JPH11263752A - ヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ―ブチルエステル - Google Patents
ヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ―ブチルエステルInfo
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- JPH11263752A JPH11263752A JP10370872A JP37087298A JPH11263752A JP H11263752 A JPH11263752 A JP H11263752A JP 10370872 A JP10370872 A JP 10370872A JP 37087298 A JP37087298 A JP 37087298A JP H11263752 A JPH11263752 A JP H11263752A
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- butyl ester
- hydroaromatic
- oxyacetic acid
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- carbon atoms
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】耐エッチング性と透明性とを兼ね備えた化学増
幅型レジスト用の溶解抑制剤用に好適な新規ヒドロ芳香
族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルを提供する。 【解決手段】一般式Ｉ、II、IIIのヒドロ芳香族オキシ
酢酸ｔ−ブチルエステル。 （Ｘは水酸基、Ｃ１〜４のアルキル基／アルコキシ基又
はＣ５若しくは６のシクロアルキル基、ｍ及びａは独立
に１又は２である。） （Ｘは、Ｉと同じ、Ｙは単結合又はＣ１〜３のアルキリ
デン基、ｍ及びｎは独立に０、１又は２、ａ及びｂは
０、１又は２、但しａ＋ｂは１又は２である。） （ＸはＩと同じ、ｍ、ｎ、ａ及びｂはIIと同じであ
る。）
幅型レジスト用の溶解抑制剤用に好適な新規ヒドロ芳香
族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルを提供する。 【解決手段】一般式Ｉ、II、IIIのヒドロ芳香族オキシ
酢酸ｔ−ブチルエステル。 （Ｘは水酸基、Ｃ１〜４のアルキル基／アルコキシ基又
はＣ５若しくは６のシクロアルキル基、ｍ及びａは独立
に１又は２である。） （Ｘは、Ｉと同じ、Ｙは単結合又はＣ１〜３のアルキリ
デン基、ｍ及びｎは独立に０、１又は２、ａ及びｂは
０、１又は２、但しａ＋ｂは１又は２である。） （ＸはＩと同じ、ｍ、ｎ、ａ及びｂはIIと同じであ
る。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なヒドロ芳香
族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルに関し、特に、化学増
幅型レジスト用の溶解抑制剤として好適に用いることが
できる2,２−ビス（４−ｔ−ブトキシカルボニルメチレ
ンオキシシクロヘキシル）プロパン等のように、分子中
に一つ又は二つのヒドロ芳香族環を有し、ヒドロ芳香族
環のそれぞれがｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキシ
基を有するヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステル
に関する。
族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルに関し、特に、化学増
幅型レジスト用の溶解抑制剤として好適に用いることが
できる2,２−ビス（４−ｔ−ブトキシカルボニルメチレ
ンオキシシクロヘキシル）プロパン等のように、分子中
に一つ又は二つのヒドロ芳香族環を有し、ヒドロ芳香族
環のそれぞれがｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキシ
基を有するヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステル
に関する。
【０００２】
【従来の技術】アルゴンフルオライド（ＡｒＦ）エキシ
マレジストやクリプトンフルオライド（ＫｒＦ）エキシ
マレジスト等で代表される種々の放射線を使用する化学
増幅型レジスト用の溶解抑制剤として、短波長紫外線領
域にあるＡｒＦやＫｒＦレーザーに対する透過性（即
ち、透明性）にすぐれ、しかも、現像時に画像部の耐エ
ッチング性を向上させるような化合物が、現在、強く要
望されている。
マレジストやクリプトンフルオライド（ＫｒＦ）エキシ
マレジスト等で代表される種々の放射線を使用する化学
増幅型レジスト用の溶解抑制剤として、短波長紫外線領
域にあるＡｒＦやＫｒＦレーザーに対する透過性（即
ち、透明性）にすぐれ、しかも、現像時に画像部の耐エ
ッチング性を向上させるような化合物が、現在、強く要
望されている。
【０００３】この点に関して、従来、耐エッチング性の
高い溶解抑制剤として、ベンゼン環を含む有機化合物が
知られているが、短波長紫外線領域にあるＡｒＦやＫｒ
Ｆレーザーに対する透過性が低く、特に、ＡｒＦレーザ
ーに対する透過性が低いので、ＡｒＦエキシマレジスト
用の溶解抑制剤としては用いるには適しない。
高い溶解抑制剤として、ベンゼン環を含む有機化合物が
知られているが、短波長紫外線領域にあるＡｒＦやＫｒ
Ｆレーザーに対する透過性が低く、特に、ＡｒＦレーザ
ーに対する透過性が低いので、ＡｒＦエキシマレジスト
用の溶解抑制剤としては用いるには適しない。
【０００４】そこで、耐エッチング性と透明性とを兼ね
備えた溶解抑制剤の材料として、脂環式有機化合物が提
案されており、特に、ヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチ
ルエステルが望ましいとされているが、一般に、そのよ
うな化合物の合成は困難であり、特に、分子中に複数の
ヒドロ芳香族環を有し、そのヒドロ芳香族環のそれぞれ
にオキシ酢酸エステル構造、特に、オキシ酢酸ｔ−ブチ
ルエステル構造が結合されているような化合物は、その
合成が極めて困難であるので、従来、検討されていな
い。
備えた溶解抑制剤の材料として、脂環式有機化合物が提
案されており、特に、ヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチ
