JPH11233875A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH11233875A JPH11233875A JP3010698A JP3010698A JPH11233875A JP H11233875 A JPH11233875 A JP H11233875A JP 3010698 A JP3010698 A JP 3010698A JP 3010698 A JP3010698 A JP 3010698A JP H11233875 A JPH11233875 A JP H11233875A
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- semiconductor laser
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 生産性の向上及び薄型化を可能にする半導体
レーザ装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光を発光する半導体レーザと、前
記半導体レーザからのレーザ光をモニタして前記半導体
レーザの光出力を制御するための半導体受光チップとを
備えた半導体レーザ装置において、前記半導体受光チッ
プは、第１導電型の半導体材料上に第２導電型の半導体
材料が積層される共に、チップ側面が所定の角度をもっ
て傾斜状に形成された構造を成し、前記半導体受光チッ
プの傾斜面と前記半導体レーザの出射面とが対向するよ
うに該半導体受光チップと半導体レーザとを同一平面上
にマウントしたことにある。
レーザ装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光を発光する半導体レーザと、前
記半導体レーザからのレーザ光をモニタして前記半導体
レーザの光出力を制御するための半導体受光チップとを
備えた半導体レーザ装置において、前記半導体受光チッ
プは、第１導電型の半導体材料上に第２導電型の半導体
材料が積層される共に、チップ側面が所定の角度をもっ
て傾斜状に形成された構造を成し、前記半導体受光チッ
プの傾斜面と前記半導体レーザの出射面とが対向するよ
うに該半導体受光チップと半導体レーザとを同一平面上
にマウントしたことにある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク用や各
種光源に利用される半導体レーザ装置に関する。
種光源に利用される半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の分野の技術としては、次
のようなものがあった。
のようなものがあった。
【０００３】図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は、従来の半
導体レーザの概略の製造工程を示す図である。
導体レーザの概略の製造工程を示す図である。
【０００４】半導体レーザは、レーザ基坂上にバンドギ
ャップの小さい層をバンドギャップの大きい層でサンド
イッチするように結晶成長がなされている。このバンド
ギャップの小さい層が光の発光領域となるため、結晶成
長の終了したウエハ１０１を粘着シート１０２上でバー
状（１１０）にして共振ミラーを作成する（図４（ａ）
参照）。そして、このＬＤバー１１０をチップ状にする
（ＬＤチップ：図４（ｂ）参照）。このようにして製造
されたＬＤチップ１１１は、結晶壁開面（チップ側面）
からレーザ光ＬＢが出射する構造となる（図４（ｃ）参
照）。
ャップの小さい層をバンドギャップの大きい層でサンド
イッチするように結晶成長がなされている。このバンド
ギャップの小さい層が光の発光領域となるため、結晶成
長の終了したウエハ１０１を粘着シート１０２上でバー
状（１１０）にして共振ミラーを作成する（図４（ａ）
参照）。そして、このＬＤバー１１０をチップ状にする
（ＬＤチップ：図４（ｂ）参照）。このようにして製造
されたＬＤチップ１１１は、結晶壁開面（チップ側面）
からレーザ光ＬＢが出射する構造となる（図４（ｃ）参
照）。
【０００５】半導体レーザの製品をパッケージ化する場
合には、ＬＤチップと、フォトダイオードのチップ（Ｐ
Ｄチップという）とが１つのパッケージに内蔵される。
このＰＤチップは、ＬＤチップから出射された光をモニ
タして光出力を一定に制御するためのものである。レー
ザ光は、ＬＤチップ端面から出射されるため、パッケー
ジ内におけるＬＤチップとＰＤチップの位置関係は、ほ
ぼ垂直になっていることが一般的である。ＬＤチップと
ＰＤチップのパッケージ内の関係を図５に示す。
合には、ＬＤチップと、フォトダイオードのチップ（Ｐ
Ｄチップという）とが１つのパッケージに内蔵される。
このＰＤチップは、ＬＤチップから出射された光をモニ
タして光出力を一定に制御するためのものである。レー
ザ光は、ＬＤチップ端面から出射されるため、パッケー
