JPH11242245A - エレクトロクロミック素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロクロミック素子の製造方法Info
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- JPH11242245A JPH11242245A JP10043026A JP4302698A JPH11242245A JP H11242245 A JPH11242245 A JP H11242245A JP 10043026 A JP10043026 A JP 10043026A JP 4302698 A JP4302698 A JP 4302698A JP H11242245 A JPH11242245 A JP H11242245A
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- electrochromic
- electrochromic device
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のエレクトロクロミック素子は複数の
分割電極層からなる電極層上にエレクトロクロミック層
の成膜を行うと、成膜後のエレクトロクロミック素子が
部分的に褐色に変色してしまうという問題点があった。
この変色は後工程においても消えることがないので、素
子の外観を損ねていた。 【解決手段】 基板上に、1個以上の接点により互いに
電気的に接続された複数の分割電極層を形成する段階、
エレクトロクロミック層を形成する段階、対極電極層を
形成する段階、上記接点を切断し、上記複数の分割電極
を互いに電気的に絶縁する段階を有する製造方法を用い
ることにより上記問題を解決した。
分割電極層からなる電極層上にエレクトロクロミック層
の成膜を行うと、成膜後のエレクトロクロミック素子が
部分的に褐色に変色してしまうという問題点があった。
この変色は後工程においても消えることがないので、素
子の外観を損ねていた。 【解決手段】 基板上に、1個以上の接点により互いに
電気的に接続された複数の分割電極層を形成する段階、
エレクトロクロミック層を形成する段階、対極電極層を
形成する段階、上記接点を切断し、上記複数の分割電極
を互いに電気的に絶縁する段階を有する製造方法を用い
ることにより上記問題を解決した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はエレクトロクロミック素
子の製造方法に関する.
子の製造方法に関する.
【0002】
【従来の技術】電圧を物質に印加すると可逆的に電解酸
化または電界還元反応が起こり、可逆的に着色または消
色する現象をエレクトロクロミズムという。この現象を
示すエレクトロクロミック物質を用いて、電圧操作によ
り着消色するエレクトロクロミック素子を作り、このエ
レクトロクロミック素子を光量制御素子(例えば、調光
ガラスや防眩ミラーなど)や7セグメントを利用した数
字表示素子に利用する試みは、20年以上前から行われ
ている。
化または電界還元反応が起こり、可逆的に着色または消
色する現象をエレクトロクロミズムという。この現象を
示すエレクトロクロミック物質を用いて、電圧操作によ
り着消色するエレクトロクロミック素子を作り、このエ
レクトロクロミック素子を光量制御素子(例えば、調光
ガラスや防眩ミラーなど)や7セグメントを利用した数
字表示素子に利用する試みは、20年以上前から行われ
ている。
【0003】エレクトロクロミック素子は、エレクトロ
クロミック素子を構成する各層の材料形態によって、溶
液型、ゲル型、全固体型等に大別する事ができ、その中
でも全固体型エレクトロクロミック素子は、各層が全て
薄膜状に積層して形成されている。そのため、全固体型
エレクトロクロミック素子では、溶液型やゲル型のエレ
クトロクロミック素子を作製するときのような、各層を
別々の基板に形成して両基板を貼り合わせる工程や液状
あるいはゲル状の材料の密封工程が不要であるため生産
性に優れ、大型化も容易である。
クロミック素子を構成する各層の材料形態によって、溶
液型、ゲル型、全固体型等に大別する事ができ、その中
でも全固体型エレクトロクロミック素子は、各層が全て
薄膜状に積層して形成されている。そのため、全固体型
エレクトロクロミック素子では、溶液型やゲル型のエレ
クトロクロミック素子を作製するときのような、各層を
別々の基板に形成して両基板を貼り合わせる工程や液状
あるいはゲル状の材料の密封工程が不要であるため生産
性に優れ、大型化も容易である。
【0004】例えば、ガラス基板の上に、透明電極層
(陰極)、三酸化タングステン薄膜層(エレクトロクロ
ミック層)、二酸化ケイ素薄膜層( 絶縁層) 、電極層
(陽極)を順次積層してなるエレクトロクロミック素子
(特公昭52−46098参照)が全固体型エレクトロ
クロミック素子として知られている。このエレクトロク
ロミック素子は三酸化タングステン薄膜層と二酸化ケイ
素薄膜層の内部に水を含有し、このエレクトロクロミッ
ク素子に電圧(着色電圧)を印加すると、三酸化タング
ステン(WO3 )薄膜層が青色に着色する。その後、この
エレクトロクロミック素子に極性が逆の電圧(消色電
圧)を印加すると、WO3薄膜層の青色が消えて、無色に
戻る。この着消色する機構は詳しく解明されてはいない
が、WO3 薄膜層及び絶縁層(イオン導電層)中に含まれ
る少量の水分がWO 3 の着消色を支配していると理解され
ている。
(陰極)、三酸化タングステン薄膜層(エレクトロクロ
ミック層)、二酸化ケイ素薄膜層( 絶縁層) 、電極層
(陽極)を順次積層してなるエレクトロクロミック素子
(特公昭52−46098参照)が全固体型エレクトロ
クロミック素子として知られている。このエレクトロク
ロミック素子は三酸化タングステン薄膜層と二酸化ケイ
素薄膜層の内部に水を含有し、このエレクトロクロミッ
ク素子に電圧(着色電圧)を印加すると、三酸化タング
ステン(WO3 )薄膜層が青色に着色する。その後、この
エレクトロクロミック素子に極性が逆の電圧(消色電
圧)を印加すると、WO3薄膜層の青色が消えて、無色に
戻る。この着消色する機構は詳しく解明されてはいない
が、WO3 薄膜層及び絶縁層(イオン導電層)中に含まれ
る少量の水分がWO 3 の着消色を支配していると理解され
ている。
【0005】着色の反応式は、以下のように推定されて
いる。 従って、このような表示素子は、(1)着色反応の際、
酸素ガス発生という副反応を起こし、この酸素ガスが膜
の内部から離脱するので、この副反応により含有水分が
