JPH11268904A - 化合物半導体多結晶の合成方法および当該合成方法で合成した化合物半導体多結晶 - Google Patents
化合物半導体多結晶の合成方法および当該合成方法で合成した化合物半導体多結晶Info
- Publication number
- JPH11268904A JPH11268904A JP36905198A JP36905198A JPH11268904A JP H11268904 A JPH11268904 A JP H11268904A JP 36905198 A JP36905198 A JP 36905198A JP 36905198 A JP36905198 A JP 36905198A JP H11268904 A JPH11268904 A JP H11268904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- compound semiconductor
- ampoule
- synthesis
- polycrystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 アンプルの一端に原料のIII族元素を載せた
ボートを、また他端に原料のＶ族元素を入れて真空封止
し、このアンプル全体を加熱するとともに、上記ボート
を局部的にさらに高い温度に加熱してボート内でIII族
元素と上記Ｖ族元素から発生したＶ族元素蒸気とを反応
させ、徐々に上記高温部を相対移動させながらIII−Ｖ
族化合物半導体多結晶を合成する多結晶合成方法におい
て、合成初期においては上記アンプルの相対移動を合成
中期に比べて低速で行なうようにした。 【効果】 アンプルとヒータとを相対移動させたときに
温度のピーク位置がずれるのを防止することができ、こ
れによってＶ族元素の供給を合成速度に合致させること
ができ、始端部から終端部まで広い範囲にわたって組成
がストイキオメトリーである多結晶を合成することがで
きる。
ボートを、また他端に原料のＶ族元素を入れて真空封止
し、このアンプル全体を加熱するとともに、上記ボート
を局部的にさらに高い温度に加熱してボート内でIII族
元素と上記Ｖ族元素から発生したＶ族元素蒸気とを反応
させ、徐々に上記高温部を相対移動させながらIII−Ｖ
族化合物半導体多結晶を合成する多結晶合成方法におい
て、合成初期においては上記アンプルの相対移動を合成
中期に比べて低速で行なうようにした。 【効果】 アンプルとヒータとを相対移動させたときに
温度のピーク位置がずれるのを防止することができ、こ
れによってＶ族元素の供給を合成速度に合致させること
ができ、始端部から終端部まで広い範囲にわたって組成
がストイキオメトリーである多結晶を合成することがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体多結晶の合
成技術に関し、例えばＩｎＰ多結晶を合成する場合に利
用して効果のある技術に関する。
成技術に関し、例えばＩｎＰ多結晶を合成する場合に利
用して効果のある技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、化合物半導体デバイスの材料とし
て使用されるＩｎＰは、原料のＩｎ（インジウム）とＰ
（リン）を直接反応させて単結晶を成長させることが困
難であるため、まず多結晶を合成してこの合成多結晶を
用いてＬＥＣ法等により単結晶を成長させることが行な
われている。上記ＩｎＰ多結晶の合成方法の一つに、図
１に示すような合成装置を用いて行なう方法がある。
て使用されるＩｎＰは、原料のＩｎ（インジウム）とＰ
（リン）を直接反応させて単結晶を成長させることが困
難であるため、まず多結晶を合成してこの合成多結晶を
用いてＬＥＣ法等により単結晶を成長させることが行な
われている。上記ＩｎＰ多結晶の合成方法の一つに、図
１に示すような合成装置を用いて行なう方法がある。
【０００３】この合成方法は、一端に原料となるインジ
ウムの入ったボート２を、また他端にリン塊３を載置し
て真空封入した石英製アンプル１を合成炉（ヒータ）４
内に設置し、ヒータ４により図２に示すごとくボート側
が８００℃、リン塊側が５４０℃となり、その中間に１
１００℃のような温度ピークを有する温度分布を形成
し、アンプル１とヒータ４とを相対移動させてボート内
のインジウムにリン蒸気を供給して反応させ、ボートの
一端から他端に向けて徐々にＩｎＰ単結晶を成長させて
行くというものである。なお、図１において、５は対流
によるアンプル内の温度の均一化を防止して温度変化の
急峻な図２のごとき温度分布を形成し易くするための遮
熱体である。
ウムの入ったボート２を、また他端にリン塊３を載置し
て真空封入した石英製アンプル１を合成炉（ヒータ）４
