JPH1125416A - 磁気ヘッド加工組立用治具 - Google Patents
磁気ヘッド加工組立用治具Info
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- JPH1125416A JPH1125416A JP9174856A JP17485697A JPH1125416A JP H1125416 A JPH1125416 A JP H1125416A JP 9174856 A JP9174856 A JP 9174856A JP 17485697 A JP17485697 A JP 17485697A JP H1125416 A JPH1125416 A JP H1125416A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3169—Working or finishing the interfacing surface of heads, e.g. lapping of heads
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Abstract
(57)【要約】
【課題】磁気ヘッドの加工工程や組立工程に用いる治具
において、長期間にわたって使用でき、かつ被加工物体
に悪影響を及ぼすことなく静電気を逃がす。 【解決手段】体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍ
のセラミックスにより治具を形成する。
において、長期間にわたって使用でき、かつ被加工物体
に悪影響を及ぼすことなく静電気を逃がす。 【解決手段】体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍ
のセラミックスにより治具を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ヘッドの加工工
程や組立工程において使用される治具に関するものであ
る。
程や組立工程において使用される治具に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録装置に使用する磁気ヘッドとし
ては、チタニア系セラミックスからなるスライダーにコ
アを備えたもの、あるいはＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系セラミ
ックスからなる基板上に薄膜手段で磁気ヘッドを形成し
た薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドの一種であるＭ
Ｒヘッド等がある。
ては、チタニア系セラミックスからなるスライダーにコ
アを備えたもの、あるいはＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系セラミ
ックスからなる基板上に薄膜手段で磁気ヘッドを形成し
た薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドの一種であるＭ
Ｒヘッド等がある。
【０００３】この磁気ヘッドは、微小で複雑な形状をし
ているため、上記のセラミックス材を所定形状に加工
し、磁気ヘッドとして組立てる工程で、さまざまな治具
が用いられている。
ているため、上記のセラミックス材を所定形状に加工
し、磁気ヘッドとして組立てる工程で、さまざまな治具
が用いられている。
【０００４】例えば、図１に示す治具１０は、トランス
ファーツールと呼ばれるもので、異形の貫通孔１１を有
する板状体からなり、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系セラミック
スの基板１の研磨工程で使用する。即ち、治具１０の下
面１３に基板１を貼り付けた状態で、上面１２側を保持
し、図２に示すように回転する研磨盤１４に押し当てて
研磨加工すると、上記貫通孔１１によって基板１を弾性
的に押圧することができ、厚みを均一に調整することが
できる。
ファーツールと呼ばれるもので、異形の貫通孔１１を有
する板状体からなり、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系セラミック
スの基板１の研磨工程で使用する。即ち、治具１０の下
面１３に基板１を貼り付けた状態で、上面１２側を保持
し、図２に示すように回転する研磨盤１４に押し当てて
研磨加工すると、上記貫通孔１１によって基板１を弾性
的に押圧することができ、厚みを均一に調整することが
できる。
【０００５】また、その他に、基板１等のセラミックス
材をイオンミリング等で加工する際に保持するための治
具や、作製された磁気ヘッドを装置に組立てる際に保持
するための治具等もある。
材をイオンミリング等で加工する際に保持するための治
具や、作製された磁気ヘッドを装置に組立てる際に保持
するための治具等もある。
【０００６】これらの磁気ヘッド加工組立用治具は、従
来より、ステンレスなどの金属やアルミナなどのセラミ
ックスにより形成されている。
来より、ステンレスなどの金属やアルミナなどのセラミ
ックスにより形成されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、薄膜磁気ヘ
ッド、特にＭＲヘッドの加工工程や組立工程において使
用される金属製の治具は、導電性が高すぎるため導通短
絡による取り扱い事故や、金属打痕による精度劣化に起
因する歩留まりの低下が発生しやすいという問題があっ
た。また、治具自体が磁気を帯びやすいため、薄膜磁気
ヘッド、特にＭＲヘッド等の部品に悪影響を与えるとい
った問題もあった。
ッド、特にＭＲヘッドの加工工程や組立工程において使
用される金属製の治具は、導電性が高すぎるため導通短
絡による取り扱い事故や、金属打痕による精度劣化に起
因する歩留まりの低下が発生しやすいという問題があっ
た。また、治具自体が磁気を帯びやすいため、薄膜磁気
ヘッド、特にＭＲヘッド等の部品に悪影響を与えるとい
った問題もあった。
【０００８】これに対し、アルミナなどのセラミックス
からなる治具は、絶縁材料であるため導通短絡による不
具合は解消でき、打痕による精度劣化に起因する歩留ま
り低下も改善することができる反面、静電気を逃がしに
くいため、磁気ヘッドに悪影響を及ぼしやすいという問
題点があった。
からなる治具は、絶縁材料であるため導通短絡による不
具合は解消でき、打痕による精度劣化に起因する歩留ま
