JPH11222664A - メタルマスク、このメタルマスクを用いた抵抗体の形成方法およびこのメタルマスクを用いた抵抗器の製造方法 - Google Patents
メタルマスク、このメタルマスクを用いた抵抗体の形成方法およびこのメタルマスクを用いた抵抗器の製造方法Info
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- JPH11222664A JPH11222664A JP10022889A JP2288998A JPH11222664A JP H11222664 A JPH11222664 A JP H11222664A JP 10022889 A JP10022889 A JP 10022889A JP 2288998 A JP2288998 A JP 2288998A JP H11222664 A JPH11222664 A JP H11222664A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特性変化の小さい抵抗体を形成するためのメ
タルマスクを提供するものである。 【解決手段】 薄膜抵抗体をスパッタ工法を用いて形成
する際に用いるメタルマスク５１の開孔部５２に、スパ
ッタ蒸着源の方向にしたがって孔径を大きくしたテーパ
５３を設けるものである。
タルマスクを提供するものである。 【解決手段】 薄膜抵抗体をスパッタ工法を用いて形成
する際に用いるメタルマスク５１の開孔部５２に、スパ
ッタ蒸着源の方向にしたがって孔径を大きくしたテーパ
５３を設けるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、メタルマスク、こ
のメタルマスクを用いた抵抗体の形成方法およびこのメ
タルマスクを用いた抵抗器の製造方法に関するものであ
る。
のメタルマスクを用いた抵抗体の形成方法およびこのメ
タルマスクを用いた抵抗器の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴い、回路基
板に使用される電子部品に対しても実装密度を上げるた
め、ますます小形化への要求が高まっている。抵抗器に
対しても、電子回路の無調整化のため、小形かつ抵抗値
許容差の高精度な抵抗器への要求が高まってきている。
板に使用される電子部品に対しても実装密度を上げるた
め、ますます小形化への要求が高まっている。抵抗器に
対しても、電子回路の無調整化のため、小形かつ抵抗値
許容差の高精度な抵抗器への要求が高まってきている。
【０００３】以下、従来のメタルマスク、従来のメタル
マスクを用いた抵抗体の形成方法、および従来のメタル
マスクを用いた抵抗器の製造方法について、図面を参照
しながら説明する。
マスクを用いた抵抗体の形成方法、および従来のメタル
マスクを用いた抵抗器の製造方法について、図面を参照
しながら説明する。
【０００４】図７は、従来のメタルマスクの断面図であ
る。１は金属または磁性体でできたメタルマスク、２は
開孔部である。ここで、メタルマスクは、金属または磁
性体の板をフォトリソ法を用いて開孔部２を作製する。
この時、開孔部２側面のマスク表面に対する角度はほぼ
直角である。
る。１は金属または磁性体でできたメタルマスク、２は
開孔部である。ここで、メタルマスクは、金属または磁
性体の板をフォトリソ法を用いて開孔部２を作製する。
この時、開孔部２側面のマスク表面に対する角度はほぼ
直角である。
【０００５】以下に、従来のメタルマスクを用いた抵抗
体の形成方法について、以下に図面を用いて説明する。
体の形成方法について、以下に図面を用いて説明する。
【０００６】図８（ａ）は従来のメタルマスクを用いた
抵抗体形成時のメタルマスクの置載を示す平面図であ
る。（ｂ）は同Ｘ−Ｘ断面図、（ｃ）は同Ｙ−Ｙ断面図
である。図９はスパッタ工法による抵抗体形成時の図８
