JPH11232877A - パイプライン化デュアルポート集積回路メモリ - Google Patents
パイプライン化デュアルポート集積回路メモリInfo
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Abstract
積回路表面積を使用して製造でき、低価格かつ高速の大
きなデュアルポートRAMを実現する。 【解決手段】 パイプライン化デュアルポート集積回路
メモリ20はスタティックランダムアクセスメモリ(S
RAM)セルのアレイ30を含み、メモリセル80の各
々は単一のワードライン72および単一のビットライン
対74,76に接続されている。制御回路32はメモリ
セルへのアクセスを制御し、アクセスに対する実質的に
同時的な要求がメモリ20にアクセスするデータプロセ
ッサの単一サイクルのクロック信号内で順次サービスさ
れる。アドレス衝突検出器110は2つのポートに与え
られるアドレスを比較し、かつ2つのポートの内のどれ
が始めにサービスされるかを決定するために使用される
整合信号をどのポートが読み出されまたは書き込まれる
かにかかわりなく発生する。
Description
に関し、かつより特定的にはデュアルポートメモリ(d
ual port memories)に関する。
に対して有用である。それらは通信およびマルチプロセ
ッサシステムの領域において特別の有用性を有する。マ
ルチプロセッサシステムにおいては、1つのプロセッサ
がデータをアレイに書き込むことができかつ他のプロセ
ッサがデータを読み出すことができる。特に、デュアル
ポートRAMは非同期転送モード(Asynchron
ous Transfer Mode:ATM)として
知られた通信の用途に極めて適している。ATMスイッ
チにおいては、多量のデータが2つの処理装置の間で転
送されなければならない。他の通信の用途は標準的なI
EEE802.3(通常デジタル・イクイップメント・
コーポレイションから得られる商標「イーサネット(E
thernet)」の下で知られている)の通信ルータ
である。これらの種類の用途は低価格であるが大きなア
レイを含むデュアルポートメモリを必要性としている。
ポートのランダムアクセスメモリ(RAM)は2つの技
術の内の1つを使用して構成されている。第1の技術に
おいては、各々のメモリセルは真にデュアルポートであ
り、かつ従って8つのトランジスタを必要とする。大き
なデュアルポートのメモリセルはアレイそれ自体を非常
に大きなものとし、この技術に基づく集積回路メモリは
高価なものとなる。第2の技術は区分されたアレイを備
えた標準的な単一ポートのスタティックRAMセルを使
用する。もし両方のポートが同時に同じ区分またはパー
ティション(partition)にアクセスを試みれ
ば、1つのアクスが遅延されなければならない。パーテ
ィションの数が増大にするに応じて、衝突が生じる可能
性は低減するが、余分のデコードおよび衝突検出回路の
ためコストが増大する。従って、必要なことは伝統的な
単一ポートSRAMセルを使用するが低価格でありかつ
高速である大きなデュアルポートRAMである。これら
の必要性は本発明によって満たされ、本発明の特徴およ
び利点は添付の図面および付随する説明を参照してさら
に説明する。
積回路メモリ(20)が提供され、該集積回路メモリ
は、複数のメモリセル(80)であって、該複数のメモ
リセルの各々は単一のワードライン(72)におよび単
一のビットライン対(74,76)に結合されているも
の、前記複数のメモリセルに結合され、アドレスを受け
たことに応答して前記複数のメモリセルの内のあるメモ
リセルを選択するためのアドレスデコーダ(30,3
6)、前記アドレスデコーダに結合され、前記複数のメ
モリセルにアクセスするために前記アドレスデコーダに
第1のアドレスを提供する第1のアドレスポート(6
0)、前記アドレスデコーダに結合され、前記複数のメ
モリセルにアクセスするために前記アドレスデコーダに
第2のアドレスを提供する第2のアドレスポート(6
2)、前記複数のメモリセルに結合され、前記第1また
は第2のアドレスに応答して前記複数のメモリセルから
データを読み出すための読出しデータポート(30、
「データ_出力」)、前記複数のメモリセルに結合さ
れ、前記第1または第2のアドレスに応答して前記複数
のメモリセルにデータを書き込むための書込みデータポ
ート(30、「データ_入力」)、そして前記アドレス
デコーダに、前記第1および第2のアドレスポートに、
および前記読出しおよび書込みデータポートに結合され
た制御回路(32)であって、該制御回路は前記複数の
メモリセルへのアクセスを制御するためのものであり、
前記複数のメモリセルへのアクセスのための実質的に同
時的な要求は前記集積回路メモリにアクセスするデータ
プロセッサのクロック信号の単一のクロックサイクル内
で順次サービスされるもの、を具備することを特徴とす
る。
ュアルポートスタティックランダムアクセスメモリ(2
0)が提供され、該メモリは、複数のスタティックラン
ダムアクセスメモリセル(80)であって、該複数のス
タティックランダムアクセスメモリセルの各々は単一の
ワードライン(72)におよび単一のビットライン対
(74,76)に結合されているもの、前記複数のスタ
ティックランダムアクセスメモリセルに結合され、アド
レスを受信したことに応じて前記複数のスタティックラ
ンダムアクセスメモリセルの内のあるメモリセルを選択
するためのアドレスデコーダ(30,36)、前記アド
レスデコーダに結合され、前記複数のスタティックラン
ダムアクセスメモリセルにアクセスするために前記アド
レスデコーダに第1のアドレスを提供するための第1の
アドレスポート(60)、前記アドレスデコーダに結合
され、前記複数のスタティックランダムアクセスメモリ
セルにアクセスするために前記アドレスデコーダに第2
のアドレスを提供するための第2のアドレスポート(6
2)、前記複数のスタティックランダムアクセスメモリ
セルに結合され、前記第1のアドレスまたは前記第2の
アドレスのいずれかに応答して前記複数のスタティック
ランダムアクセスメモリセルからデータを読み出すため
の第1の読出し/書込みデータポート(30、「データ
_出力」)、前記複数のメモリセルに結合され、前記第
1または第2のアドレスのいずれかに応答して前記複数
のスタティックランダムアクセスメモリにデータを書き
込むための第2の読出し/書込みデータポート(30、
「データ_入力」)、そして前記アドレスデコーダに、
前記第1および第2のアドレスポートに、および前記第
1第2の読出し/書込みデータポートに結合された制御
回路(32)であって、該制御回路は前記複数のスタテ
ィックランダムアクセスメモリセルへのアクセスを制御
するためのものであり、前記複数のスタティックランダ
ムアクセスメモリへのアクセスのための実質的に同時的
な要求は前記パイプライン化デュアルポートスタティッ
クランダムアクセスメモリにアクセスするデータプロセ
ッサのクロック信号の単一クロックサイクル内で順次サ
ービスされるもの、を具備することを特徴とする。