消費されるという性質、及び(2)逆の消色反応によっ
て、材料となる酸素が膜の内部に存在しないため、水が
生成されないという性質を有する。そのため、着色消色
のためには膜の内部の水を消費し、着色消色の繰り返し
には大気中からの水の補給が必要という欠点がある。特
に後者(2)の理由により.このタイプの素子には、着
色の再現性が大気中の水分の影響を受ける欠点がある。
いる。 従って、このような表示素子は、(1)着色反応の際、
酸素ガス発生という副反応を起こし、この酸素ガスが膜
の内部から離脱するので、この副反応により含有水分が
消費されるという性質、及び(2)逆の消色反応によっ
て、材料となる酸素が膜の内部に存在しないため、水が
生成されないという性質を有する。そのため、着色消色
のためには膜の内部の水を消費し、着色消色の繰り返し
には大気中からの水の補給が必要という欠点がある。特
に後者(2)の理由により.このタイプの素子には、着
色の再現性が大気中の水分の影響を受ける欠点がある。
【0006】最近、着色反応により消費される水の量と
同じ量の水が消色反応により生成され、従って外界から
の水の補給を必要とせずに着色消色を繰り返す事がで
き、しかも繰り返される着色濃度が外界の影響を受けな
い全固体型エレクトロクロミック素子が提案された。
(特開昭52−73749)この素子は、基本的には電
極としての透明電極層と、エレクトロクロミック層とし
てのWO3 膜のような電解還元発色性薄膜層及びCr2O3 膜
のような電解酸化発色性薄膜と、もう一方の電極とを順
次積層してなるものである。また、前記特開昭52−7
3749公報には、この素子の電極ともう一方の電極と
に直流電源を接続し直流電圧を印加して素子を着色した
後、直流電源との接続を解除した場合、着色が自然放電
により徐々に消色する現象が見られるが、透明電極とも
う一方の電極との間の任意の位置に絶縁層例えば二酸化
ケイ素、フッ化マグネシウムなどの薄膜を設ける事によ
り、電圧解除後も着色が保存される性質(これをメモリ
ー性という)がこの素子に付与される事が開示されてい
る。特公昭62−52845は、この絶縁層を、電子の
良導体ではないが、プロトン、及びヒドロキシイオンの
移動は自由にできる物質、つまりイオン導電物質の層で
あると推定している。さらに、特公昭62−52845
は、絶縁層即ちイオン導電層は電解還元発色性薄膜層と
電解酸化発色性薄膜層との間に存在させる事が最も望ま
しい事、並びに電解還元発色性薄膜層と電解酸化発色性
薄膜層とは、両者とも発色性である必要がなく、いずれ
か一方が外部より変化が識別できるような変色をすれば
足りる事が開示されている。
同じ量の水が消色反応により生成され、従って外界から
の水の補給を必要とせずに着色消色を繰り返す事がで
き、しかも繰り返される着色濃度が外界の影響を受けな
い全固体型エレクトロクロミック素子が提案された。
(特開昭52−73749)この素子は、基本的には電
極としての透明電極層と、エレクトロクロミック層とし
てのWO3 膜のような電解還元発色性薄膜層及びCr2O3 膜
のような電解酸化発色性薄膜と、もう一方の電極とを順
次積層してなるものである。また、前記特開昭52−7
3749公報には、この素子の電極ともう一方の電極と
に直流電源を接続し直流電圧を印加して素子を着色した
後、直流電源との接続を解除した場合、着色が自然放電
により徐々に消色する現象が見られるが、透明電極とも
う一方の電極との間の任意の位置に絶縁層例えば二酸化
ケイ素、フッ化マグネシウムなどの薄膜を設ける事によ
り、電圧解除後も着色が保存される性質(これをメモリ
ー性という)がこの素子に付与される事が開示されてい
る。特公昭62−52845は、この絶縁層を、電子の
良導体ではないが、プロトン、及びヒドロキシイオンの
移動は自由にできる物質、つまりイオン導電物質の層で
あると推定している。さらに、特公昭62−52845
は、絶縁層即ちイオン導電層は電解還元発色性薄膜層と
電解酸化発色性薄膜層との間に存在させる事が最も望ま
しい事、並びに電解還元発色性薄膜層と電解酸化発色性
薄膜層とは、両者とも発色性である必要がなく、いずれ
か一方が外部より変化が識別できるような変色をすれば
足りる事が開示されている。
【0007】 エレクトロクロミック素子のエレクトロク
ロミック層を直接または間接的に挟む一対の電極層は、
着消色したエレクトロクロミック層に光を入射し、さら
には出射した光を素子の外部に取り出すため、少なくと
も一方の電極層は透明でなければならない。特に、透過
型エレクトロクロミック素子の場合は両電極とも透明で
なければならない。
ロミック層を直接または間接的に挟む一対の電極層は、
着消色したエレクトロクロミック層に光を入射し、さら
には出射した光を素子の外部に取り出すため、少なくと
も一方の電極層は透明でなければならない。特に、透過
型エレクトロクロミック素子の場合は両電極とも透明で
なければならない。
【0008】 透明な電極層材料としては、現在のところ
SnO2、In2O3 、ITO (In2O3 とSnO2の混合物)、ZnO 等
が知られているが、これらの材料は光吸収率が比較的高
いため、必要な透過率を得るために膜厚を薄くせねばな
らず、エレクトロクロミック素子は基板(例えば、ガラ
ス板やプラスチック板)の上に薄膜として形成されるの
が普通である。
SnO2、In2O3 、ITO (In2O3 とSnO2の混合物)、ZnO 等
が知られているが、これらの材料は光吸収率が比較的高
いため、必要な透過率を得るために膜厚を薄くせねばな
らず、エレクトロクロミック素子は基板(例えば、ガラ
ス板やプラスチック板)の上に薄膜として形成されるの
が普通である。
【0009】 一対の電極層には、外部電源から電圧を印
加するために、外部配線との接続部である取り出し電極
を設ける。電極層として透明電極を使用した場合は、透
明電極層が外部配線に対して高抵抗であるので、透明電
極層に重ねて(即ち、接触させて)低抵抗のとりだし電
極を設ける事が多い。通常は、基板表面端部に位置する
透明電極層の周辺に帯状に低抵抗電極部を設けて(例え
ば、金属性クリップを装着したり、低抵抗金属材料をメ
ッキする)、低抵抗の取り出し電極としている。
加するために、外部配線との接続部である取り出し電極
を設ける。電極層として透明電極を使用した場合は、透
明電極層が外部配線に対して高抵抗であるので、透明電
極層に重ねて(即ち、接触させて)低抵抗のとりだし電
極を設ける事が多い。通常は、基板表面端部に位置する
透明電極層の周辺に帯状に低抵抗電極部を設けて(例え
ば、金属性クリップを装着したり、低抵抗金属材料をメ
ッキする)、低抵抗の取り出し電極としている。
【0010】また、エレクトロクロミック素子は用途に
