ずる、チップ
の割れ等の半導体装置の不良が防止される。
ると、導体パターンを有する絶縁性のフレキシブルテー
プを金属フレームに貼り付けて構成され、かつ金属フレ
ームに線膨張係数が１１.5ppm ／Ｋ以上１７.5ppm ／Ｋ
以下である金属を用いるため、従来のものに比してキャ
リアの剛性が大きくなり、搬送装置を簡単なものにする
ことができるので、半導体装置の製造コストが低下する
ばかりでなく、フレキシブルテープと金属フレームとの
熱膨張率の差が小さいので、半導体素子を搬送する半導
体装置組立工程でキャリアが反るために生ずる、チップ
の割れ等の半導体装置の不良が防止される。
【図１】 本発明の半導体装置製造用キャリアの概略
図。
図。
【図２】 本発明に用いる金属フレーム及びフレキシブ
ルテープの概略図。
ルテープの概略図。
【図３】 本発明の半導体装置製造用キャリアを用いて
製造される半導体装置の概略図。
製造される半導体装置の概略図。
【図４】 本発明の半導体装置製造用キャリアの実施例
の概略図。
の概略図。
【図５】 反り量の評価方法の説明図。
【図６】 本発明の実施例の、反り量の測定結果を示す
グラフ。
グラフ。
【図７】 半導体装置製造用キャリアの反り量と製造さ
れた半導体パッケージの不良率の関係を示すグラフ。
れた半導体パッケージの不良率の関係を示すグラフ。
【図８】 従来の半導体装置製造用キャリアの概略図。
【符号の説明】 １ 金属フレーム ２ フレキシブルテープ ３ 接着剤 ４ 切り取り線 ５ 半導体素子 ５ａ 半導体素子の端子 ６ 封止樹脂 ７ ボンディングワイヤ ８ 金めっき ９ 銅箔 １０ レジスト樹脂 １１ はんだボール １２ フレキシブルテープ １３，１５ 搬送孔 １４ 配線層領域 １６ 開口部 １７ 樹脂接着剤 ２１ 金属フレーム ２２ フレキシブルテープ ２３ キャリア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉岡 修 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 村上 元 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内
Claims (5)
- 【請求項１】 両面又は片面に所定の配線パターンが設
けられた、半導体素子を搭載するための絶縁テープと、 前記絶縁テープの前記配線パターンを露出するように前
記絶縁テープの片面周辺に接合された金属フレームを具
え、 前記金属フレームは１１.5ppm ／Ｋ以上１７.5ppm ／Ｋ
以下の線膨張係数を有することを特徴とする半導体装置
製造用キャリア。 - 【請求項２】 前記金属フレームは、前記絶縁テープの
上に搭載される半導体素子のモールド樹脂による封止後
に、前記絶縁テープから切り離される、請求項１の半導
体装置製造用キャリア。 - 【請求項３】 前記配線パターンは、搭載される複数の
半導体素子に対応した複数の配線パターンを有し、 前記金属フレームは、前記複数の配線パターンを露出さ
せる開口部を有し、かつ前記絶縁テープを搬送させる搬
送孔を周囲に有する、請求項１の半導体装置製造用キャ
リア。 - 【請求項４】 前記金属フレームは、前記絶縁テープの
上に搭載される半導体素子をモールド封止する金型内
で、前記絶縁テープを支持する支持部材として使用され
る、請求項１の半導体装置製造用キャリア。 - 【請求項５】 前記金属フレームは、接着剤によって前
記絶縁テープと接合される、請求項１の半導体装置製造
用キャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167298A JPH11219959A (ja) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | 半導体装置製造用キャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167298A JPH11219959A (ja) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | 半導体装置製造用キャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219959A true JPH11219959A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12061550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2167298A Pending JPH11219959A (ja) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | 半導体装置製造用キャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11219959A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10014380A1 (de) * | 2000-03-23 | 2001-10-04 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung zum Verpacken von elektronischen Bauteilen |
-
1998
- 1998-02-03 JP JP2167298A patent/JPH11219959A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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