JPH11224423A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH11224423A JPH11224423A JP3970498A JP3970498A JPH11224423A JP H11224423 A JPH11224423 A JP H11224423A JP 3970498 A JP3970498 A JP 3970498A JP 3970498 A JP3970498 A JP 3970498A JP H11224423 A JPH11224423 A JP H11224423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- recording medium
- magnetic recording
- particle size
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 alkyl hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 1
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電磁変換特性および耐食性に優れた磁気記録媒
体の製造方法を提供する。 【解決手段】非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成し
た後に保護層を形成する磁気記録媒体の製造方法におい
て、最大粒径／平均粒径の比が２．５以下であり且つ平
均粒径／保護層の厚さの比が２０〜２５０の範囲である
研磨剤で上記の保護層の平滑化処理を行う。
体の製造方法を提供する。 【解決手段】非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成し
た後に保護層を形成する磁気記録媒体の製造方法におい
て、最大粒径／平均粒径の比が２．５以下であり且つ平
均粒径／保護層の厚さの比が２０〜２５０の範囲である
研磨剤で上記の保護層の平滑化処理を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体の製
造方法に関するものであり、詳しくは、電磁変換特性お
よび耐食性に優れた磁気記録媒体の製造方法に関するも
のである。
造方法に関するものであり、詳しくは、電磁変換特性お
よび耐食性に優れた磁気記録媒体の製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体は、非磁性基板上に少なく
とも磁性層を形成した後に保護層を形成することによっ
て製造される。そして、保護層の表面は、保護層形成時
の付着物などを除去するため、研磨剤や研磨テープによ
り平滑化処理される。
とも磁性層を形成した後に保護層を形成することによっ
て製造される。そして、保護層の表面は、保護層形成時
の付着物などを除去するため、研磨剤や研磨テープによ
り平滑化処理される。
【０００３】ところが、上記の平滑化処理の際、使用す
る研磨剤や研磨テープにより、保護層の表面に傷やスク
ラッチ等が生じ、電磁変換特性および耐食性が悪化する
という問題がある。斯かる問題は、特に、記録容量の増
加に伴って磁気ヘッドと媒体とのスペーシングロスを低
減するために保護層の厚さを薄くした場合（例えば１５
０Å以下の場合）に生じ易い。
る研磨剤や研磨テープにより、保護層の表面に傷やスク
ラッチ等が生じ、電磁変換特性および耐食性が悪化する
という問題がある。斯かる問題は、特に、記録容量の増
加に伴って磁気ヘッドと媒体とのスペーシングロスを低
減するために保護層の厚さを薄くした場合（例えば１５
０Å以下の場合）に生じ易い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記実情に
鑑みなされたものであり、その目的は、電磁変換特性お
よび耐食性に優れた磁気記録媒体の製造方法を提供する
ことにある。
鑑みなされたものであり、その目的は、電磁変換特性お
よび耐食性に優れた磁気記録媒体の製造方法を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、種々検討を
重ねた結果、保護層の平滑化処理において、所定の粒径
分布を有し且つ保護層の厚さとの関係において特定範囲
の平均粒径を有する研磨剤を使用するならば、上記の目
的を容易に達成し得るとの知見を得た。
重ねた結果、保護層の平滑化処理において、所定の粒径
分布を有し且つ保護層の厚さとの関係において特定範囲
の平均粒径を有する研磨剤を使用するならば、上記の目
的を容易に達成し得るとの知見を得た。
【０００６】本発明は、上記の知見に基づき完成された
ものであり、その要旨は、非磁性基板上に少なくとも磁
性層を形成した後に保護層を形成する磁気記録媒体の製
造方法において、最大粒径／平均粒径の比が２．５以下
であり且つ平均粒径／保護層の厚さの比が２０〜２５０
の範囲である研磨剤で上記の保護層の平滑化処理を行う
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法に存する。
ものであり、その要旨は、非磁性基板上に少なくとも磁
性層を形成した後に保護層を形成する磁気記録媒体の製