内に設置し、ヒータ４により図２に示すごとくボート側
が８００℃、リン塊側が５４０℃となり、その中間に１
１００℃のような温度ピークを有する温度分布を形成
し、アンプル１とヒータ４とを相対移動させてボート内
のインジウムにリン蒸気を供給して反応させ、ボートの
一端から他端に向けて徐々にＩｎＰ単結晶を成長させて
行くというものである。なお、図１において、５は対流
によるアンプル内の温度の均一化を防止して温度変化の
急峻な図２のごとき温度分布を形成し易くするための遮
熱体である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の多結晶合成法にあっては、固化率の低いときの合成
部分すなわち最初に結晶化した部分の組成（Ｉｎ／Ｐ
比）がストイキオメトリー（化学量論比）から外れ、イ
ンジウムの比率が高いインジウム・リッチの状態になり
易い。また、合成多結晶の終端部がインジウム・リッチ
になることもあった。このようなインジウム・リッチの
部分を含む多結晶を原料として単結晶を成長させると、
マイクロツイン（あるいはラメラツイン）と呼ばれる欠
陥が生じ、良質の単結晶が得られなくなるため、従来イ
ンジウム・リッチである合成多結晶の始端部や終端部は
カットせざるを得なかった。そのため、原料の無駄が多
くなり、生産性が低下するという問題点があることが明
かになった。
来の多結晶合成法にあっては、固化率の低いときの合成
部分すなわち最初に結晶化した部分の組成（Ｉｎ／Ｐ
比）がストイキオメトリー（化学量論比）から外れ、イ
ンジウムの比率が高いインジウム・リッチの状態になり
易い。また、合成多結晶の終端部がインジウム・リッチ
になることもあった。このようなインジウム・リッチの
部分を含む多結晶を原料として単結晶を成長させると、
マイクロツイン（あるいはラメラツイン）と呼ばれる欠
陥が生じ、良質の単結晶が得られなくなるため、従来イ
ンジウム・リッチである合成多結晶の始端部や終端部は
カットせざるを得なかった。そのため、原料の無駄が多
くなり、生産性が低下するという問題点があることが明
かになった。
【０００５】本発明は、上記のような問題点に着目して
なされたもので、その目的とするところは、始端部から
終端部まで広い範囲にわたって組成がストイキオメトリ
ーであるIII−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成すること
ができる多結晶合成方法を提供することにある。
なされたもので、その目的とするところは、始端部から
終端部まで広い範囲にわたって組成がストイキオメトリ
ーであるIII−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成すること
ができる多結晶合成方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは、まず合成ＩｎＰ多結晶の始端部がイ
ンジウム・リッチになる原因について解析、考察を行な
った。
に、本発明者らは、まず合成ＩｎＰ多結晶の始端部がイ
ンジウム・リッチになる原因について解析、考察を行な
った。
【０００７】その結果、上記従来方法ではアンプルとヒ
ータとを相対移動させているが、そのとき温度のピーク
位置がアンプルの移動方向と逆の方向へ移動しているこ
とを見出した。図３に、本発明者らが行なった実験によ
り得られたアンプルの移動量と温度のピーク位置のずれ
との関係を示す。ただし、この実験はアンプルをヒータ
に対して等速度で移動させたときのものである。
ータとを相対移動させているが、そのとき温度のピーク
位置がアンプルの移動方向と逆の方向へ移動しているこ
とを見出した。図３に、本発明者らが行なった実験によ
り得られたアンプルの移動量と温度のピーク位置のずれ
との関係を示す。ただし、この実験はアンプルをヒータ
に対して等速度で移動させたときのものである。
【０００８】上記のように温度のピーク位置がアンプル
の移動方向と逆の方向へ移動すると、アンプルとヒータ
との相対的な移動速度が速くなるため、リンの供給が合
成速度に追い付かなくなってしまい、その結果、合成多
結晶の始端部がインジウム・リッチになるとの結論に達
した。また、合成多結晶の終端部がインジウム・リッチ
になるのは、合成の末期時にはリン原料塊が当初よりも
小さくなっているため、リンの昇華量が減少するためで
あると考えた。
の移動方向と逆の方向へ移動すると、アンプルとヒータ
との相対的な移動速度が速くなるため、リンの供給が合
成速度に追い付かなくなってしまい、その結果、合成多
結晶の始端部がインジウム・リッチになるとの結論に達
した。また、合成多結晶の終端部がインジウム・リッチ
になるのは、合成の末期時にはリン原料塊が当初よりも
小さくなっているため、リンの昇華量が減少するためで
あると考えた。
