JPH11260865A - Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体集積回路接続用基板ならびに半導体装置 - Google Patents
Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体集積回路接続用基板ならびに半導体装置Info
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- JPH11260865A JPH11260865A JP10059877A JP5987798A JPH11260865A JP H11260865 A JPH11260865 A JP H11260865A JP 10059877 A JP10059877 A JP 10059877A JP 5987798 A JP5987798 A JP 5987798A JP H11260865 A JPH11260865 A JP H11260865A
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- tape
- semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】優れた高接着性、高絶縁性を有する半導体装置
用接着剤付きテープおよびそれを用いた半導体接続用基
板ならびに半導体装置を提供する。 【解決手段】可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、
接着剤層および保護フィルム層を有する積層体より構成
され、該接着剤層がポリアミド樹脂、および少なくとも
１種以上の一般式（１）で示される２核体から成るフェ
ノール誘導体を必須成分として含むことを特徴とするＴ
ＡＢ用接着剤付きテープ。 【化１】 （Ｘは硫黄、酸素原子の少なくとも１つを含む基あるい
は結合を示す。Ｙ１、Ｙ２は炭素数１〜５までの炭化水
素基を示し、Ｙ１およびＹ２は同じでも異なっていても
よい。またｍは０≦ｍ≦３、ｎは０≦ｎ≦１である整数
を示す。）
用接着剤付きテープおよびそれを用いた半導体接続用基
板ならびに半導体装置を提供する。 【解決手段】可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、
接着剤層および保護フィルム層を有する積層体より構成
され、該接着剤層がポリアミド樹脂、および少なくとも
１種以上の一般式（１）で示される２核体から成るフェ
ノール誘導体を必須成分として含むことを特徴とするＴ
ＡＢ用接着剤付きテープ。 【化１】 （Ｘは硫黄、酸素原子の少なくとも１つを含む基あるい
は結合を示す。Ｙ１、Ｙ２は炭素数１〜５までの炭化水
素基を示し、Ｙ１およびＹ２は同じでも異なっていても
よい。またｍは０≦ｍ≦３、ｎは０≦ｎ≦１である整数
を示す。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の実
装方法であるテープオートメーテッドボンディング（Ｔ
ＡＢ）方式に用いられる接着剤付きテープ（以下、ＴＡ
Ｂ用テープと称する）およびそれを用いた半導体集積回
路接続用基板ならびに半導体装置に関する。
装方法であるテープオートメーテッドボンディング（Ｔ
ＡＢ）方式に用いられる接着剤付きテープ（以下、ＴＡ
Ｂ用テープと称する）およびそれを用いた半導体集積回
路接続用基板ならびに半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常のＴＡＢ用テープは、ポリイミドフ
ィルム等の可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、接
着剤層および保護フィルム層として離型性を有するポリ
エステルフィルム等を積層した３層構造より構成されて
いる。
ィルム等の可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、接
着剤層および保護フィルム層として離型性を有するポリ
エステルフィルム等を積層した３層構造より構成されて
いる。
【０００３】ＴＡＢ用テープは、（１）スプロケットお
よびデバイス孔の穿孔、（２）銅箔との熱ラミネート、
（３）パターン形成（レジスト塗布、エッチング、レジ
スト除去）、（４）スズまたは金−メッキ処理などの加
工工程を経てＴＡＢテープ（パターンテープ）に加工さ
れる。図１にパターンテープの形状を示す。。有機絶縁
性フィルム１上に接着剤２、導体パターン５があり、フ
ィルムを送るためのスプロケット孔３、デバイスを設置
するデバイス孔４がある。図２に本発明の半導体装置の
一態様の断面図を示す。パターンテープのインナーリー
ド部６を、保護膜１１を有する半導体集積回路８の金バ
ンプ１０に熱圧着（インナーリードボンディング）し、
半導体集積回路を搭載する。次いで、封止樹脂９による
樹脂封止工程を経て半導体装置が作成される。またイン
ナーリード部を有さず、パターンテープの導体と半導体
集積回路の金バンプとの間をワイヤーボンディングで接
続する方式も採用されている。このような半導体装置を
テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）型半導体装置と称
する。最後に、ＴＣＰ型半導体装置は、他の部品を搭載
した回路基板等とアウターリード７を介して接続（アウ
ターリードボンディング）され、電子機器への実装がな
される。
よびデバイス孔の穿孔、（２）銅箔との熱ラミネート、
（３）パターン形成（レジスト塗布、エッチング、レジ
スト除去）、（４）スズまたは金−メッキ処理などの加
工工程を経てＴＡＢテープ（パターンテープ）に加工さ
れる。図１にパターンテープの形状を示す。。有機絶縁
性フィルム１上に接着剤２、導体パターン５があり、フ