ン化デュアルポートスタティックランダムアクセスメモ
リ(20)が提供され、該メモリは、複数のスタティッ
クランダムアクセスメモリセル(80)であって、該複
数のスタティックランダムアクセスメモリセルの各々は
単一のワードライン(72)におよび単一のビットライ
ン対(74,76)に結合されているもの、前記複数の
スタティックランダムアクセスメモリセルに結合され、
アドレスを受信したことに応じて前記複数のスタティッ
クランダムアクセスメモリセルの内のあるメモリセルを
選択するためのアドレスデコーダ(30,36)、前記
アドレスデコーダに結合され、前記複数のスタティック
ランダムアクセスメモリセルにアクセスするために前記
アドレスデコーダに第1のアドレスを提供するための第
1のアドレスポート(60)、前記アドレスデコーダに
結合され、前記複数のスタティックランダムアクセスメ
モリセルにアクセスするために前記アドレスデコーダに
第2のアドレスを提供するための第2のアドレスポート
(62)、前記第1および第2のアドレスポートに結合
され、前記第1および第2のアドレスを受信し、かつこ
れに応じて、前記第1のアドレスが前記第2のアドレス
と同じである場合に第1の論理状態の整合信号を提供
し、かつ前記第1のアドレスが前記第2のアドレスと同
じでない場合に第2の論理状態の整合信号を提供するた
めのアドレス衝突検出器(110)、前記複数のスタテ
ィックランダムアクセスメモリセルに結合され、前記第
1のアドレスまたは前記第2のアドレスのいずれかに応
答して前記複数のスタティックランダムアクセスメモリ
セルからデータを読み出すための第1の読出し/書込み
データポート(30、「データ_出力」)、前記複数の
スタティックランダムアクセスメモリセルに結合され、
前記第1のアドレスまたは前記第2のアドレスのいずれ
かに応答して前記複数のスタティックランダムアクセス
メモリセルにデータを書き込むための第1の読出し/書
込みデータポート(30、「データ_入力」)、そして
前記アドレスデコーダに、前記第1および第2のアドレ
スポートに、前記アドレス衝突検出器に、そして前記第
1および第2の読出し/書込みデータポートに結合され
た制御回路(32)であって、該制御回路は前記複数の
メモリセルへのアクセスを制御するためのものであり、
前記複数のスタティックランダムアクセスメモリセルへ
のアクセスのための実質的に同時的な要求は前記パイプ
ライン化デュアルポートスタティックランダムアクセス
メモリにアクセスするデータプロセッサのクロック信号
の単一のクロックサイクル内で順次サービスされ、かつ
前記整合信号が前記第1および第2の読出し/書込みデ
ータポートの内のどれが始めにサービスされるかを決定
するもの、を具備することを特徴とする。
に係わるパイプライン化されたデュアルポート集積回路
メモリ20を示す。メモリ20は概略的に単一ポートS
RAMアレイ30、クロックおよび制御パス32、入力
/出力(I/O)データパス(path)34、アドレ
スパス36、および一組の入力および/または出力ボン
ディングパッド40を含む。入力および/または出力パ
ッドは次のとおりである。すなわち、「クロック(CL
OCK)」と名付けられたクロック入力パッド42、
「R/W_ポート1(R/W_PORT1)」と名付け
られたポート1のための読出し/書込み入力パッド4
4、「R/W_ポート2(R/W_PORT2)」と名
付けられたポート2のための読出し/書込み入力パッド
46、「データ_ポート1(DATA_PORT1)」
と名付けられたポート1のためのデータ入力/出力パッ
ド48、「データ_ポート2(DATA_PORT
2)」と名付けられたポート2のためのデータ入力/出
力パッド50、「OE_ポート1(OE_PORT
1)」と名付けられたポート1のための出力イネーブル
入力パッド52、「OE_ポート2(OE_PORT
2)」と名付けられた出力イネーブル入力パッド54、
「PT_ポート1(PT_PORT1)」と名付けられ
たパススルー入力パッド(path through
input pad)56、「PT_ポート2(PT_
PORT2)」と名付けられたポート2のためのパスス
ルー入力パッド58、「アドレス_ポート1(ADDR
ESS_PORT1)」と名付けられたポート1のため
のアドレス入力パッド、そして「アドレス_ポート2
(ADDRESS_PORT2)」と名付けられたポー
ト2のためのアドレス入力パッド62を含んでいる。明
らかに、データおよびアドレス端子はマルチビット端子
を表しているが、本発明の理解を容易にするため単一の
端子として示されている。
に接続された「クロック(CLOCK)」入力端子、パ
ッド44に接続された「R/W_ポート1(R/W_P
ORT1)」入力端子、パッド46に接続された「R/
W_ポート2(R/W_PORT2)」入力端子、「整
合(MATCH)」と名付けられたアドレス整合入力、
「R/W信号(R/W SIGNALS)」と名付けら
れた読出し/書込み出力端子、およびクロック(CLO
CKS)」と名付けられたクロック制御出力端子を有す
る。I/Oデータパス34はボンディングパッド48,
50,52,54,56,および58に対応する端子、
信号「整合」を受けるための入力端子、信号「クロッ
ク」を受けるための入力端子、「データ_入力(DAT
A_IN)」と名付けられた出力端子、および「データ
_出力(DATA_OUT)」と名付けられた入力端子
を有する。アドレスパス36は「アドレス_ポート1」
パッド60および「アドレス_ポート2」パッド62に
対応するアドレス入力端子、「整合」信号を提供するた
めの出力端子、「クロック」を受けるための入力端子、
および「アドレス_RAM(ADDRESS_RA
M)」と名付けられた信号を提供するための出力端子を
有する。前記クロックおよび制御パス32によって出力
される「クロック」はすべてがI/Oデータパス34お
よびアドレスパス36の各々によって受信されるのでは
ないことに注意を要する。これらのブロックの各々によ
って受信される特定の「クロック」は後に図3〜図5を
参照してさらに説明する。
の制御入力端子、I/Oデータパス34の「データ_入
力」出力端子に接続されたデータ入力端子、I/Oデー
タパス34の「データ_出力」入力端子に接続されたデ
ータ出力端子、およびアドレスパス36の「アドレス_
RAM」出力を受けるためのアドレス入力端子を有する
標準的な単一ポートのスタティックランダムアクセスメ
モリアレイである。前記「R/W信号」の構成はアレイ
30の特定の設計に応じて実施形態により変化し、かつ
従って、これらの信号は包括的に示されていることに注
意を要する。しかしながら、メモリ20において使用さ
れる特定の信号はさらに図5を参照して後に説明する。
トまたはフルデュアルポートのスタティックランダムア
クセスメモリ(SRAM)として機能する。しかしなが
ら、アレイ区分技術を使用するいくつかのデュアルポー
ト設計とは異なり、2つのアクセスが単一のクロックサ
イクル内で生じ得ない状況はない。さらに、メモリ20
は標準的な6トランジスタSRAMセルを使用し、かつ
従って他のデュアルポート化された技術に関連する特別