ルエステルが望ましいとされているが、一般に、そのよ
うな化合物の合成は困難であり、特に、分子中に複数の
ヒドロ芳香族環を有し、そのヒドロ芳香族環のそれぞれ
にオキシ酢酸エステル構造、特に、オキシ酢酸ｔ−ブチ
ルエステル構造が結合されているような化合物は、その
合成が極めて困難であるので、従来、検討されていな
い。
【０００５】例えば、ｌ−メントールからｌ−メントキ
シ酢酸の製造において、シクロヘキシルアルコール構造
をナトリウム塩とした後、これにクロロ酢酸を反応させ
て、シクロヘキシロキシ酢酸構造とすることができるこ
とが知られているが（Org. Syn., Vol. 3, p. 544)、ク
ロロ酢酸に代えて、クロロ酢酸エステルを用いる方法
は、従来、文献に記載がない。
シ酢酸の製造において、シクロヘキシルアルコール構造
をナトリウム塩とした後、これにクロロ酢酸を反応させ
て、シクロヘキシロキシ酢酸構造とすることができるこ
とが知られているが（Org. Syn., Vol. 3, p. 544)、ク
ロロ酢酸に代えて、クロロ酢酸エステルを用いる方法
は、従来、文献に記載がない。
【０００６】また、本発明者らによれば、強アルカリの
存在下にヒドロ芳香族アルコールにｔ−ブチルエステル
を含むハロゲン化アルカンカルボン酸エステルを反応さ
せても、その理由は必ずしも明らかではないが、目的と
するヒドロ芳香族オキシアルカンカルボン酸エステルを
得ることはできない。
存在下にヒドロ芳香族アルコールにｔ−ブチルエステル
を含むハロゲン化アルカンカルボン酸エステルを反応さ
せても、その理由は必ずしも明らかではないが、目的と
するヒドロ芳香族オキシアルカンカルボン酸エステルを
得ることはできない。
【０００７】他方、ロジウム錯体を触媒として用いて、
シクロヘキサノールにジアゾ酢酸エチルを反応させて、
Ｏ−Ｈ結合へのカルベン挿入反応によって、対応するシ
クロヘキサンオキシ酢酸エチルを得ることができること
が知られている（J. Organometallic Chem., 473 (199
4), 323-327）。しかし、この方法は、化学的に不安定
なジアゾ化合物を用いると共に、触媒の回収が困難であ
るので、工業的な方法としては採用し難い。
シクロヘキサノールにジアゾ酢酸エチルを反応させて、
Ｏ−Ｈ結合へのカルベン挿入反応によって、対応するシ
クロヘキサンオキシ酢酸エチルを得ることができること
が知られている（J. Organometallic Chem., 473 (199
4), 323-327）。しかし、この方法は、化学的に不安定
なジアゾ化合物を用いると共に、触媒の回収が困難であ
るので、工業的な方法としては採用し難い。
【０００８】このほかにも、シクロヘキサノールにグリ
オキサールを反応させて、シクロヘキサンオキシ酢酸シ
クロヘキシルを得ることができることも知られているが
（J.Org. Chem., 39 (1974), 1772）、この方法によれ
ば、得られるヒドロ芳香族オキシアルカンカルボン酸エ
ステルが構造的に限定される問題がある。
オキサールを反応させて、シクロヘキサンオキシ酢酸シ
クロヘキシルを得ることができることも知られているが
（J.Org. Chem., 39 (1974), 1772）、この方法によれ
ば、得られるヒドロ芳香族オキシアルカンカルボン酸エ
ステルが構造的に限定される問題がある。
【０００９】そこで、本発明者らは、特に、ヒドロ芳香
族オキシアルカンカルボン酸ｔ−ブチルエステルを得る
べく、鋭意研究した結果、対応する芳香族オキシアルカ
ンカルボン酸ｔ−ブチルエステルは、フェノール類にハ
ロゲン化オキシアルカンカルボン酸ｔ−ブチルエステル
を反応させることによって容易に得ることができ、この
芳香族オキシアルカンカルボン酸ｔ−ブチルエステルを
水素化金属触媒の存在下に水素添加して、芳香環をヒド
ロ芳香環とすることによって、目的とするヒドロ芳香族
オキシカルボン酸ｔ−ブチルエステルを容易に得ること
ができることを見出して、本発明に至ったものである。
族オキシアルカンカルボン酸ｔ−ブチルエステルを得る
べく、鋭意研究した結果、対応する芳香族オキシアルカ
ンカルボン酸ｔ−ブチルエステルは、フェノール類にハ
ロゲン化オキシアルカンカルボン酸ｔ−ブチルエステル
を反応させることによって容易に得ることができ、この
芳香族オキシアルカンカルボン酸ｔ−ブチルエステルを
水素化金属触媒の存在下に水素添加して、芳香環をヒド
ロ芳香環とすることによって、目的とするヒドロ芳香族
オキシカルボン酸ｔ−ブチルエステルを容易に得ること
ができることを見出して、本発明に至ったものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、耐
エッチング性と透明性とを兼ね備えた化学増幅型レジス
ト用の溶解抑制剤として好適に用いることができる新規
なヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルを提供す
ることを目的とする。
エッチング性と透明性とを兼ね備えた化学増幅型レジス
ト用の溶解抑制剤として好適に用いることができる新規
なヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルを提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第一
に、一般式（Ｉ）
に、一般式（Ｉ）
【００１２】
【化４】
【００１３】（式中、Ｘは、水酸基、炭素原子数１〜４
のアルキル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は炭
素原子数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、ｍ及
びａは、それぞれ独立に１又は２である。）で表わされ
るヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルが提供さ
れる。本発明によれば、第二に、一般式（II）
のアルキル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は炭
素原子数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、ｍ及
びａは、それぞれ独立に１又は２である。）で表わされ
るヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルが提供さ
れる。本発明によれば、第二に、一般式（II）
【００１４】
【化５】
【００１５】（式中、Ｘは、水酸基、炭素原子数１〜４
のアルキル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は炭