ィルムを送るためのスプロケット孔３、デバイスを設置
するデバイス孔４がある。図２に本発明の半導体装置の
一態様の断面図を示す。パターンテープのインナーリー
ド部６を、保護膜１１を有する半導体集積回路８の金バ
ンプ１０に熱圧着（インナーリードボンディング）し、
半導体集積回路を搭載する。次いで、封止樹脂９による
樹脂封止工程を経て半導体装置が作成される。またイン
ナーリード部を有さず、パターンテープの導体と半導体
集積回路の金バンプとの間をワイヤーボンディングで接
続する方式も採用されている。このような半導体装置を
テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）型半導体装置と称
する。最後に、ＴＣＰ型半導体装置は、他の部品を搭載
した回路基板等とアウターリード７を介して接続（アウ
ターリードボンディング）され、電子機器への実装がな
される。
【０００４】一方、近年の電子機器の小型・軽量化に伴
い、半導体パッケージも高密度実装化を目的に、従来の
接続端子（アウターリード）をパッケージ側面に配列し
ていたＱＦＰ（クワッド・フラット・パッケージ）、Ｓ
ＯＰ（スモール・アウトライン・パッケージ）の代わ
り、パッケージの裏面に接続端子を配列するＢＧＡ（ボ
ール・グリッド・アレイ）、ＣＳＰ（チップ・スケール
・パッケージ）、が一部用いられるようになってきた。
ＢＧＡ、ＣＳＰがＱＦＰ、ＳＯＰと構造的に最も大きく
異なる点は、前者は、インターポーザーと称される基板
を必要とするのに対し、後者は金属製のリードフレーム
を用いることにより必ずしも基板を必要としない点にあ
る。ここでいうインターポーザーは、ガラスエポキシ基
板やポリイミド等の有機絶縁性フィルムに銅箔を張り合
わせたものが一般的に用いられる。したがって、これら
ＢＧＡ、ＣＳＰなどの半導体装置にも本発明のＴＡＢ用
接着剤付きテープを使用することができ、得られたＢＧ
Ａ、ＣＳＰも本発明の半導体装置に含まれる。図３およ
び４に本発明の半導体装置（ＢＧＡ，ＣＳＰ）の一態様
の断面図を示す。図中、１２、２０は有機絶縁性フィル
ム、１３、２１は接着剤、１４、２２は導体パターン、
１５、２３は半導体集積回路、１６、２４は封止樹脂、
１７、２５は金バンプ、１８、２６はハンダボール、１
９はスティフナー、２７はソルダーレジストを示す。
い、半導体パッケージも高密度実装化を目的に、従来の
接続端子（アウターリード）をパッケージ側面に配列し
ていたＱＦＰ（クワッド・フラット・パッケージ）、Ｓ
ＯＰ（スモール・アウトライン・パッケージ）の代わ
り、パッケージの裏面に接続端子を配列するＢＧＡ（ボ
ール・グリッド・アレイ）、ＣＳＰ（チップ・スケール
・パッケージ）、が一部用いられるようになってきた。
ＢＧＡ、ＣＳＰがＱＦＰ、ＳＯＰと構造的に最も大きく
異なる点は、前者は、インターポーザーと称される基板
を必要とするのに対し、後者は金属製のリードフレーム
を用いることにより必ずしも基板を必要としない点にあ
る。ここでいうインターポーザーは、ガラスエポキシ基
板やポリイミド等の有機絶縁性フィルムに銅箔を張り合
わせたものが一般的に用いられる。したがって、これら
ＢＧＡ、ＣＳＰなどの半導体装置にも本発明のＴＡＢ用
接着剤付きテープを使用することができ、得られたＢＧ
Ａ、ＣＳＰも本発明の半導体装置に含まれる。図３およ
び４に本発明の半導体装置（ＢＧＡ，ＣＳＰ）の一態様
の断面図を示す。図中、１２、２０は有機絶縁性フィル
ム、１３、２１は接着剤、１４、２２は導体パターン、
１５、２３は半導体集積回路、１６、２４は封止樹脂、
１７、２５は金バンプ、１８、２６はハンダボール、１
９はスティフナー、２７はソルダーレジストを示す。
【０００５】上記のパッケージ形態ではいずれも最終的
にＴＡＢ用テープの接着剤層は、パッケージ内に残留す
るため、絶縁性、耐熱性、接着性が要求される。近年電
子機器の小型化、高密度化が進行するに伴い、ＴＡＢ方
式における導体幅が非常に狭くなってきており、高い接
着強度および絶縁性を有する接着剤の必要性が高まって
いる。
にＴＡＢ用テープの接着剤層は、パッケージ内に残留す
るため、絶縁性、耐熱性、接着性が要求される。近年電
子機器の小型化、高密度化が進行するに伴い、ＴＡＢ方
式における導体幅が非常に狭くなってきており、高い接
着強度および絶縁性を有する接着剤の必要性が高まって
いる。
【０００６】このような観点から、従来のＴＡＢ用テー
プの接着剤層にはエポキシ樹脂および／またはフェノー
ル樹脂とポリアミド樹脂の混合組成物が主として用いら
れてきた。（特開平２−１４３４４７号公報、特開平３
−２１７０３５号公報等）。
プの接着剤層にはエポキシ樹脂および／またはフェノー
ル樹脂とポリアミド樹脂の混合組成物が主として用いら
れてきた。（特開平２−１４３４４７号公報、特開平３
−２１７０３５号公報等）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の特性の
うち接着性と絶縁性とのバランスをとることは困難であ
り、従来のＴＡＢ用テープは、接着性と絶縁性のいずれ
かを向上させると、他方が低下し、総合的に必ずしも十
分な特性とはいえない。接着性について言えば、導体幅
が細くなるに従い、接着強度が低下し、ボンディング等
の後工程で導体の剥離を生じ、集積回路、回路基板と接
続できないことがある。これは接着強度の絶対値の不足
と、導体と接着剤の間へのメッキ液の侵入による実効の
接着面積の減少が主な原因である。
うち接着性と絶縁性とのバランスをとることは困難であ
り、従来のＴＡＢ用テープは、接着性と絶縁性のいずれ
かを向上させると、他方が低下し、総合的に必ずしも十
分な特性とはいえない。接着性について言えば、導体幅
が細くなるに従い、接着強度が低下し、ボンディング等
の後工程で導体の剥離を生じ、集積回路、回路基板と接