のデュアルポート化されたセルの必要性を避けている。
信号のそれぞれの周期または期間(period)に対
してアレイ30にアクセスするために2つのアクセスを
発生することにより達成する。アレイ30は外部「クロ
ック」信号の2倍の速度でアクセスされ得る単一ポート
のメモリコアである。一般に、メモリ20はポート1の
アクセスの要求に基づく「クロック」サイクルの第1の
部分の間にかつポート2のアクセスに基づく「クロッ
ク」サイクルの第2の部分の間にアレイ30のアクセス
の要求を発生する。メモリ20はポート2に対する同じ
アドレスへの試みられた読出しがある「クロック」サイ
クルの間にポート1の試みられた書込みサイクルがある
特別の場合にこの順序を反転する。
照してさらによく理解されるであろう。図2は、単一ポ
ートメモリセル80を含む図1のアレイ30の一部70
を部分的回路図および部分的ブロック図形式で示す。メ
モリセル80はワードライン72によって導かれる“W
L”と名付けられた信号のアクティベイションまたは活
性化によりアクセスされるスタティックRAMセルであ
り、かつビットライン74および76の相補対によっ
て、それぞれ、“BL”および“*BL”と名付けられ
た差動データ信号を導く。メモリセル80はNチャネル
金属酸化物半導体(MOS)トランジスタ82および8
4、そしてインバータ86および88を含む。トランジ
スタ82はビットライン74に接続された第1の電流電
極、ワードライン72に接続されたゲート、および第2
の電流電極を有する。トランジスタ84はビットライン
76に接続された第1の電流電極、ワードライン72に
接続されたゲート、および第2の電流電極を有する。イ
ンバータ86はトランジスタ82の第2の電流電極に接
続された入力端子、およびトランジスタ84の第2の電
流電極に接続された出力端子を有する。インバータ88
はインバータ86の出力端子に接続された入力端子、お
よびインバータ86の入力端子に接続された出力端子を
有する。
な単一ポートの6トランジスタメモリセルであり、その
論理状態は逆並列またはバック−バック(back−t
o−back)接続されたインバータ86および88の
動作によって記憶される。ここで説明されるように、1
つのメモリセルにおけるトランジスタの数は記憶を行う
トランジスタに加えてアクセストランジスタを含むこと
に注意を要する。メモリセル80は伝統的にワードライ
ン72の活性化またはアクティベイションによってアク
セスされる。ワードライン72がアクティブである場
合、トランジスタ82および84は導通し、メモリセル
の内容を比較的小さな差動電圧としてビットライン74
および76上に結合する。この電圧はその後検知されか
つ出力される。書込みサイクルの間に、外部回路がBL
および*BLの間に比較的大きな差動電圧を提供しメモ
リセル80に記憶された内容を上書きまたはオーバライ
トする。
のデュアルポート化されたメモリセルと異なっている。
第1に、それは8個のトランジスタの代わりに6個を含
むのみである。第2に、それは2つの別個の対のビット
ラインの代わりに単一の相補的な対のビットラインにの
み接続され、2つの余分のアクセストランジスタを節約
する。さらに、デュアルポート化されたメモリセルに対
する2つのワードラインと比較して、メモリセル80に
アクセスできる単一のワードラインのみがある。2つの
トランジスタを節約することに加えて、単一のワードラ
インおよび単一のビットライン対のみへの接続はまたメ
モリセル80へのおよびメモリセル80からの金属ワイ
ヤリングの量を低減する。これらの効果はアレイ30が
比較的安価な従来のSRAMセルを使用して構成できる
ようにする。単一ポートのメモリセルのようなメモリセ
ル80を使用して構成されたアレイは対応する8トラン
ジスタの真のデュアルポートのメモリセルに基づくアレ
イのサイズの約25パーセントとなることに注意を要す
る。
36を示す。アドレスパス36は概略的にアドレスポー
ト入力段90、プリデコーダ部100、およびアドレス
衝突検出器110を含む。入力段90は概略的に排他的
ORゲート92、“DFF”と名付けられたD型フリッ
プフロップ94、および“MUX”と名付けられたマル
チプレクサ96を含む。排他的ORゲート92はパッド
60に接続されて「アドレス_ポート1」信号を受ける
ための第1の入力端子、パッド62に接続されて「アド
レス_ポート2」信号を受けるための第2の入力端子、
および出力端子を有する。入力段90はアドレスビット
の数に対応する数の入力段の内の代表的な1つであり、
かつ各々のアドレスビットに対応して図3に示される入
力段90のような入力段がある。D型フリップフロップ
94はパッド62に接続され「アドレス_ポート2」信
号を受けるためのD入力端子、“P2CLK”と名付け
られた信号を受けるためのクロック入力端子、およびQ
出力端子を有する。MUX96はパッド60に接続され
て「アドレス_ポート1」信号を受けるための第1の入
力端子、D型フリップフロップ94のQ出力端子に接続
された第2の入力端子、“P1P2MUX”と名付けら
れた信号を受けるための制御入力端子、および出力端子
を有する。
2およびD型フリップフロップ104を含む。ANDゲ
ート102はMUX96の出力端子に接続された第1の
入力端子、第2の入力端子、および出力端子を有する。
D型フリップフロップ104はANDゲート102の出
力端子に接続されたD入力端子、“DECCLK”と名
付けられた信号を受けるためのクロック入力端子、およ
び「アドレス_RAM(ADDRESS_RAM)」と
名付けられ信号を提供するためのQ出力端子を有する。
プリデコーダ部100はプリデコードの間に行われる論
理機能を代表するものであることに注意を要する。従っ
て、ANDゲート102の第2の入力は名付けられてお
らず(not labelled)かつ、それ自身実施
形態によって変化する、どのようなプリデコード機能が
実際に行われているかに基づき変化するであろう。さら
に、ANDゲート102は特定の実施形態に基づき2
つ、3つ、またはそれ以上の入力を有してもよく、ある
いは異なる論理機能とすることもでき、かつMUX96
の出力はANDゲート102のようないくつかの他の論
理ゲートに提供されることに注意を要する。
112およびD型フリップフロップ114を含む。NO
Rゲート112は排他的ORゲート92の出力端子に接
続された第1の入力端子、および付加的な入力端子を有
する。これらの付加的な入力端子の各々は他のアドレス
ピンの各々に対応する他の入力段の対応する排他的OR
出力端子に接続されている。NORゲート112はまた
出力端子を有する。D型フリップフロップ114はNO
Rゲート112の出力端子に接続されたD入力端子、
“P3CLK”と名付けられた信号を受けるためのクロ
ック入力端子、および「整合」信号を提供するためのQ
出力端子を有する。
的な機能は図3に示された3つの部分の各々を参照して
説明することができる。入力段90は図1に示されるよ
うにアレイ30の入力をドライブする上で使用するため
の第1または第2のポートのアドレスの内の所定の1つ