よって、素子を保護するための封止基板を素子基板と対
向するようにするように配置し、例えばエポキシ樹脂、
アクリル樹脂、ウレタン樹脂、等を用いて密封封止して
用いられる。
よって、素子を保護するための封止基板を素子基板と対
向するようにするように配置し、例えばエポキシ樹脂、
アクリル樹脂、ウレタン樹脂、等を用いて密封封止して
用いられる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】前述の様に、全固体型
エレクトロクロミック素子は着消色特性に優れ、大型化
も可能であるなどの特徴を持つ。また、基板上に設けら
れた電極層を複数の分割電極に分割し、その各分割電極
に独立して電圧を印加することによって、各電極に対応
する部分を独立に着消色することが可能なエレクトロク
ロミック素子を作製することが可能である。しかしなが
ら、このようなエレクトロクロミック素子の場合、電極
層を分割後エレクトロクロミック層の成膜を行うと、成
膜後のエレクトロクロミック素子が部分的に褐色に変色
してしまうという問題点があった。この変色は後工程に
おいても消えることはないので、エレクトロクロミック
素子の外観を損ねていた。本発明はこの問題を解決し、
エレクトロクロミック素子が製造過程で変色することを
防ぎ、外観上優れたエレクトロクロミック素子の製造方
法を提供するものである。
エレクトロクロミック素子は着消色特性に優れ、大型化
も可能であるなどの特徴を持つ。また、基板上に設けら
れた電極層を複数の分割電極に分割し、その各分割電極
に独立して電圧を印加することによって、各電極に対応
する部分を独立に着消色することが可能なエレクトロク
ロミック素子を作製することが可能である。しかしなが
ら、このようなエレクトロクロミック素子の場合、電極
層を分割後エレクトロクロミック層の成膜を行うと、成
膜後のエレクトロクロミック素子が部分的に褐色に変色
してしまうという問題点があった。この変色は後工程に
おいても消えることはないので、エレクトロクロミック
素子の外観を損ねていた。本発明はこの問題を解決し、
エレクトロクロミック素子が製造過程で変色することを
防ぎ、外観上優れたエレクトロクロミック素子の製造方
法を提供するものである。
【0012】
【発明を解決するための手段】前記問題点を解決するた
めに、本発明者らは検討を重ねた結果、基板上の複数の
分割電極上にエレクトロクロミック層またはエレクトロ
クロミック層と対極電極を成膜するときに、基板上に設
けられ複数の分割電極をお互いに電気的に導通させ等電
位になるようにして成膜すると、エレクトロクロミック
素子の変色を防ぐことができることを見い出した。ま
た、複数の分割電極の導通のための接点部分は、エレク
トロクロミック層の成膜後、またはエレクトロクロミッ
ク層と対極電極の成膜後、独自の切断方法により電気的
に切り離しが可能であり、その結果、それぞれの分割電
極に独立して電圧印加が可能で、且つ変色部分がない、
外観に優れたエレクトロクロミック素子が製造可能であ
ることを見いだした。 そのため、本発明は第一に、
「基板上に、1個以上の接点により互いに電気的に接続
された複数の分割電極を形成する段階、エレクトロクロ
ミック層を形成する段階、対極電極を形成する段階を有
することを特徴とするエレクトロクロミック素子の製造
方法(請求項1)」を提供する。
めに、本発明者らは検討を重ねた結果、基板上の複数の
分割電極上にエレクトロクロミック層またはエレクトロ
クロミック層と対極電極を成膜するときに、基板上に設
けられ複数の分割電極をお互いに電気的に導通させ等電
位になるようにして成膜すると、エレクトロクロミック
素子の変色を防ぐことができることを見い出した。ま
た、複数の分割電極の導通のための接点部分は、エレク
トロクロミック層の成膜後、またはエレクトロクロミッ
ク層と対極電極の成膜後、独自の切断方法により電気的
に切り離しが可能であり、その結果、それぞれの分割電
極に独立して電圧印加が可能で、且つ変色部分がない、
外観に優れたエレクトロクロミック素子が製造可能であ
ることを見いだした。 そのため、本発明は第一に、
「基板上に、1個以上の接点により互いに電気的に接続
された複数の分割電極を形成する段階、エレクトロクロ
ミック層を形成する段階、対極電極を形成する段階を有
することを特徴とするエレクトロクロミック素子の製造
方法(請求項1)」を提供する。
【0013】第二に、「前記接点を切断し、前記複数の
分割電極を互いに電気的に絶縁する段階を有することを
特徴とする請求項1記載のエレクトロクロミック素子の
製造方法(請求項2)」を提供する。第三に、「基板上
の前記接点をエレクトロクロミック層と対極電極の成膜
領域の外に有することを特徴とする請求項1、2何れか
1項記載のエレクトロクロミック素子の製造方法(請求
項3)」を提供する。
分割電極を互いに電気的に絶縁する段階を有することを
特徴とする請求項1記載のエレクトロクロミック素子の
製造方法(請求項2)」を提供する。第三に、「基板上
の前記接点をエレクトロクロミック層と対極電極の成膜
領域の外に有することを特徴とする請求項1、2何れか
1項記載のエレクトロクロミック素子の製造方法(請求
項3)」を提供する。
【0014】第四に、「前記接点の切断がレーザー光の
照射により行われることを特徴とする請求項2、3何れ
か1項記載のエレクトロクロミック素子の製造方法(請
求項4)」を提供する。第五に、「前記接点の切断がイ
オンによるエッチングにより行われることを特徴とする
請求項2、3何れか1項記載のエレクトロクロミック素
子の製造方法(請求項5)」を提供する。
照射により行われることを特徴とする請求項2、3何れ
か1項記載のエレクトロクロミック素子の製造方法(請
求項4)」を提供する。第五に、「前記接点の切断がイ
オンによるエッチングにより行われることを特徴とする
請求項2、3何れか1項記載のエレクトロクロミック素
子の製造方法(請求項5)」を提供する。
【0015】第六に、「前記接点の切断が機械的に削り
とることにより行われることを特徴とする請求項2、3
何れか1項記載のエレクトロクロミック素子の製造方法
(請求項6)」を提供する。第七に、「前記接点の切断
が基板の切断により行われることを特徴とする請求項
2、3何れか1項記載のエレクトロクロミック素子の製
造方法(請求項7)」を提供する。
とることにより行われることを特徴とする請求項2、3
何れか1項記載のエレクトロクロミック素子の製造方法
(請求項6)」を提供する。第七に、「前記接点の切断
が基板の切断により行われることを特徴とする請求項
2、3何れか1項記載のエレクトロクロミック素子の製