（ａ）におけるＹ−Ｙ断面図であり、図中の矢印はスパ
ッタ粒子の入射方向を示す。
抵抗体形成時のメタルマスクの置載を示す平面図であ
る。（ｂ）は同Ｘ−Ｘ断面図、（ｃ）は同Ｙ−Ｙ断面図
である。図９はスパッタ工法による抵抗体形成時の図８
（ａ）におけるＹ−Ｙ断面図であり、図中の矢印はスパ
ッタ粒子の入射方向を示す。
【０００７】メタルマスク１２の方形の開孔部１３が、
基板１１に作製した一対の電極１４に対して重畳するよ
うに密着して位置合わせをする。この時、メタルマスク
の開孔部１３の側面はメタルマスク表面に対してほぼ直
角である。この状態で、抵抗体としてＮｉ−Ｃｒ等のス
パッタ蒸着源を用い、スパッタ工法によりマスク開孔部
１３の基板１１上に薄膜抵抗体１５を形成する。
基板１１に作製した一対の電極１４に対して重畳するよ
うに密着して位置合わせをする。この時、メタルマスク
の開孔部１３の側面はメタルマスク表面に対してほぼ直
角である。この状態で、抵抗体としてＮｉ−Ｃｒ等のス
パッタ蒸着源を用い、スパッタ工法によりマスク開孔部
１３の基板１１上に薄膜抵抗体１５を形成する。
【０００８】以下に、従来のメタルマスクを用いた抵抗
器の製造方法を、図面を参照しながら説明する。
器の製造方法を、図面を参照しながら説明する。
【０００９】図１０は従来のメタルマスクを用いた抵抗
器の製造方法を示す工程図である。まず、図１０（ａ）
に示すように、９６％アルミナを含有してなる基板３１
の上面および下面の側部に、金属有機物等からなる電極
ペーストをスクリーン印刷・乾燥する。その後、焼成炉
で加熱することにより、電極ペーストの有機成分だけを
飛ばし、金属成分だけを基板３１上に焼き付け、上面電
極層３２および下面電極層（図示せず）を形成する。
器の製造方法を示す工程図である。まず、図１０（ａ）
に示すように、９６％アルミナを含有してなる基板３１
の上面および下面の側部に、金属有機物等からなる電極
ペーストをスクリーン印刷・乾燥する。その後、焼成炉
で加熱することにより、電極ペーストの有機成分だけを
飛ばし、金属成分だけを基板３１上に焼き付け、上面電
極層３２および下面電極層（図示せず）を形成する。
【００１０】次に、図１０（ｂ）に示すように、上面電
極層３２を形成した基板３１の上面に図８にある、従来
のメタルマスクを密着させ、スパッタ装置に入れ、抵抗
体層３３をスパッタ工法によりパターン形成する。この
時、メタルマスクの開孔部の側面はほぼ直角である。
極層３２を形成した基板３１の上面に図８にある、従来
のメタルマスクを密着させ、スパッタ装置に入れ、抵抗
体層３３をスパッタ工法によりパターン形成する。この
時、メタルマスクの開孔部の側面はほぼ直角である。
【００１１】次に、抵抗体層３３を安定な抵抗体にする
ために、熱処理を行う。次に、図１０（ｃ）に示すよう
に、抵抗体層３３の抵抗値を所定の値に修正するために
レーザートリミング等により、トリミング溝３４を施し
て抵抗値修正を行う。
ために、熱処理を行う。次に、図１０（ｃ）に示すよう
に、抵抗体層３３の抵抗値を所定の値に修正するために
レーザートリミング等により、トリミング溝３４を施し
て抵抗値修正を行う。
【００１２】次に、図１０（ｄ）に示すように、トリミ
ング溝３４を施して抵抗値修正した抵抗体層３３（本図
では図示せず）を保護するために、樹脂ペーストを抵抗
体層３３を覆うようにスクリーン印刷し、熱硬化して保
護層３５を形成する。
ング溝３４を施して抵抗値修正した抵抗体層３３（本図
では図示せず）を保護するために、樹脂ペーストを抵抗
体層３３を覆うようにスクリーン印刷し、熱硬化して保
護層３５を形成する。
【００１３】次に、図１０（ｅ）に示すように、基板３
１の側面に上面電極層３２および／または抵抗体層３３
と下面電極層（図示せず）とを接続するように、スパッ
タ工法によりＮｉ−Ｃｒ等の薄膜からなる側面電極層３
６を形成する。