続できないことがある。これは接着強度の絶対値の不足
と、導体と接着剤の間へのメッキ液の侵入による実効の
接着面積の減少が主な原因である。
【０００８】一般的には接着剤の弾性率を低下させるこ
とにより、破壊エネルギーを増加させて、接着力を向上
させることが可能であるが、このような方法では高温、
高湿下で接着剤が軟化し、絶縁性が低下するという問題
が生ずる。一方、絶縁性を向上させるため、接着剤の架
橋度を増加させると、接着剤が脆性破壊しやすくなると
ともに、硬化収縮による内部応力の増加を招き、接着力
が低下する。
とにより、破壊エネルギーを増加させて、接着力を向上
させることが可能であるが、このような方法では高温、
高湿下で接着剤が軟化し、絶縁性が低下するという問題
が生ずる。一方、絶縁性を向上させるため、接着剤の架
橋度を増加させると、接着剤が脆性破壊しやすくなると
ともに、硬化収縮による内部応力の増加を招き、接着力
が低下する。
【０００９】本発明はこのような問題点を解決し、接着
性に優れた新規なＴＡＢ用テープおよびそれを用いた半
導体装置を提供することを目的とする。
性に優れた新規なＴＡＢ用テープおよびそれを用いた半
導体装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するためにＴＡＢ用テープの接着剤成分の化学
構造と金属に対する接着性との関係を鋭意検討した結
果、フェノール誘導体とポリアミド樹脂とを巧みに組み
合わせることにより、接着性および絶縁性に優れたＴＡ
Ｂ用テープが得られることを見い出し、本発明に至った
ものである。
的を達成するためにＴＡＢ用テープの接着剤成分の化学
構造と金属に対する接着性との関係を鋭意検討した結
果、フェノール誘導体とポリアミド樹脂とを巧みに組み
合わせることにより、接着性および絶縁性に優れたＴＡ
Ｂ用テープが得られることを見い出し、本発明に至った
ものである。
【００１１】すなわち、本発明は可撓性を有する有機絶
縁性フィルム上に、接着剤層および保護フィルム層を有
する積層体より構成され、該接着剤層が、ポリアミド樹
脂および少なくとも１種以上の一般式（１）で示される
置換基を有するフェノール誘導体を必須成分として含む
ことを特徴とするＴＡＢ用接着剤付きテープおよびそれ
を用いた半導体装置である。
縁性フィルム上に、接着剤層および保護フィルム層を有
する積層体より構成され、該接着剤層が、ポリアミド樹
脂および少なくとも１種以上の一般式（１）で示される
置換基を有するフェノール誘導体を必須成分として含む
ことを特徴とするＴＡＢ用接着剤付きテープおよびそれ
を用いた半導体装置である。
【００１２】
【化２】 一般式（１） （Ｘは硫黄、酸素原子の少なくとも１つを含む基あるい
は結合を示す。Ｙ１、Ｙ２は炭素数１〜５までの炭化水
素基を示し、Ｙ１およびＹ２は同じでも異なっていても
よい。またｍは０≦ｍ≦３、ｎは０≦ｎ≦１である整数
を示す。）
は結合を示す。Ｙ１、Ｙ２は炭素数１〜５までの炭化水
素基を示し、Ｙ１およびＹ２は同じでも異なっていても
よい。またｍは０≦ｍ≦３、ｎは０≦ｎ≦１である整数
を示す。）
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明で使用されるフェノール誘導体は、一般式
（１）のように２核体から成るもので、単核体同士を結
合するための介在する分子の有無は特に限定されない。
介在する分子がない構造はビフェニル型であるが、介在
する分子が有る場合は、その介在する分子の構造がエー
テル構造、二酸化イオウ構造、メチレン構造、イソプロ
ピル構造等である。具体的にはビフェノール、ビスヒド
ロキシフェニールエーテル、４，４´−サルフィニルジ
レゾルシノール、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロ
キシフェニル）スルホンおよび２，２´−メチレンビス
（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）等である。
する。本発明で使用されるフェノール誘導体は、一般式
（１）のように２核体から成るもので、単核体同士を結
合するための介在する分子の有無は特に限定されない。
介在する分子がない構造はビフェニル型であるが、介在
する分子が有る場合は、その介在する分子の構造がエー
テル構造、二酸化イオウ構造、メチレン構造、イソプロ
ピル構造等である。具体的にはビフェノール、ビスヒド
ロキシフェニールエーテル、４，４´−サルフィニルジ
レゾルシノール、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロ
キシフェニル）スルホンおよび２，２´−メチレンビス
（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）等である。
【００１４】また一般式（１）のＹ１、Ｙ２は炭素数１
から５までの炭化水素基であれば特に限定されず、Ｙ
１、Ｙ２は同一であっても異なっていてもよい。具体的
には、たとえばＹ１およびＹ２はメチル基である化合物
としてはビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）スルホンがあり、Ｙ１がメチル基、Ｙ２がｔ−ブ
チルフェノール基であれば２，２´−メチレンビス（４
−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）があげられるが
これに限らない。
から５までの炭化水素基であれば特に限定されず、Ｙ
１、Ｙ２は同一であっても異なっていてもよい。具体的
には、たとえばＹ１およびＹ２はメチル基である化合物
としてはビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）スルホンがあり、Ｙ１がメチル基、Ｙ２がｔ−ブ