造方法(請求項7)」を提供する。
【0016】
【発明の実施の形態】図1、2、3、4を引用して以
下、本発明の実施形態を説明するが、本発明はこれらの
図の例に限定されるものではない. [第一の実施の形態]図1、図4は本発明の第一の実施
の形態を説明する図である。図1の上側の図は平面図で
あり、下側の図は上側の平面図の位置AA’に於ける断
面図である。 (1)基板1上に設けられた電極層の一部を除去し、図
1(a)のような溝部6(電極層の除去された部分)、
接点3、分割電極21と22を形成する。分割電極21
は、本発明のエレクトロクロミック素子の完成時には対
極電極と導通する。電極層の除去は、電極層の種類に応
じて公知の方法(例えばドライエッチングや、ウエット
エッチング)で行うことができる。また、基板上にマス
ク成膜により図1(a)のようなパターンを形成しても
よい。 (2)その後、エレクトロクロミック層4(電解酸化発
色性薄膜層、イオン導電層、電解還元発色性薄膜層)を
形成し、さらに対極電極5を形成する(図1(b))。
対極電極5は分割電極21と接し、電気的に接続する
が、分割電極22には電気的に直接接続しないように成
膜する。 (3)さらに、図4のように対物レンズ7で集光された
レーザー光8で接点3を切断すると、切除溝23により
分割電極21は分割電極22と絶縁する。分割電極21
は対極電極5と電気的に接続されている(図1
(c))。 [第二の実施の形態]図2は本発明の第二の実施の形態
を説明する図である。 (1)図2(a)に示すように分割電極21と分割電極
22の接点3は(2)で形成されるエレクトロクロミッ
ク層と対極電極の成膜領域の外に設けられる。(2)そ
の後図1の場合と同様にエレクトロクロミック層4(電
解酸化発色性薄膜層、イオン導電層、電解還元発色性薄
膜層)を形成し、さらに対極電極5を形成する。対極電
極5は分割電極21と接し、電気的に接続するが、分割
電極22には電気的に接続しないように成膜する(図2
(b))。 (3)さらに、基板をBB’にて切断することにより接
点3を除去し、分割電極21と分割電極22とを絶縁す
る。分割電極21は対極電極5と電気的に接続されてい
る(図2(c))。
下、本発明の実施形態を説明するが、本発明はこれらの
図の例に限定されるものではない. [第一の実施の形態]図1、図4は本発明の第一の実施
の形態を説明する図である。図1の上側の図は平面図で
あり、下側の図は上側の平面図の位置AA’に於ける断
面図である。 (1)基板1上に設けられた電極層の一部を除去し、図
1(a)のような溝部6(電極層の除去された部分)、
接点3、分割電極21と22を形成する。分割電極21
は、本発明のエレクトロクロミック素子の完成時には対
極電極と導通する。電極層の除去は、電極層の種類に応
じて公知の方法(例えばドライエッチングや、ウエット
エッチング)で行うことができる。また、基板上にマス
ク成膜により図1(a)のようなパターンを形成しても
よい。 (2)その後、エレクトロクロミック層4(電解酸化発
色性薄膜層、イオン導電層、電解還元発色性薄膜層)を
形成し、さらに対極電極5を形成する(図1(b))。
対極電極5は分割電極21と接し、電気的に接続する
が、分割電極22には電気的に直接接続しないように成
膜する。 (3)さらに、図4のように対物レンズ7で集光された
レーザー光8で接点3を切断すると、切除溝23により
分割電極21は分割電極22と絶縁する。分割電極21
は対極電極5と電気的に接続されている(図1
(c))。 [第二の実施の形態]図2は本発明の第二の実施の形態
を説明する図である。 (1)図2(a)に示すように分割電極21と分割電極
22の接点3は(2)で形成されるエレクトロクロミッ
ク層と対極電極の成膜領域の外に設けられる。(2)そ
の後図1の場合と同様にエレクトロクロミック層4(電
解酸化発色性薄膜層、イオン導電層、電解還元発色性薄
膜層)を形成し、さらに対極電極5を形成する。対極電
極5は分割電極21と接し、電気的に接続するが、分割
電極22には電気的に接続しないように成膜する(図2
(b))。 (3)さらに、基板をBB’にて切断することにより接
点3を除去し、分割電極21と分割電極22とを絶縁す
る。分割電極21は対極電極5と電気的に接続されてい
る(図2(c))。
【0017】分割電極21と分割電極22との間に電圧
を印加することによりエレクトロクロミック素子は着消
色する。接点3の切断には、レーザーカッターによる除
去、イオンによるエッチングによる除去、機械的に削り
とることによる除去方法、等、様々な方法が好ましく使
用されるが、これらの方法に限定されるものではない。
を印加することによりエレクトロクロミック素子は着消
色する。接点3の切断には、レーザーカッターによる除
去、イオンによるエッチングによる除去、機械的に削り
とることによる除去方法、等、様々な方法が好ましく使
用されるが、これらの方法に限定されるものではない。
【0018】レーザカッターによる除去に用いるレーザ
ーには、YAGレーザー、炭酸ガスレーザー、He−N
eレーザー、KrFやArF等のエキシマレーザー、等
が好ましく使用されるがこれらに限定されるものではな
い。イオンエッチングによる除去には、例えば、Ne、
Arのイオンによるエッチングが好ましく使用される
が、これらに限定されるものではない。
ーには、YAGレーザー、炭酸ガスレーザー、He−N
eレーザー、KrFやArF等のエキシマレーザー、等
が好ましく使用されるがこれらに限定されるものではな
い。イオンエッチングによる除去には、例えば、Ne、
Arのイオンによるエッチングが好ましく使用される
が、これらに限定されるものではない。
【0019】機械的除去には、例えばガラスビーズによ
るブラスト、等が好ましく使用される。接点の切断時期
は、エレクトロクロミック層及び対極電極の成膜後、電
圧を印加する着消色駆動の前までの間に、選択された切
断方法に応じて行われる。また、図1及び図2では基板
上に設けられた分割電極は2つで、接点は1つである
が、分割電極は3つ以上あってもよく、接点も2つ以上
あってもよい。以下、エレクトロクロミック素子で用い
られる材料について説明する.電極及び対極電極の材料
としては、例えば、SnO2、In2O3 、ITO (In2O3 とSnO2
との混合物)、ZnO などの透明電極材料が好ましく使用
される。使用条件によっては金属材料または炭素が使用
される。金属材料としては、金、銀、アルミニウム、ク
ロム、スズ、亜鉛、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、
ステンレス等が好ましく使用されるが、これらに限定さ