【０００９】なお、上記のように温度のピーク位置が移
動する理由は、アンプル内の熱容量はインジウムの入っ
ているボート側の方がリン側よりも大きくなっているた
め、熱容量の大きなボートが温度のピーク位置側に近づ
くことによってピーク位置がボート側へずれるためであ
ると考えられる。
動する理由は、アンプル内の熱容量はインジウムの入っ
ているボート側の方がリン側よりも大きくなっているた
め、熱容量の大きなボートが温度のピーク位置側に近づ
くことによってピーク位置がボート側へずれるためであ
ると考えられる。
【００１０】そこで、本発明者らは合成開始初期および
合成終了時のアンプルとヒータとの相対的な移動速度を
遅くすれば、温度のピーク位置がずれるのを防止して合
成多結晶の始端部や終端部がインジウム・リッチになる
のを回避することができるのではないかと考え、種々の
実験を行なった。その結果、上記移動速度の制御により
始端部から終端部まで広い範囲にわたって組成がストイ
キオメトリーである多結晶を合成することができること
を見出した。
合成終了時のアンプルとヒータとの相対的な移動速度を
遅くすれば、温度のピーク位置がずれるのを防止して合
成多結晶の始端部や終端部がインジウム・リッチになる
のを回避することができるのではないかと考え、種々の
実験を行なった。その結果、上記移動速度の制御により
始端部から終端部まで広い範囲にわたって組成がストイ
キオメトリーである多結晶を合成することができること
を見出した。
【００１１】この発明は、上記のような知見に基づいて
なされたもので、アンプルの一端に原料のIII族元素を
載せたボートを、当該ボートの他端に原料のＶ族元素を
入れて真空封止し、このアンプル全体を加熱するととも
に、上記ボートを局部的にさらに高い温度に加熱してボ
ート内でI上記II族元素と上記Ｖ族元素から発生したＶ
族元素蒸気とを反応させ、徐々に上記高温部を相対移動
させながらIII−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成する多
結晶合成方法において、合成初期においては上記アンプ
ルの相対移動を合成中期に比べて低速で行なうようにし
たものである。
なされたもので、アンプルの一端に原料のIII族元素を
載せたボートを、当該ボートの他端に原料のＶ族元素を
入れて真空封止し、このアンプル全体を加熱するととも
に、上記ボートを局部的にさらに高い温度に加熱してボ
ート内でI上記II族元素と上記Ｖ族元素から発生したＶ
族元素蒸気とを反応させ、徐々に上記高温部を相対移動
させながらIII−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成する多
結晶合成方法において、合成初期においては上記アンプ
ルの相対移動を合成中期に比べて低速で行なうようにし
たものである。
【００１２】なお、合成末期における上記アンプルの相
対移動も合成中期に比べて低速で行なうようにすること
もできる。
対移動も合成中期に比べて低速で行なうようにすること
もできる。
【００１３】上記多結晶合成方法によれば、合成された
多結晶インゴットの固化率０〜８５％、条件によっては
固化率０〜９５％の範囲にわたって、その結晶組成比
（III族元素／（III族元素＋Ｖ族元素））が、０．５０
００±０．０００１以内にあるIII−Ｖ族化合物半導体
多結晶を得ることができ、原料の無駄を無くし、生産性
を向上させることが期待できる。
多結晶インゴットの固化率０〜８５％、条件によっては
固化率０〜９５％の範囲にわたって、その結晶組成比
（III族元素／（III族元素＋Ｖ族元素））が、０．５０
００±０．０００１以内にあるIII−Ｖ族化合物半導体
多結晶を得ることができ、原料の無駄を無くし、生産性
を向上させることが期待できる。
【００１４】ここで、固化率８５〜１００％の部分を除
いたのは、固化率が高くなると偏析によって次第に不純
物がIII族元素融液中に濃縮されて、結晶終端部で不純
物濃度が高い多結晶が合成されてしまうためである。
いたのは、固化率が高くなると偏析によって次第に不純
物がIII族元素融液中に濃縮されて、結晶終端部で不純
物濃度が高い多結晶が合成されてしまうためである。
【００１５】
【作用】上記した手段によれば、アンプルとヒータとを
相対移動させたときに温度のピーク位置がずれるのを防
止することができ、これによってＶ族元素の供給を合成
速度に合致させることができ、始端部から終端部まで広
い範囲にわたって組成がストイキオメトリーであるIII
−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成することができる。
相対移動させたときに温度のピーク位置がずれるのを防
止することができ、これによってＶ族元素の供給を合成