ジ内におけるＬＤチップとＰＤチップの位置関係は、ほ
ぼ垂直になっていることが一般的である。ＬＤチップと
ＰＤチップのパッケージ内の関係を図５に示す。
【０００６】同図において、ステム１３０の基底面には
ＰＤチップ１２０がマウントされ、ステム１３０の側壁
面にはＬＤチップ１１１がマウントされている。このよ
うにＬＤチップ１１１とＰＤチップ１２０がほぼ垂直の
位置関係で配設される一方、ステム１３０には、２本の
リード１３１，１３２が貫通されている。
ＰＤチップ１２０がマウントされ、ステム１３０の側壁
面にはＬＤチップ１１１がマウントされている。このよ
うにＬＤチップ１１１とＰＤチップ１２０がほぼ垂直の
位置関係で配設される一方、ステム１３０には、２本の
リード１３１，１３２が貫通されている。
【０００７】リード１３１は、ワイヤ１４１を介してＬ
Ｄチップ１１１の電極に接続され、リード１３２は、ワ
イヤ１４２を介してＰＤチップ１２０の電極に接続され
ている。さらに、接地用リード１３３がステム１３０と
一体的に接合されて、ＬＤチップ１１１及びＰＤチップ
１２０の裏面に設けられた接地電極に電気的に接続され
ている。そして、ステム１３０は、ウィンドウガラス１
５１が設けられたキャップ１５０によってカバーされて
いる。
Ｄチップ１１１の電極に接続され、リード１３２は、ワ
イヤ１４２を介してＰＤチップ１２０の電極に接続され
ている。さらに、接地用リード１３３がステム１３０と
一体的に接合されて、ＬＤチップ１１１及びＰＤチップ
１２０の裏面に設けられた接地電極に電気的に接続され
ている。そして、ステム１３０は、ウィンドウガラス１
５１が設けられたキャップ１５０によってカバーされて
いる。
【０００８】図５に示した半導体レーザ装置において、
ＬＤチップ１１１の一方の端面から出射されたレーザ光
ＬＢはＰＤチップ１２０に受光され、ＬＤチップ１１１
の他方の端面から出射されたレーザ光ＬＢはウィンドウ
ガラス１５１を通して外部に出射される。ＰＤチップ１
２０がレーザ光ＬＢを受光することにより、ウィンドウ
ガラス１５１を通して外部に出射される光出力を一定に
制御することができる。
ＬＤチップ１１１の一方の端面から出射されたレーザ光
ＬＢはＰＤチップ１２０に受光され、ＬＤチップ１１１
の他方の端面から出射されたレーザ光ＬＢはウィンドウ
ガラス１５１を通して外部に出射される。ＰＤチップ１
２０がレーザ光ＬＢを受光することにより、ウィンドウ
ガラス１５１を通して外部に出射される光出力を一定に
制御することができる。
【０００９】このように、ＬＤチップ１１１は、光出力
が一定の状態で使用されるため、パッケージ内では光出
力をコントロールするＰＤチップ１２０と共に内蔵され
るのが一般的である。
が一定の状態で使用されるため、パッケージ内では光出
力をコントロールするＰＤチップ１２０と共に内蔵され
るのが一般的である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体レーザ装置では、次のような問題点があった。
半導体レーザ装置では、次のような問題点があった。
【００１１】レーザ光ＬＢがＬＤチップ１１１の側面か
ら出射されるため、図５から明らかなようにＬＤチップ
１１１とＰＤチップ１２０のチップ位置（向き）が大き
く異なり、ＬＤチップ１１１とＰＤチップをステム１３
０にマウントしてボンディングする際に、マウント部分
の向きを変えなければならず、生産性に影響があった。
ら出射されるため、図５から明らかなようにＬＤチップ
１１１とＰＤチップ１２０のチップ位置（向き）が大き
く異なり、ＬＤチップ１１１とＰＤチップをステム１３
０にマウントしてボンディングする際に、マウント部分
の向きを変えなければならず、生産性に影響があった。
【００１２】また、近年、半導体レーザの大きな市場の
一つに光磁気ディスク（ＭＯ）やディジタル・ビデオ・
ディスク（ＤＶＤ）に代表される光ディスク用光源があ
るが、レーザを光学系と組み合わせたピックアップなど
もノートブックタイプパソコン対応として、薄型化、縮
小化が望まれている。さらには、バーコードなどの光源
も縮小化の要求が強く、部品の小型化が必要な状態とな
っている。しかし、上記従来の半導体レーザ装置では、
上述したようにＬＤチップとＰＤチップのマウント方向
が異なるため、薄型化に限界があった。
一つに光磁気ディスク（ＭＯ）やディジタル・ビデオ・
ディスク（ＤＶＤ）に代表される光ディスク用光源があ
るが、レーザを光学系と組み合わせたピックアップなど
もノートブックタイプパソコン対応として、薄型化、縮
小化が望まれている。さらには、バーコードなどの光源
も縮小化の要求が強く、部品の小型化が必要な状態とな
っている。しかし、上記従来の半導体レーザ装置では、
上述したようにＬＤチップとＰＤチップのマウント方向
が異なるため、薄型化に限界があった。
【００１３】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、生産性の向上