素原子数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、Ｙ
は、単結合又は炭素原子数１〜３のアルキリデン基を示
し、ｍ及びｎは、それぞれ独立に０、１又は２であり、
ａ及びｂは、それぞれ０、１又は２である。但し、ａ＋
ｂは１又は２である。）で表わされるヒドロ芳香族オキ
シ酢酸ｔ−ブチルエステルが提供される。
のアルキル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は炭
素原子数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、Ｙ
は、単結合又は炭素原子数１〜３のアルキリデン基を示
し、ｍ及びｎは、それぞれ独立に０、１又は２であり、
ａ及びｂは、それぞれ０、１又は２である。但し、ａ＋
ｂは１又は２である。）で表わされるヒドロ芳香族オキ
シ酢酸ｔ−ブチルエステルが提供される。
【００１６】更に、第三として、本発明によれば、一般
式（III)
式（III)
【００１７】
【化６】
【００１８】（式中、Ｘは、水酸基、炭素原子数１〜４
のアルキル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は炭
素原子数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、ｍ及
びｎは、それぞれ独立に０、１又は２であり、ａ及びｂ
は、それぞれ０、１又は２である。但し、ａ＋ｂは１又
は２である。）で表わされるヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ
−ブチルエステルが提供される。
のアルキル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は炭
素原子数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、ｍ及
びｎは、それぞれ独立に０、１又は２であり、ａ及びｂ
は、それぞれ０、１又は２である。但し、ａ＋ｂは１又
は２である。）で表わされるヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ
−ブチルエステルが提供される。
【００１９】
【発明の実施の形態】一般式（Ｉ）で表わされる本発明
による第一のヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステ
ルにおいて、好ましくは、Ｘは、水酸基、メチル基、ｔ
−ブチル基、メトキシ基又はシクロヘキシル基であり、
ｍ及びａは共に１である。従って、好ましい具体例とし
て、例えば、１−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキ
シ−２−シクロヘキシルシクロヘキサン、１−ｔ−ブト
キシカルボニルメチレンオキシ−４−メチルシクロヘキ
サン、１−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキシ−４
−ｔ−ブチルシクロヘキサン等を挙げることができる。
による第一のヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステ
ルにおいて、好ましくは、Ｘは、水酸基、メチル基、ｔ
−ブチル基、メトキシ基又はシクロヘキシル基であり、
ｍ及びａは共に１である。従って、好ましい具体例とし
て、例えば、１−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキ
シ−２−シクロヘキシルシクロヘキサン、１−ｔ−ブト
キシカルボニルメチレンオキシ−４−メチルシクロヘキ
サン、１−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキシ−４
−ｔ−ブチルシクロヘキサン等を挙げることができる。
【００２０】一般式（II）で表わされる本発明による第
二のヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルにおい
て、好ましくは、Ｙは、単結合、メチリデン基、エチリ
デン基又は2,２−プロピリデン基であり、ｍ及びｎは共
に０であり、ａ及びｂは共に１である。従って、好まし
い具体例として、例えば、2,２−ビス（４−ｔ−ブトキ
シカルボニルメチレンオキシシクロヘキシル）プロパ
ン、4,4'−ビス（ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキ
シ）ジシクロヘキシル、2,２−ビス（４−ｔ−ブトキシ
カルボニルメチレンオキシシクロヘキシル）メタン等を
挙げることができる。
二のヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルにおい
て、好ましくは、Ｙは、単結合、メチリデン基、エチリ
デン基又は2,２−プロピリデン基であり、ｍ及びｎは共
に０であり、ａ及びｂは共に１である。従って、好まし
い具体例として、例えば、2,２−ビス（４−ｔ−ブトキ
シカルボニルメチレンオキシシクロヘキシル）プロパ
ン、4,4'−ビス（ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキ
シ）ジシクロヘキシル、2,２−ビス（４−ｔ−ブトキシ
カルボニルメチレンオキシシクロヘキシル）メタン等を
挙げることができる。
【００２１】一般式（III)で表わされる本発明による第
三のヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルにおい
て、好ましくは、ｍ及びｎは０であり、ａ及びｂは共に
１である。従って、好ましい具体例として、例えば、２
−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキシビシクロ〔4.
4.０〕デカン、１−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオ
キシビシクロ〔4.4.０〕デカン、1,５−ジ（ｔ−ブトキ
シカルボニルメチレンオキシ）ビシクロ〔4.4.０〕デカ
ン等を挙げることができる。
三のヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルにおい
て、好ましくは、ｍ及びｎは０であり、ａ及びｂは共に
１である。従って、好ましい具体例として、例えば、２
−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキシビシクロ〔4.