速度に合致させることができ、始端部から終端部まで広
い範囲にわたって組成がストイキオメトリーであるIII
−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成することができる。
【００１６】また、合成末期における上記アンプルの相
対移動も合成中期に比べて低速に変更すれば、Ｖ族元素
の塊が次第に小さくなってもボート側に供給されるＶ族
元素の量が減少するのを防止することができ、さらに広
い範囲にわたって組成がストイキオメトリーであるIII
−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成することができる。
対移動も合成中期に比べて低速に変更すれば、Ｖ族元素
の塊が次第に小さくなってもボート側に供給されるＶ族
元素の量が減少するのを防止することができ、さらに広
い範囲にわたって組成がストイキオメトリーであるIII
−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成することができる。
【００１７】
【実施例】（実施例１）図３に示されているような内径
７５ｍｍ、外径８０ｍｍの円筒状石英製アンプル１を合
成用容器として用意し、このアンプル１の一端に重量
１．１５ｋｇの赤リンインゴット３を入れ、またアンプ
ル１の他端には３．９ｋｇのインジウムを載せた長さ４
５０ｍｍのｐＢＮ製ボート２を載置した。また、アンプ
ル１の中央上記原料間には、複数の石英製円板が等間隔
で保持されてなる遮熱体５を入れてアンプル１内の対流
を防止できるようにして、アンプル１の開放端に石英製
のキャップを被せ、真空ポンプでアンプル１内を１×１
０-6Torrにしてからキャップとアンプル１との間をバー
ナーを用いて真空封止した。
７５ｍｍ、外径８０ｍｍの円筒状石英製アンプル１を合
成用容器として用意し、このアンプル１の一端に重量
１．１５ｋｇの赤リンインゴット３を入れ、またアンプ
ル１の他端には３．９ｋｇのインジウムを載せた長さ４
５０ｍｍのｐＢＮ製ボート２を載置した。また、アンプ
ル１の中央上記原料間には、複数の石英製円板が等間隔
で保持されてなる遮熱体５を入れてアンプル１内の対流
を防止できるようにして、アンプル１の開放端に石英製
のキャップを被せ、真空ポンプでアンプル１内を１×１
０-6Torrにしてからキャップとアンプル１との間をバー
ナーを用いて真空封止した。
【００１８】次に、上記アンプル１を合成炉（ヒータ）
４内に設置し、全体を室温から５４０℃まで２．５時間
かけて昇温した後、図２の温度分布を形成して１時間保
持した。それから、まずアンプル１を図１において右方
向へ４ｍｍ／時の速さで７．５時間（３０ｍｍ）移動さ
せた後、アンプル１の移動速度を１０ｍｍ／時の速さに
上げて、ＩｎＰ多結晶の合成を行なった。
４内に設置し、全体を室温から５４０℃まで２．５時間
かけて昇温した後、図２の温度分布を形成して１時間保
持した。それから、まずアンプル１を図１において右方
向へ４ｍｍ／時の速さで７．５時間（３０ｍｍ）移動さ
せた後、アンプル１の移動速度を１０ｍｍ／時の速さに
上げて、ＩｎＰ多結晶の合成を行なった。
【００１９】この実施例では、アンプルの移動を開始し
てから１５ｍｍ移動したところで、多結晶が成長し始め
た。
てから１５ｍｍ移動したところで、多結晶が成長し始め
た。
【００２０】（実施例２）実施例１と同一の装置と同一
の条件で、ＩｎＰ多結晶の合成を行ない、アンプルが３
５０ｍｍ移動したところで、アンプル１の移動速度を６
ｍｍ／時の速さに下げた。
の条件で、ＩｎＰ多結晶の合成を行ない、アンプルが３
５０ｍｍ移動したところで、アンプル１の移動速度を６
ｍｍ／時の速さに下げた。
【００２１】（比較例）実施例１と同一の装置と同一の
条件で、アンプル１の移動速度を合成中ずっと１０ｍｍ
／時の一定速さに保ってＩｎＰ多結晶の合成を行なっ
た。
条件で、アンプル１の移動速度を合成中ずっと１０ｍｍ
／時の一定速さに保ってＩｎＰ多結晶の合成を行なっ
た。
【００２２】実施例１と実施例２および比較例で得られ
た合成ＩｎＰ多結晶の組成比Ｉｎ／ＩｎＰを測定したと
ころ、図４に示すような結果が得られた。
た合成ＩｎＰ多結晶の組成比Ｉｎ／ＩｎＰを測定したと
ころ、図４に示すような結果が得られた。
【００２３】図４において、□印は実施例１で得られた
合成ＩｎＰ多結晶の組成比Ｉｎ／ＩｎＰを例えば結晶イ
ンゴットの成長方向に沿ってプロットしたもの、○印は
比較例で得られた合成ＩｎＰ多結晶の組成比Ｉｎ／Ｉｎ
Ｐを多結晶インゴットの成長方向に沿ってプロットした
ものである。
合成ＩｎＰ多結晶の組成比Ｉｎ／ＩｎＰを例えば結晶イ
ンゴットの成長方向に沿ってプロットしたもの、○印は
比較例で得られた合成ＩｎＰ多結晶の組成比Ｉｎ／Ｉｎ
Ｐを多結晶インゴットの成長方向に沿ってプロットした