を選択する働きをなす。「クロック」信号の半サイクル
の間に、「アドレス_ポート1」および「アドレス_ポ
ート2」の内の1つが後にさらに説明するようにしてア
レイ30に入力するために選択される。入力段90によ
って提供される付加的な機能は対応するアドレスビット
が等しいことを認識することである。排他的ORゲート
92の出力は前記2つのアドレスビットが同じである場
合にアクティブとなる。従って、アクティブローの出力
は2つの対応するアドレスビットの一致を表す。
はアレイ30に入力を提供するためにプリデコード機能
を達成する。他の実施形態では、プリデコード機能はア
レイ30の一部と考えることができるが、メモリ20に
おいては、それはアドレスパス36の機能であると考え
られる。「クロック」サイクルの最初の半分(hal
f)の間に、「アドレス_ポート1」におけるアドレス
入力はアレイ30に入力され、かつD型フリップフロッ
プ104がこのデコードされたアドレスを登録するため
に使用される。「クロック」サイクルの最初の部分の間
に、MUX96の最初の入力が選択されかつ従って「ポ
ート1」上のアドレスが通過しかつD型フリップフロッ
プ104によって形成されるレジスタに登録される。同
様に、クロックサイクルの第1の(first)部分の
間に、「アドレス_ポート2」によって導かれるアドレ
スが登録されるが、この場合はD型フリップフロップ9
4によって形成されるレジスタに登録される。「クロッ
ク」サイクルの第2の部分の間に、「ポート2」上に導
かれかつD型フリップフロップ94に格納されたアドレ
スがMUX96の第2の入力を通って選択されかつ次に
D型フリップフロップ104に登録されてプリデコード
されたアドレスをアレイ30にドライブする。
異なり、アドレス衝突検出器110はすべてのアドレス
入力ビットの間で共有または共用される。NORゲート
112は「ポート1」および「ポート2」アドレスの双
方の各アドレスビットが一致する条件を検出しかつこの
「整合」条件を示すためにアクティブハイ信号を提供す
る。D型フリップフロップ114はこの制御信号をクロ
ック信号P3CLKと時を同じくしてまたは一致して
(coincident with)記憶するために使
用される。
ロック図形式で示す。I/Oデータパス34は概略的に
セルフタイム化(self−timed)増幅器12
0、D型フリップフロップ130、MUX132、D型
フリップフロップ134、MUX136、D型フリップ
フロップ138,140,142,143,および14
4、MUX146、D型フリップフロップ148、およ
びANDゲート150を含む。セルフタイム化増幅器1
20はセンスアンプ122ならびにインバータ124お
よび126を含む。センスアンプ122は“GDL”と
名付けられた信号を受けるための正入力端子、“GDL
B”と名付けられた信号を受けるための負入力端子、
“FAMPB”と名付けられた信号を受けるためのアク
ティブローの制御入力端子、および出力端子を有する。
ここでおよび以下の説明で、その表現の終わりに“B”
が添付された信号はアクティブローの信号を表すことに
注意を要する。信号GDLおよびGDLBはアレイ30
における相補グローバルデータラインによって導かれる
信号であり、ローおよびコラムデコードによって選択さ
れるメモリセルの内容を表し、かつ図1の「データ_出
力」信号に対応する。インバータ124はセンスアンプ
122の出力端子に接続された入力端子、およ出力端子
を有する。インバータ126はインバータ124の出力
端子に接続された入力端子、およびインバータ124の
入力端子に接続された出力端子を有する。
プ122の出力端子に接続されたD入力端子、“DLC
LK1”と名付けられた信号を受けるためのクロック入
力端子、およびQ出力端子を有する。MUX132は
“0”と名付けられた第1の入力端子、D型フリップフ
ロップ130のQ出力端子に接続され“1”と名付けら
れた第2の入力端子、制御入力端子、および出力端子を
有する。D型フリップフロップ134はMUX132の
出力端子に接続されたD入力端子、“QVCLK”と名
付けられた信号を受けるためのクロック入力端子、およ
びパット48に接続されてそこに信号「データ_ポート
1」を提供するためのQ出力端子を有する。
の入力端子、“1”と名付けられた第2の入力端子、D
型フリップフロップ130のQ出力端子に接続され
“2”と名付けられた第3の入力端子、センスアンプ1
22の出力端子に接続され“3”と名付けられた第4の
入力端子、“RATFB”と名付けられた信号を受ける
ための“4”と名付けられた第1の制御入力端子、
“5”と名付けられた第2の制御入力端子、および出力
端子を有する。D型フリップフロップ138はMUX1
36の出力端子に接続されたD入力端子、信号QVCL
Kを受けるためのクロック入力端子、およびパッド50
に接続されてそこに信号「データ_ポート2」を提供す
るためのQ出力端子を有する。
に接続されて信号「PT_ポート2」を受けるためのD
入力端子、信号P3CLKを受けるためのクロック入力
端子、およびMUX132の制御入力端子に接続された
Q出力端子を有する。D型フリップフロップ142はパ
ッド56に接続されて信号「PT_ポート1」を受ける
ためのD入力端子、信号P3CLKを受けるためのクロ
ック入力端子、およびMUX136の第2の制御入力端
子に接続されたQ出力端子を有する。D型フリップフロ
ップ143はD型フリップフロップ134のQ出力端子
に接続されたD入力端子、“P2CLK”と名付けられ
た信号を受けるためのクロック入力端子、およびMUX
136の前記第1および第2の入力端子の双方に接続さ
れたQ出力端子を有する。D型フリップフロップ144
はパッド50に接続され信号「データ_ポート2」を受
けるためのD入力端子、信号P2CLKを受けるための
クロック入力端子、およびMUX132の第1の入力端
子に接続されたQ出力端子を有する。MUX146はD
型フリップフロップ134のQ出力端子に接続された第
1の入力端子、D型フリップフロップ144のQ出力端
子に接続された第2の入力端子、制御入力端子、および
出力端子を有する。D型フリップフロップ148はMU
X146の出力端子に接続されたD入力端子、“DIN
K”と名付けられた信号を受けるためのクロック入力端
子、および“EQD”と名付けられた信号を提供するた
めのQ出力端子を有する。ANDゲート150は信号P
1P2MUXを受けるための第1の入力端子、信号RA
FTBを受けるための第2の入力端子、MUX146の
制御入力端子に接続された出力端子を有する。信号EQ
Dは図1の「データ_入力」に対応することに注意を要
する。信号FAMPB,DLCLK1,QVCLK,P
3CLK,P1P2MUX,RATFB,P2CLKお
よびDINKは図1からの「クロック(CLOCK
S)」に対応する。
4つの異なる信号のボンディングパッドに接続され、各
々1つが「データ_ポート1」および「データ_ポート
2」からのデータ、ならびに2つの制御信号「PT_ポ
ート1」および「PT_ポート2」に対応する。これら