チルフェノール基であれば２，２´−メチレンビス（４
−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）があげられるが
これに限らない。
【００１５】一般に、フェノール樹脂はポリアミドと相
溶性が良好であり、かつ熱硬化により、ポリアミドに適
度な耐熱性と破壊強度を付与するために好適なブレンド
材料である。このような耐熱性と破壊強度が、最終的に
絶縁性と接着性のバランスに重要となる。しかし、従来
のフェノール樹脂の場合、メチレン結合でフェノール核
同士を結合しているので、ポリアミドとのブレンド後に
適度な架橋密度を得ることが必ずしも容易ではない。そ
の結果、絶縁性と接着性のバランスを実現しにくい。
溶性が良好であり、かつ熱硬化により、ポリアミドに適
度な耐熱性と破壊強度を付与するために好適なブレンド
材料である。このような耐熱性と破壊強度が、最終的に
絶縁性と接着性のバランスに重要となる。しかし、従来
のフェノール樹脂の場合、メチレン結合でフェノール核
同士を結合しているので、ポリアミドとのブレンド後に
適度な架橋密度を得ることが必ずしも容易ではない。そ
の結果、絶縁性と接着性のバランスを実現しにくい。
【００１６】一方、本発明で使用される２核体から成る
フェノール誘導体は、適度な架橋密度を得ることができ
る上、２核体間に介在する分子は剛直な構造ではなく、
フェノール樹脂のメチレン結合に比べて可撓性に富んで
いるために、絶縁性を損なわずに接着性が向上したと考
えられる。
フェノール誘導体は、適度な架橋密度を得ることができ
る上、２核体間に介在する分子は剛直な構造ではなく、
フェノール樹脂のメチレン結合に比べて可撓性に富んで
いるために、絶縁性を損なわずに接着性が向上したと考
えられる。
【００１７】本発明で使用されるポリアミド樹脂は、公
知の種々のものが使用できる。特に、接着剤層に可撓性
を持たせ、かつ低吸水率のため絶縁性にすぐれる、炭素
数が３６であるジカルボン酸（いわゆるダイマー酸）を
必須成分として含むものが好適である。ダイマー酸を含
むポリアミド樹脂は、常法によるダイマー酸とジアミン
の重縮合により得られるが、この際にダイマー酸以外の
アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン
酸を共重合成分として含有してもよい。ジアミンはエチ
レンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン、
等の公知のものが使用でき、吸湿性、溶解性の点から２
種以上の混合でもよい。
知の種々のものが使用できる。特に、接着剤層に可撓性
を持たせ、かつ低吸水率のため絶縁性にすぐれる、炭素
数が３６であるジカルボン酸（いわゆるダイマー酸）を
必須成分として含むものが好適である。ダイマー酸を含
むポリアミド樹脂は、常法によるダイマー酸とジアミン
の重縮合により得られるが、この際にダイマー酸以外の
アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン
酸を共重合成分として含有してもよい。ジアミンはエチ
レンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン、
等の公知のものが使用でき、吸湿性、溶解性の点から２
種以上の混合でもよい。
【００１８】上記のフェノール誘導体とポリアミド樹脂
との配合割合は、通常ポリアミド樹脂１００重量部に対
してフェノール誘導体５〜８０重量部、好ましくは２０
〜４０重量部である。フェノール誘導体が５重量部未満
では特に接着性の向上効果が十分でない。また、８０重
量部を越えると絶縁性が低下するので好ましくない。
との配合割合は、通常ポリアミド樹脂１００重量部に対
してフェノール誘導体５〜８０重量部、好ましくは２０
〜４０重量部である。フェノール誘導体が５重量部未満
では特に接着性の向上効果が十分でない。また、８０重
量部を越えると絶縁性が低下するので好ましくない。
【００１９】本発明において、接着剤層に公知のエポキ
シ樹脂を添加することにより、一層接着性および絶縁性
を向上させることができる。エポキシ樹脂は１分子内に
２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限さ
れないが、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビス
フェノールＳ、ジヒドロキシナフタレン等のジグリシジ
ルエーテル、エポキシ化フェノールノボラック、エポキ
シ化クレゾールノボラック、エポキシ化トリスフェニロ
ールメタン、エポキシ化テトラフェニロールエタン、エ
ポキシ化メタキシレンジアミン、等が挙げられる。エポ
キシ樹脂の添加量はポリアミド樹脂１００重量部に対し
て５〜１００重量部、好ましくは２０〜７０重量部であ
る。
シ樹脂を添加することにより、一層接着性および絶縁性
を向上させることができる。エポキシ樹脂は１分子内に
２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限さ
れないが、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビス
フェノールＳ、ジヒドロキシナフタレン等のジグリシジ
ルエーテル、エポキシ化フェノールノボラック、エポキ
シ化クレゾールノボラック、エポキシ化トリスフェニロ
ールメタン、エポキシ化テトラフェニロールエタン、エ
ポキシ化メタキシレンジアミン、等が挙げられる。エポ
キシ樹脂の添加量はポリアミド樹脂１００重量部に対し
て５〜１００重量部、好ましくは２０〜７０重量部であ
る。
【００２０】さらに、接着剤層にノボラック型フェノー
ル樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公知のフェノー