１の側面に上面電極層３２および／または抵抗体層３３
と下面電極層（図示せず）とを接続するように、スパッ
タ工法によりＮｉ−Ｃｒ等の薄膜からなる側面電極層３
６を形成する。
【００１４】最後に、必要に応じて、露出している上面
電極層３２と下面電極層（図示せず）と側面電極層３６
に、電気めっきによって、Ｎｉめっき層（図示せず）、
はんだめっき層（図示せず）を形成して、抵抗器を製造
していた。
電極層３２と下面電極層（図示せず）と側面電極層３６
に、電気めっきによって、Ｎｉめっき層（図示せず）、
はんだめっき層（図示せず）を形成して、抵抗器を製造
していた。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のメタルマスクを用いて、スパッタ工法により抵抗体
の薄膜抵抗体の形成する場合は、図９に示すように、ス
パッタ粒子の入射方向は様々（図中の矢印で示す）であ
り、メタルマスク１２の開孔部１３端部へのスパッタ粒
子の入射が、メタルマスク１２の側面によって制限さ
れ、基板上の薄膜抵抗体１５の端部の膜厚が薄くなる。
このため、レーザートリミング等により、抵抗体の一部
を除去して抵抗値の修正を行った場合、抵抗体の端部付
近に負荷が集中し、抵抗体のパルス特性などの電気的特
性が劣化するという課題があった。
来のメタルマスクを用いて、スパッタ工法により抵抗体
の薄膜抵抗体の形成する場合は、図９に示すように、ス
パッタ粒子の入射方向は様々（図中の矢印で示す）であ
り、メタルマスク１２の開孔部１３端部へのスパッタ粒
子の入射が、メタルマスク１２の側面によって制限さ
れ、基板上の薄膜抵抗体１５の端部の膜厚が薄くなる。
このため、レーザートリミング等により、抵抗体の一部
を除去して抵抗値の修正を行った場合、抵抗体の端部付
近に負荷が集中し、抵抗体のパルス特性などの電気的特
性が劣化するという課題があった。
【００１６】本発明は、上記課題を解決するものであ
り、電気的特性に優れた薄膜抵抗体を形成するためのメ
タルマスクを提供するものである。
り、電気的特性に優れた薄膜抵抗体を形成するためのメ
タルマスクを提供するものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のメタルマスクは、スパッタ蒸着源の方向に
したがって孔径を大きくしたテーパを設けたものであ
る。
に、本発明のメタルマスクは、スパッタ蒸着源の方向に
したがって孔径を大きくしたテーパを設けたものであ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、開孔部にスパッタ蒸着源の方向にしたがって孔径を
大きくしたテーパを有することを特徴としたメタルマス
クである。
は、開孔部にスパッタ蒸着源の方向にしたがって孔径を
大きくしたテーパを有することを特徴としたメタルマス
クである。
【００１９】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
記載の開孔部は、一対の辺のみ孔径を大きくしたテーパ
を有する抵抗体形成用メタルマスクである。
記載の開孔部は、一対の辺のみ孔径を大きくしたテーパ
を有する抵抗体形成用メタルマスクである。
【００２０】また、請求項３に記載の発明は、開孔部に
スパッタ蒸着源の方向にしたがって孔径を大きくしたテ
ーパを有するメタルマスクを用いて、スパッタ工法によ
り薄膜抵抗体を形成する抵抗体の形成方法である。
スパッタ蒸着源の方向にしたがって孔径を大きくしたテ
ーパを有するメタルマスクを用いて、スパッタ工法によ
り薄膜抵抗体を形成する抵抗体の形成方法である。
【００２１】また、請求項４に記載の発明は、開孔部
は、一対の辺のみ孔径を大きくしたテーパを有するメタ
ルマスクを用い、薄膜抵抗体を形成する抵抗体の形成方
法である。
は、一対の辺のみ孔径を大きくしたテーパを有するメタ