の制御信号は1つのポートから他のものへのデータの通
過を制御する通過またはパススルー(pass−thr
ough)信号である。従って、信号「PT_ポート
2」が論理ローでアクティブである場合は、D型フリッ
プフロップ140の出力はMUX132に対しパッド5
0からの「データ_ポート2」信号を表す第1の入力を
選択させこれはD型フリップフロップ134を通って
「データ_ポート1」信号としてパッド48に提供され
る。逆に、信号「PT_ポート1」がD型フリップフロ
ップ142の入力において論理ローでアクティブである
場合は、そのQ出力はMUX136を制御してMUX1
36の第1および第2の入力を選択させこれは、D型フ
リップフロップ143を介して、パッド48からの「デ
ータ_ポート1」信号を表しかつそのビットをD型フリ
ップフロップ138を介して「データ_ポート2」信号
としてパッド50に出力する。
スルーモードで動作していない場合につき説明する。セ
ルフタイム化増幅器120が使用されて読出しサイクル
の間にアレイ30からの出力データを検知する。セルフ
タイム化増幅器120の出力は、MUX136の第4の
入力端子を介して、D型フリップフロップ130のD入
力端子およびD型フリップフロップ138のD入力端子
の双方に入力される。従って、メモリアレイ30からの
データはどのポートが現在アレイにアクセスしているか
に応じて読出しサイクルの間に選択的に信号「データ_
ポート1」としてパッド48にあるいは信号「データ_
ポート2」としてパッド50に提供される。
される。MUX146はパッド48からの信号「データ
_ポート1」あるいはパッド50からの信号「データ_
ポート2」(これはD型フリップフロップ144に登録
されている)を選択する。この選択は信号RATFBと
論理的にAND操作された信号P1P2MUXに基づい
て行われる。信号RATFBは整合状態を示しかつさら
に後に説明する。選択された入力データは次にD型フリ
ップフロップ148において信号DINKによって登録
されかつ信号EQDとしてアレイ30へとドライブされ
る。
2を論理図形式で示す。概略的に、クロックおよび制御
パス32はI/Oクロック部160、自己同期(sel
f−synchronizing)ポート選択回路17
0、マスタクロック回路180、データおよびアドレス
クロック回路200、セルフタイム化読出しクロックお
よび制御論理回路210、および読出し/書込み制御回
路230を含む。I/Oクロック部160は遅延要素1
62,164および166を含み、それらの各々は「ク
ロック」信号を受けるためにパッド42に接続された入
力端子、および出力端子を有する。遅延要素162は信
号P2CLKを提供するための出力端子を有する。遅延
要素164は信号P3CLKを提供するための出力端子
を有する。遅延要素166は信号QVCLKを提供する
ための出力端子を有する。
ト172、SRフリップフロップ(SRFF)174、
および遅延要素176を含む。ORゲート172は第1
の入力端子、第2の入力端子、および出力端子を有す
る。SRフリップフロップ174は“S”と名付けられ
たセット端子、ORゲート172の出力端子に接続され
“R”と名付けられたリセット入力端子、および信号P
1P2MUXを提供するための“Q”と名付けられた出
力端子を有する。遅延要素176はSRフリップフロッ
プ174のQ出力端子に接続された入力端子、およびO
Rゲート172の第2の入力端子に接続された出力端子
を有する。
2、ANDゲート184、SRフリフロップ186、遅
延要素188および190、およびANDゲート192
および194を含む。遅延要素182は「クロック」信
号を受けるためにパッド42に接続された入力端子、お
よび相補または補出力端子を有する。ANDゲート18
4は「クロック」信号を受けるためにパッド42に接続
された第1の入力端子、遅延要素182の相補出力端子
に接続された第2の入力端子、および出力端子を有す
る。SRフリップフロップ186は信号DLCLK1を
受けるためのS入力端子、ANDゲート184の出力端
子に接続されたR入力端子、およびQ出力端子を有す
る。遅延要素188は「クロック」信号を受けるための
パッド42に接続された入力端子、および相補出力端子
を有する。遅延要素190はSRフリップフロップ18
6のQ出力端子に接続された入力端子、および相補出力
端子を有する。ANDゲート192は「クロック」信号
を受けるためのパッド42に接続された第1の入力端
子、遅延要素188の相補出力端子に接続された第2の
入力端子、およびSRフリップフロップ174のS入力
端子に接続された出力端子を有する。ANDゲート19
4はSRフリップフロップ186のQ出力端子に接続さ
れた第1の入力端子、遅延要素190の相補出力端子に
接続された第2の入力端子、およびORゲート192の
第1の入力端子に接続された出力端子を有する。
はORゲート202およびORゲート204を含む。O
Rゲート202はANDゲート192の出力端子に接続
された第1の入力端子、ANDゲート194の出力端子
に接続された第2の入力端子、および信号DINKを提
供するための出力端子を有する。ORゲート204はA
NDゲート192の出力端子に接続された第1の入力端
子、ANDゲート194の出力端子に接続された第2の
入力端子、および信号DECCLKを提供するための出
力端子を有する。
論理回路210は遅延要素212および214、SRフ
リップフロップ216、ANDゲート218、遅延要素
220,222および224、NORゲート226、お
よびORゲート228を含む。遅延要素212はORゲ
ート204の出力端子に接続された入力端子、および出
力端子を有する。遅延要素214はORゲート204の
出力端子に接続された入力端子、および出力端子を有す
る。SRフリップフロップ216は遅延要素212の出
力端子に接続されたR入力端子、S入力端子、およびQ
出力端子を有する。ANDゲート218は遅延要素21
4の出力端子に接続された第1の入力端子、SRフリッ
プフロップ174のQ出力端子に接続された第2の入力
端子、および出力端子を有する。遅延要素220はOR
ゲート204の出力端子に接続された入力端子、および
出力端子を有する。遅延要素222はSRフリップフロ
ップ216のQ出力端子に接続された入力端子、および
SRフリップフロップ216のS入力端子に接続された
相補出力端子を有する。遅延要素224はANDゲート
218の出力端子に接続された入力端子、および信号D
LCLK1を提供するための出力端子を有する。NOR
ゲート226はORゲート204の出力端子に接続され
た第1の入力端子、遅延要素220の出力端子に接続さ
れた第2の入力端子、および“DIC”と名付けられた
信号を提供するための出力端子を有する。ORゲート2
28はSRフリップフロップ216のQ出力端子に接続
された第1の入力端子、第2の入力端子、および“FA
MPB”と名付けられた信号を提供するための出力端子
を有する。
ップフロップ232および234、SRフリップフロッ
プ236、インバータ238、NANDゲート240お