ル樹脂を含有してもよく、絶縁性および熱変形等の耐熱
性の向上に効果がある。フェノール樹脂の添加量はポリ
アミド樹脂１００重量部に対して５〜１００重量部、好
ましくは２０〜７０重量部である。
ル樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公知のフェノー
ル樹脂を含有してもよく、絶縁性および熱変形等の耐熱
性の向上に効果がある。フェノール樹脂の添加量はポリ
アミド樹脂１００重量部に対して５〜１００重量部、好
ましくは２０〜７０重量部である。
【００２１】本発明の接着剤層にエポキシ樹脂の硬化剤
および硬化促進剤を添加することは何等制限されない。
たとえば、芳香族ポリアミン、三フッ化ホウ素トリエチ
ルアミン錯体等の三フッ化ホウ素のアミン錯体、２−ア
ルキル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−
アルキルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、無水フ
タル酸、無水トリメリット酸等の有機酸、ジシアンジア
ミド、トリフェニルフォスフィン等公知のものが使用で
きる。添加量はポリアミド樹脂１００重量部に対して
０．１〜１０重量部であると好ましい。
および硬化促進剤を添加することは何等制限されない。
たとえば、芳香族ポリアミン、三フッ化ホウ素トリエチ
ルアミン錯体等の三フッ化ホウ素のアミン錯体、２−ア
ルキル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−
アルキルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、無水フ
タル酸、無水トリメリット酸等の有機酸、ジシアンジア
ミド、トリフェニルフォスフィン等公知のものが使用で
きる。添加量はポリアミド樹脂１００重量部に対して
０．１〜１０重量部であると好ましい。
【００２２】以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわ
ない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機
成分を添加することは何ら制限されるものではない。
ない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機
成分を添加することは何ら制限されるものではない。
【００２３】本発明でいう可撓性を有する絶縁性フィル
ムとはポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスル
フィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテル
ケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレー
ト、等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラス
クロス等の複合材料からなる厚さ２５〜１２５μｍのフ
ィルムであり、これらから選ばれる複数のフィルムを積
層して用いても良い。また必要に応じて、加水分解、コ
ロナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コーテ
ィング処理等の表面処理を施すことができる。
ムとはポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスル
フィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテル
ケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレー
ト、等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラス
クロス等の複合材料からなる厚さ２５〜１２５μｍのフ
ィルムであり、これらから選ばれる複数のフィルムを積
層して用いても良い。また必要に応じて、加水分解、コ
ロナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コーテ
ィング処理等の表面処理を施すことができる。
【００２４】本発明でいう保護フィルム層とは、銅箔を
熱ラミネートする前に接着剤面からＴＡＢ用テープの形
態を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、
たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコーティン
グ処理を施したポリエステルフィルム、ポリオレフィン
フィルム、およびこれらをラミネートした紙が挙げられ
る。
熱ラミネートする前に接着剤面からＴＡＢ用テープの形
態を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、
たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコーティン
グ処理を施したポリエステルフィルム、ポリオレフィン
フィルム、およびこれらをラミネートした紙が挙げられ
る。
【００２５】次にＴＡＢ用接着剤付きテープの製造方法
について説明する。
について説明する。
【００２６】可撓性を有する絶縁性フィルムに、上記接
着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。接
着剤層の膜厚は１０〜２５μｍとなるように塗布するこ
とが好ましい。乾燥条件は、１００〜２００℃、１〜５
分である。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシ
