JPH1126673A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの製造方法Info
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- JPH1126673A JPH1126673A JP9195042A JP19504297A JPH1126673A JP H1126673 A JPH1126673 A JP H1126673A JP 9195042 A JP9195042 A JP 9195042A JP 19504297 A JP19504297 A JP 19504297A JP H1126673 A JPH1126673 A JP H1126673A
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- lead frame
- lead
- bath
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/021—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material including at least one metal alloy layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 厳しい腐食環境下で使用しても錆びが発生せ
ず、半導体装置の信頼性が長期にわたってすぐれ、半田
濡れ性、ワイヤ−ボンディング性ともすぐれ、封止樹脂
との密着性もよいリードフレームを製造する。 【解決手段】 少なくともインナーリード２及びアウタ
ーリード３に、めっきを複数層形成するリードフレーム
６の製造方法において、リードフレーム６に下地めっき
後、Ａｕめっき浴にＡｇ又はＡｇ化合物を添加したＡ
ｕ、Ａｇ混合めっき浴中で表層にＡｕ−Ａｇ合金フラッ
シュめっきを形成する。他の要旨は、前記下地めっきの
後、Ａｕめっき浴でめっきし、該Ａｕめっきの前又は後
でＡｇめっき浴に浸漬し表層にＡｕ−Ａｇ合金フラッシ
ュめっきを形成する。
ず、半導体装置の信頼性が長期にわたってすぐれ、半田
濡れ性、ワイヤ−ボンディング性ともすぐれ、封止樹脂
との密着性もよいリードフレームを製造する。 【解決手段】 少なくともインナーリード２及びアウタ
ーリード３に、めっきを複数層形成するリードフレーム
６の製造方法において、リードフレーム６に下地めっき
後、Ａｕめっき浴にＡｇ又はＡｇ化合物を添加したＡ
ｕ、Ａｇ混合めっき浴中で表層にＡｕ−Ａｇ合金フラッ
シュめっきを形成する。他の要旨は、前記下地めっきの
後、Ａｕめっき浴でめっきし、該Ａｕめっきの前又は後
でＡｇめっき浴に浸漬し表層にＡｕ−Ａｇ合金フラッシ
ュめっきを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリードフレームの製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームは耐食性、ワイヤ−ボン
ディング及び半田付け性等を具備させるためにＡｕ、Ａ
ｇ又はＰｄ等がめっきされている。Ａｕ、Ａｇめっきは
前記各特性を付与させる作用効果があるが、コスト高に
なりこれは工業生産では大きな問題である。
ディング及び半田付け性等を具備させるためにＡｕ、Ａ
ｇ又はＰｄ等がめっきされている。Ａｕ、Ａｇめっきは
前記各特性を付与させる作用効果があるが、コスト高に
なりこれは工業生産では大きな問題である。
【０００３】またＡｇめっきはマイグレ−ションを誘発
させる原因となるので、特に多ピンフレ−ムでは問題が
あり、一方、Ｐｄめっきは加熱作用を受けた際に半田濡
れ性に僅かに難点があると言われている。
させる原因となるので、特に多ピンフレ−ムでは問題が
あり、一方、Ｐｄめっきは加熱作用を受けた際に半田濡
れ性に僅かに難点があると言われている。
【０００４】前記Ｐｄめっきの問題を改良するものとし
て、Ｐｄめっきを施した上面の少なくともアウターリー
ドにＡｕ又はＡｇを０．１μｍ以下に薄くめっきするこ
とが例えば特開平４−１１５５５８で提案されている。
て、Ｐｄめっきを施した上面の少なくともアウターリー
ドにＡｕ又はＡｇを０．１μｍ以下に薄くめっきするこ
とが例えば特開平４−１１５５５８で提案されている。
【０００５】
【この発明が解決しようとする課題】これではそれ相応
の作用効果があるが、しかし、腐食環境下で継続的に使
用した場合、例えば路面凍結防止剤が撒かれた路面を走
行する自動車や、あるいは多湿の工場等で使用される半
導体装置には、錆びが生じる問題があり、半導体装置の
長期にわたる信頼性に課題がある。また、封止樹脂との
密着性が十分でない問題がある。
の作用効果があるが、しかし、腐食環境下で継続的に使
用した場合、例えば路面凍結防止剤が撒かれた路面を走
行する自動車や、あるいは多湿の工場等で使用される半