ものである。
【００２４】これより、比較例で得られた合成ＩｎＰ多
結晶インゴットの組成比Ｉｎ／ＩｎＰは、結晶の始端部
と終端部でそれぞれストイキオメトリーから大きくイン
ジウム・リッチ側にずれているのに対し、実施例１で得
られた合成ＩｎＰ多結晶インゴットは、始端部から３４
０ｍｍ（固化率０〜８５％）までずっと、組成比Ｉｎ／
ＩｎＰが、０．５０００±０．０００１以内にあること
が分かった。
結晶インゴットの組成比Ｉｎ／ＩｎＰは、結晶の始端部
と終端部でそれぞれストイキオメトリーから大きくイン
ジウム・リッチ側にずれているのに対し、実施例１で得
られた合成ＩｎＰ多結晶インゴットは、始端部から３４
０ｍｍ（固化率０〜８５％）までずっと、組成比Ｉｎ／
ＩｎＰが、０．５０００±０．０００１以内にあること
が分かった。
【００２５】実施例２で得られた合成ＩｎＰ多結晶イン
ゴットは、結晶の終端部でも組成比Ｉｎ／ＩｎＰが、図
４に■印で示すように０．５０００±０．０００１以内
にあることが分かった。
ゴットは、結晶の終端部でも組成比Ｉｎ／ＩｎＰが、図
４に■印で示すように０．５０００±０．０００１以内
にあることが分かった。
【００２６】なお、上記実施例では、一例として本発明
をＩｎＰ多結晶の合成に適用した場合について説明した
が、この発明はそれに限定されるものでなく、ＧａＰ多
結晶等のIII−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成する場合
に適用することができる。
をＩｎＰ多結晶の合成に適用した場合について説明した
が、この発明はそれに限定されるものでなく、ＧａＰ多
結晶等のIII−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成する場合
に適用することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明は、アンプ
ルの一端に原料のIII族元素を載せたボートを、また他
端に原料のＶ族元素を入れて真空封止し、このアンプル
全体を加熱するとともに、上記ボートを局部的にさらに
高い温度に加熱してボート内でIII族元素と上記Ｖ族元
素から発生したＶ族元素蒸気とを反応させ、徐々に上記
高温部を相対移動させながらIII−Ｖ族化合物半導体多
結晶を合成する多結晶合成方法において、合成初期にお
いては上記アンプルの相対移動を合成中期に比べて低速
で行なうようにしたので、アンプルとヒータとを相対移
動させたときに温度のピーク位置がずれるのを防止する
ことができ、これによってＶ族元素の供給を合成速度に
合致させることができ、始端部から終端部まで広い範囲
にわたって組成がストイキオメトリーであるIII−Ｖ族
化合物半導体多結晶を合成することができる。その結
果、原料の無駄が少なくなり、生産性が向上する。
ルの一端に原料のIII族元素を載せたボートを、また他
端に原料のＶ族元素を入れて真空封止し、このアンプル
全体を加熱するとともに、上記ボートを局部的にさらに
高い温度に加熱してボート内でIII族元素と上記Ｖ族元
素から発生したＶ族元素蒸気とを反応させ、徐々に上記
高温部を相対移動させながらIII−Ｖ族化合物半導体多
結晶を合成する多結晶合成方法において、合成初期にお
いては上記アンプルの相対移動を合成中期に比べて低速
で行なうようにしたので、アンプルとヒータとを相対移
動させたときに温度のピーク位置がずれるのを防止する
ことができ、これによってＶ族元素の供給を合成速度に
合致させることができ、始端部から終端部まで広い範囲
にわたって組成がストイキオメトリーであるIII−Ｖ族
化合物半導体多結晶を合成することができる。その結
果、原料の無駄が少なくなり、生産性が向上する。
【００２８】また、合成末期における上記アンプルの相
対移動も合成中期に比べて低速に変化させた場合には、
Ｖ族元素の塊が次第に小さくなってもボート側に供給さ
れるＶ族元素の量が減少するのを防止することができ、
さらに広い範囲にわたって組成がストイキオメトリーで
あるIII−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成することがで
きるという効果がある。
対移動も合成中期に比べて低速に変化させた場合には、
Ｖ族元素の塊が次第に小さくなってもボート側に供給さ
れるＶ族元素の量が減少するのを防止することができ、
さらに広い範囲にわたって組成がストイキオメトリーで
あるIII−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成することがで
きるという効果がある。
【図１】ＩｎＰ多結晶の合成炉の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】ＩｎＰ多結晶の合成炉の温度分布の一例を示す