り低下も改善することができる反面、静電気を逃がしに
くいため、磁気ヘッドに悪影響を及ぼしやすいという問
題点があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、磁気ヘ
ッドの加工工程や組立工程において使用される治具を、
体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍで、非磁性の
セラミックスにより形成したことを特徴とする。
ッドの加工工程や組立工程において使用される治具を、
体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍで、非磁性の
セラミックスにより形成したことを特徴とする。
【００１０】ここで、体積固有抵抗値を１０6 〜１０9
Ω・ｃｍとしたのは、体積固有抵抗値が１０9 Ω・ｃｍ
より大きいと絶縁性が高いために静電気の除去効果が得
られないからであり、逆に体積固有抵抗値が１０6 Ω・
ｃｍより小さくなると帯電した静電気が一気に逃げるた
め、大気摩擦による放電作用を防ぐことができないから
である。
Ω・ｃｍとしたのは、体積固有抵抗値が１０9 Ω・ｃｍ
より大きいと絶縁性が高いために静電気の除去効果が得
られないからであり、逆に体積固有抵抗値が１０6 Ω・
ｃｍより小さくなると帯電した静電気が一気に逃げるた
め、大気摩擦による放電作用を防ぐことができないから
である。
【００１１】また、非磁性のセラミックスとは、残留磁
束密度が１４ガウス以下であるようなセラミックスのこ
とである。
束密度が１４ガウス以下であるようなセラミックスのこ
とである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を説明す
る。
る。
【００１３】図１に示す治具１０は、異形の貫通孔１１
を有する板状体からなり、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系セラミ
ックスの基板１等の研磨工程で使用する。即ち、治具１
０の下面１３に基板１を貼り付けた状態で、上面１２側
を保持し、図２に示すように回転する研磨盤１４に押し
当てて研磨加工すると、上記貫通孔１１によって基板１
を弾性的に押圧することができ、厚みを均一に調整する
ことができる。
を有する板状体からなり、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系セラミ
ックスの基板１等の研磨工程で使用する。即ち、治具１
０の下面１３に基板１を貼り付けた状態で、上面１２側
を保持し、図２に示すように回転する研磨盤１４に押し
当てて研磨加工すると、上記貫通孔１１によって基板１
を弾性的に押圧することができ、厚みを均一に調整する
ことができる。
【００１４】また、上記治具１０は、体積固有抵抗値が
１０6 〜１０9 Ω・ｃｍである非磁性のセラミックスに
より形成してある。
１０6 〜１０9 Ω・ｃｍである非磁性のセラミックスに
より形成してある。
【００１５】このように適度な体積固有抵抗値を有して
いるため、静電気を徐々に放出できることから、一気に
静電気が放出して大気摩擦による放電作用を防ぎ、磁気
ヘッドに悪影響を及ぼすことを防止できる。
いるため、静電気を徐々に放出できることから、一気に
静電気が放出して大気摩擦による放電作用を防ぎ、磁気
ヘッドに悪影響を及ぼすことを防止できる。
【００１６】ここで重要なことは、治具１０の体積固有
抵抗値が低すぎると、静電気が一気に放出して大気摩擦
による放電作用を生じ、磁気ヘッドに悪影響を及ぼして
しまう点である。そこで、本発明では、体積固有抵抗値
が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍと適度に導電性を有する範囲
に制御することによって、静電気を徐々に放出し、磁気
ヘッドに悪影響を及ぼしにくい治具１０を得るようにし
た。
抵抗値が低すぎると、静電気が一気に放出して大気摩擦
による放電作用を生じ、磁気ヘッドに悪影響を及ぼして
しまう点である。そこで、本発明では、体積固有抵抗値
が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍと適度に導電性を有する範囲
に制御することによって、静電気を徐々に放出し、磁気
ヘッドに悪影響を及ぼしにくい治具１０を得るようにし
た。
【００１７】しかも、上記のように体積固有抵抗値を１
０6 〜１０9 Ω・ｃｍの範囲としておけば、導通短絡に
よる取り扱い事故を防止できる。また、非磁性のセラミ
ックスを用いることによって、磁気ヘッドへの悪影響を
防止できる。さらに、治具１０は硬度の高いセラミック
スからなるため打痕や摩耗による精度劣化も防ぐことが
できる。
０6 〜１０9 Ω・ｃｍの範囲としておけば、導通短絡に
よる取り扱い事故を防止できる。また、非磁性のセラミ
ックスを用いることによって、磁気ヘッドへの悪影響を
防止できる。さらに、治具１０は硬度の高いセラミック
スからなるため打痕や摩耗による精度劣化も防ぐことが
できる。
【００１８】次に、本発明の他の実施形態を説明する。
【００１９】図２に示す治具２０は、体積固有抵抗値が
１０6 〜１０9 Ω・ｃｍである非磁性のセラミックスか
らなり、溝２１を備えた板状体である。そして、この溝
２１にＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結体の基板１を載置し、
上面からイオンミリング装置２２で加工を施すことがで
きる。
１０6 〜１０9 Ω・ｃｍである非磁性のセラミックスか
らなり、溝２１を備えた板状体である。そして、この溝
２１にＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結体の基板１を載置し、
上面からイオンミリング装置２２で加工を施すことがで
きる。
【００２０】また、図３に示す治具３０は、体積固有抵
抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍである非磁性のセラミッ
クスからなり、二つのスリット３１、３１を備えたもの
である。そして、製造した磁気ヘッドを磁気記録装置に
組み立てる際に、磁気ヘッドを保持したジンバルの一部
を上記スリット３１、３１に保持することができる。
抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍである非磁性のセラミッ
クスからなり、二つのスリット３１、３１を備えたもの