造方法において、最大粒径／平均粒径の比が２．５以下
であり且つ平均粒径／保護層の厚さの比が２０〜２５０
の範囲である研磨剤で上記の保護層の平滑化処理を行う
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法に存する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において、非磁性基板（以下、基板と略記する）
としては、アルミニウム合金基板、ガラス基板またはケ
イ素基板が好適に使用されるが、銅、チタン等のその他
の金属基板、セラミック基板または樹脂基板を使用する
ことも出来る。上記のケイ素基板は、純ケイ素基板の
他、ケイ素に強度増加のための微量元素を添加したケイ
素合金基板を使用することが出来る。基板は、通常、円
盤状に形成されるが、その他の形状、例えば、カード状
であってもよい。
本発明において、非磁性基板（以下、基板と略記する）
としては、アルミニウム合金基板、ガラス基板またはケ
イ素基板が好適に使用されるが、銅、チタン等のその他
の金属基板、セラミック基板または樹脂基板を使用する
ことも出来る。上記のケイ素基板は、純ケイ素基板の
他、ケイ素に強度増加のための微量元素を添加したケイ
素合金基板を使用することが出来る。基板は、通常、円
盤状に形成されるが、その他の形状、例えば、カード状
であってもよい。
【０００８】基板の表面に直接に磁性層を形成すること
も出来るが、通常は、基板の表面に下地層を形成し、当
該下地層を介して磁性層を形成する。下地層としては、
ＮｉＰ合金から成る非磁性下地層が好適であり、斯かる
下地層は、通常、無電解メッキ法またはスパッタ法によ
り形成される。下地層の厚さは、通常５０〜２０，００
０ｎｍ、好ましくは１００〜１５，０００ｎｍである。
も出来るが、通常は、基板の表面に下地層を形成し、当
該下地層を介して磁性層を形成する。下地層としては、
ＮｉＰ合金から成る非磁性下地層が好適であり、斯かる
下地層は、通常、無電解メッキ法またはスパッタ法によ
り形成される。下地層の厚さは、通常５０〜２０，００
０ｎｍ、好ましくは１００〜１５，０００ｎｍである。
【０００９】基板または下地層と磁性層との間には、Ｃ
ｒ層、Ｃｕ層などの中間層を設けるのが好ましい。中間
層の厚さは、通常２０〜２００ｎｍ、好ましくは５０〜
１００ｎｍである。磁性層は、Ｃｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ系
合金等の強磁性合金薄膜によって構成され、無電解メッ
キ、電気メッキ、スパッタ、蒸着などの方法によって形
成される。磁性層の厚さは、通常３０〜７０ｎｍ程度で
ある。
ｒ層、Ｃｕ層などの中間層を設けるのが好ましい。中間
層の厚さは、通常２０〜２００ｎｍ、好ましくは５０〜
１００ｎｍである。磁性層は、Ｃｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ系
合金等の強磁性合金薄膜によって構成され、無電解メッ
キ、電気メッキ、スパッタ、蒸着などの方法によって形
成される。磁性層の厚さは、通常３０〜７０ｎｍ程度で
ある。
【００１０】本発明においては、磁性層を形成した後に
保護層を形成する。保護層の形成は蒸着、スパッタリン
グ、プラズマＣＶＤ、イオンプレーティング、湿式法な
どによって行われ、その種類としては、炭素膜、水素化
カーボン膜、ＴｉＣ、ＳｉＣ等の炭化物膜、ＳｉＮ、Ｔ
ｉＮ等の窒化膜、ＳｉＯ、ＡｌＯ、ＺｒＯ等の酸化物膜
などが挙げられる。これらの中では、炭素膜または水素
化カーボン膜が好ましく、特に炭素膜が好ましい。保護
層の厚さは、通常１５０Å以下、好ましくは１００Å以
下、更に好ましくは５０Å以下であり、その下限は通常
５Åである。
保護層を形成する。保護層の形成は蒸着、スパッタリン
グ、プラズマＣＶＤ、イオンプレーティング、湿式法な
どによって行われ、その種類としては、炭素膜、水素化
カーボン膜、ＴｉＣ、ＳｉＣ等の炭化物膜、ＳｉＮ、Ｔ
ｉＮ等の窒化膜、ＳｉＯ、ＡｌＯ、ＺｒＯ等の酸化物膜
などが挙げられる。これらの中では、炭素膜または水素
化カーボン膜が好ましく、特に炭素膜が好ましい。保護
層の厚さは、通常１５０Å以下、好ましくは１００Å以
下、更に好ましくは５０Å以下であり、その下限は通常
５Åである。
【００１１】本発明において、上記の炭素膜の形成は、
内部に加熱フィラメントを設置し、基板にバイアスを印
加し得るＣＶＤ装置（熱フィラメントＣＶＤ装置）が好
適に使用される。このＣＶＤ装置においては、カソード
の加熱フィラメントから発生し且つ対向配置されたアノ
ードで加速された熱電子の衝突により原料モノマーを分
解して成膜種を生成させ、基板バイアス電圧により基板
に導き成膜する。また、本発明においては、平行平板型
プラズズマＣＶＤ装置（容量結合型）、コイル型プラズ
ズマＣＶＤ装置（誘導結合型）等も使用することが出
来、更に、プラズマ密度を高めるため、成膜 装置に永
久磁石や電磁石を設置して磁場を利用することも出来
る。
内部に加熱フィラメントを設置し、基板にバイアスを印
加し得るＣＶＤ装置（熱フィラメントＣＶＤ装置）が好
適に使用される。このＣＶＤ装置においては、カソード
の加熱フィラメントから発生し且つ対向配置されたアノ
ードで加速された熱電子の衝突により原料モノマーを分