よび242、ORゲート246、NANDゲート24
8、NORゲート250,252および254、インバ
ータ256、NANDゲート258および260、NO
Rゲート262、MUX264、およびセルフタイム化
書込みクロック回路270を含む。D型フリップフロッ
プ232は信号「R/W_ポート2」を受けるためにパ
ッド46に接続されたD入力端子、信号P3CLKを受
けるためのクロック入力端子、およびQ出力端子を有す
る。D型フリップフロップ234は信号「R/W_ポー
ト1」を受けるためにパッド44に接続されたD入力端
子、P3CLKを受けるためのクロック入力端子、およ
びQ出力端子を有する。SRフリップフロップ236は
ANDゲート192の出力端子に接続されたS入力端
子、ANDゲート194の出力端子に接続されたR入力
端子、およびQ出力端子を有する。
H)」を受けるための入力端子、および出力端子を有す
る。NANDゲート240はインバータ238の出力端
子に接続された第1の入力端子、D型フリップフロップ
232のQ出力端子に接続された第2の入力端子、およ
び出力端子を有する。NANDゲート242はD型フリ
ップフロップ232のQ出力端子に接続された第1の入
力端子、D型フリップフロップ234のQ出力端子に接
続された第2の入力端子、および出力端子を有する。O
Rゲート246はインバータ238の出力端子に接続さ
れた第1の入力端子、D型フリップフロップ234のQ
出力端子に接続された第2の入力端子、および信号RA
TFBを提供するための出力端子を有する。NANDゲ
ート248はNANDゲート240の出力端子に接続さ
れた第1の入力端子、NANDゲート242の出力端子
に接続された第2の入力端子、および出力端子を有す
る。NORゲート250は第1の入力端子、信号「整
合」を受けるための第2の入力端子、D型フリップフロ
ップ234のQ出力端子に接続された第3の入力端子、
および出力端子を有する。NORゲート252はNAN
Dゲート248の出力端子に接続された第1の入力端
子、第2の入力端子、および出力端子を有する。NOR
ゲート254はNORゲート250の出力端子に接続さ
れた第1の入力端子、NORゲート252の出力端子に
接続された第2の入力端子、および“CSWEB”と名
付けられた信号を提供するための出力端子を有する。
234のQ出力端子に接続された入力端子、および出力
端子を有する。NANDゲート258は信号「整合」を
受けるための第1の入力端子、インバータ256の出力
端子に接続された第2の入力端子、および出力端子を有
する。NANDゲート260はNANDゲート258の
出力端子に接続された第1の入力端子、D型フリップフ
ロップ232のQ出力端子に接続された第2の入力端
子、および出力端子を有する。NORゲート262は信
号「整合」を受けるための第1の入力端子、D型フリッ
プフロップ232のQ出力端子に接続された第2の入力
端子、および出力端子を有する。MUX264はNAN
Dゲート260の出力端子に接続された第1の入力端
子、NORゲート262の出力端子に接続された第2の
入力端子、SRフリップフロップ236のQ出力端子に
接続された制御入力端子、および“WEBCSB”と名
付けられた信号を提供するためにORゲート228の第
2の入力端子に接続された出力端子を有する。
はSRフリップフロップ272および274、遅延要素
276および278、およびインバータ280および2
82を含む。SRフリップフロップ272はANDゲー
ト192の出力端子に接続されたS入力端子、R入力端
子、およびQ出力端子を有する。SRフリップフロップ
274はANDゲート194の出力端子に接続されたS
入力端子、R入力端子、およびQ出力端子を有する。遅
延要素276はSRフリップフロップ272のQ出力端
子に接続された入力端子、およびSRフリップフロップ
272のR入力端子に接続された出力端子を有する。遅
延要素278はSRフリップフロップ274のQ出力端
子に接続された入力端子、およびSRフリップフロップ
274のR入力端子に接続された出力端子を有する。イ
ンバータ280はSRフリップフロップ272のQ出力
端子に接続された入力端子、およびNORゲート250
の第1の入力端子に接続された出力端子を有する。イン
バータ282はSRフリップフロップ274のQ出力端
子に接続された入力端子、NORゲート252の第2の
入力端子に接続された出力端子を有する。
につき図5に示される回路構造を参照して簡単に説明す
る。しかしながら、動作のさらなる詳細は後に図6およ
び図7を参照してさらに説明する。I/Oクロック部1
60は全て入力「クロック」に基づいている3つのクロ
ック信号を発生する。遅延要素162,164および1
66は、それぞれ、信号P2CLK,P3CLKおよび
QVCLKを発生する上で異なる量の遅延を与える。こ
れらの信号およびクロック信号の間の相対的なタイミン
グ関係は後にさらに説明する。
「ポート1」および「ポート2」の間の交互のアクセス
のための1ビットカウンタとして機能する。一般に、信
号「クロック」によって規定されるサイクルの最初の部
分は「ポート1」によってかつ第2のサイクルは「ポー
ト2」によって発生される。遅延要素176は電源が最
初に印加されたときに信号P1P2MUXが論理ロー状
態でスタートすることを保証するために使用されること
に注意を要する。パワーアップの後に、SRフリップフ
ロップ174のQ出力信号の状態は不定または不確定で
ある。しかしながら、遅延要素176およびORゲート
172への付加的な論理入力はSRフリップフロップ1
74がこの最初のサイクルの間に論理“0”にリセット
されることを保証し、かつしたがって信号P1P2MU
Xが最初のアクセスが生じる前に論理ローとして登録さ
れることを保証する。
ANDゲート192および194の出力において2つの
クロックを発生するために使用され、この場合ANDゲ
ート192の出力はサイクル1のアクセスに対するトリ
ガ信号を表わしかつANDゲート194の出力はサイク
ル2のアクセスに対するトリガを表わす。ANDゲート
および対応する遅延要素の組合わせはワンショットを形
成し、かつしたがって「クロック」のローからハイへの
遷移に際して、遅延要素188およびANDゲート19
2によって形成されるワンショットは最初のサイクルに
対するトリガを通知するために出力を提供する。最初の
または第1のサイクルの終りに、セルフタイム化読出し
クロックおよび制御論理回路210は信号DLCLK1
を活性化またはアクティベイトし、これはSRフリップ
フロップ186がセットされるようにする。そのQ出力
が論理ハイに遷移したとき、ANDゲート194は第2
のサイクルに関連するトリガ信号を出力する。「クロッ
ク」信号が再び論理ハイへと遷移したとき、ANDゲー
ト184の出力は論理ハイになり、それによってSRフ
リップフロップ186をリセットする。クロックおよび
制御パス32にわたり、ワンショットは回路がエッジト
リガされることを保証するために使用されている。した
がって、もし「クロック」信号がある与えられた論理状
態に保持されることによって静止していれば(stat