である。そして、製造した磁気ヘッドを磁気記録装置に
組み立てる際に、磁気ヘッドを保持したジンバルの一部
を上記スリット３１、３１に保持することができる。
【００２１】このように、本発明の磁気ヘッド加工組立
用治具とは、磁気ヘッドを成すセラミックス材に研削、
研磨、イオンミリング等の加工工程で、被加工物を保持
するための治具や、磁気ヘッドとして組み立てる際又は
得られた磁気ヘッドを磁気記録装置に組み立てる際等の
組立工程で、ヘッド等を保持するための治具等を意味す
る。
用治具とは、磁気ヘッドを成すセラミックス材に研削、
研磨、イオンミリング等の加工工程で、被加工物を保持
するための治具や、磁気ヘッドとして組み立てる際又は
得られた磁気ヘッドを磁気記録装置に組み立てる際等の
組立工程で、ヘッド等を保持するための治具等を意味す
る。
【００２２】また、本発明の磁気ヘッド加工組立用治具
は、さまざまな磁気ヘッドの加工や組立に使用できる
が、特に薄膜磁気ヘッド、中でもＭＲヘッドの加工や組
立に使用することが好ましい。
は、さまざまな磁気ヘッドの加工や組立に使用できる
が、特に薄膜磁気ヘッド、中でもＭＲヘッドの加工や組
立に使用することが好ましい。
【００２３】なお、以上の実施形態では、治具の全体を
体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍで非磁性のセ
ラミックスで形成した例を示したが、少なくとも基板１
等の被加工物と接触する部位を上記セラミックスで形成
しておけばよく、他の材質と組み合わせて治具を構成す
ることもできる。
体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍで非磁性のセ
ラミックスで形成した例を示したが、少なくとも基板１
等の被加工物と接触する部位を上記セラミックスで形成
しておけばよく、他の材質と組み合わせて治具を構成す
ることもできる。
【００２４】このような本発明の磁気ヘッド加工組立用
治具において、体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃ
ｍである非磁性のセラミックスとしては、例えば導電性
ジルコニアセラミックス、導電性アルミナセラミック
ス、炭化珪素質セラミックス、チタニア系セラミック
ス、導電性フォルステライト系セラミックスを用いる。
治具において、体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃ
ｍである非磁性のセラミックスとしては、例えば導電性
ジルコニアセラミックス、導電性アルミナセラミック
ス、炭化珪素質セラミックス、チタニア系セラミック
ス、導電性フォルステライト系セラミックスを用いる。
【００２５】導電性ジルコニアセラミックスとしては、
導電性付与剤として、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ
3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 のうち一種以上を１０〜３５重量％
の範囲で含有するか、あるいはＴｉＣ、ＷＣ、ＴａＣな
どの炭化物のうち一種以上を１０〜２５重量％の範囲で
含有し、残部がＹ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2 等
の安定化剤により部分安定化されたジルコニアからなり
焼結体中における全ジルコニア量に対し、単斜晶以外の
ジルコニア量が９０％以上、好ましくは９５％以上であ
るものが良い。
導電性付与剤として、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ
3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 のうち一種以上を１０〜３５重量％
の範囲で含有するか、あるいはＴｉＣ、ＷＣ、ＴａＣな
どの炭化物のうち一種以上を１０〜２５重量％の範囲で
含有し、残部がＹ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2 等
の安定化剤により部分安定化されたジルコニアからなり
焼結体中における全ジルコニア量に対し、単斜晶以外の
ジルコニア量が９０％以上、好ましくは９５％以上であ
るものが良い。
【００２６】すなわち、ジルコニアの結晶結晶状態には
立方晶、正方晶、単斜晶の３つの状態があり、特に正方
晶ジルコニアは外部応力に対し、応力誘軌変態を受けて
単斜晶ジルコニアに相変態し、この時に生じる体積膨張
によって単斜晶ジルコニアの周囲に微少なマイクロクラ
ックを形成して外部応力の進行を阻止できるため、ジル
コニアセラミックスの強度を高めることができるのであ
るが、単斜晶以外のジルコニア量が９０％未満である
と、導電性付与剤を含有することによる強度劣化が生じ
るからである。
立方晶、正方晶、単斜晶の３つの状態があり、特に正方
晶ジルコニアは外部応力に対し、応力誘軌変態を受けて
単斜晶ジルコニアに相変態し、この時に生じる体積膨張
によって単斜晶ジルコニアの周囲に微少なマイクロクラ
ックを形成して外部応力の進行を阻止できるため、ジル
コニアセラミックスの強度を高めることができるのであ
るが、単斜晶以外のジルコニア量が９０％未満である
と、導電性付与剤を含有することによる強度劣化が生じ
るからである。
【００２７】なお、ジルコニアの平均結晶粒子径が０．
５μｍより大きくなると、曲げ強度や硬度等の機械的特
性が大きく低下し、逆に０．２μｍ未満とすることは製
造上難しい。したがって、ジルコニアの平均結晶粒径は
０．２〜０．５μｍとすることが良い。
５μｍより大きくなると、曲げ強度や硬度等の機械的特
性が大きく低下し、逆に０．２μｍ未満とすることは製
造上難しい。したがって、ジルコニアの平均結晶粒径は
０．２〜０．５μｍとすることが良い。
【００２８】また、導電性付与剤として、Ｆｅ2 Ｏ3 、
ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 のうち一種以上を用い
た場合において、これら導電性付与剤の含有量を１０〜
３５重量％としたのは、１０重量％では抵抗値を下げる
効果が小さく、１０9 Ω・ｃｍ以下とすることができな
いからであり、逆に、３５重量％より多くなると強度が
極端に低下するとともに、抵抗値が１０6 Ω・ｃｍ未満
となり、さらには磁性を生じる恐れがあるからである。
ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 のうち一種以上を用い