解して成膜種を生成させ、基板バイアス電圧により基板
に導き成膜する。また、本発明においては、平行平板型
プラズズマＣＶＤ装置（容量結合型）、コイル型プラズ
ズマＣＶＤ装置（誘導結合型）等も使用することが出
来、更に、プラズマ密度を高めるため、成膜 装置に永
久磁石や電磁石を設置して磁場を利用することも出来
る。
【００１２】原料モノマーとしては、例えば、メタン、
エチレン、アセチレン等のアルキル系炭化水素、ベンゼ
ン、トルエン等の芳香族炭化水素、ピリジン、ピロール
等の窒素含有複素環化合物、アルコール類、シラン等の
シリコン系、ジボラン等のホウ素系が挙げられる。安全
性、取り扱いの容易さの観点から、トルエン又はピロー
ルが好適に使用される。原料モノマーは、種類の異なる
モノマー同士を混合して使用してもよく、Ａｒ、Ｈｅ等
の不活性ガス、Ｈ2、Ｎ2、Ｏ2等の反応性ガスと混合し
て使用してもよい。
エチレン、アセチレン等のアルキル系炭化水素、ベンゼ
ン、トルエン等の芳香族炭化水素、ピリジン、ピロール
等の窒素含有複素環化合物、アルコール類、シラン等の
シリコン系、ジボラン等のホウ素系が挙げられる。安全
性、取り扱いの容易さの観点から、トルエン又はピロー
ルが好適に使用される。原料モノマーは、種類の異なる
モノマー同士を混合して使用してもよく、Ａｒ、Ｈｅ等
の不活性ガス、Ｈ2、Ｎ2、Ｏ2等の反応性ガスと混合し
て使用してもよい。
【００１３】本発明においては、上記の様に形成された
保護層の表面を平滑化処理して保護層成分を主体とした
付着物を除去する。例えば、保護層が原料モノマーの分
解を含む成膜装置（ＣＶＤ装置）で形成される炭素膜の
場合は、気相で発生したパーティクルや装置内部壁面に
付着した薄膜からの剥離片に由来するカーボン付着物な
どを除去する。
保護層の表面を平滑化処理して保護層成分を主体とした
付着物を除去する。例えば、保護層が原料モノマーの分
解を含む成膜装置（ＣＶＤ装置）で形成される炭素膜の
場合は、気相で発生したパーティクルや装置内部壁面に
付着した薄膜からの剥離片に由来するカーボン付着物な
どを除去する。
【００１４】上記の平滑化処理は、研磨テープを使用し
た固定砥粒方式や研磨剤を使用した遊離砥粒方式で行わ
れるが、本発明においては最大粒径／平均粒径の比が
２．５以下であり且つ平均粒径／保護層の厚さの比が２
０〜２５０の範囲である研磨剤を使用することが重要で
ある。
た固定砥粒方式や研磨剤を使用した遊離砥粒方式で行わ
れるが、本発明においては最大粒径／平均粒径の比が
２．５以下であり且つ平均粒径／保護層の厚さの比が２
０〜２５０の範囲である研磨剤を使用することが重要で
ある。
【００１５】研磨剤における最大粒径／平均粒径の比が
２．５を超える場合（研磨剤粒子の粒度分布が広すぎる
場合）は、粗大粒子により保護層の表面が損傷し易い。
斯かる最大粒径／平均粒径の比の下限は通常１．５程度
である。また、研磨剤の平均粒径／保護層の厚さの比が
２５０を超える場合（研磨剤の粒子が大き過ぎる場合）
は、研磨剤の粒子が保護層内に深く入り込み過ぎて保護
層に傷を付けてしまい、磁気記録媒体の耐食性が低下す
る。逆に、研磨剤の平均粒径／保護層の厚さの比が２０
未満の場合（研磨剤の粒子が小さ過ぎる場合）は、保護
層表面の付着物を十分に除去することが出来ないために
磁気記録媒体の電磁変換特性が悪化する。研磨剤の種類
は、特に制限されないが、代表的な例としてはアルミナ
粒子が挙げられる。
２．５を超える場合（研磨剤粒子の粒度分布が広すぎる
場合）は、粗大粒子により保護層の表面が損傷し易い。
斯かる最大粒径／平均粒径の比の下限は通常１．５程度
である。また、研磨剤の平均粒径／保護層の厚さの比が
２５０を超える場合（研磨剤の粒子が大き過ぎる場合）
は、研磨剤の粒子が保護層内に深く入り込み過ぎて保護
層に傷を付けてしまい、磁気記録媒体の耐食性が低下す
る。逆に、研磨剤の平均粒径／保護層の厚さの比が２０
未満の場合（研磨剤の粒子が小さ過ぎる場合）は、保護
層表面の付着物を十分に除去することが出来ないために
磁気記録媒体の電磁変換特性が悪化する。研磨剤の種類
は、特に制限されないが、代表的な例としてはアルミナ
粒子が挙げられる。
【００１６】通常、上記の保護層の表面には潤滑剤層が
設けられる。潤滑剤としては、例えば、フッ素系液体潤
滑剤（パーフルオロポリエーテル等）が好適に使用さ
れ、潤滑剤層は、通常、浸漬法などにより保護層の表面
に厚さ１〜３ｎｍ程度で形成される。そして、その後の
焼成処理により、潤滑剤膜の厚さの均一化と揮発分の除
去が行われる。なお、本発明においては、記載を省略し
たが、機械的テキスチャテ等の主知の処理を施してもよ
い
設けられる。潤滑剤としては、例えば、フッ素系液体潤
滑剤（パーフルオロポリエーテル等）が好適に使用さ
れ、潤滑剤層は、通常、浸漬法などにより保護層の表面
に厚さ１〜３ｎｍ程度で形成される。そして、その後の
焼成処理により、潤滑剤膜の厚さの均一化と揮発分の除
去が行われる。なお、本発明においては、記載を省略し
たが、機械的テキスチャテ等の主知の処理を施してもよ
い
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を超えない限り以下の実施
例により限定されるものではない。
するが、本発明は、その要旨を超えない限り以下の実施