れるものではない。金属電極層は、上記のごとき透明電
極材料から形成した電極層よりも遙に低抵抗であるとい
う長所がある。この様な電極層は、一般には、真空蒸
着、イオンプレーテイング、スパッタリング、等の真空
薄膜形成技術で形成される。
るブラスト、等が好ましく使用される。接点の切断時期
は、エレクトロクロミック層及び対極電極の成膜後、電
圧を印加する着消色駆動の前までの間に、選択された切
断方法に応じて行われる。また、図1及び図2では基板
上に設けられた分割電極は2つで、接点は1つである
が、分割電極は3つ以上あってもよく、接点も2つ以上
あってもよい。以下、エレクトロクロミック素子で用い
られる材料について説明する.電極及び対極電極の材料
としては、例えば、SnO2、In2O3 、ITO (In2O3 とSnO2
との混合物)、ZnO などの透明電極材料が好ましく使用
される。使用条件によっては金属材料または炭素が使用
される。金属材料としては、金、銀、アルミニウム、ク
ロム、スズ、亜鉛、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、
ステンレス等が好ましく使用されるが、これらに限定さ
れるものではない。金属電極層は、上記のごとき透明電
極材料から形成した電極層よりも遙に低抵抗であるとい
う長所がある。この様な電極層は、一般には、真空蒸
着、イオンプレーテイング、スパッタリング、等の真空
薄膜形成技術で形成される。
【0020】 電解還元発色性薄膜層には、WO3 、MoO3ま
たはこれらの混合物、等が好ましく使用されるが、これ
らに限定されるものでない。 イオン導電層には、酸化ケ
イ素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、
酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化
ランタン、フッ化マグネシウム、等が好ましく使用され
るが、これらに限定されるものでない。
たはこれらの混合物、等が好ましく使用されるが、これ
らに限定されるものでない。 イオン導電層には、酸化ケ
イ素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、
酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化
ランタン、フッ化マグネシウム、等が好ましく使用され
るが、これらに限定されるものでない。
【0021】 イオン導電層は、電子に対して絶縁体であ
るが、プロトン(H + )及びヒドロキソイオン(OH- )
に対しては良導体となる。エレクトロクロミック層の着
消色反応にはカチオンが必要とされ、H + やLi+ をエレ
クトロクロミック層その他に含有させる必要がある。H
+ は初めからイオンである必要はなく、電圧が印加され
たときにH + が生じればよく、したがってH + の代わり
に水を含有させてもよい.この水は非常に少なくて十分
であり、しばしば大気中から自然に侵入する水分でも着
消色する。
るが、プロトン(H + )及びヒドロキソイオン(OH- )
に対しては良導体となる。エレクトロクロミック層の着
消色反応にはカチオンが必要とされ、H + やLi+ をエレ
クトロクロミック層その他に含有させる必要がある。H
+ は初めからイオンである必要はなく、電圧が印加され
たときにH + が生じればよく、したがってH + の代わり
に水を含有させてもよい.この水は非常に少なくて十分
であり、しばしば大気中から自然に侵入する水分でも着
消色する。
【0022】 電解酸化発色性薄膜層としては、酸化イリ
ジウム、水酸化イリジウム、酸化ニッケル、水酸化ニッ
ケル、酸化クロム、水酸化クロム、酸化バナジウム、水
酸化バナジウム、酸化ルテニウム、水酸化ルテニウム、
酸化ロジウム、水酸化ロジウム、等が好ましく使用され
るが、これらに限定されるものではない。 その他のエレ
クトロクロミック物質として、例えば、酸化チタン、酸
化コバルト、酸化鉄、酸化ケイ素、酸化鉛、酸化銅、硫
化鉄、酸化ビスマス、硫化ニオブ、等の金属酸化物や金
属硫化物のほか、ハイドロキノン誘導体、ベルリン酸鉄
誘導体、金属フタロシアニン誘導体(Co、Fe、Zn、Ni、
Cuの各フタロシアニン誘導体)、プルシアンブルー、プ
ルシアンブルー類似化合物、窒化インジウム、窒化ス
ズ、窒化塩化ジルコニウム、ビオロゲン系有機エレクト
ロクロミック材料、スチリル系有機エレクトロクロミッ
ク材料、ポリアニリン、等がエレクトロクロミック層に
使用できる. イオン導電層のその他の例としては、イオ
ン導電性及び接着性を有する層が使用可能であり、例え
ば、( A)ポリ(2−アクリルアミド−2−メチルプロ
パンスルホン酸)、ポリ(スチレン−スルホン酸)、ポ
リ(エチレン−スルホン酸)、ポリビニルスルホン酸、
フッ素化共重合体等からなる重合体、(B )第一の単量
体(例えば、ビニルスルホン酸、ビニルスルホン酸ナト
リウム、ふっ化ビニルスルホニル)と第二の単量体(例
えば、ビニルピロリジノン、ブチルビニルエーテル、エ
チルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、シ
クロヘキシルビニルエーテル、イソブチレン)との共重
合体、(C )前記第一の単量体及び第二の単量体とスチ
レンスルホン酸ナトリウムとの共重合体、(D )親水性
アクリレート単量体(例えば、ポリ(エチレンオキシ
ド)ジメタクリレート、エトキシトリエチレン、グリコ
ールメタクリレート、エチレンオキシド−ジメチルシク
ロヘキサンアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレ
ート、エチルアクリレート)とスルホン酸単量体(例え
ば、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン
酸、スチレン−スルホン酸、エチレン−スルホン酸、ビ
ニルスルホン酸)との共重合体、等からなる層がある.
エレクトロクロミック素子は剥き出しのままでは劣化し
やすいので、2枚の基板間に封止して使用される.例え
ば、1枚の基板上にエレクトロクロミック素子を形成し
た場合、露出したエレクトロクロミック素子を封止樹脂
及び封止基板により封止する.前記封止剤には、例え
ば、エポキシ樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、
酢酸ビニール系樹脂、変性ポリマー系等の透明材料が好
ましく使用されるが、これらに限定されるものではな
い.以下、実施例により更に詳細に説明するが、本発明
はこれらの例に限定されるものではない.