ic)、何らのタイミング信号も発生されない。
はデータ入力クロック信号DINKをデータパス34
に、かつ信号プリデコーダクロック信号DECCLKを
アドレスパス36に提供する。信号DINKおよびDE
CCLKは論理的に同じであるが、別個のORゲートを
通して出力され信号DECCLKがORゲート202に
よってドライブされる信号ライン上の余分のローディン
グ(loading)なしにできるだけ速く伝搬できる
ようにする。セルフタイム化読出しクロックおよび制御
論理回路210はクロックDIC,FAMPBおよびD
LCLK1を含む種々の他の動作にとって重要な3つの
クロックを発生するために使用される。信号DICはサ
イクル2またはサイクル1の終りに全てのデコーダをデ
ィスエーブルするために使用されるデコーダ禁止クロッ
クである。信号FAMPBはバックエンド検知(bac
k−end sensing)をイネーブルするために
使用され、かつ信号DLCLK1はサイクル1のデータ
を登録するためにならびにサイクル2の始めを通知する
ために使用される。
0をドライブするために制御信号を提供するために使用
される。第1の信号はWEBCSBであり、これは係属
中の読出しサイクルを示す。第2の信号はCSWEBで
あり、これは係属中の書込みサイクルを示す。アレイ3
0への「サイクル1」アクセスは「クロック」サイクル
の第1の部分の間に生じるアクセスであり、かつ「サイ
クル2」アクセスは「クロック」サイクルの間に「サイ
クル1」アクセスに続くアクセスである。通常、「ポー
ト1」アクセスは「サイクル1」の間に生じ、かつ「ポ
ート2」アクセスは「サイクル2」の間に生じる。信号
RATFBはもし「ポート1」および「ポート2」アド
レスの間に整合がありかつ「ポート1」によるアクセス
が書込みサイクルである場合に論理ローでアクティベイ
トまたは活性化される。信号RATFBは「ポート1」
および「ポート2」アクセスの順序を反転するために使
用され、それによってサイクル1の間に「ポート2」ア
クセスが行なわれかつサイクル2の間に「ポート1」ア
クセスが行なわれるようにする。したがって、メモリ2
0はリード・ビフォア・ライト(read−befor
e−write)プロトコルに従う。
モリ20の動作は以下の表1を参照して理解することが
できる。
表わし、“W”は書込みアクセスを表わし、“R1”は
「ポート1」からの読出しアクセスを表わし、“N”は
整合のない状態を表わし、かつ“Y”は整合状態を表わ
す。したがって、例えばケース1は「ポート1」および
「ポート2」における同時的な読出しアクセスを表わす
が、異なるアドレスに対するものである。この場合、ア
レイ30への「ポート1」アクセスは「サイクル1」の
間に行なわれ、かつポート2の読出しアクセスは「サイ
クル2」の間に行なわれる。一般に、「ポート1」への
アクセスは「サイクル1」の間に生じ、かつ「ポート
2」へのアクセスは「サイクル2」の間に生じる。しか
しながら、メモリ20はリード・ビフォア・ライトプロ
トコルに従うから、「ポート1」が「ポート2」が読出
しを試みているのと同じアドレスに書込みを試みる場
合、「ポート2」のアクセスは「サイクル1」の間に生
じかつ「ポート2」のアクセスは「サイクル2」の間に
生じる。さらに、「ポート1」および「ポート2」が同
じアドレスに書き込むことを試みる場合、「ポート1」
の書込みが優先する。
理解でき、これらの図はタイミング図形式で、それぞ
れ、非整合(ケース1〜4)および整合(ケース5〜
8)サイクルの間における図1のメモリ20の動作を理
解する上で関連ある信号を示している。今図6および図
7を一緒に考慮すると、メモリ20は同期メモリである
から、「クロック」信号は全ての他のクロック信号を開
始するマスタクロック信号として機能することが注目さ
れる。これらの依存性は最初のケースの間のみ図示され
ているが、他の全てのケースについても同様に当てはま
る。「クロック」信号のローからハイへの遷移はサイク
ル1〜サイクル2のシーケンスを開始させる。ハイから
ローへの遷移はサイクル2の開始に影響しない。信号P
1P2MUXは始めはサイクル1に対して論理ローであ
りかつサイクル2に対して論理ハイである。各々の「ク
ロック」の遷移はパルス化されたDECCLK信号のア
クティベイションまたは活性化を引き起こし、これはプ
リデコードされたアドレス信号がアドレスパスにラッチ
されるようにする。前記表1ならびに図6および図7に
示されるタイミング信号はメモリ20の主な動作を制御
するために充分な1組のタイミング信号であるが、実施
形態に応じて変わることに注意を要する。
とは本発明の一態様である。
スを受け、かつこれに応じて、第1のアドレスが第2の
アドレスと同じである場合に第1の論理状態の整合信号
を提供し、かつ前記第1のアドレスが前記第2のアドレ
スと同じでない場合に第2の論理状態の整合信号を提供
するアドレス衝突検出器を具備することは本発明の他の
態様である。
号は前記整合信号が第1の論理状態である場合に書込み
アクセスの前に読出しアクセスが生じることを保証する
ために前記制御回路に提供される。
データポートは第1の読出し/書込みデータポートであ
ることを特徴とし、かつ前記書込みデータポートは第2
の読出し/書込みデータポートであることを特徴とす
る。
は前記第1および第2の読出し/書込みデータポートに
結合され、集積回路メモリのパワーアップに際して、前
記第1のアドレスポートが前記第1の読出し/書込みデ
ータポートに同期しかつ前記第2のアドレスポートが前
記第2の読出し/書込みデータポートに同期することを
保証するための自己同期ポート選択回路を含む。
はさらに前記第1の読出し/書込みデータポートに提供
されるデータが前記第2の読出し/書込みデータポート
へと通過できるようにするパススルー(pass−th
rough)回路を含む。
よび第2の読出し/書込みデータポートは、それぞれ、
第1および第2の外部的に発生された出力イネーブル信
号によりイネーブルされ、前記第1および第2の外部的
に発生された出力イネーブル信号はいずれのクロック信
号とも独立に発生される。
たが、当業者にはさらに他の変更および改善を成すこと
ができる。例えば、本発明に係わるデュアルポートメモ
リは異なる密度の異なる単一ポートアレイを使用して構
成できる。使用されるタイミング信号もまた変えること
ができる。したがって、本発明は添付の特許請求の範囲
で規定される発明の範囲から離れることのない全てのそ
のような変更を含むことが理解されるべきである。
術の問題を克服することができ、伝統的な単一ポートの
SRAMセルを使用するが低価格かつ高速である大きな
デュアルポートRAMが実現できる。
集積回路メモリを示すブロック図である。
1のアレイの一部を示す部分的ブロック回路図である。
る。
図である。
解する上で関連ある信号を示すタイミング図である。
を理解する上で関連ある信号を示すタイミング図であ
る。
パッド 70 単一ポートメモリセルを含む図1のアレイ30の