レン、クロルベンゼン等の芳香族系とメタノール、エタ
ノール、プロパノール等のアルコール系の混合が好適で
ある。このようにして得られたフィルムに保護フィルム
をラミネートし、最後に３５〜１５８ｍｍ程度の幅にス
リットする。
着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。接
着剤層の膜厚は１０〜２５μｍとなるように塗布するこ
とが好ましい。乾燥条件は、１００〜２００℃、１〜５
分である。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシ
レン、クロルベンゼン等の芳香族系とメタノール、エタ
ノール、プロパノール等のアルコール系の混合が好適で
ある。このようにして得られたフィルムに保護フィルム
をラミネートし、最後に３５〜１５８ｍｍ程度の幅にス
リットする。
【００２７】このようにして得られた半導体装置用接着
剤付きテープを用いて、半導体接続用基板が製造でき
る。さらにこれらの半導体接続用基板を用いて半導体装
置が製造できる。
剤付きテープを用いて、半導体接続用基板が製造でき
る。さらにこれらの半導体接続用基板を用いて半導体装
置が製造できる。
【００２８】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実
施例の説明に入る前に評価方法について述べる。
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実
施例の説明に入る前に評価方法について述べる。
【００２９】評価方法 （１）評価用サンプル作成方法 ＴＡＢ用接着剤付きテープサンプルに１８μｍの電解銅
箔を、１４０℃、０．１ＭＰａの条件でラミネートし
た。続いてエアオーブン中で、８０℃、３時間、１００
℃、５時間、１５０℃、５時間の順次加熱処理を行な
い、銅箔付きＴＡＢ用テープを作成した。得られた銅箔
付きＴＡＢ用テープの銅箔面に常法によりフォトレジス
ト膜形成、エッチング、レジスト剥離を行ない、接着強
度および絶縁性の評価用サンプルをそれぞれ作成した。
箔を、１４０℃、０．１ＭＰａの条件でラミネートし
た。続いてエアオーブン中で、８０℃、３時間、１００
℃、５時間、１５０℃、５時間の順次加熱処理を行な
い、銅箔付きＴＡＢ用テープを作成した。得られた銅箔
付きＴＡＢ用テープの銅箔面に常法によりフォトレジス
ト膜形成、エッチング、レジスト剥離を行ない、接着強
度および絶縁性の評価用サンプルをそれぞれ作成した。
【００３０】（２）スズメッキ処理 上記（１）の方法で得られたサンプルを、ホウフッ酸系
の無電解スズメッキ液に７０℃、５分浸漬処理し、０．
５μｍ厚のメッキを施した。
の無電解スズメッキ液に７０℃、５分浸漬処理し、０．
５μｍ厚のメッキを施した。
【００３１】（３）剥離強度 上記（１）および（２）の方法で得た導体幅５０μｍの
評価用サンプルを用いて、導体を９０°方向に５０ｍｍ
／ｍｉｎの速度で剥離し、その際の剥離力を測定した。
評価用サンプルを用いて、導体を９０°方向に５０ｍｍ
／ｍｉｎの速度で剥離し、その際の剥離力を測定した。
【００３２】（４）絶縁信頼性 上記（１）および（２）の方法で得た導体幅２００μ
ｍ、導体間距離５０μｍのくし型形状の評価用サンプル
を用いて、不飽和プレッシャークッカー中で１３０℃、
８５％ＲＨ、１００Ｖの電圧を連続的に印加した状態に
おいて、抵抗値が初期値の１／１０以下となる時間を測
定した。
ｍ、導体間距離５０μｍのくし型形状の評価用サンプル
を用いて、不飽和プレッシャークッカー中で１３０℃、
８５％ＲＨ、１００Ｖの電圧を連続的に印加した状態に
おいて、抵抗値が初期値の１／１０以下となる時間を測
定した。
【００３３】（５）接着性保持率の算出 メッキによるＴＡＢ用テープの接着力変化を次のような
式で算出した。
式で算出した。
【００３４】接着性保持率＝（メッキ後の接着性／メッ
キ前の接着性）×１００。
キ前の接着性）×１００。
【００３５】参考例１（ポリアミド樹脂の合成） 酸としてダイマー酸ＰＲＩＰＯＬ１００９（ユニケマ社
製）およびアジピン酸を用い、酸／アミン比をほぼ等量
で添加し、酸／アミン反応物、消泡剤および１％以下の
リン酸触媒を加え、反応体を調製した。この反応体を、
１４０℃，１時間撹拌加熱後、２０５℃まで昇温し、約
１．５時間撹拌した。約２ｋＰａの真空下で、０．５時
間保持し、温度を低下させた。最後に、酸化防止剤を添
加し、重量平均分子量２００００、酸価１０のポリアミ
ド樹脂を取り出した。
製）およびアジピン酸を用い、酸／アミン比をほぼ等量
で添加し、酸／アミン反応物、消泡剤および１％以下の
リン酸触媒を加え、反応体を調製した。この反応体を、
１４０℃，１時間撹拌加熱後、２０５℃まで昇温し、約
１．５時間撹拌した。約２ｋＰａの真空下で、０．５時
間保持し、温度を低下させた。最後に、酸化防止剤を添
加し、重量平均分子量２００００、酸価１０のポリアミ
ド樹脂を取り出した。
【００３６】実施例１ （ａ）半導体用接着剤付きテープの作成 参考例１で得たポリアミド樹脂、エポキシ樹脂（油化シ
ェルエポキシ（株）製、“エピコート”８２８、エポキ
シ当量１８６）、フェノール樹脂（ＣＫＭ１２８２（昭
和高分子（株））および表１に示したフェノール誘導体
をそれぞれ表３の組成比となるように配合し、さらに固
形分に対し０．５重量％のジシアンジアミドを硬化促進
剤として添加し、濃度２０重量％となるようにメタノー
ル／モノクロルベンゼン混合溶媒に３０℃で撹拌、混合
して接着剤溶液を作成した。この接着剤をバーコータ
で、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィル
ム（東レ（株）製”ルミラー”）に約１８μｍの乾燥厚
さとなるように塗布し，１００℃、１分および１６０℃
で５分間の乾燥を行ない、接着剤シートを作成した。さ