ルマスクを用い、薄膜抵抗体を形成する抵抗体の形成方
法である。
【００２２】また、請求項５に記載の発明は、請求項４
記載の電極を形成した基板に、メタルマスクを用い、一
対の前記電極に対して孔径を大きくした辺と隣り合う辺
を前記電極と接続するように電極を形成した位置合わせ
をして、薄膜抵抗体を形成するものである。
記載の電極を形成した基板に、メタルマスクを用い、一
対の前記電極に対して孔径を大きくした辺と隣り合う辺
を前記電極と接続するように電極を形成した位置合わせ
をして、薄膜抵抗体を形成するものである。
【００２３】また、請求項６に記載の発明は、請求項５
記載の電極は、Ａｕ系、Ｃｕ系、Ｎｉ系、Ａｇ系の薄膜
または厚膜からなる抵抗体の形成方法である。
記載の電極は、Ａｕ系、Ｃｕ系、Ｎｉ系、Ａｇ系の薄膜
または厚膜からなる抵抗体の形成方法である。
【００２４】また、請求項７に記載の発明は、電極を形
成した基板に、開孔部にスパッタ蒸着源の方向にしたが
って孔径を大きくしたテーパを有するメタルマスクを用
い、一対の前記電極に対して孔径を大きくした辺と隣り
合う辺を前記電極と接続するように前記電極を形成した
位置合わせをして、薄膜抵抗を形成する工程を含むもの
である。
成した基板に、開孔部にスパッタ蒸着源の方向にしたが
って孔径を大きくしたテーパを有するメタルマスクを用
い、一対の前記電極に対して孔径を大きくした辺と隣り
合う辺を前記電極と接続するように前記電極を形成した
位置合わせをして、薄膜抵抗を形成する工程を含むもの
である。
【００２５】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態１による、メタルマスク、このメタルマスクを用いた
抵抗体の形成方法およびこのメタルマスクを用いた抵抗
器の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
態１による、メタルマスク、このメタルマスクを用いた
抵抗体の形成方法およびこのメタルマスクを用いた抵抗
器の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００２６】図１は本発明の実施の形態１におけるメタ
ルマスクの断面図である。図において、５１は金属また
は磁性体、好ましくは鉄製のメタルマスク、５２は開孔
部、５３はマスク表面に対し１５〜８０度、好ましくは
３０〜６５度の角度をつけた同開孔部の側面のテーパで
ある。
ルマスクの断面図である。図において、５１は金属また
は磁性体、好ましくは鉄製のメタルマスク、５２は開孔
部、５３はマスク表面に対し１５〜８０度、好ましくは
３０〜６５度の角度をつけた同開孔部の側面のテーパで
ある。
【００２７】以下に、本発明の実施の形態１におけるメ
タルマスクを用いた抵抗体の形成方法について、図面を
参照しながら説明する。
タルマスクを用いた抵抗体の形成方法について、図面を
参照しながら説明する。
【００２８】図２（ａ）は本発明実施の形態１における
メタルマスクを用いた抵抗体形成時のメタルマスクの置
載を示す平面図、図２（ｂ）は同Ｘ−Ｘ断面図、図２
（ｃ）は同Ｙ−Ｙ断面図である。図３は図２（ａ）にお
けるＹ−Ｙ断面図である。
メタルマスクを用いた抵抗体形成時のメタルマスクの置
載を示す平面図、図２（ｂ）は同Ｘ−Ｘ断面図、図２
（ｃ）は同Ｙ−Ｙ断面図である。図３は図２（ａ）にお
けるＹ−Ｙ断面図である。
【００２９】まず、メタルマスク６２の方形の開孔部６
３が、基板６１上に形成した一対の電極６４に対して重
畳するように密着して位置合わせをする。この時、メタ
ルマスク６２の方形の開孔部の向かい合う一対の側面
は、図１に示すように、メタルマスクの表面に対し１５
度〜８０度、好ましくは３０〜６５度の角度をつけたテ
ーパ６５を有する。位置合わせは、この辺と隣り合う辺
を一対の電極６４に接続するように行う。