導体装置には、錆びが生じる問題があり、半導体装置の
長期にわたる信頼性に課題がある。また、封止樹脂との
密着性が十分でない問題がある。
【０００６】本発明は、耐食性がすぐれ腐食環境下で使
用しても錆びが発生せず、半導体装置の信頼性が長期に
わたってすぐれ、併せて半田濡れ性、ワイヤ−ボンディ
ング性ともすぐれ、封止樹脂との密着性もよいリードフ
レームを製造することを目的とする。
用しても錆びが発生せず、半導体装置の信頼性が長期に
わたってすぐれ、併せて半田濡れ性、ワイヤ−ボンディ
ング性ともすぐれ、封止樹脂との密着性もよいリードフ
レームを製造することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、少なく
ともインナーリード及びアウターリードに、めっきを複
数層形成するリードフレームの製造方法において、リー
ドフレームに下地めっきした後、Ａｕめっき浴にＡｇ又
はＡｇ化合物を添加した、好ましくはＡｇ当量で２０〜
５００ＰＰＭ添加したＡｕ、Ａｇ混合めっき浴中で表層
にＡｕ−Ａｇ合金フラッシュめっきを形成するリードフ
レームの製造方法にある。他の要旨は、リードフレーム
を下地めっきの後、Ａｕめっき浴でめっきし、該Ａｕめ
っきの前又は後でＡｇめっき浴に浸漬し表層にＡｕ−Ａ
ｇ合金フラッシュめっきを形成するリードフレームの製
造方法にある。
ともインナーリード及びアウターリードに、めっきを複
数層形成するリードフレームの製造方法において、リー
ドフレームに下地めっきした後、Ａｕめっき浴にＡｇ又
はＡｇ化合物を添加した、好ましくはＡｇ当量で２０〜
５００ＰＰＭ添加したＡｕ、Ａｇ混合めっき浴中で表層
にＡｕ−Ａｇ合金フラッシュめっきを形成するリードフ
レームの製造方法にある。他の要旨は、リードフレーム
を下地めっきの後、Ａｕめっき浴でめっきし、該Ａｕめ
っきの前又は後でＡｇめっき浴に浸漬し表層にＡｕ−Ａ
ｇ合金フラッシュめっきを形成するリードフレームの製
造方法にある。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て述べる。リードフレームは銅薄板、あるいは鉄−Ｎｉ
薄板等を素材としてプレス法又はエッチング法により、
あるいは前記プレス法とエッチング法の併用により形成
され、図１に示すようにパッド１の周辺にインナーリー
ド２が形成され、該インナーリード２に連なってアウタ
ーリード３が形成されている。４はタイバ−、５はサポ
−トバ−である。該リードフレーム６に下地めっきを施
す。
て述べる。リードフレームは銅薄板、あるいは鉄−Ｎｉ
薄板等を素材としてプレス法又はエッチング法により、
あるいは前記プレス法とエッチング法の併用により形成
され、図１に示すようにパッド１の周辺にインナーリー
ド２が形成され、該インナーリード２に連なってアウタ
ーリード３が形成されている。４はタイバ−、５はサポ
−トバ−である。該リードフレーム６に下地めっきを施
す。
【０００９】下地めっきとして、例えばＮｉめっき、あ
るいはＰｄめっきが行われるが、これに先立って脱脂、
洗浄、酸洗等の前処理が施される。Ｎｉめっきは例えば
塩化Ｎｉ浴、硫化Ｎｉ浴等でなされ、０．２〜３．０μ
ｍ厚み形成される。めっきの厚みは素材の材質、リード
フレームへの要求度、上層のめっき金属等により適宜に
定められる。
るいはＰｄめっきが行われるが、これに先立って脱脂、
洗浄、酸洗等の前処理が施される。Ｎｉめっきは例えば
塩化Ｎｉ浴、硫化Ｎｉ浴等でなされ、０．２〜３．０μ
ｍ厚み形成される。めっきの厚みは素材の材質、リード
フレームへの要求度、上層のめっき金属等により適宜に
定められる。
【００１０】前記Ｎｉめっきした後、本発明のＡｕ−Ａ
ｇ合金フラッシュめっきを行ってもよいし、又は、Ｐｄ
めっきあるいはＰｄ合金めっきを施してからＡｕ−Ａｇ
合金フラッシュめっきを行ってもよい。また、前記Ｎｉ
めっきはせずにＰｄあるいはＰｄ合金をめっきした後、
Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュを行ってもよい。なお、前記
Ｐｄ合金めっきとしてはＰｄ−Ｎｉ、Ｐｄ−Ｃｕ等がな
される。
ｇ合金フラッシュめっきを行ってもよいし、又は、Ｐｄ
めっきあるいはＰｄ合金めっきを施してからＡｕ−Ａｇ
合金フラッシュめっきを行ってもよい。また、前記Ｎｉ
めっきはせずにＰｄあるいはＰｄ合金をめっきした後、
Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュを行ってもよい。なお、前記
Ｐｄ合金めっきとしてはＰｄ−Ｎｉ、Ｐｄ−Ｃｕ等がな
される。
【００１１】Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュめっきは、Ａｕ
めっき浴にＡｇ又はＡｇ化合物例えばシアン化Ａｇを添
加したＡｕ−Ａｇ混合めっき浴でリードフレーム６を電