ジウム、水酸化イリジウム、酸化ニッケル、水酸化ニッ
ケル、酸化クロム、水酸化クロム、酸化バナジウム、水
酸化バナジウム、酸化ルテニウム、水酸化ルテニウム、
酸化ロジウム、水酸化ロジウム、等が好ましく使用され
るが、これらに限定されるものではない。 その他のエレ
クトロクロミック物質として、例えば、酸化チタン、酸
化コバルト、酸化鉄、酸化ケイ素、酸化鉛、酸化銅、硫
化鉄、酸化ビスマス、硫化ニオブ、等の金属酸化物や金
属硫化物のほか、ハイドロキノン誘導体、ベルリン酸鉄
誘導体、金属フタロシアニン誘導体(Co、Fe、Zn、Ni、
Cuの各フタロシアニン誘導体)、プルシアンブルー、プ
ルシアンブルー類似化合物、窒化インジウム、窒化ス
ズ、窒化塩化ジルコニウム、ビオロゲン系有機エレクト
ロクロミック材料、スチリル系有機エレクトロクロミッ
ク材料、ポリアニリン、等がエレクトロクロミック層に
使用できる. イオン導電層のその他の例としては、イオ
ン導電性及び接着性を有する層が使用可能であり、例え
ば、( A)ポリ(2−アクリルアミド−2−メチルプロ
パンスルホン酸)、ポリ(スチレン−スルホン酸)、ポ
リ(エチレン−スルホン酸)、ポリビニルスルホン酸、
フッ素化共重合体等からなる重合体、(B )第一の単量
体(例えば、ビニルスルホン酸、ビニルスルホン酸ナト
リウム、ふっ化ビニルスルホニル)と第二の単量体(例
えば、ビニルピロリジノン、ブチルビニルエーテル、エ
チルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、シ
クロヘキシルビニルエーテル、イソブチレン)との共重
合体、(C )前記第一の単量体及び第二の単量体とスチ
レンスルホン酸ナトリウムとの共重合体、(D )親水性
アクリレート単量体(例えば、ポリ(エチレンオキシ
ド)ジメタクリレート、エトキシトリエチレン、グリコ
ールメタクリレート、エチレンオキシド−ジメチルシク
ロヘキサンアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレ
ート、エチルアクリレート)とスルホン酸単量体(例え
ば、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン
酸、スチレン−スルホン酸、エチレン−スルホン酸、ビ
ニルスルホン酸)との共重合体、等からなる層がある.
エレクトロクロミック素子は剥き出しのままでは劣化し
やすいので、2枚の基板間に封止して使用される.例え
ば、1枚の基板上にエレクトロクロミック素子を形成し
た場合、露出したエレクトロクロミック素子を封止樹脂
及び封止基板により封止する.前記封止剤には、例え
ば、エポキシ樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、
酢酸ビニール系樹脂、変性ポリマー系等の透明材料が好
ましく使用されるが、これらに限定されるものではな
い.以下、実施例により更に詳細に説明するが、本発明
はこれらの例に限定されるものではない.
【0023】
【実施例】[実施例1] (1)厚さ約0.2 μm の透明電極膜(ITO )が形成され
た4インチ角、厚さ1mmのガラス平板を基板とし、フ
ォトリソグラフィーにより透明電極膜のパターニングを
行い、図1(a)に示すような分割電極21、22、接
点3からなる電極パターンを作成した。 (2)前記(1)でパターニングした透明電極膜上に、
電解酸化発色性薄膜層として酸化イリジウムと酸化錫の
混合薄膜をイオンプレーティング法により形成した。す
なわち、酸素ガス圧4×10-4Torr、RFパワー1
00W、蒸着時間20分で、膜厚0.1μm の薄膜を形
成した(図1(b))。 (3)前記(2)で形成した電解酸化発色性薄膜層上
に、イオン導電層として五酸化タンタルの薄膜をイオン
プレーティング法により形成した。すなわち、酸素ガス
圧2×10-4Torr、RFパワー400W、蒸着時間
45分で、膜厚0.8μm の薄膜を形成した(図1
(b))。 (4)前記(3)で形成したイオン導電性膜上に、電解
還元発色性薄膜層として三酸化タングステンを真空蒸着
法により形成した。すなわち、酸素ガス圧4×10-4T
orr、蒸着時間12分で、膜厚0.7μm の薄膜を形
成した(図1(b))。 (5)前記(4)で形成した電解還元発色性薄膜の上に
対極電極5としてITO薄膜をイオンプレーティング法
により形成した。すなわち、酸素ガス圧2×10 -4To
rr、RFパワー180W、蒸着時間8分で膜厚0.2
μm の薄膜を形成した。電極5は分割電極21と接し、
電気的に接続するが、分割電極22には電気的に接続し
ないように成膜する(図1(b))。 (6)前記(5)でエレクトロクロミック層を形成した
基板を、エポキシ樹脂(図示しない)及び厚さ0.3m
mのガラス製封止基板(図示しない)にて封止してエレ
クトロクロミック素子を作製した。 (7)前記(6)で得られたエレクトロクロミック素子
の接点3に、封止基板(図示しない)を通して、Ne−
YAGレーザ光8を20倍の顕微鏡用対物レンズ7を用
いて直径約100μm のスポットに集光して照射した
(図4)。これにより照射部分は溶解あるいは蒸発して
切徐溝23が形成され、接点3は切断され、分割電極2
1は分割電極22と絶縁する。分割電極21は依然とし
て電極5と電気的に接続されている(図1(c))。
た4インチ角、厚さ1mmのガラス平板を基板とし、フ
ォトリソグラフィーにより透明電極膜のパターニングを
行い、図1(a)に示すような分割電極21、22、接
点3からなる電極パターンを作成した。 (2)前記(1)でパターニングした透明電極膜上に、
電解酸化発色性薄膜層として酸化イリジウムと酸化錫の
混合薄膜をイオンプレーティング法により形成した。す
なわち、酸素ガス圧4×10-4Torr、RFパワー1
00W、蒸着時間20分で、膜厚0.1μm の薄膜を形
成した(図1(b))。 (3)前記(2)で形成した電解酸化発色性薄膜層上
に、イオン導電層として五酸化タンタルの薄膜をイオン
プレーティング法により形成した。すなわち、酸素ガス
圧2×10-4Torr、RFパワー400W、蒸着時間
45分で、膜厚0.8μm の薄膜を形成した(図1
(b))。 (4)前記(3)で形成したイオン導電性膜上に、電解
還元発色性薄膜層として三酸化タングステンを真空蒸着
法により形成した。すなわち、酸素ガス圧4×10-4T
orr、蒸着時間12分で、膜厚0.7μm の薄膜を形
成した(図1(b))。 (5)前記(4)で形成した電解還元発色性薄膜の上に
対極電極5としてITO薄膜をイオンプレーティング法
により形成した。すなわち、酸素ガス圧2×10 -4To
rr、RFパワー180W、蒸着時間8分で膜厚0.2