らに、得られた接着剤シートを厚さ７５μｍのポリイミ
ドフィルム（宇部興産（株）製“ユーピレックス”７５
Ｓ）に１２０℃、０．１ＭＰａの条件でラミネートして
ＴＡＢ用接着剤付きテープを作成した。特性を表２に示
す。
ェルエポキシ（株）製、“エピコート”８２８、エポキ
シ当量１８６）、フェノール樹脂（ＣＫＭ１２８２（昭
和高分子（株））および表１に示したフェノール誘導体
をそれぞれ表３の組成比となるように配合し、さらに固
形分に対し０．５重量％のジシアンジアミドを硬化促進
剤として添加し、濃度２０重量％となるようにメタノー
ル／モノクロルベンゼン混合溶媒に３０℃で撹拌、混合
して接着剤溶液を作成した。この接着剤をバーコータ
で、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィル
ム（東レ（株）製”ルミラー”）に約１８μｍの乾燥厚
さとなるように塗布し，１００℃、１分および１６０℃
で５分間の乾燥を行ない、接着剤シートを作成した。さ
らに、得られた接着剤シートを厚さ７５μｍのポリイミ
ドフィルム（宇部興産（株）製“ユーピレックス”７５
Ｓ）に１２０℃、０．１ＭＰａの条件でラミネートして
ＴＡＢ用接着剤付きテープを作成した。特性を表２に示
す。
【００３７】（ｂ）半導体接続用基板の作成 上記の手順で得られたＴＡＢ用接着剤付きテープを用い
て、前述の評価方法（１）および（２）と同一の方法で
半導体集積回路接続用の導体回路を形成し、図１に示す
パターンテープを得た。
て、前述の評価方法（１）および（２）と同一の方法で
半導体集積回路接続用の導体回路を形成し、図１に示す
パターンテープを得た。
【００３８】（ｃ）半導体装置の作成 上記（２）のパターンテープを用いて、４５０℃，１分
の条件でインナーリードボンディングを行ない、半導体
集積回路を接続した。しかるのちに、エポキシ系液状封
止剤（ナミックス（株）製“チップコート”１３２０−
６１７）で樹脂封止を行ない、半導体装置を得た。図２
は得られた半導体装置の断面を示したものである。
の条件でインナーリードボンディングを行ない、半導体
集積回路を接続した。しかるのちに、エポキシ系液状封
止剤（ナミックス（株）製“チップコート”１３２０−
６１７）で樹脂封止を行ない、半導体装置を得た。図２
は得られた半導体装置の断面を示したものである。
【００３９】実施例２〜４および比較例１ 実施例１と同様の方法で、それぞれ表１〜２に示した原
料および組成比で調合した接着剤を用いてＴＡＢ用接着
剤付きテープを得た。特性を表２に示す。
料および組成比で調合した接着剤を用いてＴＡＢ用接着
剤付きテープを得た。特性を表２に示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】表２の実施例および比較例から本発明によ
り得られるＴＡＢ用接着剤付きテープは、良好な絶縁信
頼性を維持しつつ、さらに接着性の向上に大きく寄与し
ていることがわかる。
り得られるＴＡＢ用接着剤付きテープは、良好な絶縁信
頼性を維持しつつ、さらに接着性の向上に大きく寄与し
ていることがわかる。
【００４３】
【発明の効果】本発明は接着性に優れた新規なＴＡＢ用
接着剤付きテープおよびそれを用いた半導体装置を工業
的に提供するものであり、本発明のＴＡＢ用接着剤付き
テープによって高密度実装用の半導体装置の信頼性およ
び経済性を向上させることができる。
接着剤付きテープおよびそれを用いた半導体装置を工業
的に提供するものであり、本発明のＴＡＢ用接着剤付き
テープによって高密度実装用の半導体装置の信頼性およ
び経済性を向上させることができる。
【図１】本発明のＴＡＢ用接着剤付きテープを加工して
得られた、半導体集積回路搭載前のパターンテープの一
態様の斜視図。
得られた、半導体集積回路搭載前のパターンテープの一
態様の斜視図。
【図２】本発明のＴＡＢ用接着剤付きテープを用いた半
導体装置の一態様の断面図。
導体装置の一態様の断面図。
【図３】本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用い
た半導体装置（ＢＧＡ）の一態様の断面図半導体装置の
一態様の断面図。
た半導体装置（ＢＧＡ）の一態様の断面図半導体装置の
一態様の断面図。
【図４】本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用い
た半導体装置（ＣＳＰ）の一態様の断面図半導体装置の
一態様の断面図。
た半導体装置（ＣＳＰ）の一態様の断面図半導体装置の
一態様の断面図。
１、１２、２０ 可撓性を有する絶縁性フィルム ２、１３、２１ 接着剤 ３ スプロケット孔 ４ デバイス孔 ５、１４、２２ 半導体集積回路接続用の導体 ６ インナーリード部 ７ アウターリード部 ８、１５、２３ 半導体集積回路 ９、１６、２４ 封止樹脂 １０、１７、２５ 金バンプ １１ 保護膜 １８、２６ ハンダボール １９ 補強板 ２７ ソルダーレジスト
Claims (6)
- 【請求項１】可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、
接着剤層および保護フィルム層を有する積層体より構成
され、該接着剤層がポリアミド樹脂、および少なくとも
１種以上の一般式（１）で示される２核体から成るフェ
ノール誘導体を必須成分として含むことを特徴とするＴ
ＡＢ用接着剤付きテープ。 【化１】 （Ｘは硫黄、酸素原子の少なくとも１つを含む基あるい
は結合を示す。Ｙ１、Ｙ２は炭素数１〜５までの炭化水
素基を示し、Ｙ１およびＹ２は同じでも異なっていても
よい。またｍは０≦ｍ≦３、ｎは０≦ｎ≦１である整数
を示す。） - 【請求項２】接着剤層がエポキシ樹脂を含有することを
特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用接着剤付きテープ。 - 【請求項３】ポリアミド樹脂が炭素数３６のジカルボン