気めっきし少なくともインナーリード２、アウターリー
ド３の表層に当該Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュを形成す
る。なお、めっきは電気めっきに限らず、無電解めっ
き、化学めっき等が採用できる。
めっき浴にＡｇ又はＡｇ化合物例えばシアン化Ａｇを添
加したＡｕ−Ａｇ混合めっき浴でリードフレーム６を電
気めっきし少なくともインナーリード２、アウターリー
ド３の表層に当該Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュを形成す
る。なお、めっきは電気めっきに限らず、無電解めっ
き、化学めっき等が採用できる。
【００１２】前記Ａｕめっき浴へのＡｇ又はＡｇ化合物
の添加量はＡｇ当量で２０〜５００ＰＰＭとする。その
理由は添加量が少ないとＡｕ−Ａｇ合金めっきによる耐
食性の向上作用が得られないので２０ＰＰＭ以上とす
る。一方、その添加量が余りにも多くなると多ピン品で
はマイグレ−ションのおそれがあるので５００ＰＰＭ以
下とする。
の添加量はＡｇ当量で２０〜５００ＰＰＭとする。その
理由は添加量が少ないとＡｕ−Ａｇ合金めっきによる耐
食性の向上作用が得られないので２０ＰＰＭ以上とす
る。一方、その添加量が余りにも多くなると多ピン品で
はマイグレ−ションのおそれがあるので５００ＰＰＭ以
下とする。
【００１３】前記Ａｕ−Ａｇ混合めっき浴によるＡｕ−
Ａｇ合金フラッシュめっき厚みは規定の必要はないが例
えば０．０００２〜１．０μｍである。また、Ａｕ−Ａ
ｇ合金フラッシュにより耐食性がＡｕあるいはＡｇ単独
めっきに比較し格段に向上するのは、ＮｉめっきやＰｄ
めっき等を行っていると言ってもミクロ的にみるとこれ
らめっき層には空孔が点在しているのを、Ａｕ−Ａｇ合
金めっきが入り込んで塞ぎ大気と完全に遮断するため
と、さらに該合金特有の耐食性向上作用のためと本発明
者達は考えている。
Ａｇ合金フラッシュめっき厚みは規定の必要はないが例
えば０．０００２〜１．０μｍである。また、Ａｕ−Ａ
ｇ合金フラッシュにより耐食性がＡｕあるいはＡｇ単独
めっきに比較し格段に向上するのは、ＮｉめっきやＰｄ
めっき等を行っていると言ってもミクロ的にみるとこれ
らめっき層には空孔が点在しているのを、Ａｕ−Ａｇ合
金めっきが入り込んで塞ぎ大気と完全に遮断するため
と、さらに該合金特有の耐食性向上作用のためと本発明
者達は考えている。
【００１４】次に、実施例について述べる。実施例では
銅薄板を素材として図１に示すリードフレームを製作
し、表１に示すめっき層をパッド、インナーリード、ア
ウターリードにそれぞれ形成した。表層のＡｕ−Ａｇ合
金フラッシュめっきは、Ａｇ添加量を６０ＰＰＭとした
Ａｕ−Ａｇ混合めっき浴で行った。
銅薄板を素材として図１に示すリードフレームを製作
し、表１に示すめっき層をパッド、インナーリード、ア
ウターリードにそれぞれ形成した。表層のＡｕ−Ａｇ合
金フラッシュめっきは、Ａｇ添加量を６０ＰＰＭとした
Ａｕ−Ａｇ混合めっき浴で行った。
【００１５】
【表１】
【００１６】めっきしたリードフレームについて耐食
性、半田濡れ性、及びボンディングしたワイヤ−のプル
強さを試験し、その結果を表２に示す。
性、半田濡れ性、及びボンディングしたワイヤ−のプル
強さを試験し、その結果を表２に示す。
【００１７】
【表２】
【００１８】これらの試験結果から明らかなように、本
発明によるリードフレームは、耐食性が特にすぐれ、半
田濡れ性も安定的にすぐれ、また、ワイヤ−プル強さが
高くボンディング性も極めて良好であることが実証され
た。
発明によるリードフレームは、耐食性が特にすぐれ、半
田濡れ性も安定的にすぐれ、また、ワイヤ−プル強さが
高くボンディング性も極めて良好であることが実証され
た。
【００１９】リードフレームの最表層に行うＡｕ−Ａｇ
合金フラッシュめっきは、Ａｕめっき浴でＡｕめっき
し、次いで、Ａｇめっき浴に浸漬しても形成され、Ａｕ
−Ａｇ混合めっき浴でめっきしたのと同じような効果が
得られる。また、前記Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュめっき
は、Ａｇめっき液に浸漬した後に、Ａｕめっき浴でめっ
きしても同じように形成される。
合金フラッシュめっきは、Ａｕめっき浴でＡｕめっき
し、次いで、Ａｇめっき浴に浸漬しても形成され、Ａｕ
−Ａｇ混合めっき浴でめっきしたのと同じような効果が
得られる。また、前記Ａｕ−Ａｇ合金フラッシュめっき
は、Ａｇめっき液に浸漬した後に、Ａｕめっき浴でめっ
きしても同じように形成される。
【００２０】
【発明の効果】本発明によると前記のように耐食性がす
ぐれ腐食環境下で使用しても錆びが発生が無く、半導体
装置の信頼性が長期にわたって確保され、併せて半田濡
れ性、ワイヤ−ボンディング性ともすぐれたリードフレ
ームが得られる。また、前記実施例には示さなかったが