を可能にする半導体レーザ装置を提供することである。
またその他の目的は、薄型化を可能にする半導体レーザ
装置を提供することである。
するためになされたもので、その目的は、生産性の向上
を可能にする半導体レーザ装置を提供することである。
またその他の目的は、薄型化を可能にする半導体レーザ
装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明の特徴は、レーザ光を発光する半導体レ
ーザと、前記半導体レーザからのレーザ光をモニタして
前記半導体レーザの光出力を制御するための半導体受光
チップとを備えた半導体レーザ装置において、前記半導
体受光チップは、第１導電型の半導体材料上に第２導電
型の半導体材料が積層される共に、チップ側面が所定の
角度をもって傾斜状に形成された構造を成し、前記半導
体受光チップの傾斜面と前記半導体レーザの出射面とが
対向するように該半導体受光チップと半導体レーザとを
同一平面上にマウントしたことにある。
に、第１の発明の特徴は、レーザ光を発光する半導体レ
ーザと、前記半導体レーザからのレーザ光をモニタして
前記半導体レーザの光出力を制御するための半導体受光
チップとを備えた半導体レーザ装置において、前記半導
体受光チップは、第１導電型の半導体材料上に第２導電
型の半導体材料が積層される共に、チップ側面が所定の
角度をもって傾斜状に形成された構造を成し、前記半導
体受光チップの傾斜面と前記半導体レーザの出射面とが
対向するように該半導体受光チップと半導体レーザとを
同一平面上にマウントしたことにある。
【００１５】この第１の発明によれば、半導体レーザか
ら出射したレーザ光の一部は、対向に配置された半導体
受光チップに入ってモニタ用として使われ、残りの光は
半導体受光チップの傾斜面で反射して上方に向かい様々
な用途に使われる。
ら出射したレーザ光の一部は、対向に配置された半導体
受光チップに入ってモニタ用として使われ、残りの光は
半導体受光チップの傾斜面で反射して上方に向かい様々
な用途に使われる。
【００１６】第２の発明の特徴は、上記第１の発明にお
いて、前記半導体受光チップの傾斜面に、前記半導体レ
ーザからのレーザ光を反射させる膜を形成したことにあ
る。
いて、前記半導体受光チップの傾斜面に、前記半導体レ
ーザからのレーザ光を反射させる膜を形成したことにあ
る。
【００１７】この第２の発明によれば、膜の反射率を変
えることでモニタ用に使われる光の量が制御される。
えることでモニタ用に使われる光の量が制御される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる半導体レー
ザ装置の実施形態について説明する。
ザ装置の実施形態について説明する。
【００１９】図１（ａ），（ｂ）は、本発明の実施形態
に係る半導体レーザ装置の構造を示す図であり、同図
（ａ）はその斜視図、同図（ｂ）は側面図である。ま
た、図２は、本実施形態の半導体レーザ装置に搭載され
たＬＤチップの構成図である。
に係る半導体レーザ装置の構造を示す図であり、同図
（ａ）はその斜視図、同図（ｂ）は側面図である。ま
た、図２は、本実施形態の半導体レーザ装置に搭載され
たＬＤチップの構成図である。
【００２０】本実施形態の半導体レーザ装置は、ＬＤチ
ップ１１と、傾斜面を有するＰＤチップ１２とが同一平
面上にマウントされ、該ＰＤチップ１２の傾斜面とＬＤ
チップ１１の出射面が対向している点に特徴がある。以
下、具体的に説明する。
ップ１１と、傾斜面を有するＰＤチップ１２とが同一平
面上にマウントされ、該ＰＤチップ１２の傾斜面とＬＤ
チップ１１の出射面が対向している点に特徴がある。以
下、具体的に説明する。
【００２１】発光源としてのＬＤチップ１１と、ＬＤチ
ップ１１からの光をモニタして光出力を制御するＰＤチ
ップ１２とがステム１０の同一平面上にマウントされて
いる。
ップ１１からの光をモニタして光出力を制御するＰＤチ
ップ１２とがステム１０の同一平面上にマウントされて
いる。
【００２２】ＰＤチップ１２は、例えば、第１導電型
（ｐ型）を有する半導体材料であるｐ型シリコン（ｐ−
Ｓｉ）１２ａ上に第２導電型（ｎ型）を有する半導体材
料であるｎ型シリコン（ｎ−Ｓｉ）１２ｂが積層された
ｐｎ接合型フォトセンサである。このＰＤチップ１２の
側面の１つは、下層側へ広がるように例えば４５°の角
度をもって傾斜状に形成され、その側面には膜１２ｃが
コーティングされている。この膜１２ｃには、例えばＬ
Ｄチップ１１端面のコーティングに使用されているよう
な非導電性の膜を用いたり、非導電性膜の上にＡｕ
（金）を蒸着することで作成することが可能である。な
お、ＰＤチップ１２の上面及び裏面には、それぞれ電極
が形成されている（図示省略）。
（ｐ型）を有する半導体材料であるｐ型シリコン（ｐ−
Ｓｉ）１２ａ上に第２導電型（ｎ型）を有する半導体材