4.０〕デカン、１−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオ
キシビシクロ〔4.4.０〕デカン、1,５−ジ（ｔ−ブトキ
シカルボニルメチレンオキシ）ビシクロ〔4.4.０〕デカ
ン等を挙げることができる。
【００２２】このような本発明によるヒドロ芳香族オキ
シ酢酸ｔ−ブチルエステルは、そのヒドロ芳香環が対応
する芳香環である芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステル
を前駆体として用いて、これを水素化金属触媒の存在下
に水素添加することによって得ることができ、上記芳香
族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルは、これに対応するフ
ェノール類にハロゲン化酢酸ｔ−ブチルエステルを反応
させることによって容易に得ることができる。一般に、
フェノール類とハロゲン化酢酸エステルとの縮合反応に
よって、対応する芳香族オキシ酢酸エステルを得ること
ができることは、既に知られている。
シ酢酸ｔ−ブチルエステルは、そのヒドロ芳香環が対応
する芳香環である芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステル
を前駆体として用いて、これを水素化金属触媒の存在下
に水素添加することによって得ることができ、上記芳香
族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルは、これに対応するフ
ェノール類にハロゲン化酢酸ｔ−ブチルエステルを反応
させることによって容易に得ることができる。一般に、
フェノール類とハロゲン化酢酸エステルとの縮合反応に
よって、対応する芳香族オキシ酢酸エステルを得ること
ができることは、既に知られている。
【００２３】本発明者らによれば、目的とするヒドロ芳
香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルの製造において、対
応するヒドロ芳香族アルコールとハロゲン化酢酸ｔ−ブ
チルエステルとの直接の反応によらずに、フェノール類
とハロゲン化酢酸ｔ−ブチルエステルとの反応によっ
て、対応する芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルを容
易に得ることができることに着目し、この芳香族オキシ
酢酸ｔ−ブチルエステルを先ず製造し、次いで、この芳
香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルを水素化金属触媒の
存在下に水素添加して、芳香族環を対応するヒドロ芳香
族環とすることによって、本発明によるヒドロ芳香族オ
キシ酢酸ｔ−ブチルエステルを得ることに成功したもの
である。
香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルの製造において、対
応するヒドロ芳香族アルコールとハロゲン化酢酸ｔ−ブ
チルエステルとの直接の反応によらずに、フェノール類
とハロゲン化酢酸ｔ−ブチルエステルとの反応によっ
て、対応する芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルを容
易に得ることができることに着目し、この芳香族オキシ
酢酸ｔ−ブチルエステルを先ず製造し、次いで、この芳
香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルを水素化金属触媒の
存在下に水素添加して、芳香族環を対応するヒドロ芳香
族環とすることによって、本発明によるヒドロ芳香族オ
キシ酢酸ｔ−ブチルエステルを得ることに成功したもの
である。
【００２４】例えば、前記一般式（Ｉ）で表わされる本
発明による第一のヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエ
ステルは、一般式（IV）
発明による第一のヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエ
ステルは、一般式（IV）
【００２５】
【化７】
【００２６】（式中、Ｘ、ｍ及びａは、前記一般式
（Ｉ）におけるものと同じである。）で表わされるフェ
ノール類１モル部にハロゲン化酢酸ｔ−ブチルエステ
ル、例えば、クロロ酢酸ｔ−ブチルエステルをｎモル部
以上反応させることによって、一般式（Ｖ）
（Ｉ）におけるものと同じである。）で表わされるフェ
ノール類１モル部にハロゲン化酢酸ｔ−ブチルエステ
ル、例えば、クロロ酢酸ｔ−ブチルエステルをｎモル部
以上反応させることによって、一般式（Ｖ）
【００２７】
【化８】
【００２８】（式中、Ｘ、ｍ及びａは、前記一般式
（Ｉ）におけるものと同じである。）で表わされる芳香
族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルとし、これを水素化金
属触媒の存在下に水素添加することによって、目的とす
る前記一般式（Ｉ）で表わされるヒドロ芳香族オキシ酢
酸ｔ−ブチルエステルを得ることができる。
（Ｉ）におけるものと同じである。）で表わされる芳香
族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルとし、これを水素化金
属触媒の存在下に水素添加することによって、目的とす
る前記一般式（Ｉ）で表わされるヒドロ芳香族オキシ酢
酸ｔ−ブチルエステルを得ることができる。
【００２９】同様に、前記一般式（II）で表わされる本
発明による第二のヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエ
ステルは、一般式（VI）
発明による第二のヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエ
ステルは、一般式（VI）
【００３０】
【化９】
【００３１】（式中、Ｘ、Ｙ、ｍ、ｎ、ａ及びｂは、前
記一般式（II）におけるものと同じである。）で表わさ
れるビスフェノール類１モル部にハロゲン化酢酸ｔ−ブ
チルエステル、例えば、クロロ酢酸ｔ−ブチルエステル
を（ａ＋ｂ）モル部以上反応させることによって、一般
式（VII)
記一般式（II）におけるものと同じである。）で表わさ
れるビスフェノール類１モル部にハロゲン化酢酸ｔ−ブ
チルエステル、例えば、クロロ酢酸ｔ−ブチルエステル
を（ａ＋ｂ）モル部以上反応させることによって、一般
式（VII)
【００３２】
【化１０】
【００３３】（式中、Ｘ、Ｙ、ｍ、ｎ、ａ及びｂは、前
記一般式（II）におけるものと同じである。）で表わさ
れる芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルとし、これを
水素化金属触媒の存在下に水素添加することによって、
目的とする前記一般式（II）で表わされるヒドロ芳香族
オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルを得ることができる。
記一般式（II）におけるものと同じである。）で表わさ
れる芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルとし、これを
水素化金属触媒の存在下に水素添加することによって、
目的とする前記一般式（II）で表わされるヒドロ芳香族
オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルを得ることができる。
【００３４】同様に、前記一般式（III)で表わされる本
発明による第三のヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエ
ステルは、一般式（VIII）
発明による第三のヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエ
ステルは、一般式（VIII）
【００３５】
【化１１】
【００３６】（式中、Ｘ、ｍ、ｎ、ａ及びｂは、前記一
般式（III)におけるものと同じである。）で表わされる
ナフトール類１モル部にハロゲン化酢酸ｔ−ブチルエス
テル、例えば、クロロ酢酸ｔ−ブチルエステルを（ａ＋
ｂ）モル部以上反応させることによって、一般式（IX）
般式（III)におけるものと同じである。）で表わされる
ナフトール類１モル部にハロゲン化酢酸ｔ−ブチルエス
テル、例えば、クロロ酢酸ｔ−ブチルエステルを（ａ＋
ｂ）モル部以上反応させることによって、一般式（IX）
【００３７】
【化１２】
【００３８】（式中、Ｘ、ｍ、ｎ、ａ及びｂは、前記一
般式（III)におけるものと同じである。）で表わされる
芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルとし、これを水素
化金属触媒の存在下に水素添加することによって、目的
とする前記一般式（III)で表わされるヒドロ芳香族オキ