た場合において、これら導電性付与剤の含有量を１０〜
３５重量％としたのは、１０重量％では抵抗値を下げる
効果が小さく、１０9 Ω・ｃｍ以下とすることができな
いからであり、逆に、３５重量％より多くなると強度が
極端に低下するとともに、抵抗値が１０6 Ω・ｃｍ未満
となり、さらには磁性を生じる恐れがあるからである。
【００２９】また、導電性付与剤として、ＴｉＣ、Ｗ
Ｃ、ＴａＣなどの炭化物のうち一種以上を用いた場合に
おいても、これら導電性付与剤の含有量が１０重量％未
満では抵抗値を１０9 Ω・ｃｍ以下とすることができ
ず、逆に、２５重量％より多くなると、抵抗値が１０6
Ω・ｃｍ未満となり、さらには磁性を生じる恐れがある
からである。
Ｃ、ＴａＣなどの炭化物のうち一種以上を用いた場合に
おいても、これら導電性付与剤の含有量が１０重量％未
満では抵抗値を１０9 Ω・ｃｍ以下とすることができ
ず、逆に、２５重量％より多くなると、抵抗値が１０6
Ω・ｃｍ未満となり、さらには磁性を生じる恐れがある
からである。
【００３０】なお、これらの導電性付与剤の平均結晶粒
子径が大きすぎるとジルコニアセラミックスの曲げ強度
や硬度等の機械的特性が低下するため、５μｍ以下、好
ましくは３μｍ以下とすることが良い。
子径が大きすぎるとジルコニアセラミックスの曲げ強度
や硬度等の機械的特性が低下するため、５μｍ以下、好
ましくは３μｍ以下とすることが良い。
【００３１】さらに、上記ジルコニアおよび導電性付与
剤以外に、焼成温度抑制剤を３重量％以下の範囲で含有
させても良い。焼成温度抑制剤としては、導電性付与剤
としてＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 を
用いる場合は、Ｃａ、Ｋ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｃなど
の酸化物を含有すれば良く、導電性付与剤としてＴｉ
Ｃ、ＷＣ、ＴａＣなどの炭化物を用いる場合は、Ａｌ2
Ｏ3 、ＴｉＯ2 を含有すればよい。
剤以外に、焼成温度抑制剤を３重量％以下の範囲で含有
させても良い。焼成温度抑制剤としては、導電性付与剤
としてＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 を
用いる場合は、Ｃａ、Ｋ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｃなど
の酸化物を含有すれば良く、導電性付与剤としてＴｉ
Ｃ、ＷＣ、ＴａＣなどの炭化物を用いる場合は、Ａｌ2
Ｏ3 、ＴｉＯ2 を含有すればよい。
【００３２】これらの焼成温度抑制剤を３重量％以下の
範囲で含有させれば、焼成温度を下げてジルコニアおよ
び導電性付与剤の粒成長を抑えることができるため、曲
げ強度や硬度等の機械的特性を高めることができる。
範囲で含有させれば、焼成温度を下げてジルコニアおよ
び導電性付与剤の粒成長を抑えることができるため、曲
げ強度や硬度等の機械的特性を高めることができる。
【００３３】このような導電性ジルコニアセラミックス
は、ビッカース硬度１０〜１３ＧＰａ、３点曲げ強度６
５０〜１４００ＭＰａとすることができる。
は、ビッカース硬度１０〜１３ＧＰａ、３点曲げ強度６
５０〜１４００ＭＰａとすることができる。
【００３４】また、導電性アルミナセラミックスとして
は、６５〜８５重量％のＡｌ2 Ｏ3を主成分とし、導電
性付与剤としてＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 、Ｃｒ
2 Ｏ3 のうち一種以上を１５〜３５重量％の範囲で含有
し、残部をＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｉＯ2 等の焼結助剤と
し、大気雰囲気中にて焼成したものを使用する。
は、６５〜８５重量％のＡｌ2 Ｏ3を主成分とし、導電
性付与剤としてＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 、Ｃｒ
2 Ｏ3 のうち一種以上を１５〜３５重量％の範囲で含有
し、残部をＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｉＯ2 等の焼結助剤と
し、大気雰囲気中にて焼成したものを使用する。
【００３５】この導電性アルミナセラミックスは、ビッ
カース硬度１０．５〜１８ＧＰａ、３点曲げ強度２００
〜４５０ＭＰａとすることができる。
カース硬度１０．５〜１８ＧＰａ、３点曲げ強度２００
〜４５０ＭＰａとすることができる。
【００３６】さらに、炭化珪素質セラミックスとして
は、９０〜９８重量％のＳｉＣを主成分とし、焼結助剤
としてＡｌ2 Ｏ3 を１〜７重量％とＹ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2
を合計で１〜５重量％の範囲でそれぞれ添加し、真空中
または不活性ガス雰囲気中で焼成したものを用いれば良
い。このように、上記範囲で焼結助剤をそれぞれ添加す
ることにより焼結性を高め、靱性を向上させることがで
きる。
は、９０〜９８重量％のＳｉＣを主成分とし、焼結助剤
としてＡｌ2 Ｏ3 を１〜７重量％とＹ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2
を合計で１〜５重量％の範囲でそれぞれ添加し、真空中
または不活性ガス雰囲気中で焼成したものを用いれば良
い。このように、上記範囲で焼結助剤をそれぞれ添加す
ることにより焼結性を高め、靱性を向上させることがで
きる。
【００３７】この炭化珪素質セラミックスは、ビッカー
ス硬度２２〜２４．５ＧＰａ、３点曲げ強度４５０〜６
００ＭＰａとすることができる。
ス硬度２２〜２４．５ＧＰａ、３点曲げ強度４５０〜６
００ＭＰａとすることができる。
【００３８】また、チタニア系セラミックスとしては、
ＴｉＯ2 ５０〜９９重量％で、残部がＢａＯ、ＣａＯ、
ＳｒＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯのう
ち一種または二種以上からなるチタニア系セラミックス
を所定形状に成形し、焼成した後、還元雰囲気、不活性
雰囲気または真空中などの非酸化雰囲気にて９００〜１
２００℃で加熱処理したものを使用すれば良い。
ＴｉＯ2 ５０〜９９重量％で、残部がＢａＯ、ＣａＯ、
ＳｒＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯのう
