JPH11265988A5 - - Google Patents
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- JPH11265988A5 JPH11265988A5 JP1998088051A JP8805198A JPH11265988A5 JP H11265988 A5 JPH11265988 A5 JP H11265988A5 JP 1998088051 A JP1998088051 A JP 1998088051A JP 8805198 A JP8805198 A JP 8805198A JP H11265988 A5 JPH11265988 A5 JP H11265988A5
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- well region
- semiconductor device
- region
- conductive film
- impurity diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Description
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、一導電型の半導体基板の所定領域に形成された、前記半導体基板と逆導電型の第１のウェル領域と、前記第１のウェル領域に覆われるように前記第１のウェル領域の表面領域に形成された、前記第１のウェル領域と逆導電型の第２のウェル領域とを備えた半導体装置であって、前記第２のウェル領域上に第１の絶縁膜を介して形成された第１の導電膜と、前記第１の導電膜の両側における前記第２のウェル領域の表面領域に形成された一対の第１の不純物拡散層とを有し、前記第１の不純物拡散層の一方及び前記第２のウェル領域を貫通し前記第１のウェル領域に達する開孔部が形成されており、前記開孔部の内壁面を覆うように形成された誘電体膜と、前記誘電体膜を介して前記開孔部に充填された第２の導電膜と、前記誘電体膜を介して前記第２の導電膜と対向する前記第１及び第２のウェル領域とからキャパシタが構成され、前記第１の不純物拡散層の一方及び前記第２の導電膜上を覆うように第３の導電膜が形成されて、前記第１の不純物拡散層の一方と前記第２の導電膜とが接続されており、前記第２のウェル領域の側面から下面にかけての領域が前記第１のウェル領域によって覆われ、前記第１のウェル領域と前記第２のウェル領域が電気的に分離されていることを特徴とする。
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、一導電型の半導体基板の所定領域に形成された、前記半導体基板と逆導電型の第１のウェル領域と、前記第１のウェル領域に覆われるように前記第１のウェル領域の表面領域に形成された、前記第１のウェル領域と逆導電型の第２のウェル領域とを備えた半導体装置であって、前記第２のウェル領域上に第１の絶縁膜を介して形成された第１の導電膜と、前記第１の導電膜の両側における前記第２のウェル領域の表面領域に形成された一対の第１の不純物拡散層とを有し、前記第１の不純物拡散層の一方及び前記第２のウェル領域を貫通し前記第１のウェル領域に達する開孔部が形成されており、前記開孔部の内壁面を覆うように形成された誘電体膜と、前記誘電体膜を介して前記開孔部に充填された第２の導電膜と、前記誘電体膜を介して前記第２の導電膜と対向する前記第１及び第２のウェル領域とからキャパシタが構成され、前記第１の不純物拡散層の一方及び前記第２の導電膜上を覆うように第３の導電膜が形成されて、前記第１の不純物拡散層の一方と前記第２の導電膜とが接続されており、前記第２のウェル領域の側面から下面にかけての領域が前記第１のウェル領域によって覆われ、前記第１のウェル領域と前記第２のウェル領域が電気的に分離されていることを特徴とする。
Claims (8)
- 一導電型の半導体基板の所定領域に形成された、前記半導体基板と逆導電型の第１のウェル領域と、
前記第１のウェル領域に覆われるように前記第１のウェル領域の表面領域に形成された、前記第１のウェル領域と逆導電型の第２のウェル領域とを備えた半導体装置であって、
前記第２のウェル領域上に第１の絶縁膜を介して形成された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜の両側における前記第２のウェル領域の表面領域に形成された一対の第１の不純物拡散層とを有し、
前記第１の不純物拡散層の一方及び前記第２のウェル領域を貫通し前記第１のウェル領域に達する開孔部が形成されており、
前記開孔部の内壁面を覆うように形成された誘電体膜と、
前記誘電体膜を介して前記開孔部に充填された第２の導電膜と、
前記誘電体膜を介して前記第２の導電膜と対向する前記第１及び第２のウェル領域とからキャパシタが構成され、
前記第１の不純物拡散層の一方及び前記第２の導電膜上を覆うように第３の導電膜が形成されて、前記第１の不純物拡散層の一方と前記第２の導電膜とが接続されており、
前記第２のウェル領域の側面から下面にかけての領域が前記第１のウェル領域によって覆われ、前記第１のウェル領域と前記第２のウェル領域が電気的に分離されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第１のウェル領域に印加される電位と前記第２のウェル領域に印加される電位が異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
- 前記第１のウェル領域に印加される電位と前記半導体基板に印加される電位が異なることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
- 前記第２のウェル領域の一部が前記第１のウェル領域を貫通して前記半導体基板と接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記第２のウェル領域の下層に前記第２のウェル領域と同じ導電型で前記第２のウェル領域よりも不純物濃度が高い第２の不純物拡散層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記第１のウェル領域は上層に比して下層の不純物濃度が高く形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記開孔部が貫通する前記第１の不純物拡散層の一方と前記第１のウェル領域の間に前記開孔部に形成された前記誘電体膜を囲むように前記第２のウェル領域と同じ導電型の第３の不純物拡散層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板はシリコン単結晶基板であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10088051A JPH11265988A (ja) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10088051A JPH11265988A (ja) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11265988A JPH11265988A (ja) | 1999-09-28 |
| JPH11265988A5 true JPH11265988A5 (ja) | 2005-09-02 |
Family
ID=13932046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10088051A Pending JPH11265988A (ja) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11265988A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6864530B2 (en) | 2002-03-05 | 2005-03-08 | Hynix Semiconductor America, Inc. | High density flash memory architecture with columnar substrate coding |
-
1998
- 1998-03-17 JP JP10088051A patent/JPH11265988A/ja active Pending
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