シ酢酸ｔ−ブチルエステルを得ることができる。
般式（III)におけるものと同じである。）で表わされる
芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルとし、これを水素
化金属触媒の存在下に水素添加することによって、目的
とする前記一般式（III)で表わされるヒドロ芳香族オキ
シ酢酸ｔ−ブチルエステルを得ることができる。
【００３９】上記芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステル
の水素添加に用いる水素化金属触媒としては、貴金属触
媒、貴金属担持触媒又は貴金属錯体触媒が好ましく用い
られる。これらの触媒において、貴金属触媒成分として
は、例えば、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、
パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム
（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）を
挙げることができる。担体としては、例えば、カーボ
ン、アルミナ、シリカ等を挙げることができる。このよ
うな触媒のなかでも、特に、ロジウム／カーボン、ロジ
ウム／アルミナ、ロジウム／シリカ等のロジウム担持触
媒が好ましく用いられる。
の水素添加に用いる水素化金属触媒としては、貴金属触
媒、貴金属担持触媒又は貴金属錯体触媒が好ましく用い
られる。これらの触媒において、貴金属触媒成分として
は、例えば、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、
パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム
（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）を
挙げることができる。担体としては、例えば、カーボ
ン、アルミナ、シリカ等を挙げることができる。このよ
うな触媒のなかでも、特に、ロジウム／カーボン、ロジ
ウム／アルミナ、ロジウム／シリカ等のロジウム担持触
媒が好ましく用いられる。
【００４０】このような水素化金属触媒は、芳香族オキ
シカルボン酸エステル１００重量部について、0.１〜１
００重量部、好ましくは、１〜５０重量部の範囲で用い
られる。
シカルボン酸エステル１００重量部について、0.１〜１
００重量部、好ましくは、１〜５０重量部の範囲で用い
られる。
【００４１】このように、本発明によるヒドロ芳香族オ
キシ酢酸ｔ−ブチルエステルは、その前駆体である芳香
族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルを水素添加することに
よって得ることができ、その水素添加反応において、前
駆体が反応温度で融解するときには、特に反応溶剤を用
いる必要はないが、しかし、前駆体が反応温度では融解
しないときは、そのような前駆体を溶解する反応溶剤が
好ましく用いられる。
キシ酢酸ｔ−ブチルエステルは、その前駆体である芳香
族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルを水素添加することに
よって得ることができ、その水素添加反応において、前
駆体が反応温度で融解するときには、特に反応溶剤を用
いる必要はないが、しかし、前駆体が反応温度では融解
しないときは、そのような前駆体を溶解する反応溶剤が
好ましく用いられる。
【００４２】そのような反応溶剤としては、例えば、テ
トラヒドロフラン、ジオキソラン、ジオキサン等のエー
テル類、メタノール、イソプロピルアルコール、ブタノ
ール等のアルコール類、エチレングリコール等の多価ア
ルコール類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のカルボン酸エ
ステル類等を挙げることができる。このような反応溶剤
は、用いる前駆体の溶解性や反応性を考慮して、適宜に
単独で、又は２種以上の混合物として用いられるが、前
駆体が反応性の低いものであるときは、特に、ｔ−ブタ
ノールが好ましく用いられる。このような反応溶剤は、
通常、芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルに対して、
重量比で０〜５０倍、好ましくは、０〜１０倍の範囲で
用いられる。
トラヒドロフラン、ジオキソラン、ジオキサン等のエー
テル類、メタノール、イソプロピルアルコール、ブタノ
ール等のアルコール類、エチレングリコール等の多価ア
ルコール類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のカルボン酸エ
ステル類等を挙げることができる。このような反応溶剤
は、用いる前駆体の溶解性や反応性を考慮して、適宜に
単独で、又は２種以上の混合物として用いられるが、前
駆体が反応性の低いものであるときは、特に、ｔ−ブタ
ノールが好ましく用いられる。このような反応溶剤は、
通常、芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルに対して、
重量比で０〜５０倍、好ましくは、０〜１０倍の範囲で
用いられる。
【００４３】芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステルの水
素添加は、通常、０〜２００℃、好ましくは、２０〜５
０℃の範囲の反応温度で、通常、常圧から１００ｋｇ／
ｃｍ 2 、好ましくは、常圧から５０ｋｇ／ｃｍ2 、特に
好ましくは、常圧から２０ｋｇ／ｃｍ2 の範囲の反応圧
力下に行なわれる。反応時間は、反応温度と反応圧力に
もよるが、通常、数十分から数十時間の範囲であり、好
ましくは、数十分から数時間の範囲である
素添加は、通常、０〜２００℃、好ましくは、２０〜５
０℃の範囲の反応温度で、通常、常圧から１００ｋｇ／
ｃｍ 2 、好ましくは、常圧から５０ｋｇ／ｃｍ2 、特に
好ましくは、常圧から２０ｋｇ／ｃｍ2 の範囲の反応圧
力下に行なわれる。反応時間は、反応温度と反応圧力に
もよるが、通常、数十分から数十時間の範囲であり、好
ましくは、数十分から数時間の範囲である
【００４４】このようにして、芳香族オキシ酢酸ｔ−ブ
チルエステルを水素化金属触媒の存在下に水素添加した
後、触媒の除去、反応溶剤の除去乃至反応生成物の濃縮
の工程を経て、目的とするヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−
ブチルエステルを得ることができる。反応収率は、用い
る前駆体にもよるが、通常、１０〜８０％の範囲であ
る。
チルエステルを水素化金属触媒の存在下に水素添加した
後、触媒の除去、反応溶剤の除去乃至反応生成物の濃縮
の工程を経て、目的とするヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−
ブチルエステルを得ることができる。反応収率は、用い
る前駆体にもよるが、通常、１０〜８０％の範囲であ
る。
【００４５】このようにして得られるヒドロ芳香族オキ
シ酢酸ｔ−ブチルエステルは、そのまま、製品として、
種々の用途に供してもよいが、必要に応じて、精製して
もよい。精製品は、例えば、再結晶や蒸留によって得る
ことができる。このようにして得られるヒドロ芳香族オ
キシ酢酸ｔ−ブチルエステルは、通常、結晶、塊状又は
飴状の固体であるか、又は液状である。
シ酢酸ｔ−ブチルエステルは、そのまま、製品として、
種々の用途に供してもよいが、必要に応じて、精製して
もよい。精製品は、例えば、再結晶や蒸留によって得る
ことができる。このようにして得られるヒドロ芳香族オ
キシ酢酸ｔ−ブチルエステルは、通常、結晶、塊状又は
飴状の固体であるか、又は液状である。
【００４６】
【発明の効果】本発明によるヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ
−ブチルエステルは、化学増幅型レジスト用の溶解抑制
剤として好適に用いることができる。しかも、本発明に
よる化合物は、ヒドロ芳香族環とｔ−ブチルエステル基
との間にメトキシ基を有するので、レジストへの溶解性
も高い。
−ブチルエステルは、化学増幅型レジスト用の溶解抑制
剤として好適に用いることができる。しかも、本発明に
よる化合物は、ヒドロ芳香族環とｔ−ブチルエステル基
との間にメトキシ基を有するので、レジストへの溶解性
も高い。
【００４７】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではな
い。
本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではな
い。
【００４８】参考例１ （2,２−ビス（４−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオ
キシフェニル）プロパンの合成）ビスフェノールＡ４5.