ち一種または二種以上からなるチタニア系セラミックス
を所定形状に成形し、焼成した後、還元雰囲気、不活性
雰囲気または真空中などの非酸化雰囲気にて９００〜１
２００℃で加熱処理したものを使用すれば良い。
【００３９】このチタニア系セラミックスは、ビッカー
ス硬度６．５〜９ＧＰａ、３点曲げ強度１７０〜３００
ＭＰａとすることができる。
ス硬度６．５〜９ＧＰａ、３点曲げ強度１７０〜３００
ＭＰａとすることができる。
【００４０】さらに、導電性フォルステライト系セラミ
ックスは、ＭｇＯとＳｉＯ2 の複合酸化物を４０〜８０
重量％と、酸化鉄を６０〜２０重量％の範囲でそれぞれ
含有する焼結体である。この導電性フォルステライト系
セラミックスは、上記組成の原料粉末を所定形状に成形
した後、１２００〜１３００℃で焼成することによって
得ることができ、焼結体をＸ線回折により測定した時
に、２ＭｇＯ・ＳｉＯ2、ＭｇＯＳｉＯ3 の結晶を有
し、かつＭｇＦｅ2 Ｏ3 、Ｆｅ3 Ｏ4 の少なくとも一種
以上の結晶を有するものである。
ックスは、ＭｇＯとＳｉＯ2 の複合酸化物を４０〜８０
重量％と、酸化鉄を６０〜２０重量％の範囲でそれぞれ
含有する焼結体である。この導電性フォルステライト系
セラミックスは、上記組成の原料粉末を所定形状に成形
した後、１２００〜１３００℃で焼成することによって
得ることができ、焼結体をＸ線回折により測定した時
に、２ＭｇＯ・ＳｉＯ2、ＭｇＯＳｉＯ3 の結晶を有
し、かつＭｇＦｅ2 Ｏ3 、Ｆｅ3 Ｏ4 の少なくとも一種
以上の結晶を有するものである。
【００４１】上記の導電性フォルステライト系セラミッ
クスは、ビッカース硬度５．４〜８．３ＧＰａ、３点曲
げ強度１２５〜２２５ＭＰａとすることができる。この
ように導電性フォルステライト系セラミックスはビッカ
ース硬度が低いため、例えば、図２に示すような治具２
０として使用し、基板１をダイヤモンドツール等で切断
するような場合に、基板１と同時に治具２０まで切り込
んでもダイヤモンドツールを破損しにくくすることがで
きる。
クスは、ビッカース硬度５．４〜８．３ＧＰａ、３点曲
げ強度１２５〜２２５ＭＰａとすることができる。この
ように導電性フォルステライト系セラミックスはビッカ
ース硬度が低いため、例えば、図２に示すような治具２
０として使用し、基板１をダイヤモンドツール等で切断
するような場合に、基板１と同時に治具２０まで切り込
んでもダイヤモンドツールを破損しにくくすることがで
きる。
【００４２】さらに、以上のセラミックスにおいて、磁
気ヘッドに悪影響を及ぼさないために、非磁性とする。
ここで、非磁性であるとは、残留磁束密度が１４ガウス
以下であることを言い、上述した導電性付与剤等の含有
量を調整することによって、この範囲内となるようにす
れば良い。
気ヘッドに悪影響を及ぼさないために、非磁性とする。
ここで、非磁性であるとは、残留磁束密度が１４ガウス
以下であることを言い、上述した導電性付与剤等の含有
量を調整することによって、この範囲内となるようにす
れば良い。
【００４３】また、上記のセラミックスにおいて、打痕
や摩耗による精度劣化を防止するためには、ビッカース
硬度８．５ＧＰａ以上、特に１０．５ＧＰａ以上である
ことが好ましい。さらに、使用時の破損等を防止するた
めには、曲げ強度２００ＭＰａ以上、特に７００ＭＰａ
以上であることが好ましい。このような機械的特性の点
からは、上述した導電性ジルコニアセラミックスが最適
である。
や摩耗による精度劣化を防止するためには、ビッカース
硬度８．５ＧＰａ以上、特に１０．５ＧＰａ以上である
ことが好ましい。さらに、使用時の破損等を防止するた
めには、曲げ強度２００ＭＰａ以上、特に７００ＭＰａ
以上であることが好ましい。このような機械的特性の点
からは、上述した導電性ジルコニアセラミックスが最適
である。
【００４４】なお、本発明の磁気ヘッド加工組立用治具
を製造する場合は、上述した各セラミック原料を調合
し、所定のバインダー成分と混合した後、プレス成形、
押出成形、射出成形、鋳込成形等の方法で所定形状に成
形した後、各原料に応じた条件で焼成することによって
得ることができる。
を製造する場合は、上述した各セラミック原料を調合
し、所定のバインダー成分と混合した後、プレス成形、
押出成形、射出成形、鋳込成形等の方法で所定形状に成
形した後、各原料に応じた条件で焼成することによって
得ることができる。
【００４５】
【実施例】以下本発明を具体的に説明する。
【００４６】本発明実施例として、図１に示す治具１０
を導電性ジルコニアセラミックス、導電性アルミナセラ
ミックス、炭化珪素質セラミックス、チタニア系セラミ
ックス、導電性フォルステライト系セラミックスで作製
した。
を導電性ジルコニアセラミックス、導電性アルミナセラ
ミックス、炭化珪素質セラミックス、チタニア系セラミ
ックス、導電性フォルステライト系セラミックスで作製
した。
【００４７】導電性ジルコニアセラミックス、導電性ア
ルミナセラミックス、導電性フォルステライト系セラミ
ックスは、導電性付与剤の含有量を変化させて、体積固
有抵抗値、残留磁束密度を変化させた。炭化珪素質セラ
ミックスは、ＳｉＣと焼結助剤の比率を変化させて、体
積固有抵抗値、残留磁束密度を変化させ、チタニア系セ
ラミックスは、焼成後の熱処理条件を変化させて、体積
固有抵抗値、残留磁束密度を変化させた。
ルミナセラミックス、導電性フォルステライト系セラミ
ックスは、導電性付与剤の含有量を変化させて、体積固
有抵抗値、残留磁束密度を変化させた。炭化珪素質セラ
ミックスは、ＳｉＣと焼結助剤の比率を変化させて、体
積固有抵抗値、残留磁束密度を変化させ、チタニア系セ
ラミックスは、焼成後の熱処理条件を変化させて、体積
固有抵抗値、残留磁束密度を変化させた。
【００４８】これらを用いて、静電気の除去度合い、お
よび非磁性であるかどうかを測定した。
よび非磁性であるかどうかを測定した。
【００４９】静電気の除去度合いについては、治具１０
の下面１３側に１０００Ｖの電圧を印加し、治具１０の
上面１２側で電圧とその降下時間を測定し、上面１２で
の電圧値が１００Ｖとなるまでの降下時間が、０．１〜
２０秒の間にあるものを○、それ以外のものを×として
評価した。また、体積固有抵抗値については、ＪＩＳ−
Ｃ２１４１に規定する超絶縁抵抗計により測定した。
の下面１３側に１０００Ｖの電圧を印加し、治具１０の
上面１２側で電圧とその降下時間を測定し、上面１２で
の電圧値が１００Ｖとなるまでの降下時間が、０．１〜