μm の薄膜を形成した。電極5は分割電極21と接し、
電気的に接続するが、分割電極22には電気的に接続し
ないように成膜する(図1(b))。 (6)前記(5)でエレクトロクロミック層を形成した
基板を、エポキシ樹脂(図示しない)及び厚さ0.3m
mのガラス製封止基板(図示しない)にて封止してエレ
クトロクロミック素子を作製した。 (7)前記(6)で得られたエレクトロクロミック素子
の接点3に、封止基板(図示しない)を通して、Ne−
YAGレーザ光8を20倍の顕微鏡用対物レンズ7を用
いて直径約100μm のスポットに集光して照射した
(図4)。これにより照射部分は溶解あるいは蒸発して
切徐溝23が形成され、接点3は切断され、分割電極2
1は分割電極22と絶縁する。分割電極21は依然とし
て電極5と電気的に接続されている(図1(c))。
【0024】前記(6)で得られたエレクトロクロミッ
ク素子の2つの電極のうち、図1の分割電極21を外部
電源の陰極に接続し、もう一方の分割電極22を外部電
源の陽極に接続し、+1.35Vの電圧を印加すると、
素子は1秒以内に青色に発色した。電源への接続を切っ
ても素子は青色発色状態を保った。また、極性が逆にな
るよう接続を変え、−1.35Vの電圧を印加すると、
1秒以内に消色し、元の透明な状態に戻った。また、着
色、消色のいずれの状態においても素子に変色は見られ
ず、外観は良好であった。 [実施例2] (1)厚さ約0.2 μm の透明電極膜(ITO )が形成され
た4インチ角、厚さ1mmのガラス平板を基板とし、フ
ォトリソグラフィーにより透明電極のパターニングを行
い、図2(a)に示すような分割電極21、22、接点
3からなるパターンを作製した。 (2)実施例1の(2)と同様にして透明電極の上に電
解酸化発色性薄膜層を形成した(図2(b))。 (3)実施例1の(3)と同様にして電解酸化発色性薄
膜上にイオン導電層を形成した(図2(b))。 (4)実施例1の(4)と同様にしてイオン導電層上に
電解還元発色性薄膜層を形成した(図2(b))。 (5)実施例1の(5)と同様にして電解還元発色性薄
膜上に対極電極となる透明電極を形成した(図2
(b))。 (6)実施例1の(6)と同様にエレクトロクロミック
層を形成した基板を、エポキシ樹脂(図示しない)及び
厚さ0.3mmのガラス製封止基板(図示しない)にて
封止してエレクトロクロミック素子を作製した。 (7)前記(6)で得られたエレクトロクロミック素子
の接点3が設けられている部分の基板をスクライバーに
て切断し、接点を切断した(図2(c))。
ク素子の2つの電極のうち、図1の分割電極21を外部
電源の陰極に接続し、もう一方の分割電極22を外部電
源の陽極に接続し、+1.35Vの電圧を印加すると、
素子は1秒以内に青色に発色した。電源への接続を切っ
ても素子は青色発色状態を保った。また、極性が逆にな
るよう接続を変え、−1.35Vの電圧を印加すると、
1秒以内に消色し、元の透明な状態に戻った。また、着
色、消色のいずれの状態においても素子に変色は見られ
ず、外観は良好であった。 [実施例2] (1)厚さ約0.2 μm の透明電極膜(ITO )が形成され
た4インチ角、厚さ1mmのガラス平板を基板とし、フ
ォトリソグラフィーにより透明電極のパターニングを行
い、図2(a)に示すような分割電極21、22、接点
3からなるパターンを作製した。 (2)実施例1の(2)と同様にして透明電極の上に電
解酸化発色性薄膜層を形成した(図2(b))。 (3)実施例1の(3)と同様にして電解酸化発色性薄
膜上にイオン導電層を形成した(図2(b))。 (4)実施例1の(4)と同様にしてイオン導電層上に
電解還元発色性薄膜層を形成した(図2(b))。 (5)実施例1の(5)と同様にして電解還元発色性薄
膜上に対極電極となる透明電極を形成した(図2
(b))。 (6)実施例1の(6)と同様にエレクトロクロミック
層を形成した基板を、エポキシ樹脂(図示しない)及び
厚さ0.3mmのガラス製封止基板(図示しない)にて
封止してエレクトロクロミック素子を作製した。 (7)前記(6)で得られたエレクトロクロミック素子
の接点3が設けられている部分の基板をスクライバーに
て切断し、接点を切断した(図2(c))。
【0025】前記(6)で得られたエレクトロクロミッ
ク素子の2つの電極のうち、図1の電極21を外部電源
の陰極に接続し、もう一方の電極22を外部電源の陽極
に接続し、+1.35Vの電圧を印加すると、素子は1
秒以内に青色に発色した。電源への接続を切っても素子
は青色発色状態を保った。また、極性が逆になるよう接
続を変え、−1.35Vの電圧を印加すると、1秒以内
に消色し、元の透明な状態に戻った。また、着色、消色
のいずれの状態においても素子に変色は見られず、外観
は良好であった。 [比較例] (1)厚さ約0.2 μm の透明電極膜(ITO )が形成され
た4インチ角、厚さ1mmのガラス平板を基板とし、フ
ォトリソグラフィーにより透明電極のパターニングを行
い、図3(a)に示すような分割電極21、22からな
るパターンを作成した。 (2)実施例1の(2)と同様にして透明電極の上に電
解酸化発色性薄膜層を形成した(図3(b))。 (3)実施例1の(3)と同様にして電解酸化発色性薄
膜層上にイオン導電層を形成した(図3(b))。 (4)実施例1の(4)と同様にしてイオン導電層上に
電解還元発色性薄膜を形成した。電解還元発色性薄膜形
成後、分割電極21と22の溝部6に隣接する部分が褐
色に変色していた(図3(b))。 (5)実施例1の(5)と同様にして電解還元発色性薄
膜上に対極電極として透明電極を形成した。透明電極形
成後も、分割電極21と22の溝部6に隣接する部分が
褐色に変色していた(図3(b))。 (6)実施例1の(6)と同様にエレクトロクロミック
層を形成した基板を、エポキシ樹脂(図示しない)及び
厚さ0.3mmのガラス製封止基板(図示しない)にて
封止してエレクトロクロミック素子を作製した。
ク素子の2つの電極のうち、図1の電極21を外部電源
の陰極に接続し、もう一方の電極22を外部電源の陽極
に接続し、+1.35Vの電圧を印加すると、素子は1
秒以内に青色に発色した。電源への接続を切っても素子
は青色発色状態を保った。また、極性が逆になるよう接
続を変え、−1.35Vの電圧を印加すると、1秒以内
に消色し、元の透明な状態に戻った。また、着色、消色
のいずれの状態においても素子に変色は見られず、外観
は良好であった。 [比較例] (1)厚さ約0.2 μm の透明電極膜(ITO )が形成され
た4インチ角、厚さ1mmのガラス平板を基板とし、フ
ォトリソグラフィーにより透明電極のパターニングを行
い、図3(a)に示すような分割電極21、22からな