３が、基板６１上に形成した一対の電極６４に対して重
畳するように密着して位置合わせをする。この時、メタ
ルマスク６２の方形の開孔部の向かい合う一対の側面
は、図１に示すように、メタルマスクの表面に対し１５
度〜８０度、好ましくは３０〜６５度の角度をつけたテ
ーパ６５を有する。位置合わせは、この辺と隣り合う辺
を一対の電極６４に接続するように行う。
【００３０】この後、基板６１およびメタルマスク６２
をスパッタ装置に入れ、Ｎｉ−Ｃｒ等の抵抗体材料を、
スパッタ工法によりマスク開孔部６３の基板６１上に抵
抗体６６を形成する。この時、図３に示すように、メタ
ルマスクの開孔部の一対の側面に設けられたテーパ６５
により、開孔部側面のスパッタ粒子の入射が制限されに
くくなり、抵抗体端部の膜厚は従来のメタルマスクを用
いて抵抗体を形成した場合に比べ厚くなり、抵抗体の電
気的特性が向上する。
をスパッタ装置に入れ、Ｎｉ−Ｃｒ等の抵抗体材料を、
スパッタ工法によりマスク開孔部６３の基板６１上に抵
抗体６６を形成する。この時、図３に示すように、メタ
ルマスクの開孔部の一対の側面に設けられたテーパ６５
により、開孔部側面のスパッタ粒子の入射が制限されに
くくなり、抵抗体端部の膜厚は従来のメタルマスクを用
いて抵抗体を形成した場合に比べ厚くなり、抵抗体の電
気的特性が向上する。
【００３１】以下に、本発明実施の形態１におけるメタ
ルマスクを用いた抵抗器の製造方法について、図面を参
照しながら説明する。
ルマスクを用いた抵抗器の製造方法について、図面を参
照しながら説明する。
【００３２】図４は本発明の実施の形態１における抵抗
器の製造方法を示す工程図である。まず、図４（ａ）に
示すように、耐熱性および絶縁性に優れた９６％アルミ
ナを含有してなる基板８１の上面および下面の側部に、
Ａｕを主成分とする金属有機物等からなる電極ペースト
をスクリーン印刷・乾燥する。次に、有機成分だけを飛
ばし、金属成分だけを基板８１上に焼き付けるために、
ベルト式連続焼成炉によって約８５０℃の温度で、４５
分のプロファイルによって焼成し、上面電極層８２およ
び下面電極層（図示せず）を形成する。
器の製造方法を示す工程図である。まず、図４（ａ）に
示すように、耐熱性および絶縁性に優れた９６％アルミ
ナを含有してなる基板８１の上面および下面の側部に、
Ａｕを主成分とする金属有機物等からなる電極ペースト
をスクリーン印刷・乾燥する。次に、有機成分だけを飛
ばし、金属成分だけを基板８１上に焼き付けるために、
ベルト式連続焼成炉によって約８５０℃の温度で、４５
分のプロファイルによって焼成し、上面電極層８２およ
び下面電極層（図示せず）を形成する。
【００３３】次に、図４（ｂ）に示すように、上面電極
層８２を形成した基板８１の上面に図１に示す、本発明
のメタルマスクを密着させ、Ｎｉ−Ｃｒ等の抵抗体層８
３をスパッタ工法により形成する。この時、本発明のメ
タルマスクでは、開孔部の側面にテーパがあるため、ス
パッタ粒子の入射が遮断されることはなく、抵抗体層８
３の端部の膜厚は従来のメタルマスクを用いた抵抗体形
成時より厚くなり、抵抗体の電気的特性が向上する。
層８２を形成した基板８１の上面に図１に示す、本発明
のメタルマスクを密着させ、Ｎｉ−Ｃｒ等の抵抗体層８
３をスパッタ工法により形成する。この時、本発明のメ
タルマスクでは、開孔部の側面にテーパがあるため、ス
パッタ粒子の入射が遮断されることはなく、抵抗体層８
３の端部の膜厚は従来のメタルマスクを用いた抵抗体形
成時より厚くなり、抵抗体の電気的特性が向上する。
【００３４】次に、抵抗体層８３を安定な抵抗体にする
ために、約３００〜４００℃の雰囲気中で熱処理を行
う。
ために、約３００〜４００℃の雰囲気中で熱処理を行
う。
【００３５】次に、図４（ｃ）に示すように、抵抗体層
８３の抵抗値を所定の値に修正するためにレーザートリ
ミング等により、トリミング溝８４を施して抵抗値修正