一部 72 ワードライン 74,76 ビットライン 80 メモリセル 82,84 MOSトランジスタ 86,88 インバータ 90 アドレスポート入力段 100 プリデコーダ部 110 アドレス衝突検出器
Claims (3)
- 【請求項1】 集積回路メモリ(20)であって、 複数のメモリセル(80)であって、該複数のメモリセ
ルの各々は単一のワードライン(72)におよび単一の
ビットライン対(74,76)に結合されているもの、 前記複数のメモリセルに結合され、アドレスを受けたこ
とに応答して前記複数のメモリセルの内のあるメモリセ
ルを選択するためのアドレスデコーダ(30,36)、 前記アドレスデコーダに結合され、前記複数のメモリセ
ルにアクセスするために前記アドレスデコーダに第1の
アドレスを提供する第1のアドレスポート(60)、 前記アドレスデコーダに結合され、前記複数のメモリセ
ルにアクセスするために前記アドレスデコーダに第2の
アドレスを提供する第2のアドレスポート(62)、 前記複数のメモリセルに結合され、前記第1または第2
のアドレスに応答して前記複数のメモリセルからデータ
を読み出すための読出しデータポート(30、「データ
_出力」)、 前記複数のメモリセルに結合され、前記第1または第2
のアドレスに応答して前記複数のメモリセルにデータを
書き込むための書込みデータポート(30、「データ_
入力」)、そして前記アドレスデコーダに、前記第1お
よび第2のアドレスポートに、および前記読出しおよび
書込みデータポートに結合された制御回路(32)であ
って、該制御回路は前記複数のメモリセルへのアクセス
を制御するためのものであり、前記複数のメモリセルへ
のアクセスのための実質的に同時的な要求は前記集積回
路メモリにアクセスするデータプロセッサのクロック信
号の単一のクロックサイクル内で順次サービスされるも
の、 を具備することを特徴とする集積回路メモリ(20)。 - 【請求項2】 パイプライン化デュアルポートスタティ
ックランダムアクセスメモリ(20)であって、 複数のスタティックランダムアクセスメモリセル(8
0)であって、該複数のスタティックランダムアクセス
メモリセルの各々は単一のワードライン(72)におよ
び単一のビットライン対(74,76)に結合されてい
るもの、 前記複数のスタティックランダムアクセスメモリセルに
結合され、アドレスを受信したことに応じて前記複数の
スタティックランダムアクセスメモリセルの内のあるメ
モリセルを選択するためのアドレスデコーダ(30,3
6)、 前記アドレスデコーダに結合され、前記複数のスタティ
ックランダムアクセスメモリセルにアクセスするために
前記アドレスデコーダに第1のアドレスを提供するため
の第1のアドレスポート(60)、 前記アドレスデコーダに結合され、前記複数のスタティ
ックランダムアクセスメモリセルにアクセスするために
前記アドレスデコーダに第2のアドレスを提供するため
の第2のアドレスポート(62)、 前記複数のスタティックランダムアクセスメモリセルに
結合され、前記第1のアドレスまたは前記第2のアドレ
スのいずれかに応答して前記複数のスタティックランダ
ムアクセスメモリセルからデータを読み出すための第1
の読出し/書込みデータポート(30、「データ_出
力」)、 前記複数のメモリセルに結合され、前記第1または第2
のアドレスのいずれかに応答して前記複数のスタティッ
クランダムアクセスメモリにデータを書き込むための第
2の読出し/書込みデータポート(30、「データ_入
力」)、そして前記アドレスデコーダに、前記第1およ
び第2のアドレスポートに、および前記第1第2の読出
し/書込みデータポートに結合された制御回路(32)
であって、該制御回路は前記複数のスタティックランダ
ムアクセスメモリセルへのアクセスを制御するためのも
のであり、前記複数のスタティックランダムアクセスメ
モリへのアクセスのための実質的に同時的な要求は前記
パイプライン化デュアルポートスタティックランダムア
クセスメモリにアクセスするデータプロセッサのクロッ
ク信号の単一クロックサイクル内で順次サービスされる
もの、 を具備することを特徴とするパイプライン化デュアルポ
ートスタティックランダムアクセスメモリ(20)。 - 【請求項3】 パイプライン化デュアルポートスタティ
ックランダムアクセスメモリ(20)であって、 複数のスタティックランダムアクセスメモリセル(8
0)であって、該複数のスタティックランダムアクセス
メモリセルの各々は単一のワードライン(72)におよ
び単一のビットライン対(74,76)に結合されてい
るもの、 前記複数のスタティックランダムアクセスメモリセルに
結合され、アドレスを受信したことに応じて前記複数の
スタティックランダムアクセスメモリセルの内のあるメ
モリセルを選択するためのアドレスデコーダ(30,3
6)、 前記アドレスデコーダに結合され、前記複数のスタティ
ックランダムアクセスメモリセルにアクセスするために
前記アドレスデコーダに第1のアドレスを提供するため
の第1のアドレスポート(60)、 前記アドレスデコーダに結合され、前記複数のスタティ
ックランダムアクセスメモリセルにアクセスするために
前記アドレスデコーダに第2のアドレスを提供するため
の第2のアドレスポート(62)、 前記第1および第2のアドレスポートに結合され、前記
第1および第2のアドレスを受信し、かつこれに応じ
て、前記第1のアドレスが前記第2のアドレスと同じで
ある場合に第1の論理状態の整合信号を提供し、かつ前
記第1のアドレスが前記第2のアドレスと同じでない場
合に第2の論理状態の整合信号を提供するためのアドレ
ス衝突検出器(110)、 前記複数のスタティックランダムアクセスメモリセルに
結合され、前記第1のアドレスまたは前記第2のアドレ
スのいずれかに応答して前記複数のスタティックランダ
ムアクセスメモリセルからデータを読み出すための第1
の読出し/書込みデータポート(30、「データ_出
力」)、 前記複数のスタティックランダムアクセスメモリセルに
結合され、前記第1のアドレスまたは前記第2のアドレ
スのいずれかに応答して前記複数のスタティックランダ
ムアクセスメモリセルにデータを書き込むための第1の
読出し/書込みデータポート(30、「データ_入
力」)、そして前記アドレスデコーダに、前記第1およ
び第2のアドレスポートに、前記アドレス衝突検出器
に、そして前記第1および第2の読出し/書込みデータ
ポートに結合された制御回路(32)であって、該制御
回路は前記複数のメモリセルへのアクセスを制御するた
めのものであり、前記複数のスタティックランダムアク
セスメモリセルへのアクセスのための実質的に同時的な
要求は前記パイプライン化デュアルポートスタティック
ランダムアクセスメモリにアクセスするデータプロセッ
サのクロック信号の単一のクロックサイクル内で順次サ
ービスされ、かつ前記整合信号が前記第1および第2の
読出し/書込みデータポートの内のどれが始めにサービ
スされるかを決定するもの、 を具備することを特徴とするパイプライン化デュアルポ
ートスタティックランダムアクセスメモリ(20)。
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