るパターンを作成した。 (2)実施例1の(2)と同様にして透明電極の上に電
解酸化発色性薄膜層を形成した(図3(b))。 (3)実施例1の(3)と同様にして電解酸化発色性薄
膜層上にイオン導電層を形成した(図3(b))。 (4)実施例1の(4)と同様にしてイオン導電層上に
電解還元発色性薄膜を形成した。電解還元発色性薄膜形
成後、分割電極21と22の溝部6に隣接する部分が褐
色に変色していた(図3(b))。 (5)実施例1の(5)と同様にして電解還元発色性薄
膜上に対極電極として透明電極を形成した。透明電極形
成後も、分割電極21と22の溝部6に隣接する部分が
褐色に変色していた(図3(b))。 (6)実施例1の(6)と同様にエレクトロクロミック
層を形成した基板を、エポキシ樹脂(図示しない)及び
厚さ0.3mmのガラス製封止基板(図示しない)にて
封止してエレクトロクロミック素子を作製した。
【0026】前記(6)得られたエレクトロクロミック
素子の2つの電極のうち、図3の電極21を外部電源の
陰極に接続し、もう一方の電極22を外部電源の陽極に
接続し、+1.35Vの電圧を印加すると、素子は1秒
以内に青色に発色した。電源への接続を切っても素子は
青色発色状態を保った。また、極性が逆になるよう接続
えを変え、−1.35Vの電圧を印加すると、1秒以内
に消色し、元の透明な状態に戻った。しかし、前記
(4)(5)の段階で生じた変色部分は褐色のままであ
り透明に戻らなかった。
素子の2つの電極のうち、図3の電極21を外部電源の
陰極に接続し、もう一方の電極22を外部電源の陽極に
接続し、+1.35Vの電圧を印加すると、素子は1秒
以内に青色に発色した。電源への接続を切っても素子は
青色発色状態を保った。また、極性が逆になるよう接続
えを変え、−1.35Vの電圧を印加すると、1秒以内
に消色し、元の透明な状態に戻った。しかし、前記
(4)(5)の段階で生じた変色部分は褐色のままであ
り透明に戻らなかった。
【0027】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、エレク
トロクロミック素子が製造過程で変色することを防ぎ、
外観上優れたエレクトロクロミック素子を得ることがで
きる。また、このような外観に優れたエレクトロクロミ
ック素子は、可逆な色変化をするサングラスや建造物の
窓として、あるいはカメラ、時計、電卓、その他各種測
定機などの表示素子としても幅広く使用可能である。
トロクロミック素子が製造過程で変色することを防ぎ、
外観上優れたエレクトロクロミック素子を得ることがで
きる。また、このような外観に優れたエレクトロクロミ
ック素子は、可逆な色変化をするサングラスや建造物の
窓として、あるいはカメラ、時計、電卓、その他各種測
定機などの表示素子としても幅広く使用可能である。
【図1】本発明の実施例1によるエレクトロクロミック
素子の製造方法及び工程を示す概略図である。
素子の製造方法及び工程を示す概略図である。
【図2】本発明の実施例2によるエレクトロクロミック
素子の製造方法及び工程を示す概略図である。
素子の製造方法及び工程を示す概略図である。
【図3】本発明の比較例のエレクトロクロミック素子の
製造方法及び工程の一例を示す概略図である。
製造方法及び工程の一例を示す概略図である。
【図4】本発明の実施例1によるエレクトロクロミック
素子の製造方法に於いて、レーザ光照射の様子を示す図
である。
素子の製造方法に於いて、レーザ光照射の様子を示す図
である。
1 基板 21 分割電極 22 分割電極 23 切徐溝 3 接点 4 エレクトロクロミック層 5 電極 6 溝部 7 対物レンズ 8 レーザー光
Claims (7)
- 【請求項1】 基板上に、1個以上の接点により互いに
電気的に接続された複数の分割電極を形成する段階、エ
レクトロクロミック層を形成する段階、対極電極を形成
する段階を有することを特徴とするエレクトロクロミッ
ク素子の製造方法。 - 【請求項2】 前記接点を切断し、前記複数の分割電極
を互いに電気的に絶縁する段階を有することを特徴とす
る請求項1記載のエレクトロクロミック素子の製造方
法。 - 【請求項3】 基板上の前記接点をエレクトロクロミッ
ク層と対極電極の成膜領域の外に有することを特徴とす
る請求項1、2何れか1項記載のエレクトロクロミック
素子の製造方法。 - 【請求項4】 前記接点の切断がレーザー光の照射によ
り行われることを特徴とする請求項2、3何れか1項記
載のエレクトロクロミック素子の製造方法。 - 【請求項5】 前記接点の切断がイオンによるエッチン
グにより行われることを特徴とする請求項2、3何れか
1項記載のエレクトロクロミック素子の製造方法。 - 【請求項6】 前記接点の切断が機械的に削りとること
により行われることを特徴とする請求項2、3何れか1
項記載のエレクトロクロミック素子の製造方法。 - 【請求項7】 前記接点の切断が基板の切断により行わ
れることを特徴とする請求項2、3何れか1項記載のエ
レクトロクロミック素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10043026A JPH11242245A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | エレクトロクロミック素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10043026A JPH11242245A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | エレクトロクロミック素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11242245A true JPH11242245A (ja) | 1999-09-07 |
Family
ID=12652449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10043026A Pending JPH11242245A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | エレクトロクロミック素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11242245A (ja) |
-
1998
- 1998-02-25 JP JP10043026A patent/JPH11242245A/ja active Pending
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