を行う。
８３の抵抗値を所定の値に修正するためにレーザートリ
ミング等により、トリミング溝８４を施して抵抗値修正
を行う。
【００３６】次に、図４（ｄ）に示すように、トリミン
グ溝８４を施して抵抗値修正した抵抗体層８３（本図で
は図示せず）を保護するために、エポキシ系の樹脂ペー
ストをスクリーン印刷し、約２００℃、３０分の条件で
熱硬化して保護層８５を形成する。
グ溝８４を施して抵抗値修正した抵抗体層８３（本図で
は図示せず）を保護するために、エポキシ系の樹脂ペー
ストをスクリーン印刷し、約２００℃、３０分の条件で
熱硬化して保護層８５を形成する。
【００３７】次に、図４（ｅ）に示すように、基板８１
の側面に上面電極層８２および／または抵抗体層８３と
下面電極層（図示せず）とを接続するように、スパッタ
工法によりＮｉ−Ｃｒ等の薄膜からなる側面電極層８６
を形成する。
の側面に上面電極層８２および／または抵抗体層８３と
下面電極層（図示せず）とを接続するように、スパッタ
工法によりＮｉ−Ｃｒ等の薄膜からなる側面電極層８６
を形成する。
【００３８】最後に、必要に応じて露出している上面電
極層８２と下面電極層（図示せず）と側面電極層８６の
はんだ付け時の電極食われの防止およびはんだ付け時の
信頼性の確保のため、電気めっきによって、Ｎｉめっき
層（図示せず）、はんだめっき層（図示せず）を形成し
て、抵抗器を製造するものである。
極層８２と下面電極層（図示せず）と側面電極層８６の
はんだ付け時の電極食われの防止およびはんだ付け時の
信頼性の確保のため、電気めっきによって、Ｎｉめっき
層（図示せず）、はんだめっき層（図示せず）を形成し
て、抵抗器を製造するものである。
【００３９】以上のように構成、製造された本発明の実
施の形態１における抵抗器は、抵抗体層の端部の膜厚
が、従来のメタルマスクを用いて形成されたものに比べ
厚くなる。これによって、電気的特性の優れた薄膜抵抗
器の製造が可能となる。
施の形態１における抵抗器は、抵抗体層の端部の膜厚
が、従来のメタルマスクを用いて形成されたものに比べ
厚くなる。これによって、電気的特性の優れた薄膜抵抗
器の製造が可能となる。
【００４０】以下、従来のメタルマスクを用いて製造し
た抵抗器と、本発明の実施の形態１のメタルマスクを用
いて製造した抵抗器について、以下に示す実験方法にて
比較した。
た抵抗器と、本発明の実施の形態１のメタルマスクを用
いて製造した抵抗器について、以下に示す実験方法にて
比較した。
【００４１】実験方法としては、パルス特性を評価する
ため、定格電圧の３倍の負荷を１秒間印加、２５秒間無
印加のサイクルを１００００回繰り返した後の抵抗値変
化率を測定した結果を図１１に示す。
ため、定格電圧の３倍の負荷を１秒間印加、２５秒間無
印加のサイクルを１００００回繰り返した後の抵抗値変
化率を測定した結果を図１１に示す。
【００４２】図１１から明らかなように、本発明の実施
の形態１における抵抗器は、従来の抵抗器に比べ、抵抗
値変化率は小さくなり、電気的特性の向上が図れた。
の形態１における抵抗器は、従来の抵抗器に比べ、抵抗
値変化率は小さくなり、電気的特性の向上が図れた。
【００４３】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２による、メタルマスク、このメタルマスクを用いた
抵抗体の形成方法およびこのメタルマスクを用いた抵抗
器の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
態２による、メタルマスク、このメタルマスクを用いた
抵抗体の形成方法およびこのメタルマスクを用いた抵抗
器の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００４４】抵抗体の形成に、図５に示す断面を持つ、