例により限定されるものではない。
【００１８】実施例１〜３及び比較例１ 基板として、無電解メッキ法によりＮｉＰメッキ被覆し
た直径９５ｍｍのアルミニウム合金基板を使用した。先
ず、０．３μｍの多結晶ダイヤを含む研磨液により表面
粗さＲａが１ｎｍになる様に基板表面研磨した後、その
表面にスパッタリング法でＣｏＮｉＣｒを主体とした磁
性層を製膜した。その後、磁性層の表面にトルエンを原
料としたＣＶＤ法により、厚さ１００Åの炭素膜から成
る保護層を形成した。
た直径９５ｍｍのアルミニウム合金基板を使用した。先
ず、０．３μｍの多結晶ダイヤを含む研磨液により表面
粗さＲａが１ｎｍになる様に基板表面研磨した後、その
表面にスパッタリング法でＣｏＮｉＣｒを主体とした磁
性層を製膜した。その後、磁性層の表面にトルエンを原
料としたＣＶＤ法により、厚さ１００Åの炭素膜から成
る保護層を形成した。
【００１９】次いで、ＪＩＳ Ｒ６００２法で測定した
際の平均粒径０．５μｍ、最大粒径１．０μｍのアルミ
ナ粒子を含む研磨テープを取り付けたＦＴＰにより、保
護層の表面を研磨した。その後、ディップコーターで潤
滑剤を膜厚２５Åになる様に塗布し、１００℃で６０分
間焼成して磁気記録媒体を得た。
際の平均粒径０．５μｍ、最大粒径１．０μｍのアルミ
ナ粒子を含む研磨テープを取り付けたＦＴＰにより、保
護層の表面を研磨した。その後、ディップコーターで潤
滑剤を膜厚２５Åになる様に塗布し、１００℃で６０分
間焼成して磁気記録媒体を得た。
【００２０】上記の保護層および潤滑剤の厚さはエリプ
ソメーターで測定した。また、表磁気記録媒体の表面の
損傷は、８０℃、相対湿度（ＲＨ）８５％で９６時間処
理した後、原子吸光法にて磁性層成分の表面への拡散量
を測定することにより評価した。また、電磁変換特性
は、磁気記録媒体を５４００ｒｐｍ回転させ１．０マイ
クロインチの浮上量で記録した際のＳ／Ｎ比で評価し
た。表１に結果を示す。
ソメーターで測定した。また、表磁気記録媒体の表面の
損傷は、８０℃、相対湿度（ＲＨ）８５％で９６時間処
理した後、原子吸光法にて磁性層成分の表面への拡散量
を測定することにより評価した。また、電磁変換特性
は、磁気記録媒体を５４００ｒｐｍ回転させ１．０マイ
クロインチの浮上量で記録した際のＳ／Ｎ比で評価し
た。表１に結果を示す。
【００２１】実施例２ 実施例１において、保護層の厚さを７５Åに変更した以
外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を得、評価し
た。
外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を得、評価し
た。
【００２２】実施例３ 実施例１において、保護層の厚さを５０Åに変更した以
外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を得、評価し
た。
外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を得、評価し
た。
【００２３】実施例４ 実施例１において、平均粒径０．２５μｍ、最大粒径
０．４５μｍの研磨剤に変更した以外は、実施例１と同
様にして磁気記録媒体を得、評価した。
０．４５μｍの研磨剤に変更した以外は、実施例１と同
様にして磁気記録媒体を得、評価した。
【００２４】実施例５ 実施例１において、保護層の厚さを７５Åに変更し、平
均粒径を０．２５μｍ、最大粒径０．４５μｍの研磨剤
に変更した以外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体
を得、評価した。
均粒径を０．２５μｍ、最大粒径０．４５μｍの研磨剤
に変更した以外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体
を得、評価した。
【００２５】比較例１ 実施例１において、平均粒径３．０μｍ、最大粒径６．
５の研磨剤に変更した以外は、実施例１と同様にして磁
気記録媒体を得、評価した。
５の研磨剤に変更した以外は、実施例１と同様にして磁
気記録媒体を得、評価した。
【００２６】比較例２ 実施例１において、平均粒径０．５μｍ、最大粒径３．
０μｍの研磨剤に変更した以外は、実施例１と同様にし
て磁気記録媒体を得、評価した。
０μｍの研磨剤に変更した以外は、実施例１と同様にし
て磁気記録媒体を得、評価した。
【００２７】比較例３ 実施例１において、保護層の厚さを２００Åに変更した
以外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を得、評価
した。
以外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を得、評価
した。
【００２８】
【表１】
【００３２】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、電磁変換
特性および耐食性に優れた磁気記録媒体の製造方法が提
供される。
特性および耐食性に優れた磁気記録媒体の製造方法が提
供される。
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成
した後に保護層を形成する磁気記録媒体の製造方法にお