封止樹脂との密着性が良好である。
ぐれ腐食環境下で使用しても錆びが発生が無く、半導体
装置の信頼性が長期にわたって確保され、併せて半田濡
れ性、ワイヤ−ボンディング性ともすぐれたリードフレ
ームが得られる。また、前記実施例には示さなかったが
封止樹脂との密着性が良好である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用されるリードフレームの１例を示
す図。
す図。
【符号の説明】 １ パッド ２ インナーリード ３ アウターリード
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくともインナーリード及びアウター
リードに、めっきを複数層形成するリードフレームの製
造方法において、リードフレームに下地めっきした後、
Ａｕめっき浴にＡｇ又はＡｇ化合物をした添加したＡｕ
−Ａｇ混合めっき浴中でＡｕ−Ａｇ合金フラッシュめっ
きを形成することを特徴するリードフレームの製造方
法。 - 【請求項２】 少なくともインナーリード及びアウター
リードに、めっきを複数層形成するリードフレームの製
造方法において、リードフレームに直接又はＮｉめっき
し、Ｐｄ又はＰｄ合金をめっきし、その表層に、Ａｕめ
っき浴にＡｇ又はＡｇ化合物を添加したＡｕ−Ａｇ混合
めっき浴中でめっきしＡｕ−Ａｇ合金フラッシュめっき
を形成することを特徴とするリードフレームの製造方
法。 - 【請求項３】 前記Ａｕめっき浴へのＡｇ又はＡｇ化合
物の添加量がＡｇ当量にて２０〜５００ＰＰＭのＡｕ−
Ａｇ混合浴でめっきすることを特徴とする請求項１又は
請求項２記載のリードフレームの製造方法。 - 【請求項４】 少なくともインナーリード及びアウター
リードに、めっきを複数層形成するリードフレームの製
造方法において、リードフレームに下地めっきした後、
Ａｕめっき浴でめっきし、該Ａｕめっきの前又は後でＡ
ｇめっき浴に浸漬しＡｕ−Ａｇ合金フラッシュめっきを
形成することを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項５】 少なくともインナーリード及びアウター
リードに、めっきを複数層形成するリードフレームの製
造方法において、リードフレームに直接又はＮｉめっき
し、Ｐｄ又はＰｄ合金をめっきし、その後、Ａｕめっき
浴でめっきし、該Ａｕめっきの前又は後でＡｇめっき浴
に浸漬しＡｕ−Ａｇ合金フラッシュめっきを形成するこ
とを特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9195042A JPH1126673A (ja) | 1997-07-03 | 1997-07-03 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9195042A JPH1126673A (ja) | 1997-07-03 | 1997-07-03 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126673A true JPH1126673A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16334586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9195042A Pending JPH1126673A (ja) | 1997-07-03 | 1997-07-03 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126673A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010040679A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2012241260A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Kanto Gakuin | 電解パラジウム−リン合金めっき液、めっき被膜及びめっき製品 |
-
1997
- 1997-07-03 JP JP9195042A patent/JPH1126673A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010040679A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2012241260A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Kanto Gakuin | 電解パラジウム−リン合金めっき液、めっき被膜及びめっき製品 |
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