酸を必須成分として含むことを特徴とする請求項１記載
のＴＡＢ用接着剤付きテープ。 - 【請求項４】接着剤層が少なくとも１種類以上のフェノ
ール樹脂を含有することを特徴とする請求項１記載のＴ
ＡＢ用接着剤付きテープ。 - 【請求項５】請求項１〜４のいずれか記載のＴＡＢ用接
着剤付きテープを用いた半導体集積回路接続用基板 - 【請求項６】請求項５記載の半導体集積回路接続用基板
を用いた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05987798A JP3951418B2 (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体集積回路接続用基板ならびに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05987798A JP3951418B2 (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体集積回路接続用基板ならびに半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260865A true JPH11260865A (ja) | 1999-09-24 |
| JPH11260865A5 JPH11260865A5 (ja) | 2005-09-02 |
| JP3951418B2 JP3951418B2 (ja) | 2007-08-01 |
Family
ID=13125831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05987798A Expired - Fee Related JP3951418B2 (ja) | 1998-03-11 | 1998-03-11 | Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体集積回路接続用基板ならびに半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3951418B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100860098B1 (ko) | 2008-02-29 | 2008-09-26 | 주식회사 이녹스 | 반도체 패키지용 접착 필름 |
| US7491789B2 (en) | 2002-05-13 | 2009-02-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd | Disulfide-containing phenolic resin as curing agent for epoxy resin |
| US9568405B2 (en) | 2013-11-29 | 2017-02-14 | International Business Machines Corporation | Method, apparatus, and structure for determining interposer thickness |
| CN113801605A (zh) * | 2021-11-10 | 2021-12-17 | 宁波申山新材料科技有限公司 | 一种低表面能压敏胶粘带及其加工方法 |
-
1998
- 1998-03-11 JP JP05987798A patent/JP3951418B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7491789B2 (en) | 2002-05-13 | 2009-02-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd | Disulfide-containing phenolic resin as curing agent for epoxy resin |
| US7504471B2 (en) | 2002-05-13 | 2009-03-17 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Sulfur-containing phenolic resin, process for preparing the same, phenol derivatives having thioether structure or disulfide structure, process for preparing the same and epoxy resin composition and adhesive |
| KR100860098B1 (ko) | 2008-02-29 | 2008-09-26 | 주식회사 이녹스 | 반도체 패키지용 접착 필름 |
| US9568405B2 (en) | 2013-11-29 | 2017-02-14 | International Business Machines Corporation | Method, apparatus, and structure for determining interposer thickness |
| CN113801605A (zh) * | 2021-11-10 | 2021-12-17 | 宁波申山新材料科技有限公司 | 一种低表面能压敏胶粘带及其加工方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3951418B2 (ja) | 2007-08-01 |
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