開孔部９２側面に階段型のテーパ９３を設けたメタルマ
スクを用いる。この時、開孔部９２側面のメタルマスク
９１上面の端と下面の端に囲まれた平面と、メタルマス
ク表面との角度９４は、１５度〜８０度、好ましくは３
０〜６５度である。
開孔部９２側面に階段型のテーパ９３を設けたメタルマ
スクを用いる。この時、開孔部９２側面のメタルマスク
９１上面の端と下面の端に囲まれた平面と、メタルマス
ク表面との角度９４は、１５度〜８０度、好ましくは３
０〜６５度である。
【００４５】このメタルマスクを用いた、抵抗体の形成
方法および抵抗器の製造方法は実施の形態１と同じであ
り、効果についても同様であるため、説明を省略する。
方法および抵抗器の製造方法は実施の形態１と同じであ
り、効果についても同様であるため、説明を省略する。
【００４６】（実施の形態３）以下、本発明の実施の形
態３による、メタルマスク、このメタルマスクを用いた
抵抗体の形成方法およびこのメタルマスクを用いた抵抗
器の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
態３による、メタルマスク、このメタルマスクを用いた
抵抗体の形成方法およびこのメタルマスクを用いた抵抗
器の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００４７】抵抗体の形成に、図６に示す断面を持つ、
開孔部１０２側面に曲率を持つ面のテーパ１０３を設け
たメタルマスクを用いる。この時、開孔部１０２側面の
メタルマスク１０１上面の端と下面の端に囲まれた平面
と、メタルマスク表面との角度１０４は、１５度〜８０
度、好ましくは３０〜６５度である。
開孔部１０２側面に曲率を持つ面のテーパ１０３を設け
たメタルマスクを用いる。この時、開孔部１０２側面の
メタルマスク１０１上面の端と下面の端に囲まれた平面
と、メタルマスク表面との角度１０４は、１５度〜８０
度、好ましくは３０〜６５度である。
【００４８】このメタルマスクを用いた、抵抗体の形成
方法および抵抗器の製造方法は実施の形態１と同じであ
り、また効果についても同様であるため、説明を省略す
る。
方法および抵抗器の製造方法は実施の形態１と同じであ
り、また効果についても同様であるため、説明を省略す
る。
【００４９】
【発明の効果】以上のように、本発明によるメタルマス
クを用いて、スパッタ工法により薄膜抵抗体を形成すれ
ば、開孔部の一対の側面に設けられたテーパにより、開
孔部側面のスパッタ粒子の入射が制限されにくくなり、
抵抗体端部の膜厚は、従来のメタルマスクを用いて抵抗
体を形成した場合に比べ厚くなり、抵抗体の電気的特性
が向上する。
クを用いて、スパッタ工法により薄膜抵抗体を形成すれ
ば、開孔部の一対の側面に設けられたテーパにより、開
孔部側面のスパッタ粒子の入射が制限されにくくなり、
抵抗体端部の膜厚は、従来のメタルマスクを用いて抵抗
体を形成した場合に比べ厚くなり、抵抗体の電気的特性
が向上する。
【００５０】したがって、本発明によるメタルマスクを
用いて、スパッタ工法により薄膜抵抗体を形成すれば、
電気的特性に優れた抵抗器を提供できる。
用いて、スパッタ工法により薄膜抵抗体を形成すれば、
電気的特性に優れた抵抗器を提供できる。
【図１】本発明の実施の形態１におけるメタルマスクの
断面図
断面図
【図２】同要部であるメタルマスクを用いて抵抗体の形
成を説明する模式図
成を説明する模式図
【図３】同要部であるメタルマスクを用いた抵抗体形成
時の状態を示す断面図
時の状態を示す断面図
【図４】同要部であるメタルマスクを用いた抵抗器の製
造方法の工程図
造方法の工程図
【図５】本発明の実施の形態２におけるメタルマスクの
断面図
断面図
【図６】本発明の実施の形態３におけるメタルマスクの
断面図
断面図
【図７】従来のメタルマスクの断面図
【図８】同要部であるメタルマスクを用いて抵抗体の形