２０秒の間にあるものを○、それ以外のものを×として
評価した。また、体積固有抵抗値については、ＪＩＳ−
Ｃ２１４１に規定する超絶縁抵抗計により測定した。
【００５０】さらに、非磁性であるかどうかは、振動試
料型磁力計により残留磁束密度を測定し、１４ガウス以
下であったものを非磁性として評価した。
料型磁力計により残留磁束密度を測定し、１４ガウス以
下であったものを非磁性として評価した。
【００５１】治具１０を構成する導電性ジルコニアセラ
ミックスの組成は表１に、その特性と結果は表２に示す
通りである。なお、上記ジルコニアセラミックスは、い
ずれもＺｒＯ2 に対しＹ2 Ｏ3 を３ｍｏｌ％添加して部
分安定化したものであり、導電性付与剤にはＦｅ
2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＴｉＣ、Ｗ
Ｃ、ＴａＣを使用した。
ミックスの組成は表１に、その特性と結果は表２に示す
通りである。なお、上記ジルコニアセラミックスは、い
ずれもＺｒＯ2 に対しＹ2 Ｏ3 を３ｍｏｌ％添加して部
分安定化したものであり、導電性付与剤にはＦｅ
2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＴｉＣ、Ｗ
Ｃ、ＴａＣを使用した。
【００５２】また、導電性アルミナセラミックスの組成
は表３に、その特性と結果は表４に示す通りである。さ
らに、炭化珪素質セラミックスの組成は表５に、その特
性と結果は表６に示す通りである。また、チタニア系セ
ラミックスの組成、熱処理条件は表７に、その特性と結
果は表８に示す通りである。さらに、導電性フォルステ
ライト系セラミックスの組成は表９に、その特性と結果
は表１０に示す通りである。
は表３に、その特性と結果は表４に示す通りである。さ
らに、炭化珪素質セラミックスの組成は表５に、その特
性と結果は表６に示す通りである。また、チタニア系セ
ラミックスの組成、熱処理条件は表７に、その特性と結
果は表８に示す通りである。さらに、導電性フォルステ
ライト系セラミックスの組成は表９に、その特性と結果
は表１０に示す通りである。
【００５３】
【表１】
【００５４】
【表２】
【００５５】
【表３】
【００５６】
【表４】
【００５７】
【表５】
【００５８】
【表６】
【００５９】
【表７】
【００６０】
【表８】
【００６１】
【表９】
【００６２】
【表１０】
【００６３】この結果、導電性ジルコニアセラミックス
に関して、まず試料Ｎｏ．１〜７は導電性付与剤として
Ｆｅ2 Ｏ3 を含有したものであるが、このうち試料Ｎ
ｏ．１はＦｅ2 Ｏ3 の含有量が１０重量％未満であるた
め体積固有抵抗値が１０9 Ω・ｃｍより大きく、その結
果、電圧が所定値になるまでに時間がかかり、静電気除
去効果が得られなかった。
に関して、まず試料Ｎｏ．１〜７は導電性付与剤として
Ｆｅ2 Ｏ3 を含有したものであるが、このうち試料Ｎ
ｏ．１はＦｅ2 Ｏ3 の含有量が１０重量％未満であるた
め体積固有抵抗値が１０9 Ω・ｃｍより大きく、その結
果、電圧が所定値になるまでに時間がかかり、静電気除
去効果が得られなかった。
【００６４】また、試料Ｎｏ．６、７はＦｅ2 Ｏ3 の含
有量が３５重量％より多く、体積固有抵抗値が１０6 Ω
・ｃｍより小さいことから短時間で電圧が所定値まで降
下し静電気が一気に逃げることが判った。しかも、Ｆｅ
2 Ｏ3 の含有量が多いため磁性を有していた。
有量が３５重量％より多く、体積固有抵抗値が１０6 Ω
・ｃｍより小さいことから短時間で電圧が所定値まで降
下し静電気が一気に逃げることが判った。しかも、Ｆｅ
2 Ｏ3 の含有量が多いため磁性を有していた。
【００６５】これに対し、試料Ｎｏ．２〜５はＦｅ2 Ｏ
3 の含有量が１０〜３５重量％の範囲にあり、非磁性
で、体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍの範囲に
あるため適度な速度で静電気を除去できることが判っ
た。
3 の含有量が１０〜３５重量％の範囲にあり、非磁性
で、体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍの範囲に
あるため適度な速度で静電気を除去できることが判っ
た。
【００６６】また、試料Ｎｏ．８〜１３は導電性付与剤
にＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3をそれぞれ用いたも
のであるが、いずれもその含有量が１０〜３５重量％の
範囲にあり、体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍ
の範囲にあった。そのため適度なスピードで静電気を除
去することができた。
にＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3をそれぞれ用いたも
のであるが、いずれもその含有量が１０〜３５重量％の
範囲にあり、体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍ
の範囲にあった。そのため適度なスピードで静電気を除
去することができた。
【００６７】一方、試料Ｎｏ．１４〜１７は、導電性付
与剤としてＴｉＣを含有したものであるが、このうち試
料Ｎｏ．１４はＴｉＣの含有量が１０重量％未満である
ために体積固有抵抗値が１０9 Ω・ｃｍより大きく、充
分な静電気除去効果が得られなかった。また、試料Ｎ
ｏ．１７はＴｉＣの含有量が２５重量％よりも多いため
に体積固有抵抗値が１０6 Ω・ｃｍより小さく、一気に
静電気が逃げることが判った。しかも、ＴｉＣの含有量
が多いため磁性を有していた。これに対し、試料Ｎｏ．
１５、１６はＴｉＣ含有量が１０〜２５重量％の範囲に
あり、体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍの範囲
とすることができた。そのため、適度なスピードで静電
気を除去できることが判った。
与剤としてＴｉＣを含有したものであるが、このうち試
料Ｎｏ．１４はＴｉＣの含有量が１０重量％未満である
ために体積固有抵抗値が１０9 Ω・ｃｍより大きく、充
分な静電気除去効果が得られなかった。また、試料Ｎ
ｏ．１７はＴｉＣの含有量が２５重量％よりも多いため
に体積固有抵抗値が１０6 Ω・ｃｍより小さく、一気に
静電気が逃げることが判った。しかも、ＴｉＣの含有量
が多いため磁性を有していた。これに対し、試料Ｎｏ．
１５、１６はＴｉＣ含有量が１０〜２５重量％の範囲に