６ｇ（0.２モル）をジメチルホルムアミド１４０ｇに溶
解させ、この溶液に炭酸カリウム１１0.４ｇ（0.８モ
ル）を加え、５０℃で攪拌しながら、得られた混合物に
クロロ酢酸ｔ−ブチル９0.６ｇ（0.６モル）を１時間か
けて滴下した。この後、５０℃で２０時間攪拌して、反
応を行なった。
キシフェニル）プロパンの合成）ビスフェノールＡ４5.
６ｇ（0.２モル）をジメチルホルムアミド１４０ｇに溶
解させ、この溶液に炭酸カリウム１１0.４ｇ（0.８モ
ル）を加え、５０℃で攪拌しながら、得られた混合物に
クロロ酢酸ｔ−ブチル９0.６ｇ（0.６モル）を１時間か
けて滴下した。この後、５０℃で２０時間攪拌して、反
応を行なった。
【００４９】反応終了後、得られた反応混合物を濾過し
て無機塩を除去し、得られた濾液にｎ−ヘプタン１５０
ｇを加えた後、水洗して、更に、無機塩を除去した。こ
の後、減圧下に溶剤を除去して、純度９9.０％の淡黄色
シロップ状の2,２−ビス（４−ｔ−ブトキシカルボニル
メチレンオキシフェニル）プロパン８8.６ｇ（収率９7.
６％）を得た。
て無機塩を除去し、得られた濾液にｎ−ヘプタン１５０
ｇを加えた後、水洗して、更に、無機塩を除去した。こ
の後、減圧下に溶剤を除去して、純度９9.０％の淡黄色
シロップ状の2,２−ビス（４−ｔ−ブトキシカルボニル
メチレンオキシフェニル）プロパン８8.６ｇ（収率９7.
６％）を得た。
【００５０】プロトン核磁気共鳴スペクトル（溶媒ＣＤ
Ｃｌ3 、ＴＭＳ標準）によるプロトンの帰属を表１に示
す。
Ｃｌ3 、ＴＭＳ標準）によるプロトンの帰属を表１に示
す。
【００５１】
【表１】
【００５２】
【化１３】
【００５３】実施例１ （2,２−ビス（４−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオ
キシシクロヘキシル）プロパンの合成）2,２−ビス（４
−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキシフェニル）プ
ロパン１０ｇ、ｔ−ブチルアルコール（反応溶剤）１０
０ｇ及び５％ロジウム／カーボン粉末3.０ｇを攪拌機付
き２００ｍＬ容量のステンレス製オートクレーブに仕込
み、温度４５℃、水素圧力２０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの条件下
に約１時間攪拌した。
キシシクロヘキシル）プロパンの合成）2,２−ビス（４
−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキシフェニル）プ
ロパン１０ｇ、ｔ−ブチルアルコール（反応溶剤）１０
０ｇ及び５％ロジウム／カーボン粉末3.０ｇを攪拌機付
き２００ｍＬ容量のステンレス製オートクレーブに仕込
み、温度４５℃、水素圧力２０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの条件下
に約１時間攪拌した。
【００５４】反応終了後、得られた反応混合物を室温ま
で冷却し、触媒を濾別し、得られた濾液から反応溶剤を
エバポレーターにて留去することによって、目的物８6.
１％（高速液体クロマトグラフィー、ＲＩ検出器）を含
む無色透明のシロップ状の反応生成物9.４ｇを得た。
で冷却し、触媒を濾別し、得られた濾液から反応溶剤を
エバポレーターにて留去することによって、目的物８6.