料であるｎ型シリコン（ｎ−Ｓｉ）１２ｂが積層された
ｐｎ接合型フォトセンサである。このＰＤチップ１２の
側面の１つは、下層側へ広がるように例えば４５°の角
度をもって傾斜状に形成され、その側面には膜１２ｃが
コーティングされている。この膜１２ｃには、例えばＬ
Ｄチップ１１端面のコーティングに使用されているよう
な非導電性の膜を用いたり、非導電性膜の上にＡｕ
（金）を蒸着することで作成することが可能である。な
お、ＰＤチップ１２の上面及び裏面には、それぞれ電極
が形成されている（図示省略）。
【００２３】このＰＤチップ１２の傾斜面とＬＤチップ
１１の出射面とが対向して、同一のステム１０上面にマ
ウントされている。
１１の出射面とが対向して、同一のステム１０上面にマ
ウントされている。
【００２４】ＬＤチップ１１は、図２に示すように、例
えば、レーザ基板（ＧａＡｓ）１１ａの上に、ｎ−Ｉｎ
ＧａＡｌＰクラッド層１１ｂ、ＩｎＧａＡｌＰ層（活性
層）１１ｃ、及びｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１１ｄ
が順次積層された構造である。
えば、レーザ基板（ＧａＡｓ）１１ａの上に、ｎ−Ｉｎ
ＧａＡｌＰクラッド層１１ｂ、ＩｎＧａＡｌＰ層（活性
層）１１ｃ、及びｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１１ｄ
が順次積層された構造である。
【００２５】このＬＤチップ１１は、結晶成長法とし
て、一定の減圧化で結晶成長させる有機金属化学気相成
長法（ＭＯＣＶＤ法）を用いて作製される。すなわち、
成長炉内へＧａＡｓ基板１１ａを設置し、一定の減圧化
及び温度に保持し、上記のＶ族、III 族及びドーピング
材料を各成長層に対して設定された流量で流し込み、ｎ
−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１１ｂ、ＩｎＧａＡｌＰ活
性層１１ｃ、及びｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１１ｄ
を順次積層させる。
て、一定の減圧化で結晶成長させる有機金属化学気相成
長法（ＭＯＣＶＤ法）を用いて作製される。すなわち、
成長炉内へＧａＡｓ基板１１ａを設置し、一定の減圧化
及び温度に保持し、上記のＶ族、III 族及びドーピング
材料を各成長層に対して設定された流量で流し込み、ｎ
−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１１ｂ、ＩｎＧａＡｌＰ活
性層１１ｃ、及びｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１１ｄ
を順次積層させる。
【００２６】その後、このようにして形成されたエピタ
キシャル層のウェーハを炉より取り出し、ウェーハの上
面と裏面にそれぞれ電極を形成する。そして、ダイシン
グで個々のチップに分割すれば、側面が上面に対して直
角を成す略直方体形状の図１に示すようなＬＤチップ１
１が得られる。
キシャル層のウェーハを炉より取り出し、ウェーハの上
面と裏面にそれぞれ電極を形成する。そして、ダイシン
グで個々のチップに分割すれば、側面が上面に対して直
角を成す略直方体形状の図１に示すようなＬＤチップ１
１が得られる。
【００２７】このようにして製造されたＬＤチップ１１
１の電極間に所定の電圧を与えると、活性層１１ｃで発
光し、その光は、活性層１１ｃ内を略平行方向に進み、
結晶壁開面（チップ側面）からレーザ光ＬＢとして外部
へ出射される。
１の電極間に所定の電圧を与えると、活性層１１ｃで発
光し、その光は、活性層１１ｃ内を略平行方向に進み、
結晶壁開面（チップ側面）からレーザ光ＬＢとして外部
へ出射される。
【００２８】ＬＤチップ１１から出射したレーザ光ＬＢ
の一部（ＬＢｙ）は、対向に配置されたＰＤチップ１２
に入ってモニタ用として使われ、残りの光（ＬＢｘ）は
４５°に加工された表面上の膜１２ｃで反射して上方に
向かい様々な用途に使われる。その用途としては、例え
ば前述した光磁気ディスクやＤＶＤに代表される光ディ
スク用光源、あるいはバーコードなどの光源等が挙げら
れる。
の一部（ＬＢｙ）は、対向に配置されたＰＤチップ１２
に入ってモニタ用として使われ、残りの光（ＬＢｘ）は
４５°に加工された表面上の膜１２ｃで反射して上方に
向かい様々な用途に使われる。その用途としては、例え
ば前述した光磁気ディスクやＤＶＤに代表される光ディ
スク用光源、あるいはバーコードなどの光源等が挙げら
れる。
【００２９】なお、モニタ用に使われる光の量は、表面
にコーティングされた膜１２ｃの反射率を変えることで
様々に制御することが可能である。
にコーティングされた膜１２ｃの反射率を変えることで
様々に制御することが可能である。
【００３０】このように、本実施形態では、ＬＤチップ
１１とＰＤチップ１２とを同一平面にマウントするた