いて、最大粒径／平均粒径の比が２．５以下であり且つ
平均粒径／保護層の厚さの比が２０〜２５０の範囲であ
る研磨剤で上記の保護層の平滑化処理を行うことを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 保護層が炭素膜である請求項１に記載の
製造方法。 - 【請求項３】 炭素膜が原料モノマーの分解を含む成膜
装置により形成される請求項１又は２に記載の製造方
法。 - 【請求項４】 保護層の厚さが１５０Å以下である請求
項１〜３の何れかに記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3970498A JPH11224423A (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3970498A JPH11224423A (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11224423A true JPH11224423A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=12560409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3970498A Pending JPH11224423A (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11224423A (ja) |
-
1998
- 1998-02-05 JP JP3970498A patent/JPH11224423A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7782569B2 (en) | Magnetic recording head and media comprising aluminum oxynitride underlayer and a diamond-like carbon overcoat | |
| JPS62109222A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH05274644A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0373419A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| KR102268582B1 (ko) | Ｃｍｐ 패드 컨디셔너 제조방법 및 이를 이용한 ｃｍｐ 패드 컨디셔너 | |
| EP0330356B1 (en) | A thin film magnetic medium and method of producing same | |
| JPH05143972A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体およびその製造法 | |
| JPH11238229A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3705474B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2623785B2 (ja) | 磁気ディスク | |
| EP0422547B1 (en) | Magnetic recording medium | |
| JPH05325164A (ja) | 磁気記録媒体とその製造方法 | |
| JPH01251313A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0223522A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| Wei et al. | Thin CN x overcoats deposited using various sputtering gases | |
| JP2000123359A (ja) | 磁気記録媒体用あるいは磁気記録用スライダーの保護膜形成方法 | |
| JPS63111168A (ja) | 磁気デイスク基板 | |
| JPH0896542A (ja) | バンプディスクの製造法 | |
| JP2004280905A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2000105920A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH0770050B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0830964A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2000057554A (ja) | 磁気ディスク | |
| JPH1021537A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0589452A (ja) | 薄膜型磁気記録媒体又は装置及び磁気記録媒体の製造方法 |