１％（高速液体クロマトグラフィー、ＲＩ検出器）を含
む無色透明のシロップ状の反応生成物9.４ｇを得た。
【００５５】この反応生成物をカラムクロマトグラフィ
ーによって精製し、目的とする2,２−ビス（４−ｔ−ブ
トキシカルボニルメチレンオキシシクロヘキシル）プロ
パンを純度９5.５％にて得た。
ーによって精製し、目的とする2,２−ビス（４−ｔ−ブ
トキシカルボニルメチレンオキシシクロヘキシル）プロ
パンを純度９5.５％にて得た。
【００５６】赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法、ｃ
ｍ-1） ２９１０（νＣＨ2 ）、１７４４（νＣ＝Ｏ）、１４３
９（δＣＨ2 ）、１１２９（νＣ＝Ｏ−Ｃ） ＤＩ−ＭＳ（ｍ／ｅ） 親ピーク：検出できず フラグメント：３５６、３１１、２９７、２５５、１９
９、１５８ プロトン核磁気共鳴スペクトル（溶媒ＣＤＣｌ3 、ＴＭ
Ｓ標準）
ｍ-1） ２９１０（νＣＨ2 ）、１７４４（νＣ＝Ｏ）、１４３
９（δＣＨ2 ）、１１２９（νＣ＝Ｏ−Ｃ） ＤＩ−ＭＳ（ｍ／ｅ） 親ピーク：検出できず フラグメント：３５６、３１１、２９７、２５５、１９
９、１５８ プロトン核磁気共鳴スペクトル（溶媒ＣＤＣｌ3 、ＴＭ
Ｓ標準）
【００５７】
【表２】
【００５８】実施例２ 実施例１において、反応溶剤としてテトラヒドロフラン
１００ｇを用い、触媒として５％ロジウム／カーボン粉
末（５０％含水品）1.０ｇを用いて、温度６０℃、水素
圧力１０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇとした以外は、同様に反応を行
なって、目的物６9.５％（高速液体クロマトグラフィ
ー、ＲＩ検出器）を含む無色透明のシロップ状の反応生
成物9.７ｇを得た。
１００ｇを用い、触媒として５％ロジウム／カーボン粉
末（５０％含水品）1.０ｇを用いて、温度６０℃、水素
圧力１０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇとした以外は、同様に反応を行
なって、目的物６9.５％（高速液体クロマトグラフィ
ー、ＲＩ検出器）を含む無色透明のシロップ状の反応生
成物9.７ｇを得た。
【００５９】実施例３ （4,4'−ビス（ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキ
シ）ジシクロヘキシルの合成）4,4'−ビス（ｔ−ブトキ
シカルボニルメチレンオキシ）ビフェニル１０ｇ、ｔ−
ブチルアルコール１００ｇ及び５％ロジウム／カーボン
粉末3.０ｇを攪拌機付き２００ｍＬ容量のステンレス製
オートクレーブに仕込み、温度３５〜４５℃、水素圧力
２０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの条件下に約1.５時間攪拌した。
シ）ジシクロヘキシルの合成）4,4'−ビス（ｔ−ブトキ
シカルボニルメチレンオキシ）ビフェニル１０ｇ、ｔ−
ブチルアルコール１００ｇ及び５％ロジウム／カーボン
粉末3.０ｇを攪拌機付き２００ｍＬ容量のステンレス製
オートクレーブに仕込み、温度３５〜４５℃、水素圧力
２０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの条件下に約1.５時間攪拌した。
【００６０】反応終了後、得られた反応混合物を室温ま
で冷却し、触媒を濾別し、得られた濾液から反応溶剤を
エバポレーターにて留去することによって、目的物８5.
３％（高速液体クロマトグラフィー、ＲＩ検出器）を含
む白色固体状の反応生成物9.３ｇを得た。
で冷却し、触媒を濾別し、得られた濾液から反応溶剤を
エバポレーターにて留去することによって、目的物８5.
３％（高速液体クロマトグラフィー、ＲＩ検出器）を含
む白色固体状の反応生成物9.３ｇを得た。
【００６１】この反応生成物をメタノールから再結晶
し、目的とする4,4'−ビス（ｔ−ブトキシカルボニルメ
チレンオキシ）ジシクロヘキシルを純度９7.２％にて得
た。
し、目的とする4,4'−ビス（ｔ−ブトキシカルボニルメ
チレンオキシ）ジシクロヘキシルを純度９7.２％にて得
た。
【００６２】ＤＩ−ＭＳ（ｍ／ｅ） 親ピーク：（Ｍ＋Ｈ+）＝４２７ プロトン核磁気共鳴スペクトル（溶媒ＣＤＣｌ3 、ＴＭ
Ｓ標準）
Ｓ標準）
【００６３】
【図１】実施例４ （２−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキシビシクロ
〔4.4.０〕デカンの合成）２−ｔ−ブトキシカルボニル
メチレンオキシナフタレン１０ｇ、ｔ−ブチルアルコー
ル１００ｇ及び５％ロジウム／カーボン粉末3.０ｇを攪
拌機付き２００ｍＬ容量のステンレス製オートクレーブ
に仕込み、温度４０〜６０℃、水素圧力２０ｋｇ／ｃｍ
2 Ｇの条件下に約２時間攪拌した。
〔4.4.０〕デカンの合成）２−ｔ−ブトキシカルボニル
メチレンオキシナフタレン１０ｇ、ｔ−ブチルアルコー
ル１００ｇ及び５％ロジウム／カーボン粉末3.０ｇを攪
拌機付き２００ｍＬ容量のステンレス製オートクレーブ
に仕込み、温度４０〜６０℃、水素圧力２０ｋｇ／ｃｍ
2 Ｇの条件下に約２時間攪拌した。
【００６４】反応終了後、得られた反応混合物を室温ま
で冷却し、触媒を濾別し、得られた濾液から反応溶剤を
エバポレーターにて留去することによって、目的物９2.
１％（高速液体クロマトグラフィー、ＲＩ検出器）を含
む白色透明シロップ状の反応生成物8.７ｇを得た。
で冷却し、触媒を濾別し、得られた濾液から反応溶剤を
エバポレーターにて留去することによって、目的物９2.