図である。
図である。
【図３】アンプルの相対移動速度を合成中ずっと一定速
さに保った場合のアンプルの移動量と温度のピーク位置
のずれとの関係を示すグラフである。
さに保った場合のアンプルの移動量と温度のピーク位置
のずれとの関係を示すグラフである。
【図４】実施例１と２および比較例で得られた合成Ｉｎ
Ｐ多結晶の組成比Ｉｎ／ＩｎＰの測定結果を示すグラフ
である。
Ｐ多結晶の組成比Ｉｎ／ＩｎＰの測定結果を示すグラフ
である。
１ アンプル ２ ボート ３ リン塊（赤リンインゴット） ４ ヒータ（合成炉） ５ 遮熱板
Claims (4)
- 【請求項１】 アンプルの一端に原料のIII族元素を載
せたボートを、当該ボートの他端に原料のＶ族元素を入
れて真空封止し、このアンプル全体を加熱するととも
に、上記ボートを局部的にさらに高い温度に加熱してボ
ート内でI上記II族元素と上記Ｖ族元素から発生したＶ
族元素蒸気とを反応させ、徐々に上記高温部を相対移動
させながらIII−Ｖ族化合物半導体多結晶を合成する多
結晶合成方法において、合成初期においては上記アンプ
ルの相対移動を合成中期に比べて低速で行なうようにし
たことを特徴とする化合物半導体多結晶の合成方法。 - 【請求項２】 合成末期における上記アンプルの相対移
動も合成中期に比べて低速で行なうようにしたことを特
徴とする請求項１記載の化合物半導体多結晶の合成方
法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の化合物
半導体多結晶の合成方法によって合成された化合物半導
体多結晶であって、多結晶インゴットの固化率０〜８５
％の範囲にわたって、その結晶組成比（III族元素／（I
II族元素＋Ｖ族元素））が、０．５０００±０．０００
１以内にあることを特徴とする化合物半導体多結晶。 - 【請求項４】 請求項１または請求項２に記載の化合物
半導体多結晶の合成方法によって合成された化合物半導
体多結晶であって、多結晶インゴットの固化率０〜９５
％の範囲にわたって、その結晶組成比（III族元素／（I
II族元素＋Ｖ族元素））が、０．５０００±０．０００
１以内にあることを特徴とする化合物半導体多結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36905198A JP3443766B2 (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 化合物半導体多結晶の合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36905198A JP3443766B2 (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 化合物半導体多結晶の合成方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2673193A Division JPH06239699A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 化合物半導体多結晶およびその合成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11268904A true JPH11268904A (ja) | 1999-10-05 |
| JP3443766B2 JP3443766B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=18493440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36905198A Expired - Lifetime JP3443766B2 (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 化合物半導体多結晶の合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3443766B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007084366A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体多結晶の製造方法 |
| EP2722420A2 (en) | 2012-10-22 | 2014-04-23 | Hitachi Metals, Ltd. | Equipment and method for producing a compound polycrystal, and method for growing a compound single crystal |