あり、体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍの範囲
とすることができた。そのため、適度なスピードで静電
気を除去できることが判った。
【００６８】さらに、試料Ｎｏ．１８〜２１は導電性付
与剤にＷＣ、ＴａＣをそれぞれ用いたものであるが、い
ずれもその含有量が１０〜２５重量％の範囲にあり、体
積固有抵抗値を１０6 〜１０9 Ω・ｃｍの範囲とするこ
とができた。そのため、適度なスピードで静電気を除去
することができた。
与剤にＷＣ、ＴａＣをそれぞれ用いたものであるが、い
ずれもその含有量が１０〜２５重量％の範囲にあり、体
積固有抵抗値を１０6 〜１０9 Ω・ｃｍの範囲とするこ
とができた。そのため、適度なスピードで静電気を除去
することができた。
【００６９】また、導電性アルミナセラミックス、炭化
珪素質セラミックス、チタニア系セラミックス、導電性
フォルステライト系セラミックスの場合も同様に、試料
Ｎｏ．２３、２４、２６、２７、２９、３０、３１、３
２、３５〜３７、４２〜４６は、体積固有抵抗値を１０
6 〜１０9 Ω・ｃｍの範囲とすることができた。そのた
め、適度なスピードで静電気を除去することができた。
珪素質セラミックス、チタニア系セラミックス、導電性
フォルステライト系セラミックスの場合も同様に、試料
Ｎｏ．２３、２４、２６、２７、２９、３０、３１、３
２、３５〜３７、４２〜４６は、体積固有抵抗値を１０
6 〜１０9 Ω・ｃｍの範囲とすることができた。そのた
め、適度なスピードで静電気を除去することができた。
【００７０】この結果、導電性ジルコニアセラミックス
にあっては、導電性付与剤として、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｎｉ
Ｏ、Ｃｏ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 を用いる場合、その含有量
を１０〜３５重量％とし、導電性付与剤としてＴｉＣ、
ＷＣ、ＴａＣを用いる場合、その含有量を１０〜２５重
量％とすれば良いことがわかった。また、導電性アルミ
ナセラミックスにあっては、導電性付与剤としてＦｅ2
Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 を用いる場合、
その含有量を１５〜３５重量％とすれば良く、炭化珪素
質セラミックスにあっては、９０〜９８重量％のＳｉＣ
に対し、焼結助剤としてＡｌ2 Ｏ3 を１〜７重量％とＹ
2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 を合計で１〜５重量％とすれば良いこ
とがわかった。
にあっては、導電性付与剤として、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｎｉ
Ｏ、Ｃｏ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 を用いる場合、その含有量
を１０〜３５重量％とし、導電性付与剤としてＴｉＣ、
ＷＣ、ＴａＣを用いる場合、その含有量を１０〜２５重
量％とすれば良いことがわかった。また、導電性アルミ
ナセラミックスにあっては、導電性付与剤としてＦｅ2
Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 、Ｃｒ2 Ｏ3 を用いる場合、
その含有量を１５〜３５重量％とすれば良く、炭化珪素
質セラミックスにあっては、９０〜９８重量％のＳｉＣ
に対し、焼結助剤としてＡｌ2 Ｏ3 を１〜７重量％とＹ
2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 を合計で１〜５重量％とすれば良いこ
とがわかった。
【００７１】さらに、チタニア系セラミックスにあって
は、ＴｉＯ2 ５０〜９９重量％で残部がＢａＯ、Ｃａ
Ｏ、ＳｒＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ
のうち一種または二種以上からなるものとし、焼成後
に、還元雰囲気、不活性雰囲気または真空中などの非酸
化雰囲気にて９００〜１２００℃で加熱処理を行えば良
いことがわかった。また、導電性フォルステライト系セ
ラミックスにあっては、ＭｇＯとＳｉＯ2 の複合酸化物
を４０〜８０重量％と、酸化鉄を６０〜２０重量％の範
囲でそれぞれ含有すれば良いことが判った。
は、ＴｉＯ2 ５０〜９９重量％で残部がＢａＯ、Ｃａ
Ｏ、ＳｒＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ
のうち一種または二種以上からなるものとし、焼成後
に、還元雰囲気、不活性雰囲気または真空中などの非酸
化雰囲気にて９００〜１２００℃で加熱処理を行えば良
いことがわかった。また、導電性フォルステライト系セ
ラミックスにあっては、ＭｇＯとＳｉＯ2 の複合酸化物
を４０〜８０重量％と、酸化鉄を６０〜２０重量％の範
囲でそれぞれ含有すれば良いことが判った。
【００７２】このようにすれば、体積固有抵抗値１０6
〜１０9 Ω・ｃｍであるセラミックスを得ることがで
き、適度なスピードで静電気を除去することが可能な磁
気ヘッド加工組立用治具を提供できることが判る。
〜１０9 Ω・ｃｍであるセラミックスを得ることがで
き、適度なスピードで静電気を除去することが可能な磁
気ヘッド加工組立用治具を提供できることが判る。
【００７３】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、磁
気ヘッドの加工工程や組立工程において使用される治具
を、体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍのセラミ
ックスにより形成したことによって、静電気を徐々に逃
がすことができるため、導通短絡による取り扱い不良事
故を生じることなく静電気を逃がすことができ、しかも
非磁性のセラミックスを用いることにより磁気ヘッドに
悪影響を及ぼすことを防止できる。しかも、導通短絡事
故を防止できるとともに、硬度の高いセラミックスを用
いることによって、長期間にわたって良好に使用するこ
とができる。
気ヘッドの加工工程や組立工程において使用される治具
を、体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍのセラミ
ックスにより形成したことによって、静電気を徐々に逃