１％（高速液体クロマトグラフィー、ＲＩ検出器）を含
む白色透明シロップ状の反応生成物8.７ｇを得た。
【００６５】この反応生成物をカラムクロマトグラフィ
ーによって精製し、目的とする２−ｔ−ブトキシカルボ
ニルメチレンオキシビシクロ〔4.4.０〕デカンを純度９
5.６％にて得た。
ーによって精製し、目的とする２−ｔ−ブトキシカルボ
ニルメチレンオキシビシクロ〔4.4.０〕デカンを純度９
5.６％にて得た。
【００６６】ＤＩ−ＭＳ（ｍ／ｅ） 親ピーク：（Ｍ＋Ｈ+）＝２６９ プロトン核磁気共鳴スペクトル（溶媒ＣＤＣｌ3 、ＴＭ
Ｓ標準）
Ｓ標準）
【００６７】
【図２】実施例５ （１−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキシ−２−シ
クロヘキシルシクロヘキサンの合成）１−ｔ−ブトキシ
カルボニルメチレンオキシ−２−シクロヘキシルベンゼ
ン１０ｇ、ｔ−ブチルアルコール１００ｇ及び５％ロジ
ウム／カーボン粉末3.０ｇを攪拌機付き２００ｍＬ容量
のステンレス製オートクレーブに仕込み、温度４０〜４
５℃、水素圧力２０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの条件下に約１時間
４０分攪拌した。
クロヘキシルシクロヘキサンの合成）１−ｔ−ブトキシ
カルボニルメチレンオキシ−２−シクロヘキシルベンゼ
ン１０ｇ、ｔ−ブチルアルコール１００ｇ及び５％ロジ
ウム／カーボン粉末3.０ｇを攪拌機付き２００ｍＬ容量
のステンレス製オートクレーブに仕込み、温度４０〜４
５℃、水素圧力２０ｋｇ／ｃｍ2 Ｇの条件下に約１時間
４０分攪拌した。
【００６８】反応終了後、得られた反応混合物を室温ま
で冷却し、触媒を濾別し、得られた濾液から反応溶剤を
エバポレーターにて留去することによって、目的とする
１−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキシ−２−シク
ロヘキシルシクロヘキサン９6.２％（高速液体クロマト
グラフィー、ＲＩ検出器）を含む白色透明シロップ状の
反応生成物１0.０ｇを得た。
で冷却し、触媒を濾別し、得られた濾液から反応溶剤を
エバポレーターにて留去することによって、目的とする
１−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキシ−２−シク
ロヘキシルシクロヘキサン９6.２％（高速液体クロマト
グラフィー、ＲＩ検出器）を含む白色透明シロップ状の
反応生成物１0.０ｇを得た。
【００６９】ＤＩ−ＭＳ（ｍ／ｅ） 親ピーク：（Ｍ+）＝２９６ プロトン核磁気共鳴スペクトル（溶媒ＣＤＣｌ3 、ＴＭ
Ｓ標準）
Ｓ標準）
【００７０】
【図３】
【図１】は、4,4'−ビス（ｔ−ブトキシカルボニルメチ
レンオキシ）ジシクロヘキシルのプロトン核磁気共鳴ス
ペクトル（溶媒ＣＤＣｌ3 、ＴＭＳ標準）である。
レンオキシ）ジシクロヘキシルのプロトン核磁気共鳴ス
ペクトル（溶媒ＣＤＣｌ3 、ＴＭＳ標準）である。
【図２】は、２−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキ
シビシクロ〔4.4.０〕デカンのプロトン核磁気共鳴スペ
クトル（溶媒ＣＤＣｌ3 、ＴＭＳ標準）である。
シビシクロ〔4.4.０〕デカンのプロトン核磁気共鳴スペ
クトル（溶媒ＣＤＣｌ3 、ＴＭＳ標準）である。
【図３】は、１−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキ
シ−２−シクロヘキシルシクロヘキサンのプロトン核磁
気共鳴スペクトル（溶媒ＣＤＣｌ3 、ＴＭＳ標準）であ
る。
シ−２−シクロヘキシルシクロヘキサンのプロトン核磁
気共鳴スペクトル（溶媒ＣＤＣｌ3 、ＴＭＳ標準）であ
る。
Claims (7)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｘは、水酸基、炭素原子数１〜４のアルキル
基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は炭素原子数５
若しくは６のシクロアルキル基を示し、ｍ及びａは、そ
れぞれ独立に１又は２である。）で表わされるヒドロ芳
香族オキシ酢酸ｔ−ブチルエステル。 - 【請求項２】１−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキ
シ−２−シクロヘキシルシクロヘキサン。 - 【請求項３】一般式（II） 【化２】 （式中、Ｘは、水酸基、炭素原子数１〜４のアルキル
基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は炭素原子数５
若しくは６のシクロアルキル基を示し、Ｙは、単結合又
は炭素原子数１〜３のアルキリデン基を示し、ｍ及びｎ
は、それぞれ独立に０、１又は２であり、ａ及びｂは、
それぞれ０、１又は２である。但し、ａ＋ｂは１又は２
である。）で表わされるヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブ
チルエステル。 - 【請求項４】2,２−ビス（４−ｔ−ブトキシカルボニル
メチレンオキシシクロヘキシル）プロパン。 - 【請求項５】4,4'−ビス（ｔ−ブトキシカルボニルメチ
レンオキシ）ジシクロヘキシル。 - 【請求項６】一般式（III) 【化３】 （式中、Ｘは、水酸基、炭素原子数１〜４のアルキル
基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は炭素原子数５
若しくは６のシクロアルキル基を示し、ｍ及びｎは、そ
れぞれ独立に０、１又は２であり、ａ及びｂは、それぞ
れ０、１又は２である。但し、ａ＋ｂは１又は２であ
る。）で表わされるヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ−ブチル
エステル。 - 【請求項７】２−ｔ−ブトキシカルボニルメチレンオキ
シビシクロ〔4.4.０〕デカン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10370872A JPH11263752A (ja) | 1998-01-12 | 1998-12-25 | ヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ―ブチルエステル |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-3959 | 1998-01-12 | ||
| JP395998 | 1998-01-12 | ||
| JP10370872A JPH11263752A (ja) | 1998-01-12 | 1998-12-25 | ヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ―ブチルエステル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11263752A true JPH11263752A (ja) | 1999-09-28 |
Family
ID=26337637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10370872A Pending JPH11263752A (ja) | 1998-01-12 | 1998-12-25 | ヒドロ芳香族オキシ酢酸ｔ―ブチルエステル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11263752A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007536311A (ja) * | 2004-05-04 | 2007-12-13 | ノバルティス アクチエンゲゼルシャフト | Ｃｒｔｈ２受容体アンタゴニスト |
-
1998
- 1998-12-25 JP JP10370872A patent/JPH11263752A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007536311A (ja) * | 2004-05-04 | 2007-12-13 | ノバルティス アクチエンゲゼルシャフト | Ｃｒｔｈ２受容体アンタゴニスト |
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