-
1998
- 1998-12-25 JP JP36905198A patent/JP3443766B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007084366A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体多結晶の製造方法 |
| EP2722420A2 (en) | 2012-10-22 | 2014-04-23 | Hitachi Metals, Ltd. | Equipment and method for producing a compound polycrystal, and method for growing a compound single crystal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3443766B2 (ja) | 2003-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20120132130A1 (en) | METHOD OF PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL | |
| CN112176399A (zh) | 一种含掺杂元素的单晶的制备方法与制备装置 | |
| JP4120016B2 (ja) | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| JPH11268904A (ja) | 化合物半導体多結晶の合成方法および当該合成方法で合成した化合物半導体多結晶 | |
| JP2001226196A (ja) | テルビウム・アルミニウム・ガーネット単結晶およびその製造方法 | |
| JPH10218699A (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法 | |
| JPH06239699A (ja) | 化合物半導体多結晶およびその合成方法 | |
| JPH1087392A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPS6350399A (ja) | ｐ型ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| JP2000302599A (ja) | シリコンカーバイドのエピタキシャル成長方法 | |
| JP2733899B2 (ja) | レアア−ス・ガリウム・ペロブスカイト単結晶の育成方法 | |
| JP2887978B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体組成物の合成方法 | |
| JP3132034B2 (ja) | 化合物半導体結晶の育成方法 | |
| JP2000327496A (ja) | ＩｎＰ単結晶の製造方法 | |
| JPS62162687A (ja) | 燐化インジウムの製造方法 | |
| KR930000903B1 (ko) | Ⅲ-v족 화합물 반도체의 단결정 제조시 저온부의 온도 제어방법 | |
| JPH069025Y2 (ja) | 化合物半導体単結晶製造装置 | |
| JP3806793B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JP2781857B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| KR960014956B1 (ko) | 갈륨비소 단결정 성장시의 쌍정 방지방법 | |
| JPH06279198A (ja) | 半絶縁性ガリウム砒素化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JP2773441B2 (ja) | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| JPH0357078B2 (ja) | ||
| KR950013003B1 (ko) | 갈륨비소 단결정 성장용 다결정 성장방법 | |
| JP2573655B2 (ja) | ノンドープ化合物半導体単結晶の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080627 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080627 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627 |