め、従来のように、ＬＤチップをマウントする時とＰＤ
チップをマウントする時において、それぞれステム状の
マウント部分の向きを変える必要がなくなるため、量産
の際の製造マシンの設計が容易になり、生産性が向上す
る。また、両素子をボンディングする時も同様である。
１１とＰＤチップ１２とを同一平面にマウントするた
め、従来のように、ＬＤチップをマウントする時とＰＤ
チップをマウントする時において、それぞれステム状の
マウント部分の向きを変える必要がなくなるため、量産
の際の製造マシンの設計が容易になり、生産性が向上す
る。また、両素子をボンディングする時も同様である。
【００３１】また、従来利用していたＬＤチップの反対
側面からの光は必要なくなるため、ＬＤチップの反対側
面の反射率を高く設定することが可能となる。ＬＤチッ
プの反対側面の反射率を上げることで、ＬＤチップの駆
動電流を小さく抑える事が出来るため、ＬＤチップの信
頼性向上や特性の向上を図ることが可能となる。
側面からの光は必要なくなるため、ＬＤチップの反対側
面の反射率を高く設定することが可能となる。ＬＤチッ
プの反対側面の反射率を上げることで、ＬＤチップの駆
動電流を小さく抑える事が出来るため、ＬＤチップの信
頼性向上や特性の向上を図ることが可能となる。
【００３２】また、従来のようにＬＤチップとＰＤチッ
プが配置されたパッケージでは、小型化を図ることが難
しかったが、本実施形態の半導体レーザ装置では、フラ
ットなパッケージに実装することができるため、薄型化
が可能になる。これにより、光磁気ディスク（ＭＯ）や
ディジタル・ビデオ・ディスク（ＤＶＤ）に代表される
ディスクのレーザ装置用、あるいはその他の各種光源用
として、小型化、薄型化の要求に合致した半導体レーザ
装置を実現することができる。
プが配置されたパッケージでは、小型化を図ることが難
しかったが、本実施形態の半導体レーザ装置では、フラ
ットなパッケージに実装することができるため、薄型化
が可能になる。これにより、光磁気ディスク（ＭＯ）や
ディジタル・ビデオ・ディスク（ＤＶＤ）に代表される
ディスクのレーザ装置用、あるいはその他の各種光源用
として、小型化、薄型化の要求に合致した半導体レーザ
装置を実現することができる。
【００３３】なお、上記第１実施形態の半導体レーザ装
置は、ＬＤチップ１１とＰＤチップ１２とが同一平面上
に直接マウントされるように構成したが、図３に示すよ
うに、ＬＤチップ１１側のステム１０上面にサブマウン
ト１５を設け、このサブマウント１５の上面に上記ＬＤ
チップ１１をマウントするようにしてもよい。この場合
でも、ＰＤチップ１２の傾斜面とＬＤチップ１１の出射
面は対向するように配置するのは述べるまでもない。
置は、ＬＤチップ１１とＰＤチップ１２とが同一平面上
に直接マウントされるように構成したが、図３に示すよ
うに、ＬＤチップ１１側のステム１０上面にサブマウン
ト１５を設け、このサブマウント１５の上面に上記ＬＤ
チップ１１をマウントするようにしてもよい。この場合
でも、ＰＤチップ１２の傾斜面とＬＤチップ１１の出射
面は対向するように配置するのは述べるまでもない。
【００３４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１の発明
である半導体レーザ装置によれば、半導体受光チップの
チップ側面が所定の角度をもって傾斜状に形成された構
造を成し、半導体受光チップの傾斜面と半導体レーザの
出射面とが対向するように該半導体受光チップと半導体
レーザとを同一平面上にマウントしたので、従来のよう
に半導体レーザをマウントする時と半導体受光チップを
マウントする時でマウント部分の向きを変える必要がな
くなるだけでなく、両チップに対するワイヤボンディン
グ工程も容易化される。これにより、量産の際の製造マ
シンの設計が容易になり、生産性が向上する。また、フ
ラットなパッケージに実装することができるため、薄型
化が可能になる。
である半導体レーザ装置によれば、半導体受光チップの
チップ側面が所定の角度をもって傾斜状に形成された構
造を成し、半導体受光チップの傾斜面と半導体レーザの
出射面とが対向するように該半導体受光チップと半導体
レーザとを同一平面上にマウントしたので、従来のよう
に半導体レーザをマウントする時と半導体受光チップを
マウントする時でマウント部分の向きを変える必要がな
くなるだけでなく、両チップに対するワイヤボンディン
グ工程も容易化される。これにより、量産の際の製造マ
シンの設計が容易になり、生産性が向上する。また、フ
ラットなパッケージに実装することができるため、薄型
化が可能になる。
【００３５】第２の発明の特徴は、上記第１の発明にお
いて、半導体受光チップの傾斜面に、前記半導体レーザ
からのレーザ光を反射させる膜を形成したので、この膜
の反射率を変えることでモニタ用に使われる光の量を制
御することが可能になる。
いて、半導体受光チップの傾斜面に、前記半導体レーザ