がすことができるため、導通短絡による取り扱い不良事
故を生じることなく静電気を逃がすことができ、しかも
非磁性のセラミックスを用いることにより磁気ヘッドに
悪影響を及ぼすことを防止できる。しかも、導通短絡事
故を防止できるとともに、硬度の高いセラミックスを用
いることによって、長期間にわたって良好に使用するこ
とができる。
【００７４】したがって、本発明の治具は、磁気ヘッド
の中でも薄膜磁気ヘッド、特にＭＲヘッドの製造工程に
おける加工工程や組立工程において、良好に使用するこ
とができる。
の中でも薄膜磁気ヘッド、特にＭＲヘッドの製造工程に
おける加工工程や組立工程において、良好に使用するこ
とができる。
【図１】本発明の磁気ヘッド加工組立用治具を示す斜視
図である。
図である。
【図２】図１に示す磁気ヘッド加工組立用治具の使用状
態を示す斜視図である。
態を示す斜視図である。
【図３】本発明の磁気ヘッド加工組立用治具の他の実施
形態を示す斜視図である。
形態を示す斜視図である。
【図４】本発明の磁気ヘッド加工組立用治具の他の実施
形態を示す斜視図である。
形態を示す斜視図である。
１０：治具 １１：貫通孔 １２：上面 １３：下面 ２０：治具 ２１：溝 ３０：治具 ３１：スリット
Claims (2)
- 【請求項１】磁気ヘッドの加工工程や組立工程で被加工
物等を保持するために用いる治具であって、体積固有抵
抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍで、非磁性のセラミック
スにより形成したことを特徴とする磁気ヘッド加工組立
用治具。 - 【請求項２】上記セラミックスが、導電性ジルコニアセ
ラミックス、導電性アルミナセラミックス、炭化珪素質
セラミックス、チタニア系セラミックス、導電性フォル
ステライト系セラミックスのいずれかよりなることを特
徴とする請求項１記載の磁気ヘッド加工組立用治具。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17485697A JP3145658B2 (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 磁気ヘッド加工用治具 |
| PCT/JP1998/001882 WO1998049121A1 (en) | 1997-04-25 | 1998-04-22 | Semiconductive zirconia sinter and destaticizing member comprising semiconductive zirconia sinter |
| US09/214,049 US6274524B1 (en) | 1997-04-25 | 1998-04-22 | Semiconductive zirconia sintering body and electrostatic removing member constructed by semiconductive zirconia sintering body |
| US09/853,416 US6602813B2 (en) | 1997-04-25 | 2001-05-10 | Electrostatic removing member having semiconductive zirconia sintered body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17485697A JP3145658B2 (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 磁気ヘッド加工用治具 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000343582A Division JP3346762B2 (ja) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | 磁気ヘッド組立用治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1125416A true JPH1125416A (ja) | 1999-01-29 |
| JP3145658B2 JP3145658B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=15985858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17485697A Expired - Fee Related JP3145658B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-06-30 | 磁気ヘッド加工用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3145658B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894879B2 (en) * | 2000-12-15 | 2005-05-17 | Seagate Technology Llc | Disc drive shunting device |
| JP2007177623A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Kyocera Corp | 圧電素子接続部材およびこれを用いた駆動部材 |
-
1997
- 1997-06-30 JP JP17485697A patent/JP3145658B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894879B2 (en) * | 2000-12-15 | 2005-05-17 | Seagate Technology Llc | Disc drive shunting device |
| JP2007177623A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Kyocera Corp | 圧電素子接続部材およびこれを用いた駆動部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3145658B2 (ja) | 2001-03-12 |
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