成を説明する模式図
成を説明する模式図
【図９】同要部であるメタルマスクを用いた抵抗体形成
時の状態を示す断面図
時の状態を示す断面図
【図１０】同要部であるメタルマスクを用いた抵抗器の
製造方法の工程図
製造方法の工程図
【図１１】従来の抵抗器と本発明の実施の形態１による
抵抗器との特性比較した図
抵抗器との特性比較した図
５１ メタルマスク ５２ 開孔部 ５３ テーパ
Claims (7)
- 【請求項１】 開孔部にスパッタ蒸着源の方向にしたが
って孔径を大きくしたテーパを有するメタルマスク。 - 【請求項２】 開孔部は、一対の辺のみ孔径を大きくし
たテーパを有する請求項１記載のメタルマスク。 - 【請求項３】 基板に、開孔部にスパッタ蒸着源の方向
にしたがって孔径を大きくしたテーパを有するメタルマ
スクを用いて、スパッタ工法により薄膜抵抗体を形成す
る抵抗体の形成方法。 - 【請求項４】 基板に開孔部は、一対の辺のみ孔径を大
きくしたテーパを有するメタルマスクを用い、薄膜抵抗
体を形成する請求項３記載の抵抗体の形成方法。 - 【請求項５】 電極を形成した基板に、メタルマスクを
用い、一対の前記電極に対して孔径を大きくした辺と隣
り合う辺を前記電極と接続するように前記電極を形成し
た位置合わせをして、薄膜抵抗体を形成する請求項４記
載の抵抗体の形成方法。 - 【請求項６】 電極は、Ａｕ系、Ｃｕ系、Ｎｉ系、Ａｇ
系の薄膜または厚膜からなる請求項５記載の抵抗体の形
成方法。 - 【請求項７】 電極を形成した基板に、開孔部にスパッ
タ蒸着源の方向にしたがって孔径を大きくしたテーパを
有するメタルマスクを用い、一対の前記電極に対して孔
径を大きくした辺と隣り合う辺を前記電極と接続するよ
うに前記電極を形成した位置合わせをして、薄膜抵抗を
形成する工程を含む抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10022889A JPH11222664A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | メタルマスク、このメタルマスクを用いた抵抗体の形成方法およびこのメタルマスクを用いた抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10022889A JPH11222664A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | メタルマスク、このメタルマスクを用いた抵抗体の形成方法およびこのメタルマスクを用いた抵抗器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11222664A true JPH11222664A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=12095246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10022889A Pending JPH11222664A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | メタルマスク、このメタルマスクを用いた抵抗体の形成方法およびこのメタルマスクを用いた抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11222664A (ja) |
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- 1998-02-04 JP JP10022889A patent/JPH11222664A/ja active Pending
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