からのレーザ光を反射させる膜を形成したので、この膜
の反射率を変えることでモニタ用に使われる光の量を制
御することが可能になる。
【図１】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の構
造を示す図である。
造を示す図である。
【図２】実施形態の半導体レーザ装置に搭載されたＬＤ
チップの構成図である。
チップの構成図である。
【図３】実施形態の変形例に係る半導体レーザ装置の構
造を示す図である
造を示す図である
【図４】従来の半導体レーザの概略の製造工程を示す図
である。
である。
【図５】従来の半導体レーザ装置に係るパッケージ内構
造を示す斜視図である。
造を示す斜視図である。
１０ ステム １１ ＬＤチップ １１ａ レーザ基板 １１ｂ 活性層 １１ｃ クラッド層 １２ ＰＤチップ １２ａ ｐ型シリコン １２ｂ ｎ型シリコン １２ｃ 膜 １５ サブマウント
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザ光を発光する半導体レーザと、前
記半導体レーザからのレーザ光をモニタして前記半導体
レーザの光出力を制御するための半導体受光チップとを
備えた半導体レーザ装置において、 前記半導体受光チップは、第１導電型の半導体材料上に
第２導電型の半導体材料が積層される共に、チップ側面
が所定の角度をもって傾斜状に形成された構造を成し、 前記半導体受光チップの傾斜面と前記半導体レーザの出
射面とが対向するように該半導体受光チップと半導体レ
ーザとを同一平面上にマウントしたことを特徴とする半
導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記半導体受光チップの傾斜面に、前記
半導体レーザからのレーザ光を反射させる膜を形成した
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3010698A JPH11233875A (ja) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3010698A JPH11233875A (ja) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233875A true JPH11233875A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12294537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3010698A Pending JPH11233875A (ja) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233875A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1555665A3 (en) * | 2004-01-13 | 2006-12-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Micro optical bench structure and method of manufacturing the same |
| WO2025139780A1 (zh) * | 2023-12-29 | 2025-07-03 | 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 | 一种光电封装体结构及其制作方法 |
-
1998
- 1998-02-12 JP JP3010698A patent/JPH11233875A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1555665A3 (en) * | 2004-01-13 | 2006-12-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Micro optical bench structure and method of manufacturing the same |
| US7456434B2 (en) | 2004-01-13 | 2008-11-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Micro optical bench structure |
| WO2025139780A1 (zh) * | 2023-12-29 | 2025-07-03 | 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 | 一种光电封装体结构及其制作方法 |
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